JP2017092431A - 積層インダクタ - Google Patents

Abstract

【課題】磁気特性及び絶縁特性を低下させることなく薄型化を実現する。
【解決手段】積層インダクタは、第１の磁性層と、内部導体と、第２の磁性層と、第３の磁性層と、一対の外部電極とを具備する。第１の磁性層は、一軸方向に沿った厚みが４μｍ以上１９μｍ以下であり、上記一軸方向に沿って並ぶ３つ以上の合金磁性粒子と、上記合金磁性粒子を相互に結合しＣｒを含む酸化膜とを有する。内部導体は、第１の磁性層を挟んで上記一軸方向に対向して配置され、上記一軸まわりに巻回されるコイルの一部をそれぞれ構成し、第１の磁性層を介して相互に電気的に接続される複数の導体パターンを有する。第２の磁性層は、合金磁性粒子で構成され、第１の磁性層を挟んで上記一軸方向に対向し導体パターンの周囲にそれぞれ配置される。第３の磁性層は、合金磁性粒子で構成され、第１の磁性層、第２の磁性層及び内部導体を挟んで上記一軸方向に対向して配置される。
【選択図】図４

Description

本発明は、合金磁性粒子で構成された磁性体部を有する積層インダクタに関する。

携帯機器の多機能化や自動車の電子化などにより、チップタイプと呼ばれる小型のコイル部品あるいはインダクタンス部品が広く用いられている。特に、積層型のインダクタンス部品（積層インダクタ）は薄型化に対応できるため、近年、大電流が流れるパワーデバイス向けの開発が進められている。

大電流化に対応するため、積層インダクタの磁性体部を、従前のＮｉＣｕＺｎ系フェライトよりも材料自体の飽和磁束密度が高いＦｅＣｒＳｉ合金に切り替えることが検討されている。しかし、ＦｅＣｒＳｉ合金は、材料自体の体積抵抗率が従前のフェライトに比べて低いため、その体積抵抗率を高める工夫が必要とされている。

そこで、特許文献１には、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｓｉを含む磁性合金の粉末にＳｉＯ_２、Ｂ_２Ｏ_３、ＺｎＯを主成分とするガラスを添加し、非酸化雰囲気中（７００℃）で焼成する電子部品の製造方法が開示されている。この方法によれば、成形体内に形成されたコイルの抵抗の抵抗を高くすることなく、成形体の絶縁抵抗を高くすることができるとしている。

特開２０１０−６２４２４号公報

しかしながら、特許文献１に記載の方法では、磁性合金粉末に添加されるガラスによって磁性体部の体積抵抗率を高めるようにしているため、磁性体部の所望とする絶縁抵抗を得るためにはガラスの添加量を多くする必要がある。その結果、磁性合金粉末の充填率が低下するため高いインダクタンス特性を得ることが難しく、また、薄型化を進めるほどこのような問題が顕著となる。

また、これまでは、磁性体部を形成する磁性合金粉末は透磁率を高くすることを主眼に置くことが多く、他の特性制約とならない範囲でできるだけ大きな粒径のものを用いていた。しかし、大きな粒径を用いる場合には、粒径により表面粗さも大きくなり易いことから、粒径に応じて積層の厚みを厚くし、例えば、１０μｍの粒径では６つ以上、６μｍの粒径では５つ以上の粒子が積層方向に並ぶように積層の厚みを変えていた。これは上記のように、小粒径の磁性合金粉末を用いることで、透磁率の低下を生じないようにするためであった。

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、磁気特性及び絶縁特性を低下させることなく薄型化を実現することができる積層インダクタを提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る積層インダクタは、少なくとも１つの第１の磁性層と、内部導体と、複数の第２の磁性層と、複数の第３の磁性層と、一対の外部電極とを具備する。
上記少なくとも１つの第１の磁性層は、一軸方向に沿った厚みが４μｍ以上１９μｍ以下であり、上記一軸方向に沿って並ぶ３つ以上の合金磁性粒子と、上記合金磁性粒子を相互に結合しＣｒ及びＡｌの少なくとも１種からなる第１の成分を含む第１の酸化膜とを有する。
上記内部導体は、複数の導体パターンを有する。上記複数の導体パターンは、上記第１の磁性層を挟んで上記一軸方向に対向して配置され、上記一軸まわりに巻回されるコイルの一部をそれぞれ構成し、上記第１の磁性層を介して相互に電気的に接続される。
上記複数の第２の磁性層は、合金磁性粒子で構成され、上記第１の磁性層を挟んで上記一軸方向に対向し上記複数の導体パターンの周囲にそれぞれ配置される。
上記複数の第３の磁性層は、合金磁性粒子で構成され、上記第１の磁性層、上記複数の第２の磁性層及び上記内部導体を挟んで上記一軸方向に対向して配置される。
上記一対の外部電極は、上記内部導体と電気的に接続される。

上記積層インダクタにおいて、複数の導体パターン間に配置される第１の磁性層は、４μｍ以上１９μｍ以下の厚みを有し、その厚み方向に沿って並ぶ４つ以上の合金磁性粒子の各々が第１の酸化膜を介して結合されているため、磁気特性及び絶縁特性を低下させることなく、積層インダクタ全体の薄型化を実現することができる。

上記第１の磁性層は、上記合金磁性粒子と上記第１の酸化膜との間に介在する第２の酸化膜をさらに有してもよい。上記第２の酸化膜は、Ｓｉ及びＺｒの少なくとも１種からなる第２の成分を含む。

上記第１の磁性層、上記複数の第２の磁性層及び上記複数の第３の磁性層は、上記第１の成分、上記第２の成分及びＦｅを含み、かつ、上記第１の成分に対する上記第２の成分の比率が１より大きい合金磁性粒子で構成されてもよい。

上記複数の第２の磁性層及び上記複数の第３の磁性層は、上記第１の成分が１．５〜４ｗｔ％、上記第２の成分が５〜８ｗｔ％の合金磁性粒子で構成されてもよい。

上記第１の磁性層、上記複数の第２の磁性層及び上記複数の第３の磁性層は、上記合金磁性粒子の間に含浸された樹脂材料を含んでもよい。

上記第１の磁性層、上記複数の第２の磁性層及び上記複数の第３の磁性層は、上記合金磁性粒子の間にリン元素を含んでもよい。

以上述べたように、本発明によれば、磁気特性及び絶縁特性を低下させることなく、積層インダクタ全体の薄型化を実現することができる。

本発明の一実施形態に係る積層インダクタの全体斜視図である。 図１におけるＡ−Ａ線断面図である。 上記積層インダクタにおける部品本体の分解斜視図である。 図１におけるＢ−Ｂ線断面図である。 上記積層インダクタにおける第１の磁性層の厚み方向に並ぶ合金磁性粒子を模式的に示す断面図である。 上記積層インダクタにおける磁性体層の製造方法を説明する要部の概略断面図である。

本発明は、これまでの大きな粒径から磁性体部を形成するのではなく、小粒径により高い磁気特性と絶縁性を合わせ持つ積層体を得るものである。具体的には、内部導体間に３つ以上の磁性粒子が並ぶことで内部導体の間の絶縁性を確保し、部品の薄型化を進めるものである。また、本発明は、粒径による透磁率低下の影響を受けない範囲を見出し、高い性能を合わせ持つことを可能としている。

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。

図１は、本発明の一実施形態に係る積層インダクタの全体斜視図である。図２は、図１におけるＡ−Ａ線断面図である。

［積層インダクタの全体構成］
本実施形態の積層インダクタ１０は、図１に示すように、部品本体１１と、一対の外部電極１４，１５とを有する。部品本体１１は、Ｘ軸方向に幅Ｗ、Ｙ軸方向に長さＬ、Ｚ軸方向に高さＨを有する直方体形状に形成される。一対の外部電極１４，１５は、部品本体１１の長辺方向（Ｙ軸方向）に対向する２つの端面に設けられる。

