JP2017050327A - ダイボンダ、ボンディング方法および半導体装置の製造方法 - Google Patents

ダイボンダ、ボンディング方法および半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2017050327A
JP2017050327A JP2015170628A JP2015170628A JP2017050327A JP 2017050327 A JP2017050327 A JP 2017050327A JP 2015170628 A JP2015170628 A JP 2015170628A JP 2015170628 A JP2015170628 A JP 2015170628A JP 2017050327 A JP2017050327 A JP 2017050327A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
die
bonding
pickup
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015170628A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6584234B2 (ja
JP2017050327A5 (ja
Inventor
牧　浩
Hiroshi Maki
浩 牧
灘本　啓祐
Keisuke Nadamoto
啓祐 灘本
岡本　直樹
Naoki Okamoto
直樹 岡本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fasford Technology Co Ltd
Original Assignee
Fasford Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fasford Technology Co Ltd filed Critical Fasford Technology Co Ltd
Priority to JP2015170628A priority Critical patent/JP6584234B2/ja
Priority to TW105123445A priority patent/TWI623982B/zh
Priority to CN201610743102.1A priority patent/CN106486398B/zh
Priority to KR1020160110049A priority patent/KR101807419B1/ko
Publication of JP2017050327A publication Critical patent/JP2017050327A/ja
Priority to KR1020170164039A priority patent/KR101838456B1/ko
Publication of JP2017050327A5 publication Critical patent/JP2017050327A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6584234B2 publication Critical patent/JP6584234B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67712—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrate being handled substantially vertically
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations the substrates to be conveyed not being semiconductor wafers or large planar substrates, e.g. chips, lead frames
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H01L21/681—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment using optical controlling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/7565—Means for transporting the components to be connected
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/757—Means for aligning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/75—Apparatus for connecting with bump connectors or layer connectors
    • H01L2224/759—Means for monitoring the connection process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector

Abstract

【課題】突き上げユニットが１つ（ピックアップが１箇所）であると複数のピックアップヘッドの効率を上げられない。【解決手段】ダイボンダは、ウェハ支持台と、単一の突き上げユニットと、ウェハ認識カメラと、複数のピックアップヘッドと、複数の中間ステージと、複数のボンディングステージと、複数のボンディングヘッドと、を備える。ウェハ認識カメラは複数回のダイのピックアップに１回の割合でウェハ中のダイを撮像する。【選択図】図５

Description

本開示はダイボンダに関し、例えば複数のピックアップヘッドを有するダイボンダに適用可能である。
特開２０１３−６５７１１号公報（特許文献１）には、２つのピックアップヘッドと２つのボンディングヘッドを有するダイボンダが開示されている。
特開２０１３−６５７１１号公報
特許文献１ではダイ突き上げユニットが１つ（ピックアップが１箇所）のため複数のピックアップヘッドの効率を上げられない。
本開示の課題は、複数のピックアップヘッドの効率を上げることが可能なダイボンディング技術を提供することである。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
本開示のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
すなわち、ダイボンダは、ウェハ支持台と、単一の突き上げユニットと、ウェハ認識カメラと、複数のピックアップヘッドと、複数の中間ステージと、複数のボンディングステージと、複数のボンディングヘッドと、を備える。ウェハ認識カメラは複数回のダイのピックアップに１回の割合でウェハ中のダイを撮像する。
本開示によれば、複数のピックアップヘッドの効率を上げることができる。
実施例に係るダイボンダの構成を示す概略上面図。 図１のダイ供給部の構成を示す外観斜視図。 図２のダイ供給部の主要部を示す概略断面図。 図１のダイボンダの概略構成とその動作を説明する図。 図１のダイボンダのピックアップ動作を示すフロー図。 図５のウェハ認識を説明するための平面図。 図１のダイボンダのピックアップ動作の変形例を示すフロー図。 図７のウェハ認識を説明するための平面図。 図１のダイボンダのピックアップ動作の比較例を示すフロー図。 図１のダイボンダのピックアップ動作を説明する図。 図１のダイボンダのピックアップ動作の比較例を説明する図。 図１のダイボンダの動作を示すフロー図。
半導体装置の製造工程の一部に半導体チップ（以下、単にダイという。）を配線基板やリードフレーム等（以下、単に基板という。）に搭載してパッケージを組み立てる工程があり、パッケージを組み立てる工程の一部に、半導体ウェハ（以下、単にウェハという。）からダイを分割する工程と、分割したダイを基板の上に搭載するボンディング工程とがある。ボンディング工程に使用される製造装置がダイボンダである。
ダイボンダは、はんだ、金メッキ、樹脂を接合材料として、ダイを基板または既にボンディングされたダイの上にボンディング（搭載して接着）する装置である。ダイを、例えば、基板の表面にボンディングするダイボンダにおいては、コレットと呼ばれる吸着ノズルを用いてダイをウェハから吸着してピックアップし、基板上に搬送し、押付力を付与すると共に、接合材を加熱することによりボンディングを行うという動作（作業）が繰り返して行われる。コレットは、吸着孔を有し、エアを吸引して、ダイを吸着保持する保持具であり、ダイと同程度の大きさを有する。
実施形態に係るダイボンダは、ウェハ支持台と、単一の突き上げユニットと、ウェハ認識カメラと、複数のピックアップヘッドと、複数の中間ステージと、複数のボンディングステージと、複数のボンディングヘッドと、を備える。ウェハ認識カメラは複数回のダイのピックアップまたは複数回のウェハピッチに１回の割合でウェハ中のダイを撮像する。
これにより、ダイのピックアップまたはウェハピッチごとにウェハ認識カメラでウェハを撮像しないので、ウェハピッチ後のピックアップヘッドの移動開始を早めることができ、ピックアップ時間を短くすることができ、ボンディング工程のスループットを向上することができる。なお、実施形態に係るダイボンダでは、ダイボンド精度の維持・向上も行うため、中間ステージにおいてダイのアライメントを行うことが好ましい。
以下、実施例、変形例および比較例について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明を省略することがある。なお、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。
図１は実施例に係るダイボンダの概略上面図である。ダイボンダ１０は、大別して、ウェハ供給部１と、ピックアップ部２Ａ、２Ｂと、アライメント部３Ａ、３Ｂと、ボンディング部４Ａ、４Ｂと、搬送部５と、制御装置８と、を備える。ウェハ供給部１は基板Ｐに実装するダイＤが搭載されたウェハリング１４（図２、図３参照）を供給する。ピックアップ部２Ａ、２Ｂはウェハ供給部１からダイＤをピックアップする。アライメント部３Ａ、３ＢはピックアップされたダイＤを中間的に一度載置する。ボンディング部４Ａ、４Ｂはアライメント部３Ａ、３ＢのダイＤをピックアップし基板Ｐ又は既にボンディングされたダイＤの上にボンディングする。搬送部５は基板Ｐを実装位置に搬送する。制御装置８は各部の動作を監視し制御する。
ウェハ供給部１はウェハカセットリフタＷＣＬとウェハ修正シュートＷＲＡとウェハリングホルダ（ウェハ支持台）ＷＲＨとダイ突き上げユニットＷＤＥとウェハ認識カメラＶＳＷとを備える。ウェハカセットリフタＷＣＬは複数のウェハリング１４が格納されるウェハカセットをウェハ搬送高さまで上下動させる。ウェハ修正シュートＷＲＡはウェハカセットリフタＷＣＬより供給されるウェハリング１４のアライメントを行う。ウェハエキストラクタＷＲＥはウェハリング１４をウェハカセットから取出し、収納する。ウェハリングホルダＷＲＨは図示しない駆動手段によってＸ方向およびＹ方向に移動し、ピックアップするダイＤをダイ突き上げユニットＷＤＥの位置に移動させる。図１の２点破線円はウェハリングホルダＷＲＨの移動範囲である。ダイ突き上げユニットＷＤＥウェハテープ（ダイシングテープ）１６にマウントされるウェハ１１からダイ単位で突き上げ剥離する。ウェハ認識カメラＶＳＷはウェハリングホルダＷＲＨで支持されたウェハ１１のダイＤを撮像し、ピックアップすべきダイＤの位置を認識する。
ピックアップ部２Ａ、２Ｂのそれぞれは、ピックアップヘッドＢＰＨとピックアップヘッドテーブルＢＰＴとを備える。ピックアップヘッドＢＰＨは、ダイ突き上げユニットＷＤＥで突き上げられたダイＤを先端に吸着保持するコレット２２（図４参照）を有し、ダイＤをピックアップし、中間ステージＢＡＳに載置する。ピックアップヘッドテーブルＢＰＴはピックアップヘッドＢＰＨを昇降、Ｘ方向およびＹ方向に移動させる。ピックアップヘッドＢＰＨではダイＤの角度に合わせて回転させる機能を付加することも可能である。ピックアップは、ウェハ１１の有する複数の電気的特性の異なるダイのグレードを示す分類マップに基づいて行う。分類マップは制御部５０に予め記憶されている。
アライメント部３Ａ、３Ｂのそれぞれは、ダイＤを一時的に載置する中間ステージＢＡＳと中間ステージＢＡＳ上のダイＤを認識する為のステージ認識カメラＶＳＡ（図４参照）とを備える。ダイ突き上げユニットＷＤＥは、平面視で、アライメント部３Ａの中間ステージＢＡＳとアライメント部３Ｂの中間ステージＢＡＳとの中間に位置し、ダイ突き上げユニットＷＤＥ、アライメント部３Ａの中間ステージＢＡＳ、およびアライメント部３Ｂの中間ステージＢＡＳはＸ方向に沿って配置される。
ボンディング部４Ａ、４Ｂのそれぞれは、ボンディングヘッドＢＢＨとコレット４２（図４参照）とボンディングヘッドテーブルＢＨＴと基板認識カメラＶＳＢ（図４参照）とを備える。ボンディングヘッドＢＢＨはピックアップヘッドＢＰＨと同じ構造を有し、中間ステージＢＡＳからダイＤをピックアップし、搬送されてきた基板Ｐにボンディングする。コレット４２はボンディングヘッドＢＢＨの先端に装着されダイＤを吸着保持する。ボンディングヘッドテーブルＢＨＴはボンディングヘッドＢＢＨをＸ方向およびＹ方向に移動させる。基板認識カメラＶＳＢは搬送されてきた基板Ｐの位置認識マーク（図示せず）を撮像し、ボンディングすべきダイＤのボンディング位置を認識する。
このような構成によって、ボンディングヘッドＢＢＨは、ステージ認識カメラＶＳＡの撮像データに基づいてピックアップ位置・姿勢を補正し、中間ステージＢＡＳからダイＤをピックアップし、基板認識カメラＶＳＢの撮像データに基づいて基板ＰにダイＤをボンディングする。
搬送部５は、ダイＤがボンディングされる基板Ｐ（図１では１８枚）を載置したマガジン（図１では５個）をＸ方向に搬送する第１搬送レーン５１および第２搬送レーン５２を備える。第１搬送レーン５１は第１クリーンステージＣＳ１と第１ボンディングステージＢＳ１と第２ボンディングステージＢＳ２とを備える。図１では第１クリーンステージＣＳ１にマガジン９１が載置され、第１ボンディングステージＢＳ１にマガジン９２は載置され、第２ボンディングステージＢＳ２にマガジン９３が載置されている。第２搬送レーン５２は第２クリーンステージＣＳ２と第３ボンディングステージＢＳ３とを備える。図１では第２クリーンステージＣＳ２にマガジン９４が載置され、第３ボンディングステージＢＳ３にマガジン９５は載置されている。第１クリーンステージＣＳ１および第２クリーンステージＣＳ２のプリビジョンポイントＰＶＰでは、基板Ｐに付けられた基板の不良の印の認識および基板Ｐ上の異物を吸引するクリーニングが行われる。第１ボンディングステージＢＳ１、第２ボンディングステージＢＳ２および第３ボンディングステージＢＳ３のボンディングポイントＢＰでは、基板Ｐにボンディングが行われる。アライメント部３Ａの中間ステージＢＡＳ、第１ボンディングステージＢＳ１のボンディングポイントＢＰおよび第３ボンディングステージＢＳ３のボンディングポイントＢＰを結ぶ線はＹ方向に沿って配置され、アライメント部３Ｂの中間ステージＢＡおよび第２ボンディングステージＢＳ２のボンディングポイントＢＰを結ぶ線はＹ方向に沿って配置される。第１搬送レーン５１および第２搬送レーン５２はそれぞれマガジンローダＩＭＨとフィーダシュートＦＭＴとローダフィーダＦＩＧメインフィーダＦＭＧ１とメインフィーダＦＭＧ２とメインフィーダＭＦＧ３とアンローダフィーダＦＯＧとマガジンアンローダＯＭＨとを備える。マガジンローダＩＭＨは基板Ｐが格納されるマガジンを基板搬送高さまで上下動させ、プッシャにより基板Ｐがすべて供給されるとマガジンを払い出し、新たに基板Ｐが格納されるマガジンを基板搬送高さまで上下動させる。フィーダシュートＦＭＴは基板搬送部のシュートを基板幅に応じて開閉する。ローダフィーダＦＩＧは供給される基板ＰをプリビジョンポイントＰＶＰまでグリップ搬送する。メインフィーダＦＭＧ１はプリビジョンポイントＰＶＰまでグリップ搬送される基板ＰをメインフィーダＦＭＧ２に受け渡すまでグリップ搬送する。メインフィーダＦＭＧ２はメインフィーダＦＭＧ１から基板Ｐを受け取りメインフィーダＭＦＧ３に受け渡すまでグリップ搬送する。メインフィーダＦＭＧ３はメインフィーダＦＭＧ２から基板Ｐを受け取りアンローディング位置までグリップ搬送する。アンローダフィーダＦＯＧはアンローディング位置までグリップ搬送された基板Ｐを払出し位置までグリップ搬送する。マガジンアンローダＯＭＨは供給された空マガジンを基板搬送高さまで上下動させ、払い出された基板でマガジンが満杯になるとマガジンを払い出し、新たに空マガジンを基板搬送高さまで上下動させる。
次に、図２および図３を用いてウェハ供給部の詳細な構成を説明する。図２は、ウェハ供給部の主要部を示す外観斜視図である。図３は、ウェハ供給部の主要部を示す概略断面図である。ウェハ１１の裏面には、ダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）１８が貼り付けられ、更にその裏側にダイシングテープ１６が貼り付けられている。さらに、ダイシングテープ１６の縁辺は、ウェハリング１４に貼り付けられ、エキスパンドリング１５に挟み込まれて固定されている。即ち、ウェハリングホルダＷＲＨは、ウェハリング１４を保持するエキスパンドリング１５と、ウェハリング１４に保持され複数のダイＤ（ウェハ１１）が接着されたダイシングテープ１６を水平に位置決めする支持リング１７と、を備える。ウェハ供給部１は、支持リング１７の内側に配置されダイＤを上方に突き上げるためのダイ突き上げユニットＷＤＥを有する。ダイ突き上げユニットＷＤＥは、図示しない駆動機構によって、上下方向に移動するようになっており、水平方向にはウェハリングホルダＷＲＨが移動するようになっている。このように、ダイＤの薄型化に伴い、ダイボンディング用の接着剤は、液状からフィルム状に替わり、ウェハ１１とダイシングテープ１６との間に、ダイアタッチフィルム１８と呼ばれるフィルム状の接着材料を貼り付けた構造としている。ダイアタッチフィルム１８を有するウェハ１１では、ダイシングはウェハ１１とダイアタッチフィルム１８に対して行なわれる。なお、ダイシングテープ１６とダイアタッチフィルム１８が一体化されたテープであってもよい。
ウェハリングホルダＷＲＨは、ダイＤの突き上げ時に、ウェハリング１４を保持しているエキスパンドリング１５を下降させる。この時支持リング１７は下降しないため、ウェハリング１４に保持されているダイシングテープ１６が引き伸ばされダイＤ同士の間隔が広がり、各ダイＤ同士の干渉・接触を防止し、個々のダイが離れ突上げ易くなる条件とする。ダイ突き上げユニットＷＤＥは、ダイ下方よりダイＤを突き上げることでダイＤの剥離を進行させ、コレットによるダイＤのピックアップ性を向上させている。
図４は、ダイボンダの主要部の概略側面図である。ダイボンダ１０は３つのボンディングステージＢＳ１、ＢＳ２、ＢＳ３を備えるが、図４ではボンディングステージＢＳと記載している。ダイボンダ１０は、ピックアップヘッドＢＰＨでピックアップしたダイＤを一度中間ステージＢＡＳに載置し、載置したダイＤをボンディングヘッドＢＢＨで再度ピックアップし、実装位置にボンディングし、基板Ｐに実装する。
ダイボンダ１０は、ウェハ１１上のダイＤの姿勢を認識するウェハ認識カメラＶＳＷと、中間ステージＢＡＳに載置されたダイＤの姿勢を認識するステージ認識カメラＶＳＡと、ボンディングステージＢＳ上の実装位置を認識する基板認識カメラＶＳＢとを有する。本実施例で認識カメラ間の姿勢ずれ補正しなければならないのは、ボンディングヘッドＢＢＨによるピックアップに関与するステージ認識カメラＶＳＡと、ボンディングヘッドＢＢＨによる実装位置へのボンディングに関与する基板認識カメラＶＳＢである。
また、ダイボンダ１０は、中間ステージＢＡＳに設けられた旋回駆動装置２５と、中間ステージＢＡＳとボンディングステージＢＳの間に設けられたアンダビジョンカメラＣＵＶと、ボンディングステージＢＳに設けられた加熱装置３４と、制御装置８と、を有する。旋回駆動装置２５は、実装位置を有する実装面に平行な面で中間ステージＢＡＳを旋回させ、ステージ認識カメラＶＳＡと基板認識カメラＶＳＢ間の回転角ずれ等を補正する。アンダビジョンカメラＣＵＶはボンディングヘッドＢＢＨが移動中に吸着しているダイＤの状態を真下から観察し、加熱装置３４はダイＤを実装するためにボンディングステージＢＳを加熱する。
制御装置８、図示しないＣＰＵ（Central Processor Unit）、制御プログラムを格納するメモリやデータを格納するメモリ、コントロールバスをなど有し、ダイボンダ１０を構成する各要素を制御し、以下に述べる実装制御を行う。
図５は図１のダイボンダのピックアップ動作を説明するためのフローチャートである。
ステップＳ１：ウェハ認識カメラＶＳＷはウェハ１１上の複数のダイＤをまとめて（一括して）撮像する。
ステップＳ２：制御装置８はウェハ認識カメラＶＳＷで撮像した複数のダイＤのうち最初にピックアップする画像からダイの位置を演算して認識する（認識結果演算）。その結果、ウェハの位置補正が必要な場合はステップＳ３に移る。ウェハの位置補正が必要でない場合はステップＳ５に移る。
ステップＳ３：制御装置８はウェハリングホルダＷＲＨを水平方向に移動してウェハの位置補正を行う。
ステップＳ４：制御装置８はウェハ認識カメラＶＳＷで撮像した複数のダイＤのうち２番目以降から最後にピックアップする複数の画像から複数のダイのそれぞれの位置を演算して認識し、メモリに記憶する。ステップＳ４はステップＳ５以降のステップと並行して行うことができる。
ステップＳ５：ピックアップヘッドＢＰＨは1番目のダイＤをピックアップする。なお、１番目のダイＤが不良品の場合、ピックアップヘッドＢＰＨはダイＤのピックアップは行わない。ウェハ１１は、検査装置により、ダイ毎に検査され、ダイ毎に良、不良を示すマップデータが生成され、制御装置８のメモリに記憶される。ピックアップ対象となるダイＤが良品であるか、不良品であるかの判定はマップデータにより行われる。
ステップＳ６：制御装置８はステップＳ４でメモリに記憶したダイＤの位置に基づいてウェハリングホルダＷＲＨを水平方向に移動し、２番目のダイＤをダイ突き上げユニットＷＤＥの上に位置させる（ウェハピッチ）。なお、２番目のダイＤが不良品である場合、次の良品（例えば３番目）のダイＤをダイ突き上げユニットＷＤＥの上に位置させる。すなわち、不良品のダイＤをスキップしてウェハピッチを行う。以下のウェハピッチでも同様である。
ステップＳ７：ピックアップヘッドＢＰＨは２番目のダイＤをピックアップする。
ステップＳ８：制御装置８はステップＳ４でメモリに記憶したダイＤの位置に基づいてウェハリングホルダＷＲＨを水平方向に移動する（ウェハピッチ）。
ステップＳ９：ピックアップヘッドＢＰＨは撮像範囲内の最後のダイＤをピックアップする。
ステップＳ１０：制御装置８はステップＳ４でメモリに記憶したダイＤの位置に基づいてウェハリングホルダＷＲＨを次の撮像位置まで水平方向に移動し、次の撮像範囲内の１つ目のダイＤをダイ突き上げユニットＷＤＥの上に位置させる（記憶最終ウェハピッチ）。ステップＳ１に移る。
図６は図５のウェア認識を説明するための平面図である。図６ではウェハ認識カメラＶＳＷが９個のダイＤを一括して撮像する例が示されているが、これに限定されるものではない。隣接する撮像範囲ＩＡ１、ＩＡ２、ＩＡ３には重なりがある。ハッチングを施したダイＤは最初にピックアップされるものであり、先端が矢印のＳ字状の線はピックアップの順番を示している。図において右側の撮像範囲ＩＡ１が最初に撮像され、真ん中の撮像範囲ＩＡ２、左側の撮像範囲ＩＡ３の順に撮像される。また、撮像範囲内の右上のダイが最初にピックアップされ、左下のダイが最後にピックアップされる。
実施例では複数個のダイを一括撮像し、最初に１個のダイを認識し、その後残りのダイを認識するので、最初の１個のダイの認識の遅れはなく、位置補正や最初のダイピックアップの遅れはない。
図７は図１のダイボンダのピックアップ動作の変形例を説明するためのフローチャートである。変形例では1回の撮像で１個のダイを認識するが、引き続く複数のダイは認識を行わず計算でピッチ移動量を求めて複数回のピッチ移動を行う。ずれが大きくならない様に認識するピッチを設定する。
ステップＳ１Ａ：ウェハ認識カメラＶＳＷはウェハ１１上の1個のダイＤを撮像する。
ステップＳ２Ａ：制御装置８はウェハ認識カメラＶＳＷで撮像した1個のダイＤの画像から複数のダイＤの位置を計算して求める（認識結果演算）。その結果、ウェハの位置補正が必要な場合はステップＳ３に移る。ウェハの位置補正が必要でない場合はステップＳ５に移る。
ステップＳ３：制御装置８はウェハリングホルダＷＲＨを水平方向に移動してウェハの位置補正を行う。
ステップＳ５：ピックアップヘッドＢＰＨは1番目のダイＤをピックアップする。なお、1番目のダイＤが不良品の場合、ピックアップヘッドＢＰＨはダイＤのピックアップは行わない。
ステップＳ６：制御装置８はステップＳ２Ａで求めたダイＤの位置に基づいてウェハリングホルダＷＲＨを水平方向に移動する（ウェハピッチ）。なお、ダイＤが不良品である場合、次の良品のダイＤをダイ突き上げユニットＷＤＥの上に位置させることは実施例と同様である。
ステップＳ７：ピックアップヘッドＢＰＨは２つ目のダイＤをピックアップする。
ステップＳ８：制御装置８はステップＳ２Ａで求めたダイＤの位置に基づいてウェハリングホルダＷＲＨを水平方向に移動する（ウェハピッチ）。
ステップＳ９：ピックアップヘッドＢＰＨは撮像範囲内の最後のダイＤをピックアップする。
ステップＳ１０：制御装置８はステップＳ２Ａで求めた記ダイＤの位置に基づいてウェハリングホルダＷＲＨを次の撮像位置まで水平方向に移動する（記憶最終ウェハピッチ）。ステップＳ１Ａに移る。
図８は図７のウェア認識を説明するための平面図である。図８ではウェハ認識カメラＶＳＷが５個のダイＤ毎に撮像する例が示されているが、これに限定されるものではない。ただし、全てのダイＤを撮像しないので、位置精度が劣化しないように実施例における一括撮像するダイＤの数よりも少なくするのが好ましい。撮像範囲ＩＡ１、ＩＡ２、ＩＡ３、ＩＡ４はそれぞれダイＤよりも大きく、隣接するダイの一部が撮像範囲に含まれるが、隣接する複数のダイ全体が撮像範囲に含まれない。ハッチングを施したダイＤは実際に撮像され最初にピックアップされるものであり、先端が矢印の線はピックアップの順番を示している。図において右上の撮像範囲ＩＡ１が最初に撮像され、左上の撮像範囲ＩＡ２、２段目の左の撮像範囲ＩＡ３、２段目の右の撮像範囲ＩＡ４の順に撮像される。なお、撮像範囲ＩＡ２の中心のダイの左隣のダイ、すなわち、ウェハ周辺に位置するダイのように、ダイの一部が欠けているダイは予め認識されており、そのダイはスキップしてウェハピッチが行われる。
変形例では実施例よりもダイの認識量が少ないので、演算量が少なくなり制御装置の負荷を軽減することができる。
図９は図１のダイボンダのピックアップ動作の比較例を説明するためのフローチャートである。比較例ではウェハピッチごとにウェハ認識を行う。
ステップＳ１Ｂ：ウェハ認識カメラＶＳＷはウェハ１１上の1個のダイＤを撮像する。
ステップＳ２Ｂ：制御装置８はウェハ認識カメラＶＳＷで撮像した１個のダイＤの画像からダイＤの位置を計算して求める（認識結果演算）。その結果、ウェハの位置補正が必要な場合（許容値を超えている場合）はステップＳ３に移る。ウェハの位置補正が必要でない場合はステップＳ５に移る。
ステップＳ３：制御装置８はウェハリングホルダＷＲＨを水平方向に移動してウェハの位置補正を行う。
ステップＳ５：ピックアップヘッドＢＰＨはダイＤをピックアップする。なお、ダイＤが不良品の場合、ピックアップヘッドＢＰＨはダイＤのピックアップは行わない。
ステップＳ６：制御装置８はステップＳ２Ｂで求めたダイＤの位置に基づいてウェハリングホルダＷＲＨを次の撮像位置まで水平方向に移動する（ウェハピッチ）。ステップＳ１Ｂに移る。なお、ダイＤの位置精度を高く維持するため、ダイＤが不良品である場合でも、実施例や変形例と異なり、不良品のダイＤをスキップしてウェハピッチを行わない。
図１０は図１のダイボンダのピックアップ動作を説明する図であり、図５および図７のフローチャートに対応するタイミング図である。
（ａ）制御装置８はウェハリングホルダＷＲＨを次の撮像位置まで水平方向に移動して維持する（ウェハピッチ（ＷＰ））。これに並行して、制御装置８はピックアップ部２ＡのピックアップヘッドＢＰＨ（左のピックアップヘッドＢＰＨ）の水平位置（ＰＵＰＬ（Ｘ））をアライメント部３Ａの中間ステージＢＡＳ（左の中間ステージＢＡＳ）のプレース位置（ＰＬ＿Ｌ）とピックアップ位置（ＰＫＵＰ）との中間の位置に維持し、左のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＬ（Ｚ））を最高位置に維持する。これに並行して、制御装置８はピックアップ部２ＢのピックアップヘッドＢＰＨ（右のピックアップヘッドＢＰＨ）の水平位置（ＰＵＰＲ（Ｘ））をアライメント部３Ｂの中間ステージＢＡＳ（右の中間ステージＢＡＳ）のプレース位置（ＰＬ＿Ｒ）に向けて移動し、右のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＲ（Ｚ））を右の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｒ）と最高位置との間の位置に移動して維持する。
（ｂ）ウェハピッチ（ＷＰ）が終了すると、制御装置８はウェハ認識カメラＶＳＷによってウェハ１１を撮像してダイＤを認識する（ウェハ認識（ＷＲ））。ウェハ認識カメラＶＳＷでのウェハ１１の撮像の障害にならないように、制御装置８は左のピックアップヘッドＢＰＨの水平位置（ＰＵＰＬ（Ｘ））を左の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｌ）とピックアップ位置（ＰＫＵＰ）との中間の位置で維持し、右のピックアップヘッドＢＰＨの水平位置（ＰＵＰＲ（Ｘ））をピックアップ位置(ＰＫＵＰ)から右の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｒ）に向けて移動する。これに並行して、制御装置８は左のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＬ（Ｚ））を最高位置に維持し、右のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＲ（Ｚ））を右の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｒ）と最高位置との間の位置に維持する。
（ｃ）ウェハ認識（ＷＲ）が終了すると、制御装置８は左のピックアップヘッドＢＰＨの水平位置（ＰＵＰＬ（Ｘ））をピックアップ位置(ＰＫＵＰ)に移動して維持し、左のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＬ（Ｚ））をピックアップ位置(ＰＫＵＰ)に向けて移動する（下降する）。その後、制御装置８は左のピックアップヘッドＢＰＨの水平位置（ＰＵＰＬ（Ｘ））をピックアップ位置(ＰＫＵＰ)に維持し、左のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＬ（Ｚ））をピックアップ位置(ＰＫＵＰ)に維持してダイＤを吸着し、その後左のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＬ（Ｚ））を左の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｌ）と最高位置との中間の位置に向けて移動してダイＤをピックアップする。
（ｄ）上記（ｃ）と並行して、制御装置８は右のピックアップヘッドＢＰＨの水平位置（ＰＵＰＲ（Ｘ））を右の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｒ）に維持し、右のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＲ（Ｚ））を右の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｒ）に移動しダイＤを右の中間ステージＢＡＳ上に載置し、その後右のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＲ（Ｚ））を最高位置に向けて移動する。その後、制御装置８は右のピックアップヘッドＢＰＨの水平位置（ＰＵＰＲ（Ｘ））を右の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｒ）とピックアップ位置（ＰＫＵＰ）との中間の位置に移動して維持し、右のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＲ（Ｚ））を最高位置に維持する。
（ｅ）左のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＬ（Ｚ））が所定の高さになると、制御装置８はウェハリングホルダＷＲＨを次の撮像位置まで水平方向に移動して維持する（ウェハピッチ（ＷＰ））。これに並行して、制御装置８は左のピックアップヘッドＢＰＨの水平位置（ＰＵＰＬ（Ｘ））を左の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｌ）に向けて移動し、左のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＬ（Ｚ））を左の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｌ）と最高位置との中間の位置に向けて移動する。また、制御装置８は右のピックアップヘッドＢＰＨの水平位置（ＰＵＰＲ（Ｘ））を右の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｒ）とピックアップ位置（ＰＫＵＰ）との中間の位置に維持し、右のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＲ（Ｚ））を最高位置に維持する。
（ｆ）左のピックアップヘッドＢＰＨの水平位置（ＰＵＰＬ（Ｘ））がピックアップ位置(ＰＫＵＰ)と左の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｌ）との中間の位置になると、制御装置８は右のピックアップヘッドＢＰＨの水平位置（ＰＵＰＲ（Ｘ））をピックアップ位置(ＰＫＵＰ)に移動して維持し、右のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＲ（Ｚ））をピックアップ位置(ＰＫＵＰ)に向けて移動する（下降する）。その後、制御装置８は右のピックアップヘッドＢＰＨの水平位置（ＰＵＰＲ（Ｘ））をピックアップ位置(ＰＫＵＰ)に維持し、右のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＲ（Ｚ））をピックアップ位置(ＰＫＵＰ)に維持してダイＤを吸着し、右のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＲ（Ｚ））を右の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｒ）と最高位置との間の位置に向けて移動してダイＤをピックアップする。
（ｇ）上記（ｆ）に並行して、制御装置８は左のピックアップヘッドＢＰＨの水平位置（ＰＵＰＬ（Ｘ））を左の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｌ）に向けて移動して維持し、左のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＬ（Ｚ））を最高位置と左の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｌ）との間の位置から左の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｌ）に移動しダイＤを左の中間ステージＢＡＳ上に載置し、左のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＬ（Ｚ））を最高位置に移動する。その後、制御装置８は左のピックアップヘッドＢＰＨの水平位置（ＰＵＰＬ（Ｘ））を左の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｌ）から左の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｌ）とピックアップ位置（ＰＫＵＰ）との中間の位置に移動して維持し、左のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＬ（Ｚ））を最高位置に維持する。
（ｈ）右のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＲ（Ｚ））が所定の高さになると、制御装置８はウェハリングホルダＷＲＨを次の撮像位置まで水平方向に移動して維持する（ウェハピッチ（ＷＰ））。これに並行して、制御装置８は右のピックアップヘッドＢＰＨの水平位置（ＰＵＰＲ（Ｘ））を右の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｌ）に向けて移動し、右のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＲ（Ｚ））を右の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｒ）と最高位置との中間の位置に向けて移動する。また、制御装置８は左のピックアップヘッドＢＰＨの水平位置（ＰＵＰＲ（Ｘ））を左の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｌ）とピックアップ位置（ＰＫＵＰ）との中間の位置に維持し、左のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＬ（Ｚ））を最高位置に維持する。
（ｉ）右のピックアップヘッドＢＰＨの水平位置（ＰＵＰＲ（Ｘ））がピックアップ位置(ＰＫＵＰ)と右の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｒ）との中間の位置になると、制御装置８は左のピックアップヘッドＢＰＨの水平位置（ＰＵＰＬ（Ｘ））をピックアップ位置(ＰＫＵＰ)に移動して維持し、左のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＬ（Ｚ））をピックアップ位置(ＰＫＵＰ)に向けて移動する（下降する）。その後、制御装置８は左のピックアップヘッドＢＰＨの水平位置（ＰＵＰＬ（Ｘ））をピックアップ位置(ＰＫＵＰ)に維持し、左のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＬ（Ｚ））をピックアップ位置(ＰＫＵＰ)に維持してダイＤを吸着し、左のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＬ（Ｚ））を左の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｌ）と最高位置との間の位置に向けて移動してダイＤをピックアップする。
（ｊ）上記（ｉ）に並行して、制御装置８は右のピックアップヘッドＢＰＨの水平位置（ＰＵＰＲ（Ｘ））を右の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｒ）に向けて移動して維持し、右のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＲ（Ｚ））を最高位置と右の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｒ）との間の位置から右の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｒ）に移動しダイＤを右の中間ステージＢＡＳ上に載置し、右のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＲ（Ｚ））を最高位置に移動する。その後、制御装置８は右のピックアップヘッドＢＰＨの水平位置（ＰＵＰＲ（Ｘ））を右の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｒ）から右の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｒ）とピックアップ位置（ＰＫＵＰ）との中間の位置に移動して維持し、右のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＲ（Ｚ））を最高位置に維持する。
上記（ａ）のウェハピッチの後に（ｂ）のウェハ認識があるが、（ｅ）および（ｆ）のウェハピッチの後にウェハ認識がないので、（ｇ）のダイのピックアップと（ｆ）のダイのプレースとの並列度を（ｃ）のダイのピックアップと（ｄ）のダイのプレースとの並列度よりも上げることができ、（ｅ）のウェハピッチと（ｈ）のウェハピッチとの間の時間（ｔｐ２）は（ａ）のウェハピッチと（ｅ）のウェハピッチとの間の時間（ｔｐ１）よりも短くすることができる。
図１１は図１のダイボンダのピックアップ動作の比較例を説明する図であり、図９のフローチャートに対応するタイミング図である。
図１１の（ａ）〜（ｅ）は図１０の（ａ）〜（ｅ）と同様である。
（ｆ）ウェハピッチ（ＷＰ）が終了すると、制御装置８はウェハ認識カメラＶＳＷによってウェハ１１を撮像してダイＤを認識する（ウェハ認識（ＷＲ））。ウェハ認識カメラＶＳＷでのウェハ１１の撮像の障害にならないように、制御装置８は右のピックアップヘッドＢＰＨの水平位置（ＰＵＰＲ（Ｘ））を右の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｒ）とピックアップ位置（ＰＫＵＰ）との中間の位置で維持し、左のピックアップヘッドＢＰＨの水平位置（ＰＵＰＬ（Ｘ））をピックアップ位置(ＰＫＵＰ)から左の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｌ）に向けて移動する。また、制御装置８は右のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＲ（Ｚ））を最高位置に維持し、左のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＲ（Ｚ））を左の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｒ）と最高位置との間の位置に維持する。
（ｇ）ウェハ認識（ＷＲ）が終了すると、制御装置８は右のピックアップヘッドＢＰＨの水平位置（ＰＵＰＲ（Ｘ））をピックアップ位置(ＰＫＵＰ)に移動して維持し、右のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＲ（Ｚ））をピックアップ位置(ＰＫＵＰ)に向けて移動する（下降する）。その後、制御装置８は右のピックアップヘッドＢＰＨの水平位置（ＰＵＰＲ（Ｘ））をピックアップ位置(ＰＫＵＰ)に維持し、右のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＲ（Ｚ））をピックアップ位置(ＰＫＵＰ)に維持してダイＤを吸着し、その後右のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＲ（Ｚ））を右の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｌ）と最高位置との中間の位置に向けて移動してダイＤをピックアップする。
（ｈ）上記（ｇ）と並行して、制御装置８は左のピックアップヘッドＢＰＨの水平位置（ＰＵＰＬ（Ｘ））を左の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｌ）に維持し、左のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＬ（Ｚ））を左の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｌ）に移動しダイＤを左の中間ステージＢＡＳ上に載置し、その後左のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＬ（Ｚ））を最高位置に向けて移動する。その後、制御装置８は左のピックアップヘッドＢＰＨの水平位置（ＰＵＰＬ（Ｘ））を左の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｌ）とピックアップ位置（ＰＫＵＰ）との中間の位置に移動して維持し、左のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＬ（Ｚ））を最高位置に維持する。
（ｉ）制御装置８はウェハリングホルダＷＲＨを次の撮像位置まで水平方向に移動して維持する（ウェハピッチ（ＷＰ））。これに並行して、制御装置８はピックアップ部２ＡのピックアップヘッドＢＰＨ（左のピックアップヘッドＢＰＨ）の水平位置（ＰＵＰＬ（Ｘ））をアライメント部３Ａの中間ステージＢＡＳ（左の中間ステージＢＡＳ）のプレース位置（ＰＬ＿Ｌ）とピックアップ位置（ＰＫＵＰ）との中間の位置に維持し、左のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＬ（Ｚ））を最高位置に維持する。これに並行して、制御装置８はピックアップ部２ＢのピックアップヘッドＢＰＨ（右のピックアップヘッドＢＰＨ）の水平位置（ＰＵＰＲ（Ｘ））をアライメント部３Ｂの中間ステージＢＡＳ（右の中間ステージＢＡＳ）のプレース位置（ＰＬ＿Ｒ）に向けて移動し、右のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＲ（Ｚ））を右の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｒ）と最高位置との間の位置に移動して維持する。
（ｊ）ウェハピッチ（ＷＰ）が終了すると、制御装置８はウェハ認識カメラＶＳＷによってウェハ１１を撮像してダイＤを認識する（ウェハ認識（ＷＲ））。ウェハ認識カメラＶＳＷでのウェハ１１の撮像の障害にならないように、制御装置８は左のピックアップヘッドＢＰＨの水平位置（ＰＵＰＬ（Ｘ））を左の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｌ）とピックアップ位置（ＰＫＵＰ）との中間の位置で維持し、右のピックアップヘッドＢＰＨの水平位置（ＰＵＰＲ（Ｘ））をピックアップ位置(ＰＫＵＰ)から右の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｒ）に向けて移動する。これに並行して、制御装置８は左のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＬ（Ｚ））を最高位置に維持し、右のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＲ（Ｚ））を右の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｒ）と最高位置との間の位置に維持する。
（ｋ）ウェハ認識（ＷＲ）が終了すると、制御装置８は左のピックアップヘッドＢＰＨの水平位置（ＰＵＰＬ（Ｘ））をピックアップ位置(ＰＫＵＰ)に移動して維持し、左のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＬ（Ｚ））をピックアップ位置(ＰＫＵＰ)に向けて移動する（下降する）。その後、制御装置８は左のピックアップヘッドＢＰＨの水平位置（ＰＵＰＬ（Ｘ））をピックアップ位置(ＰＫＵＰ)に維持し、左のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＬ（Ｚ））をピックアップ位置(ＰＫＵＰ)に維持してダイＤを吸着し、その後左のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＬ（Ｚ））を左の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｌ）と最高位置との中間の位置に向けて移動してダイＤをピックアップする。
（ｌ）上記（ｃ）と並行して、制御装置８は右のピックアップヘッドＢＰＨの水平位置（ＰＵＰＲ（Ｘ））を右の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｒ）に維持し、右のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＲ（Ｚ））を右の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｒ）に移動しダイＤを右の中間ステージＢＡＳ上に載置し、その後右のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＲ（Ｚ））を最高位置に向けて移動する。その後、制御装置８は右のピックアップヘッドＢＰＨの水平位置（ＰＵＰＲ（Ｘ））を右の中間ステージＢＡＳのプレース位置（ＰＬ＿Ｒ）とピックアップ位置（ＰＫＵＰ）との中間の位置に移動して維持し、右のピックアップヘッドＢＰＨの垂直位置（ＰＵＰＲ（Ｚ））を最高位置に維持する。
上記（ａ）（ｅ）のウェハピッチの後に（ｂ）（ｆ）のウェハ認識があるので、（ｃ）のダイピックアップと（ｄ）のダイプレースとの並列度および（ｇ）のダイピックアップと（ｈ）のダイプレースとの並列度は同様である。（ｅ）のウェハピッチと（ｉ）のウェハピッチとの間の時間（ｔｐ１）は（ａ）のウェハピッチと（ｅ）のウェハピッチとの間の時間（ｔｐ１）と同様であり、図１０の（ｅ）のウェハピッチと（ｈ）のウェハピッチとの間の時間（ｔｐ２）よりも大きい。
図１２は図１のダイボンダの動作を示すフロー図である。
ステップＳ１１：ステップＳ１、１Ａに相当し、ウェハ認識カメラＶＳＷはウェハ１１上の複数のダイＤをまとめて（一括して）撮像する。
ステップＳ１２：ステップＳ２、２Ａに相当し、制御装置８はウェハ認識カメラＶＳＷで撮像した複数のダイＤの画像から複数のダイＤの位置を認識する演算を行う、またはウェハ認識カメラＶＳＷで撮像した１個のダイＤの画像からダイＤの位置を計算して求め（認識結果演算）。その結果、ウェハの位置補正が必要な場合はステップＳ１３に移る。ウェハの位置補正が必要でない場合はステップＳ１５に移る。
ステップＳ１３：制御装置８はウェハリングホルダＷＲＨを水平方向に移動してウェハの位置補正を行う。
ステップＳ１５：制御装置８はピックアップヘッドＢＰＨでダイＤをピックアップする。なお、ダイＤが不良品の場合、ピックアップヘッドＢＰＨはダイＤのピックアップは行わない。ピックアップが行われるとステップＳ２１に移る。
ステップＳ１６：制御装置８はステップＳ１で認識したダイＤの位置に基づいてウェハリングホルダＷＲＨを水平方向に移動する（ウェハピッチ）。所定回数のウェハピッチが行われるまではステップ１５に移る。所定回数のウェハピッチが行われるとステップ１１に移る。
ステップＳ２１：制御装置８はピックアップヘッドＢＰＨでピックアップしたダイＤを中間ステージＢＡＳに載置する（プレース）。
ステップＳ２２：制御装置８はステージ認識カメラＶＳＡで中間ステージＢＡＳに載置されたダイＤの姿勢を撮像し認識する。
ステップＳ２３：制御装置８は撮像した画像を演算して回転角ずれを認識する。ステージ認識カメラＶＳＡと基板認識カメラＶＳＢ間の回転角ずれがない場合、ステップＳ３３に移る。ステージ認識カメラＶＳＡと基板認識カメラＶＳＢ間の回転角ずれがある場合、ステップＳ２４に移る。
ステップＳ２４：制御装置８は旋回駆動装置２５で中間ステージＢＡＳを旋回させ補正する。
ステップＳ３１：制御装置８は基板認識カメラＶＳＢで基板Ｐの位置認識マークを撮像し認識する。
ステップＳ３２：制御装置８は撮像した画像を演算してボンディングすべきダイＤのボンディング位置を認識する。
ステップＳ３３：制御装置８はボンディングヘッドＢＢＨで中間ステージＢＡＳに載置されたダイＤをピックアップする。
ステップＳ３４：制御装置８はボンディングヘッドＢＢＨでピックアップしたダイＤを基板Ｐまたは既にボンディングされたダイの上にボンディングする。
以上、本発明者によってなされた発明を実施形態、実施例および変形例に基づき具体的に説明したが、本発明は、上記実施形態、実施例および変形例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。
１０：ダイボンダ
１：ウェハ供給部
１１：ウェハ
Ｄ：ダイ
１４：ウェハリング
１６：ダイシングテープ
１８：ダイアタッチフィルム
ＷＲＨ：ウェハリングホルダ（ウェハ支持台）
１５：エキスパンドリング
１７：支持リング
ＷＤＥ：ダイ突き上げユニット
２Ａ、２Ｂ：ピックアップ部
ＢＰＨ：ピックアップヘッド
ＢＰＴ：ピックアップヘッドテーブル
２２：コレット
ＶＳＷ：ウェハ認識カメラ
３Ａ、３Ｂ：アライメント部
ＢＡＳ：中間ステージ
ＶＳＡ：ステージ認識カメラ
４Ａ、４Ｂ：ボンディング部
ＢＢＨ：ボンディングヘッド
ＢＨＴ：ボンディングヘッドテーブル
４２：コレット
ＶＳＢ：基板認識カメラ
５：搬送部
５１：搬送レーン
５２：搬送レーン
ＢＳ：ボンディングステージ
Ｐ：基板
８：制御装置

Claims (18)

  1. ダイボンダは、
    ウェハを支持するウェハ支持台と、
    前記ウェハからダイを突き上げる単一の突き上げユニットと、
    前記ウェハ中のダイを認識するウェハ認識カメラと、
    前記突き上げられたダイをピックアップする第１および第２のピックアップヘッドと、
    前記ピックアップされたダイを載置する第１および第２の中間ステージと、
    基板を載置する第１および第２のボンディングステージと、
    前記第１および第２の中間ステージ上に載置されたダイを前記基板又は前記基板に既にボンディングされたダイ上にボンディングする第１および第２のボンディングヘッドと、
    前記ウェハ支持台、前記突き上げユニット、前記ウェハ認識カメラ、前記第１および第２のピックアップヘッド、前記第１および第２の中間ステージ、前記第１および第２のボンディングステージ、および前記第１および第２のボンディングヘッドを制御する制御部と、
    を備え、
    前記制御部は複数回のダイのピックアップごとに前記ウェハ中のダイを前記ウェハ認識カメラで撮像する。
  2. 請求項１のダイボンダにおいて、
    前記制御部は、前記ウェハ中のダイを前記第１のピックアップヘッドと第２のピックアップヘッドとで交互にピックアップしてそれぞれ前記第１および第２の中間ステージに載置し、前記第１および第２の中間ステージに載置されたダイを前記第１および第２ボンディングヘッドでピックアップしてそれぞれ前記第１および第２のボンディングステージに載置された基板または既にボンディングされたダイ上にボンディングする。
  3. 請求項２のダイボンダにおいて、さらに、
    前記第１および第２の中間ステージのダイをそれぞれ認識する第１および第２のステージ認識カメラを備え、
    前記制御部は、前記第１または第２の中間ステージ上のダイの位置がずれていると認識する場合はずれているダイの位置を補正する。
  4. 請求項３のダイボンダにおいて、さらに、
    前記第１および第２のボンディングステージの基板をそれぞれ認識する第１および第２の基板認識カメラを備える。
  5. 請求項４のダイボンダにおいて、
    前記制御部は前記ウェハ中の複数のダイをまとめて前記ウェハ認識カメラで撮像し、認識結果から複数のウェハピッチを演算して記憶し、記憶した複数のウェハピッチに基づいて前記ウェハ支持台を移動する。
  6. 請求項４のダイボンダにおいて、
    前記制御部は前記ウェハ中の一つダイを前記ウェハ認識カメラで撮像し、認識結果から複数のウェハピッチを演算して求め、前記複数のウェハピッチに基づいて前記ウェハ支持台を移動する。
  7. ウェハを支持するウェハ支持台と、前記ウェハからダイを突き上げる単一の突き上げユニットと、前記ウェハ中のダイを認識するウェハ認識カメラと、前記突き上げられたダイをピックアップする第１および第２のピックアップヘッドと、前記ピックアップされたダイを載置する第１および第２の中間ステージと、基板を載置する第１および第２のボンディングステージと、前記基板又は既にボンディングされたダイ上にボンディングする複数のボンディングヘッドと、を備えるボンダのボンディング方法は、
    （ａ）前記ウェハ中のダイを認識するステップと、
    （ｂ）前記ウェハ中のダイをピックアップするステップと、
    （ｃ）前記ステップ（ａ）で認識した結果に基づいて前記ウェハを移動するステップと、
    を備え、
    前記ステップ（ｂ）（ｃ）を所定回数実施後上記（ａ）のステップを行う。
  8. 請求項７のボンディング方法において、さらに
    （ｄ）前記ウェハ中のダイを前記第１のピックアップヘッドと第２のピックアップヘッドとで交互にピックアップしてそれぞれ前記第１および第２の中間ステージに載置するステップと、
    （ｅ）前記第１および第２の中間ステージに載置されたダイを前記第１および第２ボンディングヘッドでピックアップしてそれぞれ前記第１および第２のボンディングステージに載置された基板または既にボンディングされたダイ上にボンディングするステップと、
    を備える。
  9. 請求項８のボンディング方法において、
    上記ステップ（ｄ）と（ｅ）との間に、
    （ｆ）前記第１または第２の中間ステージ上のダイの位置がずれていると認識する場合はずれているダイの位置を補正するステップを備える。
  10. 請求項９のボンディング方法において、さらに、
    上記ステップ（ｆ）と（ｅ）との間に、
    （ｇ）前記複数のボンディングステージの基板を認識するステップを備える。
  11. 請求項１０のボンディング方法において、
    前記ステップ（ａ）は、前記ウェハ中の複数のダイをまとめて前記ウェハ認識カメラで撮像し、認識結果から複数のウェハピッチを演算して記憶し、
    前記ステップ（ｃ）は、記憶した複数のウェハピッチに基づいて前記ウェハ支持台を移動する。
  12. 請求項１０のボンディング方法において、
    前記ステップ（ａ）は、前記ウェハ中の一つダイを前記ウェハ認識カメラで撮像し、認識結果から複数のウェハピッチを演算して求め、
    前記ステップ（ｃ）は、複数のウェハピッチに基づいて前記ウェハ支持台を移動する。
  13. 半導体装置の製造方法は、
    （ａ）ダイシングフィルムの上に搭載し切断されたウェハを準備する工程と、
    （ｂ）前記ウェハを支持するウェハ支持台と、前記ウェハからダイを突き上げる単一の突き上げユニットと、前記ウェハ中のダイを認識するウェハ認識カメラと、前記突き上げられたダイをピックアップする第１および第２のピックアップヘッドと、前記ピックアップされたダイを載置する第１および第２の中間ステージと、基板を載置する第１および第２のボンディングステージと、前記基板又は既にボンディングされたダイ上にボンディングする第１及び第２のボンディングヘッドと、を備えるボンダを準備する工程と、
    （ｃ）前記ウェハ中のダイを前記基板又は既にボンディングされたダイ上にボンディングする工程と、
    を備え、
    前記工程（ｃ）は、
    （ｃ１）前記ウェハ中のダイを認識するステップと、
    （ｃ２）前記ウェハ中のダイをピックアップするステップと、
    （ｃ３）前記ステップ（ｃ１）で認識した結果に基づいて前記ウェハを移動する工程と、
    を備え、
    前記ステップ（ｃ２）（ｃ３）を所定回数実施後、上記ステップ（ｃ１）を行う。
  14. 請求項１３の半導体装置の製造方法において、
    前記工程（ｃ）は、
    （ｃ４）前記ウェハ中のダイを前記第１のピックアップヘッドと第２のピックアップヘッドとで交互にピックアップしてそれぞれ前記第１および第２の中間ステージに載置するステップと、
    （ｃ５）前記第１および第２の中間ステージに載置されたダイを前記第１および第２ボンディングヘッドでピックアップしてそれぞれ前記第１および第２のボンディングステージに載置された基板または既にボンディングされたダイ上にボンディングするステップと、
    を備える。
  15. 請求項１４の半導体装置の製造方法において、
    前記工程（ｃ）は、前記ステップ（ｃ４）と（ｃ５）との間に、（ｃ６）前記第１または第２の中間ステージ上のダイの位置がずれていると認識する場合は、前記ずれているダイの位置を補正するステップを備える。
  16. 請求項１５の半導体装置の製造方法において、
    前記工程（ｃ）は、前記ステップ（ｃ６）と（ｃ５）との間に、
    （ｃ７）前記第１および第２のボンディングステージの基板を認識するステップを備える。
  17. 請求項１６の半導体装置の製造方法において、
    前記ステップ（ｃ１）は、前記ウェハ中の複数のダイをまとめて前記ウェハ認識カメラで撮像し、認識結果から複数のウェハピッチを演算して記憶し、
    前記ステップ（ｃ２）は、記憶した複数のウェハピッチに基づいて前記ウェハ支持台を移動する。
  18. 請求項１６の半導体装置の製造方法において、
    前記ステップ（ｃ１）は、前記ウェハ中の一つダイを前記ウェハ認識カメラで撮像し、認識結果から複数のウェハピッチを演算して求め、
    前記ステップ（ｃ２）は、複数のウェハピッチに基づいて前記ウェハ支持台を移動する。
JP2015170628A 2015-08-31 2015-08-31 ダイボンダ、ボンディング方法および半導体装置の製造方法 Active JP6584234B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015170628A JP6584234B2 (ja) 2015-08-31 2015-08-31 ダイボンダ、ボンディング方法および半導体装置の製造方法
TW105123445A TWI623982B (zh) 2015-08-31 2016-07-25 晶粒接合器、接合方法及半導體裝置之製造方法
CN201610743102.1A CN106486398B (zh) 2015-08-31 2016-08-26 芯片贴装机、贴装方法及半导体器件的制造方法
KR1020160110049A KR101807419B1 (ko) 2015-08-31 2016-08-29 다이 본더, 본딩 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
KR1020170164039A KR101838456B1 (ko) 2015-08-31 2017-12-01 다이 본더, 본딩 방법 및 반도체 장치의 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015170628A JP6584234B2 (ja) 2015-08-31 2015-08-31 ダイボンダ、ボンディング方法および半導体装置の製造方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2017050327A true JP2017050327A (ja) 2017-03-09
JP2017050327A5 JP2017050327A5 (ja) 2018-09-13
JP6584234B2 JP6584234B2 (ja) 2019-10-02

Family

ID=58273932

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015170628A Active JP6584234B2 (ja) 2015-08-31 2015-08-31 ダイボンダ、ボンディング方法および半導体装置の製造方法

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6584234B2 (ja)
KR (2) KR101807419B1 (ja)
CN (1) CN106486398B (ja)
TW (1) TWI623982B (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101802080B1 (ko) 2016-05-31 2017-11-27 세메스 주식회사 웨이퍼로부터 다이들을 픽업하는 방법
JP2019165059A (ja) * 2018-03-19 2019-09-26 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
CN110364446A (zh) * 2019-07-22 2019-10-22 嘉兴怀莲贸易有限公司 一种一次成型的塑封光电耦合器
KR20220126242A (ko) 2021-03-08 2022-09-15 파스포드 테크놀로지 주식회사 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6846958B2 (ja) * 2017-03-09 2021-03-24 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
JP6694404B2 (ja) * 2017-03-17 2020-05-13 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
JP6818608B2 (ja) * 2017-03-28 2021-01-20 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
JP6975551B2 (ja) * 2017-05-18 2021-12-01 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP6868471B2 (ja) * 2017-05-31 2021-05-12 ファスフォードテクノロジ株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP7102113B2 (ja) * 2017-09-11 2022-07-19 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
WO2019065394A1 (ja) 2017-09-29 2019-04-04 株式会社新川 実装装置
CN108155125B (zh) * 2017-12-25 2020-07-21 北京中电科电子装备有限公司 一种半导体芯片贴片装置
KR102568388B1 (ko) * 2018-06-04 2023-08-18 한화정밀기계 주식회사 본딩 장치
JP7285162B2 (ja) * 2019-08-05 2023-06-01 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
CN110690152A (zh) * 2019-08-28 2020-01-14 苏州均华精密机械有限公司 大尺寸晶片接合装置
TWI739438B (zh) * 2020-05-21 2021-09-11 鴻騏新技股份有限公司 具有雙作業線的基板貼合機台以及具有雙作業線的基板處理系統
JP2022046979A (ja) * 2020-09-11 2022-03-24 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
JP2023041413A (ja) * 2021-09-13 2023-03-24 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS632344A (ja) * 1986-06-23 1988-01-07 Matsushita Electric Works Ltd ウエハチツプの検出方法
JPH05190904A (ja) * 1992-01-08 1993-07-30 Riyoukoushiya:Kk 微小チップの取り出し方法
JPH0917841A (ja) * 1995-06-27 1997-01-17 Nichiden Mach Ltd ピックアップ装置及びチップ位置決め方法
JP2013065711A (ja) * 2011-09-16 2013-04-11 Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd ダイボンダ及びボンディング方法
WO2013145114A1 (ja) * 2012-03-27 2013-10-03 富士機械製造株式会社 ダイ供給装置
JP2014017313A (ja) * 2012-07-06 2014-01-30 Panasonic Corp 部品実装装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1612843A1 (de) * 2004-07-02 2006-01-04 Unaxis International Trading Ltd Verfahren und Einrichtung fuer die Montage von Halbleiterchips
US7568606B2 (en) * 2006-10-19 2009-08-04 Asm Technology Singapore Pte Ltd. Electronic device handler for a bonding apparatus
CH698334B1 (de) * 2007-10-09 2011-07-29 Esec Ag Verfahren für die Entnahme und Montage von auf einem Wafertisch bereitgestellten Halbleiterchips auf einem Substrat.
JP2010040738A (ja) * 2008-08-05 2010-02-18 Toshiba Corp 半導体装置の製造装置及び製造方法
KR101086303B1 (ko) * 2009-12-04 2011-11-23 주식회사 탑 엔지니어링 엘이디 칩 본딩 장치
CN102834910B (zh) 2010-04-13 2015-07-22 日本先锋公司 元件移送装置及方法
TW201415562A (zh) * 2012-10-12 2014-04-16 Ind Tech Res Inst 黏晶方法及其裝置
CN104871659B (zh) 2012-12-20 2017-10-03 富士机械制造株式会社 裸片供给装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS632344A (ja) * 1986-06-23 1988-01-07 Matsushita Electric Works Ltd ウエハチツプの検出方法
JPH05190904A (ja) * 1992-01-08 1993-07-30 Riyoukoushiya:Kk 微小チップの取り出し方法
JPH0917841A (ja) * 1995-06-27 1997-01-17 Nichiden Mach Ltd ピックアップ装置及びチップ位置決め方法
JP2013065711A (ja) * 2011-09-16 2013-04-11 Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd ダイボンダ及びボンディング方法
WO2013145114A1 (ja) * 2012-03-27 2013-10-03 富士機械製造株式会社 ダイ供給装置
JP2014017313A (ja) * 2012-07-06 2014-01-30 Panasonic Corp 部品実装装置

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101802080B1 (ko) 2016-05-31 2017-11-27 세메스 주식회사 웨이퍼로부터 다이들을 픽업하는 방법
JP2019165059A (ja) * 2018-03-19 2019-09-26 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
JP7018338B2 (ja) 2018-03-19 2022-02-10 ファスフォードテクノロジ株式会社 ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
CN110364446A (zh) * 2019-07-22 2019-10-22 嘉兴怀莲贸易有限公司 一种一次成型的塑封光电耦合器
CN110364446B (zh) * 2019-07-22 2021-04-09 深圳市得润光学有限公司 一种塑封光电耦合器的制造装置
KR20220126242A (ko) 2021-03-08 2022-09-15 파스포드 테크놀로지 주식회사 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20170026281A (ko) 2017-03-08
TWI623982B (zh) 2018-05-11
TW201719773A (zh) 2017-06-01
JP6584234B2 (ja) 2019-10-02
KR101838456B1 (ko) 2018-03-13
KR101807419B1 (ko) 2017-12-08
KR20170136483A (ko) 2017-12-11
CN106486398B (zh) 2019-07-09
CN106486398A (zh) 2017-03-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6584234B2 (ja) ダイボンダ、ボンディング方法および半導体装置の製造方法
KR101977987B1 (ko) 다이 본더 및 본딩 방법
TWI613738B (zh) 黏晶機及半導體裝置的製造方法
JP6086763B2 (ja) コレットクリーニング方法及びそれを用いたダイボンダ
CN108346585B (zh) 半导体制造装置及半导体器件的制造方法
US11189507B2 (en) Chip packaging apparatus and method thereof
US9603294B2 (en) Apparatus for mounting semiconductor chips
JP6653273B2 (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
KR20200119971A (ko) 반도체 본딩 장치 및 그 방법
JP2015076411A (ja) ダイボンダ
JP6849468B2 (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
KR102172744B1 (ko) 다이 본딩 장치
JP6722614B2 (ja) ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
JP5826701B2 (ja) チップ位置決め装置、チップ位置決め方法、およびダイボンダ
JP7328848B2 (ja) ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
KR102654727B1 (ko) 다이 본딩 방법 및 다이 본딩 장치
JP7291586B2 (ja) ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
KR20240048934A (ko) 다이 본더
JP2024024567A (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP2022136916A (ja) ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法
JP2021111671A (ja) ダイボンディング装置、半導体装置の製造方法およびエキスパンド装置
TW202305960A (zh) 晶粒接合方法以及晶粒接合裝置
JP2020009977A (ja) 撮像装置、撮像方法、位置決め装置、及びダイボンダ
KR20170069687A (ko) 소자핸들러

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160208

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180803

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20180803

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20190411

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190416

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190611

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190702

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190819

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190827

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190903

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6584234

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250