JP7106271B2 - 磁気結合型コイル部品 - Google Patents

Description

本発明は、磁気結合型コイル部品に関する。

磁気結合型コイル部品は、絶縁材料からなる絶縁本体と、当該絶縁本体内に互いと磁気結合するように設けられた一組のコイル導体を有する。磁気結合型コイル部品として、例えば、コモンモードチョークコイル、トランス及びカップルドインダクタがある。磁気結合型コイル部品においては、一般に、一組のコイル導体間の結合が高いことが望ましい。

磁気結合型コイル部品は、例えば、積層プロセスによって作成される。積層プロセスによって作製される磁気結合型コイル部品が特開２０１６－１３１２０８号公報（特許文献１）に記載されている。この磁気結合型コイル部品は、絶縁材料からなる本体に埋め込まれた複数のコイルユニットを有している。この複数のコイルユニットは、各ユニットのコイル導体の巻回軸が略一致するとともに当該コイルユニット同士が密着するように互いに接合されており、これによりコイル導体間の結合が高められるとされている。

磁気結合型コイル部品においては、直流重畳特性を向上させることも求められている。上記特許文献１に記載されている磁気結合型コイル部品は、各コイル導体が空芯コイルであるため、直流重畳特性に優れている。

空芯コイルではなく磁性材料からなる磁性体コアを有する磁気結合型コイル部品においても直流重畳特性の改善が望まれる。磁性体コアを有する磁気結合型コイル部品においては、絶縁本体の一部に非磁性材料からなる非磁性体を配することで直流重畳特性が改善することが知られている。例えば、特開２０１５－７３０５２号公報（特許文献２）に記載されている磁気結合型コイル部品においては、一組のコイル導体の間に非磁性材料からなる非磁性層を設けることにより直流重畳特性の改善が図られている。

特開２０１６－１３１２０８号公報 特開２０１５－０７３０５２号公報

磁性体コアを有する磁気結合型コイル部品において、絶縁本体の一部に非磁性体を配すると、実効透磁率が低下してしまう。よって、高い実効透磁率を実現するためには、磁気結合型コイル部品には、非磁性体を設けないことが望ましい。

本発明の目的の一つは、磁気結合型コイル部品において、非磁性体を設けずに直流重畳特性を改善することである。本発明のこれ以外の目的は、明細書全体の記載を通じて明らかにされる。

本発明の一実施形態に係る磁気結合型コイル部品は、第１の領域、前記第１の領域の上側に配された第２の領域、及び前記第１の領域の下側に配された第３の領域を有する、磁性材料からなる本体と、前記第２の領域内に設けられており複数の上側導体パターンを含む上側コイル導体と、前記第３の領域内に設けられており複数の下側導体パターンを含む下側コイル導体と、を備える。当該実施形態において、前記本体は、前記第２の領域において、複数の上側低透磁率層と、前記複数の上側低透磁率層と交互に積層された複数の上側高透磁率層と、を有し、前記本体は、前記第３の領域において、複数の下側低透磁率層と、前記複数の下側低透磁率層と交互に積層された複数の下側高透磁率層と、を有する。当該実施形態において、前記複数の上側導体パターンの各々は、前記複数の上側高透磁率層のいずれかの内部に設けられており、前記複数の下側導体パターンの各々は、前記複数の下側高透磁率層のいずれかの内部に設けられている。当該実施形態において、前記複数の上側高透磁率層はいずれも、前記複数の上側低透磁率層の各々の透磁率よりも高い透磁率を有し、前記複数の下側高透磁率層はいずれも、前記複数の下側低透磁率層の各々の透磁率よりも高い透磁率を有する。

当該実施形態によれば、複数の上側高透磁率層と複数の上側低透磁率層とが交互に積層されているため、当該複数の上側高透磁率層のうち隣接する層間には、複数の上側低透磁率層のうちの一つが配されている。また、複数の上側導体パターンの各々は、複数の上側高透磁率層のいずれかの内部に設けられている。この隣接する上側高透磁率層の間に配された上側低透磁率層によって、上下方向において隣接する上側高透磁率層の間及び上下方向において隣接する上側導体パターンの間の磁気抵抗が高くなる。これにより、上下方向において隣接する上側導体パターンの間を通過する磁束が抑制される。よって、上下方向において隣接する上側導体パターン同士の間の領域における局所的な磁気飽和が抑制される。これと同様に、上下方向において隣接する下側導体パターンの間を通過する磁束が抑制されるため、上下方向において隣接する下側導体パターン同士の間の領域における局所的な磁気飽和が抑制される。また、本体は磁性材料からなる。よって、本体に非磁性体を設けることなく、直流重畳特性が改善した磁気結合型コイル部品を得ることができる。

本発明の一実施形態において、前記複数の上側導体パターンのうち前記第１の領域の最も近くに配される第１上側導体パターンは、前記複数の上側低透磁率層のうち前記第１の領域の最も近くに配される第１上側低透磁率層の上に配される。

当該実施形態によれば、第１上側低透磁率層が上側コイル導体と下側コイル導体との間に配される。当該第１上側低透磁率層により、第１上側導体パターンの周囲を通過する磁束を抑制することができる。これにより、当該上側導体パターン周囲での局所的な磁気飽和を抑制できるとともに、上側コイル導体と下側コイル導体との間を通過する漏れ磁束を抑制して上側コイル導体と下側コイル導体との結合を改善できる。

本発明の一実施形態において、前記第１上側低透磁率層は、前記複数の上側低透磁率層のうちの前記第１上側低透磁率層以外のものよりも低い透磁率を有する。

当該実施形態によれば、上側コイル導体と下側コイル導体との間を通過する漏れ磁束をより効果的に抑制することができる。

本発明の一実施形態において、前記複数の上側低透磁率層の各々は、前記複数の上側高透磁率層よりも鉄の含有量が多い。

一般に、磁性材料における鉄の含有量が増加すると、当該磁性材料から形成された部材の飽和磁束密度も向上する。上記実施形態によれば、隣接する上側高透磁率層の間に配されている上側低透磁率層は、当該上側高透磁率層よりも高い飽和磁束密度を有する。これにより、隣接する上側高透磁率層間における局所的な磁気飽和をさらに抑制できる。

本発明の一実施形態において、前記複数の上側高透磁率層の各々は、前記複数の上側低透磁率層のいずれよりも厚く形成されている。

当該実施形態によれば、上側コイル導体及び下側コイル導体の両方と鎖交する主磁束の磁路において、上側高透磁率層が占める割合を高くすることができる。これにより、上側低透磁率層による磁気結合型コイル部品の実効透磁率の低下を抑制することができる。

本発明の一実施形態において、前記複数の下側導体パターンのうち前記第１の領域の最も近くに配される第１下側導体パターンは、前記複数の下側低透磁率層のうち前記第１コイルユニットの最も近くに配される第１下側低透磁率層の下に配される。

当該実施形態によれば、第１下側低透磁率層が上側コイル導体と下側コイル導体との間に配される。当該第１下側低透磁率層により、第１下側導体パターンの周囲を通過する磁束を抑制することができる。これにより、当該下側導体パターン周囲での局所的な磁気飽和を抑制できるとともに、上側コイル導体と下側コイル導体との間を通過する漏れ磁束を抑制して上側コイル導体と下側コイル導体との結合を改善できる。

本発明の一実施形態において、前記第１下側低透磁率層は、前記複数の下側低透磁率層のうちの前記第１下側低透磁率層以外のものよりも低い透磁率を有する。

当該実施形態によれば、上側コイル導体と下側コイル導体との間を通過する漏れ磁束をより効果的に抑制することができる。

本発明の一実施形態において、前記複数の下側低透磁率層の各々は、前記複数の下側高透磁率層よりも鉄の含有量が多い。

当該実施形態によれば、隣接する下側高透磁率層の間に配されている下側低透磁率層は、当該下側高透磁率層よりも高い飽和磁束密度を有する。これにより、隣接する下側高透磁率層間における局所的な磁気飽和をさらに抑制できる。

