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JP4623179B2
(ja)
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2008-09-18 |
2011-02-02 |
ソニー株式会社 |
薄膜トランジスタおよびその製造方法
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JP5451280B2
(ja)
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2008-10-09 |
2014-03-26 |
キヤノン株式会社 |
ウルツ鉱型結晶成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置
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JP5275950B2
(ja)
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2009-05-01 |
2013-08-28 |
富士フイルム株式会社 |
積層膜とその製造方法、光電変換素子とその製造方法、及び太陽電池
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WO2010140522A1
(en)
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2009-06-05 |
2010-12-09 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Photoelectric conversion device and manufacturing method thereof
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JP5257271B2
(ja)
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2009-06-26 |
2013-08-07 |
ソニー株式会社 |
光電変換装置および光電変換装置の駆動方法、並びに放射線撮像装置および放射線撮像装置の駆動方法
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KR101645680B1
(ko)
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2009-11-06 |
2016-08-04 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치
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DE102009058804A1
(de)
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2009-12-18 |
2011-06-22 |
Giesecke & Devrient GmbH, 81677 |
Sensor zur Prüfung von Wertdokumenten
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KR20120031403A
(ko)
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2010-09-24 |
2012-04-03 |
삼성전자주식회사 |
이미지 센서, 이의 동작 방법, 및 이를 포함하는 장치들
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JP5866768B2
(ja)
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2011-02-16 |
2016-02-17 |
セイコーエプソン株式会社 |
光電変換装置、電子機器
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JP2013005297A
(ja)
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2011-06-17 |
2013-01-07 |
Sony Corp |
撮像素子および駆動方法、並びに電子機器
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(en)
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2011-07-15 |
2014-09-16 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Semiconductor device and method for driving the same
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JP6151530B2
(ja)
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2012-02-29 |
2017-06-21 |
株式会社半導体エネルギー研究所 |
イメージセンサ、カメラ、及び監視システム
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US9236408B2
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2012-04-25 |
2016-01-12 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Oxide semiconductor device including photodiode
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JP2014017440A
(ja)
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2012-07-11 |
2014-01-30 |
Nippon Hoso Kyokai <Nhk> |
光電変換素子、及び、イメージセンサ
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JP2014120616A
(ja)
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2012-12-17 |
2014-06-30 |
Nippon Hoso Kyokai <Nhk> |
有機光電変換素子、それを備えた積層型有機撮像素子及び積層型有機太陽電池、並びに有機光電変換素子の製造方法
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US9590110B2
(en)
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2013-09-10 |
2017-03-07 |
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. |
Ultraviolet light sensor circuit
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JP6300529B2
(ja)
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2014-01-08 |
2018-03-28 |
キヤノン株式会社 |
撮像装置及びその制御方法、プログラム、記憶媒体
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CN103945136B
(zh)
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2014-04-04 |
2017-03-08 |
苏州思源科安信息技术有限公司 |
高用户使用体验度的虹膜图像光电成像系统
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EP2942804B1
(en)
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2014-05-08 |
2017-07-12 |
Flosfia Inc. |
Crystalline multilayer structure and semiconductor device
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KR102422059B1
(ko)
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2014-07-18 |
2022-07-15 |
가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 |
반도체 장치, 촬상 장치, 및 전자 기기
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