JP2016219785A - 電子部品パッケージ - Google Patents
電子部品パッケージ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016219785A JP2016219785A JP2016066137A JP2016066137A JP2016219785A JP 2016219785 A JP2016219785 A JP 2016219785A JP 2016066137 A JP2016066137 A JP 2016066137A JP 2016066137 A JP2016066137 A JP 2016066137A JP 2016219785 A JP2016219785 A JP 2016219785A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electronic component
- metal
- metal member
- layer
- component package
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 289
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 289
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 83
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 83
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 72
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 58
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 91
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 abstract description 7
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 208
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 70
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 46
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 46
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 41
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 20
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 15
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 14
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 10
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 9
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 7
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 5
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 3
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052580 B4C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052586 apatite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N boron carbide Chemical compound B12B3B4C32B41 INAHAJYZKVIDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- VSIIXMUUUJUKCM-UHFFFAOYSA-D pentacalcium;fluoride;triphosphate Chemical compound [F-].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O VSIIXMUUUJUKCM-UHFFFAOYSA-D 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003050 poly-cycloolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/49—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions wire-like arrangements or pins or rods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49579—Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
- H01L23/49582—Metallic layers on lead frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4821—Flat leads, e.g. lead frames with or without insulating supports
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
- H01L23/3677—Wire-like or pin-like cooling fins or heat sinks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
- H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
- H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
- H01L23/49558—Insulating layers on lead frames, e.g. bridging members
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/19—Manufacturing methods of high density interconnect preforms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/20—Structure, shape, material or disposition of high density interconnect preforms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/96—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/12105—Bump connectors formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bumps on chip-scale packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
