JP7285162B2 - ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本開示はダイボンディング装置に関し、例えばファンアウト型パネルレベルパッケージ用のダイプレースに適用可能である。

電子部品実装の分野では、仮基板と仮基板上に積層された粘着層上に配置された複数の半導体チップを封止樹脂で一括封止することにより、複数の半導体チップと複数の半導体チップを覆う封止樹脂とを備える封止体を形成した後、封止体から粘着層を含む仮基板を剥離し、次いで封止体の粘着層が貼り付けられていた面上に再配線層を形成する工程がある。この場合、再配線層と半導体チップとの接合精度は、仮基板上のチップの位置決め精度に依存する。そこで、仮基板上への半導体チップの取り付けの際の位置決め精度を上げることが必要である。

特開２０１４－４５０１３号公報 特開２０１８－１３３３５３号公報

仮基板にボンド目標位置の位置決め補正用マークを施し、このマーク位置を使ってボンド位置決め位置を補正することで、仮固定時の半導体チップの仮基板に対する位置決め精度を高くすることができる。しかしながら、マークを仮基板上のどのような位置に施すかは、半導体チップの構造やサイズ、最終的な半導体チップと封止体の配置関係に応じて、決められる。すなわち、最終製品の構造やサイズ、部品配置に応じた、所定のマークを有する仮基板を準備する必要がある。したがって、製品ごとに所定のマークを有する仮基板を多数枚作成しなければいけないので、コストが上がるという問題がある。
本開示の課題は、マークが施されていない仮基板に、位置決め精度良く、半導体チップ（ダイ）を仮基板に取り付けるダイボンディング装置を提供することである。

本開示のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
すなわち、ダイボンディング装置は、ピックアップしたダイを複数の領域を有する基板の上面に載置するボンディングヘッドと、前記ボンディングヘッドを移動させる駆動部と、前記ダイを撮像する撮像装置と、前記駆動部と前記撮像装置とを制御する制御装置と、
を備える。前記制御装置は、前記基板に第一ダイおよび第二ダイをボンドし、前記第一ダイおよび前記第二ダイを基準として第三ダイをボンドし、前記第一ダイまたは前記第二ダイ、および前記第三ダイを基準としてダイをボンドするよう構成される。

上記ダイボンディング装置によれば、ダイプレースの精度を向上することができる。

ダイボンディング装置の概要を示す図である。 比較例における基板基準ダイがボンドされた基板を示す上面図である。 図２の基板基準ダイを基準位置として複数のダイがボンドされた基板を示す上面図である。 実施形態におけるボンド方法を示すフローチャートである。 実施形態における基準ダイがボンドされた基板を示す上面図である。 図５の基板基準ダイを基準位置としてブロック基準ダイがボンドされた基板を示す上面図である。 図６の基板基準ダイおよびブロック基準ダイを基準位置としてダイがボンドされた基板を示す上面図である。 最初のブロック内の全てのダイがボンドされた基板を示す上面図である。 第一変形例におけるボンド方法を説明する図である。 第二変形例におけるボンド方法を説明する図である。 第四変形例における基板基準ダイおよびブロック基準ダイがボンドされた基板を示す上面図である。 第五変形例における基板基準ダイおよびブロック基準ダイを基準位置としてダイがボンドされた基板を示す上面図である。 実施例におけるフリップチップボンダの概略を示す上面図である。 図１３において矢印Ａ方向から見たときに、ピックアップフリップヘッド、トランスファヘッド及びボンディングヘッドの動作を説明する図である。 図１３のダイ供給部の主要部を示す概略断面図である。 図１３のフリップチップボンダで実施されるボンド方法を示すフローチャートである。 第六変形例における基板基準ダイおよびブロック基準ダイを基準位置としてダイがボンドされた基板を示す上面図である。

以下、比較例、実施形態、変形例および実施例について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明を省略することがある。なお、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。

ファンアウト型ウェハレベルパッケージ（Fan Out Wafer Level Package：ＦＯＷＬＰ）はチップ面積を超える広い領域に再配線層を形成するパッケージである。ファンアウト型パネルレベルパッケージ（Fan Out Panel Level Package：ＦＯＰＬＰ）は、ＦＯＷＬＰの一括製造の考え方をさらに突き進めたものである。ＦＯＷＬＰは、直径が３００ｍｍのウェハに多数のシリコンダイを載せてパッケージの製造を一括して実施することで、パッケージ１個当たりの製造コストを低減する。この一括製造の考え方を、ウェハよりも大きなパネル（パネル状の基板）に適用したのが、ＦＯＰＬＰである。パネルにはプリント基板またはガラス基板（例えば液晶パネル製造用基板など）を使う。

ＦＯＰＬＰの製造プロセスには多くの種類があるが、その１つに仮基板としてのパネル（以下、基板という。）上にウェハからピックアップしたダイを、基板上に塗布した粘着性の基剤を介してボンドし仮固定してから封止樹脂で一括封止し、その封止体を基板から剥離して再配線やパッド（ＰＡＤ）の形成を行う方法がある。その方法では歩留まり、品質を維持するために基板上に精度よくダイを実装する必要があり、ダイの小型化、高密度配線化により３～５μｍなどの高精度が要求されている。

製造装置の高精度化にむけ、基板上に予め位置決めの基準となるマークなどを配置しアライメントする方法が考えられるが、基板に加工してターゲットマークを形成する場合、製造する部品サイズが変更になった場合など基板（型として）の再使用が困難なうえ、基板上に３～５μｍ以内の精度でアライメントマークを形成するにはコストがかかり、基板のコストの上昇はパッケージ価格の上昇につながる。そのため、マークなしの無地の基板上にダイを高精度に実装する必要があり、製造装置も高価なものになってしまう。ＦＯＰＬＰのコスト低減のためには高精度かつ低価格で実装が可能な製造装置の実現が必要である。

そこで、発明者らは基板にダイをボンドし、そのダイを位置決め基準とする技術（比較例）を検討した。これについて図１～３を用いて説明する。図１はダイボンディング装置の概要を示す図である。図２は比較例における基板基準ダイがボンドされた基板を示す上面図である。図３は図２の基板基準ダイを基準位置として複数のダイがボンドされた基板を示す上面図である。

図１に示すように、ダイボンディング装置ＢＤは基板ＰにダイＤをボンドするボンディングヘッドＢＨと、ダイＤや基板Ｐを撮像する撮像装置ＣＭと、ボンディングヘッドＢＨおよび撮像装置ＣＭを制御する制御装置ＣＮＴと、を備える。

図２に示すように、まず、基板Ｐに、全体の基準となる二点を定義し、制御装置ＣＮＴはボンディングヘッドＢＨによりダイボンディング装置ＢＤの精度でその位置に基板基準ダイＲＤ１，ＲＤ２をボンドする。ここで、基板Ｐは平面視で矩形状であり、一辺はＸ軸方向に延在し、一辺に交わる他辺はＹ軸方向に延在する。二点破線の四本の直線で示されたダイＤが搭載される領域ＤＲは基板Ｐよりも小さい矩形領域である。例えば本比較例では基板基準ダイＲＤ１は領域ＤＲの左下端にボンドされ、基板基準ダイＲＤ２は右上端にボンドされる。基板基準ダイＲＤ１、ＲＤ２はそれぞれ左上、右下などであってもよい。領域ＤＲ内のＸ軸方向およびＹ軸方向に延在する一点破線の直線の交点にダイＤがボンドされる。なお、基板基準ダイＲＤ１，ＲＤ２はダイＤと同様に製品ダイである。

ボンド後、制御装置ＣＮＴは、基板基準ダイＲＤ１，ＲＤ２を撮像装置ＣＭで撮像して、基板基準ダイＲＤ１，ＲＤ２の位置を認識（計測）し、その位置および距離を記憶装置ＭＭに保存する。

次に、制御装置ＣＮＴはボンディングヘッドＢＨによりボンドするダイＤをウェハからピックアップし、撮像装置ＣＭで基板基準ダイＲＤ１，ＲＤ２の位置を認識し、基板基準ダイＲＤ１，ＲＤ２の位置および、ボンドしたときからの位置変化量を算出する。算出結果よりＲＤ１，ＲＤ２を基準として位置および距離の変化量からボンドする位置、ピッチ、傾きを算出し、ダイＤをボンドする位置を補正計算する。そして、補正計算結果を元に図３に示すように、ダイＤを順次ボンドする。ところで、ＦＯＰＬＰではサイズが大きく（例えば、５１５ｍｍ×５１０ｍｍなど）、位置決め基準が設けられていない基板上にダイを３～５μｍなどの高精度で、かつ大量にボンドする必要がある。しかし、環境の温度変化やプロセスで必要とする基板温度の変化、装置の経時変化などによる影響で、ボンド途中に基板の伸縮など変化することがあり、ボンド後の精度に影響する。例えば、図３に示すように、右上の基板基準ダイＲＤ２の下から基板基準ダイＲＤ１，ＲＤ２の二点基準によるボンドをすると、ボンド中の経時変化によるボンドずれＰＡが発生する。このボンドずれＰＡには、基板基準ダイＲＤ２からの距離が遠くなることにより影響する誤差および基準測定から時間が経過したことにより基板の伸縮など変化したことによる誤差などが含まれる。

＜実施形態＞
上記ボンドずれを低減する実施形態について図１、４～８を用いて説明する。図４は実施形態におけるボンド方法を示すフローチャートである。図５は実施形態における基板基準ダイがボンドされた基板を示す上面図である。図６は図５の基板基準ダイを基準位置としてブロック基準ダイがボンドされた基板を示す上面図である。図７は図６の基板基準ダイおよびブロック基準ダイを基準位置としてダイがボンドされた基板を示す上面図である。図８は最初のブロック内の全てのダイがボンドされた基板を示す上面図である。

例えば、ＦＯＰＬＰでは再配線形成のためのパターン露光を、基板Ｐ上に配置されたダイＤを一纏まりの領域としてのブロックに分けて実施するため、精度はそのブロック内でボンドピッチ精度が出ていればよい。そこで、実施形態の制御装置ＣＮＴは、基板Ｐに第一ダイとしての基板基準ダイＲＤ１および第二ダイとしての基板基準ダイＲＤ２をボンドし、基板基準ダイＲＤ１および基板基準ダイＲＤ２を基準として第三ダイとしてのブロック基準ダイＢＲＤをボンドし、基板基準ダイＲＤ１または基板基準ダイＲＤ２、およびブロック基準ダイＢＲＤを基準としてダイをボンドする。

より具体的には、図４に示すような手順でダイＤをボンドすることで、ボンド精度、基板経時変化および熱膨張補正への対応を可能とする。

（ステップＳ１：基板基準ダイのボンド）
図５に示すように、まず、制御装置ＣＮＴは、比較例と同様に基板Ｐに全体の基準となる二点を定義し、その位置にボンディングヘッドＢＨにより第一ダイとしての基板基準ダイＲＤ１および第二ダイとしての基板基準ダイＲＤ２をボンドする。ここで、基板基準ダイＲＤ１と基板基準ダイＲＤ２とはできるだけ離れているのが好ましく、例えば基板Ｐ上の領域ＤＲの対角における右上端と左下端にボンドする。ここで、基板Ｐは、平面視で、第一辺ＳＤ１と当該第一辺ＳＤ１と交差する第二辺ＳＤ２と、当該第二辺ＳＤ２と交差し前記第一辺ＳＤ１と対向する第三辺ＳＤ３と、当該第三辺ＳＤ３と交差し前記第二辺ＳＤ２と対向する第四辺ＳＤ４と、で矩形状に構成されている。第一辺ＳＤ１および第三辺ＳＤ３はＹ軸方向に延在し、第二辺ＳＤ２および第四辺ＳＤ４はＸ軸方向に延在する。

より具体的には、制御装置ＣＮＴは、基板基準ダイＲＤ１を領域ＤＲの左下端（（Ｘ０，Ｙ０））にボンドし、基板基準ダイＲＤ２を右上端（（Ｘｎ，Ｙｎ））にボンドする。制御装置ＣＮＴは、領域ＤＲ内のＸ軸方向およびＹ軸方向に延在する一点破線の直線の交点にダイＤをボンドする。すなわち、制御装置ＣＮＴは、後述する複数のブロックＢＬのうち、第一辺ＳＤ１と第二辺ＳＤ２とで構成する第一角部Ｃ１に最も近い第一の領域としてのブロックに基板基準ダイＲＤ１をボンドし、第三辺ＳＤ３と第四辺ＳＤ４とで構成する第二角部Ｃ２に最も近い第二の領域としてのブロックに基板基準ダイＲＤ２をボンドする。ここで、ブロックＢＬは後述する複数のブロックの総称である。
ボンド後、制御装置ＣＮＴは、基板基準ダイＲＤ１，ＲＤ２を撮像装置ＣＭで撮像して、その位置を認識（計測）し、左下の基板基準ダイＲＤ１の位置（Ｘ０，Ｙ０）および右上の基板基準ダイＲＤ２の位置（Ｘｎ，Ｙｎ）、およびそれらの間の距離を記憶装置ＭＭに保存する。なお、基板基準ダイＲＤ１，ＲＤ２はダイＤと同様に製品ダイである。

（ステップＳ２：ブロック基準ダイのボンド）
次に、図６に示すように、制御装置ＣＮＴは、ボンディングヘッドＢＨにより上述の各ブロックの基準とするブロック基準ダイＢＲＤをステップＳ１でボンドした基板基準ダイＲＤ１，ＲＤ２を基準にボンドする。ここで、ブロック基準ダイＢＲＤは後述する複数のブロック基準ダイの総称である。このときも、制御装置ＣＮＴは、ボンドした各ブロック基準ダイＢＲＤの位置を撮像装置ＣＭで撮像して、ステップＳ１でボンドした基板基準ダイＲＤ１，ＲＤ２を基準に位置を認識して距離を計測し、各ブロック基準ダイＢＲＤの位置（距離）を記憶装置ＭＭに保存する。なお、ブロック基準ダイＢＲＤはダイＤと同様に製品ダイである。ここでは、基板Ｐの領域ＤＲは、９個のブロックＢＬに分割され、１４個のブロック基準ダイＢＲＤがボンドされている。各ブロックＢＬは矩形状の領域であり、同じ大きさ（面積）である。

より具体的には、基板基準ダイＲＤ１を通りＸ軸方向に延在する一点破線と基板基準ダイＲＤ２を通りＹ軸方向に延在する一点破線との交点である（Ｘｎ，Ｙ０）にブロック基準ダイＢＲＤ３０がボンドされている。また、基板基準ダイＲＤ１を通りＹ軸方向に延在する一点破線と基板基準ダイＲＤ２を通りＸ軸方向に延在する一点破線との交点である（Ｘ０，Ｙｎ）にブロック基準ダイＢＲＤ０３がボンドされている。また、基板基準ダイＲＤ１とブロック基準ダイＢＲＤ３０との間に等間隔にブロック基準ダイＢＲＤ１０，ＢＲＤ２０がボンドされている。また、基板基準ダイＲＤ１とブロック基準ダイＢＲＤ０３との間に等間隔にブロック基準ダイＢＲＤ０１，ＢＲＤ０２がボンドされている。また、ブロック基準ダイＢＲＤ３０と基板基準ダイＲＤ２との間に等間隔にブロック基準ダイＢＲＤ３１，ＢＲＤ３２がボンドされている。また、ブロック基準ダイＢＲＤ０３と基板基準ダイＲＤ２との間に等間隔にブロック基準ダイＢＲＤ１３，ＢＲＤ２３がボンドされている。また、ブロック基準ダイＢＲＤ１０とブロック基準ダイＢＲＤ１３との間に等間隔にブロック基準ダイＢＲＤ１１，ＢＲＤ１２がボンドされている。また、ブロック基準ダイＢＲＤ２０とブロック基準ダイＢＲＤ２３との間に等間隔にブロック基準ダイＢＲＤ２１，ＢＲＤ２２がボンドされている。

（ステップＳ３：ダイのボンド）
次に、図７に示すように、制御装置ＣＮＴは、ボンディングヘッドＢＨにより各ブロック内のダイＤを、ステップＳ１でボンドした基板基準ダイＲＤ１，ＲＤ２のいずれかとステップＳ２でボンドした各ブロック基準ダイＢＲＤを基準位置にしてボンドする（ステップＳ３）。

より具体的には、各ダイＤをボンドする前に、制御装置ＣＮＴは、撮像装置ＣＭでブロック基準ダイＢＲＤおよび基板基準ダイＲＤ１または基板基準ダイＲＤ２を撮像し、ブロック基準ダイＢＲＤの位置と、その位置から遠い方の基板基準ダイとの位置を認識し、距離を計測する（ステップＳ３１）。制御装置ＣＮＴは、ステップＳ２で計測したときのブロック基準ダイＢＲＤの位置および距離からの差を計算して、基板Ｐの伸縮量を算出しボンド位置を補正する（ステップＳ３２）。制御装置ＣＮＴは、ボンディングヘッドＢＨによりダイＤを補正されたボンド位置にボンドする（ステップＳ３３）。なお、図７では、ブロックＢＬ３３内にダイＤをボンドする例を示しているが、ブロックＢＬ３３のブロック基準ダイとしては基板基準ダイＲＤ２を使用し、基板基準ダイとしては基板基準ダイＲＤ１を使用している。

ブロックＢＬ３３内のダイＤのボンドが終了すると（ステップＳ３４においてＹＥＳの場合）、次のブロックに移動する（ステップＳ３６）。例えば、次のブロックをブロックＢＬ３２とし、ブロックＢＬ３２において、ステップＳ３１～Ｓ３４を繰り返してダイＤをボンドする。この場合、図８に示すように、ブロック基準ダイとしてはブロック基準ダイＢＲＤ３２を使用し、基板基準ダイとしては基板基準ダイＲＤ１を使用する。以降、各ブロックの右上に位置するブロック基準ダイを使用する。

以降、制御装置ＣＮＴは、例えば、ブロックＢＬ３２，ＢＬ３１，ＢＬ２３，ＢＬ２２，ＢＬ２１，ＢＬ１３，ＢＬ１２，ＢＬ１１の順にブロック内のダイＤのボンドを行う。すべてのブロック内のダイＤをボンドすると（ステップＳ３５のＹＥＳの場合）終了する。ブロックＢＬ３１，ＢＬ２３，ＢＬ２２，ＢＬ１３内のダイＤをボンドする場合、基板基準ダイとしては基板基準ダイＲＤ１を使用する。ブロックＢＬ２１，ＢＬ１２内のダイＤをボンドする場合、基板基準ダイとしては基板基準ダイＲＤ１または基板基準ダイＲＤ２を使用する。ブロックＢＬ１１内のダイＤをボンドする場合、ブロック基準ダイとしてはブロック基準ダイＢＲＤ１１を使用し、基板基準ダイとしては基板基準ダイＲＤ２を使用する。なお、ブロックＢＬ３３，ＢＬ３２，ＢＬ３１，ＢＬ２３，ＢＬ２２，ＢＬ２１，ＢＬ１３，ＢＬ１２，ＢＬ１１は同じ大きさである。

なお、エラーなどで停止した後生産を再開する際も、停止した時間による変化の影響などを補正するため、制御装置ＣＮＴは、生産開始時にブロック基準ダイと基板基準ダイを認識し基板伸縮の補正を行う。

上述したボンド方法では、図８の楕円で囲った領域ＢＬ１０，ＢＬ２０，ＢＬ３０，ＢＬ０１，ＢＬ０２，ＢＬ０３にはダイＤがボンドされない。これらの領域にボンドする場合は、例えば、これらの領域を上述のブロックと同様にブロックとして扱う。ただし、これらのブロックは一行または一列の領域であり、上述のブロックよりも小さな領域である。この場合、基板基準ダイとしては基板基準ダイＲＤ１を使用し、ブロック基準ダイとしてはそれぞれブロック基準ダイＢＲＤ１０，ＢＲＤ２０，ＢＲＤ３０，ＢＲＤ０１，ＢＲＤ０２，ＢＲＤ０３を使用してダイＤをボンドする。

別のボンド方法としては、領域ＢＬ１０，ＢＬ２０，ＢＬ３０，ＢＬ０１，ＢＬ０２，ＢＬ０３を他のブロックに含めてダイＤをボンドする。この場合は、ブロックの大きさが同じにはならない。具体的には、領域ＢＬ１０，ＢＬ０１はブロックＢＬ１１に含め、領域ＢＬ２０はブロックＢＬ２１に含め、領域ＢＬ３０はブロックＢＬ３１に含め、領域ＢＬ０２はブロックＢＬ１２に含め、領域ＢＬ０３はブロックＢＬ１３に含める。

＜変形例＞
以下、代表的な変形例について、幾つか例示する。以下の変形例の説明において、上述の実施形態にて説明されているものと同様の構成および機能を有する部分に対しては、上述の実施形態と同様の符号が用いられ得るものとする。そして、かかる部分の説明については、技術的に矛盾しない範囲内において、上述の実施形態における説明が適宜援用され得るものとする。また、上述の実施形態の一部、および、複数の変形例の全部または一部が、技術的に矛盾しない範囲内において、適宜、複合的に適用され得る。

（第一変形例）
第一変形例のボンド方法について図９を用いて説明する。図９は第一変形例におけるボンド方法を説明する図であり、最初のブロック内の全てのダイがボンドされた基板を示す上面図である。

各ダイＤのボンド前に、ステップＳ３１，Ｓ３２のボンド位置補正をすると生産性が低下する場合、ブロックサイズが小さく短時間でボンド可能な場合、制御装置ＣＮＴは各ブロック内のボンド開始時のみステップＳ３１，Ｓ３２のボンド位置補正をするようにしてもよい。第一変形例のボンド方法の他のステップは実施形態のボンド方法と同様である。

図９に示すように、ブロックＢＬ３３においては、基板基準ダイＲＤ２の直下のダイＤをボンドする際のみ、制御装置ＣＮＴはステップＳ３１，Ｓ３２のボンド位置補正を行い、ブロックＢＬ３３内の他のダイをボンドする際は、制御装置ＣＮＴはステップＳ３１のボンド位置計測を行わず、直下のダイＤをボンドする際に使用した測定値（ステップＳ３１）の結果を使ってステップＳ３２の補正を実施する。同様に、ブロックＢＬ３２においては、ブロック基準ダイＢＲＤ３２の直下のダイＤをボンドする際のみ、制御装置ＣＮＴはステップＳ３１，Ｓ３２のボンド位置補正を行い、ブロックＢＬ３２内の他のダイをボンドする際は、制御装置ＣＮＴはステップＳ３１，Ｓ３２のボンド位置補正を行わず、直下のダイＤをボンドする際に使用した測定値（ステップＳ３１）の結果を使ってステップＳ３２の補正を実施する。他のブロック内のダイＤのボンドも同様に行う。これにより、ステップＳ３１のボンド位置補正の回数を実施形態よりも大幅に削減することが可能である。

（第二変形例）
第二変形例のボンド方法について図１０を用いて説明する。図１０は第二変形例におけるボンド方法を説明する図であり、最初のブロック内の四列のダイがボンドされた基板を示す上面図である。

第一変形例の各ブロックのボンド開始時のステップＳ３１，Ｓ３２のボンド位置補正では、定義したブロックサイズからボンドに時間がかかり、熱膨張や経時変化の影響がある場合、ブロック内の各列のボンド開始時にステップＳ３１，Ｓ３２のボンド位置補正を実施するようにしてもよい。第二変形例のボンド方法の他のステップは実施形態のボンド方法と同様である。

図１０に示すように、ブロックＢＬ３３においては、一列目の最初のダイＤ（基板基準ダイＲＤ２の直下のダイＤ）、二列目の最初のダイＤ、・・・、および六列目（最後の列）の最初のダイＤをボンドする際に、制御装置ＣＮＴはステップＳ３１，Ｓ３２のボンド位置補正を行い、各列の二番目以降のダイをボンドする際は、制御装置ＣＮＴはステップＳ３１，Ｓ３２のボンド位置補正を行わない。これにより、ステップＳ３１，Ｓ３２のボンド位置補正の回数を実施形態よりも削減することが可能である。

（第三変形例）
第一変形例ではブロック内のボンド開始時、第二変形例ではブロック内の列のボンド開始時、とボンド位置によって、ステップＳ３１，Ｓ３２のボンド位置補正の実施時期を決定しているが、ボンド経過個数、経過時間などを設定し、設定を超えるところで所定間隔ごとにステップＳ３１，Ｓ３２のボンド位置補正を実施するようにしてもよい。第三変形例のボンド方法の他のステップは実施形態のボンド方法と同様である。

（第四変形例）
図１１は第四変形例における基板基準ダイおよびブロック基準ダイがボンドされた基板を示す上面図である。

制御装置ＣＮＴは、複数のブロックＢＬのうち、第一辺ＳＤ１と第二辺ＳＤ２とで構成する第一角部Ｃ１に最も近い第一の領域としてのブロックＢＬ１１に基板基準ダイＲＤ１をボンドし、第三辺ＳＤ３と第四辺ＳＤ４とで構成する第二角部Ｃ２に最も近い第二の領域としてのブロックＢＬ６６に基板基準ダイＲＤ２をボンドする。

実施形態のステップＳ１では、制御装置ＣＮＴは基板基準ダイＲＤ１を領域ＤＲの左下端にボンドし、基板基準ダイＲＤ２は右上端にボンドする。ステップＳ２では制御装置ＣＮＴは各ブロックの右上にブロック基準ダイＢＲＤをボンドする。他方、第四変形例のステップＳ１では、図１１に示すように、制御装置ＣＮＴは左下のブロックＢＬ１１の右下に基板基準ダイＲＤ１をボンドし、右上のブロックＢＬ６６の右下に基板基準ダイＲＤ２をボンドする。ステップＳ２では制御装置ＣＮＴはブロックＢＬ１１，ＢＬ６６を除いて、各ブロックの右下にブロック基準ダイＢＲＤをボンドする。制御装置ＣＮＴは、ブロックＢＬ１２、ＢＬ１３，ＢＬ１４，ＢＬ１５，ＢＬ１６，・・・、ＢＬ６１，ＢＬ６２，ＢＬ６３，ＢＬ６４，ＢＬ６５には、それぞれブロック基準ダイＢＲＤ１２，ＢＲＤ１３，ＢＲＤ１４，ＢＲＤ１５，ＢＲＤ１６，・・・，ＢＲＤ６１，ＢＲＤ６２，ＢＲＤ６３，ＢＲＤ６４，ＢＲＤ６５をボンドする。すなわち、制御装置ＣＮＴは、第一の領域としてのブロックＢＬ１１および第二の領域としてのブロックＢＬ６６には第三ダイとしてのブロック基準ダイＢＲＤをボンドしない。

これにより、各ブロックの形状または大きさを同じにすることができる。なお、各ブロックの左上にブロック基準ダイＢＲＤがボンドされ、左下のブロックＢＬ１１の左上に基板基準ダイＲＤ１がボンドされ、右上のブロックＢＬ６６の左上に基板基準ダイＲＤ２がボンドされてもよい。

（第五変形例）
図１２は第五変形例における基板基準ダイおよびブロック基準ダイがボンドされた基板を示す上面図である。

実施形態では、制御装置ＣＮＴは一つのボンドテーブル（Ｙビーム）に設けられたボンディングヘッドでダイＤをボンドしているが、第五変形例では、制御装置ＣＮＴは二つのボンドテーブル（Ｙビーム）に設けられたボンディングヘッドで交互にダイＤをピックアップして基板Ｐにボンドする。

制御装置ＣＮＴは、例えば、第四変形例と同様に基板基準ダイＲＤ１，ＲＤ２、ブロック基準ダイＢＲＤをボンドする。このとき、一つのボンドテーブル（Ｙビーム）に設けられたボンディングヘッドでボンドしてもよいし、二つのボンドテーブル（Ｙビーム）に設けられたボンディングヘッドでボンドしてもよい。

制御装置ＣＮＴは、例えば、第一ボンドテーブル（Ｙビーム）のボンディングヘッドを用いて基板基準ダイＲＤ１およびブロック基準ダイＢＲＤ３６に基づいてブロックＢＬ３６にダイＤをボンドし、第二ボンドテーブル（Ｙビーム）のボンディングヘッドを用いて基板基準ダイＲＤ１および基板基準ダイＲＤ２に基づいてブロックＢＬ６６にダイＤをボンドする。このとき、制御装置ＣＮＴは二つのボンドテーブル（Ｙビーム）に設けられたボンディングヘッドで交互にダイＤをピックアップして基板Ｐにボンドする。

（第六変形例）
図１７は第六変形例における基板基準ダイおよびブロック基準ダイを基準位置としてダイがボンドされた基板を示す上面図である。

第六変形例では、ブロック基準ダイの配置を工夫して、実施形態における図８の領域ＢＬ１０，ＢＬ２０，ＢＬ３０などのようにブロック基準ダイＢＲＤがボンドされるにも拘らずダイＤがボンドされない位置をなくしている。すなわち、図８における左端の一列および下端の一行には基板基準ダイおよびブロック基準ダイをボンドしないようにする。ここで、第六変形例のブロックの数および各ブロック内に載置されるダイの数は実施形態と同じである。また、図１７に示すように、ブロックＢＬ１２，ＢＬ１３のブロック基準ダイＢＲＤ１２，ＢＲＤ１３をブロック内の右上ではなく左下に配置する。また、ブロックＢＬ１１のブロック基準ダイＢＲＤ１１を無くすると共に、基板基準ダイＲＤ１をブロックＢＬ１１内の左下に配置する。なお、基板基準ダイＲＤ１は図８における基板基準ダイＲＤ１よりもダイ一つ分右上に位置する。

これにより、基準ダイ間の距離を確保しつつ、かつブロックの端がすべて各ブロック内に含まれるレイアウトとすることができ、上述したようなブロック基準ダイＢＲＤがボンドされるにも拘らずダイＤがボンドされない領域ＢＬ０１，ＢＬ０１，ＢＬ０３，ＢＬ１０，ＢＬ２０，ＢＬ３０のようなものが無く効率よくボンドすることができる。

以下、実施例としてＦＯＰＬＰに適用する例について説明するが、これに限定されるものではなく、仮基板を使用するものに適用可能である。

図１３は実施例におけるフリップチップボンダの概略を示す上面図である。図１４は図１３において矢印Ａ方向から見たときに、ピックアップフリップヘッド、トランスファヘッド及びボンディングヘッドの動作を説明する図である。

ダイボンディング装置としてのフリップチップボンダ１０は、大別して、ダイ供給部１と、ピックアップ部２と、トランスファ部８と、中間ステージ部３と、ボンディング部４と、搬送部５と、基板供給部６Ｋと、基板搬出部６Ｈと、各部の動作を監視し制御する制御装置７と、を有する。

まず、ダイ供給部１は、基板Ｐに実装するダイＤを供給する。ダイ供給部１は、分割されたウェハ１１を保持するウェハ保持台１２と、ウェハ１１からダイＤを突き上げる点線で示す突上げユニット１３と、ウェハリング供給部１８と、を有する。ダイ供給部１は、図示しない駆動手段によってＸＹ方向に移動し、ピックアップするダイＤを突上げユニット１３の位置に移動させる。ウェハリング供給部１８はウェハリング１４（図１４参照）が収納されたウェハカセットを有し，順次ウェハリング１４をダイ供給部１に供給し、新しいウェハリング１４に交換する。ダイ供給部１は、所望のダイＤをウェハリング１４からピックアップできるように、ピックアップポイントに、ウェハリング１４を移動する。ウェハリング１４は、ウェハ１１が固定され、ダイ供給部１に取り付け可能な治具である。

ピックアップ部２は、ダイＤをピックアップして反転するピックアップフリップヘッド２１と、コレット２２を昇降、回転、反転及びＸ方向移動させる図示しない各駆動部と、を有する。このような構成によって、ピックアップフリップヘッド２１は、ダイをピックアップし、ピックアップフリップヘッド２１を１８０度回転させ、ダイＤのバンプを反転させて下面に向け、ダイＤをトランスファヘッド８１に渡す姿勢にする。

トランスファ部８は、反転したダイＤをピックアップフリップヘッド２１から受けとり、中間ステージ３１に載置する。トランスファ部８は、ピックアップフリップヘッド２１と同様にダイＤを先端に吸着保持するコレット８２を備えるトランスファヘッド８１と、トランスファヘッド８１をＹ方向に移動させるＹ駆動部８３と、を有する。

中間ステージ部３は、ダイＤを一時的に載置する中間ステージ３１およびステージ認識カメラ３４を有する。中間ステージ３１は図示しない駆動部によりＹ軸方向に移動可能である。

ボンディング部４は、中間ステージ３１からダイＤをピックアップし、搬送されてくる基板Ｐ上にボンディングする。ここで、基板Ｐとしてガラスパネルを用いる。ボンディング部４は、ピックアップフリップヘッド２１と同様にダイＤを先端に吸着保持するコレット４２を備えるボンディングヘッド４１と、ボンディングヘッド４１をＹ軸方向に移動させる駆動部としてのＹビーム４３と、基板基準ダイＲＤ１，ＲＤ２（図５参照）等を撮像し、ボンディング位置を認識する撮像装置としての基板認識カメラ４４と、Ｘビーム４５と、を有する。図１２に示すように、Ｘビーム４５は搬送レール５１，５２の近傍に設けられ、Ｙビーム４３は、ボンディングステージＢＳの上を跨るようにＹ軸方向に伸び、両端部はＸビーム４５によってＸ軸方向に移動自在に支持されている。

ボンディングヘッド４１は、真空吸着によりダイＤを着脱自在に保持するコレット４２を有する装置であり、Ｙ軸方向およびＺ軸方向に往復動自在にＹビーム４３に取り付けられている。ボンディングヘッド４１は中間ステージ３１からピックアップしたダイＤを保持して搬送し、ボンディングステージＢＳに吸着固定された基板Ｐ上にダイＤを取り付ける機能を備えている。なお、ボンディングヘッド４１がＸビーム４５よりも中間ステージ３１側に移動する場合は、コレット４２がＸビーム４５よりも高くなるようにボンディングヘッド４１が上昇する。

このような構成によって、ボンディングヘッド４１は、中間ステージ３１からダイＤをピックアップし、基板認識カメラ４４の撮像データに基づいて基板ＰにダイＤをボンディングする。ボンディングヘッド４１は実施形態のボンディングヘッドＢＨに対応し、基板認識カメラ４４は実施形態の撮像装置ＣＭに対応する。

搬送部５は、基板ＰがＸ軸方向に移動する搬送レール５１，５２を備える。搬送レール５１，５２は平行に設けられる。このような構成によって、基板供給部６Ｋから基板Ｐを搬出し、搬送レール５１，５２に沿ってボンディング位置まで移動し、ボンディング後基板搬出部６Ｈまで移動して、基板搬出部６Ｈに基板Ｐを渡す。基板ＰにダイＤをボンディング中に、基板供給部６Ｋは新たな基板Ｐを搬出し、搬送レール５１，５２上で待機する。

制御装置７は、フリップチップボンダ１０の各部の動作を監視し制御するプログラム（ソフトウェア）を格納するメモリと、メモリに格納されたプログラムを実行する中央処理装置（ＣＰＵ）と、を備える。例えば、制御装置７は、基板認識カメラ４４及び基板認識カメラ４４からの画像情報、ボンディングヘッド４１の位置などの各種情報を取り込んでメモリに格納し、ボンディングヘッド４１のボンディング動作など各構成要素の各動作を制御する。

図１５は図１３のダイ供給部の主要部を示す概略断面図である。図１５に示すように、ダイ供給部１は、ウェハリング１４を保持するエキスパンドリング１５と、ウェハリング１４に保持され複数のダイＤが粘着されたダイシングテープ１６を水平に位置決めする支持リング１７と、ダイＤを上方に突き上げるための突上げユニット１３と、を有する。所定のダイＤをピックアップするために、突上げユニット１３は、図示しない駆動機構によって上下方向に移動し、ダイ供給部１は水平方向には移動するようになっている。なお、基板基準ダイＲＤ１，ＲＤ２、ブロック基準ダイＢＲＤは、ダイＤと同様にウェハ１１内に位置する。

次に、実施例のフリップチップボンダにおいて実施されるボンド方法（半導体装置の製造方法）について図１６を用いて説明する。図１６は図１３のフリップチップボンダで実施されるボンド方法を示すフローチャートである。下記ステップに先立ち、ダイＤを有するダイシングテープ１６を保持するウェハリング１４を搬入し、複数の領域を有する基板Ｐを搬入する。

（ステップＳ２１：ウェハダイピックアップ）
制御装置７はピックアップするダイＤが突上げユニット１３の真上に位置するようにウェハ保持台１２を移動し、剥離対象ダイを突上げユニット１３とコレット２２に位置決めする。ダイシングテープ１６の裏面に突上げユニット１３の上面が接触するように突上げユニット１３を移動する。このとき、制御装置７は、ダイシングテープ１６を突上げユニット１３の上面に吸着する。制御装置７は、コレット２２を真空引きしながら下降させ、剥離対象のダイＤの上に着地させ、ダイＤを吸着する。制御装置７はコレット２２を上昇させ、ダイＤをダイシングテープ１６から剥離する。これにより、ダイＤはピックアップフリップヘッド２１によりピックアップされる。ステップＳ１における基板基準ダイＲＤ１，ＲＤ２およびステップＳ２におけるブロック基準ダイＢＲＤはダイＤと同様にピックアップフリップヘッド２１によりピックアップされる。

（ステップＳ２２：ピックアップフリップヘッド移動）
制御装置７はピックアップフリップヘッド２１をピックアップ位置から反転位置に移動させる。

（ステップＳ２３：ピックアップフリップヘッド反転）
制御装置７はピックアップフリップヘッド２１を１８０度回転させ、ダイＤのバンプ面（表面）を反転させて下面に向け、ダイＤをトランスファヘッド８１に渡す姿勢にする。基板基準ダイＲＤ１，ＲＤ２およびブロック基準ダイＢＲＤもダイＤと同様にピックアップフリップヘッド２１により反転される。

（ステップＳ２４：トランスファヘッド受渡し）
制御装置７はピックアップフリップヘッド２１のコレット２２からトランスファヘッド８１のコレット８２によりダイＤをピックアップして、ダイＤの受渡しが行われる。基板基準ダイＲＤ１，ＲＤ２およびブロック基準ダイＢＲＤもダイＤと同様に受渡しが行われる。

（ステップＳ２５：ピックアップフリップヘッド反転）
制御装置７は、ピックアップフリップヘッド２１を反転し、コレット２２の吸着面を下に向ける。

（ステップＳ２６：トランスファヘッド移動）
ステップＳ２５の前または並行して、制御装置７はトランスファヘッド８１を中間ステージ３１に移動する。

（ステップＳ２７：中間ステージダイ載置）
制御装置７はトランスファヘッド８１に保持しているダイＤを中間ステージ３１に載置する。基板基準ダイＲＤ１，ＲＤ２およびブロック基準ダイＢＲＤもダイＤと同様に中間ステージに載置される。

（ステップＳ２８：トランスファヘッド移動）
制御装置７はトランスファヘッド８１をダイＤ基板基準ダイＲＤ１，ＲＤ２、ブロック基準ダイＢＲＤ）の受渡し位置に移動させる。

（ステップＳ２９：中間ステージ位置移動）
ステップＳ２８の後または並行して、制御装置７は中間ステージ３１をボンディングヘッド４１との受渡し位置に移動させる。

（ステップＳ２Ａ：ボンディングヘッド受渡し）
制御装置７は中間ステージ３１からボンディングヘッド４１のコレットによりダイＤをピックアップして、ダイＤの受渡しが行われる。基板基準ダイＲＤ１，ＲＤ２およびブロック基準ダイＢＲＤもダイＤと同様に受渡しが行われる。

（ステップＳ２Ｂ：中間ステージ位置移動）
制御装置７は中間ステージ３１をトランスファヘッド８１との受渡し位置に移動させる。

（ステップＳ２Ｃ：ボンディングヘッド移動）
制御装置７は、ボンディングヘッド４１のコレット４２が保持しているダイＤを基板Ｐ上に移動する。

（ステップＳ２Ｄ：ボンド）
制御装置７は、中間ステージ３１からボンディングヘッド４１のコレット４２でピックアップしたダイＤ（基板基準ダイＲＤ１，ＲＤ２、ブロック基準ダイＢＲＤ）を粘着性の基剤（粘着層）が塗布された基板Ｐ上にボンドする。より具体的には、制御装置７は、ステップＳ１により基板基準ダイＲＤ１，ＲＤ２を基板Ｐ上にボンドし、ステップＳ２によりブロック基準ダイＢＲＤを基板Ｐ上にボンドし、ステップＳ３によりダイＤを基板Ｐ上にボンドする。

（ステップＳ２Ｅ：ボンディングヘッド移動）
制御装置７はボンディングヘッド４１を中間ステージ３１との受渡し位置に移動させる。

また、ステップＳ２Ｅの後に、制御装置７は基板搬出部６Ｈで搬送レール５１，５２から基板基準ダイＲＤ１，ＲＤ２、ブロック基準ダイＢＲＤおよびダイＤがボンディングされた基板Ｐを取り出す。フリップチップボンダ１０から基板Ｐを搬出する。

その後、基板Ｐの粘着層の上に配置された複数のダイ（半導体チップ）を封止樹脂で一括封止することにより、複数の半導体チップと複数の半導体チップを覆う封止樹脂とを備える封止体を形成した後、封止体から基板Ｐを剥離し、次いで封止体の基板Ｐが貼り付けられていた面上に再配線層を形成してＦＯＰＬＰを製造する。

以上、本発明者らによってなされた発明を実施形態、変形例および実施例に基づき具体的に説明したが、本発明は、上記実施形態、変形例および実施例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。

例えば、実施例では、ピックアップ部２、トランスファ部８、中間ステージ部３およびボンディング部４が一つの例を説明したが、ピックアップ部２、トランスファ部８、中間ステージ部３およびボンディング部４はそれぞれ二組あってもよい。

また、実施例では、Ｙビーム４３には一つのボンディングヘッド４１が設けられる例を説明したが、複数のボンディングヘッドを設けてもよい。

また、実施例ではフリップチップボンダについて説明したが、ダイ供給部からピックアップしたダイを反転しないでボンディングするダイボンダにも適用可能である。

ＢＨ：ボンディングヘッド
ＢＤ：ダイボンディング装置
ＣＭ：撮像装置
ＣＮＴ：制御装置
ＭＭ：記憶装置
Ｄ：ダイ
ＲＤ１：基板基準ダイ（第一ダイ）
ＲＤ２：基板基準ダイ（第二ダイ）
ＢＲＤ：ブロック基準ダイ（第三ダイ）
Ｐ：基板
１０：フリップチップボンダ（ダイボンディング装置）
４１：ボンディングヘッド
４３：Ｙビーム（駆動部）
４４：基板認識カメラ（撮像装置）
７：制御装置

Claims (17)

1. ピックアップしたダイを複数の領域を有する基板の上面に載置するボンディングヘッドと、
   前記ボンディングヘッドを移動させる駆動部と、
   前記ダイを撮像する撮像装置と、
   前記駆動部と前記撮像装置とを制御する制御装置と、
   を備え、
   前記制御装置は、
   （ａ）前記ボンディングヘッドを用いて前記基板の第一箇所に第一ダイをボンドし、
   （ｂ）前記ボンディングヘッドを用いて前記基板の中央部に対して前記第一箇所とは反対側に位置する第二箇所に第二ダイをボンドし、
   （ｃ）前記撮像装置を用いて前記第一ダイおよび前記第二ダイの位置を計測して、当該位置を保存し、
   （ｄ）前記ボンディングヘッドを用いて前記第一ダイおよび前記第二ダイを基準として、前記複数の領域ごとに基準となる第三ダイをボンドし、
   （ｅ）前記撮像装置を用いて前記第三ダイの位置を計測して、当該位置を保存し、
   （ｆ）前記撮像装置を用いて前記第一ダイまたは前記第二ダイ、および前記第三ダイの位置を計測し、
   （ｇ）計測された前記保存された前記第一ダイまたは前記第二ダイ、および前記第三ダイの位置と、前記保存された前記第一ダイまたは前記第二ダイ、および前記第三ダイの位置と、の差に基づいてボンド位置を補正して、
   （ｈ）前記ボンディングヘッドを用いて前記領域内にダイをボンドするよう構成されるダイボンディング装置。
2. 請求項１のダイボンディング装置において、
   前記基板は、平面視で、第一辺と当該第一辺と交差する第二辺と、当該第二辺と交差し前記第一辺と対向する第三辺と、当該第三辺と交差し前記第二辺と対向する第四辺と、で矩形状に構成され、
   前記複数の領域のそれぞれは平面視で矩形状であり、
   前記制御装置は、
   前記複数の領域のうち、前記第一辺と前記第二辺とで構成する第一角部に最も近い第一の領域に前記第一ダイをボンドし、
   前記第三辺と前記第四辺とで構成する第二角部に最も近い第二の領域に前記第二ダイをボンドするよう構成されるダイボンディング装置。
3. 請求項２のダイボンディング装置において、
   前記制御装置は、前記（ｆ）の位置の計測を前記ダイのボンドごとに行うよう構成されるダイボンディング装置。
4. 請求項２のダイボンディング装置において、
   前記制御装置は、前記（ｆ）の位置の計測を前記領域ごとに１回行うよう構成されるダイボンディング装置。
5. 請求項２のダイボンディング装置において、
   前記制御装置は、前記（ｆ）の位置の計測を前記領域の列ごとに１回行うよう構成されるダイボンディング装置。
6. 請求項２のダイボンディング装置において、
   前記制御装置は、前記（ｆ）の位置の計測をボンド経過個数または経過時間で設定された間隔ごとに１回行うよう構成されるダイボンディング装置。
7. 請求項２のダイボンディング装置において、
   前記制御装置は、前記第一の領域および前記第二の領域には前記第三ダイをボンドしないよう構成されるダイボンディング装置。
8. 請求項１から７の何れか一つのダイボンディング装置において、さらに、
   ダイ供給部と、
   前記ダイ供給部からダイをピックアップし上下反転するピックアップヘッドと、
   を備え、
   前記ボンディングヘッドは、前記ピックアップヘッドから前記ダイをピックアップし前記ダイの回路形成面を下にして前記基板の上面に前記ダイを載置するダイボンディング装置。
9. 請求項８のダイボンディング装置において、
   さらに、前記ピックアップヘッドがピックアップしたダイが載置される中間ステージを備え、
   前記ボンディングヘッドは、前記中間ステージから前記ダイをピックアップし前記ダイの回路形成面を上にして前記基板の上面に前記ダイを載置するダイボンディング装置。
10. 請求項９のダイボンディング装置において、
    前記ピックアップヘッド、前記中間ステージ、前記駆動部をそれぞれ二組備えるダイボンディング装置。
11. （ａ）ダイを有するダイシングテープを保持するウェハリングを搬入する工程と、
    （ｂ）複数の領域を有する基板を搬入する工程と、
    （ｃ）前記ウェハリングから前記ダイをピックアップし、前記ピックアップされたダイを前記基板に載置する工程と、
    を備え、
    前記（ｃ）工程は、
    （ｃ１）前記基板の第一箇所に第一ダイをボンドする工程と、
    （ｃ２）前記基板の中央部に対して前記第一箇所とは反対側に位置する第二箇所に第二ダイをボンドする工程と、
    （ｃ３）前記第一ダイおよび前記第二ダイの位置を計測して、当該位置を保存する工程と、
    （ｃ４）前記第一ダイおよび前記第二ダイを基準として、前記複数の領域ごとに基準となる第三ダイをボンドする工程と、
    （ｃ５）前記第三ダイの位置を計測して、当該位置を保存する工程と、
    （ｃ６）前記第一ダイまたは前記第二ダイ、および前記第三ダイの位置を計測する工程と、
    （ｃ７）計測された前記保存された前記第一ダイまたは前記第二ダイ、および前記第三ダイの位置と、前記保存された前記第一ダイまたは前記第二ダイ、および前記第三ダイの位置と、の差に基づいてボンド位置を補正する工程と、
    （ｃ８）前記領域内にダイをボンドする工程と、
    を有する半導体装置の製造方法。
12. 請求項１１の半導体装置の製造方法において、
    前記（ｃ６）工程は前記（ｃ８）工程の前記ダイのボンドごとに行う半導体装置の製造方法。
13. 請求項１１の半導体装置の製造方法において、
    前記（ｃ６）工程は前記領域ごとに１回行う半導体装置の製造方法。
14. 請求項１１の半導体装置の製造方法において、
    前記（ｃ６）工程は前記領域の列ごとに１回行う半導体装置の製造方法。
15. 請求項１１の半導体装置の製造方法において、
    前記（ｃ６）工程はボンド経過個数または経過時間で設定された間隔ごとに１回行う半導体装置の製造方法。
16. 請求項１１の半導体装置の製造方法において、
    前記（ｃ）工程は、さらに、
    前記ピックアップしたダイを上下反転する工程と、
    反転した前記ダイをピックアップし、前記ダイの回路形成面を下に前記基板に載置する工程と、
    を有する半導体装置の製造方法。
17. 請求項１１の半導体装置の製造方法において、
    前記（ｃ）工程は、さらに、
    前記ピックアップしたダイを中間ステージに載置する工程と、
    前記中間ステージから前記ダイをピックアップし、前記ダイの回路形成面を上に前記基板に載置する工程と、
    を有する半導体装置の製造方法。

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