JP2017092820A - 放射線撮像装置およびフォトンカウンティングの方法 - Google Patents

Abstract

【課題】画素アレイにおける放射線フォトンの検出領域を特定するための新規な技術を提供する。
【解決手段】複数の画素が配列された画素アレイと、前記画素アレイに入射した放射線フォトンに基づいて放射線画像を生成する処理部とを備える放射線撮像装置であって、前記処理部は、前記複数の画素のそれぞれからの信号の値を画素値として取得する第１処理と、前記複数の画素のうちの少なくとも１つの画素を基準画素として選択する第２処理と、前記基準画素を起点としてその周辺の各画素の画素値を順に参照して、前記画素アレイにおける放射線フォトンの検出領域を特定する第３処理と、を行う。
【選択図】図１

Description

本発明は、放射線撮像装置およびフォトンカウンティングの方法に関する。

放射線撮像装置のなかには、放射線フォトンの個々を検出し、その数を計測するフォトンカウンティング方式により放射線撮影を行うものがある。具体的には、放射線撮像装置は、例えば、複数の画素が配列された画素アレイと、処理部とを備える。画素アレイに放射線フォトンが入射することにより、画素アレイにおける該放射線フォトンの入射位置およびその近傍に対応する各画素は、該放射線フォトンのエネルギー量に応じた信号を出力する。

処理部は、例えば、複数の画素からの信号を１つ（１フレーム分）の画素データとして所定周期で読み出して複数の画素データを取得し、該複数の画素データを用いて放射線画像データを生成する。具体的には、処理部は、複数の画素データのそれぞれについて、それを構成する信号に基づいて放射線フォトンの入射位置およびそのエネルギー量を算出し、該算出の結果に基づいて放射線画像データを生成する。

特開２００３−２７９４１１号公報

上述の算出の方法の１つとして、画素アレイにおける放射線フォトンの検出領域を画像データに基づいて特定し、その検出領域の各画素の信号に基づいて該放射線フォトンの入射位置およびエネルギー量を算出することが考えられる。そこで、本発明は、画素アレイにおける放射線フォトンの検出領域を特定するための新規な技術を提供することを例示的目的とする。

本発明の一つの側面は放射線撮像装置にかかり、前記放射線撮像装置は、複数の画素が配列された画素アレイと、前記画素アレイに入射した放射線フォトンに基づいて放射線画像を生成する処理部とを備える放射線撮像装置であって、前記処理部は、前記複数の画素のそれぞれからの信号の値を画素値として取得する第１処理と、前記複数の画素のうちの少なくとも１つの画素を基準画素として選択する第２処理と、前記基準画素を起点としてその周辺の各画素の画素値を順に参照して、前記画素アレイにおける放射線フォトンの検出領域を特定する第３処理と、を行うことを特徴とする。

本発明によれば、画素アレイにおける放射線フォトンの検出領域を特定することができる。

放射線撮像装置の構成例を示す図である。 撮像部の構成例を示す図である。 画素の構成例を示す図である。 放射線撮像装置の動作タイミングチャートの例である。 シンチレータにおける発光分布と、画像データとの関係を説明するための図である。 複数の画像データの処理結果の例を説明するための図である。 放射線フォトンの検出方法の例を説明するための図である。 画素アレイにおける放射線フォトンの検出領域の特定方法の例を説明するための図である。 検出領域の特定方法の例を説明するための図である。 検出領域の特定方法の例を説明するための図である。 検出領域の特定方法の例を説明するための図である。

以下、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明する。各図において、同一の部材または同一の構成要素には同一の参照番号を付しており、以下の各実施形態において、重複する説明を省略する。

（第１実施形態）
図１は、放射線撮像装置１００（又は、「放射線撮像システム」と称されてもよい。）の構成例を示している。放射線撮像装置１００は、例えば、放射線が照射された被検体を撮像する撮像部１１０と、撮像部１１０からの信号を処理する処理部１２０と、放射線を発生する放射線源１３０と、放射線源１３０を制御する放射線制御部１４０とを具備する。なお、放射線の概念には、例えば、放射線撮像に一般に用いられるＸ線の他、α線、β線等も含まれるものとする。

撮像部１１０は、例えば、放射線を光に変換するシンチレータＳＣと、複数の画素ＰＸが行列状に配列された画素アレイＡＰＸとを含む。より具体的には、画素アレイＡＰＸには、シンチレータＳＣからの光（シンチレーション光）を検出する複数の画素ＰＸが、複数の行および複数の列を形成するように配列されている。画素ＰＸは「センサ」と称されてもよく、また、画素アレイＡＰＸは「センサアレイ」と称されてもよい。

処理部１２０は、例えば、撮像部１１０および放射線制御部１４０を制御し、放射線撮影を行う。具体的には、処理部１２０は、画像データまたはそれを形成する画素信号を撮像部１１０から受け、画素アレイＡＰＸにおいて検出された放射線フォトンの数を該画像データに基づいて計測するフォトンカウンティング方式により放射線撮影を行う。処理部１２０は、放射線フォトンの計測結果に基づいて、例えばディスプレイ等の表示部（不図示）に放射線画像を表示させるためのデータを生成する。処理部１２０は、該データに対して所定の補正処理を行ってもよい。

処理部１２０は、上述の各ユニットおよびそれを構成する各要素を同期制御しながらそれらを駆動する駆動部としての機能を兼ねてもよいが、該駆動部は、処理部１２０とは別に配置されてもよい。処理部１２０は、例えば、本明細書で説明される各動作を実現するためのプログラム又はソフトウェアが格納されたパーソナルコンピュータでもよいし、専用の集積回路（例えばＡＳＩＣ）を備える演算装置でもよい。

放射線撮像装置１００の構成は、上述の例に限られるものではなく、あるユニットの一部の機能を、他のユニットが有するように構成されてもよいし、いくつかのユニットが一体になるように構成されてもよい。例えば、放射線制御部１４０と処理部１２０とが個別に配された構成を例示したが、これらは単一のユニットで実現されてもよい。

図２は、撮像部１１０の構成例を示している。撮像部１１０は、例えば、複数の画素ＰＸが配列された画素アレイＡＰＸ、垂直走査回路ＶＳＣ、水平走査回路ＨＳＣおよび選択回路ＳＥＬを含む。ここでは、理解を容易にするため、３行×３列の画素ＰＸが配列された構成を例示したが、実際にはこの数よりも多く、例えば１７インチのセンサパネルの例では約２８００行×約２８００列の画素ＰＸが配列されうる。