部品本体１１の各部の寸法は特に限定されず、本実施形態では、長さＬが１．６〜２ｍｍ、幅Ｗが０．８〜１．２ｍｍ、高さＨが０．４〜０．６ｍｍとされる。

部品本体１１は、図２に示すように、直方体形状の磁性体部１２と、磁性体部１２によって覆われた螺旋状のコイル部１３（内部導体）とを有している。

図３は、部品本体１１の分解斜視図である。図４は、図１におけるＢ−Ｂ線断面図である。

磁性体部１２は、図３に示すように、複数の磁性体層ＭＬＵ、ＭＬ１〜ＭＬ７及びＭＬＤが高さ方向（Ｚ軸方向）に積層されて一体化された構造を有する。磁性体層ＭＬＵ及びＭＬＤは、磁性体部１２の上下のカバー層（第３の磁性層）を構成する。磁性体層ＭＬ１〜ＭＬ７は、コイル部１３を含む導体層を構成し、図４に示すように、それぞれ、第１の磁性層１２１と、第２の磁性層１２２と、導体パターンＣ１１〜Ｃ１７とを有する。

第１の磁性層１２１は、隣接する上下の導体パターンＣ１１〜Ｃ１７の間に介在する導体間層として構成される。第１の磁性層１２１は、軟磁気特性を有する磁性材料で構成され、磁性材料には合金磁性粒子が用いられる。ここで用いる磁性材料の軟磁気特性は、保磁力Ｈｃが２５０Ａ／ｍ以下のものを指している。

合金磁性粒子には、Ｆｅ（鉄）と、第１の成分と、第２の成分との合金粒子が用いられる。第１の成分は、Ｃｒ（クロム）及びＡｌ（アルミニウム）の少なくとも１種からなり、第２の成分は、Ｓｉ（シリコン）及びＺｒ（ジルコニウム）の少なくとも１種からなる。本実施形態は、第１の成分がＣｒ、第２の成分がＳｉであり、したがって合金磁性粒子は、ＦｅＣｒＳｉ合金粒子で構成される。この合金磁性粒子の組成は、典型的には、Ｃｒが１．５〜５ｗｔ％、Ｓｉが３〜１０ｗｔ％であり、不純物を除き、残りをＦｅとし全体で１００％とする。

第１の磁性層１２１は、各合金磁性粒子を相互に結合する第１の酸化膜を有する。第１の酸化膜は、上記第１の成分を含み、本実施形態では、Ｃｒ_２Ｏ_３である。第１の磁性層１２１は、各合金磁性粒子と上記第１の酸化膜との間に介在する第２の酸化膜をさらに有する。第２の酸化膜は、第２の成分を含み、本実施形態では、ＳｉＯ_２である。

これにより、第１の磁性層１２１の厚みが１９μｍ以下と薄くても、導体パターンＣ１１〜Ｃ１７の間の所要の絶縁耐圧を確保することができる。また、第１の磁性層１２１の厚みを小さくできる分、導体パターンＣ１１〜Ｃ１７を厚く形成することができるため、コイル部１３の直流抵抗の低抵抗化を図ることができる。

導体パターンＣ１１〜Ｃ１７は、第１の磁性層１２１の上に配置される。導体パターンＣ１１〜Ｃ１７は、図２に示すように、Ｚ軸まわりに巻回されるコイルの一部を構成し、ビアＶ１〜Ｖ６を介してＺ軸方向にそれぞれ電気的に接続されることで、コイル部１３が形成される。磁性体層ＭＬ１の導体パターンＣ１１は、一方の外部電極１４と電気的に接続される引出端部１３ｅ１を有し、磁性体層ＭＬ７の導体パターンＣ１７は、他方の外部電極１５と電気的に接続される引出端部１３ｅ２を有する。

第２の磁性層１２２は、第１の磁性層１２１と同種の合金磁性粒子（ＦｅＣｒＳｉ合金粒子）で構成される。第２の磁性層１２２は、第１の磁性層１２１を挟んでＺ軸方向に対向し、第１の磁性層１２１上の導体パターンＣ１１〜Ｃ１７の周囲にそれぞれ配置される。各磁性体層ＭＬ１〜ＭＬ７における第２の磁性層１２２のＺ軸方向に沿った厚みは、典型的には、導体パターンＣ１１〜Ｃ１７の厚みと同一であるが、これらの厚みに差があってもよい。

第３の磁性層１２３は、第１の磁性層１２１と同種の合金磁性粒子（ＦｅＣｒＳｉ合金粒子）で構成される。第３の磁性層１２３は、上層の磁性体層ＭＬＵ及び下層の磁性体層ＭＬＤにそれぞれ相当し、磁性体層ＭＬ１〜ＭＬ７の第１の磁性層１２１、第２の磁性層１２２及び導体パターンＣ１１〜Ｃ１７（コイル部１３）を挟んでＺ軸方向に対向して配置される。磁性体層ＭＬＵ，ＭＬＤはそれぞれ複数の第３の磁性層１２３の積層体で構成されるが、それらの積層数は特に限定されない。また、磁性体層ＭＬ７の第１の磁性層１２１は、磁性体層ＭＬＤの最上層に位置する第３の磁性層１２３で構成されてもよい。また、磁性体層ＭＬＵの最下層は第１の磁性層１２１で構成されてもよい。

第１〜第３の磁性層１２１〜１２３を構成する合金磁性粒子（ＦｅＣｒＳｉ合金粒子）の表面には、上述のように、該ＦｅＣｒＳｉ合金粒子の酸化物膜（第１の酸化膜及び第２の酸化膜）が絶縁膜として存在している。各磁性層１２１〜１２３内のＦｅＣｒＳｉ合金粒子は、上記酸化物膜を介して相互に結合し、コイル部１３近傍のＦｅＣｒＳｉ合金粒子は、上記酸化物膜を介してコイル部１３と密着している。上記酸化物膜は、典型的には、磁性体に属するＦｅ_３Ｏ_４、非磁性体に属するＦｅ_２Ｏ_３、Ｃｒ_２Ｏ_３、ＳｉＯ_２の少なくとも１つを含む。

ＦｅＣｒＳｉ以外の合金磁性粒子としては、ＦｅＣｒＺｒ、ＦｅＡｌＳｉ、ＦｅＴｉＳｉ、ＦｅＡｌＺｒ、ＦｅＴｉＺｒなどが挙げられ、Ｆｅを主成分とし、Ｓｉ及びＺｒのいずれか１つ以上の元素（第２の成分）と、Ｓｉ又はＺｒ以外のＦｅより酸化しやすい１つ以上の元素（第１の成分）を含むものであれば良い。好ましくは、Ｆｅが８５〜９５．５ｗｔ％であって、ＦｅとＳｉ、Ｚｒの元素（第２の成分）以外の１つ以上の元素（第１の成分）はＦｅより酸化しやすい元素を含んでおり、第１の成分に対する第２の成分の割合（第２の成分／第１の成分）は１より大きい金属磁性材料である。このような磁性材料を用いることで、上記の酸化膜は安定的に形成され、特に低温度で熱処理を行う場合でも、絶縁性を高くできる。

また、第１〜第３の磁性層１２１〜１２３を構成する合金磁性粒子の第１の成分に対する第２の成分の割合（第２の成分／第１の成分）を１より大きくすることで、これら合金磁性粒子が高抵抗化することによりＱ特性が良くなり、回路動作時の効率の改善に寄与することができる。

第１の成分がＣｒである場合、ＦｅＣｒＳｉ系合金におけるＣｒの含有率は、例えば、１〜５ｗｔ％である。Ｃｒの存在は、熱処理時に不動態を形成して過剰な酸化を抑制するとともに、強度及び絶縁抵抗を発現させる点で好ましい。一方、Ｃｒの含有量が５ｗｔ％を超えると、磁気特性が低下する傾向にある。また、Ｃｒの含有量が１ｗｔ％未満であると、酸化による合金磁性粒子の膨張が進み、第１の磁性層１２１と第２の磁性層１２２との界面に微小なデラミ（剥離）が発生し易くなり、好ましくない。Ｃｒの含有率は、１．５〜３．５ｗｔ％であることがより好ましい。

ＦｅＣｒＳｉ系合金におけるＳｉの含有率は、３〜１０ｗｔ％である。Ｓｉの含有量が多いほど、高抵抗かつ高透磁率の磁性層を構成でき、高効率のインダクタ特性（高Ｑ特性）を得ることができる。Ｓｉの含有量が少ないほど、磁性層の成形性が良好となる。これらを勘案して、Ｓｉの含有量が調整される。特に、高抵抗と高透磁率を合わせ持つことで、小型の部品であっても直流抵抗の良い部品を作ることができ、Ｓｉの含有率は、４〜８ｗｔ％がより好ましい。更には、Ｑ特性だけでなく、周波数特性も良くなることで、今後の高周波化に対応できる。

