JP2017064676A - 触媒の製造装置 - Google Patents
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- 239000003054 catalyst Substances 0.000 title claims abstract description 199
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 72
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 98
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 93
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 60
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 54
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims abstract description 54
- 229910052696 pnictogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims abstract description 39
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 claims description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 abstract description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 134
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 39
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 39
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 33
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 31
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 30
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 239000005518 polymer electrolyte Substances 0.000 description 26
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 22
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 15
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 13
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 13
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- -1 argon ions Chemical class 0.000 description 11
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 description 8
- 229910001339 C alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 6
- 238000000026 X-ray photoelectron spectrum Methods 0.000 description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 4
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 4
- 238000001004 secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 4
- 238000004611 spectroscopical analysis Methods 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 238000001237 Raman spectrum Methods 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 2
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical group [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N Ethane Chemical compound CC OTMSDBZUPAUEDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000002134 carbon nanofiber Substances 0.000 description 1
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- MPMSMUBQXQALQI-UHFFFAOYSA-N cobalt phthalocyanine Chemical compound [Co+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 MPMSMUBQXQALQI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 description 1
- 238000003411 electrode reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000003014 ion exchange membrane Substances 0.000 description 1
- 239000002060 nanoflake Substances 0.000 description 1
- 239000002135 nanosheet Substances 0.000 description 1
- 239000002078 nanoshell Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Plasma Technology (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
Description
12、52 チャンバ
14、54 装置本体
16、56 基板ホルダ
18、62 原料ガス供給部
20、64 プラズマ生成部
22 放電室
24 放電用ガス供給器
26 プラズマ源
28 接続口
30 プラズマ導入部
32 リング状電極
34 対向電極
36 磁場生成部
38 永久磁石
39 コイル
40、80 スパッタリング部
42、82 保持部材
44、84 パルス電源
46、86 制御部
58 キャリア
60 排気口
66 アレイアンテナ
68 高周波電源
70 給電部
72 同軸ケーブル
90 単セル
92 高分子電解質膜
94 カソード電極
96 アノード電極
97 膜電極接合体
98 カソード側セパレータ
100 アノード側セパレータ
Claims (3)
- 炭素ナノ材料からなる触媒の製造装置であって、
前記触媒を形成する基板を収容するチャンバを有する装置本体を備え、
前記装置本体に設けられ、前記チャンバに、炭素源ガスを含む原料ガスを供給する原料ガス供給部と、
前記装置本体に設けられ、前記チャンバにプラズマを発生させるプラズマ発生手段と、
前記装置本体に設けられ、遷移金属源を含むターゲットを保持する保持部材と、前記装置本体に設けられ、前記ターゲットに負のパルス電圧を印加するパルス電源と、を有し、プラズマ中のイオン粒子で前記ターゲットをスパッタリングするスパッタリング部と、を有し、
前記原料ガス及び前記ターゲットの少なくとも一方に、第15族元素源を含むことを特徴とする触媒の製造装置。 - 請求項1に記載の触媒の製造装置であって、
前記プラズマ発生手段は、
前記装置本体に設けられ、前記チャンバと連通する放電室と、前記放電室に設けられ、前記放電室に放電用ガスを供給する放電用ガス供給器と、前記放電室に設けられ、前記放電室にプラズマを発生させるプラズマ源と、を有するプラズマ生成部と、
前記放電室に設けられる一対のリング状電極と、前記一対のリング状電極と対向させて前記チャンバに設けられる対向電極と、を有し、前記放電室に発生させたプラズマを、前記チャンバに導入するプラズマ導入部と、
前記チャンバに設けられ、前記チャンバと前記放電室とを接続する接続口を挟んで対向して配置される一対の永久磁石を有し、前記チャンバに導入されるプラズマをシート状に整形する磁場生成部と、
