JPWO2018163937A1 - 発光装置 - Google Patents
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- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 125
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract description 48
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 16
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 2
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethylene naphthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BSUHXFDAHXCSQL-UHFFFAOYSA-N [Zn+2].[W+4].[O-2].[In+3] Chemical compound [Zn+2].[W+4].[O-2].[In+3] BSUHXFDAHXCSQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
-
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
- H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
- H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/874—Passivation; Containers; Encapsulations including getter material or desiccant
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
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Abstract
発光部(140)は基板(100)の第1面(100a)側に位置している。有機層は、少なくとも一部が発光部(140)と基板(100)の端部(100c)の間に位置している。図1に示す例において、この有機層は有機絶縁膜(150)である。以下、有機層を有機絶縁膜(150)として説明を行う。ただし、この有機層は後述する有機層(120)であってもよい。第1被覆層(200)は発光部(140)及び有機絶縁膜(150)を被覆している。中間層(300)は第1被覆層(200)の基板(100)とは逆側の面に接しており、少なくとも一部が有機絶縁膜(150)よりも端部(100c)側に位置している。また、中間層(300)は乾燥剤を含んでいる。第2被覆層(400)は、中間層(300)の基板(100)とは反対側の面に接している。
Description
本発明は、発光装置に関する。
照明やディスプレイなどの発光装置の一つに、有機ELを用いたものがある。有機ELは発光層に有機材料を用いているため、耐久性を持たせるためには、発光部を封止する必要がある。
特許文献1には、有機層を、封止層、吸湿層、及び保護層の積層構造で覆うことが記載されている。封止層は熱可塑性樹脂を含んでいる。保護層は、金属箔又はプラスチックフィルムと無機化合物層の積層体である。
特許文献2には、有機層を、ALD法で形成された封止層で覆うことが記載されている。封止層としては、例えばALOxが開示されている。
本発明者は、有機層を十分に封止するために、発光部の上に第1被覆層を形成し、第1被覆層の上に乾燥材を含む中間層を設け、さらに、第1被覆層及び中間層を第2被覆層で覆うことを検討した。しかし、この構造を取ったとしても、中間層の位置によっては、発光装置の外部の水分等が発光部に到達する可能性があることが判明した。
本発明が解決しようとする課題としては、光部の上に第1被覆層を形成し、さらに第1被覆層の上に、乾燥材を含む中間層を設け、さらに第1被覆層及び中間層を第2被覆層で覆った場合において、発光装置の外部の水分等が発光部に到達しにくくすることが一例として挙げられる。
請求項1に記載の発明は、基板の第1面側に位置する発光部と、
少なくとも一部が前記発光部と前記基板の端部の間に位置する有機層と、
前記発光部及び前記有機層を被覆する第1被覆層と、
前記第1被覆層の前記基板と反対側の面に接し、かつ、少なくとも一部が前記有機層より前記端部側に位置し、乾燥材を含む中間層と、
前記中間層の前記基板と反対側の面に接している第2被覆層と、
を備える発光装置である。
少なくとも一部が前記発光部と前記基板の端部の間に位置する有機層と、
前記発光部及び前記有機層を被覆する第1被覆層と、
前記第1被覆層の前記基板と反対側の面に接し、かつ、少なくとも一部が前記有機層より前記端部側に位置し、乾燥材を含む中間層と、
前記中間層の前記基板と反対側の面に接している第2被覆層と、
を備える発光装置である。
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