ＦｅＣｒＳｉ系合金において、Ｓｉ及びＣｒ以外の残部は、不可避不純物を除いて、Ｆｅであることが好ましい。Ｆｅ、Ｓｉ及びＣｒ以外に含まれてもよい金属としては、Ａｌ、Ｍｇ（マグネシウム）、Ｃａ（カルシウム）、Ｔｉ、Ｍｎ（マンガン）、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）、Ｃｕ（銅）などが挙げられ、非金属としては、Ｐ（リン）、Ｓ（硫黄）、Ｃ（カーボン）などが挙げられる。

各磁性層１２１〜１２３の厚み（Ｚ軸方向に沿った厚み。以下同じ）及び合金磁性粒子の体積基準の粒子径として見た場合の平均粒径（メディアン径）は、それぞれ異なる大きさで構成される。

本実施形態において、第１の磁性層１２１の厚みは、４μｍ以上１９μｍ以下とされる。第１の磁性層１２１の厚みは、第１の磁性層１２１を挟んでＺ軸方向に対向する導体パターンＣ１１〜Ｃ１７間の距離（導体間距離）に相当する。本実施形態において、第１の磁性層１２１を構成する合金磁性粒子の平均粒径は、上記厚み寸法において厚み方向（Ｚ軸方向）に３つ以上の合金磁性粒子が並ぶ大きさとされ、例えば、１μｍ以上４μｍ以下とされる。特に、薄層化と透磁率を併せ持つことから、合金磁性粒子の平均粒径は、２μｍ以上３μｍ以下が好ましい。

ここで、厚み方向に３つ以上の合金磁性粒子が並ぶ大きさとは、これら３つ以上の合金磁性粒子が厚み方向に沿って同一直線上に整列する場合に限られない。例えば図５は、５つの合金磁性粒子が並ぶ例を模式的に示している。つまり、厚さ方向に並ぶ合金磁性粒子の数とは、導体パターン（内部導体ｂ，ｃ）間において厚み方向に平行な基準線Ｌｓに掛かる粒子の数をいい、図示の例では５個であることを意味する。

第１の磁性層１２１の厚みが４μｍ未満の場合、第１の磁性層１２１の絶縁特性が低下して、導体パターンＣ１１〜Ｃ１７間の絶縁耐圧を確保することができないおそれがある。また、第１の磁性層１２１の厚みが１９μｍを超えると、第１の磁性層１２１の厚みが必要以上に厚くなり、部品本体１１、ひいては積層インダクタ１０の薄型化が困難となる。

第１の磁性層１２１を構成する合金磁性粒子の平均粒径を２μｍ以上５μｍ以下という比較的小さな粒径とすることで、合金磁性粒子の表面積が大きくなるため、上記酸化物膜を介して結合される合金磁性粒子間の絶縁耐圧が向上する。これにより、第１の磁性層１２１の厚みが４μｍ〜１９μｍと比較的薄い場合においても、導体パターンＣ１１〜Ｃ１２間の所望とする絶縁耐圧を確保することが可能となる。

また、平均粒径が小さいほど、第１の磁性層１２１の表面の平滑性を高くすることができる。これにより、第１の磁性層１２１の厚み方向に並ぶ粒子の数を安定させることができ、厚みを薄くしても絶縁を確保することができる。また、第１の磁性層１２１と接する第２の磁性層１２２及び導体パターンＣ１１〜Ｃ１７で確実に第１の磁性層１２１を被覆することが可能となる。

さらに、第１の磁性層１２１の厚みを薄くすることができる分、導体パターンＣ１１〜Ｃ１７の厚みを増加させてもよい。この場合、コイル部１３の直流抵抗の低抵抗化が図れるため、大電力を扱うパワーデバイスに特に有利となる。

一方、第２の磁性層１２２の厚みは、例えば、３０μｍ以上６０μｍ以下とされ、磁性体層ＭＬＵ，ＭＬＤのそれぞれの厚み（第３の磁性層１２３の総厚）は、例えば、５０μｍ以上１２０μｍ以下とされる。第２の磁性層１２２及び第３の磁性層１２３を構成する合金磁性粒子の平均粒径はそれぞれ、例えば、４μｍ以上２０μｍ以下とされる。

本実施形態では、第２及び第３の磁性層１２２，１２３は、第１の磁性層１２１を構成する合金磁性粒子よりも大きな平均粒径を有する合金磁性粒子で構成される。具体的に、第２の磁性層１２２は、平均粒径が６μｍの合金磁性粒子で構成され、第３の磁性層１２３は、平均粒径が４μｍの合金磁性粒子で構成される。特に、第２の磁性層１２２を構成する合金磁性粒子の平均粒径を第１の磁性層１２１を構成する合金磁性粒子の平均粒径よりも大きくすることで、磁性体部１２全体の透磁率が向上し、結果として、損失、周波数特性等の影響を抑えつつ、直流抵抗を低減させることができる。

また、第２の磁性層１２２及び第３の磁性層１２３を構成する合金磁性粒子は、それぞれの磁性層の中で、コイル部１３から外部電極１４，１５までの間に並ぶ１０以上の合金磁性粒子と、上記合金磁性粒子を相互に結合しＣｒ及びＡｌの少なくとも１種からなる第１の成分を含む第１の酸化膜とを有する。合金磁性粒子が１０以上並ぶ磁性材料を用いることで、コイル部１３と外部電極１４，１５との間の絶縁を確保することができる。

コイル部１３は、導電性材料で構成され、外部電極１４と電気的に接続される引出端部１３ｅ１と、外部電極１５と電気的に接続される引出端部１３ｅ２とを有する。コイル部１３は、導電ペーストの焼成体で構成され、本実施形態では、銀（Ａｇ）ペーストの焼成体で構成される。

コイル部１３は、磁性体部１２の内部において高さ方向（Ｚ軸方向）のまわりに螺旋状に巻回される。コイル部１３は、図３に示したように、磁性体層ＭＬ１〜ＭＬ７上にそれぞれ所定形状に形成された７つの導体パターンＣ１１〜Ｃ１７と、導体パターンＣ１１〜Ｃ１７をＺ軸方向に接続する計６個のビアＶ１〜Ｖ６とを有し、これらが螺旋状に一体化されることで構成される。なお、導体パターンＣ１２〜Ｃ１６は、コイル部１３の周回部に相当し、導体パターンＣ１１，Ｃ１７は、コイル部１３の引出し部に相当する。図示するコイル部１３の巻き数は、約５．５であるが、勿論これに限られない。

図３に示すように、コイル部１３は、Ｚ軸方向から見たとき、磁性体部１２の長辺方向を長軸とするオーバル形状に形成される。これにより、コイル部１３を流れる電流の経路を最短にすることができるため、直流抵抗の低抵抗化を実現することができる。ここで、オーバル形状とは、典型的には、楕円または長円（２つの半円を直線でつないだ形状）、角丸長方形状等を意味する。なお、これに限られず、コイル部１３は、Ｚ軸方向から見たときの形状が略矩形状のものであってもよい。

［積層インダクタの製造方法］
続いて、積層インダクタ１０の製造方法について説明する。図６Ａ〜Ｃは、積層インダクタ１０における磁性体層ＭＬ１〜ＭＬ７の製造方法を説明する要部の概略断面図である。

磁性体層ＭＬ１〜ＭＬ７の製造方法は、第１の磁性層１２１の作製工程と、導体パターンＣ１０の形成工程と、第２の磁性層１２２の形成工程とを有する。

（第１の磁性層の作製）
第１の磁性層１２１の作製に際しては、ドクターブレードやダイコータ等の塗工機（図示略）を用いて、予め用意した磁性体ペースト（スラリー）をプラスチック製のベースフィルム（図示略）の表面に塗工する。次に、そのベースフィルムを熱風乾燥機等の乾燥機（図示略）を用いて、約８０℃、約５分の条件で乾燥させて、磁性体層ＭＬ１〜ＭＬ７に対応する第１〜第７の磁性シート１２１Ｓをそれぞれ作製する（図６Ａ参照）。これら磁性シート１２１Ｓは、第１の磁性層１２１を多数個取りすることができるサイズにそれぞれ形成される。