垂直走査回路ＶＳＣは、複数の画素ＰＸを駆動するための画素駆動部として機能し、例えばシフトレジスタ等で構成されうる。具体的には、垂直走査回路ＶＳＣは、各行に対応する信号線Ｌ０を用いて複数の画素ＰＸの動作を行単位で制御する。ここでは、各行に１つの信号線Ｌ０が配された態様を例示するが、各行に２以上の信号線が配されてもよい。画素ＰＸの信号は、対応する列信号線Ｌ１を介して選択回路ＳＥＬに出力される。

水平走査回路ＨＳＣおよび選択回路ＳＥＬは、各画素ＰＸから信号を読み出すための読出部として機能する。具体的には、水平走査回路ＨＳＣは、例えばシフトレジスタ等で構成され、各列に対応する信号線Ｌ２を用いて選択回路ＳＥＬを制御し、対応する列の画素ＰＸであって垂直走査回路ＶＳＣにより駆動された画素ＰＸから信号を読み出す。該読み出された信号は、出力線Ｌ３を介して水平転送され、画像データＤＡＴＡの一部を形成し又は画像データＤＡＴＡを取得するための画素信号として出力される。

図３は、単位画素ＰＸの構成例を示している。画素ＰＸは、例えば、検出素子Ｄ、リセット部３１０、信号増幅部３２０、光感度選択部３３０、クランプ部３４０、第１のサンプリング部３５０および第２のサンプリング部３６０を有する。

検出素子Ｄは、例えば、ＰＩＮセンサ、ＭＩＳセンサ等の光電変換素子を含む。リセット部３１０は、トランジスタＭ１を含み、トランジスタＭ１を導通状態にすることにより検出素子Ｄの電位をリセットする。信号増幅部３２０は、電流源に接続されたトランジスタＭ２〜Ｍ３を含む。トランジスタＭ２を導通状態にすることによりトランジスタＭ３はソースフォロワ動作を行い、これにより、検出素子Ｄで生じた電荷の量に応じた信号が増幅される。

光感度選択部３３０は、トランジスタＭ４〜Ｍ７および容量Ｃ４〜Ｃ５を含む。例えば、トランジスタＭ４を導通状態にすることにより容量Ｃ４がトランジスタＭ３のゲートに接続され、且つ、トランジスタＭ６を導通状態にすることによりトランジスタＭ７はソースフォロワ動作を行う。これにより、検出素子Ｄで生じた電荷量に応じた信号の信号増幅率を変更することができる。さらにトランジスタＭ５を導通状態にすることにより容量Ｃ４がトランジスタＭ３のゲートに接続され、該信号増幅率をさらに変更することができる。

クランプ部３４０は、トランジスタＭ８〜Ｍ１０および容量Ｃ１を含む。容量Ｃ１の一方の端子ｎ１には、検出素子Ｄがリセットされたときの信号増幅部３２０からの出力が供給され、容量Ｃ１の他方の端子ｎ２には、トランジスタＭ８を導通状態にすることにより電源電圧が供給される。これにより、検出素子Ｄがリセットされたときの電圧が端子ｎ１−ｎ２間にノイズ成分としてクランプされる。その後、トランジスタＭ８を非導通状態にし、トランジスタＭ９を導通状態にすることによりトランジスタＭ１０はソースフォロワ動作を行う。検出素子Ｄがシンチレーション光を検出したことに伴う端子ｎ２の電圧の変化に相当する信号が、トランジスタＭ１０のソースフォロワ動作により増幅され、サンプリング部３５０または３６０に出力される。

サンプリング部３５０は、トランジスタＭ１１〜Ｍ１３、容量Ｃ２およびアナログスイッチＳＷ２を含み、検出素子Ｄにより検出されたシンチレーション光の光量に相当する信号（Ｓ信号）をサンプリングする。具体的には、トランジスタＭ１１を制御することによりクランプ部３４０からの信号をサンプリングして容量Ｃ２に保持することができる。該信号は、ソースフォロワ動作を行うトランジスタＭ１２により増幅され、アナログスイッチＳＷ２を介して列信号線Ｌ１Ａ（列信号線Ｌ１の１つ）に出力される。

なお、トランジスタＭ１３は、例えば、容量Ｃ２と、画素ＰＸの周辺の他の画素（例えば画素ＰＸ’）の容量Ｃ２との間の電気経路に配されうる。トランジスタＭ１３を導通状態にすることにより、画素ＰＸのＳ信号と画素ＰＸ’のＳ信号との平均を取得することもでき、また、これらの間でのノイズ成分の差を緩和することもできる。

サンプリング部３６０は、サンプリング部３５０と同様の構成をとり、ノイズ成分に相当する信号（Ｎ信号）をサンプリングする。該サンプリングされたＮ信号は、ソースフォロワ動作を行うトランジスタＭ１５により増幅され、アナログスイッチＳＷ３を介して列信号線Ｌ１Ｂ（列信号線Ｌ１の他の１つ）に出力される。

図４は、放射線撮像装置１００の駆動タイミングチャートの概略を例示している。図中において、横軸を時間軸とし、縦軸には、装置１００の動作、放射線量（ハイレベルは照射している状態を示し、ローレベルを非照射の状態を示す。）、及び、出力線Ｌ３を介して出力される画像データ（又は、画像データを形成する画素信号の群）を示している。

例えば、まず所定期間にわたって、放射線源１３０により画素アレイＡＰＸに対して放射線を照射する。この期間を図中において「照射期間Ａ１」と示す。期間Ａ１では、画素アレイＡＰＸの各画素ＰＸにおいて、放射線の照射量に応じた量の電荷が発生し蓄積される（この動作は、図中において「第１蓄積動作」と示される。）。その後の読出期間Ｂ１において、画素アレイＡＰＸの複数の画素ＰＸのそれぞれからＳ信号を読み出す（この動作は、図中において「第１読出動作」と示される。）。該読み出されたＳ信号は、期間Ａ１で画素ＰＸに蓄積された電荷の量に対応する。図中において、該読み出されたＳ信号で構成される画像データを「画像データＤＡＴＡ＿Ｓ」とする。

次に、期間Ａ１と略等しい期間にわたって、画素アレイＡＰＸに対して放射線が照射されていない状態で待機する。この期間を図中において「非照射期間Ａ２」と示す。期間Ａ２では、画素アレイＡＰＸの各画素ＰＸにおいて、ノイズ成分に相当する量の電荷が発生し蓄積される（この動作は、図中において「第２蓄積動作」と示される。）。その後の読出期間Ｂ２において、画素アレイＡＰＸの複数の画素ＰＸのそれぞれからＮ信号を読み出す（この動作は、図中において「第２読出動作」と示される。）。該読み出されたＮ信号は、期間Ａ２で画素ＰＸに蓄積された電荷の量に対応する。図中において、該読み出されたＮ信号で構成される画像データを「画像データＤＡＴＡ＿Ｎ」とする（画像データＤＡＴＡ＿Ｎは、暗画像データまたはオフセット画像データとも称されうる。）。

処理部１２０は、画像データＤＡＴＡ＿Ｓと画像データＤＡＴＡ＿Ｎとの差分を算出し、１つ（１フレーム分）の画像データＤＡＴＡを取得する。詳細は後述とするが、処理部１２０は、上述の一連の動作を所定周期で行うことにより複数の画像データＤＡＴＡを取得する。

図５（ａ）は、シンチレータＳＣにおける発光分布を画素アレイＡＰＸにおける位置に対応させて示している。本例では、放射線フォトンがシンチレータＳＣに入射したことに応じてシンチレーション光が発生する。シンチレーション光の大部分は、放射線フォトンの入射位置に対応する画素ＰＸに進み該対応画素ＰＸによって検知され、それと共に、シンチレーション光の一部は、水平方向（画素アレイＡＰＸの上面と平行な方向）に拡散しうる。そのため、図５（ａ）に示されるように、該シンチレーション光の一部は、上記対応画素ＰＸの周辺（近傍）の他の画素ＰＸによって検知されうる。

図５（ｂ）は、図５（ａ）の発光分布の場合の画像データを示しており、図中において破線によって格子状に区切られた各マスは、画素アレイＡＰＸにおける画素位置に対応する。また、各マスは、対応する画素位置の画素ＰＸの画素信号の値もしくは該画素信号を量子化した値（以下、「画素値」という。）を含む。図５（ｂ）は、例えば、シンチレーション光の水平方向への拡散によって、上記対応画素ＰＸの周辺の他の画素ＰＸの画素値が、上記対応画素ＰＸの画素値よりは小さいものの、０より大きい値を有しうることを示している。

図５（ｃ）は、図５（ｂ）の画像データに基づいて算出されるべき画像データであって画素アレイＡＰＸにおける放射線フォトンの入射位置およびそのエネルギー量が算出された画像データを示している。即ち、放射線フォトンの入射位置およびそのエネルギー量は、上記対応画素ＰＸの画素値および上記対応画素ＰＸの周辺の他の画素ＰＸの画素値に基づいて算出されうる。具体的には、放射線フォトンの入射位置は、図５（ｂ）において最も画素値が大きかった画素の位置に対応し、そのエネルギー量は、該画素の画素値と該画素の周辺の各画素の画素値とを加算して得られた値に対応しうる。

図６は、複数の画像データの処理結果の例を説明するための図である。前述のとおり、処理部１２０は、図４を参照しながら述べた一連の動作を所定周期で行うことにより複数の画像データＤＡＴＡを取得する。処理部１２０は、該複数の画像データＤＡＴＡのそれぞれについて放射線フォトンの入射位置およびエネルギー量を算出する。処理部１２０は、この算出の結果に基づいて（例えば、それぞれ入射位置およびエネルギー量が算出された複数の画像データを合成して）、１枚の放射線画像を生成する。

まとめると、処理部１２０は、複数の画像データＤＡＴＡのそれぞれを解析することにより、当該画像データＤＡＴＡを取得する際に画素アレイＡＰＸに入射した放射線フォトンの個々の検出を行う。そして、処理部１２０は、放射線フォトンの個々の検出の結果に基づいて、その入射位置およびエネルギー量を算出し、複数の画像データＤＡＴＡのそれぞれについての該算出の結果を合成して１枚の放射線画像を生成する。

図７（ａ）は、放射線フォトンの個々の検出方法の例を説明するためのフローチャートである。以下のステップＳ７１０（以下、単に「Ｓ７１０」と示す。他のステップについても同様である。）〜Ｓ７６０では、１つの画像データＤＡＴＡを構成する画素値を順に走査し、該画像データＤＡＴＡにおいて放射線フォトンの検出に起因して画素値が所定値（ここでは「０」とする）より大きくなった部分を特定する。このことは、該画像データＤＡＴＡを取得した際の画素アレイＡＰＸにおける放射線フォトンの検出領域を特定することと等価である。

Ｓ７１０では、画像データＤＡＴＡのうち、画素アレイＡＰＸにおける最初の画素ＰＸに対応する部分を選択する。なお、画素アレイＡＰＸの各画素と、画像データＤＡＴＡを構成する各画素値とは１対１に対応しており、画素アレイＡＰＸと画像データＤＡＴＡとの対応付けが可能であるため、以下では説明を容易にするため、単に「最初の画素を選択する」と表現する。例えば、ｍ及びｎをそれぞれ整数として、第ｍ行かつ第ｎ列の画素を「画素ＰＸ（ｍ，ｎ）」と表現する場合、画素ＰＸ（１，１）を最初の画素とすればよい。

Ｓ７２０では、Ｓ７１０で選択された画素ＰＸが、基準画素ＰＸ＿ＥＶの条件を満たすか否かが判断される。基準画素ＰＸ＿ＥＶは、詳細は後述とするが、画素アレイＡＰＸにおける放射線フォトンの検出領域を特定するための基準となる画素であって、該特定するための処理の起点ないし開始点となる画素である。基準画素ＰＸ＿ＥＶの条件は、判断対象の画素ＰＸの画素値が、所定の閾値ＶＴＨ１より大きいことを含む。即ち、この工程では、例えば、画素ＰＸの画素値が、閾値ＶＴＨ１より大きいか否かを判断し、該画素ＰＸの画素値が閾値ＶＴＨ１より大きい場合には該画素ＰＸを基準画素ＰＸ＿ＥＶとして選択してＳ７３０に進む。一方、該画素ＰＸの画素値が閾値ＶＴＨ１より大きくない場合には該画素ＰＸを基準画素ＰＸ＿ＥＶとして選択せずにＳ７５０に進む。

基準画素ＰＸ＿ＥＶの条件は、判断対象の画素ＰＸの画素値がその隣の画素ＰＸの画素値より小さくないことをさらに含んでもよい。この条件は、画素値がより大きい画素ＰＸを基準画素ＰＸ＿ＥＶとするためのものである。

また、基準画素ＰＸ＿ＥＶの条件は、判断対象の画素ＰＸにフラグが立てられていないことをさらに含んでもよい。詳細は後述とするが、フラグは、画素ＰＸを所定の処理の対象とするための目印であり、フラグが立つとは、当該処理の対象となる条件を満たしたことを意味する。この条件は、当該処理が既に為された画素ＰＸについて当該処理またはそれに付随する処理を省略し、Ｓ７２０〜Ｓ７６０の処理に要する時間を短くするためのものである。

Ｓ７３０では、Ｓ７２０で選択された基準画素ＰＸ＿ＥＶを起点として、その周辺の画素ＰＸの画素値を参照し、画素アレイＡＰＸにおける放射線フォトンの検出領域を特定する。即ち、この工程では、画素アレイＡＰＸにおける単一の領域（連続する一塊の領域）であって、放射線フォトンの入射に伴って該領域における各画素の画素値が０（基準値ＶＴＨ２）より大きくなった領域を、検出領域として特定する。

なお、Ｓ７２０〜Ｓ７３０については、より詳細な説明を後述する。

次に、Ｓ７４０では、Ｓ７３０で特定された検出領域の各画素の画素値に基づいて、図５（ｃ）を参照しながら述べたように、放射線フォトンの入射位置およびそのエネルギー量を算出する。

ステップＳ７５０では、Ｓ７１０で選択された画素ＰＸが最後の画素か否かが判断され、最後の画素の場合には本フローチャートを終了し、そうでない場合にはＳ７６０に進む。例えば、Ｘ及びＹをそれぞれ整数として、画素アレイＡＰＸがＸ行かつＹ列のアレイの場合において、Ｓ７１０で選択された画素が画素ＰＸ（Ｘ，Ｙ）のとき、該画素ＰＸ（Ｘ，Ｙ）は最後の画素であり、本フローチャートを終了する。一方、Ｓ７１０で選択された画素が画素ＰＸ（ｍ，ｎ）（ｍ＜Ｘ又はｎ＜Ｙ）のとき、Ｓ７６０に進む。

ステップＳ７６０では、次の画素が選択されうる。例えば、Ｓ７１０で選択された画素が画素ＰＸ（ｍ，ｎ）（ｎ＜Ｙ）のとき、画素ＰＸ（ｍ，ｎ＋１）が選択され、画素ＰＸ（ｍ，ｎ）（ｍ＜Ｘかつｎ＝Ｙ）のとき、画素ＰＸ（ｍ＋１，１）が選択されうる。

図７（ｂ）は、基準画素を選択するステップ（Ｓ７２０）の態様を、より具体的に説明するための図である。図中に矢印および数字で示されるように各行の各画素ＰＸが走査され、その画素ＰＸが基準画素ＰＸ＿ＥＶの条件を満たすか否か（即ち、その画素ＰＸの画素値が閾値ＶＴＨ１より大きいか否か）が順に判断される。具体的には、まず第１行について、第１列から第Ｙ列までの各画素ＰＸが順に選択され、上記条件を満たすか否かが判断される。同様に、第２行以降の各画素ＰＸについても順に判断される。図７（ｂ）は、第４行において上記条件を満たす画素ＰＸが存在したケース（即ち、画素値が閾値ＶＴＨ１より大きい画素ＰＸが第４行に存在したケース）を示している。該検出された画素ＰＸは、基準画素ＰＸ＿ＥＶとして選択される。なお、この基準画素ＰＸ＿ＥＶと行方向または列方向で隣接する４つの画素ＰＸのそれぞれの画素値は、０ではないものの、閾値ＶＴＨ１より大きくなかったため、基準画素ＰＸ＿ＥＶとして選択されなかったものとする。

図７（ｃ）は、基準画素ＰＸ＿ＥＶを選択するステップから検出領域を特定するステップまで（Ｓ７２０〜Ｓ７３０）の態様を、より具体的に説明するための図である。図を見やすくするため、画素値が０の部分にはハッチングを付し、画素値が０より大きい部分にはその数値を例示する。また、説明を容易にするため、図中に、行（Ｒ）およびその番号、並びに、列（Ｃ）およびその番号を示す。

例えば、図中の領域Ｐ１を参照すると、例えば閾値ＶＴＨ１＝６としたとき、Ｓ７２０において、第３行かつ第３列の画素ＰＸ（３，３）は、画素値が１０（＞ＶＴＨ１）であるため、基準画素ＰＸ＿ＥＶとして選択されうる。なお、画素ＰＸ（３，３）の周囲の画素ＰＸは、それらのそれぞれの画素値がＶＴＨ１（＝６）より小さいため、基準画素ＰＸ＿ＥＶとして選択されない。

その後、Ｓ７３０において、基準画素ＰＸ＿ＥＶとなった画素ＰＸ（３，３）を起点として、その周辺の画素ＰＸの画素値を参照することにより、領域Ｐ１が検出領域として特定されうる。本例において、例えば、領域Ｐ１の各画素ＰＸの画素値を加算した結果「３８」が、放射線フォトンのエネルギー量に対応しうる。また、本例において、例えば、画素ＰＸ（３，３）が放射線フォトンの入射位置に対応しうる。他の例では、放射線フォトンの入射位置は、領域Ｐ１の各画素ＰＸの画素値の荷重平均により算出されてもよい（即ち、画素値に基づく領域Ｐ１における重心位置を放射線フォトンの入射位置としてもよい。）。また、付随的に、領域Ｐ１の各画素ＰＸの画素値に基づいて、更に、放射線フォトンの入射方向が算出されてもよいし、又は、シンチレータＳＣを備える本構成においてはシンチレーション光の発光位置が算出されてもよい。

また、例えば、図中の領域Ｐ２を参照すると、同様に閾値ＶＴＨ１＝６としたとき、Ｓ７２０において、領域Ｐ２の９つの画素ＰＸは、それらのそれぞれの画素値がいずれもＶＴＨ１より小さいため、いずれも基準画素ＰＸ＿ＥＶとして選択されない。

閾値ＶＴＨ１の値は、基準画素ＰＸ＿ＥＶを選択するのに適切な値が設定されればよい。閾値ＶＴＨ１の値を適切に設定することにより、領域Ｐ２の例に示されるように、画像データＤＡＴＡのうち、ノイズに起因すると考えられる部分をフィルタリングすることができる。

また、イレギュラーな放射線フォトンが入射した場合には、該放射線フォトンの入射位置に対応する画素ＰＸの画素値が極めて大きい値になりうる。そのため、他の例では、基準画素ＰＸ＿ＥＶの条件を、画素値が所定値ＶＴＨ０（＞ＶＴＨ１）より小さい値になること（画素値がＶＴＨ１〜ＶＴＨ０の範囲内に存在すること）としてもよい。イレギュラーな放射線フォトンが入射した場合とは、例えば、検出対象の放射線とは異なる種類の放射線（例えば宇宙線等）のフォトンが入射した場合、放射線フォトンが直接的に（シンチレータＳＣで光に変換されずに）検出素子Ｄに入射した場合などをいう。これにより、画像データＤＡＴＡから、意図しない信号成分を除去することも可能である。

前述のとおり、基準画素ＰＸ＿ＥＶの条件は、更に、判断対象の画素ＰＸの画素値が、その隣の画素ＰＸの画素値より小さくないことを含んでもよい。即ち、ある画素ＰＸの画素値がＶＴＨ１よりも大きかったとしても、その画素ＰＸの画素値が、隣接画素ＰＸの画素値よりも小さい場合には、その画素ＰＸを基準画素ＰＸ＿ＥＶとして選択しないこととしてもよい。

例えば、図中の領域Ｐ３を参照すると、同様に閾値ＶＴＨ１＝６としたとき、第８行かつ第３列の画素ＰＸ（８，３）の画素値が８（＞ＶＴＨ１）であるが、それと隣接する第８行かつ第４列の画素ＰＸ（８，４）の画素値１０よりも小さい。そのため、本例では、Ｓ７２０において、画素ＰＸ（８，３）は基準画素ＰＸ＿ＥＶとして選択されない。このことは、例えば、Ｓ７２０において画素ＰＸ（８，３）の隣接画素ＰＸの画素値を参照し、該画素値と画素ＰＸ（８，３）の画素値とを比較することによって為されればよい。一方、隣接画素ＰＸ（８，４）は基準画素ＰＸ＿ＥＶとして選択されうる。

その後、Ｓ７３０において、基準画素ＰＸ＿ＥＶとなった画素ＰＸ（８，４）を起点として、その周辺の画素ＰＸの画素値を参照することにより、領域Ｐ３が検出領域として特定されうる。本例において、例えば、領域Ｐ３の各画素ＰＸの画素値を加算した結果「５５」が、放射線フォトンのエネルギー量に対応しうる。また、本例において、例えば、画素ＰＸ（８，４）が放射線フォトンの入射位置に対応しうる。他の例では、放射線フォトンの入射位置は、領域Ｐ３の各画素ＰＸの画素値の荷重平均により算出されてもよい。

前述のとおり、画素アレイＡＰＸにおける放射線フォトンの検出領域は、基準画素ＰＸ＿ＥＶを起点としてその周辺の画素ＰＸの画素値を参照し、該参照の結果に基づいて特定される。具体的には、画素値が基準値ＶＴＨ２（ここではＶＴＨ２＝０）より大きいか否かを、基準画素ＰＸ＿ＥＶの周辺の各画素ＰＸについて順に判断することにより、検出領域を特定する。このことを、以下、図８を参照しながら述べる。

図８は、検出領域の特定方法の例の一部を形成する「判定処理」を説明するためのフローチャートを示している。判定処理は、フラグが立てられた画素ＰＸに対して為され、まず、Ｓ７２０で選択された基準画素ＰＸ＿ＥＶについてフラグが立てられる。フラグは、判定処理の対象とするための目印であり、フラグが立つとは、判定処理の対象となる条件を満たしたことを意味する。

Ｓ８１０では、フラグが立てられた画素（ここでは基準画素ＰＸ＿ＥＶ）と上方向（列方向の一方）で隣接する画素ＰＸについて、該隣接する画素ＰＸの画素値がＶＴＨ２（＝０）より大きいか否かが判断される。該隣接する画素ＰＸの画素値がＶＴＨ２より大きい場合にはＳ８１１に進み、そうでない場合にはＳ８２０に進む。Ｓ８１１では、該隣接する画素ＰＸの画素値に対して判定処理が既に為されたか否かが判断され、判定処理が既に為されていた場合にはＳ８２０に進み、そうでない場合にはＳ８１２に進む。Ｓ８１２では、該隣接する画素ＰＸについてフラグを立てる。その後、Ｓ８１３では、該フラグが立てられた新たな画素ＰＸに対して同判定処理を行う（該フラグが立てられた新たな画素ＰＸについてＳ８１０以降の処理を行う。）。

Ｓ８２０では、フラグが立てられた画素と右方向（行方向の一方）で隣接する画素ＰＸについて、該隣接する画素ＰＸの画素値がＶＴＨ２より大きいか否かが、Ｓ８１０同様に判断される。該隣接する画素ＰＸの画素値がＶＴＨ２より大きい場合には、上記Ｓ８１１〜Ｓ８１３同様の処理が為され、そうでない場合にはＳ８３０に進む。Ｓ８３０以降では、下方向（列方向の他方）で隣接する画素ＰＸについて、及び、Ｓ８４０以降では、左方向（行方向の他方）で隣接する画素ＰＸについて、それぞれ、Ｓ８１０〜Ｓ８１３同様の処理が為される。

以上のフローチャートによると、判定処理では、フラグが立てられた画素ＰＸと行方向または列方向で隣接する４つの隣接画素ＰＸのそれぞれが、画素アレイＡＰＸにおける放射線フォトンの検出領域に含まれるか否かを判定する。そして、該検出領域に含まれると判定された隣接画素ＰＸがある場合には、更に、その隣接画素ＰＸについて判定処理が為され、それ以降についても同様の手順が繰り返される。

換言すると、判定処理は、基準画素ＰＸ＿ＥＶを起点としてその周辺の画素ＰＸについて再帰的に為される。或いは、基準画素ＰＸ＿ＥＶについての判定処理を第１の判定処理としたときに、Ｋ＝２〜Ｎについて、第（Ｋ−１）の判定処理により検出領域に含まれると判断された各画素ＰＸについて第Ｋの判定処理が為される、と表現されてもよい。なお、Ｎを２以上の整数とし、Ｋを２以上かつＮ以下の整数とする。

