JP2017063061A - 発光装置の作製方法 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性の高いフレキシブルな発光装置を簡便に提供することを目的の一とする。
また、その発光装置を搭載した電子機器または照明装置を提供することを目的の一とする
。
【解決手段】発光素子を含む素子部を、可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板と
、金属基板とで挟持し、さらに素子部の外周部において素子部の上下に設けられた絶縁層
が互いに接して素子部を封止する構造を有する発光装置により信頼性の高い発光装置を得
ることができる。また、このような構成の発光装置を電子機器または照明装置に搭載して
、信頼性の高い電子機器または照明装置を得ることができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：Ｅ
Ｌ）を利用した発光素子を有する発光装置に関する。また、その発光装置を用いて作製し
た照明装置、またはその発光装置を表示部に搭載した電子機器に関する。

近年、テレビ、携帯電話、デジタルカメラ等のディスプレイや、照明装置に搭載する発光
装置として、平面的で薄型の発光装置が求められており、この要求を満たすための発光装
置として、自発光型である発光素子を利用した発光装置が注目されている。自発光型の発
光素子の一つとして、エレクトロルミネッセンスを利用する発光素子があり、この発光素
子は、発光材料を一対の電極で挟み、電圧を印加することにより発光材料からの発光を得
ることができるものである。このような自発光型の発光素子は、薄膜化が可能なこと、ま
たは応答速度が速いことが特徴の一つである。

この分野における次のフェーズとしては、曲面を再現できるフレキシブルな発光装置の商
品化が注目されており、様々な提案がなされている（例えば、特許文献１参照）。また、
フレキシブルな支持基板を用いた発光装置は、ガラス基板等を支持基板として用いた場合
と比較して非常に軽量化することができる。

しかしながら、このようなフレキシブルな発光装置の実用化における最大の難関はその寿
命にある。これは、フレキシブルな発光装置においては、発光素子を支持すると共に外界
の水分や酸素などから素子を保護すべき支持基板として、可撓性を有するものの透水性が
高く、耐熱性の低いプラスチック基板を用いる必要があることが原因となっている。プラ
スチック基板はその耐熱性が低い為に、高温をかけて良質な保護膜を作製することができ
ず、プラスチック基板を用いた側からの水分の侵入が発光素子ひいては発光装置の寿命に
大きな悪影響を及ぼしてしまう。

例えば、非特許文献１ではポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）をベースとした基板上に発光
素子を作製し、アルミニウムのフィルムで封止を行ったフレキシブル発光装置を作製した
例が紹介されているが、その寿命は２３０時間程度であり、実用にはほど遠い。また、非
特許文献２及び非特許文献３では、ステンレス基板上に発光素子を作製したフレキシブル
発光装置の例が紹介されているが、ステンレス基板側からの水分等の侵入は抑制されてい
るものの、発光素子側からの水分の侵入を有効に防止することができない。その為、発光
素子上には、複数種の材料を何層も繰り返し積層した封止膜を適用することにより寿命の
改善を試みている。

なお、アルミニウムのような金属薄膜、またはステンレス基板は、可撓性と透水性の低さ
を同時に持ち合わせているが、通常の厚さでは可視光を透過しないため、発光装置におい
ては発光素子を挟持する一対の基板のうち、どちらか一方のみに使用が限られる。

特開２００３−２０４０４９号公報

Ｇｉ Ｈｅｏｎ Ｋｉｍら，ＩＤＷ’０３，２００３，ｐ．３８７−ｐ．３９０ Ｄｏｎｇ Ｕｎ Ｊｉｎ他，ＳＩＤ ０６ ＤＩＧＥＳＴ，２００６，ｐ．１８５５−ｐ．１８５７ Ａｎｎａ Ｃｈｗａｎｇ他，ＳＩＤ ０６ ＤＩＧＥＳＴ，２００６，ｐ．１８５８−ｐ．１８６１

上記の問題を鑑みて、本発明の一態様は、信頼性の高いフレキシブルな発光装置を簡便に
提供することを目的の一とする。また、その発光装置を搭載した電子機器または照明装置
を提供することを目的の一とする。

上記課題は、発光素子を含む素子部を、可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板と
、金属基板とで挟持し、さらに素子部の外周部において素子部の上下に設けられた絶縁層
が互いに接して素子部を封止する構造を有する発光装置により達成することが可能である
。

すなわち、本発明の一態様は、可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板と、基板上
に設けられた第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に設けられ、発光素子と、発光素子に電位
をかけるためのスイッチング素子とを少なくとも有する素子部と、素子部の側面及び上面
を覆う第２の絶縁層と、第２の絶縁層上に設けられ、基板と対向する金属基板と、を有し
、素子部の外周において、第１の絶縁層と第２の絶縁層との少なくとも一部が互いに接す
る発光装置である。

また、本発明の一態様は、可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板と、基板上に設
けられた第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に設けられ、発光素子と、発光素子に電位をか
けるためのスイッチング素子とを少なくとも有する素子部と、素子部の側面及び上面を覆
う第２の絶縁層と、第２の絶縁層上に設けられた樹脂膜と、樹脂膜上に設けられ、基板と
対向する金属基板と、を有し、素子部の外周において、第１の絶縁層と第２の絶縁層の少
なくとも一部が互いに接する発光装置である。

また、上記構成において、基板における発光素子と対向する面と反対の面に、第３の絶縁
層が設けられていてもよい。

また、本発明の一態様は、可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板と、基板上に設
けられた第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に設けられ、発光素子と、発光素子に電位をか
けるためのスイッチング素子とを少なくとも有する素子部と、素子部の側面及び上面を覆
う第２の絶縁層と、第２の絶縁層上に設けられ、素子部の外周を囲むシール材と、基板と
対向する金属基板と、を有し、素子部の外周であって、シール材で囲まれた領域において
、第１の絶縁層と第２の絶縁層の少なくとも一部が互いに接する発光装置である。

また、本発明の一態様は、上記構成を有する発光装置を搭載した電子機器、または照明装
置である。

なお、本明細書において、発光素子は、電流または電圧によって輝度が制御される素子を
その範疇に含んでおり、具体的には有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃ
ｅ）素子、無機ＥＬ素子等が含まれる。

また、本明細書において開示される発光装置は、パッシブマトリクス型でもアクティブマ
トリクス型でもよい。

なお、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光
源（照明装置含む）を含む。また、パネルにコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌ
ｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ
Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ
）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられ
たモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ
（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。

また、本明細書において、第１又は第２などとして付される序数詞は便宜上用いるもので
あり、工程順又は積層順を示すものではない。また、本明細書において発明を特定するた
めの事項として固有の名称を示すものではない。

本発明の一態様は、薄型化を達成しながら、信頼性の高い発光装置を提供することができ
る。また、本発明の一態様は、信頼性の高い発光装置を用いて、信頼性の高い照明装置ま
たは電子機器を提供することができる。

本発明の一態様の発光装置を説明する図。 本発明の一態様の発光装置を説明する図。 本発明の一態様の発光装置の製造方法を説明する図。 本発明の一態様の発光装置の製造方法を説明する図。 本発明の一態様の発光装置の製造方法を説明する図。 発光素子の構造の例を示す図。 本発明の一態様の発光装置の構造の例を示す図。 本発明の一態様の発光装置の適用例を説明する図。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。但し、本発明は多くの
異なる態様で実施することが可能であり、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することな
くその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って
、本実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

（実施の形態１）
本実施の形態では、発光装置の一例を図１を用いて説明する。図１に本実施の形態の発光
装置の表示部を示す。

図１（Ａ）に図示する本実施の形態の発光装置は、基板１００上に形成された第１の絶縁
層１０４と、素子部１５０とを有している。また、素子部１５０は、第２の絶縁層１４０
によって上面及び側面を覆われており、第１の絶縁層１０４と第２の絶縁層１４０とは素
子部１５０の存在しない発光装置の端部において、少なくとも一部が接して素子部１５０
を封止している。なお、素子部１５０の外周を囲むように第１の絶縁層１０４と第２の絶
縁層１４０とが接しているのが好ましく、第１の絶縁層１０４と第２の絶縁層１４０とが
接する領域が、素子部１５０の外周を２周するように接しているのがより好ましい。また
、基板１００と対向して、金属基板１４４が設けられており、金属基板１４４と第２の絶
縁層１４０の間に樹脂膜１４２が設けられている。

基板１００としては、可撓性及び可視光に対する透光性を有する基板を用いることができ
、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）
等のポリエステル樹脂、ポリアクリルニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタク
リレート樹脂、ポリカーボネート樹脂（ＰＣ）、ポリエーテルスルフォン樹脂（ＰＥＳ）
、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、
ポリ塩化ビニル樹脂、などを好適に用いることができる。または、基板１００として、繊
維体に有機樹脂が含浸された構造体を用いることができる。ただし、可撓性及び可視光に
対する透光性を有する基板であれば特に限定なく基板１００として用いることが可能であ
る。

基板１００上には、第１の絶縁層１０４が形成されている。第１の絶縁層１０４は保護層
として機能し、素子部１５０への水分や酸素等の気体が侵入することを防止することがで
きる。また、発光装置の作製工程において、素子作製用の基板から剥離層を用いて半導体
素子等を含む素子部を分離する際に、半導体素子や配線に亀裂等のダメージが入るのを防
ぐことができる。第１の絶縁層１０４は、透水性が低く、且つ透光性を有する材料で形成
する。例えば、窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化窒化珪素等の窒素と珪素を含む材料を好ま
しく用いることができる。また、第１の絶縁層１０４は単層でも多層でも構わない。第１
の絶縁層１０４の膜厚は、１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、さらには１００ｎｍ以上７０
０ｎｍ以下が好ましい。

第１の絶縁層１０４上には、素子部１５０が形成されている。素子部１５０は、発光素子
１３８と、その発光素子１３８に電位をかけるためのスイッチング素子とを少なくとも有
する。スイッチング素子としては、トランジスタ（例えば、バイポーラトランジスタ、Ｍ
ＯＳトランジスタなど）、ダイオード（例えば、ＰＮダイオード、ＰＩＮダイオード、シ
ョットキーダイオード、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）ダイオ
ード、ＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）ダイオ
ード、ダイオード接続のトランジスタなど）、サイリスタなどを用いることが出来る。ま
たは、これらを組み合わせた論理回路をスイッチング素子として用いることが出来る。本
実施の形態では、スイッチング素子として薄膜トランジスタ１０６を用いるものとする。
また、発光装置をドライバ一体型として素子部１５０に駆動回路部を含めても良い。なお
、封止された基板の外部に駆動回路を形成することもできる。

発光素子１３８は、画素電極として機能する第１の電極１３０、第１の電極の端部を覆う
隔壁１３７、ＥＬ層１３４、及び第２の電極１３６を有している。第１の電極１３０及び
第２の電極１３６は、一方が陽極として用いられ、他方が陰極として用いられる。

発光素子を構成するＥＬ層１３４は、少なくとも発光層を有する。また、ＥＬ層１３４は
、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層などの機能層を有す
る積層構造とすることもできる。ＥＬ層１３４には、低分子系材料及び高分子系材料のい
ずれを用いることもできる。なお、ＥＬ層１３４を形成する材料には、有機化合物材料の
みからなるものだけでなく、無機化合物を含む構成も含めるものとする。

発光素子１３８を含む素子部１５０は、上面及び側面を第２の絶縁層１４０によって覆わ
れている。また、第１の絶縁層と第２の絶縁層は、素子部１５０の存在しない発光装置の
端部において、少なくとも一部が互いに接して素子部１５０を封止している。

第２の絶縁層１４０は保護層として機能し、素子部１５０への水分や酸素等の気体の侵入
を防止することができる。第２の絶縁層１４０は、透水性が低く、且つ透光性を有する材
料で形成する。例えば、窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化窒化珪素等の窒素と珪素を含む材
料、または酸化アルミニウム等を好ましく用いることができる。また、第２の絶縁層１４
０は単層でも多層でも構わない。第２の絶縁層１４０の膜厚は、１０ｎｍ以上１０００ｎ
ｍ以下、さらには１００ｎｍ以上７００ｎｍ以下が好ましい。

図１（Ａ）において、第２の絶縁層１４０上には樹脂膜１４２が形成されている。樹脂膜
１４２としては、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂、メラミン樹脂、ポリエステル樹
脂、ポリカーボネート樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリアセタール、ポリエー
テル、ポリウレタン、ポリアミド（ナイロン）、フラン樹脂、ジアリルフタレート樹脂等
の有機化合物、シリカガラスに代表されるシロキサンポリマー系材料を出発材料として形
成された珪素、酸素、水素からなる化合物のうちＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む無機シロキサ
ンポリマー、又はアルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキオキサンポリマー、
水素化シルセスキオキサンポリマー、水素化アルキルシルセスキオキサンポリマーに代表
される珪素に結合される水素がメチルやフェニルのような有機基によって置換された有機
シロキサンポリマー等を用いることができる。または、樹脂膜１４２として繊維体に有機
樹脂が含浸された構造体を用いることもできる。

樹脂膜１４２上には、基板１００に対向する金属基板１４４が設けられている。金属基板
１４４は可撓性を得るためにその膜厚は１０μｍ以上２００μｍ以下のものを用いる。金
属基板１４４を構成する材料としては、特に限定はないが、アルミニウム、銅、ニッケル
、またはアルミニウム合金若しくはステンレスなどの金属の合金などを好ましく用いるこ
とができる。金属基板１４４は充分に低い透水性と、充分な可撓性を有するが、この範囲
の膜厚では可視光に対する透光性を有さないため、本実施の形態における発光装置は、薄
膜トランジスタ層が設けられた基板１００側から発光を取り出す、いわゆるボトムエミッ
ション型の発光装置となる。

なお、樹脂膜１４２と金属基板１４４との間に乾燥剤を設けても良い。乾燥剤を封入する
ことで、水分などによる発光素子の劣化をより防ぐことができる。乾燥剤としては、酸化
カルシウムや酸化バリウム等のアルカリ土類金属の酸化物のような化学吸着によって水分
を吸着する物質を用いることが可能である。その他の乾燥剤として、ゼオライトやシリカ
ゲル等の物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。

図１に示す本実施の形態の発光装置は、湾曲させることが可能である。従って、本実施の
形態の発光装置を様々な基材に接着することができ、曲面を有する基材に貼り付ければ、
曲面を有するディスプレイ等の電子機器、または曲面を有する照明が実現できる。

また、本実施の形態の発光装置は、素子部１５０の上面及び側面が透水性の低い膜で形成
された第２の絶縁層１４０によって覆われており、且つ第２の絶縁層１４０は素子部１５
０の端部において第１の絶縁層１０４が接して素子部１５０を封止しているため、素子部
１５０への水分及び酸素等の気体の侵入を防止することが可能である。よって、水分又は
気体に起因する劣化の抑制された、信頼性の高い発光装置とすることができる。

また、図１（Ａ）に示す構成とは別の構成を有する、本実施の形態の発光装置を図１（Ｂ
）に示す。図１（Ｂ）に示す本実施の形態の発光装置は、図１（Ａ）に示す発光装置にお
いて、基板１００の外側（発光素子１３８と反対側）に第３の絶縁層１５２を有した構成
である。

図１（Ｂ）に示す発光装置は、第３の絶縁層１５２を設けることで、基板１００側からの
水分や酸素等の気体の侵入をより防止することができる。さらに、樹脂等で形成された柔
らかい基板である基板１００の表面を傷や押圧などから保護することが可能となる。

第３の絶縁層１５２は、金属基板１４４を貼り合わせた後に、スパッタリング法やプラズ
マＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、無機化合物を用いて単層又は多層で形成する。第
３の絶縁層１５２としては、可視光に対する透過性を有し、高硬度な膜であるのが好まし
く、例えば、窒化ケイ素膜や窒化酸化ケイ素膜など、窒素及びケイ素を含む膜を好ましく
用いることができる。第３の絶縁層１５２の厚さは１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、さら
には１００ｎｍ以上７００ｎｍ以下が好ましい。なお、金属基板１４４の貼り合わせに連
続して第３の絶縁層１５２を形成することにより、大気に曝されないため発光素子の劣化
を防ぐことができる。

また、図１（Ａ）または（Ｂ）に示す構成とは別の構成を有する、本実施の形態の発光装
置を図１（Ｃ）に示す。

図１（Ｃ）に示す本実施の形態の発光装置は、図１（Ａ）に示す発光装置において素子部
１５０を覆う樹脂膜１４２に代えて、第２の絶縁層１４０上に素子部の外周を囲むシール
材１５６を設けて金属基板１４４を接着した例である。図１（Ｃ）において、シール材１
５６としては、熱硬化型のエポキシ樹脂、ＵＶ硬化型のアクリル樹脂、熱可塑型のナイロ
ン、ポリエステル等を、ディスペンサ法、印刷法、熱圧着法等を用いて形成することがで
きる。なお、シール材で囲まれた領域内に乾燥剤を設けても良い。

図１（Ｃ）に示す発光装置は、金属基板１４４の素子部１５０と対向する面に、絶縁膜１
５４が設けられている。絶縁膜１５４は、ＣＶＤ法、スパッタ法、ＳＯＧ法、液滴吐出法
、スクリーン印刷法等により、珪素の酸化物や珪素の窒化物等の無機材料、ポリイミド、
ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリル、エポキシ等の有機材料やシロキサン材料等
により、単層または積層で形成することが可能である。

絶縁膜１５４を設けることで、シール材１５６との密着性が向上するため、発光装置への
水分や酸素等の気体の侵入をより防止することが可能である。なお、金属基板１４４に絶
縁膜１５４を設ける場合、金属基板１４４の表面にエッチング処理を施した後、絶縁膜１
５４を形成するのが好ましい。

また、図１（Ｃ）では、素子部１５０の端部に２対の溝部（第１の溝部１６０ａ、第２の
溝部１６０ｂ）が設けられ、それぞれの溝部において、第１の絶縁層１０４と第２の絶縁
層１４０とが接して素子部１５０を封止している。なお、第１の溝部１６０ａ及び第２の
溝部１６０ｂは、それぞれ素子部１５０の外周を囲むように形成されるのが好ましい。図
１（Ｃ）に示すように、素子部１５０の端部に２対の溝部を設けることで、発光装置を曲
げたときに素子部１５０へかかるストレスを緩和させることが可能となるため、曲げに強
い発光装置とすることができる。

なお、図１（Ａ）乃至（Ｃ）に示した構成は、それぞれ組み合わせて用いることが可能で
ある。

また、図１（Ａ）乃至（Ｃ）において、素子部１５０に駆動回路部を含めても良い。また
、図１（Ａ）乃至（Ｃ）において、発光素子１３８は一つしか示されていないが、画像を
表現するディスプレイ用途で本実施の形態における発光装置を用いる場合は、複数の発光
素子１３８を有する画素部を形成する。また、フルカラーの画像を表示する場合には、少
なくとも赤、緑、青の３色の光を得ることが必要となる。その方法としては、色ごとにＥ
Ｌ層１３４の必要な部分を塗り分けする方法、すべての発光素子を白色発光としてカラー
フィルタ層を透過させることによって各々の色を得る方法、全ての発光素子を青もしくは
それより波長の短い発光とし色変換層を介して各々の色を得る方法などがある。

図２（Ａ）乃至（Ｄ）にカラーフィルタ層、もしくは色変換層の設置方法の一例について
説明する図を示す。図２（Ａ）乃至（Ｄ）においては、２００がカラーフィルタ層（もし
くは色変換層）を表す。カラーフィルタ層２００（もしくは色変換層）は発光素子１３８
に対応し、色ごとに設けられるが、隣り合う色のカラーフィルタ層同士は、発光素子１３
８の開口領域（第１の電極、ＥＬ層、第２の電極が直接重なっている部分）以外の場所に
おいて重なっていても良い。また、カラーフィルタ層２００は、画素部２５０のみに形成
されていても、駆動回路部２５２まで形成されていてもよい。なお、駆動回路部２５２は
発光装置の外部に形成されていても良い。

図２（Ａ）は、薄膜トランジスタの配線２０４を形成した後、第１の層間絶縁膜２０６上
にカラーフィルタ層２００を形成し、カラーフィルタ層２００上に第２の層間絶縁膜を形
成した例である。

第２の層間絶縁膜は、例えば、ポリイミド、ポリアミド、ベンゾシクロブテン、アクリル
、エポキシ等の有機絶縁材料、又は珪素の酸化物や珪素の窒化物等の無機絶縁材料を用い
て単層又は複数層積層させて形成することができる。例えば、図２（Ａ）に示すように、
有機絶縁材料を用いてカラーフィルタによる段差を平坦化する平坦化膜２０８を形成した
後、平坦化膜２０８上に無機絶縁材料を用いたバリア膜２１０を積層させることで、第２
の層間絶縁膜を形成することができる。バリア膜２１０を設けることで、カラーフィルタ
層２００（若しくは色変換層）から発生するガスが発光素子に影響を与えるのを防ぐこと
ができるため、好ましい。なお、第２の層間絶縁膜は、有機絶縁材料と無機絶縁材料を交
互に多数層積層させても良い。

図２（Ａ）においては、第２の層間絶縁膜形成後、平坦化膜２０８にコンタクトホールを
形成し、発光素子の第１の電極１３０と配線２０４を接続する電極２１２を形成して、発
光素子の第１の電極１３０を設ける。

なお、図２（Ａ）乃至（Ｄ）では１色のカラーフィルタ（もしくは色変換層）しか示して
いないが、発光装置においては、赤、青及び緑のカラーフィルタ（もしくは色変換層）が
適宜所定の配置及び形状で形成されている。カラーフィルタ（もしくは色変換層）の配列
パターンは、ストライプ配列、斜めモザイク配列、三角モザイク配列などがあるが、どの
ような配列をとっても良い。また、白色発光素子とカラーフィルタを用いる場合、ＲＧＢ
Ｗ４画素配列を採用しても良い。ＲＧＢＷ４画素配列は、赤、青、緑３色のカラーフィル
タが設けられた画素と、カラーフィルタを設けない画素とを有する画素配置であり、消費
電力の低減などに効果を発揮する。また、白色発光素子は例えば赤、青及び緑色の光を含
み、ＮＴＳＣ（Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ Ｓｔａｎｄａｒｄｓ Ｃｏｍ
ｍｉｔｔｅｅ）で定められた赤、青及び緑色の光を含む構成であれば好ましい。

カラーフィルタは公知の材料を用いて形成することができる。カラーフィルタのパターン
は、感光性の樹脂を使う場合はカラーフィルタそのものを露光及び現像して形成してもよ
いが、微細なパターンであるため、ドライエッチングによってパターンを形成することが
好ましい。

図２（Ｂ）は、薄膜トランジスタを形成した後、カラーフィルタ層２００を形成し、カラ
ーフィルタ層２００上に第１の層間絶縁膜２０６を形成した例である。図２（Ｂ）におい
ては、第１の層間絶縁膜２０６形成後、第１の層間絶縁膜２０６にコンタクトホールを形
成し、配線２０４を形成し、その後、配線２０４と接続する発光素子の第１の電極１３０
を設ける。

図２（Ｃ）は、カラーフィルタ層２００が設けられたカラーフィルタ基板２１４を設置す
る構成の例である。カラーフィルタ基板２１４のカラーフィルタ層２００が形成されてい
ない面を基板１００に接着剤を用いて貼り合わせる場合、カラーフィルタ基板２１４には
、カラーフィルタ層２００を傷などから保護する為のコート膜２１６を設けていても良い
。また、図示していないがカラーフィルタ基板２１４のカラーフィルタ層２００が形成さ
れた側を基板１００側に向けて貼り合わせても良い。なお、カラーフィルタ基板２１４と
は、可撓性及び可視光に対する透過性を有する各種基板、例えば基板１００と同様の材料
にカラーフィルタ層２００を形成したものである。

図２（Ｄ）は、あらかじめカラーフィルタ層２００を基板１００に設けたカラーフィルタ
基板２１８を、作製基板から分離された被剥離層に直に貼り合わせる構成の例である。カ
ラーフィルタ層２００を設けた基板１００からなるカラーフィルタ基板２１８を、第１の
電極を有する被剥離層に直に貼り合わせることにより、部品点数を削減し作製コストが低
減できる。以上、簡単にカラーフィルタ層（もしくは色変換層）の設置について説明した
が、この他、各発光素子の間にブラックマトリクスが設けられていても良いし、その他公
知の構成が適用されていても良い。

なお、図２（Ａ）乃至（Ｄ）においては、図１（Ａ）に示した発光装置の構成にカラーフ
ィルタ層を設けた構成を例に説明したが、これらの構成は、図１（Ｂ）又は図１（Ｃ）に
示した発光装置においても同様に適用することが可能である。

なお、本実施の形態の構成は、他の実施の形態の構成を適宜組み合わせて用いることがで
きるものとする。

（実施の形態２）
実施の形態１に一態様を示した発光装置の作製方法の一例を図３乃至５を用いて説明する
。本実施の形態においては、図１（Ａ）に示した発光装置の構成を作製する場合を例に説
明する。

まず、作製基板である絶縁表面を有する基板３００上に剥離層３０２を形成し、続けて第
１の絶縁層１０４を形成する。剥離層３０２、第１の絶縁層１０４は連続して形成するこ
とができる。連続して形成することにより、剥離層３０２の表面は大気に曝されないため
、剥離層３０２と第１の絶縁層１０４への不純物の混入を防ぐことができる。

作製基板である基板３００としては、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミッ
ク基板、表面に絶縁層が形成された金属基板などを用いることができる。また、本実施の
形態の処理温度に耐えうる耐熱性を有するプラスチック基板を用いてもよい。半導体装置
の作製工程において、その行う工程に合わせて作製基板を適宜選択することができる。

なお、本工程では、剥離層３０２を基板３００の全面に設ける場合を示しているが、必要
に応じて基板３００の全面に剥離層３０２を設けた後に当該剥離層３０２を選択的に除去
し、所望の領域にのみ剥離層を設けてもよい。また、図３では、基板３００に接して剥離
層３０２を形成しているが、必要に応じて、基板３００に接するように酸化珪素膜、酸化
窒化珪素膜、窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜等の絶縁層を形成し、当該絶縁層に接するよう
に剥離層３０２を形成してもよい。

剥離層３０２は、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により、タン
グステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎ
ｂ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ル
テニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリ
ジウム（Ｉｒ）、珪素（Ｓｉ）から選択された元素、又は元素を主成分とする合金材料、
又は前記元素を主成分とする化合物材料からなる層を、単層又は積層して形成する。珪素
を含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれの場合でもよい。なお、ここで
は、塗布法は、スピンコーティング法、ディスペンス法等を含む。

剥離層３０２が単層構造の場合、好ましくは、タングステン層、モリブデン層、又はタン
グステンとモリブデンの混合物を含む層を形成する。又は、タングステンの酸化物若しく
は酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物若しくは酸化窒化物を含む層、又はタングス
テンとモリブデンの混合物の酸化物若しくは酸化窒化物を含む層を形成する。なお、タン
グステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当す
る。

剥離層３０２が積層構造の場合、好ましくは、１層目としてタングステン層、モリブデン
層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成し、２層目として、タングス
テン、モリブデン又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物、窒化物、酸化窒化物
又は窒化酸化物を形成する。

剥離層３０２として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造
を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁層
を形成することで、タングステン層と絶縁層との界面に、タングステンの酸化物を含む層
が形成されることを活用してもよい。さらには、タングステンを含む層の表面を、熱酸化
処理、酸素プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行ってタングステ
ンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ処理や加熱処理は、酸素、窒素、一
酸化二窒素単体、あるいは前記ガスとその他のガスとの混合気体雰囲気下で行ってもよい
。これは、タングステンの窒化物、酸化窒化物及び窒化酸化物を含む層を形成する場合も
同様であり、タングステンを含む層を形成後、その上層に窒化珪素層、酸化窒化珪素層、
窒化酸化珪素層を形成するとよい。

第１の絶縁層１０４は、窒化珪素や酸化窒化珪素、窒化酸化珪素等、窒素と珪素を含む絶
縁膜を単層または多層で形成するのが好ましい。また、第１の絶縁層１０４は、スパッタ
リング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等を用いて形成することが可能であり、例
えば、プラズマＣＶＤ法によって成膜温度を２５０℃〜４００℃として形成することで、
緻密で非常に透水性の低い膜とすることができる。なお、第１の絶縁層１０４の厚さは１
０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下、さらには１００ｎｍ以上７００ｎｍ以下が好ましい。第１
の絶縁層１０４を設けることで、後の剥離工程において剥離層３０２との界面での剥離が
容易となる。さらに、後の剥離工程において半導体素子や配線に亀裂やダメージが入るの
を防ぐことができる。また、第１の絶縁層１０４は作製される発光装置の保護層として機
能する。

次いで、第１の絶縁層１０４上に、薄膜トランジスタ１０６を形成する（図３（Ａ））。
薄膜トランジスタ１０６は、少なくともソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域
を有する半導体層１０６ａと、ゲート絶縁層１０６ｂ、及びゲート電極１０６ｃで構成さ
れる。なお、薄膜トランジスタの特性安定化のため、第１の絶縁層１０４と半導体層１０
６ａの間に下地絶縁膜を形成してもよい。下地絶縁膜は、酸化ケイ素や窒化ケイ素、酸化
窒化ケイ素、窒化酸化ケイ素などの無機絶縁膜を用い、単層若しくは複数層にて作製する
ことができる。

半導体層１０６ａは、厚さ１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下、更には２０ｎｍ以上７０ｎｍ以
下の非単結晶半導体で形成される層であり、非単結晶半導体層としては、結晶性半導体層
、非晶質半導体層、微結晶半導体層等がある。また、半導体としては、シリコン、ゲルマ
ニウム、シリコンゲルマニウム化合物等がある。特に、レーザ光の照射、瞬間熱アニール
（ＲＴＡ）やファーネスアニール炉を用いた熱処理、又はこれらの方法を組み合わせた方
法により結晶化させた結晶質半導体を適用することが好ましい。加熱処理においては、シ
リコン半導体の結晶化を助長する作用のあるニッケルなどの金属元素を用いた結晶化法を
適用することができる。

ゲート絶縁層１０６ｂは厚さ５ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上１００
ｎｍ以下の酸化珪素又は酸化窒化珪素等の無機絶縁物で形成する。

ゲート電極１０６ｃは、金属又は一導電型の不純物を添加した多結晶半導体で形成するこ
とができる。金属を用いた場合は、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（
Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）等を用いることができる。また、金属
を窒化させた金属窒化物を用いることができる。あるいは、当該金属窒化物からなる第１
層と当該金属からなる第２層とを積層させた構造としても良い。このとき第１層を金属窒
化物とすることで、バリアメタルとすることができる。すなわち、第２層の金属が、ゲー
ト絶縁層やその下層の半導体層に拡散することを防ぐことができる。また、積層構造とす
る場合には、第１層の端部が第２層の端部より外側に突き出した形状としても良い。

半導体層１０６ａ、ゲート絶縁層１０６ｂ、ゲート電極１０６ｃ等を組み合わせて構成さ
れる薄膜トランジスタ１０６は、シングルドレイン構造、ＬＤＤ（低濃度ドレイン）構造
、ゲートオーバーラップドレイン構造など各種構造を適用することができる。また、さら
には、等価的には同電位のゲート電圧が印加されるトランジスタが直列に接続された形と
なるマルチゲート構造、半導体層の上下をゲート電極で挟むデュアルゲート構造、又はボ
トムゲート構造等で形成される薄膜トランジスタ等を適用することができる。

また、薄膜トランジスタ１０６として金属酸化物や有機半導体材料を半導体層に用いた薄
膜トランジスタを用いることが可能である。金属酸化物の代表的には酸化亜鉛や亜鉛ガリ
ウムインジウムの酸化物等がある。

次に、薄膜トランジスタ１０６のソース領域、ドレイン領域に電気的に接続する配線２０
４を形成し、当該配線２０４に電気的に接続する画素電極として機能する発光素子の第１
の電極１３０を形成する。例えば、薄膜トランジスタ１０６を覆うように単層または多層
の第１の層間絶縁膜を形成し、第１の層間絶縁膜上にソース電極、ドレイン電極としても
機能しうる配線２０４を形成する。図３（Ａ）においては、絶縁層２０６ａ、２０６ｂの
２層よりなる第１の層間絶縁膜２０６が形成されている。その後、配線２０４と接続する
第１の電極１３０を形成する。なお、配線２０４上に第２の層間絶縁膜を形成し、当該第
２の層間絶縁膜上に第１の電極を形成してもよい。

第１の層間絶縁膜２０６は、ＣＶＤ法、スパッタ法、ＳＯＧ法、液滴吐出法、スクリーン
印刷法等により、珪素の酸化物や珪素の窒化物等の無機材料、ポリイミド、ポリアミド、
ベンゾシクロブテン、アクリル、エポキシ等の有機材料やシロキサン材料等により、単層
又は積層で形成することができる。例えば、１層目の絶縁層２０６ａとして窒化酸化珪素
膜で形成し、２層目の絶縁層２０６ｂとして酸化窒化珪素膜で形成することができる。

配線２０４は、チタン（Ｔｉ）とアルミニウム（Ａｌ）の積層構造、モリブデン（Ｍｏ）
とアルミニウム（Ａｌ）との積層構造など、アルミニウムのような低抵抗材料と、チタン
又はモリブデンなどの高融点金属材料を用いたバリアメタルとの組み合わせで形成するこ
とが好ましい。

第１の電極１３０は、発光素子の陽極または陰極として用いられる電極である。陽極とし
て用いる場合には、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、インジウム
錫酸化物膜、珪素を含有したインジウム錫酸化物膜、酸化インジウムに２〜２０ｗｔ％の
酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したターゲットを用いてスパッタ法により形成した透光性を有
する導電膜、酸化亜鉛（ＺｎＯ）膜、亜鉛及びアルミニウムを含む導電性酸窒化物膜、窒
化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化チタン
膜とアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分とす
る膜と窒化チタン膜との三層構造等を用いることができる。なお、陽極を積層構造とする
と、配線としての抵抗も低く、良好なオーミックコンタクトがとれる。

また、陰極として用いる場合には、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ又は
これらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ_２、又は窒化カルシウム）を用いる
ことが好ましい。なお、陰極として用いる電極を透光性とする場合には、電極として膜厚
を薄くした金属薄膜と、透光性を有する導電膜（インジウム錫酸化物膜、珪素を含有した
インジウム錫酸化物膜、酸化インジウムに２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合し
たターゲットを用いてスパッタ法により形成した透光性を有する導電膜、酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）等）との積層を用いるのが良い。

次いで、第１の電極１３０の端部を覆うように、有機材料又は無機材料を用いて隔壁１３
７を形成する（図３（Ｂ））。例えば、ポジ型の感光性ポリイミドを用いることにより、
隔壁１３７を形成することができる。隔壁１３７の上に形成される膜の被覆性を良好なも
のとするため、その上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるように設ける。
隔壁１３７としては、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは
光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができる。他にも
、隔壁１３７としてエポキシ、ポリイミド、ポリアミド、ポリビニルフェノール、ベンゾ
シクロブテン等の有機材料やシロキサン樹脂等のシロキサン材料からなる単層または積層
構造で設けることができる。

また、隔壁１３７にプラズマ処理を行い、当該隔壁１３７を酸化または窒化することによ
って、隔壁１３７の表面を改質して緻密な膜を得ることも可能である。隔壁１３７の表面
を改質することによって、当該隔壁１３７の強度が向上し開口部等の形成時におけるクラ
ックの発生やエッチング時の膜減り等の物理的ダメージを低減することが可能となる。

以上の工程により、被剥離層である素子形成層３０４を形成することができる。

次に、基板３００の端部に設けられた絶縁層をエッチング等により除去し、画素部２５０
及び駆動回路部２５２（発光装置の素子部となる領域）の外周を囲むように溝部１６０を
形成する（図３（Ｃ））。図３（Ｃ）では、隔壁１３７、第１の層間絶縁膜２０６、ゲー
ト絶縁層１０６ｂをエッチングして第１の絶縁層１０４を露出させる。なお、溝部１６０
は、窒素と珪素を含む膜を露出するように形成されていればよく、第１の層間絶縁膜２０
６またはゲート絶縁層１０６ｂがこれらの材料で形成されている場合には、必ずしもこれ
らの膜をエッチングする必要はない。また、画素部２５０及び駆動回路部２５２の外周を
囲む溝部１６０は、２本以上形成されていてもよい。

次に、図４（Ａ）に示すように、素子形成層３０４に粘着シート３０５を貼り合わせて設
ける。粘着シート３０５は、光または熱により剥離可能なシートを適用する。粘着シート
３０５を貼り合わせることにより、剥離が容易に行えると共に剥離の前後において素子形
成層３０４に加わる応力を低減し、薄膜トランジスタ１０６の破損を抑制することが可能
となる。

次に、薄膜トランジスタ１０６等を含む素子形成層３０４を基板３００から剥離する（図
４（Ｂ））。剥離方法には様々な方法を用いることができる。例えば、剥離層３０２とし
て第１の絶縁層１０４に接する側に金属酸化層を形成した場合には、当該金属酸化層を結
晶化により脆弱化して、素子形成層３０４を基板３００から剥離することができる。また
、基板３００として透光性を有する基板を用い、剥離層３０２として窒素、酸素や水素等
を含む膜（例えば、水素を含む非晶質珪素膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜など）を
用いた場合には、基板３００から剥離層３０２にレーザ光を照射して、剥離層内に含有す
る窒素、酸素や水素を気化させて、素子形成層３０４を基板３００から剥離することがで
きる。または、剥離層３０２をエッチングにより除去することで、素子形成層３０４を基
板３００から剥離しても良い。

または、基板３００を機械的に研磨し除去する方法や、基板３００をＮＦ_３、ＢｒＦ_３、
ＣｌＦ_３等のフッ化ハロゲンガスまたはＨＦによるエッチングで除去する方法等を用いる
ことができる。この場合、剥離層３０２を用いなくともよい。また、剥離層３０２として
第１の絶縁層１０４に接する側に金属酸化層を形成し、当該金属酸化層を結晶化により脆
弱化し、さらに剥離層３０２の一部を溶液やＮＦ_３、ＢｒＦ_３、ＣｌＦ_３等のフッ化ハロ
ゲンガスによりエッチングで除去した後、脆弱化された金属酸化層において剥離すること
ができる。

また、レーザ光の照射、ガスや溶液などによるエッチング、又は、鋭いナイフやメスなど
を用いて、剥離層３０２を露出させる溝を形成し、溝をきっかけとして、例えば剥離層３
０２と保護層として機能する第１の絶縁層１０４の界面において、素子形成層３０４を基
板３００から剥離することもできる。剥離方法としては、例えば、機械的な力を加えるこ
と（人間の手や把治具で引き剥がす処理や、ローラーを回転させながら分離する処理等）
を用いて行えばよい。また、溝に液体を滴下し、剥離層３０２及び第１の絶縁層１０４の
界面に液体を浸透させて剥離層３０２から素子形成層３０４を剥離してもよい。また、溝
にＮＦ_３、ＢｒＦ_３、ＣｌＦ_３等のフッ化ガスを導入し、剥離層をフッ化ガスでエッチン
グし除去して、絶縁表面を有する基板３００から素子形成層３０４を剥離する方法を用い
ることができる。また、剥離を行う際に水などの液体をかけながら剥離してもよい。

その他の剥離方法としては、剥離層３０２をタングステンで形成した場合は、アンモニア
水と過酸化水素水の混合溶液により剥離層をエッチングしながら剥離を行うことができる
。

つづいて、基板３００から剥離され、剥離層３０２の一部、若しくは第１の絶縁層１０４
が露出した素子形成層３０４に接着剤を用いて可撓性及び可視光に対する透光性を有する
基板１００を接着する（図４（Ｃ）参照）。

接着剤としては、紫外線硬化型接着剤など光硬化型の接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化
型接着剤、または嫌気型接着剤など各種硬化型接着剤を用いることができる。これらの接
着剤の材質としてはエポキシ樹脂やアクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂など
を用いることができる。なお、基板１００として繊維体に有機樹脂が含浸された構造体（
いわゆるプリプレグ）を用いてもよい。基板１００としてプリプレグを用いた場合には、
接着剤を用いず直接素子形成層３０４と基板１００とを圧着させることができる。この際
、当該構造体の有機樹脂としては、反応硬化型、熱硬化型、紫外線硬化型など追加処理を
施すことによって硬化が進行するものを用いると良い。

基板１００には予め窒化ケイ素や酸化窒化ケイ素等の窒素とケイ素を含む膜や窒化アルミ
ニウム等の窒素とアルミニウムを含む膜のような透水性の低い保護膜を成膜しておいても
良い。

基板１００を設けた後、粘着シート３０５を除去して、第１の電極１３０を露出させる（
図４（Ｄ）参照）。

以上により、薄膜トランジスタ及び発光素子の第１の電極１３０までが形成された素子形
成層３０４を基板１００上に作製することができる。

次に、第１の電極１３０上に、ＥＬ層１３４を形成する。ＥＬ層１３４には、低分子系材
料および高分子系材料のいずれを用いることもできる。なお、ＥＬ層１３４を形成する材
料には、有機化合物材料のみから成るものだけでなく、無機化合物を一部に含む構成も含
めるものとする。ＥＬ層１３４は、少なくとも発光層を有し、発光層一層でなる単層構造
であっても、各々異なる機能を有する層からなる積層構造であっても良い。例えば、発光
層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、キャリアブロッキング層、電子輸送層、電子注入層
等、各々の機能を有する機能層を適宜組み合わせて構成することができる。なお、それぞ
れの層の有する機能を２つ以上同時に有する層を含んでいても良い。

また、ＥＬ層１３４の形成には、蒸着法、インクジェット法、スピンコート法、ディップ
コート法、ノズルプリンティング法など、湿式、乾式を問わず、用いることができる。

次いで、ＥＬ層１３４上に、第２の電極１３６を形成し、第１の電極１３０、ＥＬ層１３
４、第２の電極１３６が積層された発光素子１３８を作製する。これによって、薄膜トラ
ンジスタ１０６及び発光素子１３８を含む素子部１５０を形成することができる。なお、
第１の電極１３０及び第２の電極１３６は、一方を陽極として用い、他方を陰極として用
いる。

陽極として用いる場合には、仕事関数の大きい材料を用いることが望ましい。例えば、イ
ンジウム錫酸化物膜、珪素を含有したインジウム錫酸化物膜、酸化インジウムに２〜２０
ｗｔ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したターゲットを用いてスパッタ法により形成した透
光性を有する導電膜、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、亜鉛及びアルミニウムを含む導電性酸窒化物
膜、窒化チタン膜、クロム膜、タングステン膜、Ｚｎ膜、Ｐｔ膜などの単層膜の他、窒化
チタンとアルミニウムを主成分とする膜との積層、窒化チタン膜とアルミニウムを主成分
とする膜と窒化チタン膜との３層構造等を用いることができる。

また、陰極として用いる場合には、仕事関数の小さい材料（Ａｌ、Ａｇ、Ｌｉ、Ｃａ、ま
たはこれらの合金ＭｇＡｇ、ＭｇＩｎ、ＡｌＬｉ、ＣａＦ_２、または窒化カルシウム）を
用いることが好ましい。なお、陰極として用いる電極を透光性とする場合には、電極とし
て、膜厚を薄くした金属薄膜と、透光性を有する導電膜（インジウム錫酸化物膜、珪素を
含有したインジウム錫酸化物膜、酸化インジウムに２〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛（ＺｎＯ）
を混合したターゲットを用いてスパッタ法により形成した透光性を有する導電膜、酸化亜
鉛（ＺｎＯ）等）との積層を用いるのが良い。

本実施の形態においては、第１の電極１３０を陽極として用い、ＥＬ層１３４は、第１の
電極１３０側から順に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子注入層が積層された構造
とする。発光層としては種々の材料を用いることができる。例えば、蛍光を発光する蛍光
性化合物や燐光を発光する燐光性化合物を用いることができる。

次いで、素子部１５０の上面及び側面を覆うように、第２の電極１３６上に第２の絶縁層
１４０を形成する（図５（Ａ））。第２の絶縁層１４０は、保護層として機能し、ＥＬ層
１３４に水分やダメージが入るのを防ぐ。第２の絶縁層１４０を溝部１６０にまで形成す
ることで、溝部１６０において露出した第１の絶縁層１０４と第２の絶縁層１４０が接す
る。
第１の絶縁層１０４及び第２の絶縁層１４０は、それぞれ窒素と珪素を含む膜で形成され
ているため、溝部において強固に接着することが可能である。従って、素子部１５０の外
周を囲むように溝部を形成することで、素子部を強固に封止することが可能となる。

例えば、第２の絶縁層１４０として、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法、塗布法、印
刷法等により、例えば、窒化珪素、窒化酸化珪素、酸化窒化珪素等の窒素と珪素を含む材
料、または酸化アルミニウム等を用いて単層又は多層で形成する。または、上述の無機絶
縁膜と、樹脂膜等の有機絶縁膜を積層させて第２の絶縁層１４０を形成しても良い。第２
の絶縁層を設けることで水分や、酸素等の気体が素子部へ侵入することを防止することが
できる。保護層として機能する第２の絶縁層１４０の厚さは１０ｎｍ以上１０００ｎｍ以
下、さらには１００ｎｍ以上７００ｎｍ以下が好ましい。

次いで、第２の絶縁層１４０上に、樹脂膜１４２を形成する。樹脂膜１４２は、例えば、
塗布法を用いて組成物を塗布し、乾燥加熱して形成することができる。樹脂膜１４２は第
２の絶縁層１４０と密着性の良好な材料を用いるのが好ましい。具体的には、塗布法を用
いて樹脂膜１４２を形成する場合、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、メラミン樹
脂、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリア
セタール、ポリエーテル、ポリウレタン、ポリアミド（ナイロン）、フラン樹脂、ジアリ
ルフタレート樹脂等の有機化合物、シリカガラスに代表されるシロキサンポリマー系材料
を出発材料として形成された珪素、酸素、水素からなる化合物のうちＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合
を含む無機シロキサンポリマー、又はアルキルシロキサンポリマー、アルキルシルセスキ
オキサンポリマー、水素化シルセスキオキサンポリマー、水素化アルキルシルセスキオキ
サンポリマーに代表される珪素に結合される水素がメチルやフェニルのような有機基によ
って置換された有機シロキサンポリマー等を用いることができる。または、樹脂膜１４２
として繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を用いることもできる。

次いで、樹脂膜１４２上に、金属基板１４４を接着する（図５（Ｂ））。金属基板１４４
の接着には、上述した接着剤を用いてもよいし、樹脂膜１４２を接着剤に代えて利用して
もよい。金属基板を構成する材料としては、特に限定はないが、アルミニウム、銅、ニッ
ケルやアルミニウム合金若しくはステンレスなどの金属の合金などを好適にもちいること
ができる。なお、金属基板１４４を接着する前に、真空中でのベークやプラズマ処理を行
うことによって、金属基板表面に付着した水を取り除いておくことが好ましい。

金属基板１４４の接着は、ラミネーターを用いて行うこともできる。例えば、まずシート
状の接着剤をラミネーターを用いて金属基板に貼り合わせておき、該金属基板をラミネー
ターを用いてさらに発光素子上に接着する方法や、スクリーン印刷などで金属基板に接着
剤を印刷しておき、該金属基板をラミネーターを用いて発光素子上に接着する方法などが
ある。この工程は、気泡が入るのを低減するため、減圧下で行うことが好ましい。

以上の工程によって、本発明の一態様の発光装置を作製することができる。

なお、本実施の形態では薄膜トランジスタを有する発光装置を、発光素子の第１の電極１
３０までを作製基板上に形成して剥離する方法を例示したが、本明細書中で開示する発明
はこれに限らず、発光素子１３８まで形成してから（すなわち、発光素子の第２の電極１
３６を形成後）剥離及び転置を行ってもよい。または、第１の絶縁層１０４のみ作製基板
に形成し、基板１００に剥離、転置した後、薄膜トランジスタや発光素子を作製しても良
い。また、薄膜トランジスタを設けない場合は、第１の絶縁層１０４上に発光素子の第１
の電極１３０から形成することによって同様に作製することができる。また、金属基板１
４４表面にも樹脂膜を設け、金属基板の保護を図ってもよい。

また、基板１００及び樹脂膜１４２には、これらの材料中に繊維体が含まれていても良い
。繊維体は有機化合物または無機化合物の高強度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的
には引張弾性率またはヤング率の高い繊維のことを言い、代表例としては、ポリビニルア
ルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミ
ド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊
維が挙げられる。ガラス繊維としては、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用
いたガラス繊維が挙げられる。これらは、織布または不織布の状態で用い、この繊維体に
有機樹脂を含浸させ有機樹脂を硬化させた構造体を基板１００として用いても良い。基板
１００として繊維体と有機樹脂からなる構造体を用いると、曲げや局所的押圧による破損
に対する信頼性が向上するため、好ましい構成である。

なお、基板１００中に上述のような繊維体が含まれる場合、発光素子からの光が外部に出
るのを妨げることを低減するために、当該繊維体を１００ｎｍ以下のナノファイバーとす
ることが好ましい。また、繊維体と有機樹脂や接着剤の屈折率を合わせることが好ましい
。

本実施の形態の発光装置は、透水性の低い金属基板を発光装置の支持体として用いること
で、発光素子１３８への水分の侵入を防ぐことができ、寿命の長い発光装置とすることが
可能となる。また、保護層として機能する第１の絶縁層１０４と第２の絶縁層１４０が素
子部１５０の端部において互いに接して素子部を封止することで、発光素子１３８への水
分、酸素等の気体の侵入を防ぐことができ、信頼性の高い発光装置とすることが可能とな
る。

また、本実施の形態の発光装置は、耐熱性の高い作製基板上に薄膜トランジスタを作製す
ることができるため、移動度の高い結晶質シリコンなどの結晶質半導体層を用いた薄膜ト
ランジスタを用いることができる。従って、このような薄膜トランジスタを用いた駆動回
路部を、画素部と同一基板上に作り込むことが出来、より安価に発光装置を作製すること
ができる。

なお、本実施の形態の構成は、他の実施の形態の構成を適宜組み合わせて用いることがで
きるものとする。

（実施の形態３）
本実施の形態では、発光装置の有する発光素子の構成について図６を用いて具体的に説明
する。

図６（Ａ）に発光素子の構成の一例を示す。図６（Ａ）の発光素子は、第１の電極１３０
と第２の電極１３６との間にＥＬ層１３４を有している。ＥＬ層１３４は少なくとも発光
層を有していれば積層構造については特に限定されず、電子輸送性の高い物質を含む層ま
たは正孔輸送性の高い物質を含む層、電子注入性の高い物質を含む層、正孔注入性の高い
物質を含む層、バイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い物質）の物質を含む層等を適
宜組み合わせて構成すればよい。例えば、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層
、電子注入層等を適宜組み合わせて構成することができる。本実施の形態では、ＥＬ層１
３４は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層を有する構成について説明する。
各層を構成する材料について以下に具体的に示す。

正孔注入層は、陽極に接して設けられ、正孔注入性の高い物質を含む層である。モリブデ
ン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物
等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ_２Ｐｃ）や銅フタロシアニ
ン（ＣｕＰＣ）等のフタロシアニン系の化合物、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニル
アミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビ
ス［４−［ビス（３−メチルフェニル）アミノ］フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［
１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）等の芳香族アミン化
合物、或いはポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥ
ＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層を形成することができる。

また、正孔注入層として、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有させた複合
材料を用いることができる。なお、正孔輸送性の高い物質にアクセプター性物質を含有さ
せたものを用いることにより、電極の仕事関数に依らず電極を形成する材料を選ぶことが
できる。つまり、第１の電極１３０として仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の
小さい材料を用いることができる。アクセプター性物質としては、７，７，８，８−テト
ラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ_４−ＴＣＮＱ）、ク
ロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元
素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的
には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化
タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特
に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。

複合材料に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘
導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、
種々の化合物を用いることができる。なお、複合材料に用いる有機化合物としては、正孔
輸送性の高い有機化合物であることが好ましい。具体的には、１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上
の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い
物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。以下では、複合材料に用いることので
きる有機化合物を具体的に列挙する。

例えば、芳香族アミン化合物としては、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｐ−トリル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル−ｐ−フェニレンジアミン（略称：ＤＴＤＰＰＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジ
フェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ，
Ｎ’−ビス［４−［ビス（３−メチルフェニル）アミノ］フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェ
ニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＤＮＴＰＤ）、１，３，
５−トリス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ベンゼン（
略称：ＤＰＡ３Ｂ）等を挙げることができる。

複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、具体的には、３−［Ｎ−（
９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾ
ール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−
イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、
３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−
９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等を挙げることができる。

また、複合材料に用いることのできるカルバゾール誘導体としては、他に、４，４’−ジ
（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カ
ルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９
−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、１，４−ビス［４
−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］−２，３，５，６−テトラフェニルベンゼン等を用い
ることができる。

また、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素としては、例えば、２−ｔｅｒｔ−
ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、２−ｔ
ｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、９，１０−ビス（３，５
−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，
１０−ビス（４−フェニルフェニル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＢＡ）、９，１０
−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジフェニルアントラセ
ン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＡｎｔ
ｈ）、９，１０−ビス（４−メチル−１−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＭＮＡ）、
２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン
、９，１０−ビス［２−（１−ナフチル）フェニル］アントラセン、２，３，６，７−テ
トラメチル−９，１０−ジ（１−ナフチル）アントラセン、２，３，６，７−テトラメチ
ル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、９，９’−ビアントリル、１０，１０
’−ジフェニル−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス（２−フェニルフェニル
）−９，９’−ビアントリル、１０，１０’−ビス［（２，３，４，５，６−ペンタフェ
ニル）フェニル］−９，９’−ビアントリル、アントラセン、テトラセン、ルブレン、ペ
リレン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン等が挙げられる。また
、この他、ペンタセン、コロネン等も用いることができる。このように、１×１０^−６ｃ
ｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有し、炭素数１４〜４２である芳香族炭化水素を用いるこ
とがより好ましい。

なお、複合材料に用いることのできる芳香族炭化水素は、ビニル骨格を有していてもよい
。ビニル基を有している芳香族炭化水素としては、例えば、４，４’−ビス（２，２−ジ
フェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、９，１０−ビス［４−（２，２−ジ
フェニルビニル）フェニル］アントラセン（略称：ＤＰＶＰＡ）等が挙げられる。

また、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４−ビニルトリフェニ
ルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルア
ミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略
称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（
フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）等の高分子化合物を用いることもで
きる。

正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送性の高い物質としては、
例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略
称：ＮＰＢ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，
１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス
（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４
’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン
（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２
−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合
物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔
移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら
以外のものを用いてもよい。なお、正孔輸送性の高い物質を含む層は、単層のものだけで
なく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。

また、正孔輸送層として、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）やポリ（４
−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）等の高分子化合物を用いることもで
きる。

発光層は、発光性の物質を含む層である。発光層の種類としては、発光中心物質を主成分
とするいわゆる単膜の発光層であっても、ホスト材料中に発光中心材料を分散するいわゆ
るホスト−ゲスト型の発光層であってもどちらでも構わない。

用いられる発光中心材料に制限は無く、公知の蛍光又は燐光を発する材料を用いることが
できる。蛍光発光性材料としては、例えばＮ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−
９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：
ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−
アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、等の他、発光波長が４５０ｎｍ
以上の４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−ア
ントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［
４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン
（略称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレ
ン（略称：ＴＢＰ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル
−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ
’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニレン
）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡ
ＢＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）
フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４−（
９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−
１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，
Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１
０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、Ｎ−（９，１０−ジフェニ
ル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：
２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アン
トリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰ
ｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニ
ル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，
１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１
，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビ
フェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−
フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェ
ニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’−
ジフェニルキナクリドン、（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−
ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２
−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−
４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−
（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）
エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ
，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン
（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（
４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（
略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）、２−｛２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テ
トラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−
９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣ
ＪＴＩ）、２−｛２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−
２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エ
テニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２
−（２，６−ビス｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−４Ｈ−ピラン
−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２−｛２，６−ビス［２
−（８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１
Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリ
デン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）などが挙げられる。燐光発光性材
料としては、例えば、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，
Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６
）、の他、発光波長が４７０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲にある、ビス［２−（４’，６’−
ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略
称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス［２−（３’，５’−ビストリフルオロメチルフェニル）ピリ
ジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐｙ）
_２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２
’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）、発光波長が
５００ｎｍ（緑色発光）以上のトリス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）
（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）、ビス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）ア
セチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ））、トリス（アセチルアセト
ナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）_３（Ｐ
ｈｅｎ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナー
ト（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ））、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキ
サゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐ
ｏ）_２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト
］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）_２（ａｃ
ａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）ア
セチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）_２（ａｃａｃ））、ビス［２−（２’−ベンゾ
［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセ
トナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）_２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト
−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（
ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キ
ノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ））、（ア
セチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）
（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８
−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）、ト
リス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユー
ロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノ
イル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム
（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ））等が挙げられる。以上のような材料
又は他の公知の材料の中から、各々の発光素子における発光色を考慮し選択すれば良い。

ホスト材料を用いる場合は、例えばトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）
（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（
略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（Ｉ
Ｉ）（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェ
ノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（
ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（Ｉ
Ｉ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（Ｉ
Ｉ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅ
ｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビ
ス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル
］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４
−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’
，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミ
ダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュ
プロイン（略称：ＢＣＰ）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール
−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣＯ１１）などの複素環化合物、
ＮＰＢ（またはα−ＮＰＤ）、ＴＰＤ、ＢＳＰＢなどの芳香族アミン化合物が挙げられる
。また、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、
ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げられ、具体的には、
９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−
［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミ
ン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミ
ン（略称：ＤＰｈＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェ
ニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル
−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３
−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニ
ル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：
ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）
−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、６，１２−ジメトキシ−５
，１１−ジフェニルクリセン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’
’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（
略称：ＤＢＣ１）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−
カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−
９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０−
ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（
２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（
２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル（略称
：ＢＡＮＴ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイル）ジフェナントレン（略称：
ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル）ジフェナントレン（略称：Ｄ
ＰＮＳ２）、３，３’，３’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリピレン（略称
：ＴＰＢ３）などを挙げることができる。これら及び公知の物質の中から、各々が分散す
る発光中心物質のエネルギーギャップ（燐光発光の場合は三重項エネルギー）より大きな
エネルギーギャップ（三重項エネルギー）を有する物質を有し、且つ各々の層が有すべき
輸送性に合致した輸送性を示す物質を選択すればよい。

電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。例えば、トリス（８−キノリノラ
ト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニ
ウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウ
ム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノ
ラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）など、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を
有する金属錯体等からなる層である。また、この他ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル
）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）_２）、ビス［２−（２−ヒドロキシ
フェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）などのオキサゾール系、
チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外
にも、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４
−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）や、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフ
ェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、
３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１
，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）
、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）なども用いることができる。ここに述べた物質は、
主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子
の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いても構わない。

また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したも
のとしてもよい。

また、電子輸送層と発光層との間に電子キャリアの移動を制御する層を設けても良い。こ
れは上述したような電子輸送性の高い材料に、電子トラップ性の高い物質を少量添加した
層であって、電子キャリアの移動を抑制することによって、キャリアバランスを調節する
ことが可能となる。このような構成は、発光層を電子が突き抜けてしまうことにより発生
する問題（例えば素子寿命の低下）の抑制に大きな効果を発揮する。

また、陰極となる電極に接して電子注入層を設けてもよい。電子注入層としては、フッ化
リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）等のよ
うなアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれらの化合物を用いることができる。例え
ば、電子輸送性を有する物質からなる層中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属又はそれ
らの化合物を含有させたもの、例えばＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの
等を用いることができる。なお、電子注入層として、電子輸送性を有する物質からなる層
中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含有させたものを用いることにより、第２の電
極１３６からの電子注入が効率良く行われるためより好ましい。

発光素子の第２の電極１３６を形成する物質としては、第２の電極１３６を陰極として用
いる場合には、仕事関数の小さい（具体的には３．８ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性
化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。このような陰極材料の具体例
としては、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）や
セシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）
、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、
ＡｌＬｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれ
らを含む合金等が挙げられる。しかしながら、陰極と電子輸送層との間に、電子注入層を
設けることにより、仕事関数の大小に関わらず、Ａｌ、Ａｇ、ＩＴＯ、ケイ素若しくは酸
化ケイ素を含有した酸化インジウム−酸化スズ等様々な導電性材料を陰極として用いるこ
とができる。これら導電性材料は、スパッタリング法やインクジェット法、スピンコート
法等を用いて成膜することが可能である。

また、第２の電極１３６を陽極として用いる場合には、仕事関数の大きい（具体的には４
．０ｅＶ以上）金属、合金、導電性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好
ましい。具体的には、例えば、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉ
ｎ Ｏｘｉｄｅ）、ケイ素若しくは酸化ケイ素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸
化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タング
ステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（ＩＷＺＯ）等が挙げられる。これらの導
電性金属酸化物膜は、通常スパッタにより成膜されるが、ゾル−ゲル法などを応用して作
製しても構わない。例えば、酸化インジウム−酸化亜鉛（ＩＺＯ）は、酸化インジウムに
対し１〜２０ｗｔ％の酸化亜鉛を加えたターゲットを用いてスパッタリング法により形成
することができる。また、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム（Ｉ
ＷＺＯ）は、酸化インジウムに対し酸化タングステンを０．５〜５ｗｔ％、酸化亜鉛を０
．１〜１ｗｔ％含有したターゲットを用いてスパッタリング法により形成することができ
る。この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロ
ム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジ
ウム（Ｐｄ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等が挙げられる。また、
上述の複合材料を陽極に接して設けることによって、仕事関数の高低にかかわらず電極の
材料を選択することができる。

なお、上述のＥＬ層１３４は図６（Ｂ）のように第１の電極１３０と第２の電極１３６と
の間に複数積層されていても良い。この場合、積層されたＥＬ層１３４とＥＬ層１３４と
の間には、電荷発生層６００を設けることが好ましい。電荷発生層６００は上述の複合材
料で形成することができる。また、電荷発生層６００は複合材料よりなる層と他の材料よ
りなる層との積層構造をなしていてもよい。この場合、他の材料よりなる層としては、電
子供与性物質と電子輸送性の高い物質とを含む層や、透明導電膜よりなる層などを用いる
ことができる。このような構成を有する発光素子は、エネルギーの移動や消光などの問題
が起こり難く、材料の選択の幅が広がることで高い発光効率と長い寿命とを併せ持つ発光
素子とすることが容易である。また、一方のＥＬ層で燐光発光、他方で蛍光発光を得るこ
とも容易である。この構造は上述のＥＬ層の構造と組み合わせて用いることができる。

次に、ＥＬ層が第１の電極と第２の電極との間に３層以上の複数積層されている場合につ
いても説明する。図６（Ｃ）のようにＥＬ層１３４が、例えばｎ（ｎは３以上の自然数）
層の積層構造を有する場合には、ｍ（ｍは自然数、１≦ｍ≦ｎ−１）番目のＥＬ層と、（
ｍ＋１）番目のＥＬ層との間には、それぞれ電荷発生層６００が挟まれた構造を有する。

なお、電荷発生層６００とは、第１の電極１３０と第２の電極１３６に電圧を印加したと
きに、電荷発生層６００に接して形成される一方のＥＬ層１３４に対して正孔を注入する
機能を有し、他方のＥＬ層１３４に電子を注入する機能を有する。

電荷発生層６００は、有機化合物と金属酸化物の複合材料、金属酸化物、有機化合物とア
ルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物との複合材料の他、これらを適宜
組み合わせて形成することができる。有機化合物と金属酸化物の複合材料としては、例え
ば、有機化合物とＶ_２Ｏ_５やＭｏＯ_３やＷＯ_３等の金属酸化物を含む。有機化合物として
は、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴ
マー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の化合物を用いることができる。なお、有
機化合物としては、正孔輸送性有機化合物として正孔移動度が１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上
であるものを適用することが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれ
ば、これら以外のものを用いてもよい。なお、電荷発生層６００に用いるこれらの材料は
、キャリア注入性、キャリア輸送性に優れているため、発光素子の低電流駆動、および低
電圧駆動を実現することができる。

特に図６（Ｂ）または（Ｃ）の構成のように、一対の電極間に複数のＥＬ層を電荷発生層
で仕切って配置することで、電流密度を低く保ったまま高輝度領域での発光が可能である
。電流密度を低く保てるため、長寿命素子を実現できる。また、それぞれのＥＬ層の発光
色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる
。例えば、２つのＥＬ層を有する発光素子において、第１のＥＬ層の発光色と第２のＥＬ
層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光
素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係を
いう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光を混合すると、白色発
光を得ることができる。また、３つのＥＬ層を有する発光素子の場合でも同様であり、例
えば、第１のＥＬ層の発光色が赤色であり、第２のＥＬ層の発光色が緑色であり、第３の
ＥＬ層の発光色が青色である場合、発光素子全体としては、白色発光を得ることができる
。

なお、本実施の形態の構成は、他の実施の形態の構成を適宜組み合わせて用いることがで
きるものとする。

（実施の形態４）
本実施の形態では、ＦＰＣが接続されたモジュール型の発光装置について図７を参照して
説明する。図７（Ａ）は、実施の形態２に一例を示す作製方法によって作製した発光装置
を示す上面図である。また、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断面図であ
る。

図７（Ａ）において、可視光に対する透光性及び可撓性を有する基板１００上に、第１の
絶縁層が設けられ、その上に画素部５０２、ソース側駆動回路５０４、及びゲート側駆動
回路５０３が形成されている。これらの画素部や駆動回路は、上記実施の形態２に従えば
得ることができる。また、１４４は金属基板であり、画素部および駆動回路部上に接着さ
れている。

なお、５０８はソース側駆動回路５０４及びゲート側駆動回路５０３に入力される信号を
伝送するための配線であり、外部入力端子となるフレキシブルプリント配線基板（ｆｌｅ
ｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ：ＦＰＣ）４０２からビデオ信号、クロッ
ク信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。配線５０８は、画素部及び駆動回路
部に設けられた薄膜トランジスタのゲート電極を作製する工程と同一工程で形成すること
が可能である。なお、図７に図示したＦＰＣ４０２に、さらにプリント配線基盤（ＰＷＢ
）が取り付けられた構成としても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だ
けでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。

次に、断面構造について図７（Ｂ）を用いて説明する。基板１００上に第１の絶縁層１０
４が設けられ、第１の絶縁層１０４の上方には画素部５０２、ゲート側駆動回路５０３が
形成されており、画素部５０２は電流制御用ＴＦＴ５１１とそのドレインに電気的に接続
された第１の画素電極５１２を含む複数の画素により形成される。また、ゲート側駆動回
路５０３はｎチャネル型ＴＦＴ５１３とｐチャネル型ＴＦＴ５１４とを組み合わせたＣＭ
ＯＳ回路を用いて形成される。

なお、ＦＰＣの接続方法は図７に示した構成に限られない。例えば、基板１００側から、
配線５０８と接続する位置に貫通配線を設けて、当該貫通配線を用いてＦＰＣと接続する
ことも可能である。貫通配線は、例えば、基板１００及び第１の絶縁層１０４に対して、
レーザ、ドリル、打ち抜き針等によって、配線５０８に達する貫通孔を形成し、当該貫通
孔にスクリーン印刷や、インクジェット法によって、導電性樹脂を配置することで形成す
ることができる。導電性樹脂とは、粒径が数十マイクロメートル以下の導電性粒子を有機
樹脂に溶解又は分解させたものを指す。

導電性粒子としては、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）
、白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン
（Ｔｉ）のいずれかの金属元素を含む導電ペースト用いることができる。また、導電性樹
脂に含まれる有機樹脂は、金属粒子のバインダー、溶媒、分散剤、及び被覆材として機能
する有機樹脂から選ばれた一つまたは複数を用いることができる。代表的には、エポキシ
樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂等の有機樹脂が挙げられる。

また、基板１００として繊維体に有機樹脂が含浸された構造体を用いた場合には、構造体
上の所定の位置に導電性樹脂を配置し、構造体中の有機樹脂と導電性樹脂に含まれる有機
樹脂の反応によって、構造体の有機樹脂の一部を溶解させ、導電性樹脂に含まれる金属粒
子を構造体に浸透させることで貫通配線を形成することができる。

以上によって、ＦＰＣ４０２が接続されたモジュール型の発光装置を得ることができる。

なお、本実施の形態の構成は、他の実施の形態の構成を適宜組み合わせて用いることがで
きるものとする。

（実施の形態５）
本実施の形態では、上記実施の形態に示す発光装置をその一部に含む電子機器及び照明装
置について説明する。

実施の形態１〜４に示した発光装置を有する電子機器の一例として、ビデオカメラ、デジ
タルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオ
ーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイル
コンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再
生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録
媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）などが挙げられる。

例えば、図８（Ａ）はフレキシブルなディスプレイであり、本体９６０１、表示部９６０
２、外部メモリ挿入部９６０３、スピーカー部９６０４、操作キー９６０５等を含む。本
体９６０１には他にテレビ受像アンテナや外部入力端子、外部出力端子、バッテリーなど
が搭載されていても良い。このディスプレイの表示部９６０２は実施の形態１〜４に示し
た発光装置を用いることによって作製される。フレキシブルな表示部９６０２は本体９６
０１内に巻き取ることで収納することが可能であり、携帯に好適である。フレキシブル且
つ長寿命で簡便に作製できる実施の形態１〜４に記載の発光装置を搭載したディスプレイ
は、表示部９６０２において、携帯好適性かつ軽量化を実現しながら長寿命で価格の比較
的安価な商品とすることが可能となる。

また、本発明の一態様に係る発光装置はパッシブマトリクス型とすることも可能であり、
発光装置を照明装置としても用いることができる。例えば、図８（Ｂ）は卓上照明装置で
あり、照明部９５０１、支柱９５０３、支持台９５０５等を含む。照明部９５０１は上記
実施の形態で示した発光装置を用いて作製される。照明部９５０１にフレキシブルな発光
装置を用いるため、本実施の形態で示す照明装置は曲面を有する照明装置、またはフレキ
シブルに曲がる照明部を有する照明装置とすることが可能である。このように、フレキシ
ブルな発光装置を照明装置として用いることで、照明装置のデザインの自由度が向上する
のみでなく、例えば、車の天井等の曲面を有する場所にも照明装置を設置することが可能
となる。また、フレキシブルな発光装置を用いることで、例えばロールスクリーン型の照
明装置のように、使用しない場合に照明部を巻き取って収納できる照明装置を作製するこ
とも可能である。なお、照明装置には、天井固定型の照明装置または壁掛け型の照明装置
等も含まれる。

なお、上記実施の形態を適用して作製される本実施の形態の照明装置は、信頼性の高い照
明装置とすることが可能である。

以上のようにして、上記実施の形態で示した発光装置を適用して電子機器や照明装置を得
ることができる。当該発光装置の適用範囲は極めて広く、図８（Ａ）または（Ｂ）に示し
た構成に限られずあらゆる分野の電子機器、または照明装置に適用することが可能である
。

なお、本実施の形態の構成は、他の実施の形態の構成を適宜組み合わせて用いることがで
きるものとする。

１００ 基板
１０２ 剥離層
１０４ 第１の絶縁層
１０６ 薄膜トランジスタ
１０６ａ 半導体層
１０６ｂ ゲート絶縁層
１０６ｃ ゲート電極
１３０ 電極
１３４ ＥＬ層
１３６ 電極
１３７ 隔壁
１３８ 発光素子
１４０ 第２の絶縁層
１４２ 樹脂膜
１４４ 金属基板
１５０ 素子部
１５２ 絶縁層
１５４ 絶縁膜
１５６ シール材
１６０ 溝部
２００ カラーフィルタ層
２０４ 配線
２０６ 層間絶縁膜
２０８ 平坦化膜
２１０ バリア膜
２１２ 電極
２１４ カラーフィルタ基板
２１６ コート膜
２１８ カラーフィルタ基板
２５０ 画素部
２５２ 駆動回路部
３００ 基板
３０２ 剥離層
３０４ 素子形成層
３０５ 粘着シート
４０２ ＦＰＣ
５０２ 画素部
５０３ ゲート側駆動回路
５０４ ソース側駆動回路
５０８ 配線
５１１ 電流制御用ＴＦＴ
５１２ 画素電極
５１３ ｎチャネル型ＴＦＴ
５１４ ｐチャネル型ＴＦＴ
６００ 電荷発生層
９５０１ 照明部
９５０３ 支柱
９５０５ 支持台
９６０１ 本体
９６０２ 表示部
９６０３ 外部メモリ挿入部
９６０４ スピーカー部
９６０５ 操作キー

Claims (5)

1. 基板上に、剥離層を形成し、
   前記剥離層上に第１の保護層を形成し、
   前記第１の保護層上に、半導体素子と発光素子とを含む素子部を形成し、
   前記剥離層において、前記基板から前記素子部を剥離し、
   前記素子部を、可撓性を有する樹脂に接着した後、
   前記素子部上に、第２の保護層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
2. 基板上に、剥離層を形成し、
   前記剥離層上に絶縁層を形成し、
   前記絶縁層上に、半導体素子と発光素子とを含む素子部を形成し、
   前記剥離層において、前記基板から前記素子部を剥離し、
   前記素子部を、可撓性を有する樹脂に接着した後、
   前記素子部上に、保護層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
3. 基板上に、剥離層を形成し、
   前記剥離層上に保護層を形成し、
   前記保護層上に、半導体素子と発光素子とを含む素子部を形成し、
   前記剥離層において、前記基板から前記素子部を剥離し、
   前記素子部を、可撓性を有する樹脂に接着した後、
   前記素子部上に、絶縁層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
4. 基板上に、剥離層を形成し、
   前記剥離層上に第１の絶縁層を形成し、
   前記第１の絶縁層上に、半導体素子と発光素子とを含む素子部を形成し、
   前記剥離層において、前記基板から前記素子部を剥離し、
   前記素子部を、可撓性を有する樹脂に接着した後、
   前記素子部上に、第２の絶縁層を形成することを特徴とする発光装置の作製方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記剥離は、レーザ光の照射、又は前記剥離層のエッチングによる除去によって行うことを特徴とする発光装置の作製方法。

Images