JP2016225610A5 - - Google Patents
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 13
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000011162 core material Substances 0.000 claims 4
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 1
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015106368 | 2015-05-26 | ||
| JP2015106368 | 2015-05-26 | ||
| PCT/JP2015/066392 WO2016189752A1 (ja) | 2015-05-26 | 2015-06-05 | 半導体装置用ボンディングワイヤ |
| JPPCT/JP2015/066392 | 2015-06-05 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015548080A Division JP5937770B1 (ja) | 2015-05-26 | 2015-09-18 | 半導体装置用ボンディングワイヤ |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018109570A Division JP6420015B2 (ja) | 2015-05-26 | 2018-06-07 | 半導体装置用ボンディングワイヤ |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016225610A JP2016225610A (ja) | 2016-12-28 |
| JP2016225610A5 true JP2016225610A5 (cg-RX-API-DMAC7.html) | 2017-07-06 |
| JP6353486B2 JP6353486B2 (ja) | 2018-07-04 |
Family
ID=57394006
Family Applications (3)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016096235A Active JP6353486B2 (ja) | 2015-05-26 | 2016-05-12 | 半導体装置用ボンディングワイヤ |
| JP2018109570A Active JP6420015B2 (ja) | 2015-05-26 | 2018-06-07 | 半導体装置用ボンディングワイヤ |
| JP2018191265A Pending JP2019033275A (ja) | 2015-05-26 | 2018-10-09 | 半導体装置用ボンディングワイヤ |
Family Applications After (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2018109570A Active JP6420015B2 (ja) | 2015-05-26 | 2018-06-07 | 半導体装置用ボンディングワイヤ |
| JP2018191265A Pending JP2019033275A (ja) | 2015-05-26 | 2018-10-09 | 半導体装置用ボンディングワイヤ |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US10236272B2 (cg-RX-API-DMAC7.html) |
| EP (1) | EP3121841B1 (cg-RX-API-DMAC7.html) |
| JP (3) | JP6353486B2 (cg-RX-API-DMAC7.html) |
| KR (3) | KR101983479B1 (cg-RX-API-DMAC7.html) |
| CN (3) | CN111276460B (cg-RX-API-DMAC7.html) |
| DE (2) | DE112015004364B4 (cg-RX-API-DMAC7.html) |
| MY (2) | MY172944A (cg-RX-API-DMAC7.html) |
| PH (1) | PH12016500999B1 (cg-RX-API-DMAC7.html) |
| SG (3) | SG10201908464VA (cg-RX-API-DMAC7.html) |
| TW (1) | TWI652693B (cg-RX-API-DMAC7.html) |
| WO (1) | WO2016189752A1 (cg-RX-API-DMAC7.html) |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6167227B2 (ja) | 2014-04-21 | 2017-07-19 | 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 | 半導体装置用ボンディングワイヤ |
| SG11201608627YA (en) | 2015-08-12 | 2017-03-30 | Nippon Micrometal Corp | Bonding wire for semiconductor device |
| JP6002300B1 (ja) * | 2015-09-02 | 2016-10-05 | 田中電子工業株式会社 | ボールボンディング用パラジウム（Ｐｄ）被覆銅ワイヤ |
| KR102312145B1 (ko) * | 2017-02-22 | 2021-10-12 | 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 | 반도체 장치용 본딩 와이어 |
| CN110998814B (zh) * | 2017-08-09 | 2021-04-23 | 日铁化学材料株式会社 | 半导体装置用Cu合金接合线 |
| KR102167478B1 (ko) * | 2017-08-09 | 2020-10-19 | 닛테츠 케미컬 앤드 머티리얼 가부시키가이샤 | 반도체 장치용 Cu 합금 본딩 와이어 |
| DE112017000346T5 (de) * | 2017-12-28 | 2019-08-29 | Nippon Micrometal Corporation | Bonddraht für Halbleiterbauelement |
| JP6487108B1 (ja) * | 2018-11-26 | 2019-03-20 | 田中電子工業株式会社 | パラジウム被覆銅ボンディングワイヤ及びその製造方法 |
| CN109599381A (zh) * | 2018-11-30 | 2019-04-09 | 合肥中晶新材料有限公司 | 一种固定比例金基/银基键合线及其制备方法 |
| JP6507329B1 (ja) * | 2019-02-08 | 2019-04-24 | 田中電子工業株式会社 | パラジウム被覆銅ボンディングワイヤ、ワイヤ接合構造、半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP7156975B2 (ja) | 2019-02-26 | 2022-10-19 | 三菱重工業株式会社 | 運営評価装置、運営評価方法、およびプログラム |
| WO2020183748A1 (ja) * | 2019-03-12 | 2020-09-17 | 田中電子工業株式会社 | パラジウム被覆銅ボンディングワイヤ、パラジウム被覆銅ボンディングワイヤの製造方法、及びこれを用いたワイヤ接合構造、半導体装置並びにその製造方法 |
| WO2020218968A1 (en) * | 2019-04-26 | 2020-10-29 | Heraeus Materials Singapore Pte. Ltd. | Coated wire |
| WO2020246094A1 (ja) * | 2019-06-04 | 2020-12-10 | 田中電子工業株式会社 | パラジウム被覆銅ボンディングワイヤ、パラジウム被覆銅ボンディングワイヤの製造方法、これを用いた半導体装置及びその製造方法 |
| WO2021065036A1 (ja) * | 2019-10-01 | 2021-04-08 | 田中電子工業株式会社 | ワイヤ接合構造とそれに用いられるボンディングワイヤ及び半導体装置 |
| KR20220153593A (ko) * | 2020-03-25 | 2022-11-18 | 닛데쓰마이크로메탈가부시키가이샤 | 반도체 장치용 본딩 와이어 |
| CN116324000B (zh) * | 2020-10-20 | 2025-10-14 | 日铁新材料股份有限公司 | 半导体装置用Ag合金接合线 |
| WO2023248491A1 (ja) * | 2022-06-24 | 2023-12-28 | 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 | 半導体装置用ボンディングワイヤ |
| JP7295352B1 (ja) * | 2022-06-24 | 2023-06-20 | 日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社 | 半導体装置用ボンディングワイヤ |
| CN116657207B (zh) | 2023-06-25 | 2024-04-26 | 上海万生合金材料有限公司 | 一种铜镀钯金键合线及其电镀工艺 |
| JP7723875B1 (ja) * | 2024-03-28 | 2025-08-14 | タツタ電線株式会社 | ボンディングワイヤ |
| WO2025205950A1 (ja) * | 2024-03-28 | 2025-10-02 | タツタ電線株式会社 | ボンディングワイヤ |
Family Cites Families (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5223969B1 (cg-RX-API-DMAC7.html) | 1966-12-28 | 1977-06-28 | ||
| DE3371096D1 (en) * | 1982-12-01 | 1987-05-27 | Electrofoils Techn Ltd | Treatment of copper foil |
| JPS60160554U (ja) | 1984-03-31 | 1985-10-25 | 古河電気工業株式会社 | 半導体用ボンディング細線 |
| JPS6120693A (ja) | 1984-07-06 | 1986-01-29 | Toshiba Corp | ボンデイングワイヤ− |
| JPS6148543A (ja) | 1984-08-10 | 1986-03-10 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体素子結線用銅合金線 |
| JPS6152333A (ja) | 1984-08-21 | 1986-03-15 | Toshiba Corp | ボンデイングワイヤ− |
| JPS6152332A (ja) | 1984-08-21 | 1986-03-15 | Toshiba Corp | ボンデイングワイヤ− |
| JPS61255045A (ja) * | 1985-05-07 | 1986-11-12 | Nippon Mining Co Ltd | 半導体装置用ボンデイングワイヤ及びその製造方法 |
| GB2181156A (en) * | 1985-10-04 | 1987-04-15 | London Scandinavian Metall | Grain refining copper-bowed metals |
| JPS62130248A (ja) | 1985-11-29 | 1987-06-12 | Furukawa Electric Co Ltd:The | ボンデイング用銅細線 |
| JPH01263289A (ja) | 1988-04-13 | 1989-10-19 | Hitachi Cable Ltd | 高純度無酸素銅の製造方法 |
| JP3481392B2 (ja) * | 1996-06-13 | 2003-12-22 | 古河電気工業株式会社 | 電子部品リード部材及びその製造方法 |
| JP3379412B2 (ja) * | 1997-05-30 | 2003-02-24 | 松下電器産業株式会社 | パラジウムめっき液とこれを用いたパラジウムめっき皮膜及びこのパラジウムめっき皮膜を有する半導体装置用リードフレーム |
| JP2004064033A (ja) | 2001-10-23 | 2004-02-26 | Sumitomo Electric Wintec Inc | ボンディングワイヤー |
| TW200414453A (en) * | 2002-03-26 | 2004-08-01 | Sumitomo Electric Wintec Inc | Bonding wire and IC device using the bonding wire |
| KR100514312B1 (ko) | 2003-02-14 | 2005-09-13 | 헤라우스오리엔탈하이텍 주식회사 | 반도체 소자용 본딩 와이어 |
| WO2005038902A1 (ja) | 2003-10-20 | 2005-04-28 | Sumitomo Electric Industries, Limited | ボンディングワイヤーおよびそれを使用した集積回路デバイス |
| JP2005167020A (ja) | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ボンディングワイヤーおよびそれを使用した集積回路デバイス |
| JP4158928B2 (ja) | 2004-09-02 | 2008-10-01 | 古河電気工業株式会社 | ボンディングワイヤー及びその製造方法 |
| US7820913B2 (en) * | 2005-01-05 | 2010-10-26 | Nippon Steel Materials Co., Ltd. | Bonding wire for semiconductor device |
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| WO2009072525A1 (ja) | 2007-12-03 | 2009-06-11 | Nippon Steel Materials Co., Ltd. | 半導体装置用ボンディングワイヤ |
| MY147995A (en) * | 2008-01-25 | 2013-02-28 | Nippon Steel & Sumikin Mat Co | Bonding wire semiconductor device |
| WO2010106851A1 (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-23 | 新日鉄マテリアルズ株式会社 | 半導体用ボンディングワイヤ |
| JP4637256B1 (ja) | 2009-09-30 | 2011-02-23 | 新日鉄マテリアルズ株式会社 | 半導体用ボンディングワイヤー |
| CN105023902B (zh) * | 2009-07-30 | 2018-01-30 | 新日铁住金高新材料株式会社 | 半导体用接合线 |
| JP5497360B2 (ja) | 2009-07-30 | 2014-05-21 | 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 | 半導体用ボンディングワイヤー |
| WO2011118009A1 (ja) * | 2010-03-25 | 2011-09-29 | 田中電子工業株式会社 | 高純度Ｃｕボンディングワイヤ |
| TW201205695A (en) | 2010-07-16 | 2012-02-01 | Nippon Steel Materials Co Ltd | Bonding wire for semiconductor |
| JP4919364B2 (ja) | 2010-08-11 | 2012-04-18 | 田中電子工業株式会社 | ボールボンディング用金被覆銅ワイヤ |
| JP5403702B2 (ja) * | 2011-04-11 | 2014-01-29 | タツタ電線株式会社 | 銅ボンディングワイヤ |
| JP4958249B2 (ja) | 2011-04-26 | 2012-06-20 | 田中電子工業株式会社 | ボールボンディング用金被覆銅ワイヤ |
| CN102324392B (zh) * | 2011-10-19 | 2013-03-27 | 广东佳博电子科技有限公司 | 一种防氧化的铜基键合丝的制备工艺 |
| JP5088981B1 (ja) * | 2011-12-21 | 2012-12-05 | 田中電子工業株式会社 | Ｐｄ被覆銅ボールボンディングワイヤ |
| JP2013172032A (ja) * | 2012-02-21 | 2013-09-02 | Nippon Micrometal Corp | ボンディングワイヤの製造方法 |
| CN203192789U (zh) | 2013-02-01 | 2013-09-11 | 风青实业股份有限公司 | 半导体用焊线 |
| US8680660B1 (en) * | 2013-03-12 | 2014-03-25 | Freescale Semiconductor, Inc. | Brace for bond wire |
| CN104060281A (zh) * | 2013-03-21 | 2014-09-24 | 吕传盛 | 固相扩散反应铜钯合金线及其制造方法 |
| JP5546670B1 (ja) * | 2013-06-13 | 2014-07-09 | 田中電子工業株式会社 | 超音波接合用コーティング銅ワイヤの構造 |
-
2015
- 2015-06-05 WO PCT/JP2015/066392 patent/WO2016189752A1/ja not_active Ceased
- 2015-09-18 CN CN202010092527.7A patent/CN111276460B/zh active Active
- 2015-09-18 SG SG10201908464V patent/SG10201908464VA/en unknown
- 2015-09-18 EP EP15874396.3A patent/EP3121841B1/en active Active
- 2015-09-18 KR KR1020177006978A patent/KR101983479B1/ko active Active
- 2015-09-18 CN CN201580002533.6A patent/CN106415830A/zh active Pending
- 2015-09-18 KR KR1020197014566A patent/KR102010732B1/ko active Active
- 2015-09-18 KR KR1020167011740A patent/KR101718673B1/ko active Active
- 2015-09-18 SG SG11201604378VA patent/SG11201604378VA/en unknown
- 2015-09-18 DE DE112015004364.0T patent/DE112015004364B4/de active Active
- 2015-09-18 MY MYPI2017700861A patent/MY172944A/en unknown
- 2015-09-18 SG SG10201608695VA patent/SG10201608695VA/en unknown
- 2015-09-18 CN CN202010092522.4A patent/CN111276459A/zh active Pending
- 2015-09-18 US US15/107,423 patent/US10236272B2/en active Active
- 2015-09-18 MY MYPI2016702288A patent/MY164384A/en unknown
- 2015-09-18 DE DE112015006616.0T patent/DE112015006616B3/de active Active
- 2015-09-23 TW TW107114049A patent/TWI652693B/zh active
-
2016
- 2016-05-12 JP JP2016096235A patent/JP6353486B2/ja active Active
- 2016-05-27 PH PH12016500999A patent/PH12016500999B1/en unknown
-
2018
- 2018-06-07 JP JP2018109570A patent/JP6420015B2/ja active Active
- 2018-10-09 JP JP2018191265A patent/JP2019033275A/ja active Pending
-
2019
- 2019-01-15 US US16/248,531 patent/US10497663B2/en active Active
- 2019-09-17 US US16/573,936 patent/US10672733B2/en active Active
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| JP2017005256A5 (cg-RX-API-DMAC7.html) | ||
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