本例では、判定処理において、フラグが立てられた画素ＰＸと行方向または列方向で隣接する（即ち、画素区画の対辺方向で隣り合う）４つの画素ＰＸの個々が検出領域に含まれるか否かを判定する態様を示したが、該判定の対象はこれらに限られない。例えば、画素区画の対角方向で隣り合う４つの画素ＰＸの個々を上記判定の対象にしてもよいし、又は、対辺方向または対角方向で隣り合う計８つの画素ＰＸの個々を上記判定の対象にしてもよい。

以上のようにして、画素アレイＡＰＸにおける放射線フォトンの検出領域が特定される。

図９（ａ）〜（ｈ）は、図８に例示されたフローチャートに基づく検出領域の特定方法を用いた場合の具体例を説明するための図である。理解を容易にするため、ＶＴＨ２＝０とし、画素値が０の部分にはハッチングを付し、画素値が０より大きい部分（検出領域として特定されるべき部分）にはハッチングを付していない。また、説明を容易にするため、図中に、行（Ｒ）およびその番号、並びに、列（Ｃ）およびその番号を示す。本例では、第４行かつ第４列の画素ＰＸ（４，４）が基準画素ＰＸ＿ＥＶとして選択されたケースを考える。

図９（ａ）の工程では、基準画素ＰＸ（４，４）に対して、図８を参照しながら述べた判定処理が為される。即ち、図中の太線で囲まれた領域において基準画素ＰＸ（４，４）と隣り合う４つの隣接画素ＰＸ（３，４）、ＰＸ（４，５）、ＰＸ（５，４）及びＰＸ（４，３）のそれぞれの画素値が、ＶＴＨ２より大きいか否かの判断の対象となる。本例では、上記４つの隣接画素ＰＸ（３，４）等のいずれも、画素値がＶＴＨ２より大きいため、フラグが立てられうる。

図９（ｂ）の工程では、図９（ａ）の工程でフラグが立てられた４つの画素のうちの画素ＰＸ（３，４）について、判定処理が為される。即ち、図中の太線で囲まれた領域において画素ＰＸ（３，４）と隣り合う４つの隣接画素ＰＸ（２，４）、ＰＸ（３，５）、ＰＸ（４，４）及びＰＸ（３，３）のそれぞれの画素値が、ＶＴＨ２より大きいか否かの判断の対象となる。隣接画素ＰＸ（３，５）については、画素値がＶＴＨ２より大きいため、フラグが立てられうる。隣接画素ＰＸ（２，４）及びＰＸ（３，３）のそれぞれの画素値は０であるため、隣接画素ＰＸ（２，４）及びＰＸ（３，３）についてフラグは立てられない。また、隣接画素ＰＸ（４，４）については既に判定処理が為されているため、隣接画素ＰＸ（４，４）についての判定処理は省略され、フラグは立てられない。

同様の手順で、図９（ｃ）の工程では、図９（ｂ）の工程でフラグが立てられた画素ＰＸ（３，５）について、判定処理が為される。隣接画素ＰＸ（２，５）については、画素値がＶＴＨ２より大きいため、フラグが立てられうる。隣接画素ＰＸ（３，６）の画素値は０であるため、隣接画素ＰＸ（３，６）についてフラグは立てられない。また、隣接画素ＰＸ（４，５）及びＰＸ（３，４）については既に判定処理が為されているため、隣接画素ＰＸ（４，５）及びＰＸ（３，４）についての判定処理は省略され、フラグは立てられない。

同様の手順で、図９（ｄ）の工程では、図９（ｃ）の工程でフラグが立てられた画素ＰＸ（２，５）について、判定処理が為される。画素ＰＸ（２，５）については、その４つの隣接画素ＰＸのいずれも、フラグが立てられない。

よって、次に、図９（ｅ）の工程では、図９（ａ）の工程でフラグが立てられた４つの画素のうちの画素ＰＸ（４，５）について、判定処理が同様の手順で為される。画素ＰＸ（４，５）については、その４つの隣接画素ＰＸのいずれも、フラグが立てられない。

よって、次に、図９（ｆ）の工程では、図９（ａ）の工程でフラグが立てられた４つの画素のうちの画素ＰＸ（５，４）について、判定処理が同様の手順で為される。隣接画素ＰＸ（５，３）については、画素値がＶＴＨ２より大きいため、フラグが立てられうる。それ以外の隣接画素ＰＸ（４，４）、ＰＸ（５，５）及びＰＸ（６，４）については、フラグは立てられない。

同様の手順で、図９（ｇ）の工程では、図９（ｆ）の工程でフラグが立てられた画素ＰＸ（５，３）について、判定処理が為される。隣接画素ＰＸ（６，３）については、画素値がＶＴＨ２より大きいため、フラグが立てられうる。それ以外の隣接画素ＰＸ（４，３）、ＰＸ（５，４）及びＰＸ（５，２）については、フラグは立てられない。

以降、同様の手順を繰り返すことにより、図９（ｈ）に示されるように、画素アレイＡＰＸにおける放射線フォトンの検出領域が特定される。なお、フラグを立てる順番は、本例に限られるものではなく、本例のフローチャートの趣旨および本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更されてもよい。

本実施形態によると、例えば、画素値が閾値ＶＴＨ１よりも大きい画素ＰＸを基準画素ＰＸ＿ＥＶとして選択する。その後、基準画素ＰＸ＿ＥＶを起点とする判定処理を行うことにより、その周辺の各画素ＰＸの画素値を順に参照する。そして、該周辺の各画素ＰＸのうち、画素値が基準値ＶＴＨ２（＜ＶＴＨ１）よりも大きい画素ＰＸと、基準画素ＰＸ＿ＥＶとを含む領域を、画素アレイＡＰＸにおける放射線フォトンの検出領域として特定する。画素アレイＡＰＸにおける放射線フォトンの入射位置およびそのエネルギー量は、該特定された検出領域の各画素の画素値に基づいて算出されうる。これらの処理は、処理部１２０により、処理部１２０が複数の画像データを順に受けながら又は該複数の画像データの全てを受けた後に、該複数の画像データのそれぞれに対して為されうる。

閾値ＶＴＨ１の値は、基準画素ＰＸ＿ＥＶを選択するのに適切な値が設定されればよい。閾値ＶＴＨ１の値を適切に設定することにより、画像データＤＡＴＡのうち、ノイズに起因すると考えられる部分をフィルタリングすることができ、また、イレギュラーな放射線フォトンに起因する部分を区別することも可能である。

本実施形態では、閾値ＶＴＨ１と画素値との比較により基準画素ＰＸ＿ＥＶを選択する態様を例示したが、基準画素ＰＸ＿ＥＶはなんらかの方法で選択されればよく、基準画素ＰＸ＿ＥＶの選択方法はこの例に限られない。また、前述のとおり、画素ＰＸを基準画素ＰＸ＿ＥＶとして選択することは、付随的に、該画素ＰＸの画素値がその隣の画素ＰＸの画素値より小さくないことを条件としてもよいし、該画素ＰＸにフラグが立てられていないことを条件としてもよい。

また、本実施形態では、基準値ＶＴＨ２を「０」とした例を述べたが、基準値ＶＴＨ２は、閾値ＶＴＨ１（上述の例では「６」）より小さい値であればよく、「０」でなくてもよい。例えば、画素アレイＡＰＸにおける放射線フォトンの検出領域を、システムノイズ等のノイズ成分をフィルタリングしながら特定する場合には、例えば、該ノイズ成分の標準偏差をσとして、基準値ＶＴＨ２を４σより大きい値に設定してもよい。

また、本実施形態では、画素ＰＸの画素値が基準値ＶＴＨ２よりも大きい場合に該画素ＰＸが放射線フォトンの検出領域に含まれるものと判定する態様を例示したが、本発明はこの例に限定されない。例えば、ある画素ＰＸの画素値が、画素アレイＡＰＸに放射線フォトンが入射したことを示すものである場合に、その画素ＰＸが検出領域に含まれるように構成されればよく、上記判定が画素値と固定値との比較によって為されるものでなくてもよい。例えば、参照対象の画素ＰＸ（検出領域を特定するために注目している１つの画素）の画素値と、その隣接画素ＰＸの画素値との関係（これらの比較の結果）に基づいて、該隣接画素ＰＸが上記検出領域に含まれるか否かが判定されてもよい。例えば、参照対象の注目画素ＰＸの画素値よりも隣接画素ＰＸの画素値の方が小さい場合、該隣接画素ＰＸを上記検出領域に含めてもよい。即ち、参照対象の画素の画素値と、その隣接画素の画素値とに基づいて（それらが、画素アレイＡＰＸに放射線フォトンが入射したことに起因するものか否かに基づいて）、それら又はそれらの一部の画素が上記検出領域の条件を満たすか否かが判定されてもよい。

以上、本実施形態によると、画素アレイＡＰＸにおける放射線フォトンの検出領域の特定、並びに、該放射線フォトンの入射位置およびそのエネルギー量の算出を高い精度で行うのに有利である。

（第２実施形態）
前述のとおり、処理部１２０は、複数の画像データＤＡＴＡのそれぞれについて画素アレイＡＰＸにおける放射線フォトンの入射位置およびエネルギー量を算出し、該算出の結果に基づいて（例えば複数の画像データを合成して）１枚の放射線画像を生成する。前述の第１実施形態では、１つの画像データＤＡＴＡにおける基準画素ＰＸ＿ＥＶの画素値とその周辺の画素ＰＸの画素値とを参照して、上記算出を行った。本実施形態では、その前及び／又は後の他の画像データＤＡＴＡをさらに用いる、という点で第１実施形態と異なる。

図１０は、本実施形態に係る検出領域の特定方法の例の一部を形成する「判定処理」を説明するためのフローチャートを、図８同様に示している。例えば、フラグが立てられた画素（ここでは、前述のＳ７２０で選択された基準画素ＰＸ＿ＥＶ）が、時刻ｔで得られた画像データＤＡＴＡ（ｔ）に対応する場合について考える。

この場合、Ｓ１０１０では、１つ前のタイミングで（例えば、時刻ｔよりΔｔだけ前のタイミングで）得られた画像データＤＡＴＡ（ｔ−Δｔ）において、対応画素ＰＸの画素値がＶＴＨ２（＝０）より大きいか否かが判断される。該画素ＰＸの画素値がＶＴＨ２より大きい場合にはＳ１０１１に進み、そうでない場合にはＳ１０２０に進む。Ｓ１０１１〜Ｓ１０１３は、前述のＳ８１１〜Ｓ８１３同様の内容であるため説明を省略する。

Ｓ１０２０以降では、１つ後のタイミングで（例えば、時刻ｔよりΔｔだけ後のタイミングで）得られた画像データＤＡＴＡ（ｔ＋Δｔ）の対応画素ＰＸについて、それぞれ、Ｓ１０１０〜Ｓ１０１３同様の処理が為される。その後は、図８同様の処理が為されうる（Ｓ８１０に進む。）。

図１１は、上記フローチャートに基づく検出領域の特定方法の具体例を説明するための図である。図中において、Ｘ軸は行方向に対応し、Ｙ軸は列方向に対応し、また、ｔ軸は時間軸を示す。上記フローチャートによると、まず、時刻ｔのタイミングの画像データＤＡＴＡ（ｔ）において基準画素ＰＸ＿ＥＶ（ｔ）が選択される。そして、時刻ｔ−Δｔのタイミングの画像データＤＡＴＡ（ｔ−Δｔ）について基準画素ＰＸ＿ＥＶ（ｔ−Δｔ）およびその周辺の画素の画素値が参照されうる。また、時刻ｔ＋Δｔのタイミングの画像データＤＡＴＡ（ｔ＋Δｔ）について基準画素ＰＸ＿ＥＶ（ｔ＋Δｔ）およびその周辺の画素の画素値が参照されうる。その後、時刻ｔのタイミングの画像データＤＡＴＡ（ｔ）について基準画素ＰＸ＿ＥＶ（ｔ）およびその周辺の画素の画素値が参照されうる。他の基準画素ＰＸ＿ＥＶ２（ｔ）についても同様である。なお、上述の参照の順番は本例に限られるものではなく、本例のフローチャートの趣旨および本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更されてもよい。

本実施形態によると、放射線フォトンの入射のタイミングおよびその前後のタイミングでの画素値を用いることにより、第１実施形態に対して、放射線フォトンの入射位置およびそのエネルギー量をより高い精度で算出することもできる。

なお、ここでは画像データＤＡＴＡ（ｔ）の他、画像データＤＡＴＡ（ｔ−Δｔ）及びＤＡＴＡ（ｔ＋Δｔ）を用いる態様を例示したが、他の例では、更に前のタイミング及び／又は更に後のタイミングの画像データＤＡＴＡが更に用いられてもよい。また、異なるタイミングの複数の画像データＤＡＴＡを用いることにより、更に、シンチレーション光の減衰量ないし減衰率を算出することも可能であり、それにより、算出の精度をより高くすることも可能である。

（その他）
以上では、いくつかの好適な実施形態を例示したが、本発明がこれらの例に限られるものでないことはいうまでもなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、各例の一部が変形されてもよい。また、以上の例では、放射線をシンチレータＳＣにより光に変換して該光を検出素子Ｄにより電気信号に変換する所謂「間接変換型」の構成を参照したが、本発明は、放射線を直接的に電気信号に変換する所謂「直接変換型」の構成に適用されてもよい。

また、本明細書に記載された個々の用語は、本発明を説明する目的で用いられたものに過ぎず、本発明は、その用語の厳密な意味に限定されるものでないことは言うまでもなく、その均等物をも含みうる。

また、本発明は、上記実施形態の１以上の機能を実現するプログラムをネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、該システム又は装置のコンピュータにおける１以上のプロセッサがプログラムを読み出して実行する処理により実現されてもよい。例えば、本発明は、１以上の機能を実現する回路（例えば、ＡＳＩＣ）によって実現されてもよい。

１００：放射線撮像装置、ＰＸ：画素、ＡＰＸ：画素アレイ、１２０：処理部。

Claims (14)

1. 複数の画素が配列された画素アレイと、前記画素アレイに入射した放射線フォトンに基づいて放射線画像を生成する処理部とを備える放射線撮像装置であって、
   前記処理部は、
   前記複数の画素のそれぞれからの信号の値を画素値として取得する第１処理と、
   前記複数の画素のうちの少なくとも１つの画素を基準画素として選択する第２処理と、
   前記基準画素を起点としてその周辺の各画素の画素値を順に参照して、前記画素アレイにおける放射線フォトンの検出領域を特定する第３処理と、
   を行う
   ことを特徴とする放射線撮像装置。
2. 前記処理部は、前記第３処理では、前記参照された画素値が、前記画素アレイに放射線フォトンが入射したことに起因するか否かを判断し、該画素値が前記画素アレイに放射線フォトンが入射したことに起因するものである場合に該画素値の画素と前記基準画素とを含む領域を前記検出領域として特定する
   ことを特徴とする請求項１に記載の放射線撮像装置。
3. 前記処理部は、前記第３処理では、前記参照された画素値が基準値よりも大きい画素と、前記基準画素とを含む領域を前記検出領域として特定する
   ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の放射線撮像装置。
4. 前記処理部は、前記第２処理では、前記基準値より大きい値である閾値よりも画素値が大きい画素を前記基準画素として選択する
   ことを特徴とする請求項３に記載の放射線撮像装置。
5. 前記画素アレイにおいて前記複数の画素は行列状に配列されており、
   前記処理部は、ある画素について、それと行方向または列方向で隣接する画素のそれぞれの画素値が前記基準値より大きいか否かに基づいて該隣接する画素のそれぞれが前記検出領域に含まれるか否かを判定する機能を有し、
   前記処理部は、前記第３処理では、
   前記基準画素について前記判定を行う第１の判定処理と、
   Ｎを２以上の整数とし、Ｋを２以上かつＮ以下の整数として、２からＮまでのＫについて、第（Ｋ−１）の判定処理で前記検出領域に含まれると判定された前記隣接する画素のそれぞれについて前記判定を行う第Ｋの判定処理と、
   を行う
   ことを特徴とする請求項３または請求項４に記載の放射線撮像装置。
6. 前記複数の画素は、互いに隣り合う第１画素および第２画素を含んでおり、
   前記処理部は、前記第２処理において、前記第１画素の画素値が前記第２画素の画素値より小さい場合には、前記第１画素を前記基準画素として選択しない
   ことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
7. 前記処理部は、前記第１処理で取得された画素値のうち、検出対象でない種類の放射線に起因するものを、前記検出領域の各画素の画素値に基づいて除去する
   ことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
8. 前記処理部は、さらに、前記検出領域の各画素の画素値に基づいて、前記画素アレイにおける放射線フォトンの入射位置および該放射線フォトンのエネルギー量を算出する第４処理を行う
   ことを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
9. 前記処理部は、前記第４処理では、前記検出領域の各画素の画素値に基づいて更に前記放射線フォトンの入射方向を算出する
   ことを特徴とする請求項８に記載の放射線撮像装置。
10. シンチレータをさらに備え、
    前記処理部は、前記第４処理では、前記検出領域の各画素の画素値に基づいて更に前記シンチレータでの発光位置を算出する
    ことを特徴とする請求項８または請求項９に記載の放射線撮像装置。
11. 前記処理部は、
    前記第１処理では、前記複数の画素のそれぞれから信号を読み出して１つの画像データを取得する一連の動作を所定周期で行うことにより複数の画像データを取得し、
    前記第４処理では、前記複数の画像データを用いて、前記放射線フォトンの入射位置および前記放射線フォトンのエネルギー量を算出する
    ことを特徴とする請求項８から請求項１０のいずれか１項に記載の放射線撮像装置。
12. 前記処理部は、
    前記複数の画像データのうちの第１画像データに対して前記第２処理および前記第３処理を行い、
    前記第２処理および前記第３処理により前記第１画像データについて前記検出領域を特定した場合には、前記第１画像データが取得されたタイミングより前及び／又は後のタイミングで取得された他の画像データである第２画像データに対して前記第２処理および前記第３処理を行う
    ことを特徴とする請求項１１に記載の放射線撮像装置。
13. 前記第１画像データに対する前記第２処理により選択された前記基準画素の画素位置と、前記第２画像データに対する前記第２処理により選択された前記基準画素の画素位置とは、互いに対応している
    ことを特徴とする請求項１２に記載の放射線撮像装置。
14. 放射線フォトンを検出するための複数の画素が配列された画素アレイを用いたフォトンカウンティングの方法であって、
    前記複数の画素のそれぞれからの信号を量子化して画素値を取得する工程と、
    前記複数の画素のうち少なくとも１つの画素を基準画素として選択する工程と、
    前記基準画素を起点としてその周辺の各画素の画素値を順に参照して、前記画素アレイにおける放射線フォトンの検出領域を特定する工程と、
    を含む
    ことを特徴とする方法。

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