JP6393696B2 - Cu−Ga−In−Naターゲット - Google Patents
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Description
−少なくとも1つのNa含有金属間相を含有してなる予備的合金粉末を製造する工程。
−予備的合金粉末を含有してなる粉末混合物を製造する工程、
−この粉末混合物をモールドに導入する工程。
−圧力、温度、又は圧力及び温度を掛けることにより、粉末混合物を圧縮してブランクを得る工程。
−例えば、押出、鍛造又は圧延により、ブランクを賦形する工程。
−熱処理工程。
−機械加工工程。
グラファイト坩堝中、誘導加熱により、1kgのGaを200℃に熱して融解した。
次いで,0.1kgのNaを添加した(Ga/Na原子%比=75/25)。次に、温度を600℃に上昇させた。完全に融解した後、合金を熱間加工鋼製のダイスに流延した。
グラファイト坩堝中、誘導加熱により、5kgのGaを200℃に熱して融解した。
次いで,0.9kgのNaを添加した(Ga/Na原子%比=65/35)。次に、温度を600℃に上昇させた。完全に融解した後、合金を熱間加工鋼製のダイスに流延した。
グラファイト坩堝中、アルゴン保護ガス雰囲気下、誘導加熱により、5kgのGaを200℃に熱して融解した。次いで,0.9kgのNaを添加した(Ga/Na原子%比=65/35)。この途中で、温度を600℃に上昇させた。合金が完全に融解した後、アルゴンガスにより微粒化を行ない、球状の予備的合金粉末とした。
グラファイト坩堝中、誘導加熱により、1kgのGaを200℃に熱して融解した。
次いで,0.1kgのNaを添加した(Ga/Na原子%比=75/25)。次に、温度を600℃に上昇させた。融解の完了後、合金を熱間加工鋼製のダイスに流延した。
グラファイト坩堝中、誘導加熱により、5kgのGaを200℃に熱して融解した。
次いで,0.9kgのNaを添加した(Ga/Na原子%比=65/35)。この途中で、温度を600℃に上昇させた。完全に融解した後、合金を熱間加工鋼製のダイスに流延した。
グラファイト坩堝中、誘導加熱により、5kgのInを300℃に熱して融解した。次いで,0.8kgのNaを添加した(In/Na原子%比=55/45)。この途中で、温度を500℃に上昇させた。融解の完了後、合金を熱間加工鋼製のダイスに流延した。
グラファイト坩堝中、アルゴン保護ガス雰囲気下、誘導加熱により、5kgのInを300℃に熱して融解した。次いで,1.15kgのNaを添加した(In/Na原子%比=40/60)。この途中で、温度を500℃に上昇させた。合金が完全に融解した後、アルゴンガスにより微粒化を行ない、球状の予備的合金粉末とした。
グラファイト坩堝中、アルゴン保護ガス雰囲気下、誘導加熱により、5.5kgのGa及び3.5kgのInを250℃に熱して融解した。次いで,0.1kgのNaを添加した(Ga/In/Na原子%比=50/20/30)。この途中で、温度を550℃に上昇させた。融解の完了後、合金を熱間加工鋼製のダイスに流延した。
グラファイト坩堝中、誘導加熱により、5.5kgのGa及び3.5kgのInを250℃に熱して融解した。次いで,0.1kgのNaを添加した(Ga/In/Na原子%比=50/20/30)。この途中で、温度を550℃に上昇させた。融解の完了後、合金を熱間加工鋼製のダイスに流延した。
Claims (19)
- (Ga、In)の群から選ばれる少なくとも1つの元素5〜70原子%及びNa0.1〜15原子%並びに残部Cu及び典型的な不純物からなる合金から構成されるスパッタリングターゲットであって、NaGa 4 、Na 5 Ga 8 、Na 7 Ga 13 、Na 22 Ga 39 、NaIn、Na 2 In、Na 7 In 12 、Na 15 In 27 及びNa 17 Ga 29 In 12 からなる群から選ばれる少なくとも1つのNa含有金属間相を有することを特徴とするスパッタリングターゲット。
- 前記少なくとも1つのNa含有金属間相がNaGa 4 、Na 22 Ga 39 、NaIn、Na 2 In、Na 7 In 12 及びNa 15 In 27 からなる群から選ばれることを特徴とする請求項1に記載のスパッタリングターゲット。
- 前記Na含有金属間相が(Cu、Ga、In)の群から選ばれる少なくとも1つの元素のマトリクス中に均質に分布して埋め込まれて存在する請求項1又は2に記載のスパッタリングターゲット。
- 30原子%を超えるCuを含有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲット。
- (Ga、In)の群から選ばれる前記少なくとも1つの元素の含有量が20〜65原子%であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲット。
- 成分の原子%比、Ga/(Ga+In)が0.15〜0.35であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲット。
- 1〜5原子%のNaを含有することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲット。
- 平板、円盤、棒、管、カップ又は凹状の陰極の形状であることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲット。
- 薄膜太陽電池の光活性相の析出のための請求項1〜8のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲットの使用。
- 次の工程を備えることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
−NaGa 4 、Na 5 Ga 8 、Na 7 Ga 13 、Na 22 Ga 39 、NaIn、Na 2 In、Na 7 In 12 、Na 15 In 27 及びNa 17 Ga 29 In 12 からなる群から選ばれる少なくとも1つのNa含有金属間相を含有してなる予備的合金粉末の製造工程。 - 更に以下の工程を備えることを特徴とする請求項10に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
−前記予備的合金粉末を含有してなる粉末混合物の製造工程。
−前記粉末混合物のモールドへの導入工程。 - 更に以下の工程を備えることを特徴とする請求項10又は11に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
−前記粉末混合物に圧力、温度、又は圧力及び温度を負荷することにより粉末混合物を圧縮してブランクを製造する工程。 - 更に以下の工程を備えることを特徴とする請求項10〜12のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
−押出、鍛造又は圧延により、ブランクを賦形する工程。 - 引き続く工程として、更に以下の工程を備えることを特徴とする請求項12又は13に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
−熱処理工程。 - 更に以下の工程を備えることを特徴とする請求項10〜14のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
−機械加工工程。 - NaGa 4 、Na 5 Ga 8 、Na 7 Ga 13 、Na 22 Ga 39 、NaIn、Na 2 In、Na 7 In 12 、Na 15 In 27 及びNa 17 Ga 29 In 12 からなる群から選ばれる少なくとも1つのNa含有金属間相を含有する前記予備的合金粉末がGa−Na溶融物、In−Na溶融物又はGa−In−Na溶融物の微粒化により製造されることを特徴とする請求項10〜15のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- NaGa 4 、Na 5 Ga 8 、Na 7 Ga 13 、Na 22 Ga 39 、NaIn、Na 2 In、Na 7 In 12 、Na 15 In 27 及びNa 17 Ga 29 In 12 からなる群から選ばれる少なくとも1つのNa含有金属間相を含有する前記予備的合金粉末がGa−Na溶融物、In−Na溶融物又はGa−In−Na溶融物からのインゴットの製造及び引き続く粉砕又は擂潰によって製造されることを特徴とする請求項10〜15のいずれか1項に記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
- NaGa 4 、Na 5 Ga 8 、Na 7 Ga 13 、Na 22 Ga 39 、NaIn、Na 2 In、Na 7 In 12 、Na 15 In 27 及びNa 17 Ga 29 In 12 からなる群から選ばれる少なくとも1つのNa含有金属間相を含有してなることを特徴とする予備的合金粉末。
- 請求項18に記載の予備的合金粉末のスパッタリングターゲット製造のための使用。
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