JP2010287684A - インダクタ素子、このインダクタ素子を備えたDC(directcurrent)/DCコンバータモジュール、DC/DCコンバータモジュールの製造方法、及び電子機器 - Google Patents
インダクタ素子、このインダクタ素子を備えたDC(directcurrent)/DCコンバータモジュール、DC/DCコンバータモジュールの製造方法、及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010287684A JP2010287684A JP2009139536A JP2009139536A JP2010287684A JP 2010287684 A JP2010287684 A JP 2010287684A JP 2009139536 A JP2009139536 A JP 2009139536A JP 2009139536 A JP2009139536 A JP 2009139536A JP 2010287684 A JP2010287684 A JP 2010287684A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- converter module
- inductor element
- wiring pattern
- manufacturing
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4912—Layout
- H01L2224/49171—Fan-out arrangements
Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Dc-Dc Converters (AREA)
Abstract
【解決手段】インダクタ素子10が、コイル部と、このコイル部を覆う被覆部材11と、被覆部材11表面に形成された配線パターン(電極パッド12a、第1リードパッド12c1、第2リードパッド12c2、第3リードパッド12c3、第4リードパッド12c4、第5リードパッド12c5、第6リードパッド12c6、第1導出パッド12b1及び第2導出パッド12b2)とを備えており、前記配線パターンの電極パッド12aがICチップ14を搭載するための配線パターンである。
【選択図】図2
Description
まず初めに、本発明のインダクタ素子の実施形態1について図面を参照しつつ説明する。
本実施形態において、インダクタ素子の形態は、図1に示すインダクタ素子10に限定されるものではない。ここで、インダクタ素子の他の実施例1について図面を参照しつつ説明する。
本実施形態において、インダクタ素子の形態は、図1に示すインダクタ素子及び図3に示すインダクタ素子に限定されるものではない。ここで、インダクタ素子の他の実施例2について図面を参照しつつ説明する。
次に、本発明のDC/DCコンバータモジュールの実施形態2について図面を参照しつつ説明する。
本実施形態において、DC/DCコンバータモジュールは、図6に示すDC/DCコンバータモジュールに限定されるものではない。ここで、DC/DCコンバータモジュールの他の実施例について図面を参照しつつ説明する。
次に、本発明のDC/DCコンバータモジュールの実施形態3について図面を参照しつつ説明する。
本実施形態において、DC/DCコンバータモジュールは、図8に示すDC/DCコンバータモジュールに限定されるものではない。ここで、DC/DCコンバータモジュールの他の実施例について図面を参照しつつ説明する。
次いで、DC/DCコンバータモジュールの参考例について図面を参照しつつ説明する。
10,20,30 インダクタ素子
11,41,61 被覆部材
12a,22a,32a,32b 電極パッド
12b1,22b1 第1導出パッド
12b2,22b2 第2導出パッド
12c1,22c1 第1リードパッド
12c2,22c2 第2リードパッド
12c3,22c3 第3リードパッド
12c4,22c4 第4リードパッド
12c5,22c5 第5リードパッド
12c6,22c6 第6リードパッド
14 ICチップ
15,45 樹脂部
16 ワイヤ
21a,21b,21c シート
24 スルーホール
25 コイルパターン
34 コンデンサ
41a 凹部
50 デバイス
Claims (28)
- コイル部を備えたインダクタ素子において、
少なくとも半導体集積回路チップを搭載する配線パターンが形成されてなることを特徴とするインダクタ素子。 - 請求項1記載のインダクタ素子において、
前記配線パターンがメタルエッチングにより形成されてなるインダクタ素子。 - 請求項1記載のインダクタ素子において、
前記配線パターンがレーザ加工及びめっき技術により形成されてなるインダクタ素子。 - 請求項3記載のインダクタ素子において、
前記コイル部が絶縁性の被覆部材で覆われており、
前記配線パターンが、被覆部材の配線パターン形成部位へのレーザ照射による金属の析出と、無電解めっきによる前記析出した部位へのめっきとにより形成されてなるインダクタ素子。 - 請求項1〜請求項4のうちのいずれか一つの請求項記載のインダクタ素子において、
絶縁性を有する材料を用いて形成された複数のシートが積層されてなり、
前記複数のシートのうちの少なくとも一部のシートに、前記コイル部を構成するコイルパターンが形成されているインダクタ素子。 - 請求項5記載のインダクタ素子において、
前記複数のシートのうち、一つのシートに電極が、他の一つのシートに前記配線パターンが、前記一つのシートと前記他の一つのシートとの間に配置された中間シートに、前記電極と前記配線パターンとを電気的に接続するスルーホールが形成されているインダクタ素子。 - 請求項1〜請求項6のうちのいずれか一つの請求項記載のインダクタ素子と、当該インダクタ素子に搭載された前記半導体集積回路チップと、前記半導体集積回路チップを被覆する樹脂部とからなることを特徴とするDC/DCコンバータモジュール。