- H01L23/3128—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation the substrate having spherical bumps for external connection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19043—Component type being a resistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
本願発明者らは、パッケージ技術に関し、以下の如くの問題点・改善点があることを見出し、本開示に係る電子部品パッケージおよびその製造方法を案出した。
[項目1]
第1主面と、前記第1主面と反対側の第2主面とを有する金属パターン層、
前記第1主面上に配置され、前記金属パターン層と電気的に接続された電子部品、
前記第1主面上に配置され、前記金属パターン層と電気的に接続された少なくとも1つの金属部材、
前記第1主面、前記電子部品、および前記少なくとも1つの金属部材上に配置された封止樹脂層、並びに
前記第2主面上に配置された絶縁層を備え、
前記少なくとも1つの金属部材の厚みが前記電子部品の厚みよりも大きく、
平面視において、前記少なくとも1つの金属部材が前記第1主面の端に接する位置にのみ設けられており、
前記少なくとも1つの金属部材の下方の領域に位置する前記金属パターン層の少なくとも一部が、前記絶縁層から露出している、電子部品パッケージ。
[項目2]
前記少なくとも1つの金属部材の厚みが、前記封止樹脂層の厚みの50%以上90%以下である、項目1に記載の電子部品パッケージ。
[項目3]
前記少なくとも1つの金属部材の側面が前記封止樹脂層の端面から露出している、項目1または2に記載の電子部品パッケージ。
[項目4]
前記少なくとも1つの金属部材の前記露出している前記側面と前記封止樹脂層の前記端面とが面一になっている、項目3に記載の電子部品パッケージ。
[項目5]
前記少なくとも1つの金属部材は複数の金属部材を備え、
平面視において、前記複数の金属部材が前記第1主面の端に接する位置にのみ設けられている、項目1から4のいずれかに記載の電子部品パッケージ。
[項目6]
平面視において、前記複数の金属部材が、互いに間隔を空けて前記第1主面の端に沿って配置されている、項目5に記載の電子部品パッケージ。
[項目7]
前記少なくとも1つの金属部材が直方体または立方体の形状を有する、項目1から4のいずれかに記載の電子部品パッケージ。
この場合に、前記直方体および前記立方体の辺および角が丸みを帯びていてもよい。
[項目8]
前記金属パターン層が第1金属層と第2金属層とを含む、項目1から7のいずれかに記載の電子部品パッケージ。
[項目9]
前記絶縁層がソルダーレジスト層である、項目1から8のいずれかに記載の電子部品パッケージ。
[項目10]
(i)電子部品および少なくとも1つの金属部材を粘着性キャリアに貼り付ける工程、
(ii)前記電子部品および前記少なくとも1つの金属部材を覆うように、前記粘着性キャリア上に封止樹脂層を形成し、電子部品パッケージ前駆体を得る工程、
(iii)前記電子部品パッケージ前駆体から前記粘着性キャリアを剥離し、前記封止樹脂層の表面から前記電子部品および前記少なくとも1つの金属部材を露出させる工程、
(iv)前記封止樹脂層の前記表面に金属層を形成する工程、並びに
(v)前記少なくとも1つの金属部材が分割されるようにダイシング処理を行う工程
を含み、
前記少なくとも1つの金属部材の厚みが前記電子部品の厚みよりも大きい、電子部品パッケージの製造方法。
[項目11]
前記工程(i)において、前記電子部品が前記少なくとも1つの金属部材よりも相対的に内側に位置付けられるように、前記電子部品と前記少なくとも1つの金属部材とを前記粘着性キャリアに設ける、項目10に記載の電子部品パッケージの製造方法。
[項目12]
前記少なくとも1つの金属部材が複数の金属部材を備え、
前記工程(i)において、前記複数の金属部材が枠状部材に連結されている、項目10または11に記載の電子部品パッケージの製造方法。
[項目13]
前記複数の金属部材が前記枠状部材の外縁よりも内側に位置付けられるように、前記複数の金属部材と前記枠状部材とが互いに連結されている、項目12に記載の電子部品パッケージの製造方法。
[項目14]
前記複数の金属部材の各々が直方体または立方体の形状を有している、項目12または13に記載の電子部品パッケージの製造方法。
[項目15]
前記ダイシング処理は、前記枠状部材の前記外縁の内側であって、前記複数の金属部材がそれぞれ分割される位置にて行われる、項目13に記載の電子部品パッケージの製造方法。
[項目16]
前記工程(iv)において、乾式めっき法を実施した後、湿式めっき法を実施することによって前記金属層を形成する、項目10から15のいずれかに記載の電子部品パッケージの製造方法。
[項目17]
前記工程(i)で用いられる前記少なくとも1つの金属部材の厚みが、前記工程(ii)で形成する前記封止樹脂層の厚みの50%以上90%以下である、項目9から11のいずれかに記載の電子部品パッケージの製造方法。
まず、本開示に係る電子部品パッケージの製造方法について説明する。図1Aから図1Gおよび図2Aから図2Cは、本開示の製造方法に関連したプロセスを模式的に示している。本開示の製造方法では、まず工程(i)を実施する。即ち、粘着性キャリア10に貼り付けられるように電子部品20および金属部材30を粘着性キャリア10に設ける(図1Aおよび図1B参照)。
本開示では、複数の金属部材30を備えた電子部品パッケージ100を製造してよい。特に「複数の金属部材30が封止樹脂層40の周縁部にのみ位置付けられた電子部品パッケージ100」を製造してよい。
本開示の製造方法に従えば、複数の電子部品パッケージを一括して製造することができる。具体的には、同時に複数個の電子部品パッケージを得るために、工程(i)の金属部材30として、複数個の電子部品パッケージに相当する個数を備えた一体化部材を用いる。
本開示の製造方法では、半田部の形成を付加的に実施してもよい。具体的には、図6Aおよび6Bに示すように、「電子部品パッケージが実装される基板との接続に用いられる半田部70」をダイシング処理後に形成してよい。ここでいう、「基板」とは、二次基板のことを指しており、例えばプリント基板(プリント配線板)などである。
次に、本開示の電子部品パッケージについて説明する。本開示の電子部品パッケージは、上記の本開示の製造方法で得られるパッケージである。
14 支持基材
16 粘着層
20 電子部品
30 金属部材
310 一体化部材
30A 側面
31 枠状部材
32 領域
40 封止樹脂層
40A 端面
50 金属層
51 乾式めっき層
52 湿式めっき層
54 金属パターン層
60 レジスト層
70 半田部
100 電子部品パッケージ
110 電子部品パッケージ前駆体
320 ダイシングライン
420 周縁部
Claims (9)
- 第1主面と、前記第1主面と反対側の第2主面とを有する金属パターン層、
前記第1主面上に配置され、前記金属パターン層と電気的に接続された電子部品、
前記第1主面上に配置され、前記金属パターン層と電気的に接続された少なくとも1つの金属部材、
前記第1主面、前記電子部品、および前記少なくとも1つの金属部材上に配置された封止樹脂層、並びに
前記第2主面上に配置された絶縁層を備え、
前記少なくとも1つの金属部材の厚みが前記電子部品の厚みよりも大きく、
平面視において、前記少なくとも1つの金属部材が前記第1主面の端に接する位置にのみ設けられており、
前記少なくとも1つの金属部材の下方の領域に位置する前記金属パターン層の少なくとも一部が、前記絶縁層から露出している、電子部品パッケージ。 - 前記少なくとも1つの金属部材の厚みが、前記封止樹脂層の厚みの50%以上90%以下である、請求項1に記載の電子部品パッケージ。
- 前記少なくとも1つの金属部材の側面が前記封止樹脂層の端面から露出している、請求項1または2に記載の電子部品パッケージ。
- 前記少なくとも1つの金属部材の前記露出している前記側面と前記封止樹脂層の前記端面とが面一になっている、請求項3に記載の電子部品パッケージ。
- 前記少なくとも1つの金属部材は複数の金属部材を備え、
平面視において、前記複数の金属部材が前記第1主面の端に接する位置にのみ設けられている、請求項1から4のいずれかに記載の電子部品パッケージ。 - 平面視において、前記複数の金属部材が、互いに間隔を空けて前記第1主面の端に沿って配置されている、請求項5に記載の電子部品パッケージ。
- 前記少なくとも1つの金属部材が直方体または立方体の形状を有する、請求項1から4のいずれかに記載の電子部品パッケージ。
- 前記金属パターン層が第1金属層と第2金属層とを含む、請求項1から7のいずれかに記載の電子部品パッケージ。
- 前記絶縁層がソルダーレジスト層である、請求項1から8のいずれかに記載の電子部品パッケージ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015105759 | 2015-05-25 | ||
JP2015105759 | 2015-05-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016219785A true JP2016219785A (ja) | 2016-12-22 |
JP6620989B2 JP6620989B2 (ja) | 2019-12-18 |
Family
ID=57399066
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016066137A Active JP6620989B2 (ja) | 2015-05-25 | 2016-03-29 | 電子部品パッケージ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9812385B2 (ja) |
JP (1) | JP6620989B2 (ja) |
CN (1) | CN106206486A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021057561A (ja) * | 2019-09-26 | 2021-04-08 | ローム株式会社 | 端子、半導体装置、およびこれらの製造方法 |
JP2021100054A (ja) * | 2019-12-23 | 2021-07-01 | ローム株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JPWO2022149317A1 (ja) * | 2021-01-05 | 2022-07-14 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106684057B (zh) * | 2016-12-30 | 2019-10-22 | 华为技术有限公司 | 芯片封装结构及其制造方法 |
KR20200002883A (ko) * | 2017-04-28 | 2020-01-08 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 중공 봉지 구조체 |
WO2021051334A1 (zh) * | 2019-09-19 | 2021-03-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 灯条、背光组件和显示装置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0922960A (ja) * | 1995-07-07 | 1997-01-21 | Sony Corp | マルチチップモジュール装置とその製造方法 |
JP2003188312A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-07-04 | Sainekkusu:Kk | 半導体装置、半導体積層ユニット、およびその製造方法 |
WO2004080134A2 (en) * | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Tessera, Inc. | High frequency chip packages with connecting elements |
WO2006035528A1 (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | スタックモジュール及びその製造方法 |
WO2014097641A1 (ja) * | 2012-12-21 | 2014-06-26 | パナソニック株式会社 | 電子部品パッケージおよびその製造方法 |
JP2015195368A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-05 | 株式会社ジェイデバイス | 半導体パッケージ |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW565728B (en) * | 1997-10-15 | 2003-12-11 | Sharp Kk | Tape-carrier-package semiconductor device and a liquid crystal panel display using such a device as well as a method for testing the disconnection thereof |
JP2002134653A (ja) | 2000-10-23 | 2002-05-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置とその製造方法 |
US20020079572A1 (en) * | 2000-12-22 | 2002-06-27 | Khan Reza-Ur Rahman | Enhanced die-up ball grid array and method for making the same |
JP3951966B2 (ja) * | 2003-05-30 | 2007-08-01 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置 |
DE10334576B4 (de) | 2003-07-28 | 2007-04-05 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements mit einem Kunststoffgehäuse |
JP3809168B2 (ja) * | 2004-02-03 | 2006-08-16 | 株式会社東芝 | 半導体モジュール |
FI117369B (fi) | 2004-11-26 | 2006-09-15 | Imbera Electronics Oy | Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi |
JP5280014B2 (ja) * | 2007-04-27 | 2013-09-04 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
US8436514B2 (en) * | 2007-10-30 | 2013-05-07 | Kyocera Corporation | Acoustic wave device comprising an inter-digital transducer electrode |
TWI364801B (en) | 2007-12-20 | 2012-05-21 | Chipmos Technologies Inc | Dice rearrangement package structure using layout process to form a compliant configuration |
US8618669B2 (en) * | 2008-01-09 | 2013-12-31 | Ibiden Co., Ltd. | Combination substrate |
JP2009277954A (ja) | 2008-05-16 | 2009-11-26 | Murata Mfg Co Ltd | 回路モジュールの製造方法及び回路モジュール |
WO2010024233A1 (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-04 | 日本電気株式会社 | 機能素子を内蔵可能な配線基板及びその製造方法 |
JP5185062B2 (ja) * | 2008-10-21 | 2013-04-17 | パナソニック株式会社 | 積層型半導体装置及び電子機器 |
JP2010262992A (ja) * | 2009-04-30 | 2010-11-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体モジュールおよび携帯機器 |
JP5214554B2 (ja) * | 2009-07-30 | 2013-06-19 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体チップ内蔵パッケージ及びその製造方法、並びに、パッケージ・オン・パッケージ型半導体装置及びその製造方法 |
JP5460388B2 (ja) * | 2010-03-10 | 2014-04-02 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP5803014B2 (ja) * | 2011-06-28 | 2015-11-04 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2013030593A (ja) * | 2011-07-28 | 2013-02-07 | J Devices:Kk | 半導体装置、該半導体装置を垂直に積層した半導体モジュール構造及びその製造方法 |
JP5864180B2 (ja) * | 2011-09-21 | 2016-02-17 | 新光電気工業株式会社 | 半導体パッケージ及びその製造方法 |
JP5895467B2 (ja) | 2011-11-18 | 2016-03-30 | 富士通株式会社 | 電子装置及びその製造方法 |
JP5558595B2 (ja) | 2012-03-14 | 2014-07-23 | 株式会社東芝 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP5521130B1 (ja) | 2012-08-30 | 2014-06-11 | パナソニック株式会社 | 電子部品パッケージおよびその製造方法 |
CN103855142B (zh) * | 2012-12-04 | 2017-12-29 | 东芝照明技术株式会社 | 发光装置及照明装置 |
WO2014097645A1 (ja) | 2012-12-21 | 2014-06-26 | パナソニック株式会社 | 電子部品パッケージおよびその製造方法 |
JP5624698B1 (ja) | 2012-12-21 | 2015-11-12 | パナソニック株式会社 | 電子部品パッケージおよびその製造方法 |
JP5624697B1 (ja) | 2012-12-21 | 2014-11-12 | パナソニック株式会社 | 電子部品パッケージおよびその製造方法 |
WO2014097642A1 (ja) | 2012-12-21 | 2014-06-26 | パナソニック株式会社 | 電子部品パッケージおよびその製造方法 |
CN103400771B (zh) * | 2013-08-06 | 2016-06-29 | 江阴芯智联电子科技有限公司 | 先蚀后封芯片倒装三维系统级金属线路板结构及工艺方法 |
CN103489792B (zh) * | 2013-08-06 | 2016-02-03 | 江苏长电科技股份有限公司 | 先封后蚀三维系统级芯片倒装封装结构及工艺方法 |
CN103413766B (zh) * | 2013-08-06 | 2016-08-10 | 江阴芯智联电子科技有限公司 | 先蚀后封芯片正装三维系统级金属线路板结构及工艺方法 |
JP6199724B2 (ja) * | 2013-12-13 | 2017-09-20 | 東芝メモリ株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
2016
- 2016-03-29 JP JP2016066137A patent/JP6620989B2/ja active Active
- 2016-04-06 CN CN201610207853.1A patent/CN106206486A/zh active Pending
- 2016-05-18 US US15/157,466 patent/US9812385B2/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0922960A (ja) * | 1995-07-07 | 1997-01-21 | Sony Corp | マルチチップモジュール装置とその製造方法 |
JP2003188312A (ja) * | 2001-12-21 | 2003-07-04 | Sainekkusu:Kk | 半導体装置、半導体積層ユニット、およびその製造方法 |
WO2004080134A2 (en) * | 2003-02-25 | 2004-09-16 | Tessera, Inc. | High frequency chip packages with connecting elements |
JP2006514438A (ja) * | 2003-02-25 | 2006-04-27 | テッセラ,インコーポレイテッド | 接続要素を有する高周波チップパッケージ |
WO2006035528A1 (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-06 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | スタックモジュール及びその製造方法 |
US20070161266A1 (en) * | 2004-09-29 | 2007-07-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Stacked module and manufacturing method thereof |
WO2014097641A1 (ja) * | 2012-12-21 | 2014-06-26 | パナソニック株式会社 | 電子部品パッケージおよびその製造方法 |
CN104603932A (zh) * | 2012-12-21 | 2015-05-06 | 松下知识产权经营株式会社 | 电子部件封装件及其制造方法 |
US20150214129A1 (en) * | 2012-12-21 | 2015-07-30 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Electronic component package and method for manufacturing the same |
JP2015195368A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-05 | 株式会社ジェイデバイス | 半導体パッケージ |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021057561A (ja) * | 2019-09-26 | 2021-04-08 | ローム株式会社 | 端子、半導体装置、およびこれらの製造方法 |
JP7326115B2 (ja) | 2019-09-26 | 2023-08-15 | ローム株式会社 | 端子、半導体装置、およびこれらの製造方法 |
JP2021100054A (ja) * | 2019-12-23 | 2021-07-01 | ローム株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP7388911B2 (ja) | 2019-12-23 | 2023-11-29 | ローム株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JPWO2022149317A1 (ja) * | 2021-01-05 | 2022-07-14 | ||
WO2022149317A1 (ja) * | 2021-01-05 | 2022-07-14 | 株式会社村田製作所 | 端子、電子部品パッケージ、および、端子の製造方法 |
JP7276610B2 (ja) | 2021-01-05 | 2023-05-18 | 株式会社村田製作所 | 端子、電子部品パッケージ、および、端子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6620989B2 (ja) | 2019-12-18 |
US20160351481A1 (en) | 2016-12-01 |
CN106206486A (zh) | 2016-12-07 |
US9812385B2 (en) | 2017-11-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6620989B2 (ja) | 電子部品パッケージ | |
JP5624699B1 (ja) | 電子部品パッケージおよびその製造方法 | |
JP5521130B1 (ja) | 電子部品パッケージおよびその製造方法 | |
JP5624700B1 (ja) | 電子部品パッケージおよびその製造方法 | |
JP5624698B1 (ja) | 電子部品パッケージおよびその製造方法 | |
US9373762B2 (en) | Electronic part package | |
JP4833683B2 (ja) | 光源モジュールの製造方法及び液晶表示装置の製造方法 | |
JP2009032823A (ja) | 電子部品内蔵基板及びその製造方法 | |
JP5624696B1 (ja) | 電子部品パッケージおよびその製造方法 | |
US9236364B2 (en) | Package carrier and manufacturing method thereof | |
US20120292778A1 (en) | Embedded semiconductor power modules and packages | |
TWI721898B (zh) | 半導體封裝結構 | |
KR20130051141A (ko) | 조명 장치 | |
JP2011187911A (ja) | サイドパッケージ型プリント回路基板 | |
JP4663172B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2017005073A (ja) | 電子装置の製造方法 | |
JP2016004915A (ja) | 電子部品パッケージの製造方法および電子部品パッケージ | |
KR101089840B1 (ko) | 회로 기판 모듈 및 그의 제조 방법 | |
JP2008060298A (ja) | 半導体構成体およびその製造方法並びに半導体装置およびその製造方法 | |
JP2016086082A (ja) | 電子部品パッケージおよびその製造方法 | |
JP2008147228A (ja) | 配線基板及びその製造方法 | |
JP2015233092A (ja) | 電子部品パッケージの製造方法および電子部品パッケージ | |
JP2016032032A (ja) | 回路基板、および電子装置 | |
JP2006054496A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2004022609A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190215 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20191017 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20191029 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20191107 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6620989 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |