JP2016201424A - プリント配線板およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】厚い電子部品を収容し得る深い凹部と、良好な信頼性を有し、安価で製造され得るプリント配線板の提供。【解決手段】実施形態のプリント配線板は、絶縁基板３３、絶縁基板３３に設けられる第１および第２導体層３１、３２を有するコア基板３０と、第１導体層３１上および第２導体層３２上にそれぞれ形成されていて樹脂絶縁層と導体層とを積層してなる少なくとも１層のビルドアップ層をそれぞれ有する第１および第２ビルドアップ配線層１０、２０を有している。そして、コア基板３０および第２ビルドアップ配線層２０を貫通し、第１ビルドアップ配線層１０の厚さ方向で第１導体層３１と第１ビルドアップ配線層１０との界面よりも絶縁基板３３から離れた位置に底面３５ａを有する凹部３５が設けられ、凹部３５の底面３５ａに電子部品との接続パッド１５が設けられている。【選択図】図１

Description

本発明は、凹部を有するプリント配線板、および、その製造方法に関する。

特許文献１には、キャビティ領域を有する印刷回路基板が開示されている。印刷回路基板は、絶縁材の両面に金属層が形成されているベース回路基板と、ベース回路基板の両面に形成されている外部回路層とを有している。そして、特許文献１の印刷回路基板は、ベース回路基板の一面側の外部回路層の一部の領域を厚さ方向全体に亘って除去することにより形成されるキャビティ領域を有している。

特表２０１３−５２０００７号公報

特許文献１の印刷回路基板では、電子部品などが収容されるキャビティ部は、ベース回路基板の一方の外部回路層内だけに形成されている。キャビティ部の最大の深さは、外部回路層の厚さに制限される。キャビティ部を深くするには、外部回路層の絶縁層または金属回路層を厚くするかその層数を増やさなければならない。また、印刷回路基板の厚さが厚くなると考えられる。

本発明のプリント配線板は、第１面および前記第１面側と反対側の第２面を有する絶縁基板、前記絶縁基板の第１面に設けられる第１導体層、および、前記絶縁基板の第２面に設けられる第２導体層を有するコア基板と、前記第１導体層上に形成されていて樹脂絶縁層と導体層とを積層してなる少なくとも１層のビルドアップ層を有する第１ビルドアップ配線層と、前記第２導体層上に形成されていて樹脂絶縁層と導体層とを積層してなる少なくとも１層のビルドアップ層を有する第２ビルドアップ配線層と、を有している。そして、前記コア基板および前記第２ビルドアップ配線層を貫通し、前記第１ビルドアップ配線層の厚さ方向で前記第１導体層と前記第１ビルドアップ配線層との界面よりも前記絶縁基板の第１面から離れた位置に底面を有する凹部が設けられ、前記凹部の底面に電子部品との接続パッドが設けられている。

本発明のプリント配線板の製造方法は、第１面と該第１面と反対側の第２面とを有する絶縁基板および該絶縁基板の両面に設けられる導体パターンからなるコア基板を用意することと、前記絶縁基板の第１面および該第１面の前記導体パターン上に、少なくとも１つの樹脂絶縁層と少なくとも１つの導体層とを有する第１ビルドアップ配線層を形成することと、前記絶縁基板の第２面および該第２面の前記導体パターン上に、少なくとも１つの樹脂絶縁層と少なくとも１つの導体層とを有する第２ビルドアップ配線層を形成することと、少なくとも前記絶縁基板の一部および前記第２ビルドアップ配線層の一部を除去することにより前記コア基板および前記第２ビルドアップ配線層を貫通する凹部を形成することとを有している。そして、前記第１ビルドアップ配線層の厚さ方向で前記第１ビルドアップ配線層と前記絶縁基板の第１面の前記導体パターンとの界面よりも前記絶縁基板の第１面から離れた位置に底面を有する前記凹部が形成される。

本発明の実施形態のプリント配線板によれば、凹部を深く形成するためにプリント配線板全体の厚さを厚くする必要がない。

本発明の一実施形態のプリント配線板の断面図。 図１に示されるプリント配線板の凹部の底面付近の拡大図。 図１に示されるプリント配線板の凹部の隅部分の形状の別例を示す図。 図１に示されるプリント配線板の凹部内の接続パッドの別例を示す図。 本発明の一実施形態のプリント配線板の第１表面を示す図。 本発明の一実施形態のプリント配線板の第２表面を示す図。 本発明の他の実施形態のプリント配線板の断面図。 本発明の他の実施形態のプリント配線板の断面図。 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法の一例を示す図。 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法の溝形成の別例を示す図。 本発明の一実施形態のプリント配線板の製造方法の溝形成の別例を示す図。 図４Ｂに示される実施形態のプリント配線板の製造方法の一例を示す図。 図４Ｂに示される実施形態のプリント配線板の製造方法の一例を示す図。 図４Ｂに示される実施形態のプリント配線板の製造方法の一例を示す図。 図４Ｂに示される実施形態のプリント配線板の製造方法の一例を示す図。 図４Ｂに示される実施形態のプリント配線板の製造方法の一例を示す図。

つぎに、本発明の一実施形態のプリント配線板が図面を参照しながら説明される。実施形態のプリント配線板１（以下、プリント配線板は、単に配線板とも称される）は、図１に示されるように、コア基板３０と、第１ビルドアップ配線層１０と、第２ビルドアップ配線層２０とを有している。コア基板３０は、第１面３３Ｆおよび第１面３３Ｆ側と反対側の第２面３３Ｂを有する絶縁基板３３、絶縁基板３３の第１面３３Ｆに設けられる第１導体層３１、ならびに、絶縁基板３３の第２面３３Ｂに設けられる第２導体層３２を有している。第１ビルドアップ配線層１０は、第１導体層３１上、および第１導体層３１から露出する絶縁基板３３の第１面３３Ｆ上に形成されている。第２ビルドアップ配線層２０は、第２導体層３２上、および第２導体層３２から露出する絶縁基板３３の第２面３３Ｂ上に形成されている。そして、実施形態のプリント配線板１には、第１ビルドアップ配線層１０の厚さ方向において、第１導体層３１と第１ビルドアップ配線層１０との界面３１０よりも絶縁基板３３の第１面３３Ｆから離れた位置に底面３５ａを有する凹部３５が設けられている。凹部３５は、コア基板３０および第２ビルドアップ配線層２０を貫通している。凹部３５内に、電子部品との接続パッド１５が設けられている。

本実施形態において、「コア基板」は、プリント配線板１内の他の樹脂絶縁層または導体層のいずれにも支持されることなく形成され、かつ、他の樹脂絶縁層または導体層が表面上に形成されている基板を意味している。従って「コア基板」は、その形成材料に関して限定されず、また、プリント配線板１の厚さ方向の中心に位置している基板に限定されるものでもない。

第１ビルドアップ配線層１０は、少なくとも１層のビルドアップ層を有している。図１に示される例では、第１ビルドアップ配線層１０は、コア基板３０上に形成されているビルドアップ層１１およびビルドアップ層１１上に形成されているビルドアップ層１２の２つのビルドアップ層を有している。ビルドアップ層１１は、樹脂絶縁層１１ａおよび樹脂絶縁層１１ａ上に積層されている導体層１１ｂにより形成されている。同様に、ビルドアップ層１２は、樹脂絶縁層１２ａおよび樹脂絶縁層１２ａ上に積層されている導体層１２ｂにより形成されている。

第２ビルドアップ配線層２０は、少なくとも１層のビルドアップ層を有している。図１に示される例では、第２ビルドアップ配線層２０は、コア基板３０上に形成されているビルドアップ層２１およびビルドアップ層２１上に形成されているビルドアップ層２２の２つのビルドアップ層を有している。ビルドアップ層２１は、樹脂絶縁層２１ａおよび樹脂絶縁層２１ａ上に積層されている導体層２１ｂにより形成されている。同様に、ビルドアップ層２２は、樹脂絶縁層２２ａおよび樹脂絶縁層２２ａ上に積層されている導体層２２ｂにより形成されている。

実施形態のプリント配線板１は、第１ビルドアップ配線層１０側の表面である第１表面１Ｆおよび第２ビルドアップ配線層２０側の表面である第２表面１Ｂを有している。図１には、第１表面１Ｆにソルダーレジスト層５１Ｆが形成され、第２表面１Ｂにソルダーレジスト層５１Ｂが形成される例が示されている。

実施形態のプリント配線板１には、第２ビルドアップ配線層２０に加えて、コア基板３０を貫通する凹部３５が設けられている。凹部３５は、図１に示されるように、第１ビルドアップ配線層１０内にまで及んでいる。凹部３５の底面３５ａは、第１ビルドアップ配線層１０の厚さ方向において、コア基板３０を形成している第１導体層３１と、第１ビルドアップ配線層１０との界面３１０よりも、絶縁基板３３の第１面３３Ｆから離れた位置にある。すなわち、凹部３５の底面３５ａは、第１導体層３１と、第１ビルドアップ配線層１０との界面３１０よりも、プリント配線板１の第１表面１Ｆ側に位置している。それにより、第２ビルドアップ配線層２０の厚さおよびコア基板３０の厚さの合計値よりも、さらに大きな深さを有する凹部３５が形成されている。第２ビルドアップ配線層の厚さよりも厚い電子部品（図示せず）が収容され得る。さらに、第２ビルドアップ配線層２０およびコア基板３０の合計の厚さを超える厚さの電子部品さえも、プリント配線板１を厚くすることなく収容されることがある。

また、実施形態のプリント配線板１によれば、コア基板３０を貫通する深い凹部３５が形成されているため、プリント配線板１内に実装可能な電子部品の種類が増えると考えられる。プリント配線板１内に多くの電子部品が実装されると、電子部品間の電気的接続のうち、プリント配線板１の配線パターンだけで接続され得るものの数が増えることがある。それにより、たとえば、プリント配線板１とプリント配線板１が実装されるマザーボード（図示せず）との接続点数が少なくなることがある。プリント配線板１が用いられる電子機器の信頼性が向上することがある。

図１に示されるように、凹部３５は、プリント配線板１の第２表面１Ｂに開口部を有している。凹部３５は、第２ビルドアップ配線層２０およびコア基板３０を貫通し、第１ビルドアップ配線層１０内に底面３５ａを有している。凹部３５の底面３５ａと絶縁基板３３の第１面３３Ｆとの距離Ｌ１は、たとえば、１０〜２０μｍである。距離Ｌ１は、たとえば、後述の凹部３５の形成に用いられる分離膜４０および金属箔４２（図５Ｃ参照）の厚さにより調整され得る。距離Ｌ１が大きいほど、凹部３５の深さＤ１は深くなる。より厚い電子部品が収容され得る。しかしながら、距離Ｌ１を大きくするには、厚い分離膜４０および金属箔４２が必要となる。また、樹脂絶縁層１１ａも厚くなるため、凹部３５に収容される電子部品の厚さなどに応じて選択される。コア基板３０の厚さとしては、５０〜４００μｍが例示される。適度な剛性が確保され得る。第２ビルドアップ配線層２０の厚さは、ビルドアップ層の層数などに応じて様々な値に選択され得る。図１に示されるように、２層のビルドアップ層で形成される場合、第２ビルドアップ配線層２０の厚としては、１５〜６０μｍが例示される。従って、この場合、凹部３５の深さＤ１は、５０〜５００μｍとなり得る。半導体素子のチップなどが、高度な裏面研磨などによる薄板加工を求められることなく収容され得る。

図１に示される例では、コア基板３０内、ならびに、前記第１および第２ビルドアップ配線層１０、２０内の凹部３５の内壁面には、絶縁基板３３、ならびに、樹脂絶縁層１１ａ、２１ａ、および２２ａだけが露出している。凹部３５に収容される電子部品（図示せず）とプリント配線板１内の導電体との意図しない接触のリスクが少ないと考えられる。図１に示される例では、凹部３５の内壁面は、プリント配線板１の厚さ方向と略平行な壁面である。しかしながら、凹部３５は、プリント配線板１の第２表面１Ｂ側または第１表面１Ｆ側から他面側に向かってテーパーする形状であってよい。

図１に示される例では、凹部３５は、底面３５ａの近傍で拡幅または拡径している。図２Ａに拡大して示されるように、凹部３５の内壁面の第１ビルドアップ配線層１０で形成される部分の一部が樹脂絶縁層１１側に凹んでいてよい。すなわち、凹部３５の内壁面の第１ビルドアップ配線層１０で形成される部分の一部が、コア基板３０で形成される部分よりも凹んでいてよい。また、図２Ｂに示されるように、凹部３５の内壁面の第１ビルドアップ配線層１０で形成される部分の全体が、コア基板３０で形成される部分よりも凹んでいてもよい。図２Ｂには、凹部３５の内壁面の第１ビルドアップ配線層１０で形成される部分が、コア基板３０側の壁面３５ｆと壁面２５ｆの下方の３５ｇからなる例が示されている。後述のように、凹部３５の形成に用いられる分離膜４０と金属箔４２（図５Ｃ参照）とにより、このような凹みが形成され得る。

凹部３５内には、図示しない電子部品を覆う保護樹脂（図示せず）などが充填されることがある。この保護樹脂の膨張および収縮によりプリント配線板１内に生じる応力は、凹部３５の角部３５ｂに集中すると考えられる。図２Ａには、凹部３５の内壁面が第１ビルドアップ配線層１０内で凹んでいない場合の角部３５ｂが示されている。凹部３５の内壁面が第１ビルドアップ配線層１０内で凹んでいると、応力は角部３５ｃ〜３５ｅに分散すると考えられる。周囲の温度変化などにより、プリント配線板１内に凹部３５の角部を発端とするクラックなどが生じるリスクが少なくなると考えられる。凹部３５の内壁面の第１ビルドアップ配線層１０内での凹みの大きさＤ２は、２０μｍが例示される。第１ビルドアップ配線層１０内のスペースがさほど多く奪われることなく応力の分散作用が得られると考えられる。図２Ｂに示される形状では、応力がより多くの箇所に分散されると考えられる。

図３Ａは、実施形態のプリント配線板１の第２表面１Ｂ側を示しており、図３Ｂは、第１表面１Ｆ側を示している。図３Ａに線Ｉ−Ｉで示されるような接続パッド１５を通る位置での断面が図１に示されている。実施形態のプリント配線板１では、図１に示されるように、接続パッド１５は、凹部３５の底面３５ａに設けられている。図２Ａに示されるように、凹部３５の底面３５ａに接続パッド１５の表面１５ａが露出している。

接続パッド１５の表面１５ａは、図２Ｃに示されるように、接続パッド１５の周囲の凹部３５の底面３５ａよりも凹んでいてもよい。すなわち、表面１５ａは、凹部３５の底面３５ａを形成している第１ビルドアップ配線層１０の樹脂絶縁層１１ａの表面よりも凹んでいてもよい。後述のように、たとえば、凹部３５の形成に用いられる金属箔４２（図５Ｋ参照）の除去の後もエッチングが継続されることにより、接続パッド１５の表面１５ａを凹部３５の底面３５ａよりも凹ませることができる。接続パッド１５の表面１５ａが接続パッド１５の周囲よりも凹んでいると、はんだ（図示せず）などの電子部品との接続材が適度な量で安定して供給されると考えられる。はんだなどの溶融時に、周囲への濡れ広がりが抑制されると考えられる。隣接する接続パッド１５間のショートなどの発生リスクが少なくなると考えられる。凹部３５の底面３５ａからの接続パッド１５の表面１５ａの凹みの大きさＤ３は、５μｍが例示される。表面１５ａを凹ませるための時間があまり長くかからず、かつ、はんだなどによるショートの抑制作用が得られると考えられる。

図２Ａに示される例では、接続パッド１５は、凹部３５の底面３５ａに表面１５ａを露出し、樹脂絶縁層１１ａを貫通して導体層１１ｂに向かって延びている。接続パッド１５は、図２Ａに示されるように、凹部３５の底面３５ａから導体層１１ｂに向かって拡幅もしくは拡径している。換言すると、接続パッド１５は、第１ビルドアップ配線層１０内から凹部３５側に向かってテーパーする形状を有している。凹部３５内に露出する接続パッド１５の表面１５ａは接続パッド１５の他の部分の断面より小さい。隣接する接続パッド１５との間隔が広くなるため、はんだなどの接続材などによる接続パッド１５間のショートが発生し難いと考えられる。一方、導体層１１ｂに向かうほど、接続パッド１５の断面は大きくなる。電気抵抗が小さくなると考えられる。

図１に示される実施形態のプリント配線板１の第１ビルドアップ配線層１０は、樹脂絶縁層１１ａを貫通するビア導体１１ｃ、および、樹脂絶縁層１２ａを貫通するビア導体１２ｃを、それぞれ複数個有している。また、第２ビルドアップ配線層２０は、樹脂絶縁層２１ａを貫通するビア導体２１ｃ、および、樹脂絶縁層２２ａを貫通するビア導体２２ｃを、それぞれ複数個有している。また、コア基板３０は、絶縁基板３３を貫通していて第１導体層３１と第２導体層３２とを接続する複数のスルーホール導体３４を有している。第１ビルドアップ配線層１０内のビア導体１２ｃは、導体層１１ｂと導体層１２ｂとを接続している。また、第２ビルドアップ配線層２０内のビア導体２１ｃは、導体層２１ｂとコア基板３０の第２導体層３２とを接続している。ビア導体２２ｃは、導体層２１ｂと導体層２２ｂとを接続している。

図１に示されるように、実施形態では、第１ビルドアップ配線層１０内の樹脂絶縁層１１ａを貫通するビア導体１１ｃは、層間ビア導体１１２と凹部ビア導体１１１とを含んでいる。層間ビア導体１１２は、導体層１１ｂとコア基板３０の第１導体層３１とを接続している。凹部ビア導体１１１は凹部３５の底面３５ａに一面を露出しており、凹部ビア導体１１１の凹部３５側と反対側の端部は導体層１１ｂに接続されている。

実施形態のプリント配線板１内の各ビア導体は、凹部ビア導体１１１を含めて、導電体により形成される。従って、凹部３５の底面３５ａに露出する凹部ビア導体１１１の一面に、凹部３５に収容される電子部品（図示せず）の電極が接続されてよい。すなわち、凹部ビア導体１１１は、凹部３５の底面３５ａに露出する面を接続面とする、図示されない電子部品との接続パッドとして機能し得る。従って、凹部３５の底面３５ａに設けられる接続パッド１５は、凹部ビア導体１１１の露出面を接続面として凹部ビア導体１１１により形成されてよい。図１、２Ａ〜２Ｃ、４Ａ、および４Ｂには、そのように、第１ビルドアップ配線層１０内のビア導体の一部（凹部ビア導体１１１）が接続パッドとして用いられ得る例が示されている。

凹部ビア導体１１１を接続パッドとして電子部品の電極などが接続されると、導体層１１ｂなどのプリント配線板１内の各導体層と電子部品との間の電気的抵抗が小さくなることがある。図３Ａに示されるように、凹部３５内には、複数の接続パッド１５が形成され得る。多くの電極を有するマイコンやロジックＩＣなどの半導体装置との接続や、数多くの電子部品との接続が可能になる。たとえば、凹部３５内に唯一収容される電子部品の電極数と、または、凹部３５内に収容される複数個の電子部品の電極の合計数と、同数の接続パッド１５が設けられてよい。そして、そのような複数の接続パッド１５の全てが、凹部ビア導体１１１により形成されてよい。凹部３５内に収容される多極および／または多数の電子部品それぞれとプリント配線板１内の導体層との間の電気的抵抗が小さくなることがある。

第１ビルドアップ配線層１０の厚さ方向の凹部ビア導体１１１の長さは、凹部ビア導体１１１に貫通される樹脂絶縁層１１ａ内の凹部ビア導体１１１以外のビア導体の長さよりも短くてよい。図２Ａに示される例では、凹部ビア導体１１１は、第１ビルドアップ配線層１０の厚さ方向において、層間ビア導体１１２よりも短い。接続パッド１５に接続される電子部品と導体層１１ｂとの間の電気的抵抗が小さいと考えられる。たとえば、凹部３５内に収容される電子部品と、プリント配線板１の第１表面１Ｆ上に実装される他の電子部品とが、より小さい電気的抵抗で接続されると考えられる。

実施形態では、図１に示されるように、凹部ビア導体１１１は、凹部３５の底面３５ａを形成する樹脂絶縁層１１ａ内に複数個形成されている。凹部ビア導体１１１の底面３５ａへの露出面には、好ましくは、電子部品（図示せず）の電極が接続される。そのため、ファインピッチで形成されている電極を有する電子部品が実装される場合は、凹部ビア導体１１１も、電子部品の電極に応じてファインピッチで形成される。たとえば、凹部ビア導体は、１００〜５００μｍピッチで形成され得る。

第１ビルドアップ配線層１０の樹脂絶縁層１１ａ内には、凹部ビア導体１１１以外に層間ビア導体１１２が形成されている。層間ビア導体１１２は、凹部３５と平面視で重ならない領域の樹脂絶縁層１１ａ内に形成されている。凹部ビア導体１１１は、図３Ａに示される例では、Ｘ方向およびＹ方向に同じピッチで形成されている。凹部３５内の凹部ビア導体１１１の配置密度は層間ビア導体１１２の配置密度よりも大きい。ファインピッチで形成されるビア導体が、たとえば凹部３５内などの特定の部分に集中して配置されると、製造時の条件管理や検査の要点が絞られると考えられる。プリント配線板１の製造が容易になると考えられる。

前述のように、第１ビルドアップ配線層１０の厚さ方向の凹部ビア導体１１１の長さは、層間ビア導体１１２の長さよりも短い。凹部ビア導体１１１および層間ビア導体１１２は、好ましくは同時に、たとえば、電解めっきにより形成される。配置密度の大きい凹部ビア導体１１１の形成部分の方が層間ビア導体１１２の形成部分よりも、めっき電流の電流密度が小さいと推定される。凹部ビア導体１１１の方が電解めっき膜の形成速度が遅いと考えられる。しかしながら、凹部ビア導体１１１の方が層間ビア導体１１２よりも短い。凹部ビア導体１１１と層間ビア導体１１２との間で、所望の長さに形成されるまでの時間の差が少なくなると考えられる。凹部ビア導体１１１および層間ビア導体１１２と接する導体層１１ｂの表面の凹凸が少ないと考えられる。

図３Ｂに示されるように、実施形態のプリント配線板１の第１表面１Ｆには、接続パッド５５Ｆが形成されている。接続パッド５５Ｆは、第１ビルドアップ配線層１０の最表層の導体層である導体層１２ｂ（図１参照）に形成されている。ソルダーレジスト層５１Ｆの開口部５２Ｆに接続パッド５５Ｆの表面が露出している。接続パッド５５Ｆの形状は、導体層１２ｂのパターニングにより定められるか、ソルダーレジスト層５１Ｆの開口部５２Ｆにより画定され得る。

図３Ａに示されるように、実施形態のプリント配線板１の第２表面１Ｂには、接続パッド５５Ｂが形成されている。接続パッド５５Ｂは、第２ビルドアップ配線層２０の最表層の導体層である導体層２２ｂ（図１参照）に形成されている。ソルダーレジスト層５１Ｂの開口部５２Ｂに接続パッド５５Ｂの表面が露出している。接続パッド５５Ｂの形状は、導体層２２ｂのパターニングにより規定されるか、ソルダーレジスト層５１Ｂの開口部５２Ｂにより画定され得る。

実施形態のプリント配線板１の第１表面１Ｆには、凹部３５に収容される電子部品以外の電子部品（図示せず）が実装され得る。接続パッド５５Ｆは、第１表面１Ｆに実装される電子部品の電極と接続されてよい。凹部３５内の電子部品と第１表面１Ｆ上の電子部品とが、短い経路で電気的に接続され得る。

実施形態のプリント配線板１は、マザーボードとして用いられる外部の配線板（図示せず）に実装されてもよい。第１表面１Ｆに電子部品が実装される場合は、プリント配線板１は、第２表面１Ｂをマザーボード側に向けて実装されてよい。その場合、接続パッド５５Ｂは、マザーボード上の接続パッドなどと接続されてよい。

第１表面１Ｆの接続パッド５５Ｆと、第２表面１Ｂの接続パッド５５Ｂとは、ビア導体１１ｃ、１２ｃ、２１ｃ、および２２ｃを介して互いに電気的に接続されてよい。接続パッド５５Ｆおよび接続パッド５５Ｂは、ビア導体１１ｃ、１２ｃ、２１ｃ、および／または２２ｃを介してプリント配線板１内の導体層それぞれと電気的に接続されてよい。また、接続パッド５５Ｆおよび接続パッド５５Ｂは、凹部ビア導体１１１と電気的に接続されてよい。たとえば、図２Ａに示される例では、接続パッド５５Ｆは、凹部ビア導体１１１と、導体層１１ｂ内の配線パターン１１ｂａを介して電気的に接続されている。配線パターン１１ｂａは、また、凹部ビア導体１１１と、第１ビルドアップ配線層１０内の層間ビア導体１１２およびビア導体１２ｃとを接続している。凹部ビア導体１１１は、層間ビア導体１１２と接続されることにより第２表面１Ｂ側の接続パッド５５Ｂ（図１参照）と電気的に接続され得る。第１ビルドアップ配線層１０の最表層の導体層１２ｂを経由せずに、凹部３５に近い内層の導体層１１ｂを介して、凹部ビア導体１１１と接続パッド５５Ｂとが電気的に接続される。凹部ビア導体１１１と接続パッド５５Ｂとの間の接続経路が短くなると考えられる。凹部３５内に収容される電子部品と、たとえば、第２表面１Ｂ側に接続されるマザーボードなどとが低い電気抵抗で接続されると考えられる。

図３Ａおよび図３Ｂには、接続パッド５５Ｂおよび接続パッド５５Ｆが、それぞれ、Ｘ方向およびＹ方向に等ピッチで形成される例が示されている。図３Ａの例では、接続パッド５５Ｂは、凹部３５の周囲を２列で周回するように形成されている。図３Ｂの例では、接続パッド５５Ｆは、第１表面１Ｆの略全面にわたってドットパターン状に形成されている。しかしながら、接続パッド５５Ｆ、５５Ｂの配置は、図３Ａまたは図３Ｂに示される配置に限定されない。任意の数の接続パッド５５Ｆ、５５Ｂが、プリント配線板１に実装される電子部品や、プリント配線板１と接続されるマザーボードの配線パターンなどに応じて任意の位置に形成されてよい。

図３Ａに示される例では、凹部３５の平面形状は略正方形である。凹部３５の平面形状は、これに限定されず、他の形状であってもよい。たとえば、凹部３５は、三角形、矩形、五角形以上の多角形、円形または楕円形などであってもよい。凹部３５内に収容される電子部品の形状などに応じて、任意の平面形状の凹部３５が形成されてよい。また、凹部３５の平面形状が多角形の場合、コーナー部に、面取り形状またはアール付けされた形状を有していてもよい。電子部品などを覆う保護樹脂などが凹部３５内に充填される場合に、コーナー部に未充填箇所が生じ難いと考えられる。

コア基板３０を構成する絶縁基板３３は、主に、ガラスクロスやアラミド繊維などの補強材と、これらの補強材に含浸されたエポキシ樹脂などの樹脂材料で形成される。樹脂材料は、シリカなどの無機粒子を含んでいてもよい。絶縁基板３３は、樹脂材料だけで形成されていてもよい。

第１および第２ビルドアップ配線層１０、２０内の樹脂絶縁層１１ａ、１２ａ、２１ａ、および２２ａは、エポキシ樹脂などの樹脂材料により主に形成される。絶縁基板３３と同様にシリカなどの無機粒子を含んでいてもよい。樹脂絶縁層１１ａ、１２ａ、２１ａ、および２２ａは、ガラスクロスなどの補強材を含んでいない方が好ましいことがある。たとえば、樹脂絶縁層１１ａ、１２ａ、２１ａ、および２２ａと無電解めっきなどによる金属被膜との密着性が向上することがある。また、実施形態のプリント配線板１では、樹脂絶縁層１１ａにより形成される凹部３５の底面３５ａにガラスクロスなどの補強材が樹脂部分から突出するように露出することが生じない。電子部品（図示せず）が底面３５ａに形成されている接続パッド１５に安定して接続され得る。しかしながら、金属被膜との密着性や補強材の露出などの問題が少ない場合などは、樹脂絶縁層１１ａ、１２ａ、２１ａ、および２２ａは、補強材を含んでいてもよい。補強材を含む絶縁基板３３は、補強材を含む樹脂絶縁層１１ａ、１２ａ、２１ａ、および２２ａ、または、補強材を含まない樹脂絶縁層１１ａ、１２ａ、２１ａ、および２２ａと組み合わされてもよい。

コア基板３０の第１および第２導体層３１、３２は多層構造であってよい。たとえば、第１および第２導体層３１、３２は、それぞれ、絶縁基板３３に積層された金属箔と、この金属箔上に形成されている１または２以上の金属膜との積層構造を有していてよい。図１には、第１および第２導体層３１、３２が３層構造で形成されている例が示されている。第１および第２導体層３１、３２の構造は、これに限定されず、金属箔または金属膜による単層構造であってもよい。第１および第２導体層３１、３２は、好ましくは銅により形成される。コア基板３０内のスルーホール導体３４は、絶縁基板３３を貫通する孔に充填されている銅などの導電体により形成される。好ましくは、スルーホール導体３４は、第１および第２導体層３１、３２を形成する１または２以上の金属膜と一体に形成される。

第１および第２ビルドアップ配線層１０、２０内の導体層１１ｂ、１２ｂ、２１ｂ、および２２ｂは、第１および第２導体層３１、３２と同様に、銅などの金属箔や金属膜による多層構造を有していてよい。或いは、導体層１１ｂ、１２ｂ、２１ｂ、および２２ｂは、それぞれ、単層構造であってよい。図１には、導体層１１ｂ、２１ｂが３層構造であり、導体層１２ｂ、２２ｂが２層構造の例が示されている。第１および第２ビルドアップ配線層１０、２０内のビア導体１１ｃ、１２ｃ、２１ｃ、および２２ｃは、それぞれ、樹脂絶縁層１１ａ、１２ａ、２１ａ、および２２ａを貫通する孔に充填されている銅などの導電体により形成される。好ましくは、各ビア導体は、第１および第２ビルドアップ配線層１０、２０内の各導体層を形成する１または２以上の金属膜と一体に形成される。

ソルダーレジスト層５１Ｆには、接続パッド５５Ｆを露出する開口部５２Ｆが設けられている。ソルダーレジスト層５１Ｂには、接続パッド５５Ｂを露出する開口部５２Ｂが設けられている。図１に示される例では、開口部５２Ｆに露出する接続パッド５５Ｆ上に保護膜５６Ｆが形成されている。接続パッド５５Ｂ上に保護膜５６Ｂが形成されている。保護膜５６Ｆ、５６Ｂは、接続パッド５５Ｆ、５５Ｂを酸化などの腐食から保護し、および／または、接続パッド５５Ｆ、５５Ｂ上の電子部品との接続を強固にすることがある。

図示されていないが、保護膜５６Ｆ、５６Ｂと同様の材料による保護膜が、凹部３５内の接続パッド１５の表面１５ａ上に形成されていてもよい。凹部３５内に収容される電子部品との強固で信頼性の高い接続が得られることがある。図２Ｃに示されるように、表面１５ａが、樹脂絶縁層１１ａからなる周囲の部分よりも凹んでいると、保護膜の形成スペースが確保されると共に、意図しない保護膜の拡大などが制限され、接続パッド１５間でのショートなどが抑制されると考えられる。

図４Ａには、１つのビルドアップ層のみから、それぞれ構成される第１および第２ビルドアップ配線層１１０、１２０を有する実施形態のプリント配線板１０１が示されている。図１に示されるプリント配線板１と同様の要素についての説明や図中の符号は省略される。第１ビルドアップ配線層１１０はビルドアップ層１１だけで構成されている。また、第２ビルドアップ配線層１２０はビルドアップ層２１だけで構成されている。図１のプリント配線板１よりも薄いプリント配線板１０１が得られることがある。しかも、コア基板３０の厚さを含む、たとえば１００μｍを超える深さの凹部１３５が形成され得る。

また、実施形態のプリント配線板は、２つを超える数のビルドアップ層からなる第１および第２ビルドアップ配線層を有していてもよい。図４Ｂには、３つのビルドアップ層から、それぞれ構成される第１および第２ビルドアップ配線層２１０、２２０を有するプリント配線板２０１が示されている。図４Ｂに示されるプリント配線板２０１では、第１ビルドアップ配線層２１０は、ビルドアップ層１１、１２、およびビルドアップ層１３で構成されている。また、第２ビルドアップ配線層２２０は、ビルドアップ層２１、２２、およびビルドアップ層２３で構成されている。プリント配線板２０１内に、より複雑な電気回路が形成され得る。

ビルドアップ層１３、２３は、それぞれ、ビルドアップ層１１、２１と同様の構造を有している。ビルドアップ層１３は、絶縁基板３３の第１面３３Ｆ上に形成されている樹脂絶縁層１３ａと、樹脂絶縁層１３ａ上に形成されている導体層１３ｂとを有している。樹脂絶縁層１３ａ内には、樹脂絶縁層１３ａを貫通し、導体層１３ｂと第１導体層３１とを接続するビア導体１３ｃが形成されている。ビルドアップ層２３は、絶縁基板３３の第２面３３Ｂ上に形成されている樹脂絶縁層２３ａと、樹脂絶縁層２３ａ上に形成されている導体層２３ｂとを有している。樹脂絶縁層２３ａ内には、樹脂絶縁層２３ａを貫通し、導体層２３ｂと第２導体層３２とを接続するビア導体２３ｃが形成されている。樹脂絶縁層１３ａ、２３ａは、樹脂絶縁層１１ａ、２１ａと同様の材料で形成され得る。導体層１３ｂ、２３ｂは、導体層１１ｂ、２１ｂと同様の材料で形成され得る。また、ビア導体１３ｃ、２３ｃは、ビア導体１１ｃ、２１ｃと同様の材料で形成され得る。

図４Ｂに示されるプリント配線板２０１では、第２ビルドアップ層２２０およびコア基板３０を貫通し、さらに、ビルドアップ層１３を貫通する凹部２３５が形成されている。凹部２３５は、図１に例示される実施形態の凹部３５と同様に、ビルドアップ層１１内に底面２３５ａを有している。実施形態のプリント配線板の凹部は、コア基板３０に隣接するビルドアップ層内ではなく、凹部２３５のように、さらにプリント配線板１の第１表面１Ｆ側に形成されているビルドアップ層内に底面を有していてもよい。プリント配線板の厚さを厚くすることなく、より厚い電子部品（図示せず）を収容可能な、いっそう深い凹部が形成され得る。なお、ビルドアップ層１３、２３が形成される点と、凹部２３５がビルドアップ層１３を貫通している点を除けば、図１に示されるプリント配線板１と図４Ｂに示されるプリント配線板２０１とは、略同じ構造である。従って、同様の要素についての説明や図中の符号は省略される。

図示されていないが、実施形態のプリント配線板は、図４Ａに示される構造と図４Ｂに示される構造とが組み合わされた構造であってもよい。すなわち、図４Ｂに示される構造において、ビルドアップ層１２およびビルドアップ層２２が設けられない構造であってもよい。実施形態のプリント配線板の第１および第２ビルドアップ配線層の構成は、プリント配線板内に形成されるべき電気回路の規模や複雑性、および／または、実装される電子部品の数や種類に応じて適宜決定され得る。

図１に示される実施形態のプリント配線板１の製造方法の一例が、図５Ａ〜５Ｋを参照して説明される。図５Ａに示されるように、第１面３３Ｆと第１面３３Ｆと反対側の第２面３３Ｂとを有する絶縁基板３３の第１面３３Ｆに金属箔３１ａが積層され、第２面３３Ｂに金属箔３２ａが積層されている積層板３０ａが用意される。絶縁基板３３は、好ましくは、ガラスクロスなどの補強材と、補強材に含浸された樹脂材料で形成されている。樹脂材料は、エポキシ樹脂などであってよく、シリカなどの無機粒子を含んでいてもよい。金属箔３１ａ、３２ａは、好ましくは銅箔である。積層板３０ａは、市販の両面銅張積層板であってよい。積層板３０ａの厚さは、たとえば、５０〜４００μｍである。金属箔３１ａ、３２ａの厚さは、たとえば、１〜１５μｍ程度である。

金属箔３１ａと金属箔３２ａとが接続される位置に積層板３０ａを貫く貫通孔が形成される。積層板３０ａの両側から平面視で同じ位置に、たとえば、レーザー光が照射される。たとえば、ＣＯ₂レーザーが用いられる。貫通孔内および金属箔３１ａ、３２ａ上に無電解めっきやスパッタリングなどにより、金属被膜が形成される。続いて、たとえば、金属被膜上に、図示しないめっきレジスト膜が形成される。めっきレジスト膜には、第１導体層３１または第２導体層３２（図５Ｂ参照）の形成箇所に応じた位置に開口部が設けられる。金属被膜をシード層として電流が供給され、めっきレジスト膜の開口部に露出する金属被膜上に、電解めっき膜が形成される。図５Ｂに示されるように、金属箔３１ａ、金属被膜３１ｂおよび電解めっき膜３１ｃからなる第１導体層３１が形成される。金属箔３２ａ、金属被膜３２ｂおよび電解めっき膜３２ｃからなる第２導体層３２が形成される。また、第１導体層３１と第２導体層３２とを接続するスルーホール導体３４が形成される。その後、めっきレジスト膜が除去される。

めっきレジスト膜の除去により露出する金属被膜３１ｂ、３２ｂ、および、それらの下方の金属箔３１ａ、３２ａがエッチングなどにより除去される。所定の導体パターンにパターニングされている第１および第２導体層３１、３２が得られる。第１および第２導体層３１、３２は、金属被膜３１ｂ、３２ｂ上の全面に電解めっき膜３１ｃ、３２ｃなどが形成され、その後、所定の導体パターンが形成されるようにエッチングされることにより形成されてもよい。第１および第２導体層３１、３２の形成の結果、図５Ｂに示されるように、絶縁基板３３および絶縁基板３３の両面に設けられている導体パターンからなる導体付き基板３０が用意される。なお、凹部３５（図１参照）が形成される領域Ａの金属箔３１ａ、３２ａは、図５Ｂに示されるように、好ましくは、絶縁基板３３を露出するように除去される。実施形態のプリント配線板の製造方法では、導体付き基板３０の表面上にビルドアップ配線層の樹脂絶縁層が形成される。そのため、以下の説明では、導体付き基板３０は、主に、コア基板３０と称される。

第１および第２ビルドアップ配線層１０、２０（図５Ｇ参照）が形成される。実施形態のプリント配線板の製造方法では、好ましくは、絶縁基板３３と第１ビルドアップ配線層１０との界面または第１ビルドアップ配線層１０内に、凹部３５（図１参照）の形成時に工程途上のプリント配線板から除去される部分の分離膜が設けられる。分離膜は、除去される部分と除去されない部分との分離を容易にする。図１に示される実施形態のプリント配線板が製造される場合は、分離膜が絶縁基板３３の第１面３３Ｆ上に設けられる。

図５Ｃには、分離膜４０が、絶縁基板３３の第１面３３Ｆ上であって絶縁基板３３と第１ビルドアップ配線層１０との界面に設けられる方法の一例が示されている。図５Ｃに示される例では、分離膜４０は予め所定の平面形状に成形される。所定の平面形状を有する分離膜４０が、絶縁基板３３の第１面３３Ｆ上の凹部３５が形成される領域Ａに配置される。図１に示される実施形態のプリント配線板１が製造される場合は、さらに、分離膜４０の絶縁基板３３側と反対側の表面に金属箔４２が積層される。金属箔４２は、たとえば、凹部３５の形成のためにレーザー光が用いられる場合に、そのレーザー光のストッパとして機能する。そのため、図５Ｃに示されるように、金属箔４２の方が分離膜４０よりも大きい方が好ましいことがある。

図５Ｃに示されるように、好ましくは、絶縁基板３３の第１面３３Ｆ上に、分離膜４０および金属箔４２を間に挟むようにシート状またはフィルム状の樹脂材料６１ａが積層される。樹脂材料６１ａは、第１ビルドアップ配線層１０の樹脂絶縁層１１ａ（図５Ｄ参照）を構成する。図示されていないが、樹脂材料６１ａに加えて、分離膜４０または金属箔４２の大きさに応じて設けられる開口を有するシート状の樹脂材料が、その開口を分離膜４０および／または金属箔４２の位置に合せて積層されてよい。そのような開口を有するシート状の樹脂材料は、金属箔４２の上方または下方に積層され得る。分離膜４０および金属箔４２の存在による樹脂材料６１の表面の段差が少なくなると考えられる。また、絶縁基板３３の第２面３３Ｂ上に、樹脂材料６１ａと同態様の樹脂材料７１ａが積層される。樹脂材料７１ａは第２ビルドアップ配線層２０の樹脂絶縁層２１ａ（図５Ｄ参照）を構成する。図５Ｃに示されるように、樹脂材料６１ａ、７１ａそれぞれのコア基板３０側と反対側の表面上に金属箔１１ｂ１、２１ｂ１がそれぞれ積層されてもよい。以下の説明で参照される図５Ｄ〜５Ｋにも、金属箔１１ｂ１、２１ｂ１が積層される例が示されている。

樹脂材料６１ａ、７１ａが、コア基板３０側に向かって加圧されると共に加熱される。コア基板３０と樹脂材料６１ａ、７１ａとが接合すると共に、樹脂材料６１ａ、７１ａからそれぞれなる樹脂絶縁層１１ａ、２１ａが形成される（図５Ｄ参照）。金属箔１１ｂ１、２１ｂ１が積層される場合は、金属箔１１ｂ１、２１ｂ１と共に樹脂材料６１ａ、７１ａが加圧される。分離膜４０や金属箔４２を挟み込まれる場合でも、樹脂材料６１ａに適切な圧力が加えられ、表面の平坦な樹脂絶縁層１１ａが得られると考えられる。金属箔１１ｂ１、２１ｂ１は熱および圧力により樹脂絶縁層１１ａ、２１ａに接合される。図５Ｄに示されるように、絶縁基板３３と第１ビルドアップ配線層１０（図５Ｇ参照）を構成する樹脂絶縁層１１ａとの界面の一部に分離膜４０が設けられ得る。分離膜４０の絶縁基板３３側と反対側の表面に金属箔４２が積層されている。金属箔４２の分離膜４０側と反対側の表面を覆うように樹脂層（樹脂絶縁層１１ａ）が形成されている。

分離膜４０は、金属箔４２と強固に接着せず容易に剥離し得る材料からなる。分離膜４０の材料は、樹脂材料６１ａとも強固に接着せずに容易に剥離し得るものが好ましいことがある。分離膜４０の材料は、金属箔４２や樹脂材料６１ａと強固に接着しないが、界面へ液体の浸透を防ぎ得る程度に密着し得るものが好ましいことがある。分離膜４０の材料は、絶縁基板３３と適度な接着性を有するものが好ましい。凹部３５の形成時に、絶縁基板３３の凹部３５の形成のために除去される部分に付着することにより分離膜４０が容易に除去され得るからである。分離膜４０の材料は、ポリイミド樹脂などが例示される。

分離膜４０の平面形状は、好ましくは、凹部３５の平面形状に応じて適宜決定される。分離膜４０の平明形状は、三角形、矩形、五角形以上の多角形、円形または楕円形であってよい。分離膜４０の平面視での大きさは、好ましくは、凹部３５の形成領域の大きさに応じて適宜決定される。図５Ｃには、凹部３５の形成領域Ａと略同じ大きさの分離膜４０が設けられる例が示されているが、これに限定されず、分離膜４０は凹部３５の形成領域よりも多少大きくても小さくてもよい。分離膜４０の厚さは、たとえば、５〜１０μｍが例示される。深い凹部３５の形成に寄与することができ、かつ、樹脂材料を硬化させることにより分離膜４０が形成される場合に比較的短時間で樹脂材料が硬化すると考えられる。

分離膜４０を設ける方法は、図５Ｃに例示される方法に限定されない。たとえば、分離膜４０は、凹部３５の形成領域の絶縁基板３３の第１面３３Ｆ上に、液体やペースト状などの状態の分離膜４０の材料が供給され、硬化されることにより形成されてもよい。ペースト状などの状態の分離膜４０の材料はマスク印刷などにより供給されてよい。

金属箔４２の材料は、分離膜４０の除去後に、他の構成材料にダメージを与えることなく容易にエッチングなどにより除去できるものであれば、特に限定されない。金属箔４２は、好ましくは銅箔である。金属箔の厚さは、１〜１５μｍ程度である。深い凹部３５の形成に寄与することができ、かつ、取扱いが容易なうえ、たとえばエッチングにより金属箔４２が除去されるときに多くの時間が必要とされない。金属箔４２の平面形状は、好ましくは、分離膜４０の平面形状に応じて適宜決定される。金属箔４２は、前述のように、たとえば凹部３５の形成時のレーザー光のストッパとして機能する。その場合、絶縁基板３３などの一部であってレーザー光の照射経路に囲まれる部分が、好ましくは分離膜４０と共に除去される。従って、金属箔４２の平面形状は分離膜の平面形状と略相似形であり、金属箔４２の方が分離膜４０よりも大きいことが好ましい。金属箔４２の平面視の大きさおよび形状は、分離膜４０の外形を全周にわたってレーザー光の幅だけ拡げて得られる大きさおよび形状であってよい。

実施形態のプリント配線板の製造方法では、金属箔４２が必ずしも積層される訳ではない。レーザー光が用いられない場合は、金属箔４２は積層されないかもしれない。レーザー光が用いられる場合でも、金属箔４２が不要な場合がある。第１ビルドアップ配線層１０の積層方向のレーザー光の到達域が他の方法により制御されれば、金属箔４２は積層されないかもしれない。その場合、分離膜４０は、樹脂材料６１ａと強固に接着せずに容易に剥離され得るものが好ましい。

樹脂材料６１ａ、７１ａは、たとえば、エポキシ樹脂などで主に形成される。樹脂材料６１ａ、７１ａは、シリカなどの無機粒子を含んでいてもよい。樹脂材料６１ａ、７１ａの厚さは、たとえば１５〜３０μｍである。金属箔１１ｂ１は、第１ビルドアップ配線層１０内の導体層１１ｂ（図５Ｆ参照）の一部を、金属箔２１ｂ１は、第２ビルドアップ配線層２０内の導体層２１ｂ（図５Ｆ参照）の一部を、それぞれ構成する。金属箔１１ｂ１、２１ｂ１は、好ましくは銅箔である。金属箔１１ｂ１、２１ｂ１の厚さは、１〜１５μｍが例示される。

図１に示される実施形態のプリント配線板１が製造される場合は、図５Ｅに示されるように、金属箔４２の表面を覆う樹脂層（樹脂絶縁層１１ａ）に金属箔４２を露出する貫通孔１１３が形成される。樹脂絶縁層１１ａには、第１導体層３１を露出する貫通孔１１４も形成される。また、樹脂絶縁層２１ａには、第２導体層３２を露出する貫通孔２１ｃ１が形成される。貫通孔１１３、１１４は、金属箔１１ｂ１の表面上へのＣＯ₂レーザー光の照射などにより形成される。貫通孔２１ｃ１は、金属箔２１ｂ１の表面上へのＣＯ₂レーザー光の照射などにより形成される。

第１および第２ビルドアップ配線層１０、２０の導体層１１ｂ、２１ｂ（図５Ｆ参照）が、それぞれ形成される。まず、金属箔１１ｂ１、２１ｂ１上、および貫通孔１１３、１１４、２１ｃ１内に無電解めっきやスパッタリングにより金属被膜が形成される。導体層１１ｂ、２１ｂが所謂パターンめっき法で形成される場合は、この金属被膜上にめっきレジスト膜（図示せず）が形成される。貫通孔１１３、１１４、２１ｃ１を含む導体層１１ｂまたは導体層２１ｂの形成箇所に対応するめっきレジスト膜の各領域には開口部が設けられる。金属被膜をシード層とする電解めっきにより、この開口部に露出する金属被膜上にめっき膜が形成される。その後、図示されないめっきレジスト膜が除去される。それにより露出する金属被膜１１ｂ２、２１ｂ２、および、その下方の金属箔１１ｂ１、２１ｂ１が除去される。

図５Ｆに示されるように、金属箔４２の表面を覆う樹脂層（樹脂絶縁層１１ａ）上に３層の金属層からなる導体層１１ｂが形成される。導体層１１ｂは、金属箔１１ｂ１、金属被膜１１ｂ２、電解めっき膜１１ｂ３からなる。樹脂絶縁層２１ａ上に、金属箔２１ｂ１、金属被膜２１ｂ２、電解めっき膜２１ｂ３からなる導体層２１ｂが形成される。貫通孔１１３、１１４内には、無電解めっきなどと電解めっきとで導体が埋め込まれることによりビア導体１１１、１１２がそれぞれ形成される。ビア導体１１１は、導体層１１ｂと金属箔４２とを接続している。樹脂絶縁層２１ａ内の貫通孔２１ｃ１にはビア導体２１ｃが形成される。

第１導体層３１上に、樹脂絶縁層１１ａと導体層１１ｂとが積層されてなるビルドアップ層１１が形成される。第２導体層３２上に、樹脂絶縁層２１ａと導体層２１ｂとが積層されてなるビルドアップ層２１が形成される。導体層１１ｂ、２１ｂは、パターンめっき法ではなく、所謂パネルめっき法により形成されてもよい。なお、図５Ｆに示される例では、凹部３５（図１参照）の形成領域Ａの金属箔２１ｂ１は全て除去されている。しかしながら、反りの抑制などのために、凹部３５の形成領域Ａの金属箔２１ｂ１が除去されず、凹部３５の形成領域Ａ内に導体層２１ｂが形成されてもよい。

図１に示される実施形態のプリント配線板１が製造される場合は、図５Ｇに示されるように、ビルドアップ層１１上にビルドアップ層１２が形成される。ビルドアップ層２１上にビルドアップ層２２が形成される。ビルドアップ層１２は、ビルドアップ層１１上に形成されている樹脂絶縁層１２ａと、樹脂絶縁層１２ａ上に積層されている導体層１２ｂとからなる。樹脂絶縁層１２ａには、ビア導体１２ｃが形成されている。ビルドアップ層２２は、ビルドアップ層２１上に形成されている樹脂絶縁層２２ａと、樹脂絶縁層２２ａ上に積層されている導体層２２ｂとからなる。樹脂絶縁層２２ａには、ビア導体２２ｃが形成されている。ビルドアップ層１２、２２が形成されることにより、絶縁基板３３の第１面３３Ｆ上および第１導体層３１の導体パターン上に、２つの樹脂絶縁層と２つの導体層とを有する第１ビルドアップ配線層１０が形成される。絶縁基板３３の第２面３３Ｂ上および第２導体層３２の導体パターン上に、２つの樹脂絶縁層と２つの導体層とを有する第２ビルドアップ配線層２０が形成される。

ビルドアップ層１２、２２は、分離膜４０の配置、金属箔４２の積層、およびビア導体１１１の形成が行われないこと以外は、ビルドアップ層１１、２１と同様の方法で、同様の材料を用いて形成され得る。すなわち、樹脂絶縁層１２ａ、２２ａは、樹脂絶縁層１１ａ、２１ａと同様に形成される。たとえば、シート状の樹脂材料がビルドアップ層１１、２１上に積層され、加熱および加圧されることにより樹脂絶縁層１２ａ、２２ａが形成される。この際に分離膜４０の配置や金属箔４２の積層は行われない。導体層１２ｂ、２２ｂは、無電解めっきなどによる金属被膜と電解めっき膜により形成され得る。図５Ｇには、導体層１１ｂ、２１ｂ中の金属箔１１ｂ１、２１ｂ１のような金属箔の層を含まない２層構造の導体層１２ｂ、２２ｂの例が示されている。ビア導体１２ｃ、２２ｃも、ビア導体２１ｃなどと同様に電解めっき膜などにより形成される。

実施形態のプリント配線板の製造方法では、図５Ｈに示されるように、第１ビルドアップ配線層１０側の表面にソルダーレジスト層５１Ｆが形成される。第２ビルドアップ配線層２０側の表面にソルダーレジスト層５１Ｂが形成される。第１ビルドアップ配線層１０側の表面は、図１に示される実施形態のプリント配線板１の第１表面１Ｆである。同様に、第２ビルドアップ配線層２０側の表面はプリント配線板１の第２表面１Ｂである。

たとえば、感光性の樹脂からなる樹脂層が、第１および第２ビルドアップ配線層の表面に形成され、露光および現像されることにより、開口部５２Ｆまたは開口部５２Ｂを有するソルダーレジスト層５１Ｆ、５１Ｂが形成される。好ましくは、第２ビルドアップ配線層２０上の凹部３５（図１参照）の形成領域Ａには、ソルダーレジスト層は形成されない。凹部３５の形成が容易になると考えられる。また、凹部３５の形成時のストレスなどによるソルダーレジスト層５１Ｂの損傷が防止され得る。ソルダーレジスト層５１Ｆ、５１Ｂは、スクリーン印刷などの他の方法で形成されてもよい。ソルダーレジスト層５１Ｆ、５１Ｂの材料は、特に限定されない。好ましくは、シリカなどの無機フィラーが４０〜７０質量％含有されたエポキシ樹脂が用いられる。

開口部５２Ｆは、接続パッド５５Ｆを露出させるように設けられる。開口部５２Ｂは、接続パッド５５Ｂを露出させるように設けられる。接続パッド５５Ｆ、５５Ｂの露出面には、好ましくは、図５Ｇに示されるように、保護膜５６Ｆまたは保護膜５６Ｂが形成される。保護膜５６Ｆ、５６Ｂは、Ｎｉ／Ａｕ、Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕ、またはＳｎなどの複数または単一の金属膜であってよく、たとえば、めっきにより形成される。また、液状の保護膜の材料への浸漬などによりＯＳＰ膜が保護膜５６Ｆ、５６Ｂとして形成されてもよい。

ソルダーレジスト層５１Ｆ、５１Ｂ、および、保護膜５５Ｆ、５５Ｂは、以下に説明される凹部３５の形成後に順次形成されても、或いは、全く形成されなくてもよい。ソルダーレジスト層５１Ｆ、５１Ｂ、および、保護膜５５Ｆ、５５Ｂが、第１および第２ビルドアップ配線層１０、２０の形成直後に形成されると、凹部３５の形成時などにおける汚損や腐食から保護され得る。

コア基板３０および第２ビルドアップ配線層２０を貫通する凹部３５（図１参照）が形成される。図５Ｈ〜５Ｋには、その方法の一例が示される。第２ビルドアップ配線層２０のコア基板３０側と反対側の表面、すなわち第２表面１Ｂから、少なくとも絶縁基板３３を貫通し、好ましくは、分離膜４０に至る溝４４が形成される（図５Ｈおよび図５Ｉ）。溝４４は、好ましくは分離膜４０を含んでいる所定の凹部３５の形成領域Ａを囲むように形成される（図５Ｊ）。絶縁基板３３および第２ビルドアップ配線層２０の溝４４で囲まれている領域内の部分が除去されると共に、好ましくは分離膜４０が除去される（図５Ｋ）。好ましくは分離膜４０の除去後に露出する金属箔４２が除去されることにより、凹部３５が形成される。

図５Ｈに示されるように、第２ビルドアップ配線層２０および絶縁基板３３を貫通する溝４４が形成される。溝４４は、図５Ｊに示されるように、凹部３５の形成領域Ａを囲むように枠状に形成される。従って、溝４４の経路は、凹部３５の平面形状に応じて決定される。図５Ｊは、略正方形の枠状の溝４４が形成される例である。溝４４の形成方法は、特に限定されないが、レーザー光の照射による方法が好ましい。プリント配線板１の各構成材料への機械的な衝撃などが少ないと考えられる。レーザー光は、溝４４の深さやプリント配線板１へのストレスにも影響するパワーの調整も容易である。照射位置も精度よく制御され得るうえ加工速度も速い。たとえばＣＯ₂レーザーが用いられる。しかしながら、溝４４は、ルーターやドリルなどによる機械的な研削により形成されてもよい。分離膜４０が設けられている場合は、溝４４は、少なくとも分離膜４０まで達するように形成されるのが好ましい。溝４４に囲まれる絶縁基板３３などの除去が容易になると考えられる。

レーザー光が用いられ、かつ、分離膜４０が設けられる場合は、好ましくは、図５Ｈに示されるように、分離膜４０の下方に積層されている金属箔４２まで達するようにレーザー光が照射され、金属箔４２まで達する溝４４が形成される。金属箔４２がレーザー光のストッパとして機能する。金属箔４２の下方の部分にレーザー光が照射されるおそれなく、分離膜４０付近の絶縁基板３３や第１ビルドアップ配線層１０の除去される部分とその他の部分とが確実に溝４４で分断され得る。レーザー光は、平面視で金属箔４２の積層範囲内に照射されるのが好ましい。その場合、図５Ｊに示されるように、溝４４は金属箔４２の積層範囲内に形成される。

レーザー光は、分離膜４０が設けられている場合は、好ましくは、分離膜４０の外縁に沿って照射される。たとえば、図５Ｉに示されるように、溝４４の分離膜４０の内方側の内壁４４ａが分離膜４０の端面４０ａに一致するようにレーザー光が照射される。図５Ｉは、図５Ｈの５Ｉ部の拡大図である。絶縁基板３３の凹部３５形成のために除去される部分３３ａと除去されない部分３３ｂとが溝４４で分断される。また、分離膜４０と絶縁基板３３の除去されない部分３３ｂとが分断される。さらに、分離膜４０と第１ビルドアップ配線層１０内の樹脂絶縁層１１ａとが分断される。分離膜４０は金属箔４２と接しているが、前述のように、分離膜４０は金属箔４２と強固に接着せず容易に剥離し得る材料で形成される。絶縁基板３３の除去される部分３３ａおよび分離膜４０の除去が容易であると考えられる。分離膜４０が、絶縁基板３３（具体的には除去されない部分３３ｂ）との間や樹脂絶縁層１１ａとの間に接着性を有している場合でも、溝４４で分断されているため残存し難いと考えられる。

このように、レーザー光は、分離膜４０が設けられている場合は、分離膜４０の外縁に沿って形成されるのが好ましい。前述のように、レーザー光は、ストッパとして機能する金属箔４２の積層範囲内に照射されるのが好ましい。従って、金属箔４２は、分離膜４０と略相似形の平面形状を有し、平面視で分離膜４０よりも大きく、分離膜４０と中心位置を揃えて積層されるのが好ましい。

しかしながら、溝４４の形成位置と分離膜４０との位置関係は、図５Ｉに示される例に限定されない。たとえば、図６Ａに示されるように、溝４４と分離膜４０とが少し離れていてもよい。この場合、溝４４と分離膜４０との間に、金属箔４２と接した状態で、樹脂絶縁層１１ａの一部１１ａ１が存在する。しかしながら、絶縁基板３３の除去される部分３３ａや分離膜４０が除去されるときに、この一部１１ａ１が金属箔４２から剥がされて除去されるかもしれない。樹脂絶縁層１１ａの一部１１ａ１は、分離膜４０などと共に除去されない場合でも、後述の金属箔４２の除去により付着対象物が消滅するためプリント配線板１から遊離し得る。

また、溝４４は、図６Ｂに示されるように、分離膜４０の外縁よりも内側に形成されてもよい。この場合、分離膜４０の一部４０ｂが、絶縁基板３３の除去されない部分３３ｂ、および樹脂絶縁層１１ａに接した状態で金属箔４２上に存在する。分離膜４０の一部４０ｂ以外の部分が除去されても、絶縁基板３３の除去されない部分３３ｂとの接着力により金属箔４２上に残存するかもしれない。しかしながら、後述のように、金属箔４２がエッチングなどにより除去される際に、エッチング液の作用などにより剥離して除去されるかもしれない。また、分離膜４０の一部４０ｂがそのまま残存しても、分離膜４０がポリイミド樹脂などの絶縁性の材料で形成されていれば、大きな問題はないと考えられる。

溝４４が図６Ｂに示される位置に形成され、その後、分離膜４０の一部４０ｂが、前述のエッチング液の作用などで除去されることにより、前述の図２Ｂに示されるような凹部３５の第１ビルドアップ配線層１０内の内壁面の凹み形状が形成される。すなわち、分離膜４０の一部４０ｂの端面と接している樹脂絶縁層１１ａの部分が壁面３５ｆとなる。金属箔４２の端面と接している部分が壁面３５ｇとなる。

第２ビルドアップ配線層２０および絶縁基板３３の一部であって枠状の溝４４に囲まれた領域が除去される。好ましくは、分離膜４０が、絶縁基板３３に付着して絶縁基板３３の一部などと同時に除去される。図５Ｋに示されるように、コア基板３０および第２ビルドアップ配線層２０を貫通し、金属箔４２の露出面を底面とする凹部３５０が形成される。

第２ビルドアップ配線層２０および絶縁基板３３の除去の方法は、特に限定されない。たとえば、第２ビルドアップ配線層２０の除去される部分の表面が、ツールや治工具の先端に固定され、引き上げられてよい。治工具などとの固定は、吸着や接着などであってよい。治工具などの先端が第２ビルドアップ配線層２０の表面に刺し込まれてもよい。また、除去される部分に金属箔４２の表面に沿う方向の外力が加えられることにより、引き上げに必要な力が弱められてから引き上げられてもよい。そのような外力は超音波などの振動であってよい。また、溝４４の開口部を通して第２ビルドアップ配線層２０の除去される部分の側壁に治工具などが固着され、除去される部分の一端側から引き剥がすようにして除去されてもよい。

前述のように、絶縁基板３３などの除去される部分は、溝４４により周囲の部分と分断され、分離膜４０は金属箔４２から容易に剥離し得る材料で形成される。そのため、絶縁基板３３の一部などの除去の際に、プリント配線板１の他の構成材料に与えるストレスが少ないと考えられる。プリント配線板１の顕在的および潜在的な故障が防止されると考えられる。

分離膜４０の除去により凹部３５０内に露出する金属箔４２が、たとえばエッチングにより除去される。凹部３５が形成される。図１に示される実施形態のプリント配線板１が完成する。凹部３５の底面３５ａは、金属箔４２の除去により露出する面である。そのため、底面３５ａは、分離膜４０および金属箔４２の厚さだけ、絶縁基板３３の第１面３３Ｆから離れた位置にある。図１に示される実施形態では、底面３５ａは、第１ビルドアップ配線層１０の厚さ方向において、第１ビルドアップ配線層１０と、絶縁基板３３の第１導体層３１の導体パターンとの界面よりも絶縁基板３３の第１面３３Ｆから離れた位置にある。合計の厚さが第１導体層３１の厚さよりも厚い分離膜４０および金属箔４２が用いられることにより、図１に示されるような位置に底面３５ａを有する凹部３５が形成され得る。たとえば、比較的厚い電子部品を収容し得る凹部３５が形成される。

金属箔４２の除去により、ビア導体１１１の一面が凹部３５の底面３５ａに露出する。ビア導体１１１は、図１の実施形態のプリント配線板１の凹部ビア導体１１１となる。凹部ビア導体１１１は、凹部３５の底面３５ａに露出する面を接続面とする接続パッドとして機能し得る。凹部ビア導体１１１からなる接続パッドには、凹部３５に収容される電子部品（図示せず）の電極が接続されてよい。図示されていないが、凹部ビア導体１１１の露出面上には、接続パッド５５Ｆ、５５Ｂ上と同様に保護膜が形成されてよい。

凹部３５の形成方法は、図５Ｈ〜５Ｋに例示された方法に限定されない。たとえば、分離膜４０が設けられる場合、凹部３５の形成領域のうち所望の部分、たとえば、特定の電子部品の配置部分だけに分離膜４０が配置されてもよい。そして、分離膜４０の配置部分以外の第２ビルドアップ配線層２０などは、溝４４などがあらかじめ設けられることなく、たとえば、ルーターやドリルなどによって研削されることにより除去される。その後、分離膜４０は、分離膜４０の上方の第２ビルドアップ配線層２０と共に除去され得る。分離膜４０の配置部分以外の領域は、刃先のサイズの選択などにより広範な領域を短い時間で研削し得るドリルなどで効率良く除去される。分離膜４０の配置部分では、分離膜４０または金属箔４２の除去により露出する面が凹部３５の底面３５ａとなり得る。比較的平坦な、たとえば、部品実装に適した面となり得る。

図４Ａに示される実施形態のプリント配線板１０１が製造される場合は、図５Ｇに示されるビルドアップ層１２、２２が形成されることなく、ビルドアップ層１１、２１上にソルダーレジスト層５１Ｆ、５１Ｂがそれぞれ形成される。

図４Ｂに示される実施形態のプリント配線板２０１の製造方法が、図５Ａ〜５Ｋと共に図７Ａ〜７Ｅを参照して、以下に説明される。図７Ａ〜７Ｅに示されるプリント配線板２０１の各構成要素のうち、図５Ａ〜５Ｋに示される構成要素と同じものは、同じ符号を付されるか符号の記載を省略され、その説明も適宜省略される。

図５Ａ〜５Ｂを参照して説明された方法と同様の方法によりコア基板３０が形成される。そして、図５Ｃを参照して説明された方法と同様の方法で、コア基板３０の両面にシート状の樹脂材料が積層される。しかし、図４Ｂに示される実施形態のプリント配線板２０１が製造される場合は、この工程では、分離膜４０および金属箔４２は積層されない。従って、図７Ａに示されるように、第１導体層３１の設けられていない部分の絶縁基板３３の第１面３３Ｆの全面に接するように樹脂絶縁層１３ａが形成される。絶縁基板３３の第２面３３Ｂ上には樹脂絶縁層２３ａが形成される。図５Ｄと同様に、図７Ａには、樹脂絶縁層１３ａ、２３ａ上に金属箔１３ｂ１、２３ｂ１がそれぞれ積層される例が示されているが、金属箔１３ｂ１、２３ｂ１は必ずしも積層されなくてよい。

図５Ｅおよび図５Ｆを参照して説明された方法と同様の方法で、図７Ｂに示されるように、導体層１３ｂ、２３ｂ、ならびに、ビア導体１３ｃ、２３ｃが形成される。絶縁基板３３の第１面３３Ｆ上にビルドアップ層１３が形成される。絶縁基板３３の第２面３３Ｂ上にビルドアップ層２３が形成される。なお、図５Ｄに示される貫通孔１１３、および図５Ｆに示されるビア導体１１１は形成されない。

図７Ｃに示されるように、好ましくは、ビルドアップ層１３上に、分離膜４０および金属箔４２を間に挟むように樹脂材料６１ａが積層される。また、ビルドアップ層２３上に、樹脂材料７１ａが積層される。図７Ｃに示されるように、樹脂材料６１ａ、７１ａそれぞれのコア基板３０側と反対側の表面上に金属箔１１ｂ１、２１ｂ１がそれぞれ積層されてもよい。

樹脂材料６１ａ、７１ａ、ならびに、金属箔１１ｂ１、２１ｂ１が熱圧着され、さらに、図５Ｅ〜５Ｇを参照して説明された方法と同様の方法で、ビルドアップ層１１、１２、およびビルドアップ層２１、２２が形成される。図７Ｄに示されるように、ビルドアップ層１１〜１３からなる第１ビルドアップ配線層１０が形成される。ビルドアップ層２１〜２３からなる第２ビルドアップ配線層２０が形成される。図７Ｄに示されるように、分離膜４０は、第１ビルドアップ配線層１０内の樹脂絶縁層１３ａと樹脂絶縁層１１ａとの間に設けられている。分離膜４０は、前述のように、予め所定の平面形状に成形されて配置されてよく、たとえば、液状の材料が樹脂材料６１ａ上に供給され、硬化されることにより形成されてもよい。

図５Ｈ〜５Ｋを参照して説明された方法と同様の方法で凹部２３５（図４Ｂ参照）が形成される。たとえば、図７Ｅに示されるように、レーザー光の照射などにより溝２４４が形成される。図７Ｅの例では、溝２４４は、第２ビルドアップ配線層２０および絶縁基板３３に加えて、第１ビルドアップ配線層１０の樹脂絶縁層１３ａを貫通し、金属箔４２に達している。溝４４に囲まれている領域の樹脂絶縁層１３ａなどの除去が容易になる。

溝２４４に囲まれている領域の第２ビルドアップ配線層２０、絶縁基板３３、および樹脂絶縁層１３ａが、図５Ｋを参照して説明された方法と同様の方法で、好ましくは、分離膜４０と共に除去される。そして、金属箔４２がエッチングなどにより除去される。図４Ｂに示される凹部２３５が形成される。好ましくは、凹部２３５の形成の前または後に、ビルドアップ層１２、２２の表面にソルダーレジスト層が形成され、ソルダーレジスト層の開口部に露出する接続パッドの表面に保護膜が形成される。図４Ｂに示される実施形態のプリント配線板２０１が完成する。より深い凹部２３５を有するプリント配線板２０１が得られる。

実施形態のプリント配線板の製造方法によれば、第１ビルドアップ配線層の厚さ方向で第１ビルドアップ配線層と絶縁基板の第１面の導体パターンとの界面よりも絶縁基板の第１面から離れた位置に底面を有する凹部が形成される。凹部を深く形成するためにプリント配線板全体の厚さを厚くすることが必ずしも求められない。好ましくは、凹部の底面となる絶縁基板の表面または第１ビルドアップ配線層内の樹脂絶縁層間の凹部の形成領域に、凹部の形成のために除去される部分の分離膜が形成される。絶縁基板などの除去による凹部の形成が容易になると考えられる。また、凹部の形成時にプリント配線板に加わるストレスが少ないと考えられる。プリント配線板の信頼性が向上すると推察される。分離膜は、凹部の形成により除去される絶縁基板の一部などと共に除去される。分離膜の表面に金属箔が積層される場合でも、その金属箔は、一般的なプリント配線板の製造工程で用いられているエッチングなどにより除去され得る。凹部を有するプリント配線板の製造が容易になると考えられる。プリント配線板の製造コストが少なくなると予想される。分離膜や金属箔の除去により、機械加工などとは異なり、比較的平坦で、凹凸の少ない低面粗度の平滑な底面を有する凹部が形成され得る。凹部内に電子部品が実装される場合に、プリント配線板との安定した接続が得られ、プリント配線板が用いられる電子機器の信頼性が高まると推察される。

１、１０１、２０１ プリント配線板
１０、１１０ ２１０ 第１ビルドアップ配線層
１１、１２、１３ ビルドアップ層
１１ａ、１２ａ、１３ａ 樹脂絶縁層
１１ｂ、１２ｂ １３ｂ 導体層
１１ｃ、１２ｃ １３ｃ ビア導体
１１１ 凹部ビア導体
１１２ 層間ビア導体
１５ 接続パッド
１５ａ 接続パッドの表面
２０、１２０、２２０ 第２ビルドアップ配線層
２１、２２、２３ ビルドアップ層
２１ａ、２２ａ、２３ａ 樹脂絶縁層
２１ｂ、２２ｂ、２３ｂ 導体層
２１ｃ、２２ｃ、２３ｃ ビア導体
３０ コア基板（導体付き基板）
３１ 第１導体層
３１０ 第１導体層と第１ビルドアップ配線層との界面
３２ 第２導体層
３３ 絶縁基板
３３Ｆ 絶縁基板の第１面
３３Ｂ 絶縁基板の第２面
３４ スルーホール導体
３５、１３５、２３５ 凹部
３５ａ 凹部の底面
４０ 分離膜
４２ 金属箔
４４、２４４ 溝
５１Ｆ、５１Ｂ ソルダーレジスト層
５５Ｆ、５５Ｂ 接続パッド
５６Ｆ、５６Ｂ 保護膜
１Ｆ プリント配線板の第１表面
１Ｂ プリント配線板の第２表面

Claims (20)

1. 第１面および前記第１面側と反対側の第２面を有する絶縁基板、前記絶縁基板の第１面に設けられる第１導体層、および、前記絶縁基板の第２面に設けられる第２導体層を有するコア基板と、
   前記第１導体層上に形成されていて樹脂絶縁層と導体層とを積層してなる少なくとも１層のビルドアップ層を有する第１ビルドアップ配線層と、
   前記第２導体層上に形成されていて樹脂絶縁層と導体層とを積層してなる少なくとも１層のビルドアップ層を有する第２ビルドアップ配線層と、を有するプリント配線板であって、
   前記コア基板および前記第２ビルドアップ配線層を貫通し、前記第１ビルドアップ配線層の厚さ方向で前記第１導体層と前記第１ビルドアップ配線層との界面よりも前記絶縁基板の第１面から離れた位置に底面を有する凹部が設けられ、
   前記凹部の底面に電子部品との接続パッドが設けられている。
2. 請求項１記載のプリント配線板であって、前記第１ビルドアップ配線層は該第１ビルドアップ配線層の樹脂絶縁層を貫通する複数のビア導体を有し、該複数のビア導体は前記凹部の底面に一面を露出する凹部ビア導体を含んでおり、前記接続パッドは前記凹部ビア導体により形成される。
3. 請求項１記載のプリント配線板であって、前記接続パッドの表面は、前記接続パッドの周囲の前記第１ビルドアップ層の樹脂絶縁層の表面よりも凹んでいる。
4. 請求項１記載のプリント配線板であって、前記接続パッドは前記第１ビルドアップ配線層内から前記凹部側に向かってテーパーする形状を有している。
5. 請求項２記載のプリント配線板であって、前記接続パッドが複数個形成され、該接続パッドの全てが前記凹部ビア導体により形成されている。
6. 請求項２記載のプリント配線板であって、前記第１ビルドアップ配線層の厚さ方向の前記凹部ビア導体の長さは、前記凹部ビア導体に貫通される樹脂絶縁層内の前記凹部ビア導体以外のビア導体の長さよりも短い。
7. 請求項２記載のプリント配線板であって、前記凹部内の前記凹部ビア導体の配置密度は、平面視で前記凹部と重ならない領域の前記第１ビルドアップ配線層内のビア導体の配置密度よりも大きい。
8. 請求項１記載のプリント配線板であって、前記絶縁基板は補強材を含む樹脂材料により形成され、前記第１および第２ビルドアップ配線層の樹脂絶縁層は、補強材を含まない樹脂材料により形成される。
9. 請求項１記載のプリント配線板であって、前記絶縁基板ならびに前記第１および第２ビルドアップ配線層の樹脂絶縁層は補強材を含む樹脂材料により形成される。
10. 請求項１記載のプリント配線板であって、前記凹部の内壁面のうち、第１ビルドアップ配線層で形成される部分の一部または全部が前記コア基板で形成される部分よりも凹んでいる。
11. 請求項１記載のプリント配線板であって、前記コア基板内、ならびに前記第１および第２ビルドアップ配線層内の前記凹部の内壁面には、前記絶縁基板、ならびに、前記第１および第２ビルドアップ配線層内の樹脂絶縁層だけが露出している。
12. 請求項１記載のプリント配線板であって、前記第１ビルドアップ配線層の最表層の導体層に電子部品と接続される接続パッドが形成され、前記第２ビルドアップ配線層の最表層の導体層に外部の配線板と接続される接続パッドが形成されている。
13. 請求項２記載のプリント配線板であって、前記第１および第２ビルドアップ配線層が、それぞれ複数の樹脂絶縁層と導体層とを含んでおり、前記凹部ビア導体は、前記第１ビルドアップ配線層の最表層以外の導体層を介して前記第１ビルドアップ配線層内の他のビア導体と接続されている。
14. 第１面と該第１面と反対側の第２面とを有する絶縁基板および該絶縁基板の両面に設けられる導体パターンからなるコア基板を用意することと、
    前記絶縁基板の第１面および該第１面の前記導体パターン上に、少なくとも１つの樹脂絶縁層と少なくとも１つの導体層とを有する第１ビルドアップ配線層を形成することと、
    前記絶縁基板の第２面および該第２面の前記導体パターン上に、少なくとも１つの樹脂絶縁層と少なくとも１つの導体層とを有する第２ビルドアップ配線層を形成することと、
    少なくとも前記絶縁基板の一部および前記第２ビルドアップ配線層の一部を除去することにより前記コア基板および前記第２ビルドアップ配線層を貫通する凹部を形成すること
    とを有する、プリント配線板の製造方法であって、
    前記第１ビルドアップ配線層の厚さ方向で前記第１ビルドアップ配線層と前記絶縁基板の第１面の前記導体パターンとの界面よりも前記絶縁基板の第１面から離れた位置に底面を有する前記凹部が形成される。
15. 請求項１４記載のプリント配線板の製造方法であって、前記絶縁基板と前記第１ビルドアップ配線層との界面または前記第１ビルドアップ配線層内に前記凹部の形成により除去される部分の分離膜が設けられ、前記分離膜は前記凹部の形成時に前記絶縁基板の一部と共に除去される。
16. 請求項１５記載のプリント配線板の製造方法であって、前記分離膜が、前記絶縁基板の第１面上に設けられる。
17. 請求項１５記載のプリント配線板の製造方法であって、前記凹部を形成することは、
    前記第２ビルドアップ配線層の前記コア基板側と反対側の表面から少なくとも前記分離膜に至る溝を前記分離膜を含む所定の領域を囲むように形成することと、
    前記絶縁基板および前記第２ビルドアップ配線層の前記溝で囲まれている領域内の部分を前記分離膜と共に除去することにより前記凹部を形成することと、を含んでいる。
18. 請求項１７記載のプリント配線板の製造方法であって、さらに、
    前記分離膜を設けるときに前記分離膜の前記絶縁基板側と反対側の表面に金属箔を積層することと、前記分離膜の除去後に露出する前記金属箔を除去すること、とを有しており、
    前記溝はレーザー光の照射により前記金属箔に達するように形成され、前記レーザー光は前記金属箔をストッパとして前記分離膜の外縁に沿って照射される。
19. 請求項１８記載のプリント配線板の製造方法であって、前記第１ビルドアップ配線層を形成することは、前記金属箔の前記分離膜側と反対側の表面を覆うように樹脂層を形成することと、前記樹脂層に前記金属箔を露出する貫通孔を形成することと、前記樹脂層上に金属層を形成することと、前記貫通孔に導体を埋め込むことにより前記金属層と前記金属箔とを接続するビア導体を形成することと、を含んでおり、
    前記金属箔を除去することにより、前記ビア導体の一面が前記凹部の底面に露出する。
20. 請求項１８記載のプリント配線板の製造方法であって、前記金属箔と前記分離膜とは略相似形であり、前記金属箔の方が前記分離膜よりも大きい。

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