JP7446786B2 - 検出装置及び表示装置 - Google Patents
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Description
近年、このような光学式の検出装置は、例えば指紋センサや静脈センサ等、生体情報を検出する生体センサとして用いられている。携帯端末機器などの屋外で使用可能な電子機器に搭載される検出装置において、太陽光の影響による誤作動を抑制することが重要である。
基板と、前記基板の上に設けられ、半導体層を含む光電変換素子と、前記光電変換素子に対応して設けられたトランジスタと、支持基板と、前記支持基板に支持された緑色のカラーフィルタと、を備え、前記カラーフィルタは、前記光電変換素子に重畳している。
本実施形態の表示装置は、
検出装置と、前記検出装置の上に設けられた表示パネルと、前記表示パネルの上に設けられ、上面を有するカバー部材と、を備え、前記表示パネルは、前記上面に向けて緑色の照明光を出射するように構成され、前記検出装置は、基板と、前記基板の上に設けられ、半導体層を含む光電変換素子と、前記光電変換素子に対応して設けられたトランジスタと、前記光電変換素子と前記表示パネルとの間に設けられた支持基板と、前記支持基板に支持された緑色のカラーフィルタと、を備え、前記カラーフィルタは、前記光電変換素子に重畳し、前記検出装置は、前記カバー部材、前記表示パネル、及び、前記カラーフィルタを介して、前記上面に接触した生体からの反射光を検出するように構成されている。
そこで、本実施形態においては、検出装置1は、検出素子3と表示パネルPNLとの間に設けられた支持基板SSと、支持基板SSに支持されたカラーフィルタCFと、を備えている。これらの構造については後述する。
第3信号線SLrstは、絶縁膜24及び25を貫通するコンタクトホールH1において、半導体層61の高濃度不純物領域61bに接触している。接続電極CNは、絶縁膜24及び25を貫通するコンタクトホールH2において、半導体層61の高濃度不純物領域61cに接触している。また、接続電極CNは、絶縁膜22乃至25を貫通するコンタクトホールH3において、ゲート線GLsfに接触している。
絶縁膜22乃至26は、無機絶縁膜であり、例えば、シリコン酸化物やシリコン窒化物等によって形成されている。
本実施形態によれば、IRカットフィルタよりも薄い支持基板SSを適用し、数μmの膜厚のカラーフィルタCFを追加することでIRカットフィルタと同等の遮光性能が得られ、また、IRカットフィルタを接着する接着層を省略することができる。このため、比較例と比べて、表示装置DSPの総厚を低減することができる。
このような構成例においても、上記の構成例と同様の効果が得られる。加えて、オーバーコート層が省略されたため、オーバーコート層の膜厚(数μm)に相当する厚さを、表示装置DSPの総厚から低減することができる。
このような構成例においても、上記の構成例と同様の効果が得られる。加えて、スペーサが省略されたため、スペーサの膜厚(数μm)に相当する厚さを、表示装置DSPの総厚から低減することができる。なお、図5に示した構成例からスペーサSPを省略してもよい。この場合、オーバーコート層OCが絶縁膜29に接触する。
このような構成例においても、上記の構成例と同様の効果が得られる。加えて、有機絶縁膜である絶縁膜29が省略されたため、絶縁膜29の膜厚(数μm)に相当する厚さを、表示装置DSPの総厚から低減することができる。
このような構成例においても、上記の構成例と同様の効果が得られる。加えて、オーバーコート層が省略されたため、オーバーコート層の膜厚(数μm)に相当する厚さを、表示装置DSPの総厚から低減することができる。
このような構成例においても、上記の構成例と同様の効果が得られる。加えて、スペーサが省略されたため、スペーサの膜厚(数μm)に相当する厚さを、表示装置DSPの総厚から低減することができる。なお、図9に示した構成例からスペーサSPを省略してもよい。この場合、オーバーコート層OCが絶縁膜28に接触する。
このような構成例においても、上記の構成例と同様の効果が得られる。
このような構成例においても、上記の構成例と同様の効果が得られる。加えて、スペーサが省略されたため、スペーサの膜厚(数μm)に相当する厚さを、表示装置DSPの総厚から低減することができる。
21…基板 30…光電変換素子
31…i型半導体層 32…n型半導体層 33…p型半導体層
CF…(緑色)カラーフィルタ SS…支持基板 OC…オーバーコート層
Mrst、Msf、Mrd…トランジスタ
Claims (16)
- 基板と、
前記基板の上に設けられ、半導体層を含む光電変換素子と、
前記光電変換素子に対応して設けられたトランジスタと、
支持基板と、
前記支持基板に支持された緑色のカラーフィルタと、
前記光電変換素子及び前記トランジスタの上に設けられた有機絶縁膜と、
前記カラーフィルタを覆うオーバーコート層と、
前記有機絶縁膜と前記オーバーコート層との間に設けられたスペーサと、を備え、
前記カラーフィルタは、前記光電変換素子に重畳し、
前記光電変換素子に重畳する領域において、前記有機絶縁膜と前記オーバーコート層との間に空気層が介在している、検出装置。 - 基板と、
前記基板の上に設けられ、半導体層を含む光電変換素子と、
前記光電変換素子に対応して設けられたトランジスタと、
支持基板と、
前記支持基板に支持された緑色のカラーフィルタと、
前記光電変換素子及び前記トランジスタの上に設けられた有機絶縁膜と、
前記有機絶縁膜と前記カラーフィルタとの間に設けられたスペーサと、を備え、
前記カラーフィルタは、前記光電変換素子に重畳し、
前記光電変換素子に重畳する領域において、前記有機絶縁膜と前記カラーフィルタとの間に空気層が介在している、検出装置。 - 基板と、
前記基板の上に設けられ、半導体層を含む光電変換素子と、
前記光電変換素子に対応して設けられたトランジスタと、
支持基板と、
前記支持基板に支持された緑色のカラーフィルタと、
前記光電変換素子及び前記トランジスタの上に設けられた無機絶縁膜と、
前記カラーフィルタを覆うオーバーコート層と、
前記無機絶縁膜と前記オーバーコート層との間に設けられたスペーサと、を備え、
前記カラーフィルタは、前記光電変換素子に重畳し、
前記光電変換素子に重畳する領域において、前記無機絶縁膜と前記オーバーコート層との間に空気層が介在している、検出装置。 - 基板と、
前記基板の上に設けられ、半導体層を含む光電変換素子と、
前記光電変換素子に対応して設けられたトランジスタと、
支持基板と、
前記支持基板に支持された緑色のカラーフィルタと、
前記光電変換素子及び前記トランジスタの上に設けられた無機絶縁膜と、
前記無機絶縁膜と前記カラーフィルタとの間に設けられたスペーサと、を備え、
前記カラーフィルタは、前記光電変換素子に重畳し、
前記光電変換素子に重畳する領域において、前記無機絶縁膜と前記カラーフィルタとの間に空気層が介在している、検出装置。 - 前記カラーフィルタは、600nm以上、750nm以下の波長範囲において、20%以下の透過率を有している、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の検出装置。
- 前記カラーフィルタは、1.5μm以上の膜厚を有している、請求項5に記載の検出装置。
- 前記カラーフィルタは、前記トランジスタに重畳している、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の検出装置。
- 前記トランジスタに重畳する領域において、前記支持基板と前記オーバーコート層とが接触している、請求項1または3に記載の検出装置。
- 前記カラーフィルタは、平面視において、2本の走査線と2本の信号線とで囲まれた領域に設けられている、請求項8に記載の検出装置。
- さらに、前記トランジスタを覆う第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜の上に設けられた第2絶縁膜と、を備え、
前記光電変換素子の前記半導体層は、
前記基板の上に設けられ、前記第1絶縁膜によって覆われたp型半導体層と、
前記第1絶縁膜に設けられた第1開口部において前記p型半導体層に接触したi型半導体層と、
前記i型半導体層の上に設けられたn型半導体層と、を有し、
前記第2絶縁膜は、有機絶縁膜であり、前記i型半導体層及び前記n型半導体層を覆うとともに、前記n型半導体層まで貫通した第2開口部を有し、
前記カラーフィルタは、前記第2開口部に重畳している、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の検出装置。 - 前記p型半導体層は、多結晶シリコンによって形成され、
前記i型半導体層及び前記n型半導体層は、アモルファスシリコンによって形成されている、請求項10に記載の検出装置。 - さらに、前記n型半導体層と前記トランジスタとを電気的に接続する透明電極を備えている、請求項11に記載の検出装置。
- 検出装置と、
前記検出装置の上に設けられた表示パネルと、
前記表示パネルの上に設けられ、上面を有するカバー部材と、を備え、
前記表示パネルは、前記上面に向けて緑色の照明光を出射するように構成され、
前記検出装置は、
基板と、
前記基板の上に設けられ、半導体層を含む光電変換素子と、
前記光電変換素子に対応して設けられたトランジスタと、
前記光電変換素子と前記表示パネルとの間に設けられた支持基板と、
前記支持基板に支持された緑色のカラーフィルタと、
前記光電変換素子及び前記トランジスタの上に設けられた有機絶縁膜と、
前記カラーフィルタを覆うオーバーコート層と、
前記有機絶縁膜と前記オーバーコート層との間に設けられたスペーサと、を備え、
前記カラーフィルタは、前記光電変換素子に重畳し、
前記光電変換素子に重畳する領域において、前記有機絶縁膜と前記オーバーコート層との間に空気層が介在し、
前記検出装置は、前記カバー部材、前記表示パネル、及び、前記カラーフィルタを介して、前記上面に接触した生体からの反射光を検出するように構成されている、表示装置。 - 検出装置と、
前記検出装置の上に設けられた表示パネルと、
前記表示パネルの上に設けられ、上面を有するカバー部材と、を備え、
前記表示パネルは、前記上面に向けて緑色の照明光を出射するように構成され、
前記検出装置は、
基板と、
前記基板の上に設けられ、半導体層を含む光電変換素子と、
前記光電変換素子に対応して設けられたトランジスタと、
前記光電変換素子と前記表示パネルとの間に設けられた支持基板と、
前記支持基板に支持された緑色のカラーフィルタと、
前記光電変換素子及び前記トランジスタの上に設けられた有機絶縁膜と、
前記有機絶縁膜と前記カラーフィルタとの間に設けられたスペーサと、を備え、
前記カラーフィルタは、前記光電変換素子に重畳し、
前記光電変換素子に重畳する領域において、前記有機絶縁膜と前記カラーフィルタとの間に空気層が介在し、
前記検出装置は、前記カバー部材、前記表示パネル、及び、前記カラーフィルタを介して、前記上面に接触した生体からの反射光を検出するように構成されている、表示装置。 - 検出装置と、
前記検出装置の上に設けられた表示パネルと、
前記表示パネルの上に設けられ、上面を有するカバー部材と、を備え、
前記表示パネルは、前記上面に向けて緑色の照明光を出射するように構成され、
前記検出装置は、
基板と、
前記基板の上に設けられ、半導体層を含む光電変換素子と、
前記光電変換素子に対応して設けられたトランジスタと、
前記光電変換素子と前記表示パネルとの間に設けられた支持基板と、
前記支持基板に支持された緑色のカラーフィルタと、
前記光電変換素子及び前記トランジスタの上に設けられた無機絶縁膜と、
前記カラーフィルタを覆うオーバーコート層と、
前記無機絶縁膜と前記オーバーコート層との間に設けられたスペーサと、を備え、
前記カラーフィルタは、前記光電変換素子に重畳し、
前記光電変換素子に重畳する領域において、前記無機絶縁膜と前記オーバーコート層との間に空気層が介在し、
前記検出装置は、前記カバー部材、前記表示パネル、及び、前記カラーフィルタを介して、前記上面に接触した生体からの反射光を検出するように構成されている、表示装置。 - 検出装置と、
前記検出装置の上に設けられた表示パネルと、
前記表示パネルの上に設けられ、上面を有するカバー部材と、を備え、
前記表示パネルは、前記上面に向けて緑色の照明光を出射するように構成され、
前記検出装置は、
基板と、
前記基板の上に設けられ、半導体層を含む光電変換素子と、
前記光電変換素子に対応して設けられたトランジスタと、
前記光電変換素子と前記表示パネルとの間に設けられた支持基板と、
前記支持基板に支持された緑色のカラーフィルタと、
前記光電変換素子及び前記トランジスタの上に設けられた無機絶縁膜と、
前記無機絶縁膜と前記カラーフィルタとの間に設けられたスペーサと、を備え、
前記カラーフィルタは、前記光電変換素子に重畳し、
前記光電変換素子に重畳する領域において、前記無機絶縁膜と前記カラーフィルタとの間に空気層が介在し、
前記検出装置は、前記カバー部材、前記表示パネル、及び、前記カラーフィルタを介して、前記上面に接触した生体からの反射光を検出するように構成されている、表示装置。
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