JP2016513171A5 - - Google Patents

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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6798852B2 (ja) 2015-10-26 2020-12-09 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法
WO2017138565A1 (ja) * 2016-02-08 2017-08-17 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法
JP6794850B2 (ja) * 2016-02-08 2020-12-02 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法
WO2018174019A1 (ja) * 2017-03-23 2018-09-27 三菱マテリアル株式会社 Ｉｎ－Ｃｕ焼結体スパッタリングターゲット及びＩｎ－Ｃｕ焼結体スパッタリングターゲットの製造方法
CN112680627B (zh) * 2020-12-21 2022-05-13 无锡天宝电机有限公司 一种转子导条及其制备方法
CN112813397B (zh) * 2020-12-31 2023-06-30 金堆城钼业股份有限公司 一种钼钠合金板状靶材的制备方法
CN113564545B (zh) * 2021-07-27 2022-02-22 杭州阿凡达光电科技有限公司 一种环保型氧化铌靶材的加工工艺及其装置

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1556902A4 (en) * 2002-09-30 2009-07-29 Miasole MANUFACTURING DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING THIN FILM SOLAR CELLS IN A LARGE SCALE
DE102006055662B3 (de) * 2006-11-23 2008-06-26 Gfe Metalle Und Materialien Gmbh Beschichtungswerkstoff auf Basis einer Kupfer-Indium-Gallium-Legierung, insbesondere zur Herstellung von Sputtertargets, Rohrkathoden und dergleichen
CN101260513B (zh) * 2008-04-23 2011-04-06 王东生 太阳能电池铜铟镓硒薄膜关键靶材的制备方法
US8134069B2 (en) * 2009-04-13 2012-03-13 Miasole Method and apparatus for controllable sodium delivery for thin film photovoltaic materials
JP5643524B2 (ja) * 2009-04-14 2014-12-17 株式会社コベルコ科研 Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法
WO2011008346A1 (en) * 2009-07-14 2011-01-20 University Of Florida Research Foundation, Inc. Finishing of surfaces of tubes
CN101613091B (zh) * 2009-07-27 2011-04-06 中南大学 一种cigs粉末、靶材、薄膜及其制备方法
JP4793504B2 (ja) 2009-11-06 2011-10-12 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP5501774B2 (ja) * 2010-01-20 2014-05-28 山陽特殊製鋼株式会社 高強度を有するＣｕ−Ｇａ系スパッタリングターゲット材
CN101820024A (zh) * 2010-02-11 2010-09-01 昆山正富机械工业有限公司 多层铜铟镓硒(硫)光吸收前驱层制造方法
JP4720949B1 (ja) 2010-04-09 2011-07-13 住友金属鉱山株式会社 Ｃｕ−Ｇａ合金粉末の製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金粉末、並びにＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットの製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット
US20120018828A1 (en) 2010-07-23 2012-01-26 Stion Corporation Sodium Sputtering Doping Method for Large Scale CIGS Based Thin Film Photovoltaic Materials
JP2012029794A (ja) * 2010-07-29 2012-02-16 Omron Healthcare Co Ltd 電子血圧計用基板、電子血圧計用モジュール、および電子血圧計
JP2012079997A (ja) 2010-10-05 2012-04-19 Kobe Steel Ltd 化合物半導体薄膜太陽電池用光吸収層の製造方法、およびＩｎ−Ｃｕ合金スパッタリングターゲット
JP5418463B2 (ja) 2010-10-14 2014-02-19 住友金属鉱山株式会社 Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットの製造方法
JP5725610B2 (ja) 2011-04-29 2015-05-27 三菱マテリアル株式会社 スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP2013166976A (ja) * 2012-02-14 2013-08-29 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Ｃｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲットの製造方法及びＣｕ−Ｇａ合金スパッタリングターゲット

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