ここで用いた磁性体ペーストの組成は、ＦｅＣｒＳｉ合金粒子群が７５〜８５ｗｔ％で、ブチルカルビトール（溶剤）が１３〜２１．７ｗｔ％で、ポリビニルブチラール（バインダ）が２〜３．３ｗｔ％で、ＦｅＣｒＳｉ粒子群の平均粒径（メディアン径）により調整される。例えば、ＦｅＣｒＳｉ合金粒子群の平均粒径（メディアン径）が３μｍ以上では、それぞれ８５ｗｔ％、１３ｗｔ％、２ｗｔ％とし、１．５μｍ以上３μｍ未満では、それぞれ８０ｗｔ％、１７．３ｗｔ％、２．７ｗｔ％とし、１．５μｍ未満では、それぞれ７５ｗｔ％、２１．７ｗｔ％、３．３ｗｔ％とする。ＦｅＣｒＳｉ合金粒子群の平均粒径は、第１の磁性層１２１の厚み等に応じて選択される。ＦｅＣｒＳｉ合金粒子群は、例えば、アトマイズ法で製造される。

第１の磁性層１２１は、上述のように、厚みが４μｍ以上１９μｍ以下であり、厚み方向に沿って３つ以上の合金磁性粒子（ＦｅＣｒＳｉ合金粒子）が並ぶように構成される。そこで本実施形態では、合金磁性粒子の平均粒径は、体積基準において、ｄ５０（メディアン径）が、好ましくは１〜４μｍとされる。合金磁性粒子のｄ５０は、レーザ回折散乱法を利用した粒子径・粒度分布測定装置（例えば、日機装社製のマイクロトラック）を用いて測定される。

次いで、打ち抜き加工機やレーザ加工機等の穿孔機（図示略）を用いて、磁性体層ＭＬ１〜ＭＬ６に対応する第１〜第６の磁性シート１２１Ｓに、ビアＶ１〜Ｖ６（図３参照）に対応する貫通孔（図示略）を所定配列で形成する。貫通孔の配列については、第１〜第７の磁性シート１２１Ｓを積層したときに、導体を充填した貫通孔と導体パターンＣ１１〜Ｃ１７とで内部導体が形成されるように設定される。

（導体パターンの形成）
続いて、図６Ｂに示すように、第１〜第７の磁性シート１２１Ｓの上に、導体パターンＣ１１〜Ｃ１７が形成される。

導体パターンＣ１１は、スクリーン印刷機やグラビア印刷機等の印刷機（図示略）を用いて、予め用意した導体ペーストを磁性体層ＭＬ１に対応する第１の磁性シート１２１Ｓの表面に印刷される。さらに、導体パターンＣ１１の形成に際して、ビアＶ１に対応する貫通孔に上記導体ペーストが充填される。そして、熱風乾燥機等の乾燥機（図示略）を用いて、第１の磁性シート１２１Ｓを約８０℃、約５分の条件で乾燥させ、導体パターンＣ１１に対応する第１の印刷層を所定配列で作製する。

導体パターンＣ１２〜Ｃ１７及びビアＶ２〜Ｖ６についても上述と同様な方法で作製される。これにより、磁性体層ＭＬ２〜ＭＬ７に対応する第２〜第７の磁性シート１２１Ｓの表面に、導体パターンＣ１２〜Ｃ１７に対応する第２〜第７の印刷層が所定配列で作製される。

ここで用いた導体ペーストの組成は、Ａｇ粒子群が８５ｗｔ％で、ブチルカルビトール（溶剤）が１３ｗｔ％で、ポリビニルブチラール（バインダ）が２ｗｔ％であり、Ａｇ粒子群のｄ５０（メディアン径）は、約５μｍである。

（第２の磁性層の形成）
続いて、図６Ｃに示すように、第１〜第７の磁性シート１２１Ｓの上に、第２の磁性層１２２が形成される。

第２の磁性層１２２の形成に際しては、スクリーン印刷機やグラビア印刷機等の印刷機（図示略）を用いて、予め用意した磁性体ペースト（スラリー）を第１〜第７の磁性シート１２１Ｓ上の導体パターンＣ１１〜Ｃ１７の周囲に塗工する。次に、その磁性体ペーストを熱風乾燥機等の乾燥機（図示略）を用いて、約８０℃、約５分の条件で乾燥させる。

ここで用いた磁性体ペーストの組成は、ＦｅＣｒＳｉ合金粒子群が８５ｗｔ％で、ブチルカルビトール（溶剤）が１３ｗｔ％で、ポリビニルブチラール（バインダ）が２ｗｔ％である。

第２の磁性層１２２の厚みは、導体パターンＣ１１〜Ｃ１７の厚みと同一又は２０％以内の厚みの差となるように調整され、積層方向にほぼ同一平面が形成され、各磁性層に段差を生じることなく、積層ずれ等を生じることなく磁性体部１２が得られる。第２の磁性層１２２は、上述のように、金属磁性粒子（ＦｅＣｒＳｉ合金粒子）で構成され、第２の磁性層１２２の厚みは３０μｍ以上６０μｍ以下である。本実施形態において第２の磁性層１２２を構成する合金磁性粒子の平均粒径は、第１の磁性層１２１を構成する合金磁性粒子の平均粒径よりも大きく、例えば、第１の磁性層１２１を構成する合金磁性粒子の平均粒径は１〜４μｍであり、第２の磁性層１２２を構成する合金磁性粒子の平均粒径は４〜６μｍである。

以上のようにして、磁性体層ＭＬ１〜ＭＬ７に対応する第１〜第７のシートが作製される（図６Ｃ参照）。

（第３の磁性層の作製）
第３の磁性層１２３の作製に際しては、ドクターブレードやダイコータ等の塗工機（図示略）を用いて、予め用意した磁性体ペースト（スラリー）をプラスチック製のベースフィルム（図示略）の表面に塗工する。次に、そのベースフィルムを熱風乾燥機等の乾燥機（図示略）を用いて、約８０℃、約５分の条件で乾燥させて、磁性体層ＭＬＵ，ＭＬＤを構成する第３の磁性層１２３に対応する磁性シートをそれぞれ作製する。これら磁性シートは、第３の磁性層１２３を多数個取りすることができるサイズにそれぞれ形成される。

ここで用いた磁性体ペーストの組成は、ＦｅＣｒＳｉ合金粒子群が８５ｗｔ％で、ブチルカルビトール（溶剤）が１３ｗｔ％で、ポリビニルブチラール（バインダ）が２ｗｔ％である。

第３の磁性層１２３は、上述のように、磁性体層ＭＬＵ，ＭＬＤのそれぞれの厚みが例えば５０μｍ以上１２０μｍ以下となるように、その積層数に応じて設定される。本実施形態において第３の磁性層１２３を構成する合金磁性粒子の平均粒径は、第１の磁性層１２１を構成する合金磁性粒子の平均粒径（１〜４μｍ）及び第２の磁性層１２２を構成する合金磁性粒子の平均粒径（６μｍ）と同じか、もしくは、それよりも小さい例えば４μｍである。平均粒径が同じ場合は、透磁率を高くでき、小さい場合は、第３の磁性層１２３を薄くすることができる。

（積層及び切断）
続いて、吸着搬送機とプレス機（いずれも図示略）を用いて、第１〜第７のシート（磁性体層ＭＬ１〜ＭＬ７に対応）と、第８のシート群（磁性体層ＭＬＵ、ＭＬＤに対応）を、図３に示した順序で積み重ねて熱圧着して積層体を作製する。

続いて、ダイシング機やレーザ加工機等の切断機（図示略）を用いて、積層体を部品本体サイズに切断して、加工処理前チップ（加熱処理前の磁性体部及びコイル部を含む）を作製する。

（脱脂及び酸化物膜の形成）
続いて、焼成炉等の加熱処理機（図示略）を用いて、大気等の酸化性雰囲気中で、加熱処理前チップを多数個一括で加熱処理する。この加熱処理は、脱脂プロセスと酸化物膜形成プロセスとを含み、脱脂プロセスは約３００℃、約１時間の条件で実施され、酸化物膜形成プロセスは約７００℃、約２時間の条件で実施される。

脱脂プロセスを実施する前の加熱処理前チップにあっては、加熱処理前の磁性体内のＦｅＣｒＳｉ合金粒子の間に多数の微細間隙が存在し、当該微細間隙にはバインダ等が含まれている。しかし、これらは脱脂プロセスにおいて消失するため、脱脂プロセスが完了した後は、当該微細間隙はポア（空隙）に変わる。また、加熱処理前のコイル部内のＡｇ粒子の間にも多数の微細間隙が存在し、当該微細間隙にはバインダ等が含まれているが、これらは脱脂プロセスにおいて消失する。

脱脂プロセスに続く酸化物膜形成プロセスでは、加熱処理前の磁性体内のＦｅＣｒＳｉ合金粒子が密集して磁性体部１２（図１、図２参照）が作製されると同時に、ＦｅＣｒＳｉ合金粒子それぞれの表面に当該粒子の酸化物膜が形成される。また、加熱処理前のコイル部内のＡｇ粒子群が焼結してコイル部１３（図１、図２参照）が作製され、これにより部品本体１１が作製される。

（外部電極の形成）
続いて、ディップ塗布機やローラ塗布機等の塗布機（図示略）を用いて、予め用意した導体ペーストを部品本体１１の長さ方向両端部に塗布し、これを焼成炉等の加熱処理機（図示略）を用いて、約６５０℃、約２０分の条件で焼付け処理を行い、当該焼付け処理によって溶剤及びバインダの消失とＡｇ粒子群の焼結を行って、外部電極１４，１５（図１、図２参照）を作製する。

ここで用いた外部電極１４，１５用の導体ペーストの組成は、Ａｇ粒子群が８５ｗｔ％以上で、Ａｇ粒子群以外にガラス、ブチルカルビトール（溶剤）、ポリビニルブチラール（バインダ）を含み、Ａｇ粒子群のｄ５０（メディアン径）は、約５μｍである。

（樹脂含浸処理）
続いて、磁性体部１２に樹脂含浸の処理を行う。磁性体部１２には、磁性体部１２を形成する合金磁性粒子同士の間に空間が存在している。ここでの樹脂含浸の処理は、この空間を埋めるようとするものである。具体的には、シリコーン樹脂の樹脂材料を含む溶液に得られた磁性体部１２を浸漬することにより、樹脂材料を空間に充填し、その後、１５０℃にて６０分間熱処理することにより、樹脂材料を硬化させる。

樹脂含浸の処理としては、例えば液体状態の樹脂材料や樹脂材料の溶液などといった、樹脂材料の液状物に磁性体部１２を浸漬して圧力を下げたり、樹脂材料の液状物を磁性体部１２に塗布して表面から内部に染みこませたりするなどの手段が挙げられる。この結果、樹脂は合金磁性粒子表面の酸化膜の外側に付き、合金磁性粒子同士の空間の一部を埋めることができる。この樹脂は、強度の増加や吸湿性の抑制という利点があり、水分が磁性材部１２の内部に入りにくくなるため、特に高湿下において絶縁性の低下を抑えることができる。

また、別の効果として、外部電極の形成にめっきを用いる場合、めっき伸びを抑えて歩留りの向上を図ることができる。樹脂材料としては、有機樹脂や、シリコーン樹脂が挙げられる。好ましくはシリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、シリケート系樹脂、ウレタン系樹脂、イミド系樹脂、アクリル系樹脂、ポリエステル系樹脂およびポリエチレン系樹脂からなる群から選ばれる少なくとも１種からなる。

（リン酸塩処理）
また、更に絶縁を高くする方法として、磁性体部１２を形成する合金磁性粒子の表面にリン酸系の酸化物を形成する。この工程は、外部電極１４，１５が作製された積層インダクタ１０をリン酸塩処理浴中に浸漬し、その後、水洗い、乾燥等が行われる。リン酸塩としては、例えばマンガン塩、鉄塩、亜鉛塩などが挙げられる。それぞれ適切な濃度調整をして処理を行う。

その結果、磁性体部１２を形成する合金磁性粒子同士の間にリン元素が確認できる。リン元素は、合金磁性粒子同士の空間の一部を埋めるようにリン酸系の酸化物として存在する。この場合、磁性体部１２を形成する合金磁性粒子の表面には酸化膜が存在するが、酸化膜の存在しないような部分において、Ｆｅとリンが置き換わる形でリン酸系の酸化物が形成される。

この酸化膜とリン酸系の酸化物を合わせ持つことで、更にＦｅの比率の高い合金磁性粒子を用いる場合でも絶縁性を確保できる。また、この効果として、樹脂含浸同様に、めっき伸びを抑えることができる。また、樹脂含浸とリン酸塩処理を組み合わせることで、絶縁だけでなく、更に耐湿性を良くできる相乗効果が期待できる。この組み合わせについては、樹脂含浸後にリン酸塩の処理としても、リン酸塩後に樹脂含浸の処理としても、同様の効果を得ることができる。

最後に、めっきを行う。めっきは、一般的な電気めっきにより行われ、ＮｉとＳｎの金属膜が、先にＡｇ粒子群を焼結して形成された外部電極１４，１５に付けられる。このようにして、積層インダクタ１０を得ることができる。

続いて、本発明の実施例について説明する。

（実施例１）
以下の条件で、長さが約１．６ｍｍ、幅が約０．８ｍｍ、高さが約０．５４ｍｍの直方体形状の積層インダクタを作製した。

磁性材料として、ＦｅＣｒＳｉ系の合金磁性粒子を含む磁性ペーストから第１〜第３の磁性層を作製した。なお、第１の磁性層及び第２の磁性層は、図４における第１の磁性層１２１及び第２の磁性層１２２にそれぞれ相当し、第３の磁性層は、図４における磁性体層ＭＬＵ及び磁性体層ＭＬＤに相当する（以下同じ）。

第１〜第３の磁性層を構成するＦｅＣｒＳｉ系合金磁性粒子におけるＣｒ及びＳｉの組成は、６Ｃｒ３Ｓｉ（Ｃｒ：６ｗｔ％、Ｓｉ：３ｗｔ％、残り：Ｆｅの合計１００ｗｔ％。ただし、不純物は除く。実施例２以降も同様。）とした。第１の磁性層の厚みは１６μｍとし、その合金磁性粒子の平均粒径は４μｍとした。第２の磁性層の厚みは３７μｍとし、その合金磁性粒子の平均粒径は６μｍとした。第３の磁性層の厚みは５６μｍとし、その合金磁性粒子の平均粒径は４．１μｍとした。第１及び第２の磁性層の層数は各８層を交互に配置し、第３の磁性層の２層を積層方向の両側に配置した。

コイル部は、第１の磁性層の表面に第２の磁性層の厚みで印刷したＡｇペーストで形成した。コイル部は、図３に示すように、約（５／６）ターン分のコイル長を有する複数の周回部と、所定のコイル長を有する引出し部とをコイル軸方向に積層することで作製した。コイル部のターン数は６．５ターンとし、コイル部の厚みは、第２の磁性層の厚みと同一とした。

上述のように構成された磁性層の積層体（磁性体部）を部品本体サイズに切断し、３００℃での熱処理（脱脂プロセス）及び７００℃での熱処理（酸化物膜形成プロセス）を施した。そして、引出し部の端面が露出する磁性体部の両端部にＡｇペーストからなる外部電極の下地層を形成した。そして、磁性体部の樹脂含浸処理を行った後、外部電極の下地層にＮｉ，Ｓｎめっきを施した。

以上のようにして作製した積層インダクタについて、第１の磁性層内部においてその厚み方向に並ぶ合金磁性粒子の数、電流特性及び耐電圧特性を評価した。各評価に当たっては、まず各試料については、ＬＣＲメータを用い、測定周波数１ＭＨｚでのインダクタンス値を測定し、設計のインダクタンス値（０．２２μＨ）に対し１０％以内となるもの選択し、各評価を行った。

合金磁性粒子の数は、積層インダクタの図１のＡ−Ａ断面におけるＳＥＭ観察によって行った。具体的には、上記Ａ−Ａ断面を研磨加工あるいはミリング加工し、各内部導体の幅方向中間位置で各々内部導体間の距離が求められるように、内部導体間が全体として収まる倍率の１０００〜５０００倍の範囲で観察した。Ａ−Ａ断面とした理由は、外部電極に近い側の各々内部導体の距離や粒子の数を評価するためである。そして、図５に示すように、内部導体ｂの中間位置から内部導体ｃに向かって１μｍ幅に相当する垂線（Ｌｓ）を引き、当該垂線に掛かる粒子の中から、内部導体ｂ，ｃ間の距離の１／１０以上の大きさ（断面で見える垂線方向の長さ）の粒子の数をカウントした。垂線が引けないような場合は、内部導体ｂと内部導体ｃの最短距離に１μｍ幅に相当する直線を引き、当該直線に掛かる粒子の中から、内部導体ｂ，ｃの最短距離の１／１０以上の大きさ（断面で見える垂線方向の長さ）の粒子の数をカウントした。この評価を各内部導体間で行い、最も少ない粒子の数を第１の磁性層に並んでいる合金磁性粒子の数とした。

また、第２の磁性層、第３の磁性層についても同じ試料を用いて評価を行った。第２の磁性層においては、内部導体と接する面から第２の磁性層側面までの最短距離を結ぶ１μｍ幅に相当する直線を引き、当該直線に掛かる粒子の中から、上記の内部導体ｂ，ｃ間の距離の最小値の１／１０以上の大きさ（断面で見える垂線方向の長さ）の粒子の数をカウントした。第３の磁性層においては、内部導体と接する面から外部電極までの最短距離を結ぶ１μｍ幅に相当する直線を引き、当該直線に掛かる粒子の中から、上記の各内部導体ｂ，ｃ間の距離の最小値の１／１０以上の大きさ（断面で見える垂線方向の長さ）の粒子の数をカウントした。この評価により、第２の磁性層及び第３の磁性層の粒子の数は、各実施例いずれも１０以上であった。

Ｑ特性は、ＬＣＲメータを用い、測定周波数１ＭＨｚで得られるＱの値を測定した。使用する機器は４２８５Ａ（キーサイト・テクノロジーズ・インク製）とした。

耐電圧特性は、静電気耐電圧試験で評価した。静電気耐圧試験は、静電気放電（ＥＳＤ：electrostatic discharge）試験により試料に電圧を印加し、前後での特性変化の有無によって行った。試験条件には人体モデル（ＨＢＭ：human body model）を用い、ＩＥＣ６１３４０−３−１規格に準じて行う。以下に詳細は試験方法について述べる。

まず、ＬＣＲメータを用いて、試料である積層インダクタの１０ＭＨｚにおけるＱ値を求め、初期値（試験前）とした。次に、放電容量１００ｐＦ、放電抵抗１．５ｋΩ、試験電圧１ｋＶ、パルス印加数を両極各１回の条件にて電圧を印加し、試験を実施した（１回目の試験）。この後、再度Ｑ値を求め、得られた試験後の数値が初期値の７０％以上のものを良品、７０％未満のものを不合格と判断した。
そして、良品と判断されたサンプルについて、放電容量１００ｐＦ、放電抵抗１．５ｋΩ、試験電圧１．２ｋＶ、パルス印加数を両極各１回の条件にて電圧を印加し、試験を実施した（２回目の試験）。この後、再度Ｑ値を求め、得られた試験後の数値が初期値の７０％以上のものを良品、７０％未満のものを不合格と判断した。
各３個の評価において少なくとも１回目の試験で良品のものを合格とし、２回とも良品のものを「Ａ」、１回目の試験のみ良品のものを「Ｂ」とした。なお、１回目の試験で不良品と判断されたものは不合格（評価「Ｃ」）とした。測定機器には、４２８５Ａ（キーサイト・テクノロジーズ・インク製）を使用した。

評価の結果、内部導体間の距離は１６μｍ、合金磁性粒子の数は４個、直流抵抗は６９ｍΩ、Ｑ値は２６、耐電圧特性（絶縁破壊評価）は「Ａ」であった。

（実施例２）
第１の磁性層の厚みを１２μｍ、その合金磁性粒子の平均粒径を３．２μｍ、第２の磁性層の厚みを４２μｍ、第３の磁性層の厚みを５２μｍとした以外は、実施例１と同一の条件で積層インダクタを作製した。
この積層インダクタについて、実施例１と同一の条件で、第１の磁性層内部においてその厚み方向に並ぶ合金磁性粒子の数、電流特性及び耐電圧特性を評価したところ、内部導体間の距離は１２μｍ、合金磁性粒子の数は３個、直流抵抗は６０ｍΩ、Ｑ値は３０、耐電圧特性（絶縁破壊評価）は「Ａ」であった。

（実施例３）
第１の磁性層の厚みを７μｍ、その合金磁性粒子の平均粒径を１．９μｍ、第２の磁性層の厚みを４６μｍ、第３の磁性層の厚みを５２μｍとした以外は、実施例１と同一の条件で積層インダクタを作製した。
この積層インダクタについて、実施例１と同一の条件で、第１の磁性層内部においてその厚み方向に並ぶ合金磁性粒子の数、電流特性及び耐電圧特性を評価したところ、内部導体間の距離は７．２μｍ、合金磁性粒子の数は３個、直流抵抗は５５ｍΩ、Ｑ値は３２、耐電圧特性（絶縁破壊評価）は「Ａ」であった。

（実施例４）
第１の磁性層の厚みを７μｍ、その合金磁性粒子の平均粒径を１μｍ、第２の磁性層の厚みを４１μｍ、第３の磁性層の厚みを７４μｍ、第２の磁性層の合金磁性粒子の平均粒径を４μｍとした以外は、実施例１と同一の条件で積層インダクタを作製した。
この積層インダクタについて、実施例１と同一の条件で、第１の磁性層内部においてその厚み方向に並ぶ合金磁性粒子の数、電流特性及び耐電圧特性を評価したところ、内部導体間の距離は７．５μｍ、合金磁性粒子の数は７個、直流抵抗は６３ｍΩ、Ｑ値は２９、耐電圧特性（絶縁破壊評価）は「Ａ」であった。

（実施例５）
第１の磁性層の厚みを３．５μｍ、その合金磁性粒子の平均粒径を１μｍ、第２の磁性層の厚みを４２μｍ、第３の磁性層の厚みを８２μｍ、第２の磁性層の合金磁性粒子の平均粒径を４μｍとした以外は、実施例１と同一の条件で積層インダクタを作製した。
この積層インダクタについて、実施例１と同一の条件で、第１の磁性層内部においてその厚み方向に並ぶ合金磁性粒子の数、電流特性及び耐電圧特性を評価したところ、内部導体間の距離は４．０μｍ、合金磁性粒子の数は３個、直流抵抗は６１ｍΩ、Ｑ値は３０、耐電圧特性（絶縁破壊評価）は「Ａ」であった。

（実施例６）
第１〜第３の磁性層を構成するＦｅＣｒＳｉ系合金磁性粒子におけるＣｒ及びＳｉの組成を４Ｃｒ５Ｓｉ（Ｃｒ：４ｗｔ％、Ｓｉ：５ｗｔ％、残り：Ｆｅの合計１００ｗｔ％）とした以外は、実施例３と同一の条件で積層インダクタを作製した。
この積層インダクタについて、実施例１と同一の条件で、第１の磁性層内部においてその厚み方向に並ぶ合金磁性粒子の数、電流特性及び耐電圧特性を評価したところ、内部導体間の距離は７．２μｍ、合金磁性粒子の数は３個、直流抵抗は５５ｍΩ、Ｑ値は３３、耐電圧特性（絶縁破壊評価）は「Ａ」であった。

（実施例７）
第１〜第３の磁性層を構成するＦｅＣｒＳｉ系合金磁性粒子におけるＣｒ及びＳｉの組成を２Ｃｒ７Ｓｉ（Ｃｒ：２ｗｔ％、Ｓｉ：７ｗｔ％、残り：Ｆｅの合計１００ｗｔ％）、第１の磁性層の合金磁性粒子の平均粒径を２μｍとした以外は、実施例３と同一の条件で積層インダクタを作製した。
この積層インダクタについて、実施例１と同一の条件で、第１の磁性層内部においてその厚み方向に並ぶ合金磁性粒子の数、電流特性及び耐電圧特性を評価したところ、内部導体間の距離は７．３μｍ、合金磁性粒子の数は３個、直流抵抗は５５ｍΩ、Ｑ値は３５、耐電圧特性（絶縁破壊評価）は「Ａ」であった。

（実施例８）
第１〜第３の磁性層を構成するＦｅＣｒＳｉ系合金磁性粒子におけるＣｒ及びＳｉの組成を１．５Ｃｒ８Ｓｉ（Ｃｒ：１．５ｗｔ％、Ｓｉ：８ｗｔ％、残り：Ｆｅの合計１００ｗｔ％）とした以外は、実施例３と同一の条件で積層インダクタを作製した。
この積層インダクタについて、実施例１と同一の条件で、第１の磁性層内部においてその厚み方向に並ぶ合金磁性粒子の数、電流特性及び耐電圧特性を評価したところ、内部導体間の距離は７．４μｍ、合金磁性粒子の数は３個、直流抵抗は５６ｍΩ、Ｑ値は３６、耐電圧特性（絶縁破壊評価）は「Ａ」であった。

（実施例９）
第１〜第３の磁性層を構成するＦｅＣｒＳｉ系合金磁性粒子におけるＣｒ及びＳｉの組成を１Ｃｒ１０Ｓｉ（Ｃｒ：１ｗｔ％、Ｓｉ：１０ｗｔ％、残り：Ｆｅの合計１００ｗｔ％）とした以外は、実施例７と同一の条件で積層インダクタを作製した。
この積層インダクタについて、実施例１と同一の条件で、第１の磁性層内部においてその厚み方向に並ぶ合金磁性粒子の数、電流特性及び耐電圧特性を評価したところ、内部導体間の距離は７．８μｍ、合金磁性粒子の数は４個、直流抵抗は５９ｍΩ、Ｑ値は２９、耐電圧特性（絶縁破壊評価）は「Ｂ」であった。

（実施例１０）
第２及び第３の磁性層を構成するＦｅＡｌＳｉ系合金磁性粒子におけるＡｌ及びＳｉの組成を４Ａｌ５Ｓｉ（Ａｌ：４ｗｔ％、Ｓｉ：５ｗｔ％、残り：Ｆｅの合計１００ｗｔ％）とした以外は、実施例７と同一の条件で積層インダクタを作製した。
この積層インダクタについて、実施例１と同一の条件で、第１の磁性層内部においてその厚み方向に並ぶ合金磁性粒子の数、電流特性及び耐電圧特性を評価したところ、内部導体間の距離は７．３μｍ、合金磁性粒子の数は３個、直流抵抗は５５ｍΩ、Ｑ値は３３、耐電圧特性（絶縁破壊評価）は「Ａ」であった。

（実施例１１）
第１の磁性層を構成するＦｅＡｌＳｉ系合金磁性粒子におけるＡｌ及びＳｉの組成を２Ａｌ７Ｓｉ（Ａｌ：２ｗｔ％、Ｓｉ：７ｗｔ％、残り：Ｆｅの合計１００ｗｔ％）とした以外は、実施例７と同一の条件で積層インダクタを作製した。
この積層インダクタについて、実施例１と同一の条件で、第１の磁性層内部においてその厚み方向に並ぶ合金磁性粒子の数、電流特性及び耐電圧特性を評価したところ、内部導体間の距離は７．４μｍ、合金磁性粒子の数は３個、直流抵抗は５５ｍΩ、Ｑ値は３５、耐電圧特性（絶縁破壊評価）は「Ａ」であった。

（実施例１２）
第１の磁性層を構成するＦｅＡｌＳｉ系合金磁性粒子におけるＡｌ及びＳｉの組成を１．５Ａｌ８Ｓｉ（Ａｌ：１．５ｗｔ％、Ｓｉ：８ｗｔ％、残り：Ｆｅの合計１００ｗｔ％）とした以外は、実施例７と同一の条件で積層インダクタを作製した。
この積層インダクタについて、実施例１と同一の条件で、第１の磁性層内部においてその厚み方向に並ぶ合金磁性粒子の数、電流特性及び耐電圧特性を評価したところ、内部導体間の距離は７．４μｍ、合金磁性粒子の数は３個、直流抵抗は５６ｍΩ、Ｑ値は３６、耐電圧特性（絶縁破壊評価）は「Ａ」であった。

（実施例１３）
第１の磁性層を構成するＦｅＣｒＺｒ系合金磁性粒子におけるＣｒ及びＺｒの組成を２Ｃｒ７Ｚｒ（Ｃｒ：２ｗｔ％、Ｚｒ：７ｗｔ％、残り：Ｆｅの合計１００ｗｔ％）とした以外は、実施例３と同一の条件で積層インダクタを作製した。
この積層インダクタについて、実施例１と同一の条件で、第１の磁性層内部においてその厚み方向に並ぶ合金磁性粒子の数、電流特性及び耐電圧特性を評価したところ、内部導体間の距離は７．２μｍ、合金磁性粒子の数は３個、直流抵抗は５５ｍΩ、Ｑ値は３５、耐電圧特性（絶縁破壊評価）は「Ａ」であった。

（実施例１４）
第１の磁性層を構成するＦｅＣｒＳｉ系合金磁性粒子におけるＣｒ及びＳｉの組成を６Ｃｒ３Ｓｉ（Ｃｒ：６ｗｔ％、Ｓｉ：３ｗｔ％、残り：Ｆｅの合計１００ｗｔ％）とした以外は、実施例６と同一の条件で積層インダクタを作製した。
この積層インダクタについて、実施例１と同一の条件で、第１の磁性層内部においてその厚み方向に並ぶ合金磁性粒子の数、電流特性及び耐電圧特性を評価したところ、内部導体間の距離は７μｍ、合金磁性粒子の数は３個、直流抵抗は５４ｍΩ、Ｑ値は３２、耐電圧特性（絶縁破壊評価）は「Ａ」であった。

（実施例１５）
第１の磁性層を構成するＦｅＣｒＳｉ系合金磁性粒子におけるＣｒ及びＳｉの組成を６Ｃｒ３Ｓｉ（Ｃｒ：６ｗｔ％、Ｓｉ：３ｗｔ％、残り：Ｆｅの合計１００ｗｔ％）とした以外は、実施例７と同一の条件で積層インダクタを作製した。
この積層インダクタについて、実施例１と同一の条件で、第１の磁性層内部においてその厚み方向に並ぶ合金磁性粒子の数、電流特性及び耐電圧特性を評価したところ、内部導体間の距離は６．９μｍ、合金磁性粒子の数は３個、直流抵抗は５４ｍΩ、Ｑ値は３４、耐電圧特性（絶縁破壊評価）は「Ａ」であった。

（実施例１６）
第１の磁性層を構成するＦｅＣｒＳｉ系合金磁性粒子におけるＣｒ及びＳｉの組成を６Ｃｒ３Ｓｉ（Ｃｒ：６ｗｔ％、Ｓｉ：３ｗｔ％、残り：Ｆｅの合計１００ｗｔ％）とした以外は、実施例８と同一の条件で積層インダクタを作製した。
この積層インダクタについて、実施例１と同一の条件で、第１の磁性層内部においてその厚み方向に並ぶ合金磁性粒子の数、電流特性及び耐電圧特性を評価したところ、内部導体間の距離は６．９μｍ、合金磁性粒子の数は３個、直流抵抗は５５ｍΩ、Ｑ値は３５、耐電圧特性（絶縁破壊評価）は「Ａ」であった。

（実施例１７）
第１の磁性層の厚みを１３μｍ、その合金磁性粒子の平均粒径を１．９μｍ、第２の磁性層の厚みを４２μｍ、第３の磁性層の厚みを４８μｍとした以外は、実施例１と同一の条件で積層インダクタを作製した。
この積層インダクタについて、実施例１と同一の条件で、第１の磁性層内部においてその厚み方向に並ぶ合金磁性粒子の数、電流特性及び耐電圧特性を評価したところ、内部導体間の距離は１３μｍ、合金磁性粒子の数は７個、直流抵抗は６０ｍΩ、Ｑ値は３０、耐電圧特性（絶縁破壊評価）は「Ａ」であった。

（実施例１８）
第１の磁性層の厚みを１７μｍ、その合金磁性粒子の平均粒径を１．９μｍ、第２の磁性層の厚みを３８μｍ、第３の磁性層の厚みを４８μｍとした以外は、実施例１と同一の条件で積層インダクタを作製した。
この積層インダクタについて、実施例１と同一の条件で、第１の磁性層内部においてその厚み方向に並ぶ合金磁性粒子の数、電流特性及び耐電圧特性を評価したところ、内部導体間の距離は１７μｍ、合金磁性粒子の数は９個、直流抵抗は６６ｍΩ、Ｑ値は２９、耐電圧特性（絶縁破壊評価）は「Ａ」であった。

（実施例１９）
第１の磁性層の厚みを１９μｍ、その合金磁性粒子の平均粒径を１．９μｍ、第２の磁性層の厚みを３６μｍ、第３の磁性層の厚みを４８μｍとした以外は、実施例１と同一の条件で積層インダクタを作製した。
この積層インダクタについて、実施例１と同一の条件で、第１の磁性層内部においてその厚み方向に並ぶ合金磁性粒子の数、電流特性及び耐電圧特性を評価したところ、内部導体間の距離は１９μｍ、合金磁性粒子の数は１０個、直流抵抗は７０ｍΩ、Ｑ値は２８、耐電圧特性（絶縁破壊評価）は「Ａ」であった。

（比較例１）
第１の磁性層の厚みを２４μｍ、その合金磁性粒子の平均粒径を５μｍ、第２の磁性層の厚みを２９μｍとした以外は、実施例１と同一の条件で積層インダクタを作製した。
この積層インダクタについて、実施例１と同一の条件で、第１の磁性層内部においてその厚み方向に並ぶ合金磁性粒子の数、電流特性及び耐電圧特性を評価したところ、内部導体間の距離は２４μｍ、合金磁性粒子の数は４個、直流抵抗は８８ｍΩ、Ｑ値は２４、耐電圧特性（絶縁破壊評価）は「Ａ」であった。

実施例１〜１９及び比較例１に係るサンプルの作製条件を表１に、表１に記載の磁性材料の種類（合金磁性粒子の組成）を表２に、そして、各サンプルの評価結果を表３にそれぞれ示す。

表１〜３に示すように、第１の磁性層の厚みが１９μｍ以下である実施例１〜１９に係る積層インダクタについては、比較例１に係る積層インダクタよりも直流抵抗が低く、かつ、Ｑ値が高いことが確認された。これは、第１の磁性層の厚みを小さくした分、第２の磁性層及び内部導体の厚みを大きくすることができたことで、コイル部の低抵抗化を図りつつ、高いＱ特性（低損失）を得られたことによるものと推察される。

また、実施例１〜１９に係る積層インダクタにおいては、第１の磁性層を構成する合金磁性粒子の平均粒径が４μｍ以下と小さいため、合金磁性粒子の比表面積が増加し、これにより第１の磁性層の絶縁特性が向上し、所望とする耐電圧特性を確保できることが確認された。

また、実施例１〜５に示すように、合金磁性粒子の組成を同一とした場合、第１の磁性層の厚みが小さい分、内部導体の厚みを大きくすることができるため、第１の磁性層の厚みが小さいほど直流抵抗の低抵抗化及びＱ特性（損失）の向上を図れることが確認された。
特に、実施例６〜８のＳｉ５〜８ｗｔ％、Ｃｒ１．５〜４ｗｔ％の合金磁性粒子を用いることで、比較例１の約２５％以上高いＱ特性を得られる。更に、実施例２のように合金磁性粒子の平均粒径が３．２μｍ以下の場合には、合金磁性粒子の数は３個でも絶縁性を確保できている。よって、この３個以上粒子が並ぶ範囲での薄型化を進めることができる。
ただし、実施例４のように合金磁性粒子の平均粒径が１μｍの場合には、粒子径による透磁率の低下、及び製造過程でのバインダ量等の増加による充填率の低下により実施例３より直流抵抗が高くなってしまう。このため、合金磁性粒子の平均粒径は２μｍ以上３μｍ以下とすることで、低い直流抵抗の設計が可能となる。

実施例６は、実施例３よりもＳｉ含有量が多いため、実施例３よりも高いＱ値が得られた。実施例７と実施例３との関係、及び、実施例８と実施例３との関係についても同様であった。実施例８と実施例７との関係についても同様に、実施例８の方が実施例７よりもＳｉ含有量が多いため、僅かながらもＱ値が向上した。

実施例９は、実施例４と同様の直流抵抗及びＱ値が得られたが、他の実施例よりも絶縁耐圧特性が低下した。これは、実施例９のＣｒ含有量が他の実施例のそれよりも少ないため過剰な酸化が進み、抵抗値の低いＦｅの酸化物（マグネタイト）が多く形成されたことによると考えられる。また、過剰な酸化による膨張が進んでいることで、内部導体間の距離を大きくすることにもつながっていると考えられる。

実施例１０，１１，１２によれば、異なる材質の合金磁性粒子の組成を用いても、それぞれが実施例６，７，８と同じ直流抵抗、Ｑ特性を得られることが確認された。

実施例１３についても同様に、実施例７と同じ直流抵抗、Ｑ特性を得ることができる。

実施例１４，１５，１６はそれぞれ、実施例６，７，８より直流抵抗を下げることができる。これは、第１の磁性層より、第２、３の磁性層にＳｉ量の多い合金磁性粒子を用いることで、それぞれの硬さの柔らかい方の第１の磁性層の合金磁性粒子が変形を起こしながら、第１の磁性層の厚みを薄く、また充填率を高くできることによると考えられる。

実施例１７，１８は、それぞれ実施例１より直流抵抗を下げることができる。これは、実施例１より平均粒径の小さい合金磁性粒子を用いることによる。一方、実施例１９では、実施例１と同じ直流抵抗となり、平均粒径の小さい合金磁性粒子を用いる効果が見られなくなっている。このことから、第１の磁性層内部においてその厚み方向に並ぶ合金磁性粒子の数は９個以下とすることが好ましい。よって、絶縁性と直流抵抗の両方をより良くするためには、第１の磁性層内部においてその厚み方向に並ぶ合金磁性粒子の数は３以上９以下となる。

以上のように、本実施例に係る積層インダクタによれば、低抵抗と高効率のデバイス特性を得られることがわかる。しかも、部品の小型化、薄型化を実現することができるため、パワーデバイス用途の積層インダクタとしても十分に適用可能である。

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施形態にのみ限定されるものではなく種々変更を加え得ることは勿論である。

例えば以上の実施形態では、外部電極１４，１５は、部品本体１１の長辺方向に対向する２つの端面に設けられたが、これに限られず、部品本体１１の短辺方向に対向する２つの側面に設けられてもよい。

また、以上の実施形態では第１の磁性層１２１を複数備えた積層インダクタ１０について説明したが、第１の磁性層１２１が単層（つまり内部導体が２層）のの積層インダクタにも同様に適用可能である。

１０…積層インダクタ
１１…部品本体
１２…磁性体部
１３…コイル部
１４，１５…外部電極
Ｃ１１〜Ｃ１７…導体パターン
Ｖ１〜Ｖ６…ビア

Claims (6)

1. 一軸方向に沿った厚みが４μｍ以上１９μｍ以下であり、前記一軸方向に沿って並ぶ３つ以上の合金磁性粒子と、前記合金磁性粒子を相互に結合しＣｒ及びＡｌの少なくとも１種からなる第１の成分を含む第１の酸化膜とを有する、少なくとも１つの第１の磁性層と、
   前記第１の磁性層を挟んで前記一軸方向に対向して配置され、前記一軸まわりに巻回されるコイルの一部をそれぞれ構成し、前記第１の磁性層を介して相互に電気的に接続された複数の導体パターンを有する内部導体と、
   合金磁性粒子で構成され、前記第１の磁性層を挟んで前記一軸方向に対向し前記複数の導体パターンの周囲にそれぞれ配置された複数の第２の磁性層と、
   合金磁性粒子で構成され、前記第１の磁性層、前記複数の第２の磁性層及び前記内部導体を挟んで前記一軸方向に対向して配置された複数の第３の磁性層と、
   前記内部導体と電気的に接続される一対の外部電極と
   を具備する積層インダクタ。
2. 請求項１に記載の積層インダクタであって、
   前記第１の磁性層は、前記合金磁性粒子と前記第１の酸化膜との間に介在する第２の酸化膜をさらに有し、
   前記第２の酸化膜は、Ｓｉ及びＺｒの少なくとも１種からなる第２の成分を含む
   積層インダクタ。
3. 請求項２に記載の積層インダクタであって、
   前記第１の磁性層、前記複数の第２の磁性層及び前記複数の第３の磁性層は、前記第１の成分、前記第２の成分及びＦｅを含み、かつ、前記第１の成分に対する前記第２の成分の比率が１より大きい合金磁性粒子で構成される
   積層インダクタ。
4. 請求項２に記載の積層インダクタであって、
   前記複数の第２の磁性層及び前記複数の第３の磁性層は、前記第１の成分が１．５〜４ｗｔ％、前記第２の成分が５〜８ｗｔ％の合金磁性粒子で構成される
   積層インダクタ。
5. 請求項１〜４のいずれか１つに記載の積層インダクタであって、
   前記第１の磁性層、前記複数の第２の磁性層及び前記複数の第３の磁性層は、前記合金磁性粒子の間に含浸された樹脂材料を含む
   積層インダクタ。
6. 請求項１〜５のいずれか１つに記載の積層インダクタであって、
   前記第１の磁性層、前記複数の第２の磁性層及び前記複数の第３の磁性層は、前記合金磁性粒子の間にリン元素を含む
   積層インダクタ。

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