図1は、実施形態に係る発光装置10の構成を示す断面図である。実施形態に係る発光装置10は点灯装置、照明装置、又はディスプレイであり、発光部140、有機層、第1被覆層200、中間層300、及び第2被覆層400を備えている。発光部140は基板100の第1面100a側に位置している。有機層は、少なくとも一部が発光部140と基板100の端部100cの間に位置している。図1に示す例において、この有機層は有機絶縁膜150である。以下、有機層を有機絶縁膜150として説明を行う。ただし、この有機層は後述する有機層120であってもよい。第1被覆層200は発光部140及び有機絶縁膜150を被覆している。中間層300は第1被覆層200の基板100とは逆側の面に接しており、少なくとも一部が有機絶縁膜150よりも端部100c側に位置している。また、中間層300は乾燥剤を含んでいる。第2被覆層400は、中間層300の基板100とは反対側の面に接している。以下、発光装置10について詳細に説明する。
発光装置10は、上記したように発光部140を有している。発光部140は、基板100を用いて形成されている。発光部140は例えばボトムエミッション型であり、基板100の第2面100b側から光を放射する。ただし、発光部140はトップエミッション型や両面発光型であってもよい。また、発光装置10は複数の発光部140を有していてもよい。この場合、発光装置10は、複数の発光部140の間に可視光を透過する領域(透光部)を有していてもよい。
基板100は、例えばガラスや透光性の樹脂などの透光性の材料で形成されている。基板は、例えば矩形などの多角形である。基板100は可撓性を有していてもよい。基板100が可撓性を有している場合、基板100の厚さは、例えば10μm以上1000μm以下である。特にガラスを有する基板100に可撓性を持たせる場合、基板100の厚さは、例えば200μm以下である。樹脂材料で形成された基板100に可撓性を持たせる場合、基板100の材料は、例えばPEN(ポリエチレンナフタレート)、PES(ポリエーテルサルホン)、PET(ポリエチレンテレフタラート)、及びポリイミドの少なくとも一つである。なお、基板100が樹脂材料で形成されている場合、水分が基板100を透過することを抑制するために、基板100の少なくとも発光面(好ましくは両面)に、SiNxやSiONなどの無機バリア膜が形成されているのが好ましい。
なお、発光部140がトップエミッション型である場合、基板100は透光性を有していなくてもよい。
発光部140は、上記したように基板100の第1面100aに形成されており、第1電極110、有機層120、及び第2電極130を有している。以下、発光部140がボトムエミッション型である場合について、説明する。
第1電極110は透明導電膜で形成されている。この透明導電膜は、金属を含む材料、例えば、ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、IWZO(Indium Tungsten Zinc Oxide)、ZnO(Zinc Oxide)等の金属酸化物である。透明電極の材料の屈折率は、例えば1.5以上2.2以下である。透明電極の厚さは、例えば10nm以上500nm以下である。透明電極は、例えばスパッタリング法又は蒸着法を用いて形成される。なお、透明電極は、カーボンナノチューブ、又はPEDOT/PSSなどの導電性有機材料であってもよいし、薄い金属電極であってもよい。
有機層120は、第1電極110と第2電極130の間に位置しており、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、及び電子注入層を有している。ただし、正孔注入層及び正孔輸送層の一方は形成されていなくてもよい。また、電子輸送層及び電子注入層の一方は形成されていなくてもよい。有機層120は、さらに他の層を有していてもよい。有機層120は、例えば蒸着法を用いて形成されるが、少なくとも一部の層が塗布法により形成されていてもよい。有機層120は、後述する有機絶縁膜150の上、及び第1電極110のうち発光部140となるべき領域のそれぞれに連続して形成されている。
第2電極130は、例えば金属層を有しており、透光性を有していない。第2電極130が有する金属層は、例えば、Al、Au、Ag、Pt、Mg、Sn、Zn、及びInからなる第1群の中から選択される金属からなる層、又はこの第1群から選択される金属の合金からなる層である。
また、第1電極110の上には有機絶縁膜150が形成されている。有機絶縁膜150は、第1電極110のうち発光部140となるべき領域に開口を有している。言い換えると、有機絶縁膜150は発光部140を画定している。有機絶縁膜150は、例えばポリイミドなどに感光性の物質を含ませた材料を用いて形成されている。有機絶縁膜150は、第1電極110が形成された後、かつ有機層120が形成される前に形成されている。
発光装置10は、さらに第1端子112及び第1配線114を有している。第1端子112は、第1電極110を発光装置10外部の駆動回路に接続するための端子であり、フレキシブルプリント配線板などの外部の配線が接続される。第1配線114は第1端子112を第1電極110に接続している。第1端子112及び第1配線114は、いずれも第1面100aに形成されている。第1端子112及び第1配線114の少なくとも一部は、第1電極110と一体になっていてもよい。この場合、第1端子112及び第1配線114の少なくとも一部は、第1電極110と同じ透明導電膜であり、第1電極110と同一の工程で同時に形成される。
発光装置10は、上記したように、第1被覆層200、中間層300、及び第2被覆層400を有している。第1被覆層200は発光部140を封止するために設けられており、発光部140と重なっている。本図に示す例において、第1被覆層200は、発光部140の第2電極130に接しているとともに、有機絶縁膜150及び第1配線114にも接している。
第1被覆層200は、無機材料からなる層(以下、無機層と記載)を少なくとも一つ(好ましくは複数)有している。この無機材料は、例えば酸化アルミニウムは酸化チタンなどの金属酸化物である。例えば第1被覆層200は、酸化アルミニウムからなる第1層と酸化チタンからなる第2層とを繰り返し積層した積層膜を有している。この場合、積層膜の厚さは、例えば1nm以上300nm以下である。また、第1層及び第2層は、例えばALD(Atomic Layer Deposition)法を用いて形成されている。この場合、第1層の厚さ、及び第2層の厚さは、例えば1nm以上100nm以下である。なお、上記した無機層は、他の成膜法、例えばCVD法やスパッタリング法を用いて形成されていてもよい。この場合、無機層は、例えばSiO2層又はSiN層である。また無機層の膜厚は、例えば100nm以上300nm以下である。
中間層300は第1被覆層200を覆っており、第2被覆層400は中間層300を覆っている。図1に示す例において、中間層300及び第2被覆層400は一枚のフィルムを構成している。
具体的には、中間層300は、接着層310及び吸湿層320を有している。吸湿層320は、吸湿剤を含んでおり、接着層310のうち縁の全周を除いた部分に設けられている。第2被覆層400は例えばアルミ箔などの金属層である。第2被覆層400の端部は、全周に渡って接着層310の端部に接している。言い換えると、吸湿層320は、接着層310と第2被覆層400に挟まれている。
そして、基板100に垂直な方向から見た場合において、有機絶縁膜150の外側の端部152(すなわち基板100の端部100c側の端部)は、吸湿層320に覆われている。言い換えると、吸湿層320の外側の端部322は有機絶縁膜150の端部152よりも端部100cに近い。端部322から端部152までの距離wは、例えば500μm以上5000μm以下であるが、この範囲に限定されない。また、第1被覆層200の端部202は、吸湿層320の吸湿層320よりも基板100の端部100cに近い。言い換えると、吸湿層320の端部322は、第2被覆層400の外側の端部402及び接着層310の外側の端部312よりも内側(すなわち発光部140側)に位置している。
また、中間層300及び第2被覆層400は、接着層310を基板100側の構造物(例えば第1被覆層200)に接着させることにより、基板100側に固定されている。この固定の際、接着層310の縁(すなわち発光部140や吸湿層320と重ならない部分)は他の部分と比較して強く基板100に向けて押し付けられている。このため、接着層310は、吸湿層320と重ならない領域に、膜厚が他の領域(例えば吸湿層320と重なる領域)より薄い部分を有している。
次に、発光装置10の製造方法について説明する。まず、基板100に第1電極110を、例えばスパッタリング法およびフォトリソグラフィー法を用いて形成する。この際、第1端子112及び第1配線114の少なくとも一部も形成される。次いで、感光材を含む有機絶縁膜150をフォトリソグラフィー法を用いて形成する。次いで、有機層120を形成する。次いで、第2電極130を、例えばマスクを用いた蒸着法を用いて形成する。これにより、基板100に発光部140が形成される。次いで、基板100に第1被覆層200を形成する。そして、中間層300及び第2被覆層400を積層したフィルムを準備する。次いで、中間層300の接着層310を用いて、このフィルムを基板100に取り付ける。このようにして、発光装置10が形成される。
図2は、比較例に係る発光装置10の構成を示す断面図である。本図に示す発光装置10は、有機絶縁膜150の端部152が吸湿層320の端部322よりも基板100の端部100cの近くに位置している点を除いて、図1に示した発光装置10と同様の構成である。
第1被覆層200はALD法などの成膜プロセスによって形成されているため、欠陥204(例えばピンホールなど水分が透過してしまう部分)を有している場合がある。一方、有機絶縁膜150及び接着層310は、少しではあるが水分を透過する。このため、第1被覆層200のうち有機絶縁膜150及び接着層310と重なっているが吸湿層320とは重なっていない部分に欠陥204が生じていると、接着層310の端部312から侵入した水分等が、欠陥204を介して有機絶縁膜150に侵入し、さらに有機絶縁膜150を経由して有機層120に到達してしまう恐れがある。
これに対して実施形態に係る発光装置10は、中間層300は有機絶縁膜150よりも基板100の端部100c側に位置している。このため、第1被覆層200のうち有機絶縁膜150及び接着層310と重なっているが吸湿層320とは重なっていない部分は無い。従って、上記したルートで有機層120に水分が到達することを抑制できる。
また、第1被覆層200に、図2に示した欠陥204が形成されたとしても、欠陥204の位置が、第1被覆層200のうち有機絶縁膜150の端部152と第2電極130の端部の間以外であれば、有機層120に水分が到達する可能性は低い。従って、発光部140は十分に封止される。
(変形例1)
図3は、変形例1に係る発光装置10の構成を示す断面図である。本変形例に係る発光装置10は、導電層160を有している点を除いて、実施形態に係る発光装置10と同様の構成である。
図3は、変形例1に係る発光装置10の構成を示す断面図である。本変形例に係る発光装置10は、導電層160を有している点を除いて、実施形態に係る発光装置10と同様の構成である。
導電層160は、基板100と第1被覆層200の間、具体的には第1電極110、第1端子112、及び第1配線114の上に位置している。導電層160は、第1電極110の補助電極として機能し、例えば、Mo又はMo合金などの第1金属層、Al又はAl合金などの第2金属層、及びMo又はMo合金などの第3金属層をこの順に積層させた構成を有している。これら3つの金属層のうち第2金属層が最も厚い。導電層160は、第1端子112の上から第1配線114の上を経由して第1電極110の上まで延在している。言い換えると、導電層160の一方の端部は第1被覆層200の外側に位置している。
本変形例によっても、図2を用いて説明したルートで有機層120に水分が到達することを抑制できる。
(変形例2)
図4は、変形例2に係る発光装置10の構成を示す断面図である。本変形例に係る発光装置10は、中間層300及び第2被覆層400の構成を除いて、実施形態に係る発光装置10と同様の構成である。
図4は、変形例2に係る発光装置10の構成を示す断面図である。本変形例に係る発光装置10は、中間層300及び第2被覆層400の構成を除いて、実施形態に係る発光装置10と同様の構成である。
本変形例において、中間層300は接着剤の中に吸湿剤を混ぜた構成を有している。そして第2被覆層400は、ガラス板、又は無機バリア膜を有する樹脂板などである。そして、中間層300の端部302は有機絶縁膜150の端部152よりも基板100の端部100cの近くに位置している。
本変形例によっても、図2を用いて説明したルートで有機層120に水分が到達することを抑制できる。
(変形例3)
図5は、変形例3に係る発光装置10の構成を示す断面図である。本変形例に係る発光装置10は、第1端子112及び第1配線114とは異なる場所に、第2端子132及び第2配線134を有している点を除いて、実施形態又は変形例1,2のいずれかに係る発光装置10と同様の構成を有している。
図5は、変形例3に係る発光装置10の構成を示す断面図である。本変形例に係る発光装置10は、第1端子112及び第1配線114とは異なる場所に、第2端子132及び第2配線134を有している点を除いて、実施形態又は変形例1,2のいずれかに係る発光装置10と同様の構成を有している。
第2端子132は、第2電極130を発光装置10外部の駆動回路に接続するための端子であり、フレキシブルプリント配線板などの外部の配線が接続される。第2配線134(導電層)は第2端子132を第2電極130に接続している。第2端子132及び第2配線134は、いずれも、厚さ方向において第1面100aと第1被覆層200の間(例えば第1面100aの上)に形成されている。第2端子132及び第2配線134の少なくとも一部は、第1電極110と同じ透明導電膜又は図3に示した導電層160と同じ導電層である。
そして、第2配線134の一方の端部(例えば第2端子132)は第1被覆層200の外に位置しており、第2配線134の他方の端部は、有機絶縁膜150の端部152と吸湿層320の端部322との間において第2電極130に接続している。そして、第2配線134のうち両端以外の部分の少なくとも一部は、中間層300と重なっている。ただし、第2電極130は、必ずしも第2配線134の他方の端部に直接接しなくてもよい。例えば、第2電極130は、金属層などの導電層を介して第2配線134の他方の端部に接続されてもよい。また、第2配線134の他方の端部が有機絶縁膜150と重なっている場合、当該端部は、第2配線134の上面で第2電極130と直接接続されていてもよい。
本変形例によっても、図2を用いて説明したルートで有機層120に水分が到達することを抑制できる。
以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
この出願は、2017年3月9日に出願された日本出願特願2017−045094号を基礎とする優先権を主張し、その開示の全てをここに取り込む。
Claims (7)
- 基板の第1面側に位置する発光部と、
少なくとも一部が前記発光部と前記基板の端部の間に位置する有機層と、
前記発光部及び前記有機層を被覆する第1被覆層と、
前記第1被覆層の前記基板と反対側の面に接し、かつ、少なくとも一部が前記有機層より前記端部側に位置し、乾燥材を含む中間層と、
前記中間層の前記基板と反対側の面に接している第2被覆層と、
を備える発光装置。 - 請求項1に記載の発光装置において、
前記第1被覆層の端部は、前記中間層の乾燥材より前記基板の端部に近い発光装置。 - 請求項1に記載の発光装置において、
前記第1被覆層は無機膜を含む発光装置。 - 請求項1〜3のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記発光部は、第1電極、有機EL層、及び第2電極を前記基板側からこの順に含む積層構造を有し、
前記有機層は、発光部を画定する有機絶縁膜である発光装置。 - 請求項4に記載の発光装置において、
前記基板と前記第1被覆層との間に位置していて前記第1電極に接続する導電層を有し、
前記導電層の少なくとも一方の端部は、前記第1被覆層より外側に位置している発光装置。 - 請求項4に記載の発光装置において、
前記基板と前記第1被覆層との間に位置する導電層を有し、
前記導電層の一方の端部は、前記第1被覆層の外に位置し、
前記導電層の他方の端部は前記第2電極に接続しており、
前記導電層の2つの端部の間の部分の少なくとも一部は、前記中間層と重なっている発光装置。 - 請求項1〜6のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記第2被覆層は、金属層であり、
前記中間層は、接着材を含む接着層及び前記乾燥材を含む吸湿層を含む積層構造を有しており、
前記吸湿層の端部は、前記第2被覆層の端部及び前記接着層の端部より内側に位置し、
前記接着層は、前記吸湿層と重ならない領域に、膜厚が前記接着層のうち前記吸湿層と重なる領域より薄い部分を有する発光装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017045094 | 2017-03-09 | ||
JP2017045094 | 2017-03-09 | ||
PCT/JP2018/007572 WO2018163937A1 (ja) | 2017-03-09 | 2018-02-28 | 発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2018163937A1 true JPWO2018163937A1 (ja) | 2020-01-09 |
Family
ID=63448884
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019504506A Pending JPWO2018163937A1 (ja) | 2017-03-09 | 2018-02-28 | 発光装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200251684A1 (ja) |
JP (1) | JPWO2018163937A1 (ja) |
WO (1) | WO2018163937A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7112505B2 (ja) * | 2018-09-27 | 2022-08-03 | 富士フイルム株式会社 | 電子デバイス積層体の製造方法、および、電子デバイス積層体 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2016012433A (ja) * | 2014-06-27 | 2016-01-21 | 株式会社Joled | 有機el表示パネル及び有機el表示装置 |
-
2018
- 2018-02-28 WO PCT/JP2018/007572 patent/WO2018163937A1/ja active Application Filing
- 2018-02-28 US US16/492,556 patent/US20200251684A1/en not_active Abandoned
- 2018-02-28 JP JP2019504506A patent/JPWO2018163937A1/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009117079A (ja) * | 2007-11-02 | 2009-05-28 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法、電子機器 |
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JP2016012433A (ja) * | 2014-06-27 | 2016-01-21 | 株式会社Joled | 有機el表示パネル及び有機el表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20200251684A1 (en) | 2020-08-06 |
WO2018163937A1 (ja) | 2018-09-13 |
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