JPH11192620A - プリプレグおよび基板 - Google Patents
プリプレグおよび基板Info
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- JPH11192620A JPH11192620A JP36803397A JP36803397A JPH11192620A JP H11192620 A JPH11192620 A JP H11192620A JP 36803397 A JP36803397 A JP 36803397A JP 36803397 A JP36803397 A JP 36803397A JP H11192620 A JPH11192620 A JP H11192620A
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- JP
- Japan
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- prepreg
- substrate
- epoxy resin
- ferrite powder
- ferrite
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- Laminated Bodies (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波数領域での使用に好適であり、磁気特
性の利用を目的とした使用に適し、さらには耐熱性の要
求される用途に適した高強度のプリプレグおよび基板を
提供する。 【解決手段】 フェライト粉とエポキシ樹脂とを溶剤に
混練してスラリー化したペーストを、ガラスクロスに含
浸し、乾燥して得られたプリプレグと、これを用いた基
板とする。
性の利用を目的とした使用に適し、さらには耐熱性の要
求される用途に適した高強度のプリプレグおよび基板を
提供する。 【解決手段】 フェライト粉とエポキシ樹脂とを溶剤に
混練してスラリー化したペーストを、ガラスクロスに含
浸し、乾燥して得られたプリプレグと、これを用いた基
板とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子部品や回路用
基板に用いられるプリプレグおよび基板に関し、特に高
周波数領域（１００MHz以上）での使用に好適であり、
磁気特性を利用した用途や磁気シールドを目的とする使
用に適したプリプレグおよび基板に関する。
基板に用いられるプリプレグおよび基板に関し、特に高
周波数領域（１００MHz以上）での使用に好適であり、
磁気特性を利用した用途や磁気シールドを目的とする使
用に適したプリプレグおよび基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子部品や回路用基板に用いられ
る基板材料としては、成形材にフェライト粉を混練して
成形し、成形した板にメッキ等の処理を施したものがあ
り、例えば液晶ポリマーとフェライトとを構成成分とす
る複合フェライト成形材料からなる複合フェライト基板
を用いたものがある。また、フェライト粉の入っていな
いガラスクロス入エポキシ樹脂やフェノール樹脂で構成
されたプリプレグを用いた銅張積層板などがある。
る基板材料としては、成形材にフェライト粉を混練して
成形し、成形した板にメッキ等の処理を施したものがあ
り、例えば液晶ポリマーとフェライトとを構成成分とす
る複合フェライト成形材料からなる複合フェライト基板
を用いたものがある。また、フェライト粉の入っていな
いガラスクロス入エポキシ樹脂やフェノール樹脂で構成
されたプリプレグを用いた銅張積層板などがある。
【０００３】しかし、上記の成形した板にメッキ等の処
理を施したものでは、薄肉でかつ大きな形状に成形する
ことが困難である。また、上記のフェライト粉の入って
いない銅張積層板では、磁性材料が存在しないため、磁
気特性を利用した素子、部品、回路形成には、フェライ
ト材を塗布するか、バルクのフェライトを装着させる必
要がある。また、それ自体では磁気シールド効果がな
く、磁気シールドを目的とした使用には適さない。
理を施したものでは、薄肉でかつ大きな形状に成形する
ことが困難である。また、上記のフェライト粉の入って
いない銅張積層板では、磁性材料が存在しないため、磁
気特性を利用した素子、部品、回路形成には、フェライ
ト材を塗布するか、バルクのフェライトを装着させる必
要がある。また、それ自体では磁気シールド効果がな
く、磁気シールドを目的とした使用には適さない。
【０００４】一方、特開昭５８−１５８８１３号公報に
は、「磁性と電気絶縁性を併せもつ金属酸化物を含有す
る積層板用樹脂を、積層板用基材に含浸してなる電気用
積層板」が開示されている。しかし、その実施例に示さ
れるものは、フェノール樹脂とクラフト紙との組合せで
あり、薄肉化の際に必要とされる強度や、耐熱性の点で
不利である。また、フェライト粉の割合が全体の５０wt
% を下回るものであり、磁気材料として要求される磁気
特性が充分に得られないことがある。
は、「磁性と電気絶縁性を併せもつ金属酸化物を含有す
る積層板用樹脂を、積層板用基材に含浸してなる電気用
積層板」が開示されている。しかし、その実施例に示さ
れるものは、フェノール樹脂とクラフト紙との組合せで
あり、薄肉化の際に必要とされる強度や、耐熱性の点で
不利である。また、フェライト粉の割合が全体の５０wt
% を下回るものであり、磁気材料として要求される磁気
特性が充分に得られないことがある。
【０００５】また、特開昭５９−１７６０３５号公報に
は、「互に上下に配置され樹脂および硬化剤からなる母
材によって互に接続され整合された繊維層からなり、電
磁波を吸収する繊維複合材料において、電波を吸収する
充填物が、各層中に、外側から内側に濃度変化をもって
入れられている繊維複合材料」が開示されている。しか
し、その実施例にも示されるように、充填物の分布に濃
度勾配をもたせており、プリプレグ作製に手間がかか
る。
は、「互に上下に配置され樹脂および硬化剤からなる母
材によって互に接続され整合された繊維層からなり、電
磁波を吸収する繊維複合材料において、電波を吸収する
充填物が、各層中に、外側から内側に濃度変化をもって
入れられている繊維複合材料」が開示されている。しか
し、その実施例にも示されるように、充填物の分布に濃
度勾配をもたせており、プリプレグ作製に手間がかか
る。
【０００６】さらに、特開平２−１２００４０号公報に
は、「ガラス繊維織布に熱硬化性樹脂を含浸乾燥して得
たプリプレグと銅箔とを重ね加熱加圧して成形する銅張