- 請求項7記載のDC/DCコンバータモジュールにおいて、
前記インダクタ素子に、コンデンサ、抵抗、ダイオード及びスイッチ素子のうちの少なくとも1つの電子部品がさらに搭載されているDC/DCコンバータモジュール。 - 請求項7記載のDC/DCコンバータモジュールにおいて、
前記インダクタ素子表面に凹部が形成されており、
前記配線パターンの少なくとも一部が前記凹部に形成され、
前記半導体集積回路チップが前記凹部に搭載され、
前記樹脂部が前記凹部に充填されているDC/DCコンバータモジュール。 - 請求項9記載のDC/DCコンバータモジュールにおいて、
前記配線パターンと前記半導体集積回路チップとがフリップチップにより電気的に接続されているDC/DCコンバータモジュール。 - 請求項9または請求項10記載のDC/DCコンバータモジュールにおいて、
前記凹部に、コンデンサ、抵抗、ダイオード及びスイッチ素子のうちの少なくとも1つの電子部品がさらに搭載されているDC/DCコンバータモジュール。 - 請求項1〜請求項6のうちのいずれか一つの請求項記載のインダクタ素子と、前記半導体集積回路チップを内蔵したデバイスとが貼り合わされてなることを特徴とするDC/DCコンバータモジュール。
- 請求項12記載のDC/DCコンバータモジュールにおいて、
前記デバイスは、コンデンサ、抵抗、ダイオード及びスイッチ素子のうちの少なくとも1つの電子部品をさらに内蔵するDC/DCコンバータモジュール。 - 請求項12または請求項13記載のDC/DCコンバータモジュールにおいて、
前記デバイスに貼り合わされた他のインダクタ素子をさらに備え、
前記インダクタ素子と前記他のインダクタ素子との間に前記デバイスが配置されているDC/DCコンバータモジュール。 - コイル部を覆う絶縁性の被覆部材表面に配線パターンを形成してインダクタ素子を得る素子形成ステップと、
前記インダクタ素子に少なくとも半導体集積回路チップを搭載する搭載ステップとを含むDC/DCコンバータモジュールの製造方法。 - 請求項15記載のDC/DCコンバータモジュールの製造方法において、
前記搭載ステップが、前記配線パターンに前記半導体集積回路チップをダイボンドするダイボンドステップと、前記配線パターンに前記半導体集積回路チップをワイヤボンドするワイヤボンドステップとからなるDC/DCコンバータモジュールの製造方法。 - 請求項15または請求項16記載のDC/DCコンバータモジュールの製造方法において、
前記搭載ステップでは、前記インダクタ素子に、コンデンサ、抵抗、ダイオード及びスイッチ素子のうちの少なくとも1つの電子部品をさらに搭載するDC/DCコンバータモジュールの製造方法。 - 請求項15〜請求項17のうちのいずれか一つの請求項記載のDC/DCコンバータモジュールの製造方法において、
前記DC/DCコンバータモジュールは複数のシートからなり、当該複数のシートのうちの少なくとも一部のシートに前記コイルを構成するコイルパターンが形成されており、
前記素子形成ステップでは、複数のシートを積層して前記被覆部材及び前記コイルを形成するDC/DCコンバータモジュールの製造方法。 - 請求項18記載のDC/DCコンバータモジュールの製造方法において、
前記複数のシートのうち、一つのシートに前記配線パターンが、他の一つのシートに電極が、前記一つのシートと前記他の一つのシートとの間に配置された中間シートに、前記配線パターンと前記電極とを電気的に接続するスルーホールが形成されているDC/DCコンバータモジュールの製造方法。 - 請求項15記載のDC/DCコンバータモジュールの製造方法において、
前記素子形成ステップでは、前記被覆部材表面に凹部を形成した後に当該凹部に前記配線パターンの少なくとも一部を形成し、前記搭載ステップでは、前記凹部に半導体集積回路チップを搭載し、
前記半導体集積回路チップを搭載した後に前記凹部に樹脂部を充填し、前記半導体集積回路チップを樹脂封止する樹脂封止ステップをさらに含むDC/DCコンバータモジュールの製造方法。 - 請求項20記載のDC/DCコンバータモジュールの製造方法において、
前記搭載ステップでは、前記配線パターンにフリップチップを用いて前記半導体集積回路チップを搭載するDC/DCコンバータモジュールの製造方法。 - 請求項20または請求項21記載のDC/DCコンバータモジュールの製造方法において、
前記搭載ステップでは、前記凹部に、コンデンサ、抵抗、ダイオード及びスイッチ素子のうちの少なくとも1つの電子部品をさらに搭載し、
前記樹脂封止ステップでは、前記電子部品も前記樹脂部で樹脂封止するDC/DCコンバータモジュールの製造方法。 - 請求項15〜請求項17のうちのいずれか一つの請求項または請求項20〜請求項22のうちのいずれか一つの請求項記載のDC/DCコンバータモジュールの製造方法において、
前記素子形成ステップでは、メタルエッチングにより前記配線パターンを形成するDC/DCコンバータモジュールの製造方法。 - 請求項15〜請求項17のうちのいずれか一つの請求項または請求項20〜請求項22のうちのいずれか一つの請求項記載のDC/DCコンバータモジュールの製造方法において、
前記素子形成ステップでは、レーザ加工及びめっき技術により前記配線パターンを形成するDC/DCコンバータモジュールの製造方法。 - 請求項24記載のDC/DCコンバータモジュールの製造方法において、
前記素子形成ステップでは、前記被覆部材の配線パターン形成部位にレーザを照射して金属を析出し、無電解めっきにより前記析出した金属をめっきして前記配線パターンを形成するDC/DCコンバータモジュールの製造方法。 - 請求項1〜請求項6のうちのいずれか一つの請求項記載のインダクタ素子を備えた電子機器。
- 請求項7〜請求項14のうちのいずれか一つの請求項記載のDC/DCコンバータモジュールを備えた電子機器。
