TWI636711B - 電子電路模組及其製造方法 - Google Patents
電子電路模組及其製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI636711B TWI636711B TW106112023A TW106112023A TWI636711B TW I636711 B TWI636711 B TW I636711B TW 106112023 A TW106112023 A TW 106112023A TW 106112023 A TW106112023 A TW 106112023A TW I636711 B TWI636711 B TW I636711B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- electronic circuit
- circuit module
- mold resin
- metal shield
- conductor
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 125
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 125
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 100
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 100
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 71
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 59
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 7
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 12
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 4
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
- H05K1/0216—Reduction of cross-talk, noise or electromagnetic interference
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/561—Batch processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49838—Geometry or layout
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/552—Protection against radiation, e.g. light or electromagnetic waves
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/564—Details not otherwise provided for, e.g. protection against moisture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0652—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/071—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next and on each other, i.e. mixed assemblies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/115—Via connections; Lands around holes or via connections
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0296—Conductive pattern lay-out details not covered by sub groups H05K1/02 - H05K1/0295
- H05K1/0298—Multilayer circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/182—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with components mounted in the printed circuit board, e.g. insert mounted components [IMC]
- H05K1/185—Components encapsulated in the insulating substrate of the printed circuit or incorporated in internal layers of a multilayer circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/07—Electric details
- H05K2201/0707—Shielding
- H05K2201/0715—Shielding provided by an outer layer of PCB
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10227—Other objects, e.g. metallic pieces
- H05K2201/10371—Shields or metal cases
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
- H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Geometry (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
本發明的課題在於容易而且確實地將被形成於鑄模樹脂的上表面的金屬屏蔽連接於電源圖案。
本發明之解決手段係具備:基板20,其具有電源圖案24;電子零件32,其被搭載於基板20的表面21;鑄模樹脂40,其以埋入電子零件32的方式覆蓋基板20的表面21;金屬屏蔽50,其覆蓋鑄模樹脂40;及貫通導體60,其貫通鑄模樹脂40而設置,而連接金屬屏蔽50和電源圖案24。根據本發明,因為金屬屏蔽50和電源圖案24經由貫通鑄模樹脂40的貫通導體60被連接,所以沒有必要將連接用金屬導體形成於電子電路模組的側面,且製造變得容易。而且,因為金屬屏蔽50藉由貫通導體60確實地連接於電源圖案24,所以對於連接可靠性來說也有大幅度提高。
Description
本發明係關於一種電子電路模組及其製造方法,特別是關於一種鑄模樹脂的上表面被金屬屏蔽覆蓋的電子電路模組及其製造方法。
近年來,複數個電子零件被模組化的電子電路模組正被廣泛用於智慧手機等電子設備。電子電路模組因為有在運作時放射電磁雜訊或受到外來雜訊的影響的情況,所以為了抑制該情況而會有由金屬屏蔽來覆蓋鑄模樹脂的表面之情形(參照專利文獻1)。
為了正確地將金屬屏蔽作為電磁屏蔽而發揮功能,有必要將金屬屏蔽連接於接地等電源圖案。為此,於習知之電子電路模組中,係利用金屬屏蔽覆蓋電子電路模組的上表面以及側面,藉由將被形成於側面的金屬屏蔽連接於電源圖案從而對金屬屏蔽全體進行接地。
[專利文獻1]日本專利特開2010-225752號公報
然而,將金屬屏蔽形成於電子電路模組的側面並不一定容易,且會有所謂成為製造成本增加的原因的問題。而且,側面的金屬屏蔽與電源圖案的連接因為是藉由利用金屬屏蔽覆蓋露出於基板側面的較薄的接地配線而達成,因此亦有連接可靠性變得不充分之虞。
因此,本發明的目的在於提供一種能夠容易而且確實地將被形成於鑄模樹脂上表面的金屬屏蔽連接於電源圖案的電子電路模組及其製造方法。
本發明的電子電路模組的特徵在於具備:基板,其具有電源圖案;電子零件,其被搭載於上述基板的表面;鑄模樹脂,其以埋入上述電子零件的方式覆蓋上述基板的上述表面;金屬屏蔽,其覆蓋上述鑄模樹脂;及貫通導體,其貫通上述鑄模樹脂而設置,連接上述金屬屏蔽和上述電源圖案。
根據本發明,因為金屬屏蔽和電源圖案經由貫通鑄模樹脂的貫通導體被連接,所以沒有必要將連接用金屬導體形成於電子電路模組的側面,且製造變得容易。而且,因為金屬屏蔽藉由貫通導體確實地連接於電源圖案,所以對於連接可靠性來說亦有大幅度提高。
在本發明中,較佳為,上述貫通導體係以在俯視時包圍上述電子零件的方式被設置複數個。藉此,就能夠遮蔽從電子零件放射出之電磁雜訊或入射到電子零件的外來雜訊。
在本發明中,較佳為,上述貫通導體係露出於上述鑄
模樹脂的側面。藉此,露出於側面的貫通導體係作為側面電磁屏蔽而發揮功能。另外,在自集合基板裝有大量之複數個電子電路模組的情況下,因為1個貫通導體成為被2個以上電子電路模組共有,所以亦能夠對於電子電路模組的平面尺寸進行小型化。
在本發明中,亦可為,上述金屬屏蔽覆蓋上述鑄模樹脂的上表面的整個面。藉此,能夠提高在上表面側的電磁屏蔽效果。或者,亦可為,於上述金屬屏蔽設置有使上述鑄模樹脂的上表面露出的開口部。藉此,因為鑄模樹脂中所包含的水分在回焊(reflow)時經由開口部被釋放出來,所以能夠提高產品的可靠性。
在本發明中,亦可為,上述金屬屏蔽被選擇性地設置於覆蓋上述電子零件的位置。藉此,電磁屏蔽不需要的部位被薄型化,並且金屬屏蔽與其他電子零件的短路也變得難以發生。
本發明的電子電路模組亦可為,進一步具備:金屬導體,其覆蓋上述鑄模樹脂而設置,與上述金屬屏蔽絕緣分離;另外之貫通導體,其貫通上述鑄模樹脂而設置,被連接於上述金屬導體。藉此,因為能夠將不同的電位提供給金屬屏蔽和金屬導體,所以亦能夠例如將金屬導體作為天線放射導體而加以利用。
在本發明中,較佳為,上述電源圖案被設置於上述基板的上述表面,上述貫通導體的底部係與上述電源圖案的上表面相接。藉此,因為貫通孔不貫通基板,所以不會因為貫通導體的存在而使基板背面的可利用的面積減少。
在本發明中,較佳為,上述金屬屏蔽之上述鑄模樹脂側的表面被粗糙化。藉此,能夠提高金屬屏蔽與鑄模樹脂的密著性。
本發明的電子電路模組較佳為,進一步具備被埋入到
上述基板的半導體晶片。藉此,能夠提供一種更高性能的電子電路模組。
本發明的電子電路模組的製造方法的特徵在於具備:第1步驟,其將電子零件搭載於具有電源圖案的集合基板的表面;第2步驟,其以埋入上述電子零件的方式,利用鑄模樹脂覆蓋上述集合基板的上述表面,並且利用金屬屏蔽覆蓋上述鑄模樹脂的上表面;第3步驟,其藉由將貫通孔形成於上述鑄模樹脂,而使上述電源圖案露出;第4步驟,其藉由將貫通導體形成於上述貫通孔的內部,而連接上述金屬屏蔽和上述電源圖案;及第5步驟,其藉由切斷上述集合基板而使電子電路模組單片化。
根據本發明,因為金屬屏蔽和電源圖案被貫通鑄模樹脂的貫通導體連接,所以沒有必要將連接用的金屬導體形成於電子電路模組的側面,且製造變得容易。而且,因為金屬屏蔽藉由貫通導體而被確實地連接於電源圖案,所以對於連接可靠性來說也有大幅度提高。
在本發明中,較佳為,上述第2步驟藉由將樹脂和金屬箔導入到模具的空洞部而同時形成上述鑄模樹脂和上述金屬屏蔽。藉此,因為沒有必要另外形成金屬屏蔽,所以能夠削減製造步驟數。
在此情況下,較佳為,上述金屬箔之與上述樹脂相接的一側的表面被粗糙化。藉此,因為已被粗糙化之金屬箔的表面形狀被轉移複製到鑄模樹脂的表面,所以能夠確保高度密著性。
進一步在此情況下,較佳為,在進行上述第2步驟之後,於進行上述第4步驟之前,進一步具備暫且除去上述金屬屏蔽
的步驟,在上述第4步驟中,藉由進行鍍覆加工,於與在上述貫通孔之內部形成上述貫通導體之同時,再次將金屬屏蔽形成於上述鑄模樹脂的上述上表面。藉此,即使在將既定的開口部形成於金屬屏蔽的情況下,仍不需要對金屬屏蔽進行圖案化的步驟。例如,若在上述第4步驟中,以上述金屬屏蔽不形成於上述鑄模樹脂的上述上表面的一部分的方式,選擇性地進行鍍覆加工,則不用對金屬屏蔽進行圖案化,並且能夠將既定的開口部形成於金屬屏蔽。
本發明的電子電路模組的製造方法亦可為,進一步具備藉由除去上述金屬屏蔽的一部分而使上述鑄模樹脂的上述上表面的一部分露出的步驟。藉此,因為鑄模樹脂中所包含的水分在回焊時經由開口部被釋放出來,所以能夠提高產品的可靠性。
在本發明中,較佳為,上述電源圖案被形成於上述集合基板的上述表面,在上述第3步驟中使上述電源圖案的上表面露出。藉此,因為貫通孔不到達基板,所以不會減少基板背面的可利用的面積。
較佳為,在上述第5步驟中,於分割上述貫通孔的位置切斷上述集合基板。藉此,因為1個貫通導體係被2個以上電子電路模組共有,所以能夠對於電子電路模組的平面尺寸進行小型化。
如此,根據本發明,能夠容易而且確實地將被形成於鑄模樹脂的上表面的金屬屏蔽連接於電源圖案。
11~15‧‧‧電子電路模組
20‧‧‧基板
20A‧‧‧集合基板
21‧‧‧基板之表面
22‧‧‧基板之背面
23‧‧‧焊盤圖案
24‧‧‧電源圖案
25、26‧‧‧外部端子
27‧‧‧配線圖案
31‧‧‧半導體晶片
32、32a、32b‧‧‧電子零件
40‧‧‧鑄模樹脂
41‧‧‧貫通孔
50、50a‧‧‧金屬屏蔽
51‧‧‧金屬屏蔽之下表面
52‧‧‧金屬屏蔽之上表面
53‧‧‧開口部
54‧‧‧遮罩
55‧‧‧金屬導體
60、61‧‧‧貫通導體
B、E、F、G、H‧‧‧區域
C‧‧‧虛線
D‧‧‧切割線
圖1是表示本發明的第1實施形態的電子電路模組11的外觀的大致立體圖。
圖2是電子電路模組11的俯視圖。
圖3是電子電路模組11的仰視圖。
圖4是電子電路模組11的側視圖。
圖5是沿著圖2所表示的A-A線的剖視圖。
圖6是圖5所表示的區域B的放大圖。
圖7是為了說明電子電路模組11的製造方法的步驟圖。
圖8是為了說明電子電路模組11的製造方法的步驟圖。
圖9是為了說明電子電路模組11的製造方法的步驟圖。
圖10是為了說明電子電路模組11的製造方法的步驟圖。
圖11是為了說明電子電路模組11的製造方法的步驟圖。
圖12是為了說明電子電路模組11的製造方法的步驟圖。
圖13是表示本發明的第2實施形態的電子電路模組12的外觀的大致立體圖。
圖14是電子電路模組12的剖視圖。
圖15是為了說明電子電路模組12的製造方法的步驟圖。
圖16是為了說明電子電路模組12的製造方法的步驟圖。
圖17是為了說明電子電路模組12的製造方法的步驟圖。
圖18是表示本發明的第3實施形態的電子電路模組13的外觀的大致立體圖。
圖19是電子電路模組13的剖視圖。
圖20是表示本發明的第4實施形態的電子電路模組14的外觀的大致立體圖。
圖21是電子電路模組14的剖視圖。
圖22是表示本發明的第5實施形態的電子電路模組15的外觀的大致立體圖。
圖23是電子電路模組15的剖視圖。
以下,參照附圖並就本發明之較佳的實施形態進行詳細說明。
圖1是表示本發明的第1實施形態的電子電路模組11外觀的大致立體圖。另外,圖2~圖4分別是電子電路模組11的俯視圖、仰視圖以及側視圖,圖5是沿著圖2所表示的A-A線的剖視圖。
如圖1~圖5所示,本實施形態的電子電路模組11具備埋入有半導體晶片31的基板20、被搭載於基板20的複數個電子零件32、以埋入電子零件32的方式覆蓋基板20的表面的鑄模樹脂40、及覆蓋鑄模樹脂40的上表面的金屬屏蔽50。雖然沒有特別的限定,但是電子電路模組11的x方向上的長度大約為6mm,y方向上的寬度大約為3mm,z方向上的高度大約為1mm。
基板20為於內部埋入有半導體晶片31的多層電路基板,在其表面21上形成複數個焊盤圖案23以及複數個電源圖案24。在本發明中,將半導體晶片31埋入到基板20並不是必須的,但是能夠藉由內藏半導體晶片31來提供一種高性能的電子電路模組。例如,若本發明的電子電路模組11為電源控制模組的話,則只要使用電源控制器作為半導體晶片31即可。半導體晶片31較佳
為使用厚度為100μm以下並被薄型化者。
焊盤圖案23是用以與電子零件32相連接的內部電極,兩者是經由未圖示的焊料被電性連接並且被機械性連接。作為電子零件32例如可列舉電容器和線圈等被動零件。焊盤圖案23經由被形成於基板20的未圖示的內部配線而亦被連接於半導體晶片31。電源圖案24在俯視圖中(從z方向來看)是被設置於基板20的外周部,並且被連接於後述的貫通導體60。電源圖案24是典型的提供接地電位的接地圖案,但如果是提供固定電位的圖案的話則並不限定於接地圖案。
在基板20的背面22上設置複數個外部端子25、26。外部端子25例如是信號的輸出輸入端子,並且如圖3所示被排列於基板20的背面22的中央部。另一方面,外部端子26例如是接地端子,並且如圖3所示以圍繞外部端子25的形式被排列於基板20的背面22的外周部。在實際使用時,電子電路模組11被安裝於未圖示的主機板等,主機板上的端子電極和電子電路模組11的外部端子25、26被電性連接。
鑄模樹脂40是以埋入電子零件32的方式覆蓋基板20的表面21而設置的。在本實施形態中,複數個貫通孔41在俯視圖中是沿著電子電路模組11的外周部被設置於鑄模樹脂40,在其底部露出有電源圖案24。如後述般,因為貫通孔41被2個電子電路模組11共有,所以對於最終產品來說貫通孔41的內壁不閉合,且向電子電路模組11的側面開放。因此,在本發明中所謂「貫通孔」並不限定於持有閉合的內壁的筒狀體,只要是藉由在z方向上削除鑄模樹脂40從而連結鑄模樹脂40的上表面和下表面的缺口即
足夠。
在貫通孔41的內壁上形成貫通導體60。藉此,貫通導體60的底部與電源圖案24的上表面相接觸,並且成為兩者被電性連接。另外,在本實施形態中因為鑄模樹脂40的貫通孔41向側面開放,所以成為貫通導體60也露出於鑄模樹脂40的側面。如圖1以及圖2所示,貫通導體60以既定間隔被排列於電子電路模組11的側面,藉此作為在側面方向上的電磁屏蔽而發揮功能。貫通導體60的排列間距,只要對應於本實施形態的電子電路模組11進行處理的信號或者電源的頻率來決定即可。總之,只要以能夠遮蔽對應於電子電路模組11進行處理的信號或者電源的頻率的電磁雜訊的間距來排列貫通導體60即可。
鑄模樹脂40的上表面被包含銅等的金屬屏蔽50覆蓋。金屬屏蔽50因為是經由複數個貫通導體60被連接於電源圖案24,所以提供固定電位(例如接地電位),並且由此而作為上表面方向上的電磁屏蔽而發揮功能。在本實施形態中,鑄模樹脂40的整個上表面被金屬屏蔽50覆蓋,藉此提高了遮蔽效果。
如此,本實施形態的電子電路模組11係因為金屬屏蔽50係對於上表面方向而作為電磁屏蔽發揮功能,且複數個貫通導體60係對於側面方向而作為電磁屏蔽發揮功能,所以能夠獲得與鑄模樹脂40的全體被金屬屏蔽盒覆蓋的情況相同的狀態。藉此,可有效地遮蔽放射雜訊以及外來雜訊。而且,貫通導體60因為被連接於形成在基板20表面21的電源圖案24,所以與謀求在基板20的側面部分連接的情況不同,大致上並沒有發生連接不良等的可能性。
圖6是圖5所表示的區域B的放大圖。如圖6所示,在本實施形態中金屬屏蔽50的下表面51與上表面52的表面性質不同。具體而言,金屬屏蔽50的上表面52具有比較平坦的表面性質,相對於此,與鑄模樹脂40相接觸的下表面51相對被粗糙化。於是,被粗糙化的下表面51的表面性質被轉移複製到鑄模樹脂40的上表面,藉此就提高了兩者的密著性。如此之構造係由於後述的製造方法所導致者。
接著,對於本實施形態的電子電路模組11的製造方法進行說明。
圖7~圖12是為了說明本實施形態的電子電路模組11的製造方法的步驟圖。
首先,如圖7所示,準備埋入有複數個半導體晶片31的集合基板20A。在集合基板20A的表面21上形成焊盤圖案23以及電源圖案24。另外,在集合基板20A的背面22上形成有外部端子25、26。再者,圖7所表示的虛線C是指在之後的切割步驟中應該被切斷的部分。如圖7所示,被形成於集合基板20A表面21的電源圖案24在俯視圖中是被設置於與虛線C相重疊的位置。
接著,如圖8所示,以被連接於焊盤圖案23的方式將複數個電子零件32搭載於集合基板20A的表面21。具體而言,只要在將焊料提供給焊盤圖案23上之後,搭載電子零件32並藉由進行回焊從而將電子零件32連接於焊盤圖案23即可。
接著,如圖9所示,以埋入電子零件32的方式用鑄模樹脂40覆蓋集合基板20A的表面21,並且用金屬屏蔽50覆蓋鑄模樹脂40的上表面。具體而言,較佳為將樹脂和金屬箔導入到
未圖示的模具的空洞部,藉由在此狀態下進行鑄模成形,從而同時形成鑄模樹脂40和金屬屏蔽50。根據該方法,因為沒有必要另外形成金屬屏蔽50,所以能夠削減製造步驟數。
在此情況下,所使用的金屬箔較佳為與樹脂相接觸的一側的表面被粗糙化。藉此,因為金屬箔的表面性質被轉移複製到軟化的樹脂,所以如同使用圖6而進行說明般,能夠獲得高密著性。而且,亦不需要用以對鑄模樹脂40進行粗糙化的專門步驟。但是,在本發明中同時形成鑄模樹脂40和金屬屏蔽50並非必須,即使在形成鑄模樹脂40之後,於其上表面另外形成金屬屏蔽50亦可。
接著,如圖10所示,藉由將貫通孔41形成於鑄模樹脂40,從而使電源圖案24露出。對於貫通孔41的形成方法並沒有特別限定,可以使用雷射加工法或鑽頭加工法。在使用雷射加工法的情況下,只要藉由除去應該形成貫通孔41的位置的金屬屏蔽50從而使鑄模樹脂40的上表面露出,並且藉由將雷射光束照射於該部分,從而形成貫通孔41即可。對於雷射加工法來說,因為電源圖案24係作為阻擋件而發揮功能,所以會有所謂在控制性方面表現優異的優點。另一方面,在使用鑽頭加工法的情況下,可以在鑽頭前端接觸到電源圖案24的時間點就使鑽頭停止下降即可。鑽頭加工具有所謂能夠以短時間來形成複數個貫通孔41的優點。
接著,如圖11所示,藉由進行鍍覆加工從而將貫通導體60形成於貫通孔41的內部。此時,也在金屬屏蔽50的上表面形成鍍膜。如同以上述內容,因為電源圖案24露出於貫通孔41的底部,所以貫通導體60成為電性連接電源圖案24和金屬屏蔽50。但是,貫通導體60的形成方法並不限定於鍍覆。
然後,如果如圖12所示,沿著與虛線C一致的切割線D切斷集合基板20A的話,則能夠取出被單片化的複數個電子電路模組11。在本實施形態中,因為貫通孔41是沿著切割線D進行排列,所以如果沿著切割線D切斷集合基板20A的話,則1個貫通導體60被分割成2個,該等係分別屬於互相鄰接的電子電路模組11。藉此,因為鑄模樹脂40的側面被有效利用,所以電子電路模組11的平面尺寸能夠被小型化。
如此,根據本實施形態的電子電路模組11的製造方法,如果藉由切斷集合基板20A來對電子電路模組11進行單片化,則主要步驟全部結束,之後就沒有必要相對於切斷面即側面進行導體的形成等追加步驟。為此,與將連接用導體形成於側面的習知方法相比,可相對簡化製造步驟。
如上述說明,本實施形態的電子電路模組11因為是經由在z方向上貫通鑄模樹脂40而設置的貫通導體60來連接電源圖案24和金屬屏蔽50,兩者的連接可靠性被提高,並且因為沒有必要相對於由切割產生的切斷面形成導體,所以能夠簡化製造步驟。
而且,在本實施形態中因為鑄模樹脂40的側面被複數個貫通導體60包圍,所以可相對於被鑄模樹脂40覆蓋的所有電子零件32施以電磁屏蔽。進而,在本實施形態中,因為貫通孔41不貫通基板20,所以可有效地利用基板20的背面22。
圖13是表示本發明的第2實施形態的電子電路模組12的外
觀的大致立體圖。另外,圖14是電子電路模組12的剖視圖。
如圖13以及圖14所示,本實施形態的電子電路模組12在複數個開口部53被形成於金屬屏蔽50這一點上與第1實施形態的電子電路模組11不同。對於其他結構來說,因為與第1實施形態的電子電路模組11相同,所以將相同符號標註於相同要素,並省略重複的說明。
被設置於金屬屏蔽50的開口部53在x方向以及y方向上被有規則地排列,在該部分上鑄模樹脂40的上表面露出。藉此,因為被包含於鑄模樹脂40中的水分從開口部53被釋放到外部,所以可防止由在回焊時的水分的膨脹引起的可靠性降低。對於開口部53的數量、大小以及排列方法並沒有特別限定,只要以不損害由金屬屏蔽50產生的電磁屏蔽效果的方式考慮作為對象的頻帶來做任意設計即可。例如,可對應於應該進行遮蔽的頻帶而在每個區域對開口部53數量、大小、間距進行最適化,亦可根據開口部53的形狀以及佈局構成表示產品編號或批次編號的二維碼。在圖13所表示的例子中,藉由僅擴大1個位於左下角部的開口部53的尺寸,從而將其作為方向性標記來進行利用。
圖15是為了說明本實施形態的電子電路模組12的製造方法一個例子的步驟圖。在本例中,在結束了用圖7~圖11來進行說明的各個步驟之後,如圖15所示,藉由對金屬屏蔽50進行圖案化並形成開口部53,從而使鑄模樹脂40的上表面的一部分露出。金屬屏蔽50的圖案化能夠按照光刻法來進行。藉此,就能夠形成具有任意數量、位置、形狀的開口部53。
圖16以及圖17是為了說明本實施形態的電子電路模
組12的製造方法的其他的例子的步驟圖。在本例中,在結束了用圖7~圖9來進行說明的各個步驟之後,如圖16所示,暫且完全除去金屬屏蔽50。作為金屬屏蔽50的除去方法,例如能夠採用使用酸的濕式蝕刻等。藉此,金屬屏蔽50暫且變成全無,但是因為金屬屏蔽50的被粗糙化的下表面51的表面性質被轉移複製到鑄模樹脂40的上表面,所以鑄模樹脂40的上表面成為被極其高密度地粗糙化的狀態。
接著,藉由將貫通孔41形成於鑄模樹脂40從而使電源圖案24露出。本步驟就如同用圖10來進行說明般,能夠使用雷射加工法或鑽頭加工法。再者,與上述步驟相反地,先形成貫通孔41,然後在除去金屬屏蔽50亦可。
接著,如圖17所示,以在應該形成開口部53的地方形成遮罩54的狀態進行鍍覆加工。藉此,在貫通導體60被形成於貫通孔41內部的同時,金屬屏蔽50a再次被形成於鑄模樹脂40的上表面。根據該方法,因為由遮罩54而被選擇性地鍍覆加工,所以之後可省略對金屬屏蔽50a進行圖案化的步驟。而且,被再次形成的金屬屏蔽50a因為是被形成於被高密度地粗糙化的鑄模樹脂40的上表面,所以與最初形成的金屬屏蔽50相同,可對於鑄模樹脂40而獲得極其高的密著性。
圖18是表示本發明的第3實施形態的電子電路模組13的外觀的大致立體圖。另外,圖19是電子電路模組13的剖視圖。
如圖18以及圖19所示,本實施形態的電子電路模組
13在貫通導體60不露出於鑄模樹脂40的側面,並且在俯視圖中以包圍既定區域E的方式被設置複數個之方面上與第2實施形態的電子電路模組12不同。對於其他結構來說,因為與第2實施形態的電子電路模組12相同,所以將相同符號標註於相同要素,並省略重複的說明。
在本實施形態中,既定區域E在俯視圖中是位於基板20的大致中央部。該區域E為搭載有強烈受到雜訊源或者外來雜訊的影響的電子零件32a的區域。於是,因為在俯視圖中電子零件32a被複數個貫通導體60包圍,並且電子零件32a的上方被金屬屏蔽50覆蓋,所以能夠正確地遮蔽強烈受到雜訊源或者外來雜訊的影響的電子零件32a。其他的電子零件32b位於區域E的外部,因此,沒有被貫通導體60包圍。
如此,在本發明中由貫通導體60來包圍所有電子零件32a、32b並非必須,即使由貫通導體60僅包圍應該進行遮蔽的特定的電子零件32a亦可。此外,在本發明中貫通導體60露出於鑄模樹脂40的側面亦非必須,如本實施形態般,如果是貫通導體60不露出於鑄模樹脂40側面的結構的情況,則因為沒有必要在切割步驟中切斷貫通導體60,所以亦有所謂切割條件被緩和的優點。
此外,在圖18所表示的例子中,在區域E中開口部53沒有被設置於金屬屏蔽50,藉此提高了遮蔽效果。另外,在區域E的外部,複數個開口部53被設置於金屬屏蔽50,由此就促進在回焊時的水分的釋放。
圖20是表示本發明的第4實施形態的電子電路模組14的外觀的大致立體圖。另外,圖21是電子電路模組14的剖視圖。
如圖20以及圖21所示,本實施形態的電子電路模組14在金屬屏蔽50被選擇性地設置於區域E這一點上與第3實施形態的電子電路模組13不同。對於其他結構來說,因為與第3實施形態的電子電路模組13相同,所以將相同符號標註於相同要素,並省略重複的說明。
在本實施形態中,在俯視圖中位於區域E的外部的區域F為不需要電磁屏蔽的區域,在該區域F中金屬屏蔽50被削除。如此,金屬屏蔽50被形成於鑄模樹脂40的上表面的全部區域並非必須,即使被選擇性地設置於覆蓋應該進行遮蔽的特定電子零件32a的位置亦可。在此情況下,能夠對區域F中的電子電路模組14的高度進行薄型化,並且金屬屏蔽50與其他電子零件的短路也變得難以發生。另外,因為在切割步驟中沒有必要切斷金屬屏蔽50以及貫通導體60,所以亦有所謂切割條件被更加緩和的優點。進而,在區域F因為鑄模樹脂40的上表面完全露出,所以包含於鑄模樹脂40中的水分在回焊時容易被釋放到外部。
圖22是表示本發明的第5實施形態的電子電路模組15的外觀的大致立體圖。另外,圖23是電子電路模組15的剖視圖。
如圖22以及圖23所示,本實施形態的電子電路模組15是在鑄模樹脂40的上表面中,金屬屏蔽50被設置於區域G,並且與金屬屏蔽50絕緣隔離的金屬導體55被設置於其他的區域H。
金屬導體55經由其他的貫通導體61被連接於配線圖案27。對於其他結構來說,因為與第1實施形態的電子電路模組11相同,所以將相同符號標註於相同要素,並且省略重複的說明。
金屬導體55例如是天線的放射導體。在此情況下,配線圖案27以及貫通導體61構成被連接於未圖示的天線電路的供電圖案。如此之結構係可藉由對金屬屏蔽50的一部分進行圖案化來獲得。如此,亦可對被設置於鑄模樹脂40的上表面的金屬屏蔽50的一部分實施電性分離,而將此運用於天線的放射導體等其他的用途。
以上,已就本發明的較佳的實施形態進行說明,但是本發明並不限定於上述的實施形態,只要是在不脫離本發明的宗旨的範圍內,可進行各種各樣的變更,該等變更當然也包含於本發明的範圍內。
例如,上述的各個實施形態的電子電路模組皆具備複數個貫通導體60,但是在本發明中,這一點並非必須,如果不需要側面方向的遮蔽效果,則亦可使用單一貫通導體60來電性連接金屬屏蔽50和電源圖案24。
Claims (17)
- 一種電子電路模組,其特徵在,其具備:基板,其具有電源圖案;電子零件,其被搭載於上述基板的表面;鑄模樹脂,其以埋入上述電子零件的方式覆蓋上述基板的上述表面;金屬屏蔽,其覆蓋上述鑄模樹脂;及貫通導體,其貫通上述鑄模樹脂而設置,連接上述金屬屏蔽和上述電源圖案;上述貫通導體係沿著上述鑄模樹脂之既定之側面以既定之間距排列複數個。
- 如請求項1之電子電路模組,其中,上述貫通導體係以在俯視時包圍上述電子零件的方式,沿著上述鑄模樹脂之各側面以既定之間距被設置複數個。
- 如請求項1之電子電路模組,其中,上述貫通導體係露出於上述鑄模樹脂的側面。
- 如請求項1之電子電路模組,其中,上述金屬屏蔽覆蓋上述鑄模樹脂的上表面的整個面。
- 如請求項1之電子電路模組,其中,於上述金屬屏蔽設置有使上述鑄模樹脂的上表面露出的開口部。
- 如請求項2之電子電路模組,其中,上述金屬屏蔽被選擇性地設置於覆蓋上述電子零件的位置。
- 如請求項1之電子電路模組,其中,進一步具備:金屬導體,其覆蓋上述鑄模樹脂而設置,與上述金屬屏蔽絕緣分離;及另外之貫通導體,其貫通上述鑄模樹脂而設置,被連接於上述金屬導體。
- 如請求項1之電子電路模組,其中,上述電源圖案被設置於上述基板的上述表面,上述貫通導體的底部係與上述電源圖案的上表面相接。
- 如請求項1之電子電路模組,其中,上述金屬屏蔽之上述鑄模樹脂側的表面被粗糙化。
- 如請求項1之電子電路模組,其中,進一步具備被埋入到上述基板的半導體晶片。
- 一種電子電路模組的製造方法,其特徵在,其具備:第1步驟,其將電子零件搭載於具有電源圖案的集合基板的表面;第2步驟,其以埋入上述電子零件的方式,利用鑄模樹脂覆蓋上述集合基板的上述表面,並且利用金屬屏蔽覆蓋上述鑄模樹脂的上表面;第3步驟,其藉由於上述鑄模樹脂以既定之間距形成複數個貫通孔,而使上述電源圖案露出;第4步驟,其藉由將貫通導體形成於上述貫通孔的內部,而連接上述金屬屏蔽和上述電源圖案;及第5步驟,其藉由切斷上述集合基板而使電子電路模組單片化;於上述第5步驟中,在分割上述貫通孔的位置切斷上述集合基板,藉此,沿著上述鑄模樹脂之既定之側面,以既定之間距排列複數個上述貫通導體。
- 如請求項11之電子電路模組的製造方法,其中,上述第2步驟藉由將樹脂和金屬箔導入到模具的空洞部而同時形成上述鑄模樹脂和上述金屬屏蔽。
- 如請求項12之電子電路模組的製造方法,其中,上述金屬箔之與上述樹脂相接的一側的表面被粗糙化。
- 如請求項13之電子電路模組的製造方法,其中,在進行上述第2步驟之後,於進行上述第4步驟之前,進一步具備暫且除去上述金屬屏蔽的步驟,在上述第4步驟中,藉由進行鍍覆加工,於與在上述貫通孔之內部形成上述貫通導體之同時,再次將金屬屏蔽形成於上述鑄模樹脂的上述上表面。
- 如請求項14之電子電路模組的製造方法,其中,在上述第4步驟中,以上述金屬屏蔽不形成於上述鑄模樹脂的上述上表面的一部分的方式,選擇性地進行鍍覆加工。
- 如請求項11之電子電路模組的製造方法,其中,進一步具備藉由除去上述金屬屏蔽的一部分而使上述鑄模樹脂的上述上表面的一部分露出的步驟。
- 如請求項11之電子電路模組的製造方法,其中,上述電源圖案被形成於上述集合基板的上述表面,於上述第3步驟中使上述電源圖案的上表面露出。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016079765A JP6728917B2 (ja) | 2016-04-12 | 2016-04-12 | 電子回路モジュールの製造方法 |
JP2016-079765 | 2016-04-12 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201742518A TW201742518A (zh) | 2017-12-01 |
TWI636711B true TWI636711B (zh) | 2018-09-21 |
Family
ID=59998574
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW106112023A TWI636711B (zh) | 2016-04-12 | 2017-04-11 | 電子電路模組及其製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10225923B2 (zh) |
JP (1) | JP6728917B2 (zh) |
KR (1) | KR101940904B1 (zh) |
CN (1) | CN107424981B (zh) |
TW (1) | TWI636711B (zh) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7130958B2 (ja) * | 2017-12-27 | 2022-09-06 | 株式会社村田製作所 | モジュール |
JP7056226B2 (ja) * | 2018-02-27 | 2022-04-19 | Tdk株式会社 | 回路モジュール |
KR102063469B1 (ko) * | 2018-05-04 | 2020-01-09 | 삼성전자주식회사 | 팬-아웃 반도체 패키지 |
KR102061564B1 (ko) * | 2018-05-04 | 2020-01-02 | 삼성전자주식회사 | 팬-아웃 반도체 패키지 |
KR20200001102A (ko) * | 2018-06-26 | 2020-01-06 | 삼성전기주식회사 | 전자 소자 모듈 및 그 제조 방법 |
JP7102609B2 (ja) * | 2018-09-04 | 2022-07-19 | 中芯集成電路(寧波)有限公司 | ウェハレベルシステムパッケージング方法及びパッケージング構造 |
CN110958758A (zh) * | 2018-09-26 | 2020-04-03 | 奥特斯(中国)有限公司 | 部件承载件及板件 |
KR102639441B1 (ko) * | 2018-11-09 | 2024-02-22 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 및 이에 이용되는 전자파 차폐 구조물 |
CN109561570B (zh) * | 2018-11-21 | 2020-12-18 | 奥特斯(中国)有限公司 | 部件承载件及其制造方法以及使用填料颗粒的方法 |
US11277917B2 (en) | 2019-03-12 | 2022-03-15 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Embedded component package structure, embedded type panel substrate and manufacturing method thereof |
CN109920779B (zh) * | 2019-03-19 | 2020-11-24 | 吴静雯 | 一种封装产品电磁屏蔽层的制备方法及封装产品 |
US10950551B2 (en) | 2019-04-29 | 2021-03-16 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Embedded component package structure and manufacturing method thereof |
US11296030B2 (en) | 2019-04-29 | 2022-04-05 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Embedded component package structure and manufacturing method thereof |
CN110213952A (zh) * | 2019-05-28 | 2019-09-06 | 青岛歌尔微电子研究院有限公司 | 一种电磁屏蔽结构及其制造方法及电子设备 |
CN110299346B (zh) * | 2019-06-24 | 2021-07-13 | 通富微电子股份有限公司 | 一种电磁屏蔽封装器件及其制造方法 |
CN114424333A (zh) * | 2019-09-19 | 2022-04-29 | 株式会社村田制作所 | 模块 |
WO2021085378A1 (ja) * | 2019-10-29 | 2021-05-06 | 京セラ株式会社 | 蓋体、電子部品収納用パッケージ及び電子装置 |
US11587881B2 (en) | 2020-03-09 | 2023-02-21 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Substrate structure including embedded semiconductor device |
US11335646B2 (en) | 2020-03-10 | 2022-05-17 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Substrate structure including embedded semiconductor device and method of manufacturing the same |
CN115516619A (zh) * | 2020-05-22 | 2022-12-23 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置、半导体装置的制造方法 |
KR20220000087A (ko) * | 2020-06-25 | 2022-01-03 | 삼성전기주식회사 | 전자 소자 모듈 |
CN113035845B (zh) | 2021-02-05 | 2022-07-12 | 珠海越亚半导体股份有限公司 | 具有天线的封装结构及其制作方法 |
CN115000050B (zh) * | 2022-08-08 | 2022-11-04 | 江苏长晶浦联功率半导体有限公司 | 一种电磁屏蔽封装结构及制作方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1914727A (zh) * | 2004-02-13 | 2007-02-14 | 株式会社村田制作所 | 电子零部件及其制造方法 |
TWI277185B (en) * | 2006-01-27 | 2007-03-21 | Advanced Semiconductor Eng | Semiconductor package structure |
WO2008026247A1 (fr) * | 2006-08-29 | 2008-03-06 | Nihon Houzai Co., Ltd. | Structure de barrière à onde électromagnétique et son procédé de formation |
CN102779762A (zh) * | 2011-05-13 | 2012-11-14 | 夏普株式会社 | 制造半导体模块的方法以及半导体模块 |
CN103311213A (zh) * | 2012-05-04 | 2013-09-18 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 整合屏蔽膜及天线的半导体封装件 |
WO2016051700A1 (ja) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | タツタ電線株式会社 | 導電性塗料及びそれを用いたシールドパッケージの製造方法 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4042785B2 (ja) * | 2004-02-13 | 2008-02-06 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及びその製造方法 |
CN101300911B (zh) | 2005-11-28 | 2010-10-27 | 株式会社村田制作所 | 电路模块以及制造电路模块的方法 |
JP2009033114A (ja) * | 2007-06-29 | 2009-02-12 | Tdk Corp | 電子モジュール、及び電子モジュールの製造方法 |
US20090002967A1 (en) | 2007-06-29 | 2009-01-01 | Tdk Corporation | Electronic module and fabrication method thereof |
US20100110656A1 (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-06 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Chip package and manufacturing method thereof |
JP5565548B2 (ja) | 2009-03-23 | 2014-08-06 | Tdk株式会社 | 樹脂封止型電子部品及びその製造方法 |
CN102054821B (zh) * | 2009-10-30 | 2013-09-11 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 具有内屏蔽体的封装结构及其制造方法 |
US9007273B2 (en) * | 2010-09-09 | 2015-04-14 | Advances Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package integrated with conformal shield and antenna |
JP5751079B2 (ja) * | 2011-08-05 | 2015-07-22 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2013058513A (ja) * | 2011-09-07 | 2013-03-28 | Sharp Corp | 高周波モジュールおよびその製造方法 |
US9978688B2 (en) * | 2013-02-28 | 2018-05-22 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor package having a waveguide antenna and manufacturing method thereof |
JP6094287B2 (ja) * | 2013-03-15 | 2017-03-15 | 株式会社村田製作所 | アンテナ一体型モジュールの製造方法およびアンテナ一体型モジュール |
JP5576548B1 (ja) * | 2013-07-10 | 2014-08-20 | 太陽誘電株式会社 | 回路モジュール及びその製造方法 |
JP5756500B2 (ja) * | 2013-08-07 | 2015-07-29 | 太陽誘電株式会社 | 回路モジュール |
JP5517378B1 (ja) * | 2013-08-13 | 2014-06-11 | 太陽誘電株式会社 | 回路モジュール |
JP5576543B1 (ja) * | 2013-09-12 | 2014-08-20 | 太陽誘電株式会社 | 回路モジュール |
KR102143653B1 (ko) * | 2013-12-31 | 2020-08-11 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 전자기 간섭 차폐부를 갖는 반도체 패키지 및 제조방법 |
JP6262776B2 (ja) * | 2014-02-04 | 2018-01-17 | 太陽誘電株式会社 | 回路モジュール |
US9826630B2 (en) * | 2014-09-04 | 2017-11-21 | Nxp Usa, Inc. | Fan-out wafer level packages having preformed embedded ground plane connections and methods for the fabrication thereof |
US9461001B1 (en) * | 2015-07-22 | 2016-10-04 | Advanced Semiconductor Engineering, Inc. | Semiconductor device package integrated with coil for wireless charging and electromagnetic interference shielding, and method of manufacturing the same |
US9721903B2 (en) * | 2015-12-21 | 2017-08-01 | Apple Inc. | Vertical interconnects for self shielded system in package (SiP) modules |
-
2016
- 2016-04-12 JP JP2016079765A patent/JP6728917B2/ja active Active
-
2017
- 2017-04-04 US US15/479,033 patent/US10225923B2/en active Active
- 2017-04-07 KR KR1020170045211A patent/KR101940904B1/ko active IP Right Grant
- 2017-04-11 TW TW106112023A patent/TWI636711B/zh active
- 2017-04-12 CN CN201710236573.8A patent/CN107424981B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1914727A (zh) * | 2004-02-13 | 2007-02-14 | 株式会社村田制作所 | 电子零部件及其制造方法 |
TWI277185B (en) * | 2006-01-27 | 2007-03-21 | Advanced Semiconductor Eng | Semiconductor package structure |
WO2008026247A1 (fr) * | 2006-08-29 | 2008-03-06 | Nihon Houzai Co., Ltd. | Structure de barrière à onde électromagnétique et son procédé de formation |
CN102779762A (zh) * | 2011-05-13 | 2012-11-14 | 夏普株式会社 | 制造半导体模块的方法以及半导体模块 |
CN103311213A (zh) * | 2012-05-04 | 2013-09-18 | 日月光半导体制造股份有限公司 | 整合屏蔽膜及天线的半导体封装件 |
WO2016051700A1 (ja) * | 2014-09-30 | 2016-04-07 | タツタ電線株式会社 | 導電性塗料及びそれを用いたシールドパッケージの製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20170116959A (ko) | 2017-10-20 |
JP6728917B2 (ja) | 2020-07-22 |
US10225923B2 (en) | 2019-03-05 |
CN107424981A (zh) | 2017-12-01 |
US20170295643A1 (en) | 2017-10-12 |
KR101940904B1 (ko) | 2019-01-21 |
JP2017191835A (ja) | 2017-10-19 |
CN107424981B (zh) | 2022-03-29 |
TW201742518A (zh) | 2017-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI636711B (zh) | 電子電路模組及其製造方法 | |
US12040305B2 (en) | Shielded electronic component package | |
US7745910B1 (en) | Semiconductor device having RF shielding and method therefor | |
US11152296B2 (en) | Semiconductor package and manufacturing method thereof | |
US10242957B2 (en) | Compartment shielding in flip-chip (FC) module | |
US8008753B1 (en) | System and method to reduce shorting of radio frequency (RF) shielding | |
US9093459B2 (en) | Package structure having a semiconductor component embedded therein and method of fabricating the same | |
TWI483375B (zh) | 半導體裝置 | |
US7342303B1 (en) | Semiconductor device having RF shielding and method therefor | |
US8432022B1 (en) | Shielded embedded electronic component substrate fabrication method and structure | |
JP2014183181A (ja) | 電子部品モジュール及びその製造方法 | |
KR20090071482A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
JP2006294701A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
CN107546184B (zh) | 半导体封装体及其制造方法 | |
TW201318138A (zh) | 晶圓等級應用上的射頻遮蔽件 | |
KR20020036039A (ko) | 반도체 패키지 및 그 제조방법 | |
JP2010010346A (ja) | プリント基板の製造方法 | |
US20190252325A1 (en) | Chip package structure and manufacturing method thereof | |
US20180315714A1 (en) | Chip package structure and manufacturing method thereof | |
KR20150064445A (ko) | 반도체 패키지용 코어리스 기판 및 그 제조 방법, 이를 이용한 반도체 패키지 제조 방법 | |
TWI853713B (zh) | 半導體封裝及其製造方法 | |
KR20120017602A (ko) | 회로 기판 및 그 제조 방법, 그리고 상기 회로 기판을 구비하는 반도체 패키지 및 그 제조 방법 |