JP7326115B2 - 端子、半導体装置、およびこれらの製造方法 - Google Patents
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Description
本実施形態に係る端子及びその製造方法について図面を用いて説明する。
本実施形態では、第1実施形態と異なる、端子を備える半導体素子の製造方法について図面を用いて説明する。
上記のように、いくつかの実施形態について記載したが、開示の一部をなす論述及び図面は例示的なものであり、限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。このように、本実施形態は、ここでは記載していない、各実施形態のそれぞれを組み合わせた構成等様々な実施形態等を含む。
Claims (24)
- 第1導電層と、
前記第1導電層上の配線層と、
前記配線層上の第2導電層と、
前記第1導電層の底面及び側面、前記配線層の側面、前記第2導電層の側面の一部、及び前記第2導電層の底面の一部と接する導電性接合層と、を備え、
前記第2導電層の端部は、前記第1導電層の端部及び前記配線層の端部より突出しており、
前記導電性接合層は、前記第2導電層の端部の底面と接する端子。 - 前記第2導電層は、前記第1導電層より厚く、
前記配線層は、前記第1導電層より薄い請求項1に記載の端子。 - 前記第1導電層の底面と前記第2導電層の端部における底面との距離は、100μm以上である請求項1又は2に記載の端子。
- 前記第2導電層の端部は、10~20μm突出している請求項1~3のいずれか1項に記載の端子。
- 前記導電性接合層は、前記第1導電層の底面、前記配線層の側面、前記第2導電層の側面の一部、及び前記第2導電層の底面の一部と接するNi層と、前記Ni層と重畳するAu層と、を有する請求項1~4のいずれか1項に記載の端子。
- 前記第2導電層の上面の平均面粗さは、2~5μmである請求項1~5のいずれか1項に記載の端子。
- 前記第1導電層の材料は、前記第2導電層の材料と同一である請求項1~6のいずれか1項に記載の端子。
- 前記第1導電層は、銅を含み、
前記配線層は、チタン又は窒化タンタルを含み、
前記第2導電層は、銅を含む請求項1~7のいずれか1項に記載の端子。 - 前記配線層の端部は、前記第1導電層の材料及び前記第2導電層の材料で覆われている請求項1~8のいずれか1項に記載の端子。
- 端子と、
前記端子と電気的に接続する半導体素子と、
前記端子及び前記半導体素子を覆う樹脂と、を備え、
前記端子は、
第1導電層と、
第2導電層と、
前記第1導電層及び前記第2導電層の間の配線層と、
前記第1導電層、前記配線層、及び前記第2導電層と接する導電性接合層と、を備え、
前記第2導電層の端部は、前記第1導電層の端部及び前記配線層の端部より突出しており、
前記導電性接合層は、前記第2導電層の端部と接する半導体装置。 - 前記第2導電層は、前記第1導電層より厚く、
前記配線層は、前記第1導電層より薄い請求項10に記載の半導体装置。 - 前記第1導電層の底面と前記第2導電層の端部における底面との距離は、100μm以上である請求項10又は11に記載の半導体装置。
- 前記第2導電層の端部は、10~20μm突出している請求項10~12のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記導電性接合層は、前記第1導電層、前記配線層、及び前記第2導電層と接するNi層と、前記Ni層と重畳するAu層と、を有する請求項10~13のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第2導電層の上面の平均面粗さは、2~5μmである請求項10~14のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第1導電層の材料は、前記第2導電層の材料と同一である請求項10~15のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第1導電層は、銅を含み、
前記配線層は、チタン又は窒化タンタルを含み、
前記第2導電層は、銅を含む請求項10~16のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記配線層の端部は、前記第1導電層の材料及び前記第2導電層の材料で覆われている請求項10~17のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記第2導電層の外側面は露出している請求項10~18のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 第1導電層を形成し、
前記第1導電層を覆う第1樹脂を形成し、
前記第1樹脂を研削して前記第1導電層の上面を露出させ、
前記第1導電層上で接する配線層を形成し、
前記配線層上に第2導電層を形成し、
前記第1樹脂、前記配線層、及び前記第2導電層を覆う第2樹脂を形成し、
前記第2導電層の端部が前記第1導電層の端部及び前記配線層の端部より突出するように前記第1導電層の一部、前記配線層の一部、前記第2導電層の一部、及び前記第2樹脂の一部を除去し、
前記第1導電層、前記配線層、及び前記第2導電層と接する導電性接合層を形成する端子の製造方法。 - 前記第2導電層は、前記第1導電層より厚く、
前記配線層は、前記第1導電層より薄い請求項20に記載の端子の製造方法。 - 前記第1導電層の底面と前記第2導電層の端部における底面との距離は、100μm以上である請求項20又は21に記載の端子の製造方法。
- 前記第2導電層の外側面は露出している請求項20~22のいずれか1項に記載の端子の製造方法。
- 請求項20~23のいずれか1項に記載の端子の製造方法に加えて、さらに前記配線層を形成後、かつ、前記第2導電層を形成前に前記配線層と電気的に接続する半導体素子を形成する半導体装置の製造方法。
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