積層板において、前記熱硬化性樹脂に電波吸収材料を混
合分散し特定周波数の電磁雑音を吸収するようにした電
波吸収用銅張積層板」が開示されている。しかし、その
実施例に示されるものは、ＰＺＴ粉を用いたものであ
り、磁気特性を利用した用途や磁気シールドを目的とし
た使用には適さない。
は、「ガラス繊維織布に熱硬化性樹脂を含浸乾燥して得
たプリプレグと銅箔とを重ね加熱加圧して成形する銅張
積層板において、前記熱硬化性樹脂に電波吸収材料を混
合分散し特定周波数の電磁雑音を吸収するようにした電
波吸収用銅張積層板」が開示されている。しかし、その
実施例に示されるものは、ＰＺＴ粉を用いたものであ
り、磁気特性を利用した用途や磁気シールドを目的とし
た使用には適さない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、第一
に、フェライトを含有し、高周波数領域（１００MHz以
上）での使用に好適であり、磁気特性を利用した用途や
磁気シールドを目的とした使用に適したプリプレグを提
供することであり、非磁性層や接着剤を用いることな
く、銅箔との接着やパターニングあるいは多層化が可能
であり、薄肉での強度改善を図ることができ、薄型化な
どの構造改善が可能なプリプレグを提供することであ
る。第二に、このようなプリプレグを用いて、製造が容
易で、耐熱性に優れ、高強度であり、高周波特性の向上
した基板を提供することである。
に、フェライトを含有し、高周波数領域（１００MHz以
上）での使用に好適であり、磁気特性を利用した用途や
磁気シールドを目的とした使用に適したプリプレグを提
供することであり、非磁性層や接着剤を用いることな
く、銅箔との接着やパターニングあるいは多層化が可能
であり、薄肉での強度改善を図ることができ、薄型化な
どの構造改善が可能なプリプレグを提供することであ
る。第二に、このようなプリプレグを用いて、製造が容
易で、耐熱性に優れ、高強度であり、高周波特性の向上
した基板を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的は、下記の本発
明によって達成される。 （１） ガラスクロスに、フェライト粉とエポキシ樹脂
とを溶剤に混練してスラリー化したペーストを含浸し、
乾燥して得られたプリプレグ。 （２） フェライト粉の粒径が０．０１〜５０μm であ
る上記（１）のプリプレグ。 （３） フェライト粉の含有量が５０〜８０wt% である
上記（１）または（２）のプリプレグ。 （４） 上記（１）〜（３）のいずれかのプリプレグを
加熱加圧し成形して得られた基板。 （５） 上記（１）〜（３）のいずれかのプリプレグと
銅箔とを加熱加圧し成形して得られた基板。 （６） 上記（１）〜（３）のいずれかのプリプレグを
複数枚重ねて加熱加圧し成形して得られた基板。 （７） 上記（１）〜（３）のいずれかのプリプレグを
複数枚重ねて銅箔と加熱加圧し成形して得られた基板。 （８） 上記（１）〜（３）のいずれかのプリプレグと
上記（４）〜（７）のいずれかの基板とを用い、加熱加
圧し成形して得られた多層構成の基板。
明によって達成される。 （１） ガラスクロスに、フェライト粉とエポキシ樹脂
とを溶剤に混練してスラリー化したペーストを含浸し、
乾燥して得られたプリプレグ。 （２） フェライト粉の粒径が０．０１〜５０μm であ
る上記（１）のプリプレグ。 （３） フェライト粉の含有量が５０〜８０wt% である
上記（１）または（２）のプリプレグ。 （４） 上記（１）〜（３）のいずれかのプリプレグを
加熱加圧し成形して得られた基板。 （５） 上記（１）〜（３）のいずれかのプリプレグと
銅箔とを加熱加圧し成形して得られた基板。 （６） 上記（１）〜（３）のいずれかのプリプレグを
複数枚重ねて加熱加圧し成形して得られた基板。 （７） 上記（１）〜（３）のいずれかのプリプレグを
複数枚重ねて銅箔と加熱加圧し成形して得られた基板。 （８） 上記（１）〜（３）のいずれかのプリプレグと
上記（４）〜（７）のいずれかの基板とを用い、加熱加
圧し成形して得られた多層構成の基板。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。本発明のプリプレグは、フェライト粉とエポキシ
樹脂とを溶剤に混練してスラリー化したペーストをガラ
スクロスに含浸し、乾燥して得られたものである。この
ような構成とすることによって、高周波数領域（１００
MHz以上、特に１００MHz以上１０GHz以下の領域）での
使用に好適であり、フェライト粉の含有量を大きくでき
ることから磁気特性を利用した用途や磁気シールドを目
的とした使用に適したプリプレグとなり、しかも高強度
である。また、このようなプリプレグを用いて基板を形
成する場合、非磁性層や接着剤を用いることなく、銅箔
との接着やパターニングが実現でき、かつ多層化を実現
することができる。こうしたパターニングや多層化処理
は、通常の基板製造工程と同じ工程でできるので、コス
トダウンおよび作業性の改善を図ることができる。ま
た、このようにして得られる基板は、高強度で、高周波
特性の向上したものである。また、エポキシ樹脂を用い
ることで、特に基板や電子部品に要求される耐熱性をも
たせることが可能になり、耐リフロー性、最高３５０℃
で３秒の半田耐熱性も満足させることができる。
する。本発明のプリプレグは、フェライト粉とエポキシ
樹脂とを溶剤に混練してスラリー化したペーストをガラ
スクロスに含浸し、乾燥して得られたものである。この
ような構成とすることによって、高周波数領域（１００
MHz以上、特に１００MHz以上１０GHz以下の領域）での
使用に好適であり、フェライト粉の含有量を大きくでき
ることから磁気特性を利用した用途や磁気シールドを目
的とした使用に適したプリプレグとなり、しかも高強度
である。また、このようなプリプレグを用いて基板を形
成する場合、非磁性層や接着剤を用いることなく、銅箔
との接着やパターニングが実現でき、かつ多層化を実現
することができる。こうしたパターニングや多層化処理
は、通常の基板製造工程と同じ工程でできるので、コス
トダウンおよび作業性の改善を図ることができる。ま
た、このようにして得られる基板は、高強度で、高周波
特性の向上したものである。また、エポキシ樹脂を用い
ることで、特に基板や電子部品に要求される耐熱性をも
たせることが可能になり、耐リフロー性、最高３５０℃
で３秒の半田耐熱性も満足させることができる。
【００１０】なお、特開昭５８−１５８８１３号公報に
は、磁性と電気絶縁性を併せもつ金属酸化物を含有する
プリプレグが開示されているが、実施例として具体的に
示されているものはフェノール樹脂とクラフト紙との組
合せであり、本発明と異なり、エポキシ樹脂とガラスク
ロスとの組合せについての具体的な開示はない。
は、磁性と電気絶縁性を併せもつ金属酸化物を含有する
プリプレグが開示されているが、実施例として具体的に
示されているものはフェノール樹脂とクラフト紙との組
合せであり、本発明と異なり、エポキシ樹脂とガラスク
ロスとの組合せについての具体的な開示はない。
【００１１】また、特開昭５９−１７６０３５号公報に
は、電波吸収材がプリプレグ層中に濃度勾配をもって含
有された繊維複合材料が開示されているが、濃度勾配を
もたない本発明とは明らかに異なるものである。
は、電波吸収材がプリプレグ層中に濃度勾配をもって含
有された繊維複合材料が開示されているが、濃度勾配を
もたない本発明とは明らかに異なるものである。
【００１２】さらに、特開平２−１２００４０号公報に
は、電波吸収材料を含有するプリプレグを用いた銅張積
層板が開示されているが、実施例として具体的に示され
ているものはＰＺＴ粉を用いたものであり、本発明と異
なり、フェライト粉を混合分散したプリプレグについて
の具体的な開示はない。
は、電波吸収材料を含有するプリプレグを用いた銅張積
層板が開示されているが、実施例として具体的に示され
ているものはＰＺＴ粉を用いたものであり、本発明と異
なり、フェライト粉を混合分散したプリプレグについて
の具体的な開示はない。
【００１３】さらに、本発明を説明する。本発明に用い
られるフェライト粉の材質はＭｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系、Ｎｉ
−Ｚｎ系、Ｍｎ−Ｚｎ系などであり、Ｍｎ−Ｍｇ−Ｚｎ
系、Ｎｉ−Ｚｎ系などが好ましい。
られるフェライト粉の材質はＭｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系、Ｎｉ
−Ｚｎ系、Ｍｎ−Ｚｎ系などであり、Ｍｎ−Ｍｇ−Ｚｎ
系、Ｎｉ−Ｚｎ系などが好ましい。
【００１４】フェライト粉の粒径は０．０１〜５０μm
であることが好ましく、平均粒径は１〜２０μm である
ことが好ましい。このような粒径とすることによって、
フェライト粉の分散性が良好となり、本発明の効果が向
上する。これに対し、フェライト粉の粒径が大きくなる
とパターニング時にファインパターンの形成が困難にな
る。また、粒径をあまり小さくすることは実際上困難で
あり、０．０１μm 程度が限度である。
であることが好ましく、平均粒径は１〜２０μm である
ことが好ましい。このような粒径とすることによって、
フェライト粉の分散性が良好となり、本発明の効果が向
上する。これに対し、フェライト粉の粒径が大きくなる
とパターニング時にファインパターンの形成が困難にな
る。また、粒径をあまり小さくすることは実際上困難で
あり、０．０１μm 程度が限度である。
【００１５】フェライト粉の粒度は均一であることが好
ましく、必要に応じ、ふるい分けなどにより粒度をそろ
えてもよい。
ましく、必要に応じ、ふるい分けなどにより粒度をそろ
えてもよい。
【００１６】フェライト粉の透磁率μは１０〜１０００
０であることが好ましい。また、バルクの絶縁性は高い
方が基板化した際の絶縁性が向上して好ましい。
０であることが好ましい。また、バルクの絶縁性は高い
方が基板化した際の絶縁性が向上して好ましい。
【００１７】本発明に用いられるエポキシ樹脂は、ビス
フェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エ
ポキシ樹脂（ＥＰＮ）、クレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂（ＥＣＮ）等のノボラック型エポキシ樹脂、多官
能性グリシジルアミン樹脂などであり、なかでもフェノ
ールノボラック型エポキシ樹脂（ＥＰＮ）、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂（ＥＣＮ）、多官能性グリシ
ジルアミン樹脂などが好ましく、特にフェノールノボラ
ック型エポキシ樹脂（ＥＰＮ）、クレゾールノボラック
型エポキシ樹脂（ＥＣＮ）が好ましい。
フェノール型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エ
ポキシ樹脂（ＥＰＮ）、クレゾールノボラック型エポキ
シ樹脂（ＥＣＮ）等のノボラック型エポキシ樹脂、多官
能性グリシジルアミン樹脂などであり、なかでもフェノ
ールノボラック型エポキシ樹脂（ＥＰＮ）、クレゾール
ノボラック型エポキシ樹脂（ＥＣＮ）、多官能性グリシ
ジルアミン樹脂などが好ましく、特にフェノールノボラ
ック型エポキシ樹脂（ＥＰＮ）、クレゾールノボラック
型エポキシ樹脂（ＥＣＮ）が好ましい。
【００１８】このようなエポキシ樹脂は、常温（２５℃
程度の温度）で液状（半固形状も含む）または固形状で
あり、その分子量は、数平均分子量（Ｍｎ）で３００〜
１００００程度である。また、液状であるものの粘度は
２５℃程度の温度で１０００〜１０００００cpsであ
り、固形状であるものの軟化点は４０〜１２０℃程度で
ある。
程度の温度）で液状（半固形状も含む）または固形状で
あり、その分子量は、数平均分子量（Ｍｎ）で３００〜
１００００程度である。また、液状であるものの粘度は
２５℃程度の温度で１０００〜１０００００cpsであ
り、固形状であるものの軟化点は４０〜１２０℃程度で
ある。
【００１９】次に本発明に好ましく用いられるフェノー
ルノボラック型エポキシ樹脂（ＥＰＮ）、クレゾールノ
ボラック型エポキシ樹脂（ＥＣＮ）について述べる。こ
れらのエポキシ樹脂は、特に耐熱性の点が良好である。
具体的にいえば、電子部品としては、最大２５０℃の温
度のリフローを３回程度（前処理：吸水ありを含む）行
ったり、半田ディップを２６０℃で１０秒、あるいは３
５０℃で３秒行ったりする必要がある。また基板として
は最大２５０℃の温度のリフローを３回程度（前処理：
吸水ありを含む）行ったり、半田ディップを２６０℃で
１２０秒行ったりする必要がある。さらに、長期信頼性
試験での耐熱性も１２５〜１５０℃が要求されている。
これらのエポキシ樹脂はこれらの要求特性を充分満足さ
せることができる。実際、フェノールノボラック型エポ
キシ樹脂の分解開始変曲点は３７０〜４００℃である。
ルノボラック型エポキシ樹脂（ＥＰＮ）、クレゾールノ
ボラック型エポキシ樹脂（ＥＣＮ）について述べる。こ
れらのエポキシ樹脂は、特に耐熱性の点が良好である。
具体的にいえば、電子部品としては、最大２５０℃の温
度のリフローを３回程度（前処理：吸水ありを含む）行
ったり、半田ディップを２６０℃で１０秒、あるいは３
５０℃で３秒行ったりする必要がある。また基板として
は最大２５０℃の温度のリフローを３回程度（前処理：
吸水ありを含む）行ったり、半田ディップを２６０℃で
１２０秒行ったりする必要がある。さらに、長期信頼性
試験での耐熱性も１２５〜１５０℃が要求されている。
これらのエポキシ樹脂はこれらの要求特性を充分満足さ
せることができる。実際、フェノールノボラック型エポ
キシ樹脂の分解開始変曲点は３７０〜４００℃である。
【００２０】フェノールノボラック型エポキシ樹脂（Ｅ
ＰＮ）、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＥＣ
Ｎ）の化学構造は以下に示すとおりである。
ＰＮ）、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＥＣ
Ｎ）の化学構造は以下に示すとおりである。
【００２１】
【化１】
【００２２】フェノールノボラック型エポキシ樹脂（Ｅ
ＰＮ）は常温で半固形または固形状の樹脂であり、分子
量は数平均分子量（Ｍｎ）で４００〜１２００程度であ
る。半固形状のものの粘度は、２５〜５５℃程度の温度
で３０００〜１０００００cps程度であり、固形状のも
のの軟化点は５０〜９０℃程度である。
ＰＮ）は常温で半固形または固形状の樹脂であり、分子
量は数平均分子量（Ｍｎ）で４００〜１２００程度であ
る。半固形状のものの粘度は、２５〜５５℃程度の温度
で３０００〜１０００００cps程度であり、固形状のも
のの軟化点は５０〜９０℃程度である。
【００２３】このようなフェノールノボラック型エポキ
シ樹脂（ＥＰＮ）は市販されており、例えば商品名ＤＥ
Ｎ４３１、ＤＥＮ４３８、ＸＤ−７８１８、ＸＤ−７８
５５、ＤＥＲ３３１（以上ダウケミカル社製）、などが
ある。
シ樹脂（ＥＰＮ）は市販されており、例えば商品名ＤＥ
Ｎ４３１、ＤＥＮ４３８、ＸＤ−７８１８、ＸＤ−７８
５５、ＤＥＲ３３１（以上ダウケミカル社製）、などが
ある。
【００２４】一方、クレゾールノボラック型エポキシ樹
脂（ＥＣＮ）は、固形状の樹脂であり、分子量は数平均
分子量（Ｍｎ）で４００〜１２００程度であり、軟化点
は６０〜１２０℃程度である。
脂（ＥＣＮ）は、固形状の樹脂であり、分子量は数平均
分子量（Ｍｎ）で４００〜１２００程度であり、軟化点
は６０〜１２０℃程度である。
【００２５】これらのクレゾールノボラック型エポキシ
樹脂（ＥＣＮ）は市販されており、例えばＥＣＮ−２６
８、ＥＣＮ−２７３、ＥＣＮ−２８０、ＥＣＮ−２８
５、ＥＣＮ−２９９（以上旭化成製）、などがある。エ
ポキシ樹脂は１種のみを用いても２種以上を併用しても
よい。
樹脂（ＥＣＮ）は市販されており、例えばＥＣＮ−２６
８、ＥＣＮ−２７３、ＥＣＮ−２８０、ＥＣＮ−２８
５、ＥＣＮ−２９９（以上旭化成製）、などがある。エ
ポキシ樹脂は１種のみを用いても２種以上を併用しても
よい。
【００２６】本発明に用いられるガラスクロスは、目的
・用途に応じて種々のものであってよく、市販品をその
まま用いることができる。その厚さは２０〜６０μm で
あることが好ましい。
・用途に応じて種々のものであってよく、市販品をその
まま用いることができる。その厚さは２０〜６０μm で
あることが好ましい。
【００２７】本発明におけるエポキシ樹脂とガラスクロ
スとフェライト粉との配合比は、エポキシ樹脂とガラス
クロスとの合計量とフェライト粉との比率で示した場
合、次の関係を満たすことが好ましい。
スとフェライト粉との配合比は、エポキシ樹脂とガラス
クロスとの合計量とフェライト粉との比率で示した場
合、次の関係を満たすことが好ましい。
【００２８】（エポキシ樹脂＋ガラスクロス）：フェラ
イト粉＝１００：１００〜４００すなわち、フェライト
粉の含有量は５０〜８０wt% であることが好ましい。こ
のようなフェライト粉の含有量とすることで、本発明の
効果が向上する。これに対し、フェライト粉の含有量が
多くなるとスラリー化して塗工することが困難になり、
プリプレグの作製が困難になる。一方、フェライト粉の
含有量が少なくなると磁気特性が低下してしまう。
イト粉＝１００：１００〜４００すなわち、フェライト
粉の含有量は５０〜８０wt% であることが好ましい。こ
のようなフェライト粉の含有量とすることで、本発明の
効果が向上する。これに対し、フェライト粉の含有量が
多くなるとスラリー化して塗工することが困難になり、
プリプレグの作製が困難になる。一方、フェライト粉の
含有量が少なくなると磁気特性が低下してしまう。
【００２９】また、エポキシ樹脂とガラスクロスとの配
合比は、重量比で、エポキシ樹脂／ガラスクロスが４／
１〜１／１であることが好ましい。このような配合比と
することによって本発明の効果が向上する。これに対
し、この比が小さくなって、エポキシ樹脂量が少なくな
ると銅箔との密着力が低下し、基板の平滑性に問題が生
じる。逆にこの比が大きくなって、エポキシ樹脂量が多
くなると使用できるガラスクロスの選択が困難となり、
薄肉での強度の確保が困難となる。
合比は、重量比で、エポキシ樹脂／ガラスクロスが４／
１〜１／１であることが好ましい。このような配合比と
することによって本発明の効果が向上する。これに対
し、この比が小さくなって、エポキシ樹脂量が少なくな
ると銅箔との密着力が低下し、基板の平滑性に問題が生
じる。逆にこの比が大きくなって、エポキシ樹脂量が多
くなると使用できるガラスクロスの選択が困難となり、
薄肉での強度の確保が困難となる。
【００３０】本発明においてプリプレグを得るには、所
定の配合比としたフェライト粉とエポキシ樹脂とを含
み、溶剤に混練してスラリー化したペーストを含浸し
て、乾燥する工程に従う。この場合に用いられる溶剤は
メチルエチルケトン（ＭＥＫ）等の揮発性溶剤であり、
ペーストの粘度を調整し塗工しやすくする目的で用いら
れる。混練はボールミル等により公知の方法によって行
えばよい。ペーストをガラスクロスに含浸することによ
り、ガラスクロス中の数μm 程度の径のすきまが埋めら
れることになる。塗膜の厚さは、プリプレグにおいて、
例えば２０μm 厚のガラスクロスを用いたとき４０μm
程度が好ましく、ガラスクロスの厚さの１〜３倍程度の
厚さであることが好ましい。このような厚さとすること
によってプリプレグの平滑性および接着性が良好にな
る。
定の配合比としたフェライト粉とエポキシ樹脂とを含
み、溶剤に混練してスラリー化したペーストを含浸し
て、乾燥する工程に従う。この場合に用いられる溶剤は
メチルエチルケトン（ＭＥＫ）等の揮発性溶剤であり、
ペーストの粘度を調整し塗工しやすくする目的で用いら
れる。混練はボールミル等により公知の方法によって行
えばよい。ペーストをガラスクロスに含浸することによ
り、ガラスクロス中の数μm 程度の径のすきまが埋めら
れることになる。塗膜の厚さは、プリプレグにおいて、
例えば２０μm 厚のガラスクロスを用いたとき４０μm
程度が好ましく、ガラスクロスの厚さの１〜３倍程度の
厚さであることが好ましい。このような厚さとすること
によってプリプレグの平滑性および接着性が良好にな
る。
【００３１】本発明のプリプレグの全体厚は２０μm 厚
のガラスクロスを用いた場合、６０〜１４０μm 程度で
あることが好ましい。
のガラスクロスを用いた場合、６０〜１４０μm 程度で
あることが好ましい。
【００３２】本発明のプリプレグは、加熱加圧して成形
することにより基板を形成する。この場合プリプレグ
は、目的とする厚さなどにより、１個のみ用いても良
く、複数個を重ねて用いてもよい。成形は公知の方法に
よればよく、加熱加圧条件は１００〜２００℃の温度、
１０〜８０kgf/cm2の圧力とすればよく、このような条
件下で３０〜１２０分程度成形することが好ましい。成
形は条件をかえて複数段階に分けて行うことができる。
することにより基板を形成する。この場合プリプレグ
は、目的とする厚さなどにより、１個のみ用いても良
く、複数個を重ねて用いてもよい。成形は公知の方法に
よればよく、加熱加圧条件は１００〜２００℃の温度、
１０〜８０kgf/cm2の圧力とすればよく、このような条
件下で３０〜１２０分程度成形することが好ましい。成
形は条件をかえて複数段階に分けて行うことができる。
【００３３】このようにして得られる成形材料としての
基板（有機複合材料）は、透磁率および誘電率の高周波
数特性に優れる。また絶縁材として耐えうる絶縁特性に
優れる。さらには、後述のように銅箔付基板とした場
合、銅箔との接着強度が大きい。また半田耐熱性等の耐
熱性に優れる。
基板（有機複合材料）は、透磁率および誘電率の高周波
数特性に優れる。また絶縁材として耐えうる絶縁特性に
優れる。さらには、後述のように銅箔付基板とした場
合、銅箔との接着強度が大きい。また半田耐熱性等の耐
熱性に優れる。
【００３４】本発明のプリプレグは銅箔と重ねて加熱加
圧して成形することにより銅箔付基板を形成することが
できる。この場合の銅箔の厚さは１２〜３５μm 程度で
ある。このような銅箔付基板には、両面パターンニング
基板や多層基板などがある。
圧して成形することにより銅箔付基板を形成することが
できる。この場合の銅箔の厚さは１２〜３５μm 程度で
ある。このような銅箔付基板には、両面パターンニング
基板や多層基板などがある。
【００３５】図１、図２には両面パターンニング基板形
成例の工程図を示す。図１、図２に示されるように、所
定厚さのプリプレグ１と所定厚さの銅（Ｃｕ）箔２とを
重ねて加圧加熱して成形する（工程Ａ）。次にスルーホ
ールをドリリングにより形成する（工程Ｂ）。形成した
スルーホールに銅（Ｃｕ）メッキを施し、メッキ膜４を
形成する（工程Ｃ）。さらに両面の銅箔２にパターニン
グを施し、導体パターン２１を形成する（工程Ｄ）。そ
の後、図１に示されるように、外部端子等の接続のため
のメッキを施す（工程Ｅ）。この場合のメッキはＮｉメ
ッキ後にさらにＰｄメッキを施す方法、Ｎｉメッキ後に
さらにＡｕメッキを施す方法（メッキは電解または無電
解メッキ）、半田レベラーを用いる方法により行われ
る。
成例の工程図を示す。図１、図２に示されるように、所
定厚さのプリプレグ１と所定厚さの銅（Ｃｕ）箔２とを
重ねて加圧加熱して成形する（工程Ａ）。次にスルーホ
ールをドリリングにより形成する（工程Ｂ）。形成した
スルーホールに銅（Ｃｕ）メッキを施し、メッキ膜４を
形成する（工程Ｃ）。さらに両面の銅箔２にパターニン
グを施し、導体パターン２１を形成する（工程Ｄ）。そ
の後、図１に示されるように、外部端子等の接続のため
のメッキを施す（工程Ｅ）。この場合のメッキはＮｉメ
ッキ後にさらにＰｄメッキを施す方法、Ｎｉメッキ後に
さらにＡｕメッキを施す方法（メッキは電解または無電
解メッキ）、半田レベラーを用いる方法により行われ
る。
【００３６】図３、図４には多層基板形成例の工程図で
あり、４層積層する例が示されている。図３、図４に示
されるように、所定厚さのプリプレグ１と所定厚さの銅
（Ｃｕ）箔２とを重ねて加圧加熱して成形する（工程
ａ）。次に両面の銅箔２にパターニングを施し、導体パ
ターン２１を形成する（工程ｂ）。このようにして得ら
れた両面パターンニング基板の両面に、さらに所定厚さ
のプリプレグ１と銅箔２とを重ねて、同時に加圧加熱し
て成形する（工程ｃ）。次にスルーホールをドリリング
により形成する（工程ｄ）。形成したスルーホールに銅
（Ｃｕ）メッキを施し、メッキ膜４を形成する（工程
ｅ）。さらに両面の銅箔２にパターニングを施し、導体
パターン２１を形成する（工程ｆ）。その後図３に示さ
れるように、外部端子との接続のためのメッキを施す
（工程ｇ）。この場合のメッキはＮｉメッキ後にさらに
Ｐｄメッキを施す方法、Ｎｉメッキ後にさらにＡｕメッ
キを施す方法（メッキは電解または無電解メッキ）、半
田レベラーを用いる方法により行われる。
あり、４層積層する例が示されている。図３、図４に示
されるように、所定厚さのプリプレグ１と所定厚さの銅
（Ｃｕ）箔２とを重ねて加圧加熱して成形する（工程
ａ）。次に両面の銅箔２にパターニングを施し、導体パ
ターン２１を形成する（工程ｂ）。このようにして得ら
れた両面パターンニング基板の両面に、さらに所定厚さ
のプリプレグ１と銅箔２とを重ねて、同時に加圧加熱し
て成形する（工程ｃ）。次にスルーホールをドリリング
により形成する（工程ｄ）。形成したスルーホールに銅
（Ｃｕ）メッキを施し、メッキ膜４を形成する（工程
ｅ）。さらに両面の銅箔２にパターニングを施し、導体
パターン２１を形成する（工程ｆ）。その後図３に示さ
れるように、外部端子との接続のためのメッキを施す
（工程ｇ）。この場合のメッキはＮｉメッキ後にさらに
Ｐｄメッキを施す方法、Ｎｉメッキ後にさらにＡｕメッ
キを施す方法（メッキは電解または無電解メッキ）、半
田レベラーを用いる方法により行われる。
【００３７】上記の加熱加圧の成形条件は、１００〜２
００℃の温度、１０〜８０kgf/cm2の圧力で、３０〜１
２０分とすることが好ましい。
００℃の温度、１０〜８０kgf/cm2の圧力で、３０〜１
２０分とすることが好ましい。
【００３８】本発明では、前記例に限らず、種々の基板
を形成することができる。例えば、成形材料としての基
板や、銅箔付基板とプリプレグとを用い、プリプレグを
接着層として多層化することも可能である。また、プリ
プレグや成形材料としての基板と銅箔とを接着する態様
において、前述のフェライト粉とエポキシ樹脂とブチル
カルビトールアセテート等の高沸点溶剤とを混練して得
られたフェライトペーストをパターニングした基板の上
にスクリーン印刷等にて形成してもよく、これにより特
性の向上を図ることができる。こうしたフェライトペー
スト中のフェライト粉含有量は５０〜８０wt% 、エポキ
シ樹脂４５〜１０wt% 、溶剤５〜１０wt% であることが
好ましい。また塗膜の厚さは成形後の基板において３０
〜１５０μm であることが好ましい。
を形成することができる。例えば、成形材料としての基
板や、銅箔付基板とプリプレグとを用い、プリプレグを
接着層として多層化することも可能である。また、プリ
プレグや成形材料としての基板と銅箔とを接着する態様
において、前述のフェライト粉とエポキシ樹脂とブチル
カルビトールアセテート等の高沸点溶剤とを混練して得
られたフェライトペーストをパターニングした基板の上
にスクリーン印刷等にて形成してもよく、これにより特
性の向上を図ることができる。こうしたフェライトペー
スト中のフェライト粉含有量は５０〜８０wt% 、エポキ
シ樹脂４５〜１０wt% 、溶剤５〜１０wt% であることが
好ましい。また塗膜の厚さは成形後の基板において３０
〜１５０μm であることが好ましい。
【００３９】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。 実施例１ 平均粒径３μm のＭｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系フェライト（μ３
２０）粉５５０重量部を、フェノールノボラック型エポ
キシ樹脂を１００重量部含有するＭＥＫ液（ワニス）に
加え、ボールミルで混練してスラリー状のペーストを得
た。
をさらに詳細に説明する。 実施例１ 平均粒径３μm のＭｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系フェライト（μ３
２０）粉５５０重量部を、フェノールノボラック型エポ
キシ樹脂を１００重量部含有するＭＥＫ液（ワニス）に
加え、ボールミルで混練してスラリー状のペーストを得
た。
【００４０】このペーストを２０μm 厚のガラスクロス
に含浸し、１１０℃で６０分乾燥してプリプレグを得
た。これをプリプレグNo.１１とする。このようなプリ
プレグNo.１１におけるペーストの塗膜の厚さは、乾燥
厚で４０μm である。また、フェライト粉とガラスクロ
スとエポキシ樹脂との配合比は６６wt% 、１２wt% 、２
２wt% である。
に含浸し、１１０℃で６０分乾燥してプリプレグを得
た。これをプリプレグNo.１１とする。このようなプリ
プレグNo.１１におけるペーストの塗膜の厚さは、乾燥
厚で４０μm である。また、フェライト粉とガラスクロ
スとエポキシ樹脂との配合比は６６wt% 、１２wt% 、２
２wt% である。
【００４１】プリプレグNo.１１を温度１１０℃、圧力
１０kgf/cm2、時間３０分の条件で１次成形を行い、さ
らに温度１８０℃、圧力４０kgf/cm2、時間３０分の条
件で２次成形を行った。これを成形材料No.１１とす
る。
１０kgf/cm2、時間３０分の条件で１次成形を行い、さ
らに温度１８０℃、圧力４０kgf/cm2、時間３０分の条
件で２次成形を行った。これを成形材料No.１１とす
る。
【００４２】成形材料No.１１において、フェライトを
Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト（μ１８００）にかえるほかは
同様にしてプリプレグNo.１２を得、これにより成形材
料No.２を得た。
Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト（μ１８００）にかえるほかは
同様にしてプリプレグNo.１２を得、これにより成形材
料No.２を得た。
【００４３】このような成形材料No.１１、１２に対し
て物性ないし特性を調べた。結果を表１に示す。このな
かで、半田耐熱性、銅箔ピール強度は以下のようにして
評価した。
て物性ないし特性を調べた。結果を表１に示す。このな
かで、半田耐熱性、銅箔ピール強度は以下のようにして
評価した。
【００４４】半田耐熱性 ＪＩＳ Ｃ ５０１２［プリント配線板試験方法］１
０．４．１はんだフロート法に準拠して評価した。ただ
しディップ時間は３分とした。２６０℃で評価した（２
６０℃×３分）。
０．４．１はんだフロート法に準拠して評価した。ただ
しディップ時間は３分とした。２６０℃で評価した（２
６０℃×３分）。
【００４５】銅箔ピール強度 ＪＩＳ Ｃ ５０１２［プリント配線板試験方法］８．
１導体の引き剥がし強さに準拠して評価した。
１導体の引き剥がし強さに準拠して評価した。
【００４６】
【表１】
【００４７】表１より、本発明のプリプレグを用いた成
形材料は基板材料とするのに適することがわかる。な
お、Ｍｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系の方がＭｎ−Ｚｎ系に比べ絶縁
性が高いので、より好ましい材料である。
形材料は基板材料とするのに適することがわかる。な
お、Ｍｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系の方がＭｎ−Ｚｎ系に比べ絶縁
性が高いので、より好ましい材料である。
【００４８】実施例２ 実施例１と同様にして、フェライトとして、Ｍｎ−Ｍｇ
−Ｚｎ系フェライト（μ３２０）、Ｎｉ−Ｚｎ系フェラ
イト（μ１００）を各々用いたプリプレグを得、これら
から成形材料を得た。これらを成形材料No.２１〜２３
とし、これらに対応するプリプレグをプリプレグNo.２
１〜２３とする。ただし、成形材料No.２１〜２３にお
ける配合比は以下のとおりである。
−Ｚｎ系フェライト（μ３２０）、Ｎｉ−Ｚｎ系フェラ
イト（μ１００）を各々用いたプリプレグを得、これら
から成形材料を得た。これらを成形材料No.２１〜２３
とし、これらに対応するプリプレグをプリプレグNo.２
１〜２３とする。ただし、成形材料No.２１〜２３にお
ける配合比は以下のとおりである。
【００４９】成形材料No.２１： Ｍｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系フ
ェライト粉６６wt% ガラスクロス １２wt% エポキシ樹脂 ２２wt% 成形材料No.２２： Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粉６６wt% ガラスクロス １２wt% エポキシ樹脂 ２２wt% 成形材料No.２３： Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粉８０wt% ガラスクロス １０wt% エポキシ樹脂 １０wt%
ェライト粉６６wt% ガラスクロス １２wt% エポキシ樹脂 ２２wt% 成形材料No.２２： Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粉６６wt% ガラスクロス １２wt% エポキシ樹脂 ２２wt% 成形材料No.２３： Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト粉８０wt% ガラスクロス １０wt% エポキシ樹脂 １０wt%
【００５０】これらの成形材料No.２１〜２３につい
て、複素比透磁率μ’、μ”の周波数特性および複素誘
電率ε'ｒ、ε”ｒの周波数特性を調べた。結果を図５
〜８に示す。図５、６から、μ’、μ”の高周波特性が
優れることがわかる。すなわち、数百MHzでもμ’が残
存しており、μ”が最大値をとる周波数が１〜２GHzで
ある。また、図７、８からε'ｒ、ε”ｒの高周波特性
が優れることがわかる。すなわち、ε'ｒ、ε”ｒは測
定周波数域でフラットである。
て、複素比透磁率μ’、μ”の周波数特性および複素誘
電率ε'ｒ、ε”ｒの周波数特性を調べた。結果を図５
〜８に示す。図５、６から、μ’、μ”の高周波特性が
優れることがわかる。すなわち、数百MHzでもμ’が残
存しており、μ”が最大値をとる周波数が１〜２GHzで
ある。また、図７、８からε'ｒ、ε”ｒの高周波特性
が優れることがわかる。すなわち、ε'ｒ、ε”ｒは測
定周波数域でフラットである。
【００５１】実施例３ 実施例１で作製したＭｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系フェライト粉を
含有するプリプレグNo.１１を用い、両面にＣｕ箔を重
ね加圧加熱して成形した。このときの成形条件は、１次
成形を温度１１０℃、圧力１０kgf/cm2で３０分とし、
２次成形を温度１８０℃、圧力４０kgf/cm2で３０分と
した。次に、スルーホールドリリングを行い、Ｃｕによ
るスルーホールメッキを施し、さらに両面にパターニン
グを行って、図９および図１０に示されるようなスパイ
ラルコイルのパターンを形成した。図９は基板の表側の
パターン図であり、図１０は裏側のパターン図である。
図中の数値は寸法（mm）を表す。さらに、Ｎｉメッキを
２μm 厚に施し、さらにＡｕフラッシュメッキを行って
素子を完成させた。この場合のＣｕ厚みは３０μmであ
り、基板の全体厚は０．５mmであった。これを基板素子
No.３１とする。
含有するプリプレグNo.１１を用い、両面にＣｕ箔を重
ね加圧加熱して成形した。このときの成形条件は、１次
成形を温度１１０℃、圧力１０kgf/cm2で３０分とし、
２次成形を温度１８０℃、圧力４０kgf/cm2で３０分と
した。次に、スルーホールドリリングを行い、Ｃｕによ
るスルーホールメッキを施し、さらに両面にパターニン
グを行って、図９および図１０に示されるようなスパイ
ラルコイルのパターンを形成した。図９は基板の表側の
パターン図であり、図１０は裏側のパターン図である。
図中の数値は寸法（mm）を表す。さらに、Ｎｉメッキを
２μm 厚に施し、さらにＡｕフラッシュメッキを行って
素子を完成させた。この場合のＣｕ厚みは３０μmであ
り、基板の全体厚は０．５mmであった。これを基板素子
No.３１とする。
【００５２】上記で作製した素子No.３１を用い、この
両面にＭｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系フェライト粉（μ３２０、平
均粒径３μm ）を８０wt% 含有するフェライトペースト
をスクリーン印刷し、１８０℃、３０分で熱硬化した。
両面にＭｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系フェライト粉（μ３２０、平
均粒径３μm ）を８０wt% 含有するフェライトペースト
をスクリーン印刷し、１８０℃、３０分で熱硬化した。
【００５３】フェライトペーストはＭｎ−Ｍｇ−Ｚｎ系
フェライト粉（μ３２０、平均粒径３μm ）、エポキシ
樹脂１０wt% 、ブチルカルビトールアセテート１０wt%
を含有し、これを混練して得られたものである。
フェライト粉（μ３２０、平均粒径３μm ）、エポキシ
樹脂１０wt% 、ブチルカルビトールアセテート１０wt%
を含有し、これを混練して得られたものである。
【００５４】この塗膜の厚みは完成後の基板素子におい
て１００μm であり、素子の全体厚みは０．７０mmであ
った。これを基板素子No.３２とする。
て１００μm であり、素子の全体厚みは０．７０mmであ
った。これを基板素子No.３２とする。
【００５５】さらに、フェライトを含有しない、通常使
用されるガラスエポキシ基板（ＦＲ−４，両面銅箔付
き）を用い、ドリリングの工程以降は基板素子No.３１
と同様の工程で基板素子を完成させた。素子厚みは０．
５mmであった。これを基板素子No.３３とする。
用されるガラスエポキシ基板（ＦＲ−４，両面銅箔付
き）を用い、ドリリングの工程以降は基板素子No.３１
と同様の工程で基板素子を完成させた。素子厚みは０．
５mmであった。これを基板素子No.３３とする。
【００５６】これらの基板素子No.３１〜３３につい
て、インダクタンス（Ｌ）、インピーダンス（Ｚ）の周
波数特性を調べた。結果を図１１、１２に示す。またイ
ンピーダンス（Ｚ）の実数部であるレジスタンス（Ｒ）
と虚数部であるリアクタンス（Ｘ）の周波数特性を図１
３、１４に示す。
て、インダクタンス（Ｌ）、インピーダンス（Ｚ）の周
波数特性を調べた。結果を図１１、１２に示す。またイ
ンピーダンス（Ｚ）の実数部であるレジスタンス（Ｒ）
と虚数部であるリアクタンス（Ｘ）の周波数特性を図１
３、１４に示す。
【００５７】図１１より、通常のフェライト無基板であ
る素子No.３３に比べ、１０MHzの領域で、フェライト基
板である素子No.３１が１．６倍程度、フェライト基板
＋フェライトレジストの素子No.３２が２．６倍程度イ
ンダクタンス値が向上することがわかる。また、図１２
〜１４より、インダクタンス値と同様の傾向でインピー
ダンス値が増加することがわかる。磁性材料にて構成さ
れることによる閉磁路構造化によるものである。
る素子No.３３に比べ、１０MHzの領域で、フェライト基
板である素子No.３１が１．６倍程度、フェライト基板
＋フェライトレジストの素子No.３２が２．６倍程度イ
ンダクタンス値が向上することがわかる。また、図１２
〜１４より、インダクタンス値と同様の傾向でインピー
ダンス値が増加することがわかる。磁性材料にて構成さ
れることによる閉磁路構造化によるものである。
【００５８】また、１GHz以上の領域まで、インダクタ
ンス分が残存しているが、これは先に述べた透磁率、誘
電率の周波数特性が優れているためである。
ンス分が残存しているが、これは先に述べた透磁率、誘
電率の周波数特性が優れているためである。
【００５９】また、レジスタンス成分（Ｒ）が１００MH
z以上で急に立ち上がっているが、これはμ”の周波数
特性に依存するものである。
z以上で急に立ち上がっているが、これはμ”の周波数
特性に依存するものである。
【００６０】また、この基板素子No.３１、３２はチッ
プ部品に要求される最高３５０℃で３秒の半田耐熱性を
クリアしている。
プ部品に要求される最高３５０℃で３秒の半田耐熱性を
クリアしている。
【００６１】このようなことから、通常のフェライト無
基板と比較すると、本発明の基板においては、閉磁路効
果、材料の優れた高周波特性により、高い周波数までイ
ンダクタンス、インピーダンスの向上が得られ、さらに
レジスタンス成分の高周波領域での出現という材料の優
れた高周波磁気損失特性を利用した高周波用チップ部
品、基板として使用できることがわかった。
基板と比較すると、本発明の基板においては、閉磁路効
果、材料の優れた高周波特性により、高い周波数までイ
ンダクタンス、インピーダンスの向上が得られ、さらに
レジスタンス成分の高周波領域での出現という材料の優
れた高周波磁気損失特性を利用した高周波用チップ部
品、基板として使用できることがわかった。
【００６２】
【発明の効果】本発明によれば、１００MHz以上の高周
波数領域での使用に好適であり、かつ磁気特性を利用し
た用途に適したプリプレグが得られる。また、非磁性層
や接着剤を用いることなく、銅箔との接着やパターニン
グあるいは多層化が可能である。また薄肉での強度改善
を図ることができる。また、このようなプリプレグを用
いて、耐熱性に優れ、高強度で、高周波特性の向上した
基板が得られる。
波数領域での使用に好適であり、かつ磁気特性を利用し
た用途に適したプリプレグが得られる。また、非磁性層
や接着剤を用いることなく、銅箔との接着やパターニン
グあるいは多層化が可能である。また薄肉での強度改善
を図ることができる。また、このようなプリプレグを用
いて、耐熱性に優れ、高強度で、高周波特性の向上した
基板が得られる。
【図１】本発明の両面パターン基板の形成例を示す工程
図である。
図である。
【図２】本発明の両面パターン基板の形成例を示す工程
図である。
図である。
【図３】本発明の多層基板の形成例を示す工程図であ
る。
る。
【図４】本発明の多層基板の形成例を示す工程図であ
る。
る。
【図５】本発明の基板（成形材料）のμ’の周波数特性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図６】本発明の基板（成形材料）のμ”の周波数特性
を示すグラフである。
を示すグラフである。
【図７】本発明の基板（成形材料）のε'ｒの周波数特
性を示すグラフである。
性を示すグラフである。
【図８】本発明の基板（成形材料）のε”ｒの周波数特
性を示すグラフである。
性を示すグラフである。
【図９】本発明の基板素子の表側の導体パターンを示す
概略図である。
概略図である。
【図１０】本発明の基板素子の裏側の導体パターンを示
す概略図である。
す概略図である。
【図１１】基板素子のインダクタンスの周波数特性を示
すグラフである。
すグラフである。
【図１２】基板素子のインピーダンスの周波数特性を示
すグラフである。
すグラフである。
【図１３】基板素子のインピーダンスの実数部の周波数
特性を示すグラフである。
特性を示すグラフである。
【図１４】基板素子のインピーダンスの虚数部の周波数
特性を示すグラフである。
特性を示すグラフである。
１ プリプレグ ２ Ｃｕ箔 ３ スルーホール ４ Ｃｕメッキ膜 ２１ 導体パターン
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｂ２９Ｋ 105:06
Claims (8)
- 【請求項１】 ガラスクロスに、フェライト粉とエポキ
シ樹脂とを溶剤に混練してスラリー化したペーストを含
浸し、乾燥して得られたプリプレグ。 - 【請求項２】 フェライト粉の粒径が０．０１〜５０μ
m である請求項１のプリプレグ。 - 【請求項３】 フェライト粉の含有量が５０〜８０wt%
である請求項１または２のプリプレグ。 - 【請求項４】 請求項１〜３のいずれかのプリプレグを
加熱加圧し成形して得られた基板。 - 【請求項５】 請求項１〜３のいずれかのプリプレグと
銅箔とを加熱加圧し成形して得られた基板。 - 【請求項６】 請求項１〜３のいずれかのプリプレグを
複数枚重ねて加熱加圧し成形して得られた基板。 - 【請求項７】 請求項１〜３のいずれかのプリプレグを
複数枚重ねて銅箔と加熱加圧し成形して得られた基板。 - 【請求項８】 請求項１〜３のいずれかのプリプレグと
請求項４〜７のいずれかの基板とを用い、加熱加圧し成
形して得られた多層構成の基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36803397A JP3553351B2 (ja) | 1997-12-27 | 1997-12-27 | プリプレグおよび基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36803397A JP3553351B2 (ja) | 1997-12-27 | 1997-12-27 | プリプレグおよび基板 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004028153A Division JP2004156047A (ja) | 2004-02-04 | 2004-02-04 | 基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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