- 請求項15〜請求項25のうちのいずれか一つの請求項記載のDC/DCコンバータモジュールの製造方法を用いて形成されたDC/DCコンバータモジュールを備えた電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009139536A JP2010287684A (ja) | 2009-06-10 | 2009-06-10 | インダクタ素子、このインダクタ素子を備えたDC(directcurrent)/DCコンバータモジュール、DC/DCコンバータモジュールの製造方法、及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009139536A JP2010287684A (ja) | 2009-06-10 | 2009-06-10 | インダクタ素子、このインダクタ素子を備えたDC(directcurrent)/DCコンバータモジュール、DC/DCコンバータモジュールの製造方法、及び電子機器 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010287684A true JP2010287684A (ja) | 2010-12-24 |
Family
ID=43543181
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009139536A Pending JP2010287684A (ja) | 2009-06-10 | 2009-06-10 | インダクタ素子、このインダクタ素子を備えたDC(directcurrent)/DCコンバータモジュール、DC/DCコンバータモジュールの製造方法、及び電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2010287684A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012234986A (ja) * | 2011-05-02 | 2012-11-29 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | インダクタ一体型リードフレーム、並びに、電子回路モジュール及びその製造方法 |
WO2017200693A1 (en) * | 2016-05-20 | 2017-11-23 | Qualcomm Incorporated | Apparatus with 3d wirewound inductor integrated within a substrate |
WO2018044543A1 (en) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | Qualcomm Incorporated | LOW PROFILE PASSIVE ON GLASS (PoG) DEVICE COMPRISING A DIE |
US10050005B2 (en) | 2013-11-27 | 2018-08-14 | Toray Industries, Inc. | Semiconductor resin composition, semiconductor resin film, and semiconductor device using the same |
US10602614B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-03-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Power supply module and power supply device |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08116218A (ja) * | 1994-10-14 | 1996-05-07 | Hitachi Ferrite Ltd | シングル・バランスド・ミキサー |
JPH10242339A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-09-11 | Citizen Electron Co Ltd | Smd型回路装置及びその製造方法 |
JP2000031772A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-01-28 | Tdk Corp | 低域通過型フィルタ |
JP2008130694A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Tdk Corp | 電子部品モジュール |
-
2009
- 2009-06-10 JP JP2009139536A patent/JP2010287684A/ja active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08116218A (ja) * | 1994-10-14 | 1996-05-07 | Hitachi Ferrite Ltd | シングル・バランスド・ミキサー |
JPH10242339A (ja) * | 1996-12-26 | 1998-09-11 | Citizen Electron Co Ltd | Smd型回路装置及びその製造方法 |
JP2000031772A (ja) * | 1998-07-09 | 2000-01-28 | Tdk Corp | 低域通過型フィルタ |
JP2008130694A (ja) * | 2006-11-17 | 2008-06-05 | Tdk Corp | 電子部品モジュール |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012234986A (ja) * | 2011-05-02 | 2012-11-29 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | インダクタ一体型リードフレーム、並びに、電子回路モジュール及びその製造方法 |
US10050005B2 (en) | 2013-11-27 | 2018-08-14 | Toray Industries, Inc. | Semiconductor resin composition, semiconductor resin film, and semiconductor device using the same |
US10602614B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-03-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Power supply module and power supply device |
WO2017200693A1 (en) * | 2016-05-20 | 2017-11-23 | Qualcomm Incorporated | Apparatus with 3d wirewound inductor integrated within a substrate |
US10026546B2 (en) | 2016-05-20 | 2018-07-17 | Qualcomm Incorported | Apparatus with 3D wirewound inductor integrated within a substrate |
WO2018044543A1 (en) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | Qualcomm Incorporated | LOW PROFILE PASSIVE ON GLASS (PoG) DEVICE COMPRISING A DIE |
CN109643701A (zh) * | 2016-08-31 | 2019-04-16 | 高通股份有限公司 | 包括管芯的低剖面玻璃基无源(PoG)器件 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10389241B2 (en) | Power supply converter and method for manufacturing the same | |
US7868431B2 (en) | Compact power semiconductor package and method with stacked inductor and integrated circuit die | |
TWI384739B (zh) | 組合式電路及電子元件 | |
JP5614286B2 (ja) | 半導体装置及び電源回路 | |
JP4434268B2 (ja) | 電子部品モジュール | |
US20090167477A1 (en) | Compact Inductive Power Electronics Package | |
JP2009246159A (ja) | 多出力磁気誘導素子およびそれを備えた多出力超小型電力変換装置 | |
JP2002233140A (ja) | 超小型電力変換装置 | |
JP2010287684A (ja) | インダクタ素子、このインダクタ素子を備えたDC(directcurrent)/DCコンバータモジュール、DC/DCコンバータモジュールの製造方法、及び電子機器 | |
JP6516017B2 (ja) | Lc複合デバイス、プロセッサおよびlc複合デバイスの製造方法 | |
JP3649214B2 (ja) | 超小型電力変換装置およびその製造方法 | |
JP2007318954A (ja) | 超小型dc−dcコンバータモジュール | |
JP2010141077A (ja) | 電子回路装置 | |
JP5711572B2 (ja) | アイソレータ用回路基板、アイソレータおよびそれらの製造方法 | |
JP2007081146A (ja) | インダクタ付半導体装置 | |
JP4936103B2 (ja) | Dc−dcコンバータ | |
US11456262B2 (en) | Integrated circuit | |
US7649746B2 (en) | Semiconductor device with inductor | |
JP2008251901A (ja) | 複合半導体装置 | |
JP2011019083A (ja) | 電子複合部品 | |
JP2015156423A (ja) | 半導体装置 | |
WO2017038264A1 (ja) | モジュール及びその製造方法 | |
JP2013004912A (ja) | 半導体モジュール | |
JP5229189B2 (ja) | 電子部品モジュール | |
JP2006296170A (ja) | 表面実装タイプチャージポンプ方式昇圧回路。 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20110824 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
|
A977 | Report on retrieval |
Effective date: 20120425 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20120508 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120607 |
|
A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20130305 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |