WO2015079991A1 - 3次元実装方法および3次元実装装置 - Google Patents
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Definitions
- the three-dimensional mounting method and the three-dimensional mounting apparatus it is possible to easily evaluate the mounting deviation between the objects to be bonded while mounting. For this reason, 100% inspection can be performed, and at the stage where a mounting deviation is found, the upper layer mounting can be stopped further, so that unnecessary material waste can be prevented.
- FIG. 7A shows the contents of FIG. 7A focusing on the upper surface alignment position CA2 of the second upper layer chip C2 and the lower surface alignment position CB3 of the third upper layer chip C3.
- FIG. 7B shows a state in which the upper layer chip C3 is stacked and mounted on the first upper layer chip C2.
- the electrode 2 may be used as the alignment position of the substrate 3, and the electrode 4 provided on the upper layer chip may be used as the upper surface alignment position and the lower surface alignment position of the upper layer chip.
Abstract
Description
前記最下層被接合物上に第1の上層被接合物を積層する際に、
前記最下層被接合物のアライメント用位置と、第1の上層被接合物の下面に記された下面アライメント用位置を2視野画像認識手段によって認識して位置合わせを行うとともに、
前記最下層被接合物のアライメント用位置の位置座標を記憶し、
1≦n≦N-1である第nの上層被接合物上に、第n+1の上層被接合物を接合する際に、
第nの上層被接合物の上面に記された上面アライメント用位置と、第n+1の上層被接合物の下面に記された下面アライメント用位置を前記2視野画像認識手段によって認識して位置合わせをを行うとともに、前記第nの上層被接合物の上面アライメント用位置を認識して位置座標を記憶し、
第Nの最上層被接合物を積層した後に、前記第Nの上層被接合物の上面に記された上面アライメント用位置を認識して座標位置を記憶する、ことを特徴とする3次元実装方法である。
前記最下層被接合物上に第1の上層被接合物を積層する際に、
前記最下層被接合物のアライメント用位置と、第1の上層被接合物の下面に記された下面アライメント用位置を2視野画像認識手段によって認識して位置合わせを行うとともに、
前記最下層被接合物のアライメント用位置の位置座標を記憶し、
1≦n≦N-1である第nの上層被接合物上に、第n+1の上層被接合物を接合する際に、
第n+1の上層被接合物の下面に記された下面アライメント用位置を、前記2視野画像認識手段の上側視野で認識して、前記最下層被接合物のアライメント用位置と位置合わせをを行うとともに、前記第nの上層被接合物の上面アライメント用位置を前記2視野画像認識手段の下側視野で認識して位置座標を記憶し、
第Nの最上層被接合物を積層した後に、前記第Nの上層被接合物の上面に記された上面アライメント用位置を認識して座標位置を記憶する、ことを特徴とする3次元実装方法である。
前記第Nの上記被接合物の上面に記された上面アライメント用位置を認識する作業を、
前記2視野認識手段の下側視野で行うことを特徴とする3次元実装方法である。
前記最下層被接合物のアライメント用位置の座標と、第1の上層被接合物の上面アライメント用位置の座標の比較から、前記最下層被接合物と第1の上層被接合物の実装ズレを評価し、
1≦n≦N-1である第nの上層被接合物の上面アライメント用位置の座標と、第n+1の上層被接合物の上面アライメント用位置の座標の比較から、前記第nの上層被接合物と第n+1の上層被接合物の実装ズレを評価することを特徴とする3次元実装方法である。
上層被接合物の下面アライメント用位置と上面アライメント用位置の、少なくとも1方として、面上に露出した電極を用いることを特徴とする3次元実装方法である。
を認識して座標位置を記憶する機能を有したことを特徴とする3次元実装装置である。
前記最下層被接合物を保持するステージを備え、
順次積層される前記上層被接合物を保持するヘッドを備え、
上下に2視野を有する2視野画像認識手段を備え、
前記最下層被接合物上に第1の上層被接合物を積層する際に、
前記最下層被接合物のアライメント用位置と、第1の上層被接合物の下面に記された下面アライメント用位置を認識して位置合わせを行うとともに、前記最下層被接合物の上面アライメント用位置を認識して位置座標を記憶する機能と、
1≦n≦N-1である第nの上層被接合物上に、第n+1の上層被接合物を接合する度に第nの上層被接合物の上面に記された上面アライメント用位置と、第n+1の上層被接合物の下面に記された下面アライメント用位置を前記2視野画像認識手段によって認識して位置合わせを行うとともに、第nの上層被接合物の上面アライメント用位置の位置座標を記憶する機能と、
第Nの最上層被接合物を積層した後に、前記第Nの上層被接合物の上面に記された上面アライメント用位置を認識して座標位置を記憶する機能とを有したことを特徴とする3次元実装装置である。
前記最下層被接合物を保持するステージを備え、
順次積層される前記上層被接合物を保持するヘッドを備え、
上下に2視野を有する2視野画像認識手段を備え、
前記最下層被接合物上に第1の上層被接合物を積層する際に、
前記最下層被接合物のアライメント用位置と、第1の上層被接合物の下面に記された下面アライメント用位置を認識して位置合わせを行とともに、前記最下層被接合物の上面アライメント用位置を認識して位置座標を記憶する機能と、
1≦n≦N-1である第nの上層被接合物上に、第n+1の上層被接合物を接合する度に、第n+1の上層被接合物の下面に記された下面アライメント用位置を、前記2視野画像認識手段の上側視野で認識して、前記最下層被接合物のアライメント用位置と位置合わせをを行うとともに、前記第nの上層被接合物の上面アライメント用位置を前記2視野画像認識手段の下側視野で認識して位置座標を記憶する機能と、
第Nの最上層被接合物を積層した後に、前記第Nの上層被接合物の上面に記された上面アライメント用位置を認識して座標位置を記憶する機能とを有したことを特徴とする3次元実装装置である。
前記第Nの上記被接合物の上面に記された上面アライメント用位置を認識する機能を、
前記2視野認識手段の下側視野が有することを特徴とする3次元実装装置である。
前記最下層被接合物のアライメント用位置の座標と、第1の上層被接合物の上面アライメント用位置の座標を比較して、前記最下層被接合物と第1の上層被接合物の実装ズレを評価する機能と、
1≦n≦N-1である第nの上層被接合物の上面アライメント用位置の座標と、第n+1の上層被接合物の上面アライメント用位置の座標を比較して前記第nの上層被接合物と第n+1の上層被接合物の実装ズレを評価する機能とを有したことを特徴とする3次元実装装置である。
2 最下層にある基板の電極
3 最下層にある基板
3A 基板アライメント用位置
4 チップの電極
6 ステージ
7 ヘッド
8 2視野カメラ
8D 第1の認識手段
8U 第2の認識手段
9 実装制御装置
9M 記憶手段
C1 第1の上層チップ
CA1 第1の上層チップの上面アライメント用位置
CB1 第1の上層チップの下面アライメント用位置
Cn 第nの上層チップ
CAn 第nの上層チップの上面アライメント用位置
CBn 第nの上層チップの下面アライメント用位置
CN 最上層チップ
CAN 最上層チップの上面アライメント用位置
CBN 最上層チップの下面アライメント用位置
Claims (9)
- 電極を備えた最下層被接合物上に、上下両面に電極を備えたN個の上層被接合物を、電極同士の位置を合わせた状態で順次積層する3次元実装方法において、
前記最下層被接合物上に第1の上層被接合物を積層する際に、
前記最下層被接合物のアライメント用位置と、第1の上層被接合物の下面に記された下面アライメント用位置を2視野画像認識手段によって認識して位置合わせを行うとともに、
前記最下層被接合物のアライメント用位置の位置座標を記憶し、
1≦n≦N-1である第nの上層被接合物上に、第n+1の上層被接合物を接合する際に、
第nの上層被接合物の上面に記された上面アライメント用位置と、第n+1の上層被接合物の下面に記された下面アライメント用位置を前記2視野画像認識手段によって認識して位置合わせをを行うとともに、前記第nの上層被接合物の上面アライメント用位置を認識して位置座標を記憶し、
第Nの最上層被接合物を積層した後に、前記第Nの上層被接合物の上面に記された上面アライメント用位置を認識して座標位置を記憶する、ことを特徴とする3次元実装方法。 - 電極を備えた最下層被接合物上に、上下両面に電極を備えたN個の上層被接合物を、電極同士の位置を合わせた状態で順次積層する3次元実装方法において、
前記最下層被接合物上に第1の上層被接合物を積層する際に、
前記最下層被接合物のアライメント用位置と、第1の上層被接合物の下面に記された下面アライメント用位置を2視野画像認識手段によって認識して位置合わせを行うとともに、
前記最下層被接合物のアライメント用位置の位置座標を記憶し、
1≦n≦N-1である第nの上層被接合物上に、第n+1の上層被接合物を接合する際に、
第n+1の上層被接合物の下面に記された下面アライメント用位置を、前記2視野画像認識手段の上側視野で認識して、前記最下層被接合物のアライメント用位置と位置合わせをを行うとともに、前記第nの上層被接合物の上面アライメント用位置を前記2視野画像認識手段の下側視野で認識して位置座標を記憶し、
第Nの最上層被接合物を積層した後に、前記第Nの上層被接合物の上面に記された上面アライメント用位置を認識して座標位置を記憶する、ことを特徴とする3次元実装方法。 - 請求項1または請求項2に記載の3次元実装方法であって、
前記第Nの上記被接合物の上面に記された上面アライメント用位置を認識する作業を、
前記2視野認識手段の下側視野で行うことを特徴とする3次元実装方法。 - 請求項1から請求項3のいずれかに記載の3次元実装方法であって、
前記最下層被接合物のアライメント用位置の座標と、第1の上層被接合物の上面アライメント用位置の座標の比較から、前記最下層被接合物と第1の上層被接合物の実装ズレを評価し、
1≦n≦N-1である第nの上層被接合物の上面アライメント用位置の座標と、第n+1の上層被接合物の上面アライメント用位置の座標の比較から、前記第nの上層被接合物と第n+1の上層被接合物の実装ズレを評価することを特徴とする3次元実装方法。 - 請求項1から請求項4のいずれかに記載の3次元実装方法であって、
上層被接合物の下面アライメント用位置と上面アライメント用位置の、少なくとも1方として、面上に露出した電極を用いることを特徴とする3次元実装方法。 - 電極を備えた最下層被接合物上に、上下両面に電極を備えたN個の上層被接合物を電極同士の位置を合わせた状態で順次積層する3次元実装装置において、
前記最下層被接合物を保持するステージを備え、
順次積層される前記上層被接合物を保持するヘッドを備え、
上下に2視野を有する2視野画像認識手段を備え、
前記最下層被接合物上に第1の上層被接合物を積層する際に、
前記最下層被接合物のアライメント用位置と、第1の上層被接合物の下面に記された下面アライメント用位置を認識して位置合わせを行うとともに、前記最下層被接合物の上面アライメント用位置を認識して位置座標を記憶する機能と、
1≦n≦N-1である第nの上層被接合物上に、第n+1の上層被接合物を接合する度に第nの上層被接合物の上面に記された上面アライメント用位置と、第n+1の上層被接合物の下面に記された下面アライメント用位置を前記2視野画像認識手段によって認識して位置合わせを行うとともに、第nの上層被接合物の上面アライメント用位置の位置座標を記憶する機能と、
第Nの最上層被接合物を積層した後に、前記第Nの上層被接合物の上面に記された上面アライメント用位置を認識して座標位置を記憶する機能とを有したことを特徴とする3次元実装装置。 - 電極を備えた最下層被接合物上に、上下両面に電極を備えたN個の上層被接合物を電極同士の位置を合わせた状態で順次積層する3次元実装装置において、
前記最下層被接合物を保持するステージを備え、
順次積層される前記上層被接合物を保持するヘッドを備え、
上下に2視野を有する2視野画像認識手段を備え、
前記最下層被接合物上に第1の上層被接合物を積層する際に、
前記最下層被接合物のアライメント用位置と、第1の上層被接合物の下面に記された下面アライメント用位置を認識して位置合わせを行とともに、前記最下層被接合物の上面アライメント用位置を認識して位置座標を記憶する機能と、
1≦n≦N-1である第nの上層被接合物上に、第n+1の上層被接合物を接合する度に、第n+1の上層被接合物の下面に記された下面アライメント用位置を、前記2視野画像認識手段の上側視野で認識して、前記最下層被接合物のアライメント用位置と位置合わせをを行うとともに、前記第nの上層被接合物の上面アライメント用位置を前記2視野画像認識手段の下側視野で認識して位置座標を記憶する機能と、
第Nの最上層被接合物を積層した後に、前記第Nの上層被接合物の上面に記された上面アライメント用位置を認識して座標位置を記憶する機能とを有したことを特徴とする3次元実装装置。 - 請求項6または請求項7に記載の3次元実装装置であって、
前記第Nの上記被接合物の上面に記された上面アライメント用位置を認識する機能を、
前記2視野認識手段の下側視野が有することを特徴とする3次元実装装置。 - 請求項6から請求項8のいずれかに記載の3次元実装装置であって、
前記最下層被接合物のアライメント用位置の座標と、第1の上層被接合物の上面アライメント用位置の座標を比較して、前記最下層被接合物と第1の上層被接合物の実装ズレを評価する機能と、
1≦n≦N-1である第nの上層被接合物の上面アライメント用位置の座標と、第n+1の上層被接合物の上面アライメント用位置の座標を比較して前記第nの上層被接合物と第n+1の上層被接合物の実装ズレを評価する機能とを有したことを特徴とする3次元実装装置。
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016062958A (ja) * | 2014-09-16 | 2016-04-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
CN106409724A (zh) * | 2016-09-30 | 2017-02-15 | 西安微电子技术研究所 | 一种PoP自动堆叠系统及方法 |
WO2017169944A1 (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 東レエンジニアリング株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
JP2017228670A (ja) * | 2016-06-23 | 2017-12-28 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 部品実装方法 |
JP2019165183A (ja) * | 2018-03-20 | 2019-09-26 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体製造方法、半導体製造装置及び半導体装置 |
JP2020516051A (ja) * | 2017-02-07 | 2020-05-28 | ロヒンニ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 半導体デバイスを積み重ねるための装置および方法 |
JP2021027171A (ja) * | 2019-08-05 | 2021-02-22 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 |
WO2022137287A1 (ja) * | 2020-12-21 | 2022-06-30 | 株式会社新川 | ボンディング装置及びボンディング方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006041006A (ja) * | 2004-07-23 | 2006-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体チップのボンディング方法及び装置 |
WO2009096454A1 (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-06 | Toray Engineering Co., Ltd. | チップ搭載方法およびチップ搭載装置 |
JP2011071225A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Bondtech Inc | アライメント装置 |
JP2011077173A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Shibaura Mechatronics Corp | 電子部品の実装装置及び実装方法 |
WO2011087003A1 (ja) * | 2010-01-15 | 2011-07-21 | 東レエンジニアリング株式会社 | 3次元実装方法および装置 |
JP2014017471A (ja) * | 2012-06-11 | 2014-01-30 | Shinkawa Ltd | ボンディング装置およびボンディング方法 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4033838B2 (ja) | 2002-04-04 | 2008-01-16 | 東レエンジニアリング株式会社 | アライメント方法およびその方法を用いた実装方法 |
KR101113850B1 (ko) * | 2005-08-11 | 2012-02-29 | 삼성테크윈 주식회사 | 플립 칩 본딩 방법 및 이를 채택한 플립 칩 본딩 장치 |
JP2009110995A (ja) | 2007-10-26 | 2009-05-21 | Toray Eng Co Ltd | 3次元実装方法及び装置 |
JPWO2011155162A1 (ja) | 2010-06-08 | 2013-08-01 | パナソニック株式会社 | 多層配線基板および多層配線基板の製造方法 |
-
2014
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006041006A (ja) * | 2004-07-23 | 2006-02-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体チップのボンディング方法及び装置 |
WO2009096454A1 (ja) * | 2008-01-30 | 2009-08-06 | Toray Engineering Co., Ltd. | チップ搭載方法およびチップ搭載装置 |
JP2011071225A (ja) * | 2009-09-24 | 2011-04-07 | Bondtech Inc | アライメント装置 |
JP2011077173A (ja) * | 2009-09-29 | 2011-04-14 | Shibaura Mechatronics Corp | 電子部品の実装装置及び実装方法 |
WO2011087003A1 (ja) * | 2010-01-15 | 2011-07-21 | 東レエンジニアリング株式会社 | 3次元実装方法および装置 |
JP2014017471A (ja) * | 2012-06-11 | 2014-01-30 | Shinkawa Ltd | ボンディング装置およびボンディング方法 |
Cited By (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016062958A (ja) * | 2014-09-16 | 2016-04-25 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 |
WO2017169944A1 (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 東レエンジニアリング株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
JP2017183457A (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 東レエンジニアリング株式会社 | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
JP2017228670A (ja) * | 2016-06-23 | 2017-12-28 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 部品実装方法 |
CN106409724A (zh) * | 2016-09-30 | 2017-02-15 | 西安微电子技术研究所 | 一种PoP自动堆叠系统及方法 |
JP2020516051A (ja) * | 2017-02-07 | 2020-05-28 | ロヒンニ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 半導体デバイスを積み重ねるための装置および方法 |
US11749667B2 (en) | 2018-03-20 | 2023-09-05 | Kioxia Corporation | Semiconductor manufacturing apparatus |
JP2019165183A (ja) * | 2018-03-20 | 2019-09-26 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体製造方法、半導体製造装置及び半導体装置 |
CN110310903A (zh) * | 2018-03-20 | 2019-10-08 | 东芝存储器株式会社 | 半导体制造方法、半导体制造装置以及半导体装置 |
JP7045891B2 (ja) | 2018-03-20 | 2022-04-01 | キオクシア株式会社 | 半導体製造方法、半導体製造装置及び半導体装置 |
JP2021027171A (ja) * | 2019-08-05 | 2021-02-22 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 |
JP7285162B2 (ja) | 2019-08-05 | 2023-06-01 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンディング装置および半導体装置の製造方法 |
KR20220093038A (ko) * | 2020-12-21 | 2022-07-05 | 가부시키가이샤 신가와 | 본딩 장치 및 본딩 방법 |
JP7178141B1 (ja) * | 2020-12-21 | 2022-11-25 | 株式会社新川 | ボンディング装置及びボンディング方法 |
KR102522328B1 (ko) | 2020-12-21 | 2023-04-17 | 가부시키가이샤 신가와 | 본딩 장치 및 본딩 방법 |
WO2022137287A1 (ja) * | 2020-12-21 | 2022-06-30 | 株式会社新川 | ボンディング装置及びボンディング方法 |
Also Published As
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---|---|
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