本発明の一実施形態において、前記複数の下側高透磁率層の各々は、前記複数の下側低透磁率層のいずれよりも厚く形成されている。

当該実施形態によれば、上側コイル導体及び下側コイル導体の両方と鎖交する主磁束の磁路において、下側高透磁率層が占める割合を高くすることができる。これにより、下側低透磁率層による磁気結合型コイル部品の実効透磁率の低下を抑制することができる。

本発明の実施形態によれば、磁気結合型コイル部品において、非磁性体を設けずに直流重畳特性を改善することができる。

本発明の一実施形態によるコイル部品の斜視図である。 図１のコイル部品のうち上側コイルユニットの分解斜視図である。 図１のコイル部品のうち下側コイルユニットの分解斜視図である。 図１のコイル部品をＩ－Ｉ線で切断した断面を模式的に示す図である。

以下、適宜図面を参照し、本発明の様々な実施形態を説明する。なお、複数の図面において共通する構成要素には当該複数の図面を通じて同一の参照符号が付されている。各図面は、説明の便宜上、必ずしも正確な縮尺で記載されているとは限らない点に留意されたい。

図１から図４を参照して本発明の一実施形態に係るコイル部品１について説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るコイル部品１の斜視図であり、図２は、図１のコイル部品１に含まれる上側コイルユニット１ａの分解斜視図であり、図３は、図１のコイル部品１に含まれる下側コイルユニット１ｂの分解斜視図であり、図４は、図１のコイル部品をＩ－Ｉ線で切断した断面を模式的に示す図である。図２から図４においては、説明の便宜のために、外部電極の図示が省略されている。

これらの図には、コイル部品１の一例として、差動信号を伝送する差動伝送回路からコモンモードノイズを除去するためのコモンモードチョークコイルが示されている。コモンモードチョークコイルは、本発明を適用可能な磁気結合型コイル部品の一例である。コモンモードチョークコイルは、後述するように積層プロセス、薄膜プロセス、又はこれら以外の公知の方法によって作製される。本発明は、コモンモードチョークコイル以外にも、トランス、カップルドインダクタ及びこれら以外の様々なコイル部品に適用することができる。

図示のように、本発明の一実施形態におけるコイル部品１は、上側コイルユニット１ａと下側コイルユニット１ｂとを備える。

上側コイルユニット１ａは、絶縁性に優れた磁性材料から成る上側本体１１ａと、この上側本体１１ａに埋設された上側コイル導体２５ａと、当該上側コイル導体２５ａの一端と電気的に接続された外部電極２１ａと、当該上側コイル導体２５ａの他端と電気的に接続された外部電極２１ｂと、を備える。上側本体１１ａは、直方体形状を有する。上側本体１１ａは、その全体が磁性材料から形成されていてもよい。つまり、上側本体１１ａは、非磁性材料からなる非磁性体を備えなくともよい。

下側コイルユニット１ｂは、上側コイルユニット１ａと同様に構成される。具体的には、下側コイルユニット１ｂは、絶縁性に優れた磁性材料から成る下側本体１１ｂと、この下側本体１１ｂに埋設された下側コイル導体２５ｂと、当該下側コイル導体２５ｂの一端と電気的に接続された外部電極２１ｃと、当該下側コイル導体２５ｂの他端と電気的に接続された外部電極２１ｄと、を備える。下側本体１１ｂは、直方体形状を有する。下側本体１１ｂは、その全体が磁性材料から形成されていてもよい。つまり、下側本体１１ｂは、非磁性材料からなる非磁性体を備えなくともよい。

上側コイル導体２５ａは、上側本体１１ａ内においてコイル軸Ａの周りに巻回されている。下側コイル導体２５ｂは、上側本体１１ｂ内においてコイル軸Ａの周りに巻回されている。コイル軸Ａは、図１のＴ軸と平行に延伸していてもよい。本明細書においてコイル部品１の上下方向に言及する際には、コイル軸Ａに沿う方向をコイル部品１の上下方向とすることがある。コイル軸ＡがＴ軸と平行に延伸する場合には、Ｔ軸方向において負側から正側に向かう方向が上方向とされ、Ｔ軸方向において正側から負側に向かう方向が下方向とされてもよい。本明細書では、可能な限り、この用法に従って、Ｔ軸方向において負側から正側に向かう方向を上方向とし、Ｔ軸方向において正側から負側に向かう方向を下方向として説明を行う。例えば、コイル部品１を構成する一組のコイルユニットのうち、Ｔ軸方向の正側にあるコイルユニットを上側コイルユニット１ａと呼び、Ｔ軸方向の負側にあるコイルユニットを下側コイルユニット１ｂと呼ぶのは、上下についての上記の用法に従ったものである。コイル軸Ａは、Ｔ軸と垂直な方向、例えばＬ軸方向に沿って延伸しても良い。この場合もコイル軸Ａに沿う方向をコイル部品１の上下方向とすることができる。したがって、コイル部品１の上下方向は、図示の実施形態のようにＴ軸と平行な方向であってもよく、他の実施形態においてはＴ軸と垂直な方向であってもよい。

本明細書においては、コイル部品１の「長さ」方向、「幅」方向、及び「厚さ」方向はそれぞれ、図１の「Ｌ」方向、「Ｗ」方向、及び「Ｔ」方向とする。

上側本体１１ａは、その下面において下側本体１１ｂの上面と接合されている。上側本体１１ａ及び下側本体１１ｂは、互いに接合されることにより、本体１０を構成する。よって、本体１０は、上側本体１１ａと、この上側本体１１ａに接合された下側本体１１ｂと、を有する。本体１０は、その全体が磁性材料から形成されていてもよい。つまり、本体１０は、非磁性材料からなる非磁性体を備えなくともよい。

本体１０は、第１の主面１０ａ、第２の主面１０ｂ、第１の端面１０ｃ、第２の端面１０ｄ、第１の側面１０ｅ、及び第２の側面１０ｆを有する。本体１０は、これらの６つの面によってその外面が画定される。第１の主面１０ａと第２の主面１０ｂとは互いに対向し、第１の端面１０ｃと第２の端面１０ｄとは互いに対向し、第１の側面１０ｅと第２の側面１０ｆとは互いに対向している。図１において第１の主面１０ａは本体１０の上側にあるため、第１の主面１０ａを本体１０の「上面」と呼ぶことがある。同様に、第２の主面１０ｂを本体１０の「下面」と呼ぶことがある。コイル部品１は、第２の主面１０ｂが回路基板（不図示）と対向するように配置されるので、第２の主面１０ｂを「実装面」と呼ぶこともある。

外部電極２１ａ及び外部電極２１ｃは、本体１０の第１の端面１０ｃに設けられる。外部電極２１ｂ及び外部電極２１ｄは、本体１０の第２の端面１０ｄに設けられる。各外部電極は、図示のように、本体１０の上面及び下面まで延伸する。各外部電極の形状及び配置は、図示された例には限定されない。例えば、外部電極２１ａ～２１ｄはすべて本体１０の下面１０ｂに設けられてもよい。この場合、上側コイル導体２５ａ及び下側コイル導体２５ｂは、ビアを介して、本体１０の下面１０ｂに設けられた外部電極２１ａ～２１ｄと接続される。

図２を参照して上側本体１１ａ及び当該上側本体１１ａ内に設けられる上側コイル導体２５ａについてさらに説明する。図示のように、上側本体１１ａは、上側コイル部２０ａ、当該上側コイル部２０ａの上面に設けられた上側第１カバー１８ａ、及び当該上側コイル部２０ａの下面に設けられた上側第２カバー１９ａを備える。

上側コイル部２０ａは、複数の上側コイルパターン層と、複数の上側低透磁率層と、を有する。上側コイル部２０ａにおいて、当該複数の上側コイルパターン層と当該複数の上側低透磁率層とは交互に積層されている。図示の実施形態においては、上側コイル部２０ａは、５層の上側コイルパターン層１２ａ１～１２ａ５と、６層の上側低透磁率層１４ａ１～１４ａ６と、を有する。上側コイルパターン層１２ａ１～１２ａ５と上側低透磁率層１４ａ１～１４ａ６とは交互に積層されている。このように、上側コイルユニット１ａは、上側コイルパターン層１２ａ１～１２ａ５と上側低透磁率層１４ａ１～１４ａ６とが交互に積層された積層体を有する。

上側コイル部２０ａの上端には、上側低透磁率層１４ａ６が配されている。上側コイル部２０ａの上端には、上側低透磁率層ではなく、上側コイルパターン層（例えば、上側コイルパターン層１２ａ５）が配されてもよい。上側コイル部２０ａの下端には、上側低透磁率層１４ａ１が配されている。上側コイル部２０ａの下端には、上側低透磁率層ではなく、上側コイルパターン層（例えば、上側コイルパターン層１２ａ１）が配されてもよい。

上側コイルパターン層１２ａ１～１２ａ５の各々は、上側低透磁率層１４ａ１～１４ａ６の各々の透磁率よりも高い透磁率を有する上側高透磁率層と、上側コイル導体２５ａの一部をなす上側導体パターンと、を備える。具体的には、上側コイルパターン層１２ａ１は、上側高透磁率層１３ａ１と上側導体パターン２５ａ１とを備え、上側コイルパターン層１２ａ２は、上側高透磁率層１３ａ２と上側導体パターン２５ａ２とを備え、上側コイルパターン層１２ａ３は、上側高透磁率層１３ａ３と上側導体パターン２５ａ３とを備え、上側コイルパターン層１２ａ４は、上側高透磁率層１３ａ４と上側導体パターン２５ａ４とを備え、上側コイルパターン層１２ａ５は、上側高透磁率層１３ａ５と上側導体パターン２５ａ５とを備える。上側高透磁率層１３ａ１～１３ａ５はいずれも、上側低透磁率層１４ａ１～１４ａ６の各々の透磁率よりも高い透磁率を有する。上側コイルパターン層１２ａ１～１２ａ５に上側高透磁率層１３ａ１～１３ａ５が含まれているため、上側高透磁率層１３ａ１～１３ａ５も、上側低透磁率層１４ａ１～１４ａ６と交互に積層される。

コイル部品１において、上側高透磁率層１３ａ１～１３ａ５及び上側導体パターン２５ａ１～２５ａ５は、上側低透磁率層１４ａ１～１４ａ５の上面に設けられてもよい。図示の実施形態においては、上側高透磁率層１３ａ１及び上側導体パターン２５ａ１は、上側低透磁率層１４ａ１の上面に設けられ、上側高透磁率層１３ａ２及び上側導体パターン２５ａ２は、上側低透磁率層１４ａ２の上面に設けられ、上側高透磁率層１３ａ３及び上側導体パターン２５ａ３は、上側低透磁率層１４ａ３の上面に設けられ、上側高透磁率層１３ａ４及び上側導体パターン２５ａ４は、上側低透磁率層１４ａ４の上面に設けられ、上側高透磁率層１３ａ５及び上側導体パターン２５ａ５は、上側低透磁率層１４ａ５の上面に設けられている。上側導体パターン２５ａ１～２５ａ５はいずれも、コイル軸Ａの周方向に延伸するように形成される。

上側導体パターン２５ａ１～２５ａ５は、例えば、導電性に優れた金属又は合金から成る導電ペーストを、スクリーン印刷法により上側低透磁率層１４ａ１～１４ａ５の上面に印刷することにより形成される。この導電ペーストの材料としては、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｌ又はこれらの合金を用いることができる。上側導体パターン２５ａ１～２５ａ５は、これ以外の材料及び方法により形成されてもよい。上側導体パターン２５ａ１～２５ａ５は、例えば、スパッタ法、インクジェット法、又はこれら以外の公知の方法で形成されてもよい。

上側高透磁率層１３ａ１～１３ａ５は、例えば、磁性材料からなる磁性ペーストを、スクリーン印刷法により、上側低透磁率層１４ａ１～１４ａ５の上面に印刷することにより形成される。上側高透磁率層１３ａ１～１３ａ５は、スクリーン印刷以外の公知の様々な方法により形成されてもよい。上側高透磁率層１３ａ１～１３ａ５は、対応する上側導体パターン２５ａ１～２５ａ５の周囲に形成される。上側高透磁率層１３ａ１～１３ａ５は、上下方向において、対応する上側導体パターン２５ａ１～２５ａ５と等しい又はほぼ等しい厚さを有していてもよい。

このように、上側導体パターン２５ａ１～２５ａ５は、上側コイルパターン層１２ａ１～１２ａ５において、対応する上側高透磁率層１３ａ１～１３ａ５の内部に形成される。具体的には、上側導体パターン２５ａ１は、上側コイルパターン層１２ａ１において、上側高透磁率層１３ａ１の内部に設けられており、上側導体パターン２５ａ２は、上側コイルパターン層１２ａ２において、上側高透磁率層１３ａ２の内部に設けられており、上側導体パターン２５ａ３は、上側コイルパターン層１２ａ３において、上側高透磁率層１３ａ３の内部に設けられており、上側導体パターン２５ａ４は、上側コイルパターン層１２ａ４において、上側高透磁率層１３ａ４の内部に設けられており、上側導体パターン２５ａ５は、上側コイルパターン層１２ａ５において、上側高透磁率層１３ａ５の内部に設けられている。上側コイルパターン層１２ａ１～１２ａ５の各々は、コイル軸Ａと垂直な方向において、対応する上側高透磁率層１３ａ１～１３ａ５によって囲まれており、その下面及び上面において隣接する上側低透磁率層と接している。

上側低透磁率層１４ａ２～１４ａ５の所定の位置には、上側ビアＶａ１～Ｖａ４がそれぞれ形成される。上側ビアＶａ１～Ｖａ４は、上側低透磁率層１４ａ２～１４ａ５の所定の位置に、上側低透磁率層１４ａ２～１４ａ５をＴ軸方向に貫く貫通孔を形成し、当該貫通孔に導電ペーストを埋め込むことにより形成される。

上側導体パターン２５ａ１～２５ａ５の各々は、隣接する導体パターンと上側ビアＶａ１～Ｖａ４を介して電気的に接続される。このようにして接続された上側導体パターン２５ａ１～２５ａ５が、スパイラル状の上側コイル導体２５ａを形成する。すなわち、上側コイル導体２５ａは、上側導体パターン２５ａ１～２５ａ５及び上側ビアＶａ１～Ｖａ４を有する。

上側導体パターン２５ａ１の上側ビアＶａ１に接続されている端部と反対側の端部は、外部電極２１ａに接続される。上側導体パターン２５ａ５の上側ビアＶａ４に接続されている端部と反対側の端部は、外部電極２１ｂに接続される。

上側コイル導体２５ａは、Ｔ軸方向の一方の端部であるコイル面２６ａと、Ｔ軸方向の他方の端部であるコイル面２７ａと、を有する。

上側第１カバー１８ａ及び上側第２カバー１９ａは、磁性材料からなる複数の磁性体層が積層された積層体である。上側第１カバー１８ａは、上側コイル部２０ａの上面に、上側コイル導体２５ａのコイル面２６ａと対向するように設けられる。上側第２カバー１９ａは、上側コイル部２０ａの下面に、上側コイル導体２５ａのコイル面２７ａと対向するように設けられる。

次に、図３を参照して下側本体１１ｂ及び当該下側本体１１ｂ内に設けられる下側コイル導体２５ｂについてさらに説明する。図示のように、下側本体１１ｂは、下側コイル部２０ｂ、当該下側コイル部２０ｂの上面に設けられた下側第１カバー１８ｂ、及び当該下側コイル部２０ｂの下面に設けられた下側カバー層１９ｂを備える。

下側コイル部２０ｂは、複数の下側コイルパターン層と、複数の下側低透磁率層と、を有する。下側コイル部２０ｂにおいて、当該複数の下側コイルパターン層と当該複数の下側低透磁率層とは交互に積層されている。図示の実施形態においては、下側コイル部２０ｂは、５層の下側コイルパターン層１２ｂ１～１２ｂ５と、６層の下側低透磁率層１４ｂ１～１４ｂ６と、を有する。下側コイルパターン層１２ｂ１～１２ｂ５と下側低透磁率層１４ｂ１～１４ｂ６とは交互に積層されている。つまり、下側コイルユニット１ｂは、下側コイルパターン層１２ｂ１～１２ｂ５と下側低透磁率層１４ｂ１～１４ｂ６とが交互に積層された積層体を有する。

下側コイル部２０ｂの上端には、下側低透磁率層１４ｂ１が配されている。下側コイル部２０ｂの上端には、下側低透磁率層ではなく、下側コイルパターン層（例えば、下側コイルパターン層１２ｂ１）が配されてもよい。下側コイル部２０ｂの下端には、下側低透磁率層１４ｂ６が配されている。下側コイル部２０ｂの下端には、下側低透磁率層ではなく、下側コイルパターン層（例えば、下側コイルパターン層１２ｂ５）が配されてもよい。

下側コイルパターン層１２ｂ１～１２ｂ５の各々は、下側低透磁率層１４ｂ１～１４ｂ６の各々の透磁率よりも高い透磁率を有する下側高透磁率層と、下側コイル導体２５ｂの一部をなす下側導体パターンと、を備える。具体的には、下側コイルパターン層１２ｂ１は、下側高透磁率層１３ｂ１と下側導体パターン２５ｂ１とを備え、下側コイルパターン層１２ａ２は、下側高透磁率層１３ｂ２と下側導体パターン２５ｂ２とを備え、下側コイルパターン層１２ｂ３は、下側高透磁率層１３ｂ３と下側導体パターン２５ｂ３とを備え、下側コイルパターン層１２ｂ４は、下側高透磁率層１３ｂ４と下側導体パターン２５ｂ４とを備え、下側コイルパターン層１２ｂ５は、下側高透磁率層１３ｂ５と下側導体パターン２５ｂ５とを備える。下側高透磁率層１３ｂ１～１３ｂ５はいずれも、下側低透磁率層１４ｂ１～１４ｂ６の各々の透磁率よりも高い透磁率を有する。下側コイルパターン層１２ｂ１～１２ｂ５に下側高透磁率層１３ｂ１～１３ｂ５が含まれているため、下側高透磁率層１３ｂ１～１３ｂ５も、下側低透磁率層１４ｂ１～１４ｂ６と交互に積層される。

コイル部品１において、下側高透磁率層１３ｂ１～１３ｂ５及び下側導体パターン２５ｂ１～２５ｂ５は、下側低透磁率層１４ｂ２～１４ｂ６の上面に設けられてもよい。図示の実施形態においては、下側高透磁率層１３ｂ１及び下側導体パターン２５ｂ１は、下側低透磁率層１４ｂ２の上面に設けられ、下側高透磁率層１３ｂ２及び下側導体パターン２５ｂ２は、下側低透磁率層１４ｂ３の上面に設けられ、下側高透磁率層１３ｂ３及び下側導体パターン２５ｂ３は、下側低透磁率層１４ｂ４の上面に設けられ、下側高透磁率層１３ｂ４及び下側導体パターン２５ｂ４は、下側低透磁率層１４ｂ５の上面に設けられ、下側高透磁率層１３ｂ５及び下側導体パターン２５ｂ５は、下側低透磁率層１４ｂ６の上面に設けられている。下側導体パターン２５ｂ１～２５ｂ５はいずれも、コイル軸Ａの周方向に延伸するように形成される。

下側導体パターン２５ｂ１～２５ｂ５は、例えば、導電性に優れた金属又は合金から成る導電ペーストを、スクリーン印刷法により下側低透磁率層１４ｂ２～１４ｂ６の上面に印刷することにより形成される。この導電ペーストの材料としては、Ａｇ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｌ又はこれらの合金を用いることができる。下側導体パターン２５ｂ１～２５ｂ５は、これ以外の材料及び方法により形成されてもよい。下側導体パターン２５ｂ１～２５ｂ５は、例えば、スパッタ法、インクジェット法、又はこれら以外の公知の方法で形成されてもよい。

下側高透磁率層１３ｂ１～１３ｂ５は、例えば、磁性材料からなる磁性ペーストを、スクリーン印刷法により、下側低透磁率層１４ｂ２～１４ｂ６の上面に印刷することにより形成される。下側高透磁率層１３ｂ１～１３ｂ５は、スクリーン印刷以外の公知の様々な方法により形成されてもよい。下側高透磁率層１３ｂ１～１３ｂ５は、対応する下側導体パターン２５ｂ１～２５ｂ５の周囲に形成される。下側高透磁率層１３ｂ１～１３ｂ５は、上下方向において、対応する下側導体パターン２５ｂ１～２５ｂ５と等しい又はほぼ等しい厚さを有していてもよい。

このように、下側導体パターン２５ｂ１～２５ｂ５は、下側コイルパターン層１２ｂ１～１２ｂ５において、対応する下側高透磁率層１３ｂ１～１３ｂ５の内部に形成される。具体的には、下側導体パターン２５ｂ１は、下側コイルパターン層１２ｂ１において、下側高透磁率層１３ｂ１の内部に設けられており、下側導体パターン２５ｂ２は、下側コイルパターン層１２ｂ２において、下側高透磁率層１３ｂ２の内部に設けられており、下側導体パターン２５ｂ３は、下側コイルパターン層１２ｂ３において、下側高透磁率層１３ｂ３の内部に設けられており、下側導体パターン２５ｂ４は、下側コイルパターン層１２ｂ４において、下側高透磁率層１３ｂ４の内部に設けられており、下側導体パターン２５ｂ５は、下側コイルパターン層１２ｂ５において、下側高透磁率層１３ｂ５の内部に設けられている。下側コイルパターン層１２ｂ１～１２ｂ５の各々は、コイル軸Ａと垂直な方向において、対応する下側高透磁率層１３ｂ１～１３ｂ５によって囲まれており、その下面及び上面において隣接する下側低透磁率層と接している。

下側低透磁率層１４ｂ２～１４ｂ５の所定の位置には、下側ビアＶｂ１～Ｖｂ４がそれぞれ形成される。下側ビアＶｂ１～Ｖｂ４は、下側低透磁率層１４ｂ２～１４ｂ５の所定の位置に、下側低透磁率層１４ｂ２～１４ｂ５をＴ軸方向に貫く貫通孔を形成し、当該貫通孔に導電ペーストを埋め込むことにより形成される。

下側導体パターン２５ｂ１～２５ｂ５の各々は、隣接する導体パターンと下側ビアＶｂ１～Ｖｂ４を介して電気的に接続される。このようにして接続された下側導体パターン２５ｂ１～２５ｂ５が、スパイラル状の下側コイル導体２５ｂを形成する。すなわち、下側コイル導体２５ｂは、下側導体パターン２５ｂ１～２５ｂ５及び下側ビアＶｂ１～Ｖｂ４を有する。

下側導体パターン２５ｂ１の下側ビアＶｂ１に接続されている端部と反対側の端部は、外部電極２１ｄに接続される。下側導体パターン２５ｂ５の下側ビアＶｂ４に接続されている端部と反対側の端部は、外部電極２１ｃに接続される。

下側コイル導体２５ｂは、Ｔ軸方向の一方の端部であるコイル面２６ｂと、Ｔ軸方向の他方の端部であるコイル面２７ｂと、を有する。

下側第１カバー１８ｂ及び下側第２カバー１９ｂは、磁性材料からなる複数の磁性体層が積層された積層体である。下側第１カバー１８ｂは、下側コイル部２０ｂの上面に、下側コイル導体２５ｂのコイル面２６ｂと対向するように設けられる。下側第２カバー１９ｂは、下側コイル部２０ｂの下面に、下側コイル導体２５ｂのコイル面２７ｂと対向するように設けられる。

次に、本体１０に含まれる各高透磁率層、各低透磁率層、及び磁性体層の材料について説明する。上側高透磁率層１３ａ１～１３ａ５、上側低透磁率層１４ａ１～１４ａ６、上側第１カバー１８ａを構成する磁性体層、上側第２カバー１９ａを構成する磁性体層、下側高透磁率層１３ｂ１～１３ｂ５、下側低透磁率層１４ｂ１～１４ｂ６、下側第１カバー１８ｂを構成する磁性体層、及び下側第２カバー１９ｂを構成する磁性体層はそれぞれ、絶縁性に優れた様々な磁性材料から形成される。この磁性材料として、フェライト材料、軟磁性合金材料、樹脂に多数のフィラー粒子を分散させた複合材料、又はこれら以外の任意の公知の磁性材料を用いることができる。

これらの層の材料となるフェライト材料には、Ｎｉ－Ｚｎ系フェライト、Ｎｉ－Ｚｎ－Ｃｕ系フェライト、Ｍｎ－Ｚｎ系フェライト、又はこれら以外の任意のフェライトが含まれる。

これらの層の材料となる軟磁性合金材料には、Ｆｅ－Ｓｉ系合金、Ｆｅ－Ｎｉ系合金、Ｆｅ－Ｃｏ系合金、Ｆｅ－Ｃｒ－Ｓｉ系合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ系合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ－Ｃｒ系合金、又はこれら以外の任意の軟磁性合金が含まれる。

これらの層が樹脂に多数のフィラー粒子を分散させた複合材料からなる場合、当該樹脂として、絶縁性に優れた熱硬化性樹脂、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリスチレン（ＰＳ）樹脂、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）樹脂、ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリフッ化ビニルデン（ＰＶＤＦ）樹脂、フェノール（Ｐｈｅｎｏｌｉｃ）樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、又はポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ）樹脂を用いることができる。当該フィラー粒子として、フェライト材料の粒子、金属磁性粒子、ＳｉＯ２やＡｌ２Ｏ３などの無機材料粒子、ガラス系粒子、又はこれら以外の任意の公知のフィラー粒子を用いることができる。本発明に適用可能なフェライト材料の粒子は、例えば、Ｎｉ－Ｚｎフェライトの粒子またはＮｉ－Ｚｎ－Ｃｕフェライトの粒子である。本発明に適用可能な金属磁性粒子は、例えば、（１）金属系のＦｅもしくはＮｉ、（２）合金系のＦｅ－Ｓｉ－Ｃｒ、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ、もしくはＦｅ－Ｎｉ、（３）非晶質のＦｅ―Ｓｉ－Ｃｒ－Ｂ－Ｃ、もしくはＦｅ－Ｓｉ－Ｂ－Ｃｒ、またはこれらの混合材料の粒子である。

上側高透磁率層１３ａ１～１３ａ５、上側低透磁率層１４ａ１～１４ａ６、上側第１カバー層１８ａを構成する磁性体層、上側第２カバー層１９ａを構成する磁性体層、下側高透磁率層１３ｂ１～１３ｂ５、下側低透磁率層１４ｂ１～１４ｂ６、下側第１カバー層１８ｂを構成する磁性体層、及び下側第２カバー層１９ｂを構成する磁性体層は、その全てがフェライト材料から形成されてもよく、その全てが軟磁性合金材料から形成されてもよく、その全てが樹脂に多数のフィラー粒子を分散させた複合材料から形成されてもよい。上側高透磁率層１３ａ１～１３ａ５、上側低透磁率層１４ａ１～１４ａ６、上側第１カバー層１８ａを構成する磁性体層、上側第２カバー層１９ａを構成する磁性体層、下側高透磁率層１３ｂ１～１３ｂ５、下側低透磁率層１４ｂ１～１４ｂ６、下側第１カバー層１８ｂを構成する磁性体層、及び下側第２カバー層１９ｂを構成する磁性体層においては、その一部の磁性体層がそれ以外の磁性体層と異なる材料から形成されてもよい。

上述のように、上側高透磁率層１３ａ１～１３ａ５はいずれも、上側低透磁率層１４ａ１～１４ａ６の各々の透磁率よりも高い透磁率を有し、下側高透磁率層１３ｂ１～１３ｂ５はいずれも、下側低透磁率層１４ｂ１～１４ｂ６の各々の透磁率よりも高い透磁率を有する。上側高透磁率層１３ａ１～１３ａ５、上側低透磁率層１４ａ１～１４ａ６、下側高透磁率層１３ｂ１～１３ｂ５、及び下側低透磁率層１４ｂ１～１４ｂ６の透磁率は、これらの透磁率層がフェライトからなる場合には、そのフェライトの組成を通じて適宜調整することができる。例えば、これらの透磁率層の素材としてＮｉ－Ｚｎ－Ｃｕ系フェライトを用いる場合、ＮｉとＺｎとの組成比を調整することにより、各透磁率層の透磁率を適宜調整することができる。上側高透磁率層１３ａ１～１３ａ５、上側低透磁率層１４ａ１～１４ａ６、下側高透磁率層１３ｂ１～１３ｂ５、及び下側低透磁率層１４ｂ１～１４ｂ６の透磁率は、これらの透磁率層が軟磁性金属からなる場合には、その軟磁性金属に含まれる鉄の含有比率を通じて適宜調整することができる。上側高透磁率層１３ａ１～１３ａ５、上側低透磁率層１４ａ１～１４ａ６、下側高透磁率層１３ｂ１～１３ｂ５、及び下側低透磁率層１４ｂ１～１４ｂ６の透磁率は、これらの透磁率層がフィラー粒子を分散させた樹脂からなる場合には、第１の領域３０における当該フィラー粒子の含有率や当該フィラー粒子の材料を通じて適宜調整することができる。例えば、第１の領域３０におけるフィラー粒子の含有率を高めることにより透磁率を高くすることができ、逆に、第１の領域３０におけるフィラー粒子の含有率を低くすることにより透磁率を低くすることができる。また、フィラー粒子を高透磁率の素材から形成することにより透磁率を高くすることができ、逆に、フィラー粒子を低透磁率の素材から形成することにより透磁率を低くすることができる。

コイル部品１は、上記のコイルユニット１ａとコイルユニット１ｂとを接合することにより得られる。このコイル部品１は、外部電極２１ａと外部電極２１ｂとの間に配されている上側コイル導体２５ａと、外部電極２１ｃと外部電極２１ｄとの間に配されている下側コイル導体２５ｂと、を有する。この２つのコイルの各々は、例えば、差動伝送回路における２本の信号線とそれぞれ接続される。このようにして、コイル部品１は、コモンモードチョークコイルとして動作することができる。

コイル部品１は、第３のコイル（不図示）を含むことができる。第３のコイルを備えるコイル部品１は、上側コイルユニット１ａと同様に構成されたもう１つのコイルユニットを追加的に備える。当該追加のコイルユニットには、上側コイルユニット１ａ及び下側コイルユニット１ｂと同様にコイル導体が設けられ、当該コイル導体が追加的な外部電極と接続される。このような３つのコイルを含むコイル部品は、例えば、３本の信号線を有する差動伝送回路用のコモンモードチョークコイルとして用いられる。

図４に示すように、本体１０は、上側低透磁率層１４ａ１の下面と下側低透磁率層１４ｂ１の上面との間に配された第１の領域３０と、この第１の領域３０の上側に配された第２の領域４０ａと、この第１の領域３０の下側に配された第３の領域４０ｂと、を有する。第２の領域４０ａは、第１の領域３０と上側第１カバー１８ａの下面との間に配されている。第２の領域４０ａは、第１の領域３０と直接接していてもよい。第３の領域４０ｂは、第１の領域３０と下側第２カバー１９ｂの上面との間に配されている。第３の領域４０ｂは、第１の領域３０と直接に接していてもよい。

本発明の一実施形態において、第１の領域３０は、上側コイルユニット１ａと下側コイルユニット１ｂとに跨がっている。第１の領域３０は、上側第２カバー１９ａ及び下側第１カバー１８ｂを含む。第１の領域３０は、上側第２カバー１９ａ及び下側第１カバー１８ｂのみから構成されてもよい。第１の領域３０は、上側第２カバー１９ａ及び下側第１カバー１８ｂに加えて、磁性材料からなる追加的な磁性体層を含んでもよい。

本発明の一実施形態において、第２の領域４０ａは、上側高透磁率層１３ａ１～１３ａ５及び上側低透磁率層１４ａ１～１４ａ６を含む。第２の領域４０ａは、上側高透磁率層１３ａ１～１３ａ５及び上側低透磁率層１４ａ１～１４ａ６のみから構成されてもよい。第２の領域４０ａは、上側高透磁率層１３ａ１～１３ａ５、上側低透磁率層１４ａ１～１４ａ６に加えて、磁性材料からなる追加的な磁性体層を含んでもよい。

本発明の一実施形態において、第３の領域４０ｂは、下側高透磁率層１３ｂ１～１３ｂ５及び下側低透磁率層１４ｂ１～１４ｂ６を含む。第３の領域４０ｂは、下側高透磁率層１３ｂ１～１３ｂ５及び下側低透磁率層１４ｂ１～１４ｂ６のみから構成されてもよい。第３の領域４０ｂは、下側高透磁率層１３ｂ１～１３ｂ５及び下側低透磁率層１４ｂ１～１４ｂ６に加えて、磁性材料からなる追加的な磁性体層を含んでもよい。

上側コイル導体２５ａは、本体１０の第２の領域４０ａ内に設けられている。上側低透磁率層１４ａ１が省略される場合には、上側コイル導体２５ａは、コイル面２７ａが第２の領域４０ａから第１の領域３０側に露出するように設けられる。上側低透磁率層１４ａ６が省略される場合には、上側コイル導体２５ａは、コイル面２６ａが第２の領域４０ａから上側第１カバー１８ａ側に露出するように設けられる。

下側コイル導体２５ｂは、本体１０の第３の領域４０ｂ内に設けられている。下側低透磁率層１４ｂ１が省略される場合には、下側コイル導体２５ｂは、コイル面２６ｂが第３の領域４０ｂから第１の領域３０側に露出するように設けられる。下側低透磁率層１４ｂ６が省略される場合には、下側コイル導体２５ｂは、コイル面２７ｂが第３の領域４０ｂから下側第２カバー１９ｂ側に露出するように設けられる。

上述した上側コイルユニット１ａにおいては、上側コイルパターン層１２ａ１～１２ａ５と複数の上側低透磁率層１４ａ１～１４ａ６とが交互に積層されているため、複数の上側コイルパターン層１２ａ１～１２ａ５のうち隣接する層間には、複数の上側低透磁率層１４ａ１～１４ａ６のうちの一つが配されている。この隣接する上側コイルパターン層の間に配された上側低透磁率層によって、隣接する上側コイルパターン層の間の磁気抵抗が高くなる。これにより、隣接する上側高透磁率層の間を通過する磁束が抑制される。よって、隣接する上側コイルパターン層における局所的な磁気飽和が抑制される。例えば、隣接する上側コイルパターン層１２ａ１と上側コイルパターン層１２ａ２との間には、上側低透磁率層１４ａ２が配されている。この上側低透磁率層１４ａ２によって、隣接する上側コイルパターン層１２ａ１と上側コイルパターン層１２ａ２との間の磁気抵抗が高くなる。よって、上側コイルパターン層１２ａ１と上側コイルパターン層１２ａ２との間での磁気飽和が抑制される。したがって、上側コイルユニット１ａにおける直流重畳特性を改善することができる。

下側コイルユニット１ｂについても、同様の原理で、隣接する下側コイルパターン層１２ｂ１～１２ｂ５の間を通過する磁束が抑制されるため、隣接する下側コイルパターン層１２ｂ１～１２ｂ５の間での磁気飽和が抑制される。

上述した上側コイルユニット１ａにおいて、第１の領域３０の最も近くに配される上側導体パターン２５ａ１は、上側低透磁率層１４ａ１～１４ａ６のうち第１の領域３０の最も近くに配される上側低透磁率層１４ａ１の上に設けられる。この上側低透磁率層１４ａ１により、上側導体パターン２５ａ１の周囲での局所的な磁気飽和を抑制できるとともに、上側コイル導体２５ａと下側コイル導体２５ｂとの間を通過する漏れ磁束を抑制して上側コイル導体２５ａと下側コイル導体２５ｂとの結合を改善することができる。

上側低透磁率層１４ａ１は、上側低透磁率層１４ａ２～１４ａ５のいずれよりも低い透磁率を有していてもよい。これにより、上側コイル導体２５ａと下側コイル導体２５ｂとの間を通過する漏れ磁束をより効果的に抑制することができる。

上述した下側コイルユニット１ｂにおいて、第１の領域３０の最も近くに配される下側導体パターン２５ｂ１は、下側低透磁率層１４ｂ１～１４ｂ６のうち第１の領域３０の最も近くに配される下側低透磁率層１４ｂ１の下に設けられる。この下側低透磁率層１４ｂ１により、下側導体パターン２５ｂ１の周囲での局所的な磁気飽和を抑制できるとともに、上側コイル導体２５ａと下側コイル導体２５ｂとの間を通過する漏れ磁束を抑制して上側コイル導体２５ａと下側コイル導体２５ｂとの結合を改善することができる。

下側低透磁率層１４ｂ１は、下側低透磁率層１４ｂ２～１４ｂ５のいずれよりも低い透磁率を有していてもよい。これにより、上側コイル導体２５ａと下側コイル導体２５ｂとの間を通過する漏れ磁束をより効果的に抑制することができる。

上側低透磁率層１４ａ１～１４ａ５の各々は、上側高透磁率層１３ａ１～１３ａ５のいずれよりも鉄の含有量が多くてもよい。これにより、上側低透磁率層１４ａ１～１４ａ５の飽和磁束密度を上側高透磁率層１３ａ１～１３ａ５の飽和磁束密度よりも高くすることができる。このような高い飽和磁束密度を有する上側低透磁率層１４ａ１～１４ａ５により、上側コイルパターン層１２ａ１～１２ａ５の隣接する層間における局所的な磁気飽和をさらに抑制できる。

下側低透磁率層１４ｂ１～１４ｂ５の各々は、下側高透磁率層１３ｂ１～１３ｂ５のいずれよりも鉄の含有量が多くてもよい。これにより、下側低透磁率層１４ｂ１～１４ｂ５の飽和磁束密度を下側高透磁率層１３ｂ１～１３ｂ５の飽和磁束密度よりも高くすることができる。このような高い飽和磁束密度を有する下側低透磁率層１４ｂ１～１４ｂ５により、下側コイルパターン層１２ｂ１～１２ｂ５の隣接する層間における局所的な磁気飽和をさらに抑制できる。

上側高透磁率層１３ａ１～１３ａ５の各々は、上側低透磁率層１４ａ１～１４ａ６のいずれよりも厚く形成されてもよい。当該実施形態によれば、上側コイル導体２５ａ及び下側コイル導体２５ｂの両方と鎖交する主磁束の磁路において、上側高透磁率層１３ａ１～１３ａ５が占める割合を高くすることができる。これにより、上側低透磁率層１４ａ１～１４ａ６による実効透磁率の低下を抑制することができる。

下側高透磁率層１３ｂ１～１３ｂ５の各々は、下側低透磁率層１４ｂ１～１４ｂ６のいずれよりも厚く形成されてもよい。当該実施形態によれば、上側コイル導体２５ａ及び下側コイル導体２５ｂの両方と鎖交する主磁束の磁路において、下側高透磁率層１３ｂ１～１３ｂ５が占める割合を高くすることができる。これにより、下側低透磁率層１４ｂ１～１４ｂ６による実効透磁率の低下を抑制することができる。

上記実施形態によれば、本体１０は磁性材料からなる。よって、非磁性体による実効透磁率の低下を防ぐことができる。

次に、コイル部品１の製造方法の一例を説明する。コイル部品１は、例えば積層プロセスによって製造することができる。以下では、積層プロセスを用いたコイル部品１の製造方法について説明する。

まず、完成品において上側低透磁率層１４ａ１～１４ａ６及び下側低透磁率層１４ｂ１～１４ｂ６の各々になるグリーンシートを作成する。これらのグリーンシートは、例えば、フェライト、軟磁性合金、又はフィラー粒子を分散させた樹脂、又はこれら以外の磁性材料から形成される。以下では、グリーンシートは、軟磁性合金から形成されるものとする。この低透磁率層用のグリーンシートを作成するために、Ｆｅ－Ｓｉ系合金、Ｆｅ－Ｎｉ系合金、Ｆｅ－Ｃｏ系合金、Ｆｅ－Ｃｒ－Ｓｉ系合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ系合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ－Ｃｒ系合金、又はこれら以外の任意の軟磁性合金から成る軟磁性金属粒子にバインダ樹脂及び溶剤を加えてスラリーを作成し、このスラリーをプラスチック製のベースフィルムの表面に塗布する。この塗布されたスラリーを乾燥させることでグリーンシートが作成される。

次に、上側低透磁率層１４ａ２～１４ａ５及び下側低透磁率層１４ｂ２～１４ｂ５となる各グリーンシートの所定の位置に、各グリーンシートをＴ軸方向に貫く貫通孔を形成する。

次に、上側低透磁率層１４ａ１～１４ａ５及び下側低透磁率層１４ｂ６～１４ｂ２となる各グリーンシートの上面の各々に、導電ペーストをスクリーン印刷法により印刷することで、当該各グリーンシートに導体パターンを形成する。また、各グリーンシートに形成された各貫通孔に導電ペーストを埋め込む。このようにして絶縁膜２０ａ１～絶縁膜２０ａ５となるグリーンシートに形成された導体パターンは、それぞれ上側導体パターン２５ａ１～上側導体パターン２５ａ５となり、各貫通孔に埋め込まれた金属が上側ビアＶａ１～Ｖａ４となる。また、下側低透磁率層１４ｂ６～１４ｂ２となるグリーンシートに形成された導体パターンは、それぞれ下側導体パターン２５ｂ５～下側導体パターン２５ｂ１となり、各貫通孔に埋め込まれた金属が下側ビアＶｂ４～Ｖｂ１となる。各導体パターン及び各ビアは、スクリーン印刷法以外にも公知の様々な方法で形成され得る。

次に、上側低透磁率層１４ａ１～１４ａ５及び下側低透磁率層１４ｂ６～１４ｂ２となる各グリーンシートの上面における上側導体パターン２５ａ１～上側導体パターン２５ａ５及び下側導体パターン２５ｂ５～下側導体パターン２５ｂ１の周囲に、磁性材料からなるスラリーを塗布して磁性材料層を形成する。この磁性材料層は、完成品であるコイル部品１において上側高透磁率層１３ａ１～１３ａ５及び下側高透磁率層１３ｂ１～１３ｂ５となる。この高透磁率層用のスラリーは、例えば、スクリーン印刷法により、グリーンシートに塗布される。

この高透磁率層用のスラリーは、例えば、フェライト、軟磁性合金、又はフィラー粒子を分散させた樹脂、又はこれら以外の磁性材料を含む。高透磁率層用のスラリーには、低透磁率層用のスラリーに含まれる磁性材料の透磁率よりも高い透磁率を有する磁性材料が含まれる。低透磁率層用のスラリーに含まれる磁性材料は、高透磁率層用のスラリーに含まれる磁性材料よりもＦｅの含有比率が高くともよい。以下では、上側高透磁率層１３ａ１～１３ａ５及び下側高透磁率層１３ｂ１～１３ｂ５となる磁性材料ペーストは、軟磁性合金から形成されるものとする。この高透磁率層用のスラリーは、Ｆｅ－Ｓｉ系合金、Ｆｅ－Ｎｉ系合金、Ｆｅ－Ｃｏ系合金、Ｆｅ－Ｃｒ－Ｓｉ系合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ系合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ－Ｃｒ系合金、又はこれら以外の任意の軟磁性合金から成る軟磁性金属粒子にバインダ樹脂及び溶剤を加えることで作成される。

次に、上側導体パターン２５ａ１～２５ａ５となる導体パターン、ビアＶａ１～Ｖａ４となるビア、及び上側高透磁率層１３ａ１～１３ａ５となる磁性体層が形成されたグリーンシート並びに上側低透磁率層１４ａ６となるグリーンシートを積層して、上側コイル積層体を得る。これらのグリーンシートは、上側導体パターン２５ａ１～２５ａ５の各々が隣接する導体パターンと上側ビアＶａ１～Ｖａ４を介して電気的に接続されるように積層される。同様に、下側導体パターン２５ｂ１～２５ｂ５となる導体パターン、ビアＶｂ１～Ｖｂ４となるビア、及び下側高透磁率層１３ｂ１～１３ｂ５となる磁性体層が形成されたグリーンシート並びに下側低透磁率層１４ｂ１となるグリーンシートを積層して、下側コイル積層体を得る。これらのグリーンシートは、下側導体パターン２５ｂ１～２５ｂ５の各々が隣接する導体パターンと下側ビアＶｂ１～Ｖｂ４を介して電気的に接続されるように積層される。

次に、上側第１カバー１８ａ、上側第２カバー１９ａ、下側第１カバー１８ｂ、及び下側第２カバー１９ｂ用のグリーンシートを作成する。これらのグリーンシートは、上述した低透磁率層用のグリーンシートと同様に、例えば、フェライト、軟磁性合金、又はフィラー粒子を分散させた樹脂、又はこれら以外の磁性材料から形成される。例えば、軟磁性合金から成る軟磁性金属粒子にバインダ樹脂及び溶剤を加えてスラリーを作成し、このスラリーをプラスチック製のベースフィルムの表面に塗布し、この塗布されたスラリーを乾燥させることでグリーンシートが作成される。

次に、上側第１カバー１８ａ用の各グリーンシートを積層して上側第１積層体を形成し、上側第２カバー１９ａ用の各グリーンシートを積層して上側第２積層体を形成し、下側第１カバー１８ｂ用の各グリーンシートを積層して下側第１積層体を形成し、下側第２カバー１９ｂ用の各グリーンシートを積層して下側第２積層体を形成する。

次に、下側第２積層体、下側コイル積層体、下側第１積層体、上側第２積層体、上側コイル積層体、及び上側第１積層体をＴ軸方向の負方向側から正方向側に向かってこの順序で積層し、この積層された各積層体をプレス機により熱圧着することで本体積層体が得られる。本体積層体は、下側第２積層体、下側コイル積層体、下側第１積層体、上側第２積層体、上側コイル積層体、及び上側第１積層体を形成せずに、準備したグリーンシート全てを順番に積層して、この積層されたグリーンシートを一括して熱圧着することにより形成しても良い。

次に、ダイシング機やレーザ加工機等の切断機を用いて上記本体積層体を所望のサイズに個片化することで、チップ積層体が得られる。次に、このチップ積層体を脱脂し、脱脂されたチップ積層体を加熱処理する。このチップ積層体の端部に対して、必要に応じて、バレル研磨等の研磨処理を行う。

次に、このチップ積層体の両端部に導体ペーストを塗布することにより、外部電極２１ａ～外部電極２１ｄを形成する。外部電極２１ａ～外部電極２１ｄには、必要に応じて、半田バリア層及び半田濡れ層の少なくとも一方が形成されてもよい。以上により、コイル部品１が得られる。

上記の製造方法に含まれる工程の一部は、適宜省略可能である。コイル部品１の製造方法においては、本明細書において明示的に説明されていない工程が必要に応じて実行され得る。上記のコイル部品１の製造方法に含まれる各工程の一部は、本発明の趣旨から逸脱しない限り、随時順番を入れ替えて実行され得る。上記のコイル部品１の製造方法に含まれる各工程の一部は、可能であれば、同時に又は並行して実行され得る。

各絶縁膜となるグリーンシートは、フェライト又はフィラー粒子を分散させた樹脂から形成されてもよい。コイル部品１は、公知の方法を用いることにより、フェライト又はフィラー粒子を分散させた樹脂から形成されたグリーンシートを用いて製造されてもよい。

コイル部品１に含まれる各絶縁膜は、各種のフィラー粒子を分散させた樹脂を仮硬化させた絶縁シートから形成されてもよい。かかる絶縁シートについては、脱脂を行う必要がない。

コイル部品１は、スラリービルド法又はこれ以外の任意の公知の方法により製造されてもよい。

本明細書で説明された各構成要素の寸法、材料、及び配置は、実施形態中で明示的に説明されたものに限定されず、この各構成要素は、本発明の範囲に含まれうる任意の寸法、材料、及び配置を有するように変形することができる。また、本明細書において明示的に説明していない構成要素を、説明した実施形態に付加することもできるし、各実施形態において説明した構成要素の一部を省略することもできる。

１ コイル部品
１０ 本体
１２ａ１～１２ａ５ 上側コイルパターン層
１２ｂ１～１２ｂ５ 下側コイルパターン層
１３ａ１～１３ａ５ 上側高透磁率層
１３ｂ１～１３ｂ５ 下側高透磁率層
１４ａ１～１４ａ６ 上側低透磁率層
１４ｂ１～１４ｂ６ 下側低透磁率層
２５ａ 上側コイル導体
２５ｂ 下側コイル導体
２５ａ１～２５ａ５ 上側導体パターン
２５ｂ１～２５ｂ５ 下上側導体パターン
３０ 第１の領域
４０ａ 第２の領域
４０ｂ 第３の領域

Claims (9)

1. 第１の領域、前記第１の領域の上側に配された第２の領域、及び前記第１の領域の下側に配された第３の領域を有する、磁性材料からなる本体と、
   前記第２の領域内に設けられており複数の上側導体パターンを含む上側コイル導体と、
   前記第３の領域内に設けられており複数の下側導体パターンを含む下側コイル導体と、
   を備え、
   前記本体は、前記第２の領域において、複数の上側低透磁率層と、前記複数の上側低透磁率層と交互に積層された複数の上側高透磁率層と、を有し、
   前記本体は、前記第３の領域において、複数の下側低透磁率層と、前記複数の下側低透磁率層と交互に積層された複数の下側高透磁率層と、を有し、
   前記複数の上側導体パターンの各々は、前記複数の上側高透磁率層のいずれかの内部に設けられており、
   前記複数の下側導体パターンの各々は、前記複数の下側高透磁率層のいずれかの内部に設けられており、
   前記複数の上側高透磁率層はいずれも、前記複数の上側低透磁率層の各々の透磁率よりも高い透磁率を有し、
   前記複数の下側高透磁率層はいずれも、前記複数の下側低透磁率層の各々の透磁率よりも高い透磁率を有し、
   前記複数の上側導体パターンのうち前記第１の領域の最も近くに配される第１上側導体パターンは、前記複数の上側低透磁率層のうち前記第１の領域の最も近くに配される第１上側低透磁率層の上に配される、
   磁気結合型コイル部品。
2. 前記第１上側低透磁率層は、前記複数の上側低透磁率層のうちの前記第１上側低透磁率層以外のものよりも低い透磁率を有する、請求項１に記載の磁気結合型コイル部品。
3. 前記複数の上側低透磁率層の各々は、前記複数の上側高透磁率層よりも鉄の含有量が多い、請求項１または請求項２のいずれか１項に記載の磁気結合型コイル部品。
4. 前記複数の上側高透磁率層の各々は、前記複数の上側低透磁率層のいずれよりも厚く形成されている、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の磁気結合型コイル部品。
5. 前記複数の下側導体パターンのうち前記第１の領域の最も近くに配される第１下側導体パターンは、前記複数の下側低透磁率層のうち前記第１の領域の最も近くに配される第１下側低透磁率層の下に配される、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の磁気結合型コイル部品。
6. 第１の領域、前記第１の領域の上側に配された第２の領域、及び前記第１の領域の下側に配された第３の領域を有する、磁性材料からなる本体と、
   前記第２の領域内に設けられており複数の上側導体パターンを含む上側コイル導体と、
   前記第３の領域内に設けられており複数の下側導体パターンを含む下側コイル導体と、
   を備え、
   前記本体は、前記第２の領域において、複数の上側低透磁率層と、前記複数の上側低透磁率層と交互に積層された複数の上側高透磁率層と、を有し、
   前記本体は、前記第３の領域において、複数の下側低透磁率層と、前記複数の下側低透磁率層と交互に積層された複数の下側高透磁率層と、を有し、
   前記複数の上側導体パターンの各々は、前記複数の上側高透磁率層のいずれかの内部に設けられており、
   前記複数の下側導体パターンの各々は、前記複数の下側高透磁率層のいずれかの内部に設けられており、
   前記複数の上側高透磁率層はいずれも、前記複数の上側低透磁率層の各々の透磁率よりも高い透磁率を有し、
   前記複数の下側高透磁率層はいずれも、前記複数の下側低透磁率層の各々の透磁率よりも高い透磁率を有し、
   前記複数の下側導体パターンのうち前記第１の領域の最も近くに配される第１下側導体パターンは、前記複数の下側低透磁率層のうち前記第１の領域の最も近くに配される第１下側低透磁率層の下に配される、磁気結合型コイル部品。
7. 前記第１下側低透磁率層は、前記複数の下側低透磁率層のうちの前記第１下側低透磁率層以外のものよりも低い透磁率を有する、請求項５または６に記載の磁気結合型コイル部品。
8. 前記複数の下側低透磁率層の各々は、前記複数の下側高透磁率層よりも鉄の含有量が多い、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の磁気結合型コイル部品。
9. 前記複数の下側高透磁率層の各々は、前記複数の下側低透磁率層のいずれよりも厚く形成されている、請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の磁気結合型コイル部品。
   
   

Images