JP2021100053A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

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寛之 新開
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勇 西村
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Abstract

【課題】実装の信頼性を向上させる。【解決手段】半導体素子２１と、半導体素子２１を主面１０ａに搭載する配線層１０と、配線層１０の裏面１０ｂに形成された第１柱状電極１１と、配線層１０の主面１０ａに形成された第２柱状電極１２と、半導体素子２１を覆うとともに、配線層１０、第１柱状電極１１及び第２柱状電極１２のそれぞれ一部を覆う封止樹脂２０であって、配線層１０が延びる半導体装置１の幅方向に向かう封止樹脂２０の第１側面２０ｊ、及び配線層１０の裏面１０ｂに沿って形成された底面２０ｄを形成する封止樹脂２０とを含み、封止樹脂２０の第１側面２０ｊは、底面２０ｄと交わる第１側面２０ｊと、第１側面２０ｊより前記幅方向に外側にある第２側面２０ｆとを含み、第１柱状電極１１の底面１１ｃは底面２０ｄから露出し、第１柱状電極１１の側面１１ｂは封止樹脂２０の第１側面２０ｊから所定深さにある。【選択図】図４

Description

この発明は、リードレスパッケージ型の半導体装置及びその製造方法に関する。
近年、ＳＯＮパッケージ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ ｐａｃｋａｇｅ）及びＱＦＮパッケージ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｎｏｎ−ｌｅａｄｅｄ ｐａｃｋａｇｅ）などのリードレスパッケージ型の半導体装置が提供されている。リードレスパッケージ型の半導体装置は、半導体素子を封止した封止樹脂から外部接続用の端子が突出していないため、半導体装置の小型化及び薄型化に有利である。
リードレスパッケージ型の半導体装置は、例えば、半導体素子と、リードフレームと、封止樹脂とを備え、リードフレームは、ダイパッド部及び複数のリード部を有している。ダイパッド部は、半導体素子を支持している。複数のリード部は、それぞれ、金属配線を介して半導体素子と電気的に接続され、半導体装置を電子機器などの回路基板に実装する際の上記外部接続用の端子となっている。封止樹脂は半導体素子を覆っている。このような半導体装置の製造には、例えばＭＡＰ（Ｍｏｌｄｅｄ Ａｒｒａｙ Ｐａｃｋａｇｉｎｇ）方式が用いられている。当該ＭＡＰ方式では、リードフレーム上で複数の半導体素子を封止樹脂により一括して封止した後に、ダイシングによって半導体素子を１つずつ備えた個片に切り分けている。
特開２００１−２５７３０４号公報
リードレスパッケージ型の半導体装置は、ＭＡＰ方式で製造するときに、樹脂に封止した複数の半導体をブレードによりダイシングして個片に切り分ける工程で、断面に負荷がかかって金属層の間で剥離が生じることがあった。また、実装時の信頼性を向上させることや、車載用の基板に搭載する場合には、自動外観検査装置を用いて上部からはんだ接合の状態を視覚的に確認できるようにすることも求められている。
この発明は、上述の実情に鑑みて提供されるものであって、ダイシングにより金属層の剥離が生じることがなく、実装時の信頼性が向上し、基板の上部からはんだ接合の状態を視覚的に確認できるような半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
上述の課題を解決するために、この出願に係る半導体装置は、半導体素子と、半導体素子を主面に搭載する配線層と、配線層の裏面に形成された第１柱状電極と、配線層の主面に形成され、側面が配線層が延びる方向に第１柱状電極の側面より外側にある第２柱状電極と、半導体素子を覆うとともに、配線層、第１柱状電極及び第２柱状電極のそれぞれ一部を覆う封止樹脂であって、配線層が延びる半導体装置の幅方向に向かう封止樹脂側面、及び配線層の裏面に沿って形成された封止樹脂底面を形成する封止樹脂とを含み、封止樹脂側面は、封止樹脂底面と交わる第１封止樹脂側面と、第１封止樹脂側面より幅方向に外側にある第２封止樹脂側面とを含み、第１柱状電極の底面は封止樹脂底面から露出し、第１柱状電極の側面は第１封止樹脂側面から所定深さにあり、配線層の端部及び第２柱状電極の側面は第２封止樹脂側面から露出し、配線層の端部及び第２柱状電極の側面の少なくも一方は、第２封止樹脂側面から突出するものである。
第１封止樹脂側面は、配線層の裏面に接してもよい。第２柱状電極の側面は第２封止樹脂側面の面内にあり、配線層の端部は第２封止樹脂側面から突出してもよい。第１柱状電極の底面は封止樹脂底面の面内にあってもよい。
封止樹脂側面は、第２柱状電極の頂面から所定高さを超えた高さに第１封止樹脂側面よりも幅方向に外側にある第３封止樹脂側面をさらに含んでもよい。
封止樹脂側面は、第２柱状電極の頂面の高さを超えた高さに第１封止樹脂側面よりも幅方向に外側にある第３封止樹脂側面をさらに含んでもよい。
封止樹脂側面は、第２柱状電極の頂面の高さを超えた高さに第２封止樹脂側面より幅方向に内側にある第４封止樹脂側面と、第２柱状電極の頂面から所定高さを超えた高さ第２封止樹脂側面より幅方向に外側にある第３封止樹脂側面とをさらに含んでもよい。
第１柱状電極の高さは、第２柱状電極の高さよりも大きくてもよい。配線層の厚さは、第２柱状電極の高さよりも小さくてもよい。第１柱状電極及び第２柱状電極は銅を含み、配線層は銅に加えてチタン又は窒化タンタルをさらに含んでもよい。封止樹脂から露出した配線層、第１柱状電極及び第２柱状電極を覆う外部電極をさらに含んでもよい。外部電極は、Ｎｉ層、Ｐｄ層及びＡｕ層を積層してもよい。
この出願に係る半導体装置の製造方法は、第１柱状電極を形成する工程と、第１柱状電極を覆って封止する第１樹脂層を形成する工程と、第１樹脂層を研削して第１柱状電極の端部を露出させる工程と、第１柱状電極に接続する配線層を形成する工程と、配線層に接続する第２柱状電極を形成する工程と、配線層に半導体素子を搭載する工程と、配線層、第２柱状電極及び半導体素子を覆って封止する第２樹脂層を形成する工程と、第１柱状電極が露出するように第１樹脂層を研削して封止樹脂底面を形成する工程と、第１樹脂層から第２樹脂層に向かう方向にレーザ光を照射して隣接する半導体素子の間を所定の幅で樹脂を除去して封止樹脂側面を形成して切り離し、封止樹脂側面は、封止樹脂底面に交わり、第１柱状電極の側面が所定深さにある第１封止樹脂側面と、第１封止樹脂側面より配線層が延びる方向に外側にあり、配線層の端部及び第２柱状電極の側面が露出し、配線層の端部及び第２柱状電極の側面の少なくも一方が突出する第２封止樹脂側面とを含む工程とを含むものである。
レーザ光を照射して隣接する半導体素子の間の樹脂を除去して切り離す工程は、第１封止樹脂側面を形成するように第１の幅で第１樹脂を除去する工程を含んでもよい。
レーザ光を照射して隣接する半導体素子の間の樹脂を除去して切り離す工程は、第２封止樹脂側面を形成するように第１の幅よりも狭い第２の幅で第２樹脂を除去する工程を含んでもよい。
第２樹脂を除去する工程は、第１樹脂層から第２樹脂層に向かう方向に、第２柱状電極の頂面から所定高さを超えた高さに第２封止樹脂側面よりも配線層が延びる方向に外側にある第３封止樹脂側面を形成するように第２の幅よりも狭い第３の幅で第２樹脂を除去する工程をさらに含んでもよい。
第２樹脂を除去する工程は、第１樹脂層から第２樹脂層に向かう方向に、第２柱状電極の頂面を超えた高さに第２封止樹脂側面よりも配線層が延びる方向に外側にある第３封止樹脂側面を形成するように第２の幅よりも狭い第３の幅で第２樹脂を除去する工程をさらに含んでもよい。
第２樹脂を除去する工程は、第１樹脂層から第２樹脂層に向かう方向に、第２柱状電極の頂面の高さを超えた高さに第２封止樹脂側面より配線層が延びる方向に内側にある第４封止樹脂側面を形成するように第２の幅よりも広い第４の幅で第２樹脂を除去し、第２柱状電極の頂面から所定高さを超えた高さに第２封止樹脂側面より配線層が延びる方向に外側にある第３封止樹脂側面を形成するように第２の幅よりも狭い第３の幅で第２樹脂を除去する工程をさらに含んでもよい。
レーザ光を照射して隣接する半導体素子の間の樹脂を除去して切り離す工程は、配線層及び第２柱状電極の少なくとも１つに照射痕を形成してもよい。
この発明によると、ダイシングにより金属層の剥離が生じることがなく、実装時の信頼性が向上し、基板の上部からはんだ接合の状態を視覚的に確認できるようにすることができる。
第１実施形態の半導体装置の平面図である。 第１実施形態の半導体装置の底面図である。 第１実施形態の半導体装置の側面図である。 第１実施形態の半導体装置の断面図である。 図４に示す断面図の一部を拡大した拡大断面図である。 第１実施形態の半導体装置の製造方法の工程を説明する図である。 図６に続く第１実施形態の半導体装置の製造方法の工程を説明する図である。 図７に続く第１実施形態の半導体装置の製造方法の工程を説明する図である。 第１実施形態の半導体装置のダイシングの工程を説明する断面図である。 第２実施形態の半導体装置の側面図である。 第２実施形態の半導体装置の断面図である。 第２実施形態の半導体装置のダイシングの工程を説明する断面図である。 第３実施形態の半導体装置の側面図である。 第３実施形態の半導体装置の断面図である。 第３実施形態の半導体装置のダイシングの工程を説明する断面図である。 第４実施形態の半導体装置の側面図である。 第４実施形態の半導体装置の断面図である。 第４実施形態の半導体装置のダイシングの工程を説明する断面図である。
次に、図面を参照して、本実施形態について説明する。本実施の形態では、外部電極がパッケージの側面の２方向に形成されたＳＯＮパッケージを例示するが、外部電極がパッケージの側面の４方向に形成されたＱＦＮパッケージにも同様に適用することができる。
〔第１実施形態〕
図１は第１実施形態の半導体装置１の平面図、図２は半導体装置１の底面図、図３は半導体装置１の側面図、図４は図３の切断線ＩＶ−ＩＶによる半導体装置１の断面図、図５は図４の断面図の一部を拡大した拡大断面図である。図１の平面図では、半導体装置１の内部の構造が明らかになるように、封止樹脂を省略した。
第１実施形態の半導体装置１は、配線層１０と、配線層１０の主面１０ａに搭載された半導体素子２１と、配線層１０に搭載された半導体素子２１を覆って封止する封止樹脂２０とを有している。配線層１０は、所定の厚さを有して略平面状に延びた金属層によって構成され、半導体素子２１の素子底面２１ｂに形成された電極パッドと封止樹脂２０の表面に形成された第１外部電極１５及び第２外部電極１６とを接続する配線を形成している。半導体素子２１は、略直方体状の形状を有し、素子底面２１ｂに形成された複数の電極パッドが導電性接続層２５を介して配線層１０の主面１０ａに接続されている。封止樹脂２０は、配線層１０に搭載された半導体素子２１を素子上面２１ａから覆って配線層１０に沿って延びるやや平坦な直方体状のパッケージを形成し、底面２０ｄに第１外部電極１５が形成され、側面に第２外部電極１６が形成されている。
配線層１０は、銅を主成分としてチタン又は窒化タンタルを含む金属層から構成され、厚さが１０〜３０μｍの範囲にあってもよい。半導体素子２１は、例えば、ＬＳＩなどの集積回路やディスクリート素子が含まれてもよい。封止樹脂２０は、第１樹脂層２０ａに第２樹脂層２０ｂが積層されて形成され、第１樹脂層２０ａと第２樹脂層２０ｂとの間に樹脂界面２０ｅが存在している。封止樹脂２０は、電気絶縁性を有する樹脂、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂などから構成されてもよい。第１外部電極１５及び第２外部電極１６は、Ｎｉ層、Ｐｄ層及びＡｕ層を積層して形成され、厚さが１〜５μｍの範囲にあってもよい。例えば、Ｎｉ層の厚さが３μｍ、Ｐｄ層の厚さが０．１μｍ、Ａｕ層の厚さが０．０３μｍであってもよい。
図５に示すように、半導体素子２１は、素子底面２１ｂに形成された電極パッド２２が導電性接続層２５を介して配線層１０の主面１０ａに接続されている。電極パッド２２は、素子底面２１ｂを覆う絶縁膜２３の開口部に形成されている。電極パッド２２は、アルミニウムから構成された第１層２２ａと、Ｔｉ（チタン）層及びＣｕ（銅）層が交互に堆積された第２層２２ｂとが積層されて構成されてもよい。導電性接続層２５は、電極パッド２２から配線層１０の主面１０ａに向かって、Ｎｉ層２５ａ、はんだ層２５ｂ及びＮｉ層２５ｃから構成されている。配線層１０は第１樹脂層２０ａの上面に、シード層２６を介して形成されている。シード層２６は、例えば厚さが２８０ｎｍのＴｉ層に厚さが６００ｎｍのＣｕ層を積層してもよく、シード層２６と配線層１０とを併せた厚さは１０〜３０μｍの範囲にあってもよい。
図３及び図４に見られるように、半導体装置１において、封止樹脂２０には、配線層１０が延びる方向に向かい、外周を囲む側面が形成されている。封止樹脂２０の側面は、封止樹脂２０の底面２０ｄと交わる下方の第１側面２０ｊと、配線層１０が延びる方向に第１側面２０ｊよりも外側にある第２側面２０ｆと、封止樹脂２０の上面２０ｃと交わる上方の第３側面２０ｇとを含んでいる。封止樹脂２０の底面２０ｄには第１外部電極１５が形成され、第１外部電極１５は第１柱状電極１１の底面１１ｃを覆っている。また、封止樹脂２０の第２側面２０ｆから第１側面２０ｊとの段差面にかけて第２外部電極１６が形成されている。第２外部電極１６は、配線層１０の端部１０ｃ及び裏面１０ｂと、第２柱状電極１２の側面１２ｂとを覆っている。第２外部電極１６に接する配線層１０の端部１０ｃの幅は、１００〜４５０μｍの範囲にあってもよい。
配線層１０の端部１０ｃに隣接する配線層１０の裏面１０ｂには、第１柱状電極１１が形成されている。第１柱状電極１１は、配線層１０の端部１０ｃに接続する配線の幅を長辺とする略矩形の頂面１１ａで配線層１０の裏面１０ｂに接続し、この頂面１１ａから延びる略直方体の形状を有してもよい。第１柱状電極１１は、２０〜５０μｍの範囲にある高さを有し、銅を主成分として構成されてもよい。
配線層１０の端部１０ｃに隣接する配線層１０の主面１０ａには、第２柱状電極１２が形成されている。第２柱状電極１２は、配線層１０の端部１０ｃに接続する配線の幅を一辺とする略正方形の底面１２ａで配線層１０の主面１０ａに接続し、この底面１２ａから延びる略直方体の形状を有してもよい。配線層１０の端部１０ｃに対向する第２柱状電極１２の側面１２ｂは、同じく配線層１０の端部１０ｃに対向する第１柱状電極１１の側面１１ｂから配線層１０の延びる方向に長さＤ１にわたって突出している。長さＤ１は、３０〜１５０μｍの範囲にあってもよい。第２柱状電極１２は、４０〜１００μｍの高さを有し、銅を主成分として構成されてもよい。
封止樹脂２０の第１側面２０ｊは、封止樹脂２０の第１樹脂層２０ａに形成され、封止樹脂２０の底面２０ｄと交わり、配線層１０の裏面１０ｂに接している。封止樹脂２０の第２側面２０ｆは、封止樹脂２０の第２樹脂層２０ｂに形成され、前記段差面を介して封止樹脂２０の第１側面２０ｊに隣接し、配線層１０の延びる方向に第１側面２０ｊから長さＤ２にわたって外側にある。長さＤ２は１０〜１３０μｍの範囲にあってもよい。封止樹脂の第２側面２０ｆは、第２柱状電極１２が配線層１０から延びる方向に、第２柱状電極１２の頂面１２ｃの高さから高さＨ１まで形成されている。封止樹脂２０の第３側面２０ｇは、前記方向に第２柱状電極１２の頂面１２ｃの高さから高さＨ１を超えて封止樹脂２０の上面２０ｃまで形成されている。高さＨ１は、２０〜２００μｍの範囲にあってもよい。封止樹脂２０の第３側面２０ｇは、配線層１０の延びる方向に第２側面２０ｆから長さＷ１にわたって突出している。長さＷ１は、１０〜５０μｍの範囲にあってもよい。
第１柱状電極１１の側面１１ｂは封止樹脂２０の第１側面２０ｊから長さＤ３の深さに位置している。換言すると、第１柱状電極１１の側面１１ｂは、第１側面２０ｊを形成する長さＤ３の厚さを有する封止樹脂２０によって覆われている。長さＤ３は、２０〜１４０μｍの範囲にあってもよい。第１柱状電極１１の側面１１ｂを覆う封止樹脂２０は、封止樹脂２０の底面２０ｄ及び第１側面２０ｊ、配線層１０の裏面１０ｂによって画定される略矩形の断面を有し、配線層１０が延びる方向と直交する方向に延びる梁状部２０ｍを形成している。第１柱状電極１１の底面１１ｃは、封止樹脂２０の底面２０ｄ内にあって底面２０ｄから露出している。第２柱状電極１２の側面１２ｂは、封止樹脂２０の第２側面２０ｆ内にあって第２側面２０ｆから露出している。
配線層１０は、第２柱状電極１２の底面１２ａに沿って延び、封止樹脂２０の第２側面２０ｆ内にある第２柱状電極１２の側面１２ｂから端部１０ｃが突出している。また、配線層１０の裏面１０ｂは、端部１０ｃから封止樹脂２０の第１側面２０ｊに接するまでの部分が封止樹脂２０から露出している。配線層１０の端部１０ｃが封止樹脂２０の第２側面２０ｆから突出する長さ、すなわち、封止樹脂２０の第２側面２０ｆ内にある第２柱状電極１２の側面１２ｂから配線層１０の端部１０ｃが突出する長さは、０〜２０μｍの範囲にあってもよい。
封止樹脂２０の底面２０ｄから露出した第１柱状電極１１の底面１１ｃを覆うように、第１外部電極１５が形成されている。また、封止樹脂２０の第２側面２０ｆから露出した第２柱状電極１２の側面１２ｂ、封止樹脂２０の第２側面２０ｆから突出した配線層１０の端部１０ｃ、及び端部１０ｃにつながる配線層１０の裏面１０ｂの露出した部分を覆うように、第２外部電極１６が形成されている。第１外部電極１５は、封止樹脂２０の底面２０ｄから突出している。また、第２外部電極１６は、封止樹脂２０の第２側面２０ｆから突出し、配線層１０の端部１０ｃを覆う部分では大きく突出している。
第１実施形態の半導体装置１において、第１柱状電極１１の側面１１ｂは封止樹脂２０の第１側面２０ｊから所定深さにあり、封止樹脂２０によって覆われている。前述のように、第１柱状電極１１の側面１１ｂを覆う封止樹脂２０は、封止樹脂２０の底面２０ｄ及び第１側面２０ｊ、配線層１０の裏面１０ｂによって画定され、配線層１０の延びる方向と直交する方向に延びる梁状部２０ｍを形成している。封止樹脂２０の梁状部２０ｍは、第１柱状電極１１を側面１１ｂから支持するとともに、配線層１０の裏面１０ｂにも接して配線層１０を裏面から支持し、さらに配線層１０を介して第２柱状電極１２も支持している。したがって、配線層１０、第１柱状電極１１及び第２柱状電極１２を含む金属層に大きな負荷がかかることはなく、この金属層の安定した構造を実現している。
第１実施形態の半導体装置１は、封止樹脂２０の底面２０ｄ及び第２側面２０ｆから第１外部電極１５及び第２外部電極１６が突出し、第２外部電極１６は配線層１０の端部１０ｃを覆う部分でさらに突出している。したがって、はんだによる実装時の信頼性が向上し、実装した基板の上部からはんだ接合の状態を視覚的に確認することが可能になる。
第１実施形態の半導体装置１は、封止樹脂２０の第２側面２０ｆに突出した第２外部電極１６の上方に封止樹脂２０の上面２０ｃが延長されて、第２側面２０ｆから長さＷ１にわたって突出した第３側面２０ｇが形成されている。したがって、半導体装置１が基板に実装された状態で、第３側面２０ｇの直下にはんだが盛り上がったフィレットを形成することが可能になる。
第１実施形態の半導体装置１を製造する一連の工程について、図６〜９を用いて説明する。この製造方法の一連の工程は、第１実施形態の半導体装置１を例にとって説明するが、他の実施形態の半導体装置についても同様に適用することができる。
最初の図６（ａ）の工程では、支持基材３０の上面に金属柱３１が形成される。支持基材３０には、ガラス基板やシリコン基板等を用いてもよい。ここでは、支持基材３０として、シリコン基板を用いるものとする。シリコン基板の上面には、スパッタリング法により銅を主成分とする金属膜が形成され、フォトリソグラフィにより金属柱３１が形成される。金属柱３１は、後続する工程によって半導体装置１の第１柱状電極１１に加工されるものであり、第１柱状電極１１と称してもよい。
図６（ｂ）の工程では、支持基材３０の上面に形成された金属柱３１を覆うように第１樹脂層２０ａが形成される。第１樹脂層２０ａは、半導体装置１の封止樹脂２０を構成するものである。第１樹脂層２０ａは、電気絶縁性を有する樹脂、例えば、電気絶縁性を有する樹脂、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂から構成されてもよい。
図６（ｃ）の工程では、第１樹脂層２０ａが上面から研削され、金属柱３１の頂面が露出される。研削された第１樹脂層２０ａの上面は、後に形成する第２樹脂層２０ｂとの樹脂界面２０ｅとなる。研削には、砥石を用いてもよい。
図６（ｄ）の工程では、支持基材３０及び第１樹脂層２０ａの外周が、テラス状の形状にサークルカットされる。このようにテラス状にサークルカットすることにより、後に第２樹脂層２０ｂによって第１樹脂層２０ａを覆うことが可能になる。
図７（ａ）の工程では、第１樹脂層２０ａの上面に配線層１０が形成される。配線層１０は、第１樹脂層２０ａの上面に露出する金属柱３１の頂面に接続するように形成される。この工程では、第１樹脂層２０ａの上面にスパッタリング法により銅を主成分としてチタン又は窒化タンタルを含んでもよい金属膜が形成され、フォトリソグラフィにより配線層１０が形成される。
図７（ｂ）の工程では、配線層１０の主面に第２柱状電極１２が形成される。この工程では、配線層１０の主面に法にメッキ法より銅を主成分とする金属膜が形成され、フォトリソグラフィによって第２柱状電極１２が形成される。
本実施の形態では、金属柱３１から形成される第１柱状電極１１及び第２柱状電極１２を分けて形成することで、高さが１００μｍ以上の金属層を形成することができ、この金属層を形成する際に支持基材３０が反ることを抑制することができる。これにより、第１柱状電極１１及び第２柱状電極１２と封止樹脂２０との密着不良を抑制することができる。
第７（ｃ）の工程では、配線層１０に半導体素子２１が搭載される。まず、配線層１０の主面１０ａに導電性接続層２５が形成される。導電性接続層２５は、配線層１０の主面にＮｉ層、はんだ層及びＮｉ層の順に積層されてもよい。導電性接続層２５は、メッキ法及びフォトリソグラフィにより形成される。
半導体素子２１は、電極パッド２２にフラックスが塗布され、フリップチップボンダーを用いて、素子底面２１ｂが配線層１０に対向する状態で導電性接続層２５に仮付けされる。その後、半導体素子２１は、リフローにより導電性接続層２５が溶融され、導電性接続層２５が冷却されて固化することによって、導電性接続層２５に接続される。
図７（ｄ）の工程では、第１樹脂層２０ａ、配線層１０、第２柱状電極１２及び半導体素子２１を覆うように、第２樹脂層２０ｂが形成される。第２樹脂層２０ｂは、第１樹脂層２０ａとともに封止樹脂２０を構成する。第１樹脂層２０ａと第２樹脂層２０ｂとの間には、樹脂界面２０ｅが形成される。第２樹脂層２０ｂは、第１樹脂層２０ａと同様に、電気絶縁性を有する樹脂、例えば、電気絶縁性を有する樹脂、例えばエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂から構成されてもよい。
図８（ａ）の工程では、支持基材３０、第１樹脂層２０ａ及び第２樹脂層２０ｂを外周から所定距離まで研削するサークルカットが施される。このサークルカットによって、第２樹脂層２０ｂによって覆われていた第１樹脂層２０ａは外周に露出するようになる。
図８（ｂ）の工程では、支持基材３０が上方になるように裏返しにされ、下方にある第２樹脂層２０ｂに向けて支持基材３０が研削されて除去され、さらに第１樹脂層２０ａも所定深さまで研削される。この研削によって、金属柱３１が第１柱状電極１１に形成され、第１柱状電極１１の底面１１ｃが第１樹脂層２０ａから露出するようになる。支持基材３０を除去した後に、第２樹脂層２０ｂの上面に図示しないダイシングテープを張り付ける。ダイシングの工程では支持基材３０は裏返しにされ、第２樹脂層ｂの上面が図中の下方向になっている。
図８（ｃ）の工程では、レーザ光を照射して隣接する半導体素子の間の封止樹脂２０を所定幅で除去して個片化するダイシングを行う。このダイシングの工程で、封止樹脂２０の第１側面２０ｊ、第２側面２０ｆ及び第３側面２０ｇが形成され、第２柱状電極１２の側面１２ｂが第２樹脂層２０ｂから露出し、配線層１０の端部１０ｃが第２樹脂層２０ｂから突出し、配線層１０の端部１０ｃ及び裏面１０ｂも露出するようになる。この工程によって、封止樹脂２０の梁状部２０ｍも形成される。なお、この際、ダイシングテープをレーザ光によって完全に切断しない。これにより、半導体装置１を含む樹脂がダイシングされても、半導体装置１はダイシングテープによって繋がっているため、バラバラにならない。
図８（ｄ）の工程では、前記露出した第１柱状電極１１の底面１１ｃに第１外部電極１５、第２柱状電極１２の側面１２ｂ、前記突出した配線層１０の端部１０ｃ、及び露出した配線層１０の裏面１０ｂに第２外部電極１６が形成される。第１外部電極１５及び第２外部電極１６は、めっき法によりＮｉ層、Ｐｄ層及びＡｕ層の順に積層されて形成される。ダイシングテープは、第１外部電極１５及び第２外部電極１６を形成する工程の後に除去してもよい。
図９は、第１実施形態の半導体装置１のレーザ光によるダイシングの工程を説明する断面図である。図９（ａ）はダイシング前の状態を示し、図８（ｂ）に相当している。図９（ｂ）はダイシング後の状態を示し、図８（ｃ）に相当している。図９において、第１樹脂層２０ａが構成する封止樹脂２０の上面２０ｃには、図示しないダイシングテープが張り付けられている。なお、ダイシングの工程で半導体装置１は裏返しにされ、上面２０ｃが図中の下方向になっている。
ダイシングは、レーザ光を照射することによって行う。照射するレーザ光の加工幅は、樹脂を除去する幅よりも小さいため、レーザ光を適切に走査して照射する。レーザ光源には、Ｎｄ：ＹＡＧレーザやその第２高調波（ＳＨＧ）レーザを用いてもよい。例えば、前記ＳＨＧレーザを用い、加工幅を５０μｍに設定してもよい。
図９（ａ）に示すように、対向する一組の第２柱状電極１２は、互いの側面１２ｂの間に幅Ｇ１２の間隙を形成している。幅Ｇ１２は、５０〜１５０μｍの範囲にあってもよい。対向する配線層１０の端部１０ｃの間の間隙は、配線層１０の端部１０ｃが第２柱状電極１２の側面１２ｂから突出しているため、幅Ｇ１２よりも狭くなっている。
まず、レーザ光を照射して、対向する第１柱状電極１１によって形成される間隙の中央を幅Ｇ１１で第１樹脂層２０ａを除去し、第１柱状電極１１の側面１１ｂが長さＤ３の厚さの封止樹脂２０で覆われるようにする。これによって、第１樹脂層ａが構成する封止樹脂２０の第１側面２０ｊ及び梁状部２０ｍが形成される。
次に、対向する配線層１０の端部１０ｃ及び第２柱状電極１２によって形成される間隙において、第２柱状電極１２の側面１２ｂの間の間隙に相当する幅Ｇ１２で第２樹脂層２０ｂを除去する。配線層１０の端部１０ｃが対向する間隙が狭くなっているが、レーザ光の回折光によって配線層１０の端部１０ｃの直下の第２樹脂層２０ｂも除去できることがある。レーザ光の照射によって、配線層１０の端部１０ｃ及び第２柱状電極１２の側面１２ｂに照射痕の凹凸が形成されることがある。
ダイシングの工程では、第１柱状電極１１の側面１１ｂの間の第１樹脂層２０ａを除去し、配線層１０の端部１０ｃの間と第２柱状電極１２の側面１２ｂの間との第２樹脂層２０ｂを除去した後、さらに第２柱状電極１２の頂面１２ｃから高さＨ１に達するまでこの幅Ｇ１２で第２樹脂層２０ｂを取り除く。これによって、第２樹脂層２０ｂが構成する封止樹脂２０の第２側面２０ｆが形成される。ここで、ダイシングの工程では半導体装置１は裏返しにされ、図中の下方向が第２柱状電極１２の頂面１２ｃや高さＨ１の方向になっている。
次に、幅Ｇ１２よりも狭い幅Ｇ１３で、ダイシングした幅Ｇ１２の部分の中央をダイシングし、封止樹脂２０の上面２０ｃまで第２樹脂層２０ｂを除去する。これによって、第２樹脂層２０ｂが構成する封止樹脂２０の第２側面２０ｆから配線層１０が延びる方向に長さＷ１にわたって突出した第２樹脂層２０ｂが構成する封止樹脂２０の第３側面２０ｇが形成される。
ダイシングにより形成された封止樹脂２０の第１側面２０ｊは、配線層１０の露出した裏面１０ｂに接している。封止樹脂２０の第１側面２０ｊから配線層１０の端部１０ｃまでは、配線層１０の露出した裏面１０ｂが延びている。第２柱状電極１２の側面１２ｂは封止樹脂２０の第２側面２０ｆ内にあり、配線層１０の端部１０ｃは封止樹脂２０の第２側面２０ｆから突出している。
このようなダイシング工程の後で、図８（ｄ）の工程でめっき法により第１外部電極１５及び第２外部電極１６が形成されて半導体装置１が最終的に完成する。半導体装置１において、第１外部電極１５は封止樹脂２０の底面２０ｄから突出し、第２外部電極１６は封止樹脂２０の第２側面２０ｆから突出している。第２外部電極１６は、配線層１０の端部１０ｃを覆う部分がさらに突出している。
第１実施形態の半導体装置１は、レーザを照射してダイシングするため、断面に負担がかかることがない。したがって、積層された第１柱状電極１１、配線層１０及び第２柱状電極１２の構造はダイシングの前後で維持され、これらの部材の間の接続も保証される。また、レーザの照射により第１柱状電極１１の側面１１ｂ、配線層１０の端部１０ｃ及び第２柱状電極１２の側面１２ｂに照射痕の凹凸が形成される場合には、はんだによる実装の信頼性がさらに向上する。
また、第１実施形態の半導体装置１においては、封止樹脂２０の梁状部２０ｍによって、側面１１ｂから第１柱状電極１１が支持されるとともに、裏面１０ｂから配線層１０及び第２柱状電極１２が支持されている。したがって、ダイシング工程において発生する応力は封止樹脂２０の梁状部２０ｍによって支持され、配線層１０、第１柱状電極１１及び第２柱状電極１２を含む金属層に大きな負荷がかかることはなく。このため、ダイシング工程においても剥離したりすることがない金属層の安定な構造が実現されている。
〔第２実施形態〕
図１０は第２実施形態の半導体装置２の側面図、図１１は図１０の切断線ＸＩ−ＸＩによる半導体装置２の断面図である。第２実施形態の半導体装置２は、第１柱状電極１１、配線層１０の端部１０ｃ及び第２柱状電極１２を含む封止樹脂２０の側部の構造を除いて第１実施形態の半導体装置１と同様の構造を有するので、第１実施形態の半導体装置１と共通する構成要素については同一の符号を付すことにする。
半導体装置２において、封止樹脂２０には、配線層１０が延びる方向に向かい、外周を囲む側面が形成されている。封止樹脂２０の側面は、封止樹脂２０の底面２０ｄと交わる第１側面２０ｊと、配線層１０が延びる方向に第１側面２０ｊよりも外側にあり上面２０ｃと交わる第２側面２０ｆとを含んでいる。封止樹脂２０の底面２０ｄには第１外部電極１５が形成され、第１外部電極１５は第１柱状電極１１の底面１１ｃを覆っている。また、封止樹脂２０の第２側面２０ｆから第１側面２０ｊとの段差面にかけて第２外部電極１６が形成されている。第２外部電極１６は、配線層１０の端部１０ｃ及び裏面１０ｂと、第２柱状電極１２の側面１２ｂとを覆っている。
配線層１０の端部１０ｃに隣接する配線層１０の裏面１０ｂには、第１柱状電極１１が形成されている。第１柱状電極１１は、配線層１０の端部１０ｃに接続する配線の幅を一長辺とする略矩形の頂面１１ａで配線層１０の裏面１０ｂに接続し、この頂面１１ａから延びる略直方体の形状を有してもよい。
配線層１０の端部１０ｃに隣接する配線層１０の主面１０ａには、第２柱状電極１２が形成されている。第２柱状電極１２は、配線層１０の端部１０ｃに接続する配線の幅を一辺とする略正方形の底面１２ａで配線層１０の主面１０ａに接続し、この底面１２ａから延びる略直方体の形状を有してもよい。配線層１０の端部１０ｃに対向する第２柱状電極１２の側面１２ｂは、同じく配線層１０の端部１０ｃに対向する第１柱状電極１１の側面１１ｂから配線層１０の延びる方向に長さＤ１にわたって突出している。
封止樹脂２０の第１側面２０ｊは、封止樹脂２０の第１樹脂層２０ａに形成され、封止樹脂２０の底面２０ｄと交わり、配線層１０の裏面１０ｂに接している。封止樹脂２０の第２側面２０ｆは、封止樹脂２０の第２樹脂層２０ｂに形成され、段差面を介して封止樹脂２０の第１側面２０ｊに隣接し、配線層１０の延びる方向に第１側面２０ｊから長さＤ２にわたって外側にある。封止樹脂の第２側面２０ｆは、封止樹脂２０の上面２０ｃまで形成されている。
第１柱状電極１１の側面１１ｂは封止樹脂２０の第１側面２０ｊから長さＤ３の深さに位置している。換言すると、第１柱状電極１１の側面１１ｂは、第１側面２０ｊを形成する長さＤ３の厚さを有する封止樹脂２０によって覆われている。第１柱状電極１１の側面１１ｂを覆う封止樹脂２０は、封止樹脂２０の底面２０ｄ及び第１側面２０ｊ、配線層１０の裏面１０ｂによって画定される略矩形の断面を有し、配線層１０が延びる方向と直交する方向に延びる梁状部２０ｍを形成している。第１柱状電極１１の底面１１ｃは、封止樹脂２０の底面２０ｄ内にあって底面２０ｄから露出している。第２柱状電極１２の側面１２ｂは、封止樹脂２０の第２側面２０ｆ内にあって第２側面２０ｆから露出している。
配線層１０は、第２柱状電極１２の底面１２ａに沿って延び、封止樹脂２０の第２樹脂層２０ｂ内にある第２柱状電極１２の側面１２ｂから端部１０ｃが突出している。また、配線層１０の裏面１０ｂは、端部１０ｃから封止樹脂２０の第１側面２０ｊに接するまでの部分が封止樹脂２０から露出している。
封止樹脂２０の底面２０ｄから露出した第１柱状電極１１の底面１１ｃを覆うように、第１外部電極１５が形成されている。また、封止樹脂２０の第２側面２０ｆから露出した第２柱状電極１２の側面１２ｂ、封止樹脂２０の第２側面２０ｆから突出した配線層１０の端部１０ｃ、及び端部１０ｃにつながる配線層１０の裏面１０ｂの露出した部分を覆うように、第２外部電極１６が形成されている。第１外部電極１５は、封止樹脂２０の底面２０ｄから突出している。また、第２外部電極１６は、封止樹脂２０の第２側面２０ｆから突出し、配線層１０の端部１０ｃを覆う部分では大きく突出している。
第２実施形態の半導体装置２において、封止樹脂２０の梁状部２０ｍは、第１柱状電極１１を側面１１ｂから支持するとともに、配線層１０の裏面１０ｂにも接して配線層１０を裏面から支持し、さらに配線層１０を介して第２柱状電極１２も支持している。したがって、配線層１０、第１柱状電極１１及び第２柱状電極１２を含む金属層に大きな負荷がかかることはなく、この金属層の安定した構造を実現している。
第２実施形態の半導体装置２は、封止樹脂２０の底面２０ｄ及び第２側面２０ｆから第１外部電極１５及び第２外部電極１６が突出し、第２外部電極１６は配線層１０の端部１０ｃを覆う部分でさらに突出している。したがって、はんだによる実装時の信頼性が向上し、実装した基板の上部からはんだ接合の状態を視覚的に確認することが可能になる。
図１２は、第２実施形態の半導体装置２のレーザ光によるダイシングの工程を説明する断面図である。図７〜８には第１実施形態の半導体装置１を製造する一連の工程を示したが、第２実施形態の半導体装置２もこのような一連の工程によって製造される。図１２は、図８（ｃ）に示したダイシング後の状態に相当している。図１２において、第１樹脂層２０ａが構成する封止樹脂２０の上面２０ｃには、図示しないダイシングテープが張り付けられている。なお、ダイシングの工程で半導体装置２は裏返しにされ、上面２０ｃが図中の下方向になっている。
ダイシングは、レーザ光を照射することによって行う。照射するレーザ光の加工幅は、樹脂を除去する幅よりも小さいため、レーザ光を適切に走査して照射する。レーザ光源には、Ｎｄ：ＹＡＧレーザやその第２高調波（ＳＨＧ）レーザを用いてもよい。
対向する一組の第２柱状電極１２は、互いの側面１２ｂの間に幅Ｇ２２の間隙を形成している。幅Ｇ２２は、５０〜１５０μｍの範囲にあってもよい。対向する配線層１０の端部１０ｃの間の間隙は、配線層１０の端部１０ｃが第２柱状電極１２の側面１２ｂから突出しているため、幅Ｇ２２よりも狭くなっている。
まず、レーザ光を照射して、対向する第１柱状電極１１によって形成される間隙の中央を幅Ｇ２１で第１樹脂層２０ａを除去し、第１柱状電極１１の側面１１ｂが長さＤ３の厚さの封止樹脂２０で覆われるようにする。これによって、第１樹脂層２０ａが構成する封止樹脂２０の第１側面２０ｊ及び梁状部２０ｍが形成される。
次に、対向する配線層１０の端部１０ｃ及び第２柱状電極１２によって形成される間隙において、第２柱状電極１２の側面１２ｂの間の間隙に相当する幅Ｇ２２で第２樹脂層２０ｂを除去する。配線層１０の端部１０ｃが対向する間隙が狭くなっているが、レーザ光の回折光によって配線層１０の端部１０ｃの直下の第２樹脂層２０ｂも除去できることがある。レーザ光の照射によって、配線層１０の端部１０ｃ及び第２柱状電極１２の側面１２ｂに照射痕の凹凸が形成されることがある。
ダイシングの工程では、第１柱状電極１１の側面１１ｂの間の第１樹脂層２０ａを除去し、配線層１０の端部１０ｃの間と第２柱状電極１２の側面１２ｂの間との第２樹脂層２０ｂを除去した後、さらに封止樹脂の上面２０ｃに達するまでこの幅Ｇ２２で第２樹脂層２０ｂを取り除く。これによって、第２樹脂層２０ｂが構成する封止樹脂２０の第２側面２０ｆが形成される。ここで、ダイシングの工程では半導体装置２は裏返しにされ、図中の下方向が半導体装置２の素子上面２１ａの方向になっている。
ダイシングにより形成された封止樹脂２０の第１側面２０ｊは、配線層１０の露出した裏面１０ｂに接している。封止樹脂２０の第１側面２０ｊから配線層１０の端部１０ｃまでは、配線層１０の露出した裏面１０ｂが延びている。第２柱状電極１２の側面１２ｂは封止樹脂２０の第２側面２０ｆ内にあり、配線層１０の端部１０ｃは封止樹脂２０の第２側面２０ｆから突出している。
このようなダイシング工程の後で、図８（ｄ）の工程でめっき法により第１外部電極１５及び第２外部電極１６が形成されて半導体装置１が最終的に完成する。半導体装置１において、第１外部電極１５は封止樹脂２０の底面２０ｄから突出し、第２外部電極１６は封止樹脂２０の第２側面２０ｆから突出している。第２外部電極１６は、配線層１０の端部１０ｃを覆う部分がさらに突出している。
第２実施形態の半導体装置２は、レーザを照射してダイシングするため、断面に負担がかかることがない。したがって、積層された第１柱状電極１１、配線層１０及び第２柱状電極１２の構造はダイシングの前後で維持され、これらの部材の間の接続も保証される。また、レーザの照射により第１柱状電極１１の側面１１ｂ、配線層１０の端部１０ｃ及び第２柱状電極１２の側面１２ｂに照射痕の凹凸が形成される場合には、はんだによる実装の信頼性がさらに向上する。さらに、第２実施形態の半導体装置２は、ダイシングの工程で一定の幅Ｇ２２で封止樹脂２０の第２樹脂層２０ｂを除去すれば足りるので、ダイシングの工程が容易である。
また、第２実施形態の半導体装置２においては、封止樹脂２０の梁状部２０ｍによって、側面１１ｂから第１柱状電極１１が支持されるとともに、裏面１０ｂから配線層１０及び第２柱状電極１２が支持されている。したがって、ダイシング工程において発生する応力は封止樹脂２０の梁状部２０ｍによって支持され、配線層１０、第１柱状電極１１及び第２柱状電極１２を含む金属層に大きな負荷がかかることはなく。このため、ダイシング工程においても剥離したりすることがない金属層の安定な構造が実現されている。
〔第３実施形態〕
図１３は第３実施形態の半導体装置３の側面図、図１４は図１３の切断線ＸＩＶ−ＸＩＶによる半導体装置３の断面図である。第３実施形態の半導体装置３は、第１柱状電極１１、配線層１０の端部１０ｃ及び第２柱状電極１２を含む封止樹脂２０の側部の構造を除いて第１実施形態の半導体装置１と同様の構造を有するので、第１実施形態の半導体装置１と共通する構成要素については同一の符号を付すことにする。
半導体装置３において、封止樹脂２０には、配線層１０が延びる方向に向かい、外周を囲む側面が形成されている。封止樹脂２０の側面は、封止樹脂２０の底面２０ｄと交わる下方の第１側面２０ｊと、配線層１０が延びる方向に第１側面２０ｊよりも外側にある第２側面２０ｆと、封止樹脂２０の上面２０ｃと交わる上方の第３側面２０ｇとを含んでいる。封止樹脂２０の底面２０ｄには第１外部電極１５が形成され、第１外部電極１５は第１柱状電極１１の底面１１ｃを覆っている。また、封止樹脂２０の第２側面２０ｆから第１側面２０ｊとの段差面にかけて第２外部電極１６が形成されている。第２外部電極１６は、配線層１０の端部１０ｃ及び裏面１０ｂと、第２柱状電極１２の側面１２ｂとを覆っている。
配線層１０の端部１０ｃに隣接する配線層１０の裏面１０ｂには、第１柱状電極１１が形成されている。第１柱状電極１１は、配線層１０の端部１０ｃに接続する配線の幅を長辺とする略矩形の頂面１１ａで配線層１０の裏面１０ｂに接続し、この頂面１１ａから延びる略直方体の形状を有してもよい。
配線層１０の端部１０ｃに隣接する配線層１０の主面１０ａには、第２柱状電極１２が形成されている。第２柱状電極１２は、配線層１０の端部１０ｃに接続する配線の幅を一辺とする略正方形の底面１２ａで配線層１０の主面１０ａに接続し、この底面１２ａから延びる略直方体の形状を有してもよい。配線層１０の端部１０ｃに対向する第２柱状電極１２の側面１２ｂは、同じく配線層１０の端部１０ｃに対向する第１柱状電極１１の側面１１ｂから配線層１０の延びる方向に長さＤ１にわたって突出している。
封止樹脂２０の第１側面２０ｊは、封止樹脂２０の第１樹脂層２０ａに形成され、封止樹脂２０の底面２０ｄと交わり、配線層１０の裏面１０ｂに接している。封止樹脂２０の第２側面２０ｆは、封止樹脂２０の第２樹脂層２０ｂに形成され、段差面を介して封止樹脂２０の第１側面２０ｊに隣接し、配線層１０の延びる方向に第１側面２０ｊから長さＤ２にわたって外側にある。封止樹脂の第２側面２０ｆは、第２柱状電極１２が配線層１０から延びる方向に、第２柱状電極１２の頂面１２ｃの高さまで形成されている。封止樹脂２０の第３側面２０ｇは、前記方向に第２柱状電極１２の頂面１２ｃの高さを超えて封止樹脂２０の上面２０ｃまで形成されている。封止樹脂２０の第３側面２０ｇは、配線層１０の延びる方向に第２側面２０ｆから長さＷ３にわたって突出している。長さＷ３は、１０〜５０μｍの範囲にあってもよい。
第１柱状電極１１の側面１１ｂは封止樹脂２０の第１側面２０ｊから長さＤ３の深さに位置している。換言すると、第１柱状電極１１の側面１１ｂは、第１側面２０ｊを形成する長さＤ３の厚さを有する封止樹脂２０によって覆われている。第１柱状電極１１の側面１１ｂを覆う封止樹脂２０は、封止樹脂２０の底面２０ｄ及び第１側面２０ｊ、配線層１０の裏面１０ｂによって画定される略矩形の断面を有し、配線層１０が延びる方向と直交する方向に延びる梁状部２０ｍを形成している。第１柱状電極１１の底面１１ｃは、封止樹脂２０の底面２０ｄ内にあって底面２０ｄから露出している。第２柱状電極１２の側面１２ｂは、封止樹脂２０の第２側面２０ｆ内にあって第２側面２０ｆから露出している。
配線層１０は、第２柱状電極１２の底面１２ａに沿って延び、封止樹脂２０の第２側面２０ｆ内にある第２柱状電極１２の側面１２ｂから端部１０ｃが突出している。また、配線層１０の裏面１０ｂは、端部１０ｃから封止樹脂２０の第１側面２０ｊに接するまでの部分が封止樹脂２０から露出している。
封止樹脂２０の底面２０ｄから露出した第１柱状電極１１の底面１１ｃを覆うように、第１外部電極１５が形成されている。また、封止樹脂２０の第２側面２０ｆから露出した第２柱状電極１２の側面１２ｂ、封止樹脂２０の第２側面２０ｆから突出した配線層１０の端部１０ｃ、及び端部１０ｃにつながる配線層１０の裏面１０ｂの露出した部分を覆うように、第２外部電極１６が形成されている。第１外部電極１５は、封止樹脂２０の底面２０ｄから突出している。また、第２外部電極１６は、封止樹脂２０の第２側面２０ｆから突出し、配線層１０の端部１０ｃを覆う部分では大きく突出している。
第３実施形態の半導体装置３において、封止樹脂２０の梁状部２０ｍは、第１柱状電極１１を側面１１ｂから支持するとともに、配線層１０の裏面１０ｂにも接して配線層１０を裏面から支持し、さらに配線層１０を介して第２柱状電極１２も支持している。したがって、配線層１０、第１柱状電極１１及び第２柱状電極１２を含む金属層に大きな負荷がかかることはなく、この金属層の安定した構造を実現している。
第３実施形態の半導体装置３は、封止樹脂２０の底面２０ｄ及び第２側面２０ｆから第１外部電極１５及び第２外部電極１６が突出し、第２外部電極１６は配線層１０の端部１０ｃを覆う部分でさらに突出している。したがって、はんだによる実装時の信頼性が向上し、実装した基板の上部からはんだ接合の状態を視覚的に確認することが可能になる。
第３実施形態の半導体装置３は、封止樹脂２０の第２側面２０ｆに突出した第２外部電極１６の上方に封止樹脂２０の上面２０ｃが延長されて、第２側面２０ｆから長さＷ３にわたって突出した第３側面２０ｇが形成されている。したがって、半導体装置３が基板に実装された状態で、第３側面２０ｇの直下にはんだが盛り上がったフィレットを形成することが可能になる。
図１５は、第３実施形態の半導体装置３のレーザ光によるダイシングの工程を説明する断面図である。図７〜８には第１実施形態の半導体装置１を製造する一連の工程を示したが、第３実施形態の半導体装置３もこのような一連の工程によって製造される。図１５は、図８（ｃ）に示したダイシング後の状態に相当している。図１５において、第１樹脂層２０ａが構成する封止樹脂２０の上面２０ｃには、図示しないダイシングテープが張り付けられている。なお、ダイシングの工程で半導体装置３は裏返しにされ、上面２０ｃが図中の下方向になっている。
ダイシングは、レーザ光を照射することによって行う。照射するレーザ光の加工幅は、樹脂を除去する幅よりも小さいため、レーザ光を適切に走査して照射する。レーザ光源には、Ｎｄ：ＹＡＧレーザやその第２高調波（ＳＨＧ）レーザを用いてもよい。
対向する一組の第２柱状電極１２は、互いの側面１２ｂの間に幅Ｇ３２の間隙を形成している。幅Ｇ３２は、５０〜１５０μｍの範囲にあってもよい。対向する配線層１０の端部１０ｃの間の間隙は、配線層１０の端部１０ｃが第２柱状電極１２の側面１２ｂから突出しているため、幅Ｇ３２よりも狭くなっている。
まず、レーザ光を照射して、対向する第１柱状電極１１によって形成される間隙の中央を幅Ｇ３１で第１樹脂層２０ａを除去し、第１柱状電極１１の側面１１ｂが長さＤ３の厚さの封止樹脂２０で覆われるようにする。これによって、第１樹脂層２０ａが構成する封止樹脂２０の第１側面２０ｊ及び梁状部２０ｍが形成される。
次に、対向する配線層１０の端部１０ｃ及び第２柱状電極１２によって形成される間隙において、第２柱状電極１２の側面１２ｂの間の間隙に相当する幅Ｇ３２で第２樹脂層２０ｂを除去する。配線層１０の端部１０ｃが対向する間隙が狭くなっているが、レーザ光の回折光によって配線層１０の端部１０ｃの直下の第２樹脂層２０ｂも除去できることがある。レーザ光の照射によって、配線層１０の端部１０ｃ及び第２柱状電極１２の側面１２ｂに照射痕の凹凸が形成されることがある。
ダイシングの工程では、第１柱状電極１１の側面１１ｂの間の第１樹脂層２０ａを除去した後、配線層１０の端部１０ｃの間と第２柱状電極１２の側面１２ｂの間との第２樹脂層２０ｂを除去し、第２柱状電極１２の頂面１２ｃの高さに達するまでこの幅Ｇ３２で第２樹脂層２０ｂを取り除く。これによって、第２樹脂層２０ｂが構成する第２側面２０ｆが形成される。ここで、ダイシングの工程では半導体装置１は裏返しにされ、図中の下方向が第２柱状電極１２の頂面１２ｃの方向になっている。
次に、幅Ｇ３２よりも狭い幅Ｇ３３で、ダイシングした幅Ｇ３２の部分の中央をダイシングし、封止樹脂２０の上面２０ｃまで第２樹脂層２０ｂを除去する。これによって、第２樹脂層２０ｂが構成する封止樹脂２０の第２側面２０ｆから配線層１０が延びる方向に長さＷ３にわたって突出した第２樹脂層２０ｂが構成する第３側面２０ｇが形成される。
ダイシングにより形成された封止樹脂２０の第１側面２０ｊは、配線層１０の露出した裏面１０ｂに接している。封止樹脂２０の第１側面２０ｊから配線層１０の端部１０ｃまでは、配線層１０の露出した裏面１０ｂが延びている。第２柱状電極１２の側面１２ｂは封止樹脂２０の第２側面２０ｆ内にあり、配線層１０の端部１０ｃは封止樹脂２０の第２側面２０ｆから突出している。
このようなダイシング工程の後で、図８（ｄ）の工程でめっき法により第１外部電極１５及び第２外部電極１６が形成されて半導体装置３が最終的に完成する。半導体装置３において、第１外部電極１５は封止樹脂２０の底面２０ｄから突出し、第２外部電極１６は封止樹脂２０の第２側面２０ｆから突出している。第２外部電極１６は、配線層１０の端部１０ｃを覆う部分がさらに突出している。
第３実施形態の半導体装置３は、レーザを照射してダイシングするため、断面に負担がかかることがない。したがって、積層された第１柱状電極１１、配線層１０及び第２柱状電極１２の構造はダイシングの前後で維持され、これらの部材の間の接続も保証される。また、レーザの照射により第１柱状電極１１の側面１１ｂ、配線層１０の端部１０ｃ及び第２柱状電極１２の側面１２ｂに照射痕の凹凸が形成される場合には、はんだによる実装の信頼性がさらに向上する。
また、第３実施形態の半導体装置３においては、封止樹脂２０の梁状部２０ｍによって、側面１１ｂから第１柱状電極１１が支持されるとともに、裏面１０ｂから配線層１０及び第２柱状電極１２が支持されている。したがって、ダイシング工程において発生する応力は封止樹脂２０の梁状部２０ｍによって支持され、配線層１０、第１柱状電極１１及び第２柱状電極１２を含む金属層に大きな負荷がかかることはなく。このため、ダイシング工程においても剥離したりすることがない金属層の安定な構造が実現されている。
〔第４実施形態〕
図１６は第４実施形態の半導体装置４の側面図、図１７は図１６の切断線ＸＶＩＩ−ＸＶＩＩによる半導体装置４の断面図である。第４実施形態の半導体装置４は、第１柱状電極１１、配線層１０の端部１０ｃ及び第２柱状電極１２を含む封止樹脂２０の側部の構造を除いて第１実施形態の半導体装置１と同様の構造を有するので、第１実施形態の半導体装置１と共通する構成要素については同一の符号を付すことにする。
半導体装置４において、封止樹脂２０には、配線層１０が延びる方向に向かい、外周を囲む側面が形成されている。封止樹脂２０の側面は、封止樹脂２０の底面２０ｄと交わる下方の第１側面２０ｊと、配線層１０が延びる方向に第１側面２０ｊよりも外側にある第２側面２０ｆと、前記方向に第２側面２０ｆよりも内側にある第４側面２０ｈと、封止樹脂２０の上面２０ｃと交わる上方の第３側面２０ｇとを含んでいる。封止樹脂２０の底面２０ｄには第１外部電極１５が形成され、第１外部電極１５は第１柱状電極１１の底面１１ｃを覆っている。また、封止樹脂２０の第２側面２０ｆから第１側面２０ｊ及び第４側面２０ｈとのそれぞれの段差面にかけて第２外部電極１６が形成されている。第２外部電極１６は、配線層１０の端部１０ｃ及び裏面１０ｂと、第２柱状電極１２の側面１２ｂとを覆っている。
配線層１０の端部１０ｃに隣接する配線層１０の裏面１０ｂには、第１柱状電極１１が形成されている。第１柱状電極１１は、配線層１０の端部１０ｃに接続する配線の幅を一長辺とする略矩形の頂面１１ａで配線層１０の裏面１０ｂに接続し、この頂面１１ａから延びる略直方体の形状を有してもよい。
配線層１０の端部１０ｃに隣接する配線層１０の主面１０ａには、第２柱状電極１２が形成されている。第２柱状電極１２は、配線層１０の端部１０ｃに接続する配線の幅を一辺とする略正方形の底面１２ａで配線層１０の主面１０ａに接続し、この底面１２ａから延びる略直方体の形状を有してもよい。配線層１０の端部１０ｃに対向する第２柱状電極１２の側面１２ｂは、同じく配線層１０の端部１０ｃに対向する第１柱状電極１１の側面１１ｂから配線層１０の延びる方向に長さＤ１にわたって突出している。
封止樹脂２０の第１側面２０ｊは、封止樹脂２０の第１樹脂層２０ａに形成され、封止樹脂２０の底面２０ｄと交わり、配線層１０の裏面１０ｂに接している。封止樹脂２０の第２側面２０ｆは、封止樹脂２０の第２樹脂層２０ｂに形成され、段差面を介して封止樹脂２０の第１側面２０ｊに隣接し、配線層１０の延びる方向に第１側面２０ｊから長さＤ２にわたって外側にある。封止樹脂の第２側面２０ｆは、第２柱状電極１２が配線層１０から延びる方向に、第２柱状電極１２の頂面１２ｃの高さまで形成されている。
封止樹脂の第４側面２０ｈは、封止樹脂２０の第２樹脂層２０ｂに形成され、段差面を介して封止樹脂２０の第２側面２０ｆに隣接し、配線層１０の延びる方向に第２側面２０ｆから長さＤ４にわたって内側にある。封止樹脂の第４側面２０ｈは、第２柱状電極１２が配線層１０から延びる方向に、第２柱状電極１２の頂面１２ｃの高さから高さＨ４まで形成されている。高さＨ４は、２０〜２００μｍの範囲にあってもよい。封止樹脂の第３側面２０ｇは、封止樹脂２０の第２樹脂層２０ｂに形成され、封止樹脂２０の第４側面２０ｈに隣接し、配線層１０の延びる方向に第２側面２０ｆから長さＷ４にわたって外側にある。長さＷ４は、１０〜５０μｍの範囲にあってもよい。封止樹脂の第３側面２０ｇは、第２柱状電極１２が配線層１０から延びる方向に封止樹脂２０の上面２０ｃまで形成されている。
第１柱状電極１１の側面１１ｂは封止樹脂２０の第１側面２０ｊから長さＤ３の深さに位置している。換言すると、第１柱状電極１１の側面１１ｂは、第１側面２０ｊを形成する長さＤ３の厚さを有する封止樹脂２０によって覆われている。第１柱状電極１１の側面１１ｂを覆う封止樹脂２０は、封止樹脂２０の底面２０ｄ及び第１側面２０ｊ、配線層１０の裏面１０ｂによって画定される略矩形の断面を有し、配線層１０が延びる方向と直交する方向に延びる梁状部２０ｍを形成している。第１柱状電極１１の底面１１ｃは、封止樹脂２０の底面２０ｄ内にあって底面２０ｄから露出している。
第２柱状電極１２の側面１２ｂは封止樹脂２０の第２側面２０ｆ内にあって封止樹脂の２０の第２側面２０ｆから露出し、頂面１２ｃは第２側面２０ｆと第４側面２０ｈとの間の段差面内にあって露出している。封止樹脂２０の第２側面２０ｆから露出する第２柱状電極１２の側面１２ｂと、前記段差面から露出する第２柱状電極１２の頂面１２ｃとは、封止樹脂２０の第２側面２０ｆと前記段差面とが交わる稜線上で交わっている。
配線層１０は、第２柱状電極１２の底面１２ａに沿って延び、封止樹脂２０の第２側面２０ｆ内にある第２柱状電極１２の側面１２ｂから端部１０ｃが突出している。また、配線層１０の裏面１０ｂは、端部１０ｃから封止樹脂２０の第１側面２０ｊに接するまでの部分が封止樹脂２０から露出している。
封止樹脂２０の底面２０ｄから露出した第１柱状電極１１の底面１１ｃを覆うように、第１外部電極１５が形成されている。また、封止樹脂２０の第２側面２０ｆから第１側面２０ｊ及び第４側面２０ｈとのそれぞれの段差面にかけて、封止樹脂２０の第２側面２０ｆから露出した第２柱状電極１２の側面１２ｂ、封止樹脂２０の第２側面２０ｆから突出した配線層１０の端部１０ｃ、及び端部１０ｃにつながる配線層１０の裏面１０ｂの露出した部分を覆うように、第２外部電極１６が形成されている。第１外部電極１５は、封止樹脂２０の底面２０ｄから突出している。また、第２外部電極１６は、封止樹脂２０の第２側面２０ｆから突出し、配線層１０の端部１０ｃを覆う部分では大きく突出している。
第４実施形態の半導体装置４は、封止樹脂２０の底面２０ｄ及び第２側面２０ｆから第１外部電極１５及び第２外部電極１６が突出し、第２外部電極１６は配線層１０の端部１０ｃを覆う部分でさらに突出している。したがって、はんだによる実装時の信頼性が向上し、実装した基板の上部からはんだ接合の状態を視覚的に確認することが可能になる。また、第２外部電極１６は、封止樹脂２０の第２側面２０ｆと第４側面２０ｈとの段差面にかけても形成されているため、はんだ付けによって実装するときの信頼性をさらに向上させることができる。
第４実施形態の半導体装置４は、封止樹脂２０の第２側面２０ｆに突出した第２外部電極１６の上方に封止樹脂２０の上面２０ｃが延長されて、第２側面２０ｆから長さＷ４にわたって突出した第３側面２０ｇが形成されている。したがって、半導体装置４が基板に実装された状態で、第３側面２０ｇの直下にはんだが盛り上がったフィレットを形成することが可能になる。
図１８は、第４実施形態の半導体装置４のレーザ光によるダイシングの工程を説明する断面図である。図７〜８には第１実施形態の半導体装置１を製造する一連の工程を示したが、第４実施形態の半導体装置４もこのような一連の工程によって製造される。図１８は、図８（ｃ）に示したダイシング後の状態に相当している。図１８において、第１樹脂層２０ａが構成する封止樹脂２０の上面２０ｃには、図示しないダイシングテープが張り付けられている。なお、ダイシングの工程で半導体装置４は裏返しにされ、上面２０ｃが図中の下方向になっている。
ダイシングは、レーザ光を照射することによって行う。照射するレーザ光の加工幅は、樹脂を除去する幅よりも小さいため、レーザ光を適切に走査して照射する。レーザ光源には、Ｎｄ：ＹＡＧレーザやその第２高調波（ＳＨＧ）レーザを用いてもよい。
対向する一組の第２柱状電極１２は、互いの側面１２ｂの間に幅Ｇ４２の間隙を形成している。幅Ｇ４２は、５０〜１５０μｍの範囲にあってもよい。対向する配線層１０の端部１０ｃの間の間隙は、配線層１０の端部１０ｃが第２柱状電極１２の側面１２ｂから突出しているため、幅Ｇ４２よりも狭くなっている。
まず、レーザ光を照射して、対向する第１柱状電極１１によって形成される間隙の中央を幅Ｇ４１で第１樹脂層２０ａを除去し、第１柱状電極１１の側面１１ｂが長さＤ３の厚さの封止樹脂２０で覆われるようにする。これによって、第１樹脂層２０ａが構成する封止樹脂２０の第１側面２０ｊ及び梁状部２０ｍが形成される。
次に、対向する配線層１０の端部１０ｃ及び第２柱状電極１２によって形成される間隙において、第２柱状電極１２の側面１２ｂの間の間隙に相当する幅Ｇ４２で第２樹脂層２０ｂを除去する。配線層１０の端部１０ｃが対向する間隙が狭くなっているが、レーザ光の回折光によって配線層１０の端部１０ｃの直下の第２樹脂層２０ｂも除去できることがある。レーザ光の照射によって、配線層１０の端部１０ｃ及び第２柱状電極１２の側面１２ｂに照射痕の凹凸が形成されることがある。
ダイシングの工程では、第１柱状電極１１の側面１１ｂの間の第１樹脂層２０ａを除去した後、配線層１０の端部１０ｃの間と第２柱状電極１２の側面１２ｂの間との第２樹脂層２０ｂを除去し、第２柱状電極１２の頂面１２ｃの高さに達するまでこの幅Ｇ１２で第２樹脂層２０ｂを取り除く。これによって、第２樹脂層２０ｂが構成する第２側面２０ｆが形成される。ここで、ダイシングの工程では半導体装置１は裏返しにされ、図中の下方向が第２柱状電極１２の頂面１２ｃの方向になっている。
次に、幅Ｇ４１よりも広い幅Ｇ４２で、ダイシングした幅Ｇ４１が中央になるように幅を広げてダイシングし、第２柱状電極１２の頂面１２ｃの高さから高さＨ４に達するまで第２樹脂層２０ｂを除去する。これによって、封止樹脂２０の第２側面２０ｆから配線層１０が延びる方向に長さＤ４にわたって窪んだ第２樹脂層２０ｂが構成する封止樹脂２０の第４側面２０ｈが形成される。
最後に、幅Ｇ４２よりも狭い幅Ｇ４３で、ダイシングした幅Ｇ４２の部分の中央をダイシングし、封止樹脂２０の上面２０ｃまで第２樹脂層２０ｂを除去する。これによって、封止樹脂２０の第２側面２０ｆから配線層１０が延びる方向に長さＷ４にわたって突出した第２樹脂層２０ｂが構成する封止樹脂２０の第３側面２０ｇが形成される。
ダイシングにより形成された封止樹脂２０の第１側面２０ｊは、配線層１０の露出した裏面１０ｂに接している。封止樹脂２０の第１側面２０ｊから配線層１０の端部１０ｃまでは、配線層１０の露出した裏面１０ｂが延びている。第２柱状電極１２の側面１２ｂは封止樹脂２０の第２側面２０ｆから露出し、第２柱状電極１２の頂面１２ｃは封止樹脂２０の第２側面２０ｆと第４側面２０ｈとの段差面から露出している。配線層１０の端部１０ｃは封止樹脂２０の第２側面２０ｆから突出している。
このようなダイシング工程の後で、図８（ｄ）の工程でめっき法により第１外部電極１５及び第２外部電極１６が形成されて半導体装置４が最終的に完成する。半導体装置４において、第１外部電極１５は封止樹脂２０の底面２０ｄから突出し、第２外部電極１６は封止樹脂２０の第２側面２０ｆ及び前記段差部から突出している。第２外部電極１６は、配線層１０の端部１０ｃを覆う部分がさらに突出している。
第４実施形態の半導体装置４は、レーザを照射してダイシングするため、断面に負担がかかることがない。したがって、積層された第１柱状電極１１、配線層１０及び第２柱状電極１２の構造はダイシングの前後で維持され、これらの部材の間の接続も保証される。また、レーザの照射により第１柱状電極１１の側面１１ｂ、配線層１０の端部１０ｃ及び第２柱状電極１２の側面１２ｂに照射痕の凹凸が形成される場合には、はんだによる実装の信頼性がさらに向上する。
第４実施形態の半導体装置４においては、封止樹脂２０の梁状部２０ｍによって、側面１１ｂから第１柱状電極１１が支持されるとともに、裏面１０ｂから配線層１０及び第２柱状電極１２が支持されている。したがって、ダイシング工程において発生する応力は封止樹脂２０の梁状部２０ｍによって支持され、配線層１０、第１柱状電極１１及び第２柱状電極１２を含む金属層に大きな負荷がかかることはなく。このため、ダイシング工程においても剥離したりすることがない金属層の安定な構造が実現されている。
第４の実施の形態の半導体装置４においては、第２柱状電極１２の頂面１２ｃが封止樹脂２０の第２側面２０ｆと第４側面２０ｈとの段差部から露出しているため、はんだによる実装の信頼性が向上する。また、封止樹脂２０の第２側面２０ｆから露出する第２柱状電極１２の頂面１２ｃは第２側面２０ｆより窪んだ第４側面２０ｈに接しているため、第２柱状電極１２の頂面１２ｃとこの頂面１２ｃに接する封止樹脂２０の第２樹脂層２０ｂとの間の応力が緩和され、亀裂等の発生を防止することができる。
半導体装置は、車載機器、生活家電、及び医療機器、等の各種の分野において利用することができ、特に、車載用のウエッタブルフランクパッケージに利用することができ、機能、性能、品質、信頼性、及び利便性を向上することが可能である。
１０ 配線層
１１ 第１柱状電極
１２ 第２柱状電極
１５ 第１外部電極
１６ 第２外部電極
２１ 半導体素子
２５ 導電性接続層
２０ 封止樹脂
２０ｊ 第１側面
２０ｍ 梁状部

Claims (19)

  1. 半導体装置であって、
    半導体素子と、
    前記半導体素子を主面に搭載する配線層と、
    前記配線層の裏面に形成された第１柱状電極と、
    前記配線層の主面に形成され、側面が前記配線層が延びる方向に前記第１柱状電極の側面より外側にある第２柱状電極と、
    前記半導体素子を覆うとともに、前記配線層、前記第１柱状電極及び前記第２柱状電極のそれぞれ一部を覆う封止樹脂であって、前記配線層が延びる半導体装置の幅方向に向かう封止樹脂側面、及び前記配線層の裏面に沿って形成された封止樹脂底面を形成する封止樹脂とを含み、
    前記封止樹脂側面は、前記封止樹脂底面と交わる第１封止樹脂側面と、前記第１封止樹脂側面より前記幅方向に外側にある第２封止樹脂側面とを含み、前記第１柱状電極の底面は前記封止樹脂底面から露出し、前記第１柱状電極の側面は第１封止樹脂側面から所定深さにあり、前記配線層の端部及び前記第２柱状電極の側面は前記第２封止樹脂側面から露出し、前記配線層の端部及び前記第２柱状電極の側面の少なくも一方は、前記第２封止樹脂側面から突出する半導体装置。
  2. 前記第１封止樹脂側面は、前記配線層の裏面に接する請求項１に記載の半導体装置。
  3. 前記第２柱状電極の側面は前記第２封止樹脂側面の面内にあり、前記配線層の端部は前記第２封止樹脂側面から突出する請求項１又は２に記載の半導体装置。
  4. 前記第１柱状電極の底面は前記封止樹脂底面の面内にある請求項１から３のいずれか一項記載の半導体装置。
  5. 前記封止樹脂側面は、前記第２柱状電極の頂面から所定高さを超えた高さに前記第２封止樹脂側面よりも前記幅方向に外側にある第３封止樹脂側面をさらに含む請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体装置。
  6. 前記封止樹脂側面は、前記第２柱状電極の頂面の高さを超えた高さに前記第１封止樹脂側面よりも前記幅方向に外側にある第３封止樹脂側面をさらに含む請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体装置。
  7. 前記封止樹脂側面は、前記第２柱状電極の頂面の高さを超えた高さに前記第１封止樹脂側面より前記幅方向に内側にある第４封止樹脂側面と、前記第２柱状電極の頂面から所定高さを超えた高さ前記第２封止樹脂側面より前記幅方向に外側にある第３封止樹脂側面とをさらに含む請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体装置。
  8. 前記第１柱状電極の高さは、前記第２柱状電極の高さよりも大きい請求項１から７のいずれか一項に記載の半導体装置。
  9. 前記配線層の厚さは、前記第２柱状電極の高さよりも小さい請求項８に記載の半導体装置。
  10. 前記第１柱状電極及び前記第２柱状電極は銅を含み、前記配線層は銅に加えてチタン又は窒化タンタルをさらに含む請求項１から９のいずれか一項に記載の半導体装置。
  11. 前記封止樹脂から露出した前記配線層、前記第１柱状電極及び前記第２柱状電極を覆う外部電極をさらに含む請求項１から１０のいずれか一項に記載の半導体装置。
  12. 前記外部電極は、Ｎｉ層、Ｐｄ層及びＡｕ層を積層してなる請求項１１に記載の半導体装置。
  13. 第１柱状電極を形成する工程と、
    前記第１柱状電極を覆って封止する第１樹脂層を形成する工程と、
    前記第１樹脂層を研削して前記第１柱状電極の端部を露出させる工程と、
    前記第１柱状電極に接続する配線層を形成する工程と、
    前記配線層に接続する第２柱状電極を形成する工程と、
    前記配線層に半導体素子を搭載する工程と、
    前記配線層、前記第２柱状電極及び前記半導体素子を覆って封止する第２樹脂層を形成する工程と、
    前記第１柱状電極が露出するように前記第１樹脂層を研削して封止樹脂底面を形成する工程と、
    前記第１樹脂層から前記第２樹脂層に向かう方向にレーザ光を照射して隣接する半導体素子の間を所定の幅で樹脂を除去して封止樹脂側面を形成して切り離し、前記封止樹脂側面は、前記封止樹脂底面に交わり、前記第１柱状電極の側面が所定深さにある第１封止樹脂側面と、前記第１封止樹脂側面より前記配線層が延びる方向に外側にあり、前記配線層の端部及び前記第２柱状電極の側面が露出し、前記配線層の端部及び前記第２柱状電極の側面の少なくも一方が突出する第２封止樹脂側面とを含む工程と
    を含む半導体装置の製造方法。
  14. 前記レーザ光を照射して隣接する半導体素子の間の樹脂を除去して切り離す工程は、前記第１封止樹脂側面を形成するように第１の幅で第１樹脂を除去する工程を含む請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
  15. 前記レーザ光を照射して隣接する半導体素子の間の樹脂を除去して切り離す工程は、前記第２封止樹脂側面を形成するように前記第１の幅よりも狭い第２の幅で第２樹脂を除去する工程を含む請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。
  16. 前記第２樹脂を除去する工程は、前記第１樹脂層から前記第２樹脂層に向かう方向に、前記第２柱状電極の頂面から所定高さを超えた高さに前記第２封止樹脂側面よりも前記配線層が延びる方向に外側にある第３封止樹脂側面を形成するように前記第２の幅よりも狭い第３の幅で前記第２樹脂を除去する工程をさらに含む請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
  17. 前記第２樹脂を除去する工程は、前記第１樹脂層から前記第２樹脂層に向かう方向に、前記第２柱状電極の頂面を超えた高さに前記第２封止樹脂側面よりも前記配線層が延びる方向に外側にある第３封止樹脂側面を形成するように前記第２の幅よりも狭い第３の幅で前記第２樹脂を除去する工程をさらに含む請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
  18. 前記第２樹脂を除去する工程は、前記第１樹脂層から前記第２樹脂層に向かう方向に、前記第２柱状電極の頂面の高さを超えた高さに前記第２封止樹脂側面より前記配線層が延びる方向に内側にある第４封止樹脂側面を形成するように前記第２の幅よりも広い第４の幅で前記第２樹脂を除去し、前記第２柱状電極の頂面から所定高さを超えた高さに前記第２封止樹脂側面より前記配線層が延びる方向に外側にある第３封止樹脂側面を形成するように前記第２の幅よりも狭い第３の幅で前記第２樹脂を除去する工程をさらに含む請求項１５に記載の半導体装置の製造方法。
  19. 前記レーザ光を照射して隣接する半導体素子の間の樹脂を除去して切り離す工程は、前記配線層及び前記第２柱状電極の少なくとも１つに照射痕を形成する請求項１３から１８のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
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