JP5647312B2 - 半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents
半導体集積回路装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5647312B2 JP5647312B2 JP2013182675A JP2013182675A JP5647312B2 JP 5647312 B2 JP5647312 B2 JP 5647312B2 JP 2013182675 A JP2013182675 A JP 2013182675A JP 2013182675 A JP2013182675 A JP 2013182675A JP 5647312 B2 JP5647312 B2 JP 5647312B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- die bonding
- bonding
- integrated circuit
- manufacturing
- die
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32135—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/32145—Disposition the layer connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2225/00—Details relating to assemblies covered by the group H01L25/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2225/03—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00
- H01L2225/04—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers
- H01L2225/065—All the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/648 and H10K99/00 the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L2225/06503—Stacked arrangements of devices
- H01L2225/06555—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking
- H01L2225/06562—Geometry of the stack, e.g. form of the devices, geometry to facilitate stacking at least one device in the stack being rotated or offset
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/15786—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
- H01L2924/15788—Glasses, e.g. amorphous oxides, nitrides or fluorides
Description
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。
(a)ダイ・ボンディング装置内において、回路基板の第1の主面上に設けられた第1のデバイス領域を加熱する工程;
(b)前記ダイ・ボンディング装置内において、前記第1のデバイス領域を加熱した状態で、前記回路基板の前記第1の主面上であって前記第1のデバイス領域内または、その近傍に設けられた第1および第2の位置基準点の位置を光学的にモニタすることにより、前記回路基板の前記第1のデバイス領域における熱膨張による変位が実質的に飽和したことを確認する工程;
(c)前記工程(b)の後、前記ダイ・ボンディング装置内において、前記第1のデバイス領域を加熱した状態で、前記第1のデバイス領域内に第1の半導体チップをボンディングする工程。
(a)ダイ・ボンディング装置内において、第1の回路基板の第1の主面上にマトリクス状に設けられた複数のデバイス領域のそれぞれに半導体チップを列ごとにボンディングする工程;
(b)前記ダイ・ボンディング装置内において、ボンディングされた各々の半導体チップの位置を光学的に検出する工程;
(c)前記ダイ・ボンディング装置内において、前記工程(b)の結果に基づいて、行ごとにボンディングすべき位置を修正して、前記第1の回路基板とほぼ同一形状を有する第2の回路基板の第1の主面上にマトリクス状に設けられた複数のデバイス領域のそれぞれに半導体チップを列ごとにボンディングする工程。
(a)ダイ・ボンディング装置内において、第1の回路基板の第1の主面上に設けられた第1のデバイス領域を加熱する工程;
(b)前記ダイ・ボンディング装置内において、前記第1のデバイス領域を加熱した状態で、前記第1の回路基板の前記第1の主面上であって前記第1のデバイス領域内または、その近傍に設けられた第1および第2の位置基準点の位置を光学的にモニタすることにより、前記第1の回路基板の前記第1のデバイス領域における熱膨張による変位が実質的に飽和したことを確認する工程;
(c)前記工程(b)の後、前記ダイ・ボンディング装置内において、前記第1のデバイス領域を加熱した状態で、前記第1のデバイス領域内に第1の半導体チップをボンディングする工程;
(d)前記ダイ・ボンディング装置内において、前記第1のデバイス領域を加熱した状態で、ボンディングされた前記第1の半導体チップの位置を光学的に検出する工程;
(e)前記ダイ・ボンディング装置内において、前記工程(d)の結果に基づいてボンディングすべき位置を修正して、前記第1の回路基板とほぼ同一形状を有する第2の回路基板の第1の主面上に設けられた前記第1のデバイス領域とほぼ同一形状を有する第2のデバイス領域を加熱した状態で、前記第1の半導体チップとほぼ同一の形状を有する第2の半導体チップをボンディングする工程。
(f)前記工程(d)の後であって前記工程(e)の前に、前記ダイ・ボンディング装置内において、前記第2のデバイス領域を加熱した状態で、前記第2の回路基板の前記第1の主面上であって前記第2のデバイス領域内または、その近傍に設けられた第1および第2の位置基準点の位置を光学的にモニタすることにより、前記回路基板の前記第2のデバイス領域における熱膨張による変位が実質的に飽和したことを確認する工程。
1.本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクションに分けて記載する場合もあるが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しを省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
実施の形態について更に詳述する。各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
図1は、本願の一実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法に使用するダイ・ボンダ51の正面模式図である。図2は、図1のダイ・ボンダの側面模式図である。図3は、図1のダイ・ボンダの内部の上面模式図である。
ここでは、図8から図11に基づいて、ダイ・ボンディング工程を含む組立工程の要部の概要を説明する。まず、図8に示すように、ヒート・ブロック76によって、たとえば摂氏150度程度に加熱されたダイ・ボンディング・ステージ中央部65aの上面に回路基板3の裏面3bを真空吸着した状態で、下面に接着剤層5、すなわち、DAF(Die Attach Film)が保持された半導体チップ2のデバイス面をコレット59により吸着して、目的とするデバイス領域4内の所定のボンディング・サイドに向けて降下する。回路基板3の第1主面(デバイス面)3aには、必要に応じて複数の外部リード6が設けられている。また、半導体チップ2のデバイス面には、たとえばアルミニウム系のボンディング・パッド7が設けられている。
このセクションでは、セクション2で説明した組立工程の要部の内、ダイ・ボンディング工程を、セクション1で説明した部分を参照しつつ、更に詳述する。
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
2 チップ(第1の半導体チップ、第2の半導体チップ)
3 配線基板(回路基板、第1の回路基板、第2の回路基板)
3a 配線基板の第1主面(デバイス面)
3b 配線基板の第2主面(裏面)
4 (単位)デバイス領域(第1のデバイス領域、第2のデバイス領域)
5 接着剤層(DAF)
6 外部リード(ランド)
7 ボンディング・パッド
8 ボンディング・ワイヤ
9 封止レジン(レジン封止部)
11a 配線基板上の第1の位置基準点
11b 配線基板上の第2の位置基準点
12a チップ上の第1の位置基準点
12b チップ上の第2の位置基準点
15 各列のボンディング・サイト群
16a,16b,16c,16d 各行のボンディング・サイト群
51 ダイ・ボンダ
52 下部基体
53 支柱
54 上部基体
55 搬送路支持体
56 基板搬送路
57 ウエハ・ホールダ用XYテーブル
58 ウエハ・ホールダ
59 吸着コレット
61 ダイ・ボンディング・ヘッド用XYテーブル
62 ダイ・ボンディング・ヘッド
63 ボンディング・ヘッド光学系用XYテーブル
64 ダイ・ボンディング・ヘッド光学系
65 ダイ・ボンディング・ステージ
65a ダイ・ボンディング・ステージ中央部
66 ダイシング・テープ
67 ウエハ保持フレーム
68 陽炎防止ブロー・ノズル
69 イオン・ブロー・ノズル
71 基板フィーダ
72 フィーダ・アーム
73 基板送り爪
74 真空吸着孔
75 真空供給管
76 ヒート・ブロック
81 ワイヤ・ボンディング・ステージ
93 ウエハ・ピックアップ光学系用XYテーブル
94 ウエハ・ピックアップ光学系
101 基板搬送(加熱)
102 登録パターン認識
103 認識2点間距離測定
104 ダイ・ボンディング
105 ボンディング後位置検査
106 基板搬出
107 データ集積&統計処理
108 位置補正テーブル変更
111 熱膨張飽和確認
112 ボンディング位置修正
Claims (5)
- 以下の工程を含む半導体集積回路装置の製造方法:
(a)ダイ・ボンディング装置内において、第1の回路基板の第1の主面上にマトリクス状に設けられた複数のデバイス領域のそれぞれに半導体チップを列ごとにボンディングする工程;
(b)前記ダイ・ボンディング装置内において、ボンディングされた各々の半導体チップの位置を光学的に検出する工程;
(c)前記ダイ・ボンディング装置内において、前記工程(b)の結果に基づいて、行ごとにボンディングすべき位置を修正して、前記第1の回路基板とほぼ同一形状を有する第2の回路基板の第1の主面上にマトリクス状に設けられた複数のデバイス領域のそれぞれに半導体チップを列ごとにボンディングする工程。 - 請求項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記半導体チップは、その裏面に設けられた接着剤層を介してボンディングされる。
- 請求項2記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記接着剤層は、DAF(Die Attach Film)である。
- 請求項1記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記半導体チップは、他の少なくとも一つの半導体チップを介してボンディングされる。
- 請求項4記載の半導体集積回路装置の製造方法において、前記半導体チップおよび前記他の少なくとも一つの半導体チップは、階段状に積層される。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013182675A JP5647312B2 (ja) | 2013-09-04 | 2013-09-04 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013182675A JP5647312B2 (ja) | 2013-09-04 | 2013-09-04 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009073147A Division JP5362404B2 (ja) | 2009-03-25 | 2009-03-25 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014003324A JP2014003324A (ja) | 2014-01-09 |
JP5647312B2 true JP5647312B2 (ja) | 2014-12-24 |
Family
ID=50036147
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013182675A Active JP5647312B2 (ja) | 2013-09-04 | 2013-09-04 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5647312B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2722601B2 (ja) * | 1989-02-06 | 1998-03-04 | 松下電器産業株式会社 | ダイボンディング装置及びダイボンディング方法 |
JP3993114B2 (ja) * | 2003-02-06 | 2007-10-17 | 株式会社新川 | ダイボンディング方法及び装置 |
JP4232511B2 (ja) * | 2003-04-03 | 2009-03-04 | 日本電気株式会社 | 半導体製造装置 |
JP2005109392A (ja) * | 2003-10-02 | 2005-04-21 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法および半導体製造装置 |
JP2008078367A (ja) * | 2006-09-21 | 2008-04-03 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
-
2013
- 2013-09-04 JP JP2013182675A patent/JP5647312B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014003324A (ja) | 2014-01-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI442491B (zh) | Grain bonding machine and semiconductor manufacturing method | |
TWI619184B (zh) | 確定和調整半導體元件接合相關平行度級別的系統和方法 | |
US10299386B2 (en) | Placement machine and method for equipping a substrate with unhoused chips | |
TWI698952B (zh) | 電子部件的實裝裝置與實裝方法,及封裝部件的製造方法 | |
JP2016139630A (ja) | 半導体若しくは電子部品実装装置及び半導体若しくは電子部品実装方法 | |
TWI550751B (zh) | Grain adapter and bonding method | |
KR102186384B1 (ko) | 다이 본딩 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
KR20160137426A (ko) | 열압착 본더, 열압착 본더의 작동 방법, 및 열압착 본딩에서 측방향 힘 측정을 사용하는 수평 교정 모션 | |
JP5362404B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
US7326025B2 (en) | System for detecting warped carriers and associated methods | |
JP4343989B1 (ja) | ボンディング装置およびボンディング装置に用いられるボンディング領域の位置認識方法及びプログラム | |
JP5647312B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP2010021485A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
CN111508861A (zh) | 半导体元件贴合设备 | |
CN112331582B (zh) | 芯片贴装装置以及半导体器件的制造方法 | |
JP5690535B2 (ja) | ダイボンダ及び半導体製造方法 | |
US20220045029A1 (en) | Bonding apparatus and bonding method | |
JP2019062034A (ja) | ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2014096523A (ja) | ピックアップ方法およびピックアップ装置 | |
JP5516684B2 (ja) | ウェハ貼り合わせ方法、位置決め方法と、これを有する半導体製造装置 | |
KR100718973B1 (ko) | 반도체 칩 검사장치 및 검사방법 | |
JP2004179517A (ja) | ボンディング装置、ボンディング方法及びボンディングプログラム | |
JPH04299542A (ja) | ダイボンディング装置 | |
JP2011040503A (ja) | 半導体装置の製造方法、及び印字治具 | |
JP2008243984A (ja) | ワイヤボンディング方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20141009 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20141023 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20141106 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5647312 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |