JPS61194180A - 中空放電蒸着装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は通常プラズマを用いる薄膜の気相合成（以下総
称してプラズマＯＶＤと言う）装置に係り、特にイオン
化効率の大ならしめる中空陽極放電を利用したプラズマ
イオン供給装置と、そｎに対向配置される中空陰極内放
電を利用する中空陰極内放電電極を具備し、プラズマイ
オン反応を極めて高度に可能ならしめる気相蒸着装置に
関する。

（従来の技術） 近年、プラズマＣ’ＶＤの手法として高周波容量結合放
電型、　　　　　　　　　−高周波誘導結合放電型、マ
イクロ波放電型、直流平行平板放電型、及びそｎらの組
合せ型、マグネトロン並用型等積々のタイプのものが提
案され一部生産にも応用されているが、いずｎの場合も
各種反応ガス類をいかに効率よくイオン化せしめ、反応
性を高めるかが重要な問題として検討されている。

しかし、前記各手法を含め従来の方式でのイオン化率は
通常４％から大きく見ても４０％程度である。しかも二
つ以上の異種ガス（化合物ガス、金属蒸気をも含む）を
同時に導入し化合物合成を計る場合、導入ガスの種類に
よるイオン化電位のちがいに応じたイオン化率調整に関
する対応が困難で、生成された膜材質は必ずしも期待さ
れる組成のものが得らｎているとは言えない。現状極め
て限らｎた条件、制約のもとて２〜３の物質合成（例え
ばアモルファスシリコンの太陽電池への応用、Ｓｉ３Ｎ
、の半導体関連への応用）に成果を生み出しているにす
ぎない。生成された膜特性も処理真空度、処理温度、残
留不純物元素の混入等、処理条件によって著しく変化し
、要求される種々の膜特性を任意にコントロール化する
ことができていない。さらにイオン化率、処理温度、処
理圧力等限定された条件による制約上、合成膜の被処理
物（以後基板という）との密着性も任意のコントロール
が困難で、４？に密着力を要求される例えば切削工具、
金型等へのコーティングには全く対応されていない。

さらに従来のプラズマＯＶＤ法では凹凸の大きな基板の
特に凹面へのコーティングが困難で、複雑形状の基板に
はほとんど対応が困難である。

〔発明が解決しようとする問題点〕

本発明は上記問題点を検討し、装置改良を積み重ねて発
明するに致ったもので、導入ガス体のイオン化率不足に
関する問題、二つ以上の異種ガス体（化合物ガス、金属
蒸気等）を同時導入した場合のイオン化電位の違いによ
るイオン化率の相違に基づく膜組成コントロールに関す
る問題、真空チャンバー、イオン供給源から発生する膜
汚染に関する問題、膜の基板との密着力不足に関する問
題、凹凸の大きな複雑形状基板、特に円筒内面へのコー
ティングに関する問題点等を検討し解決を計ることを目
的とした。

（問題を解決するための手段） 本発明は、真空チャンバヘア）と、この真空チャンバー
内に設置された中空陽極放電管（１）とこの中空陽極放
電管（１）に対して離間して対向配置された中空陰極内
放電管（５）を設け、上記各電極間にアーク放電を生起
せしめるアーク放電用電源（２）、（４）を接続し、上
記中空陽極放電管（１）内にガス供給を行ない得る構造
と、上記中空陰極内に基板（６）全配置できる手段とを
具え、上記アーク放電により導入ガス体の中空陽極放電
による正イオンの形成を可能ならしめ、上記中空陰極内
放電管（５）に供給することにより中空陰極構成電を極
めて強化させ上記中空陽極放電管（１）から供給される
正イオンをさらに放電イオン化させ、上記基板（６）表
面に加速衝突させて極めてコントロールされた組成の膜
（化学量論的に正規な組成を有する膜）の合成を可能に
する。

尚中空陽極放電管（１）はガス供給部α４、αυ、αＧ
あるいは真空チャンバー（７）等周辺機器とも絶縁され
つつプラス電位の直流電圧を電源トランス（２）により
印加するもので、その形状は円筒状あるいは多角形状い
ずｎも可能で中空であることが要点である。また真空チ
ャンバー内圧力か１０　ｔｏｒｒ以上の高真空では通常
直流電圧による放電イオン化が困難であるため真空チャ
ンバー（７）内圧力と中空陽極放電管（１）内圧力に差
圧を生せしめ直流電圧により安定した中空陽極放電を生
起させ、持続させるため中空陽極放電管（１）の先端を
絞ったり、あるいは逆に真空チャンバー（方向圧力が数
切ｒｒ〜数＋ｔｏｒｒの場合中空陽極放電管（１）内圧
力も数ｔｏｒｒ〜数＋ｔｏｒｒに保つことができるよう
に開先端構造を取り、なるべく圧力差を生起させないよ
う各種改良により中空陽極放電を安定傅持続させ、適正
イオン供給を計った。

ま念前記中空陰極内放電管（５）は基板（６）を内部あ
るいは表面上に保持できる構造を持ち、真空チャンバー
（７）あるいは対向する中空陽極放電管（１）等とは絶
縁されつつマイナス電位の直流電源（４）、あるいは必
要に応じて高周波電源Ｑηを併用接続できる中空円筒状
、あるいは中空多角形状の中空陰極構成により基板（６
）上棟々の薄膜合成を可能にした。

尚本発明で言う中空なる陰極空間は基板（６）と基板（
６）の間で形成される凹部も含めて中空と称す。

上記中空陽極放電管（１）にはプラスの直流電圧を５ｖ
〜３ＱＫＶの範囲で印加することにより導入ガス体のイ
オン化率向上を著しく可能にし、その最適電圧は導入ガ
スの種類、量、圧力あるいは中空陽極放電管（１）の長
さ、断面形状等に応じて調整できるものとし、さらに複
数のガス体を同時に使用し化合物合成を可能にするため
導入ガスの数、導大ガスのイオン化電位の違いに応じて
印加する陽極電圧の調整が可能な同型あるいは異形状の
中空陽極放電管（１）を複数個組み合せて用いることに
よりイオン化率の高い複数イオン供給を可能にし化合物
組成の最適化を計った。

さらに前記中空陰極内放電管（５）に印加するマイナス
の直流電圧も５■〜３ＱＫＶの範囲内とし、前記中空陽
極放電管（１）より供給されてくるイオンをさらに放電
電離させ基板（６）の表面に加速衝突させ強固な膜合成
を計った。

この中空陰極内放電管（５）も処理真空度に応じ安定し
た放電が持続できるよう各種形状を持たせ対応を計るこ
とが可能である（図２、図３）。また、Ｓ　ｉ　Ｏ，ａ
４，０．　Ｓ　ｉ、１１．等絶縁物被覆を行なう場合直
流放電のみでも可能であるが、高周波電源α１を中空陰
極内放電管（５）に併用接続することも効果的でありｆ
ｃ。

このような中空放電を利用した蒸着装置はその簡単な電
極構造にもかかわらずイオン化率の向上、複数ガス体の
イオン化コントロールとそｎによる膜組成の調整が可能
であるのみならず、密着性良く、かつ中空凹部の陰極放
電を利用することから凹凸のある基板（６）の内面への
被覆が可能となり、さらに異常放電の発生頻度も少なく
、膜の汚染が極めて少ない長寿命の電極を有する蒸着装
置の組みたてを可能にした。

（作　用） 本発明は、中空管にガス体を導入しその中空管に直流陽
極電位を印加し、中空陽極放電を生起させることにより
導入ガス体を励起し陽イオンを引き出し、対向配置され
た中空陰極内放電管（５）に供給するもので中空陰極内
放電管（５）内では中空陽極放電管（１）より供給され
たイオンをさらに電子との衝突で、高度にイオン化され
た状態にし、中空陰極内放電管（５）内部あるいは表面
部に保持された基板（６）の表面へ電気的に加速衝突さ
せ、通常には起り得ないプラズマイオン化学反応を引き
起こし、金属膜、化合物膜、あるいは合金膜の形成を可
能にするものである。

即ち、中空管に適当な直流陽極電位を印加し、適切なガ
ス導入を計ることにより真空中容易に存在し得る電子（
即ち太陽の紫外線やいろいろの放射線のため気体分子の
ごく一部は電離し電子やイオンを発生する）を引き寄せ
導入ガス体と衝突電離を起す放電現象を開始する。一方
中空管に適当な直流陰極電位を印加した中空陰極内放電
管（５）は上記真空中存在しうるイオンを引きよせ放電
を開始する。この場合中空陽極放電は電子を引き寄せイ
オンを放出し、一方中空陰極内放電においてはイオンを
引き寄せ電子が放出される。相方とも適正電圧、適正真
空度に保つことにより相互に必要なもの（電子あるいは
イオン）を提供し合い、放電は一層活発化され助長促進
し合う。

このようにして導入されたガス体の中空陰極内放電管（
５）内のイオン化率はプラズマの探針性調査の結果、９
０チ以上であることが確認された。

本発明は種々のガス体において、上記の如く極めて高い
比率のイオン化ガスを得ることが可能であることを発見
し、発明に到ったもので、その中空陽極、中空陰極の各
放電における理論的解明に到っていないが、本発明によ
り特に中空管形状、放電電離真空度、中空陽極電圧、中
空陰極電圧を適正化することで比較的簡素な構造で高イ
オン化率ガス体を得ることが可能で、かつ通常的には形
成困難な物質の合成が可能となった。

尚中空管形状、放電電離真空度、陽極電圧、陰極電圧の
適正条件は真空チャンバー（７）の大きさ、形状、導入
ガス体の種類あるいは合成しようとする物質の組成、特
性に応じて決定さする。

しかし特に留意すべき点は中空管に印加する直流陽極電
圧１、直流陰極電圧で、その範囲はいずｎも５ｖ〜３Ｑ
ＫＶである。通常存在する元素のイオン化エネルギーは
５　ｅｖから２５　ｅｖと言わｎている。従ってイオン
化に要する電圧は５ｖ〜ａＯＶ程度となるが、導入ガス
体が特に化合物である場合イオン化の割合が小さくなり
、従って通常２５Ｖ以上が好ましい＠ さらにイオン化率向上のため印加電圧を高くすることが
望ましいが、電圧増大につｎて異常放電め発生、中空放
電管の電子衝撃、イオン衝撃による加熱消耗等異常発生
の頻度が高くなる。従って実用上上限は３０ＫＶに限定
される。

さらに複数のガス体を同時に導入し、二つ以上の異種イ
オンを形成し化合物薄膜あるいは合金薄膜の合成を目的
とする場合、各導入ガス体の分解励起イオン化の向上を
可能にするため、複数の中空陽極放電管（１）を並置し
たり、一つの中空陽極放電管（１〜ｌ）内に別の中空陽
極放電管（１〜２）を配置し多極、多重の中空管構造と
し各々陽極電位を別々の電源（２〜１．２〜２）にて印
加できる構造にすることにより各導入ガス体毎の分解励
起イオン化に要する電気的エネルギー供給を可能にした
。こｎにより中空陰極内放電管（５）に供給するイオン
量を調節し、要求される特性を持つ膜の合成が可能とな
る。

一層Ａｒイオン等不活性ガスイオンを中空陽極放電管（
１）より発生させ中空陰極上もしくは中空陰極内放電管
（５）内部の基板（６）に照射することにより基板（６
）の表面が不活性イオンの衝突によりクリーニングされ
１供給ガスの切換えを計るだけで、引き続き合成される
物質の基板（６）への密着性も大幅に改善される。

以上の作用により著しく活性化されたプラズマイオンが
形成され１膜組成の調整、膜特性の改善、あるいは合成
された膜の基板との密着性改善を飛躍的に増大させるこ
とができた。

また本発明は従来から使用されているイオン銃の如く複
雑構造を用いず、出来るだけ簡素化した中空陽極構造に
することにより（１）異常発生が極めて少ない、（２）
中空陽極に衝突するのは電子のみであるため、異常昇温
や中空陽極管の消耗が極めて少なく、使用寿命が著しく
長い、（３）陽極管材料の溶融蒸発による膜材質の汚染
を極めて低減させ得る等の特徴を有するイオン発生機構
とさらにイオン化放電を増大させる中空陰極内放電管（
５）を併用することにより従来の技術で問題となってい
る事項の大幅改善が可能となった。即ち本発明により硬
質被膜物質のコーティング、あるいは種々の目的特性を
有する化学量論的に正規な組成の物質合成を可能ならし
めるものである。

（実　施　例） 本発明の実施例を添付図面に基づいて説明する。

なお、図面中間−符号は同一部材又は均等部材を示す□ 第１図はＴｉ　［Ｎ（ＣＨ，）、］、　、　Ｂ５Ｎ５Ｈ
，、Ｓｉｎ、Ｔｉ（ｚ、あるいはＮｅ１Ａｒ等のガス体
を用い、化合物膜あるいは金属膜を形成させたり、Ｎｅ
、Ａｒ等不活性ガスイオンによるイオンエツチングを目
的とする場合の例を示す。ガス供給源αＱから流量計（
ト）、ガス流量調節バルブα尋を介して直流電源（２）
のプラス出力側に接続さ几た中空陽極放電管（１）にガ
ス体を導入する。尚、中空陽極放電管（１）はガス供給
装置α尋、αＱている。一方直流電源（４）のマイナス
側出力端子に接続され１前記中空陽極放電管（１）に対
向配置され放電管（５）も真空チャンバー（７）、ある
いは対向配置される中空陽極放電管（１）及びその他真
空チャンバ１“イ５ ている。中空陰極内放電管（５）は必要に応じて高周波
電源αηにも接続できるものとし各種物質合成の可能性
をさらに高めることもできた。

中空陽極放電管（１）及び中空陰極内放電管（５）はＴ
ａ。

Ｍｏ、Ｗ　　あるいはステンレス等の導電性物体であｎ
ぽいかなる材料でも可能で、その形状は円筒状、多角形
状いずｎも可能で、中空形状をなすものであｎは良い。

真空チャンバー（７）は真空排気孔α１から油拡散ポン
プ、油回転ポンプ等真空排気装置に接続され１必要に応
じて数＋ｔｏｒｒ〜１０　　ｔｏｒｒ　あるいはそｎ以
上の高真空に排気される。

このような構成からなる中空放電蒸着装置に前記ガス体
を導入し陽極電位を印加することにより前述の通り電子
と導入ガス体の著しい衝突電離を発生させ導入ガス体の
イオン化を促進する。形成されたイオンは中空陰極内放
電管に供給され中空陰極内放電を一層強化＊式、基板（
６）に照射される。導入ガスがＡｒ等不活性ガスの場合
、基板（６）はａｒイオン照射によるイオンエツチング
を受け、導入ガスがＳｉＨ４である場合、基板（６）上
に８１膜が形成されたり電圧に応じて基板（６）中に８
１イオンが注入されたりする。また導入ガスがＴ’（Ｎ
（ＣＨｓ）ｔ〕ａ等の化合物であｎば王Ｔｉ（Ｃ！Ｎ）
等の化合物膜が基板（６）上に形成される。

このように目的に応じた導入ガス体を用い、陽極電圧、
陰極電圧を調整することによりイオンエツチング、イオ
ン注入あるいは膜合成が可能になった０ 通常直流電界により導入ガス体が放電し、化合物等の分
解、励起、イオン化が可能な領域は前述の如く、数十ｔ
ｏｒｒから１０ｔｏｒｒ程度である。しかしながら、真
空チャンバー（力の内壁吸着ガスによる基板（６）への
汚染防止、あるいはイオンの飛散距離（ｍｅａｎ　ｆｒ
ｅｅ　ｐａｔｈ）の増大等を計って処理条件の改善が望
まｎ１真空チヤンバー（７）中の真空度を上げ１０ｔｏ
ｒｒ〜１０ｔｏｒｒとして処理する必要が生ずる場合が
ある。かかる場合、第２図に示す如く中空放電管（１）
あるいは（５）の先端を絞ることにより中空放電管内の
圧力を数ｔｏｒｒ〜１０ｔｏｒｒの安定放電領域に保持
させる事もできる。

逆に数＋ｔｏｒｒの真空チャンバー圧力の中で安定放電
°を持続させたい場合、第３図の如く、開先端中空形状
にすることにより中空管内部の圧力と真空チャンバー内
圧力との間にできるだけ圧力差を生ぜしめない構造にす
ることにより放電の安定化を計ることも可能である。さ
らにこの図に示される如く基板（６）が中空物体でかつ
被覆必要部が！％に中空内面である場合、平らな陰極放
電板（５）を用いても可能で、本発明に基づく中空陰極
内放電は基板のもつ中空部で可能ならしめることができ
た。

せ、導入ガスのイオン化を計り、最も好ましい性能を持
つ薄膜例えばＳｉ、Ｎ、　Ｂ　Ｎ化合物を合成するもの
である。ガス供給装置（１４〜１．１４〜２．１５〜１
．１５〜よ 今一＆−２−，１６〜１．１６〜２）から直流電源（２
〜１．２〜２）にそｎぞｎ接続された中空陽極放電管（
１〜１．１〜２）にガスを供給し、導入ガスのイオン化
に応じた印加電圧を調整し、膜合成に適し次イオンを供
給するものである。供給されたイオンを再度中空陰極内
放電によりイオン化率を高め中空陰極内放電管（５）内
の基板（６）に衝突させ膜合成を可能ならしめた。この
ように中空陽極放電管（ｌ−１，１〜２）を複数個並置
することにより複数ガスのイオン化調整が可能で種々の
化合物薄膜の合成を可能とした。

また複数ガスのイオンを供給してもそｎぞｎのイオンの
混合が困難なガスに関しては第５図に示す如く、中空陽
極放電管（１〜１）内に第２第３の中空陽極放電管（１
〜２）等を保持できる構造が化合物膜合成に極めて効果
があった。

尚第５図に示す如く必要に応じて基板ヒーター（８）を
絶縁ガイシαｊを介し、基板ヒーター電源（３）に接続
し、加熱することで基板（６）への被膜密着性向上を計
ることが可能で、・かつ基板ヒーター（６）からの熱電
子放出により中空放電を一層活発にすることもできる。

使用例１ 第１図に示す装置を用い、導入ガスをＴｉ［Ｎ（”ｘ）
ｚ）＋とし、Ｔ１ＣＮ膜合成を下記の条件で行なつた０ 中空陽極電圧　　　＋１０００’Ｖ 真空チヤンバー圧力　　　ＩＸＩ（１″″’ｔｏｒｒ中
空陽極放電管形状　　　φ２５　　Ｘ　　ｔ１５０゜中
空陽極放電々流　　　　３．５〜４Ａ中空陰極電圧　　
　−５ｏｏＶ 中空陰極内放電管形状　　　φ３５０ｗＸ１２００ｍ中
空陰極内放電電流　　４．５Ａ〜 ５Ａ基板材質　Ｈ８Ｂチップ（ＳＮＧＮ４３２訓瞠）得
らＡ７’（膜組成はＴｉＣに近い銀白色のＴ１ＣＮ膜で
ＨＶ２２００〜２３００、Ｘ線回折の結果Ｔ　ｉ　ＣＯ
，８Ｎ　Ｏ，２と判定された。

Ｈ２Ｓ　（高速度工具鋼）チップ（形状：５ＮＧ４３２
の超硬チップ形状規格と同一）に処理し、５４５Ｃ（Ｈ
Ｂ１８Ｇ〜２００）を連続切削試験にて評価したところ
、無処理品の切削寿命に対し約６倍以上の寿命向上が確
認された。

使用例２ 第４図に示す装置を用い、導入ガスをＳｉＨ，とし反応
ガスをＮ、として中空陽極放電管（ｌ−１，１〜２）に
導入し５１３Ｎ４＠の合成を下記の条件で行なった。

中空陽極放電管形状　φ２５ｖｒＸ１１００ｇφ３５ｙ
ｕｓＸｔ１００ｔｕｒ導　　入　　ガ　　ス　　Ｓ　ｉ
　Ｈ，Ｎ。

中空陽極放電々流　　　３３〜３．５Ａ　　　　　２．
５Ａ真空チヤンバー圧力　　　　ｓ　ｘ　ｉ　ｏ−２ｔ
ｏｒｒ中空陰極電圧　　　　−ａｏｏｖ 中空陰極内放電管形状　　φ２００ｍＸ１２００ｔｕ中
空陰極内放電電流　　　　　　　８Ａ〜ＩＯＡ基　　　
板　　　　　　Ｈ８Ｓチップ（ＳＮＧＮ４３２型）得ら
ｎた膜組成はα型結晶構造を有するＳｉ３Ｎい灰色膜で
膜の正確なかたさは測定困難であったが約！（ｖ２ｏｏ
ｏ〜２５００で非常に硬い。ＨＢＢチップに処理Ｌ　５
４５Ｃ！（ＨＢ１８０〜２００　）を用い連続切削試験
にて評価した所、無処理品に比べ３倍以上の寿命向上、
ねずみ鋳鉄を連続切削試験したところ無処理品に比べ４
倍以上の寿命向上が認めらｎた。

使用例３ 第５図に示す装置構成を用い、導入ガスとしてＢ２Ｈ，
反応添加ガスとしてＮ２を供給することによりＢＮ＠合
成が可能である。

中空陽極放電管　１〜１１〜２ 中空陽極電圧　　２５００Ｖ　　２０００Ｖ中空陽極放
電管形状　φ８０ｙ１ｘｌ　１５０ＭＸφ４０に１１Ｘ
　１２０ａｌｔ導　　入　　ガ　　ス　　　　　Ｎ２　
　　　　　　Ｂ、Ｈ。

中空陽極放電々流　　２．５〜２．７Ａ　　　１．９〜
２．３Ａ真空チヤンバー圧力　　　５　Ｘ　１０　　ｔ
ｏｒｒ中空陰極電圧　　　　５００Ｖ 中空陰極内放電管形状　　ｃｂ　１００ｍＸｔ　１００
ｒｕ中空陰極内放電電流　　　　　３．４〜３．６Ａ高
周波出力　　　６００Ｗ 基　　　　板　　　　　Ｈ８Ｓチップ（ＳＮＧＮ４３２
型）基板ヒーター　　　１０Ｖ　ａｏＡ（ｓｏｏ℃）上
記諸条件によｒ）　Ｈ２Ｓ　（高速度工具鋼）基板上非
常に硬いアモルファスＢＮ膜が形成され、　一部ｖｃ（
３−ＢＮの合成がＸ線回折の結果確認された。

（発明の効果） 本発明に基づく中空放電を利用することにより次のよう
な諸効果を発揮する。

（１）高イオン化率ガス体の形成により通常的には形成
困難な物質の合成が可能。

（２）複数ガス体そｎぞｎの分解エネルギー、イオン化
エネルギーに応じ、任意に分解、イオン化の調整が可能
で、化学量論的に正規な組成を有する物質の合成が可能
。

（３ン高イオン化率ガス体の基板へ照射が可能で密着性
の極めて高い薄膜蒸着が可能。

（４）中空陰極内放電により中空物体の内面へのコーテ
ィングが可能。

（５）高いプラズマエネルギーを利用して化合物合成の
低温化が可能。

（６）不純物混入の要因が極めて少なく膜特性に及ぼす
弊害が極めて少ない。

（７）構造簡便な中空放電電極を利用するもので、装置
寿命が長く、放電も安定して持続される。

（８）ガス体にて供給できる物質であｎばすべて使用可
能で、目的元素を含む物質（金属、非金属あるいはそｎ
らの化合物）の形成が可能となり従来使わｎている電子
銃、溶解ルツボ等複雑構成を持つ蒸発源が不要となる。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図、第３図、第４図、第５図は本発明にお
ける実施態様の装置をそｎぞｎ示した要部断面図である
。 １．１〜１，１〜２・・・中空陽極放電管２．２〜１，
２〜２・・・電源トランス［有］３・・・基板ヒーター
用電源　　４・・・電源トランス５・・・中空陰極内放
電管　　６・・・基　板７・・・真空チャンバー　　８
・・・基板ヒーター１０・・・真空排気孔 １１．１２，１３・・・絶縁ガイシ １４・・・ガス流量調節パルプ １５・・・流量計　　　　　　１６・・・ガス供給源Ｃ
・・・コンデンｆ　−Ｌ・・・インダクタンスＲ・・・
抵　抗 代理人　弁理士　　河　内　潤　二 第３凹 Ｘ 第４　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 真空チャンバーと、この真空チャンバー内に設置された
   中空陽極放電管と、この中空陽極放電管に対して離間対
   向配置された中空陰極放電管と、上記各極間にアーク放
   電を生起せしめるアーク放電用電源と、前記中空陽極放
   電管内にガス供給を行ない得る構造と、前記中空陰極放
   電管内に被処理物を配置できる手段とを具備し、前記ア
   ーク放電に基づく中空陽極放電により供給ガスは正イオ
   ンに電離され前記中空陰極放電管に供給することにより
   、中空陰極内放電を極めて強化せしめ、供給された正イ
   オンを強烈に引き込み前記被処理物表面に蒸着膜を形成
   させることを特徴とする中空放電蒸着装置。