を備えることを特徴とする触媒の製造装置。 - 請求項1に記載の触媒の製造装置であって、
前記プラズマ発生手段は、
前記チャンバに配置され、複数の誘導結合型アンテナを一平面内に配置したアレイアンテナと、前記装置本体に設けられ、前記アレイアンテナに高周波電力を供給してプラズマを発生させる高周波電源と、を有するプラズマ生成部を備えることを特徴とする触媒の製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015196651A JP6656656B2 (ja) | 2015-10-02 | 2015-10-02 | 触媒の製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015196651A JP6656656B2 (ja) | 2015-10-02 | 2015-10-02 | 触媒の製造装置 |
Publications (2)
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---|---|
JP2017064676A true JP2017064676A (ja) | 2017-04-06 |
JP6656656B2 JP6656656B2 (ja) | 2020-03-04 |
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ID=58491226
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2015196651A Active JP6656656B2 (ja) | 2015-10-02 | 2015-10-02 | 触媒の製造装置 |
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---|---|
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019049921A1 (ja) * | 2017-09-11 | 2019-03-14 | 株式会社Ihi | 炭素繊維複合素材及びその製造方法、並びに炭素繊維複合素材の製造装置、プリプレグ、炭素繊維強化樹脂複合材料 |
JP2019073788A (ja) * | 2017-10-19 | 2019-05-16 | 株式会社不二越 | プラズマスパッタリング成膜装置 |
WO2021125334A1 (ja) * | 2019-12-20 | 2021-06-24 | 国立大学法人東海国立大学機構 | カーボンナノウォールとその製造方法および気相成長装置 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001262335A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-09-26 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 被膜の被覆方法 |
JP2005076105A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Bridgestone Corp | 酸窒化チタン膜の成膜方法 |
WO2005110599A1 (ja) * | 2004-05-13 | 2005-11-24 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | 光触媒性積層膜 |
JP2006036593A (ja) * | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Univ Waseda | 単層カーボンナノチューブの製造方法およびその製造装置 |
JP2006144052A (ja) * | 2004-11-17 | 2006-06-08 | Bridgestone Corp | 金属ドープTiO2膜の成膜方法 |
JP2008056546A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Ihi Corp | 炭素構造体の製造装置及び製造方法 |
JP2008106362A (ja) * | 2002-10-04 | 2008-05-08 | Ihi Corp | 薄膜形成方法及び装置並びに太陽電池の製造方法及び装置並びに太陽電池 |
JP2013087293A (ja) * | 2011-10-13 | 2013-05-13 | Ihi Corp | アレイアンテナ式のcvdプラズマ装置 |
WO2014157738A1 (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-02 | 東京エレクトロン株式会社 | カーボンナノチューブ成長方法 |
-
2015
- 2015-10-02 JP JP2015196651A patent/JP6656656B2/ja active Active
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001262335A (ja) * | 2000-03-21 | 2001-09-26 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 被膜の被覆方法 |
JP2008106362A (ja) * | 2002-10-04 | 2008-05-08 | Ihi Corp | 薄膜形成方法及び装置並びに太陽電池の製造方法及び装置並びに太陽電池 |
JP2005076105A (ja) * | 2003-09-02 | 2005-03-24 | Bridgestone Corp | 酸窒化チタン膜の成膜方法 |
WO2005110599A1 (ja) * | 2004-05-13 | 2005-11-24 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | 光触媒性積層膜 |
JP2006036593A (ja) * | 2004-07-27 | 2006-02-09 | Univ Waseda | 単層カーボンナノチューブの製造方法およびその製造装置 |
JP2006144052A (ja) * | 2004-11-17 | 2006-06-08 | Bridgestone Corp | 金属ドープTiO2膜の成膜方法 |
JP2008056546A (ja) * | 2006-09-01 | 2008-03-13 | Ihi Corp | 炭素構造体の製造装置及び製造方法 |
JP2013087293A (ja) * | 2011-10-13 | 2013-05-13 | Ihi Corp | アレイアンテナ式のcvdプラズマ装置 |
WO2014157738A1 (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-02 | 東京エレクトロン株式会社 | カーボンナノチューブ成長方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019049921A1 (ja) * | 2017-09-11 | 2019-03-14 | 株式会社Ihi | 炭素繊維複合素材及びその製造方法、並びに炭素繊維複合素材の製造装置、プリプレグ、炭素繊維強化樹脂複合材料 |
JPWO2019049921A1 (ja) * | 2017-09-11 | 2020-11-19 | 株式会社Ihi | 炭素繊維複合素材及びその製造方法、並びに炭素繊維複合素材の製造装置、プリプレグ、炭素繊維強化樹脂複合材料 |
US11346046B2 (en) | 2017-09-11 | 2022-05-31 | Ihi Corporation | Carbon fiber complex material and manufacturing method thereof, manufacturing apparatus for carbon fiber complex material, prepreg, and carbon fiber reinforced plastic composite material |
JP2019073788A (ja) * | 2017-10-19 | 2019-05-16 | 株式会社不二越 | プラズマスパッタリング成膜装置 |
WO2021125334A1 (ja) * | 2019-12-20 | 2021-06-24 | 国立大学法人東海国立大学機構 | カーボンナノウォールとその製造方法および気相成長装置 |
JP2021098624A (ja) * | 2019-12-20 | 2021-07-01 | 国立大学法人東海国立大学機構 | カーボンナノウォールとその製造方法および気相成長装置 |
JP7274747B2 (ja) | 2019-12-20 | 2023-05-17 | 国立大学法人東海国立大学機構 | カーボンナノウォールの製造方法 |
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JP6656656B2 (ja) | 2020-03-04 |
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