JP2000031772A

JP2000031772A - 低域通過型フィルタ

Info

Publication number: JP2000031772A
Application number: JP10194376A
Authority: JP
Inventors: Fumio Uchikoba; 文男内木場
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1998-07-09
Filing date: 1998-07-09
Publication date: 2000-01-28

Abstract

(57)【要約】【課題】ＧＨｚ帯域におけるノイズ抑制効果が得られる
と共に、信号透過帯域とノイズ抑制帯域との境界を明確
に区画できる周波数特性の急峻な低域通過型フィルタを
提供する。【解決手段】基体１に直線あるいは曲線状導体を設ける
ことによりインダクタ４を構成する。インダクタ４にチ
ップ状のコンデンサ７を搭載してインダクタ４に電気
的、機械的に結合する。基体１として、樹脂と鉄粉とか
らなる複合材料を用いることにより、インダクタンス成
分に損失を付加してＧＨｚ帯域におけるノイズ吸収機能
を持たせる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＧＨｚ帯において
ノイズ吸収機能を有する低域通過型フィルタに関する。

【０００２】

【従来の技術】例えばコンピュータや各種事務機器等の
電子機器における素子の搭載密度は過密の一途をたど
り、素子間の相互干渉やノイズの輻射の問題が顕在化し
てきている。また、使用周波数の高周波化により、コン
ピュータのＣＰＵに顕著に見られるように、ＩＣのクロ
ック周波数がここ数年で急に高くなり、現在では４００
ＭＨｚのものまで登場している。このような高い周波数
においては、その高調波ノイズはＧＨｚ帯域に対応す
る。他の電子機器の例として、携帯電話等に見られるよ
うに、ＧＨｚ帯域においても信号としての使用が一般的
になってきている。このような状況においてはＧＨｚで
のノイズ除去の重要性が一段と増して来ている。

【０００３】ノイズは、多くの場合、使用する信号の高
調波であり、この高周波を抑制することにより注力して
いる。例えば、フェライト磁性材料を用いたビーズは、
フェライトの高周波における吸収作用を利用したもので
ある。このビーズは、信号領域では殆ど減衰がなく、高
周波領域でのみ吸収を起こすことによってノイズを減衰
させる効果がある。

【０００４】また、回路のある領域を金属板で遮蔽し、
相互干渉を防ぐことも広く行われている。これは、高周
波等のノイズ成分が他の回路ブロックに悪影響を与えな
いようにするために行う。他のノイズ抑制手段として、
ＬＣ共振回路によって低域通過型フィルタを構成して、
次段にノイズ成分を伝播させないことも行われている。

【０００５】以上のノイズ抑制手段のうち、低域通過型
フィルタを用いる場合には、共振回路によって次段に伝
播されないノイズ成分は、前段に反射されることにな
る。このため、ノイズは抑制されるわけではないので、
場合によっては回路に発振等の思わぬ悪影響を与えるこ
とがある。金属板を用いる場合にも、ノイズを吸収する
という方法によっていないため、同様の問題が生じるお
それがある。

【０００６】このような反射を無くすためには、フェラ
イトビースのような不要なノイズ成分を吸収によって熱
に変えて、反射を生じないものが望ましい。従来の回路
において、フェライトビーズが広く用いられる理由はこ
のためである。しかしながら、フェライトには吸収周波
数の上限があって、２ＧＨｚ以上ではノイズ抑制効果が
十分に発揮されない。従ってこの領域では前記問題のあ
る金属板や低域通過型フィルタに頼らざるを得なかっ
た。

【０００７】本発明者等は、前記ノイズ吸収タイプであ
ってしかもＧＨｚ帯域におけるノイズ抑制の優れた素子
の開発を行い、種々のものを提案している。これらはい
ずれもノイズ抑制材として、鉄の微粉末と樹脂とを混合
した複合材料を用いたものである。この複合材料は、従
来ダストコアと呼ばれて、低周波において、コイルの芯
材として使われてきたものである。

【０００８】本発明者が提案したノイズ吸収素子のう
ち、特開平８−７８２１８号、特開平８−２０４４８６
号、特開平９−８２５２８号の各公報において開示され
たものは、鉄等の強磁性金属粉と樹脂との複合材料でな
る基体の表面または内部に信号線路となる導体を設けた
ものである。このように、鉄等の強磁性金属粉と樹脂と
の複合材料を用いることにより、ＧＨｚ帯域におけるノ
イズ抑制効果が得られる。

【０００９】また、実開平１−５８９０９号公報には、
コンデンサと、フェライト磁芯を用いたインダクタでＴ
型のフィルタを構成したものが開示されている。これ
は、コンデンサと回路のインピーダンス共振特性とによ
ってだいたいの周波数特性を決め、共振点付近からフェ
ライトの吸収特性を利用するものである。これにより、
比較的急峻な減衰特性が得られ、また、高周波側の反共
振による透過を低減できることになる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】前記特開平８−７８２
１８号公報等のように、基体の内部または表面に信号用
導体を設け、基体として強磁性金属と樹脂との複合材料
と用いたものは、前述のように、ＧＨｚ帯域におけるノ
イズ抑制効果は得られる。しかしながら、この複合材料
によるノイズ吸収の周波数特性は、共振回路における周
波数特性に比べて非常に緩やかである。従って、前記複
合材料によるノイズ吸収だけを用いてノイズ除去を行う
場合、ノイズ周波数と信号周波数が近接している時には
不利となる。

【００１１】また、前記実開平１−５８９０９号公報に
記載のように、フェライトの吸収特性を利用したインダ
クタとキャパシタとによりＴ型のフィルタを構成したも
のは、前述のように、フェライトによるノイズ吸収によ
るノイズ抑制効果を２ＧＨｚ以上では期待できない。

【００１２】本発明は、上記問題点に鑑み、ＧＨｚ帯域
におけるノイズ抑制効果が得られると共に、信号透過帯
域とノイズ抑制帯域との境界を明確に区画できる周波数
特性の急峻な低域通過型フィルタを提供することを目的
とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】請求項１の低域通過型フ
ィルタは、基体に直線あるいは曲線状導体を設けること
によりインダクタを構成すると共に、該インダクタにチ
ップ状のコンデンサを搭載して前記インダクタに電気
的、機械的に結合すると共に、前記基体として、樹脂と
鉄粉とからなる複合材料を用いることにより、インダク
タンス成分に損失を付加してＧＨｚ帯域におけるノイズ
吸収機能を持たせたことを特徴とする。

【００１４】このように、樹脂と鉄粉との複合材料を用
いることにより、２ＧＨｚ以上の高周波領域においても
ノイズ抑制効果が得らえる。また、インダクタとチップ
コンデンサとの組み合わせによって低域通過型フィルタ
を構成しているので、急峻な周波数特性が得られ、ノイ
ズ周波数と信号周波数が近接している時にも有利とな
る。

【００１５】図１は前記複合材料の材料測定のためにト
ロイダル状に加工してこの試料の複素透磁率を測定した
ものである。図１において、μ’は複素透磁率の実数成
分、μ”は虚数成分であり、素子のインダクタンスは実
数成分μ’に比例し、虚数成分μ”は材料における損失
に比例する。図１から分かるように、鉄を用いれば、Ｇ
Ｈｚ帯域において、材料における損失が著るしく大きく
なる。このような損失は主に鉄粉による。鉄の地金は、
もともと、広い周波数範囲で、高い透磁率および磁気損
失を示す。しかしながら、鉄は高い導電性を有するため
に、表皮効果によって高周波の電磁波が鉄の内部には浸
透しない。このため、鉄の地金そのものでは高周波にお
いて高い損失を得ることができない。鉄粉を用いること
によってＧＨｚにおいても電磁波が内部に浸透して高い
損失を得ることができる。

【００１６】請求項２の低域通過型フィルタは、請求項
１において、前記鉄粉は、表面にリン酸処理による絶縁
被膜を有することを特徴とする。

【００１７】本発明のように鉄粉と樹脂との複合材料を
用いる場合、リン酸により鉄の表面処理を行うことによ
り、鉄粉の表面に被膜を形成することにより、電気絶縁
性を高めることができる。この電気絶縁性の促進は、樹
脂としてエポキシ樹脂を用いることでより促進される。
本発明において、鉄粉の含有量によっても相違するが、
０．１ｗｔ％〜１ｗｔ％の濃度となるように有機溶媒で
希釈したリン酸溶液に鉄粉を浸すことによって顕著な効
果が得られた。リン酸濃度がこれより低い場合には絶縁
抵抗の劣化が起こり、また、これ以上高い濃度では、素
子を形成する際に成形性が悪くなった。

【００１８】請求項３の低域通過型フィルタは、請求項
１または２において、前記鉄粉は平均粒径が１μｍ〜５
μｍであり、鉄粉の樹脂中の含有量を７０ｗｔ％〜８０
ｗｔ％とし、前記樹脂はエポキシ樹脂でなり、該エポキ
シ樹脂は、多官能性エポキシ樹脂とビスフェノールＡ型
高分子エポキシ樹脂と特殊骨格を持つエポキシ樹脂とを
主成分とし、前記特殊骨格を持つエポキシ樹脂を前記エ
ポキシ組成物に対して１０ｗｔ％〜３０ｗｔ％含有する
ことを特徴とする。

【００１９】鉄粉は、平均粒径が１μｍより小さくても
また５μｍより大きくてもＧＨｚ以上の透過損失が低下
する。また、鉄粉と樹脂との複合材料において、鉄粉の
含有量は７０ｗｔ％〜８０ｗｔ％とすることでモールド
素材として適したものを得ることができる。樹脂として
の耐熱性はエポキシ樹脂が優れていることが知られてい
る。また、エポキシ樹脂においては、射出成形等の加工
技術が確率しており、この点においてもエポキシ樹脂を
用いることが好ましい。しかしながら、耐熱性について
は、電子部品ではハンダ付けを行う必要から、２６０℃
で１０秒程度の加熱によっても変化がないことが必要と
なる。この条件は一般の樹脂の耐熱性の水準においては
特に厳しい条件となる。

【００２０】耐熱性を得るために、特殊骨格を有するエ
ポキシ樹脂を、１０ｗｔ％〜３０ｗｔ％程度含有させる
ことが好ましい。この特殊骨格樹脂は、完成樹脂の軟化
温度（Ｔｇ）を上昇させる作用がある。例えば、ビフェ
ニル型、ビスフェノールＳ型、ナフタレン型、シクロペ
ンタジエン型、アラルキル型、ハイドロキノン型、ノボ
ラック型、テトラフェニロールエタン型（４官能型）、
トリスヒドロキシフェニルメタン型（３官能型）、ジシ
クロペンタジエンフェノール型等を上げることができ、
エポキシ基を２個もしくはそれ以上持つ化合物である限
り、分子構造や分子量によって制限されることはない。
ただし、基本骨格に、エピビス型エポキシ樹脂を用いた
場合、その特性を劣化させることなく高いＴｇを得るた
めには、上記のもののなかではテトラフェニロールエタ
ン型エポキシ樹脂を用いることが好ましい。

【００２１】前記複合材料において、その全体の鉄粉の
含有量は、損失の大きさに係わる大きな要素となる。勿
論、含有量が多いほど損失が大きくなり、好ましいわけ
であるが、多過ぎる場合、リン酸処理とのかねあいもあ
るが、絶縁抵抗の著しい劣化が見られる。また、鉄粉の
含有量は他の要素にも影響を与える。例えば、コンデン
サと機械的に密着を得ようとした場合、８０ｗｔ％を超
えると、接着剤を用いて機械的強度を得る必要が生じ
た。また、鉄粉の含有量が７０ｗｔ％より少ないと、損
失が低下することから、鉄粉の含有量は７０ｗｔ％〜８
０ｗｔ％とすることが好ましい。

【００２２】請求項４の低域通過型フィルタは、請求項
１から３までのいずれかにおいて、前記樹脂と鉄粉とを
組み合わせた複合材料からなる基体に導体を埋設するこ
とによりインダクタを構成し、該インダクタの導体を前
記基体の外部に露出させ、該露出部において前記チップ
コンデンサを電気的に接続し、前記チップコンデンサお
よびその前記インダクタとの接続部を、前記複合材料に
用いた樹脂によって覆うことにより機械的に結合したこ
とを特徴とする。

【００２３】このように、チップコンデンサをインダク
タに固定するために、複合材料を構成する樹脂を用いる
ことにより、高い結合強度を得ることができると共に、
樹脂材料が１種ですむため、製造が容易でありかつ経済
的となる。また、基体を構成する材料とチップコンデン
サを固定するための樹脂材料の熱膨張率がほぼ同じとな
るため、剥離等の欠陥が起こりにくい。

【００２４】請求項５の低域通過型フィルタは、請求項
１から３までのいずれかにおいて、前記樹脂と鉄粉とを
組み合わせた複合材料からなる基体に貫通孔を設けて該
貫通孔に導体を埋設することによりインダクタを構成
し、前記基体に凹部を設け、該凹部にチップコンデンサ
を収容し、該インダクタの導体を前記基体の外部に露出
させ、該露出部において前記チップコンデンサを電気的
に接続し、前記チップコンデンサおよびその前記インダ
クタとの接続部を、前記複合材料に用いた樹脂によって
覆うことにより機械的に結合したことを特徴とする。

【００２５】このように、チップコンデンサをインダク
タの基体内に埋込むことにより、薄型化が可能となる。

【００２６】

【発明の実施の形態】図２は本発明による低域通過型フ
ィルタの一実施の形態を、内部コイルを透視した状態で
示す斜視図である。図３（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ図１
のＥ−Ｅ断面図およびＦ−Ｆ断面図、図３（Ｃ）はこの
低域通過型フィルタの等価回路図である。

【００２７】この低域通過型フィルタ、基体１を鉄粉と
樹脂との複合材料により構成する。該基体１にはコイル
２、３を内蔵する。各コイル２、３は基体１と共にシー
ト積層法あるいは印刷法によって形成されるインダクタ
４を構成するものである。各コイル２、３の一端はそれ
ぞれ基体１の両端に設けられた端子電極５、６に接続さ
れる。各コイル２、３の他端は、導体２ａ、３ａにより
基体１の外部である上面に引き出して露出させる。

【００２８】基体１上には、チップコンデンサ７を搭載
する。このチップコンデンサ７の搭載のため、基体１の
側面にはチップコンデンサ用の端子電極８を設ける。チ
ップコンデンサ７は、その一方の端子電極９を前記端子
電極８に電気的に接続し、他方の端子電極１０を前記基
体１の上面に露出させた導体２ａ、３ａに電気的に接続
する。この電気的接続は、銀等の導体ペースト１１の塗
布、加熱により行うことができる。該チップコンデンサ
７は、少なくともチップコンデンサ６および電気的接続
部を樹脂１２により覆って硬化させることにより、イン
ダクタ４に機械的に結合する。この樹脂１２として、基
体１を構成する樹脂のうち鉄粉を除いたものを用いるこ
とにより、製造が容易となり、かつ基体１との親和性が
あるため、結合強度が上がる。

【００２９】

【実施例】シート積層法により下記の工程でフィルタを
製造した。鉄粉としてカーボニル鉄と呼ばれる粉体を用
いた。この鉄粉は有機金属間化合物であるカーボニル鉄
を熱分解したもので、形状はほぼ球形である。この鉄粉
を前処理する溶液として、リン酸をエタノールで希釈し
た溶液を３リットル用意し、上述のカーボニル鉄粉を５
００ｇ、撹拌しながら投入し、１時間静置した。その
後、カーボニル鉄粉だけを濾し取り、自然乾燥した。

【００３０】エポキシ樹脂の調整にあたっては、多官能
性エポキシ樹脂樹脂として、エピビス型エポキシ樹脂
（油化シェルエポキシ社製エピコート１００１：エポキ
シ当量４７０、およびエピコート１００７：エポキシ当
量１９５０）を用いた。また、ビスフェノールＡ型高分
子エポキシ樹脂は、油化シェルエポキシ社製エピコート
１２２５：エポキシ当量２０００を用いた。また、特殊
骨格を持つエポキシ樹脂として、テトラフェニロールエ
タン型エポキシ樹脂（油化シェルエポキシ社製エピコー
ト１０３１Ｓ：エポキシ当量１９６）を用いた。

【００３１】これらの樹脂を主成分とし、硬化剤とし
て、ビスフェノールＡ型ノボラック樹脂（油化シェルエ
ポキシ社製ＹＬＨ１２９Ｂ６５：水酸基当量１１８ｇ／
ｅｑ）、硬化促進剤としてイミダゾール化合物（四国化
成工業社製２Ｅ４ＭＺ）を使用した。これらの溶解は、
トルエンおよびメチルエチルケトンの混合溶剤で行っ
た。このように溶媒に溶解させた樹脂を鉄粉とを室温で
混合撹拌し、ペースト状の材料を得た。

【００３２】シート成型法によってインダクタを形成す
るに当っては、上記ペーストをメチルエチルケトンを利
用してさらに粘度調整を行い、ドクターブレード法によ
って１００μｍ程度の厚さのグリーンシートをＰＥＴフ
ィルム上に成形した。このときの乾燥温度はおおむね７
０℃から８０℃とした。７０℃よりも温度が低い場合
は、後の工程において剥離が困難になった。一方８０℃
より高い場合には、後の工程において、コンデンサとの
密着強度が低下してしまう。著しい場合にはシートにひ
び割れを起こしてしまう。

【００３３】このように成形したシートに、機械的に、
またはレーザによりスルーホールを形成し、その後導体
ペーストをスクリーン印刷することにより、コイル２、
３となる内部導体の印刷とスルーホールへの導体充填を
行った。スルーホールとその中に充填する導体は、各コ
イル２、３を構成するための各シート上の導体間の接続
と、外部への引き出しを行う導体を形成するためのもの
である。導体ペースト中の金属としては銀を用い、銀を
ウレタン系樹脂内に混入し、ブチルカルビトールアセテ
ートによって希釈し、印刷に供した。導体の電気抵抗を
考えた場合、導体の含有率が高いことが要求されるが、
あまり高い場合、一般的には印刷性が悪くなったりする
が、グリーンシートとの親和性によりはがれを生じる不
具合が発生した。この銀の含有量は、電気抵抗を落とさ
ず、しかも剥離を生じないようにするには、銀の含有率
は、７５ｗｔ％以上、８５ｗｔ％以下とすることが好ま
しい。

【００３４】スルーホール形成および導体ペースト印刷
を行ったグリーンシートを１５０℃で１時間乾燥した。
これは次のプレス成形を行う際に良好な成形体を得るた
めのもので、この温度が１２０℃より低いと加圧成形中
のシートが柔らかになりすぎ、成形体の積層精度が出し
にくくなる。著しい場合、成形金型から、一部こぼれ出
るようなこともある。また、この温度が１６０℃を超え
ると、加圧成形時に積層体にならず、剥離することがあ
る。このため、この乾燥温度は、好ましくは１２０℃以
上、１６０℃以下である。上述のように乾燥したものか
らＰＥＴフィルムを剥離し、これらのグリーンシートを
積層し、５０℃、１ｔ／ｃｍ²の条件で加圧成形して積
層体を得た。この積層体をナイフで１つ１つのインダク
タ部に切り分けた。

【００３５】このインダクタ部の表面に、最初に記載し
た鉄粉と樹脂とからなる複合材料でなるペーストを塗布
し、チップコンデンサ７を軽く加圧しながら搭載し、内
部導体に用いたものと同じ導体ペーストを用いて電気的
接続を行った。端子電極の形成は、スクリーン印刷を用
いて形成し、さらに外部のチップコンデンサ７の表面が
露出しないように、鉄分を含有しない前記エポキシ組成
物でその表面を覆うと共に、電気的接続部を覆うことに
より、チップコンデンサ７を基体１（インダクタ）に機
械的に結合した。このように作製したものを２００℃、
１時間の熱処理を行い、得られたものの端子電極５、
６、８にニッケル、錫の電気メッキを行い試料とした。

【００３６】この試料の電気的評価にあたっては、５０
Ωの特性インピーダンスを持つストリップ線上に搭載
し、その電送特性をネットワークアナライザーで評価し
た。搭載したチップコンデンサ７のキャパシタンスは２
ｐＦであった。また、電気抵抗率はこの部材を厚さ１ｍ
ｍに成形し、これを挟むように円形の銅箔を接続し、絶
縁抵抗計によって測定した。

【００３７】表１に鉄粉の平均粒径、鉄粉の前処理リン
酸の濃度、特殊骨格のエポキシ樹脂であるテトラフェニ
ロールエタン型エポキシのｗｔ％、鉄粉含有量を種々に
変更し、５ＧＨｚにおける減衰量、比抵抗、耐熱性、成
形性を調べた結果を表わす。表１のその１は本発明に含
まれる実施例であり、その２は比較例である。比較例
は、あるパラメータについての特性等を測定する場合、
他のパラメータは実施例に含まれる組成あるいは性状と
した。

【００３８】

【表１】

【００３９】表１のその１に示す実施例で示すように、
鉄粉の平均粒径が１μｍ〜５μｍの範囲においては、５
ＧＨｚにおける減衰量として２２ｄＢ以上が得られ、比
抵抗として８×１０¹¹Ωｃｍが得られ、耐熱性も良好で
あった。一方表２のその２の比較例３、４に示すよう
に、平均粒径が８μｍあるいは０．５μｍの場合には前
記減衰量が１０ｄＢ、１２ｄＢと小さくなった。したが
って、鉄粉の平均粒径は１μｍ〜５μｍであることが好
ましい。

【００４０】また、表１のその１の実施例に示すよう
に、リン酸濃度が０．１ｗｔ％〜１ｗｔ％の範囲であれ
ば、５ＧＨｚにおける減衰量として２２ｄＢ以上が得ら
れ、比抵抗として８×１０¹¹が得られ、耐熱性も良好で
あった。一方表２のその２の比較例１、２に示すよう
に、リン酸濃度が０．０５ｗｔ％になると、比抵抗が１
×１０⁹Ωｃｍとなり、また、２ｗｔ％になると、成形
不良となった。このため、リン酸濃度は０．１ｗｔ％〜
１ｗｔ％であることが好ましい。

【００４１】また、表１のその１の実施例に示すよう
に、テトラフェニロールエタン型エポキシの含有量が１
０ｗｔ％〜３０ｗｔ％の範囲においては、前述のよう
に、５ＧＨｚにおける減衰量として２２ｄＢ以上が得ら
れ、比抵抗として８×１０¹¹が得られ、耐熱性も良好で
あった。一方、表２のその２の比較例５、６のテトラフ
ェニロールエタン型エポキシの含有量が３５ｗｔ％にな
ると、比抵抗は１０⁹Ωｃｍとなり、また、８ｗｔ％に
なると、変形を生じる場合があった。このため、テトラ
フェニロールエタン型エポキシの含有量は１０ｗｔ％〜
３０ｗｔ％であることが好ましい。

【００４２】また、表１のその１の実施例に示すよう
に、複合材料中の鉄粉の含有量は、７０ｗｔ％〜８０ｗ
ｔ％の範囲においては、５ＧＨｚにおける減衰量として
２２ｄＢ以上が得られ、比抵抗として８×１０¹¹が得ら
れ、耐熱性も良好であった。一方、表２のその２の比較
例７、８に示すように、鉄粉の含有量が６０ｗｔ％にな
ると、５ＧＨｚにおける減衰量が１２ｄＢに低下し、ま
た、鉄粉の含有量が８５ｗｔ％になると、比抵抗が１×
１０⁸Ωと低下し、またチップコンデンサ７の接着不良
が生じた。このため、鉄粉の含有量は７０ｗｔ％〜８０
ｗｔ％であることが好ましい。

【００４２】図４は実施例１の減衰率（透過率）を従来
例（特開平８−２０４４８６号公報）と比較して示す周
波数特性図である。本発明による場合、従来例に比較し
て急峻が周波数特性が得られることが図４から分かる。

【００４３】図５（Ａ）は前記シート成型法による湿式
法に対し、成形による乾式法を採用して作製した本発明
の他の実施の形態を示す斜視図、図５（Ｂ）は（Ａ）の
Ｇ−Ｇ断面図である。図５の実施の形態においては、前
記鉄粉と樹脂からなる複合材料のペーストを１５０℃で
乾燥させ、これをメッシュパス（篩い通し）して顆粒を
得た。得られた顆粒を所定の金型に充填し、従来の粉末
冶金法と同様に加圧して基体１５としての成形体を得
た。成形体には、インダクタを形成するための貫通孔１
６を設けると共に、チップコンデンサ７を充填搭載する
ための凹部１７を設けた。

【００４４】得られた成形体に、スクリーン印刷法によ
り、基体１５の裏面に銀でなる導体パターン１９を形成
した。同時に、貫通孔１６にも銀でなる導体ペーストを
充填してインダクタ４Ａを構成する導体２０とした。さ
らに両端の端子電極２１、２２となるパターン、および
側面の端子電極２３となるパターンも形成し、２００℃
の条件で乾燥した。このインダクタ部に電気メッキを施
した。用いた導体ペーストは、シート成形時に用いたも
のと同一物で、良好な鉄含有量は同様であった。

【００４５】このインダクタの一部の凹部１７に基体１
５を構成する鉄粉入り樹脂ペースト１８を塗布し、適当
な加圧条件でチップコンデンサ７を押し入れた。そし
て、スクリーン印刷により、前記端子電極２３とコンデ
ンサ電極９とを接続する導体２４、基体１５の上面に露
出した導体２０と端子電極２１、２２間を接続する導体
２５、コンデンサ７の端子電極１０と前記基体１５の上
面に露出した導体２０とを接続する導体２６を形成し
た。また、チップコンデンサ７の露出部は鉄粉を含有し
ない前記エポキシ樹脂２７でなるペーストによって絶縁
コートし、試料とした。このような乾式法による場合に
も前記湿式法による場合とほぼ同様の結果を得た。

【００４６】

【発明の効果】請求項１によれば、基体に直線あるいは
曲線状導体を設けることによりインダクタを構成し、か
つ、該インダクタにチップ状のコンデンサを搭載して前
記インダクタに電気的、機械的に結合すると共に、前記
基体として、樹脂と鉄粉とからなる複合材料を用いるこ
とにより、インダクタンス成分に損失を付加してＧＨｚ
帯域におけるノイズ吸収機能を持たせたので、２ＧＨｚ
以上の高周波領域においてもノイズ抑制効果が得らえ
る。また、インダクタとチップコンデンサとの組み合わ
せによって低域通過型フィルタを構成しているので、急
峻な周波数特性が得られ、ノイズ周波数と信号周波数が
近接している時にも信号からノイズを分離して抑制でき
る。

【００４７】請求項２によれば、請求項１において、前
記鉄粉の表面にリン酸処理による被膜を有することによ
り、電気絶縁性を高めることができる。このため、鉄粉
の含有量が上り、鉄粉による損失を増大させ、ノイズ抑
制効果を上げることができる。

【００４８】請求項３によれば、請求項１または２にお
いて、前記鉄粉は平均粒径が１μｍ〜５μｍであり、鉄
粉の樹脂中の含有量を７０ｗｔ％〜８０ｗｔ％とし、前
記樹脂はエポキシ樹脂でなり、該エポキシ樹脂は、多官
能性エポキシ樹脂とビスフェノールＡ型高分子エポキシ
樹脂と特殊骨格を持つエポキシ樹脂とを主成分とし、前
記特殊骨格を持つエポキシ樹脂を前記エポキシ組成物に
対して１０ｗｔ％〜３０ｗｔ％としたので、減衰量、比
抵抗、耐熱性、成形性の面において、良好な結果が得ら
れる。

【００４９】請求項４によれば、請求項１から３までの
いずれかにおいて、前記樹脂と鉄粉とを組み合わせた複
合材料からなる基体に導体を埋設することによりインダ
クタを構成し、該インダクタの導体を前記基体の外部に
露出させ、該露出部において前記チップコンデンサを電
気的に接続し、前記チップコンデンサおよびその前記イ
ンダクタとの接続部を、前記複合材料に用いた樹脂によ
って覆うことにより機械的に結合したので、チップコン
デンサのインダクタに対する高い結合強度を得ることが
できると共に、樹脂材料が１種ですむため、製造が容易
でありかつ経済的となる。また、基体を構成する材料と
チップコンデンサを固定するための樹脂材料の熱膨張率
がほぼ同じとなるため、剥離等の欠陥が起こりにくい。

【００５０】請求項５によれば、請求項１から３までの
いずれかにおいて、前記樹脂と鉄粉とを組み合わせた複
合材料からなる基体に貫通孔を設けて該貫通孔に導体を
埋設することによりインダクタを構成し、前記基体に凹
部を設け、該凹部にチップコンデンサを収容し、該イン
ダクタの導体を前記基体の外部に露出させ、該露出部に
おいて前記チップコンデンサを電気的に接続し、前記チ
ップコンデンサおよびその前記インダクタとの接続部
を、前記複合材料に用いた樹脂によって覆うことにより
機械的に結合したので、請求項４と同様にチップコンデ
ンサの結合強度、剥離防止、材料の管理、製造の面で有
利となる他、チップコンデンサをインダクタの基体内に
埋込むことにより、薄型化が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】鉄粉と樹脂との複合材料における複素透磁率の
周波数特性図である。

【図２】本発明による低域通過型フィルタの一実施の形
態を、内部コイルを透視した状態で示す斜視図である。

【図３】（Ａ）、（Ｂ）はそれぞれ図１のＥ−Ｅ断面図
およびＦ−Ｆ断面図、（Ｃ）はこの低域通過型フィルタ
の等価回路図である。

【図４】本発明の一実施例における減衰量の周波数特性
を、従来例と比較して示す図である。

【図５】（Ａ）は本発明による低域通過型フィルタの他
の実施の形態を、内部コイルを透視した状態で示す斜視
図、（Ｂ）は（Ａ）のＧ−Ｇ断面図である。

【符号の説明】

１：基体、２、３：コイル、４、４Ａ：インダクタ、
５、６、８〜１０：端子電極、７：チップコンデンサ、
１１：接続用導体、１２：樹脂、１５：基体、１６：貫
通孔、１７：凹部、１９：導体パターン、２０：導体、
２１、２２：端子電極、２４〜２６：接続導体、２７：
樹脂

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基体に直線あるいは曲線状導体を設けるこ
とによりインダクタを構成すると共に、該インダクタに
チップ状のコンデンサを搭載して前記インダクタに電気
的、機械的に結合すると共に、前記基体として、樹脂と鉄粉とからなる複合材料を用い
ることにより、インダクタンス成分に損失を付加してＧ
Ｈｚ帯域におけるノイズ吸収機能を持たせたことを特徴
とする低域通過型フィルタ。
【請求項２】請求項１において、前記鉄粉は、表面にリン酸処理による絶縁被膜を有する
ことを特徴とする低域通過型フィルタ。
【請求項３】請求項１または２において、前記鉄粉は平均粒径が１μｍ〜５μｍであり、鉄粉の樹
脂中の含有量を７０ｗｔ％〜８０ｗｔ％とし、前記樹脂はエポキシ樹脂でなり、該エポキシ樹脂は、多
官能性エポキシ樹脂とビスフェノールＡ型高分子エポキ
シ樹脂と特殊骨格を持つエポキシ樹脂とを主成分とし、前記特殊骨格を持つエポキシ樹脂を前記エポキシ組成物
に対して１０ｗｔ％〜３０ｗｔ％含有することを特徴と
する低域通過型フィルタ。
【請求項４】請求項１から３までのいずれかにおいて、前記樹脂と鉄粉とを組み合わせた複合材料からなる基体
に導体を埋設することによりインダクタを構成し、該インダクタの導体を前記基体の外部に露出させ、該露
出部において前記チップコンデンサを電気的に接続し、前記チップコンデンサおよびその前記インダクタとの接
続部を、前記複合材料に用いた樹脂によって覆うことに
より機械的に結合したことを特徴とする低域通過型フィ
ルタ。
【請求項５】請求項１から３までのいずれかにおいて、前記樹脂と鉄粉とを組み合わせた複合材料からなる基体
に貫通孔を設けて該貫通孔に導体を埋設することにより
インダクタを構成し、前記基体に凹部を設け、該凹部にチップコンデンサを収
容し、該インダクタの導体を前記基体の外部に露出させ、該露
出部において前記チップコンデンサを電気的に接続し、前記チップコンデンサおよびその前記インダクタとの接
続部を、前記複合材料に用いた樹脂によって覆うことに
より機械的に結合したことを特徴とする低域通過型フィ
ルタ。