JP7382175B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7382175B2 JP7382175B2 JP2019153441A JP2019153441A JP7382175B2 JP 7382175 B2 JP7382175 B2 JP 7382175B2 JP 2019153441 A JP2019153441 A JP 2019153441A JP 2019153441 A JP2019153441 A JP 2019153441A JP 7382175 B2 JP7382175 B2 JP 7382175B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminals
- layer
- semiconductor device
- parts
- wiring layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 128
- 230000035515 penetration Effects 0.000 claims description 40
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 30
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 30
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 29
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 20
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 16
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 11
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 27
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 5
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N [Ag].[Sn] Chemical compound [Ag].[Sn] QCEUXSAXTBNJGO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N antimony tin Chemical compound [Sn].[Sb] GVFOJDIFWSDNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920002577 polybenzoxazole Polymers 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Description
図1~図11に基づき、本発明の第1実施形態にかかる半導体装置A10について説明する。半導体装置A10は、絶縁層10、複数の第1端子51、配線層20、複数の接合層39、半導体素子31、複数の電子部品32、封止樹脂40、および複数の第2端子52を備える。半導体装置A10は、配線基板に表面実装される樹脂パッケージ形式によりものである。当該パッケージ形式は、封止樹脂40から複数のリードが突出していないことが特徴とされるQFN(quad flat non-leaded package)である。ここで、図1は、理解の便宜上、封止樹脂40を透過している。図2は、理解の便宜上、図1に対して複数の接合層39、半導体素子31、および複数の電子部品32をさらに透過している。図2において透過した半導体素子31、および複数の電子部品32を、それぞれ想像線(二点鎖線)で示している。図9は、理解の便宜上、図1に対して配線層20を透過している。
図27~図29に基づき、本発明の第2実施形態にかかる半導体装置A20について説明する。これらの図において、先述した半導体装置A10と同一または類似の要素には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。ここで、図27は、先述した半導体装置A10にかかる図9に対応する部分拡大平面図であり、配線層20および封止樹脂40を透過している。
10:絶縁層
101:主面
102:裏面
11:貫通部
111:規定面
111A:第1部
111B:第2部
111C:第3部
20:配線層
20A:下地層
20B:本体層
21:基部
211:端面
22:本体部
23:バンプ部
231:第1バンプ部
232:第2バンプ部
31:半導体素子
311:パッド
32:電子部品
321:電極
39:接合層
391:第1接合層
392:第2接合層
40:封止樹脂
51:第1端子
511:上面
512:下面
513:側面
513A:露出部
52:第2端子
521:底部
522:側部
80:基材
801:仮固定層
802:剥離層
81:導電層
82:絶縁層
821:貫通部
83:配線層
83A:下地層
83B:本体層
83C:バンプ層
84:封止樹脂
85:テープ
G:溝
z:厚さ方向
x:第1方向
y:第2方向
Claims (13)
- 厚さ方向において互いに反対側を向く主面および裏面と、前記主面から前記裏面に至る複数の貫通部と、を有する絶縁層と、
前記複数の貫通部に個別に収容された複数の第1端子と、
前記主面に接し、かつ前記裏面から前記厚さ方向に離れた下地層と、前記下地層に積層された本体層と、を含むとともに、前記複数の第1端子に導通する配線層と、
前記配線層に搭載された半導体素子と、
前記複数の第1端子の各々の一部を個別に覆う複数の第2端子と、を備え、
前記下地層および前記本体層の各々は、金属元素を含み、
前記複数の第1端子の各々は、前記本体層に含まれる金属元素と同一の金属元素を含み、
前記複数の第1端子の各々は、前記厚さ方向において前記主面と同じ側を向く上面と、前記厚さ方向において前記上面とは反対側を向く下面と、前記上面および前記下面につながる側面と、を有し、
前記配線層は、各々が前記下地層および前記本体層を含むとともに、前記複数の貫通部に個別に収容された部分を含む複数の基部を有し、
前記複数の第1端子の各々の前記上面は、前記複数の基部のいずれかの前記下地層に接しており、
前記複数の貫通部の各々は、前記主面および前記裏面につながるとともに、前記複数の貫通部のいずれかを規定する規定面を有し、
前記規定面は、前記裏面から前記厚さ方向に立ち上がる第1部を含み、
前記複数の第1端子の各々の前記側面は、前記複数の貫通部のいずれかの前記第1部に接しており、
前記複数の第1端子の各々の前記側面は、前記複数の貫通部のいずれかの前記第1部から露出する露出部を含み、
前記露出部は、前記複数の第1端子のいずれかの前記下面につながっている、半導体装置。 - 前記複数の貫通部の各々の前記規定面は、前記厚さ方向において前記主面と前記裏面との間に位置する第2部を含み、
前記第2部は、前記複数の貫通部のいずれかの前記第1部から前記厚さ方向に対して直交する方向に延びており、
前記複数の第1端子の各々の一部は、前記複数の貫通部のいずれかの前記第2部に覆われている、請求項1に記載の半導体装置。 - 前記複数の第1端子の各々の前記上面は、前記複数の貫通部のいずれかの前記第2部に接している、請求項2に記載の半導体装置。
- 前記下地層は、チタンを含む、請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記複数の第1端子の各々と、前記本体層と、は、銅を含む、請求項1ないし4のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記複数の第1端子の各々と、前記本体層と、は、ニッケルを含む、請求項1ないし4のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記複数の第2端子の各々は、前記複数の第1端子のいずれかの前記下面を覆う底部と、前記複数の第1端子のいずれかの前記露出部を覆う側部と、を有する、請求項1ないし6のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記複数の基部の各々は、前記複数の第1端子のいずれかの前記露出部と面一である端面を有し、
前記複数の第2端子の各々の前記側部は、前記複数の基部のいずれかの前記端面を覆っている、請求項7に記載の半導体装置。 - 前記複数の第2端子の各々は、ニッケルおよび金を含む、請求項1ないし8のいずれかに記載の半導体装置。
- 前記複数の第2端子の各々は、パラジウムを含む、請求項9に記載の半導体装置。
- 前記半導体素子は、前記配線層に対向する複数のパッドを有し、
前記複数のパッドの各々は、前記配線層に導電接合されている、請求項1ないし10のいずれかに記載の半導体装置。 - 前記配線層に搭載された複数の電子部品をさらに備え、
前記複数の電子部品の各々は、互いに離れた一対の電極を有し、
前記一対の電極の各々は、前記配線層に導電接合されている、請求項11に記載の半導体装置。 - 封止樹脂をさらに備え、
前記封止樹脂は、前記主面および前記配線層の双方に接するとともに、前記半導体素子、および前記複数の電子部品を覆っている、請求項12に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019153441A JP7382175B2 (ja) | 2019-08-26 | 2019-08-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019153441A JP7382175B2 (ja) | 2019-08-26 | 2019-08-26 | 半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021034573A JP2021034573A (ja) | 2021-03-01 |
JP7382175B2 true JP7382175B2 (ja) | 2023-11-16 |
Family
ID=74677593
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019153441A Active JP7382175B2 (ja) | 2019-08-26 | 2019-08-26 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7382175B2 (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005216989A (ja) | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Hitachi Maxell Ltd | マルチチップモジュールの製造方法 |
US20060270211A1 (en) | 2005-05-31 | 2006-11-30 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Method of fabricating wiring board and method of fabricating semiconductor device |
US20070268675A1 (en) | 2006-05-22 | 2007-11-22 | Hitachi Cable Ltd. | Electronic device substrate, electronic device and methods for fabricating the same |
US20110304016A1 (en) | 2010-06-09 | 2011-12-15 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Wiring board, method of manufacturing the same, and semiconductor device |
JP2015170809A (ja) | 2014-03-10 | 2015-09-28 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US20170110339A1 (en) | 2015-10-15 | 2017-04-20 | Freescale Semiconductor, Inc. | Ic device having patterned, non-conductive substrate |
JP2017175131A (ja) | 2016-03-17 | 2017-09-28 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2019
- 2019-08-26 JP JP2019153441A patent/JP7382175B2/ja active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005216989A (ja) | 2004-01-28 | 2005-08-11 | Hitachi Maxell Ltd | マルチチップモジュールの製造方法 |
US20060270211A1 (en) | 2005-05-31 | 2006-11-30 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Method of fabricating wiring board and method of fabricating semiconductor device |
JP2007013092A (ja) | 2005-05-31 | 2007-01-18 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板の製造方法および半導体装置の製造方法 |
US20070268675A1 (en) | 2006-05-22 | 2007-11-22 | Hitachi Cable Ltd. | Electronic device substrate, electronic device and methods for fabricating the same |
JP2007311688A (ja) | 2006-05-22 | 2007-11-29 | Hitachi Cable Ltd | 電子装置用基板およびその製造方法、並びに電子装置およびその製造方法 |
US20110304016A1 (en) | 2010-06-09 | 2011-12-15 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Wiring board, method of manufacturing the same, and semiconductor device |
JP2011258772A (ja) | 2010-06-09 | 2011-12-22 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及びその製造方法並びに半導体装置 |
JP2015170809A (ja) | 2014-03-10 | 2015-09-28 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
US20170110339A1 (en) | 2015-10-15 | 2017-04-20 | Freescale Semiconductor, Inc. | Ic device having patterned, non-conductive substrate |
JP2017175131A (ja) | 2016-03-17 | 2017-09-28 | ローム株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2021034573A (ja) | 2021-03-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100470386B1 (ko) | 멀티-칩패키지 | |
JP5141076B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR100658543B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
KR20060041950A (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
US20080174005A1 (en) | Electronic device and method for manufacturing electronic device | |
US20030006501A1 (en) | Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, lead frame, method of manufacturing lead frame, and method of manufacturing semiconductor device with lead frame | |
KR102210802B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
US11769717B2 (en) | Semiconductor device for reducing concentration of thermal stress acting on bonding layers | |
JP4930204B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US11764130B2 (en) | Semiconductor device | |
EP1003209A1 (en) | Process for manufacturing semiconductor device | |
JP7382175B2 (ja) | 半導体装置 | |
US20220344300A1 (en) | Electronic device and manufacturing method thereof | |
US6692629B1 (en) | Flip-chip bumbing method for fabricating solder bumps on semiconductor wafer | |
TW201225209A (en) | Semiconductor device and method of confining conductive bump material with solder mask patch | |
US10930615B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device | |
US9972591B2 (en) | Method of manufacturing semiconductor device | |
JP4084737B2 (ja) | 半導体装置 | |
CN105244327A (zh) | 电子装置模块及其制造方法 | |
JP4611871B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、並びに電子装置 | |
JP7382167B2 (ja) | 電子装置、および電子装置の製造方法 | |
KR100348126B1 (ko) | 반도체장치, 외부접속단자 구조체 및 반도체장치의 제조방법 | |
JP7430988B2 (ja) | 電子装置 | |
JP2006210369A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP7326115B2 (ja) | 端子、半導体装置、およびこれらの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220708 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20230428 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230530 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230721 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20231031 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20231106 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7382175 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |