JP2015222776A - プリント配線板、プリント配線板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 放熱性及び信頼性の高いプリント配線板を提供する。
【解決手段】 メタルコア３８を露出させる凹部８２に熱伝導性ペースト８０が充填されている。コア基板の中央部に設けられたメタルコア３８からの熱を伝熱性の高い熱伝導性ペースト８０を介して効率的に逃がすことができる。また、プリント配線板の第２絶縁層５０Ｓ及び下部絶縁層２０Ｓと熱伝導性ペーストとの熱膨張係数が近似しているため、反りが生じにくく、信頼性が高い。
【選択図】 図８

Description

本発明は、コア基板内にメタルコアを備える多層ビルドアップ式のプリント配線板、及び、該プリント配線板の製造方法に関するものである。

特許文献１には、メタルコアの背面に放熱用のサーマルビアを接続したプリント配線板が開示されている。特許文献２には、メタルコアの背面に開口を形成し、開口内に金属部材を配置したプリント配線板が開示されている。

特開２０００−１８８３５９号公報 特開２０１０−２１９５５４号公報

しかしながら、特許文献１の構成では、メタルコアから効率的に放熱することが難しいと考えられる。特許文献２の構成では、プリント配線板と金属部材との熱膨張係数の違いから反りが生じ易く、信頼性が低いと考えられる。

本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、放熱性と信頼性の高いプリント配線板を提供することにある。

本願発明のプリント配線板は、メタルコアと、該メタルコアを挟む上部絶縁層と下部絶縁層から成り、半導体素子を実装する側の第１面と該第１面と反対側の第２面を備えるコア基板と、前記コア基板の第１面に形成された層間樹脂絶縁層及び導体層からなる上部ビルドアップ層と、前記コア基板の第２面に形成された層間樹脂絶縁層及び導体層からなる下部ビルドアップ層と、を有する。そして、前記下部ビルドアップ層及び前記下部絶縁層を貫通し、前記メタルコアを露出させる凹部が形成され、前記凹部に熱伝導性ペーストが充填されている。

本願発明のプリント配線板で、下部ビルドアップ層及び下部絶縁層を貫通し、メタルコアを露出させる凹部が形成され、凹部に熱伝導性ペーストが充填されている。コア基板の中央部に設けられたメタルコアからの熱を熱伝導性ペーストを介して効率的に逃がすことができる。このため、放熱性が高い。また、プリント配線板の層間樹脂絶縁層と熱伝導性ペーストとの熱膨張係数が近似しているため、反りが生じにくく、信頼性が高い。

本発明の第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。 第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。 第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。 第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。 第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。 第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。 第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。 図８（Ａ）、図８（Ｂ）は、第１実施形態のプリント配線板の断面図。 第１実施形態のプリント配線板の平面図。 第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。 第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。 図１２（Ａ）、図１２（Ｃ）は、第２実施形態のプリント配線板の断面図であり、図１２（Ｂ）はプリント配線板の側面図である。 第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す平面図。 第２実施形態の第１改変例に係るプリント配線板の断面図。

[第１実施形態]
図８（Ａ）はＩＣチップ実装前の第１実施形態に係るプリント配線板を、図８（Ｂ）はＩＣチップ実装後のプリント配線板を示す。プリント配線板１０は、上部絶縁層２０Ｆ、下部絶縁層２０Ｓを有するコア基板３０を備える。
図４（Ｂ）は該コア基板３０を示す。上部絶縁層２０Ｆ上に上部導体層３４Ｆが形成され、下部絶縁層２０Ｓ下に下部導体層３４Ｓが形成されている。上部絶縁層と下部絶縁層との間には、メタルコア３８が形成されている。上部絶縁層２０Ｆの開口３１Ｆには、上部導体層３４Ｆとメタルコア３８とを接続する上部ビア導体３５Ｆが形成されている。下部絶縁層２０Ｓの開口３１Ｓには、下部導体層３４Ｓとメタルコア３８とを接続する下部ビア導体３５Ｓが形成されている。メタルコア３８の貫通孔３８ａは、芯部金属箔２２Ｃ及び該芯部金属箔２２Ｃ上に形成された電解めっき膜２４をパターニングすることにより形成されている。貫通孔３８ａは上側から下側に向かってテーパーしている。メタルコア３８の厚みは５０〜２００μｍであることが好ましい。この厚みであることで、プリント配線板の強度を高めると共に、放熱性を改善できる。５０μｍ未満では、放熱性を改善できず、２００μｍを超えると、上部絶縁層が芯材を備えない樹脂層であったとしても、貫通孔内にボイドが残るリスクが高くなる。上部ビア導体３５Ｆは下方に向かって縮径するテーパー形状に形成され、下部ビア導体３５Ｓは上方に向かって縮径するテーパー形状に形成されている。

図８（Ａ）に示すように第１実施形態のプリント配線板は、コア基板３０の第１面Ｆ上に、第１導体層５８Ｆ、第１ビア導体６０Ｆを備える第１絶縁層５０Ｆが４層ビルドアップ積層されている。コア基板の第２面Ｓ上には、第２導体層５８Ｓ、第２ビア導体６０Ｓを備える第２絶縁層５０Ｓが４層ビルドアップ積層されている。最上層の第１絶縁層５０Ｆ上には、ソルダーレジスト層７０Ｆが形成され、ソルダーレジスト層７０Ｆの開口７１Ｆには半田バンプ７６Ｆが形成されている。最下層の第２絶縁層５０Ｓ上には、ソルダーレジスト層７０Ｓが形成され、ソルダーレジスト層７０Ｓの開口７１Ｓには半田バンプ７６Ｓが形成されている。

第１実施形態のプリント配線板１０は、コア基板３０の中心にメタルコア３８を備えるメタルコア構造を取るため、厚みの厚いメタルコア３８の剛性により反りを抑制でき、薄板化の要求に応えることができる。また、金属製のメタルコア３８によりプリント配線板の熱伝導性が改善される。

第１実施形態のプリント配線板には、ソルダーレジスト層７０Ｓ、４層ビルドアップ積層された第２絶縁層５０Ｓ、下部絶縁層２０Ｓを貫通し、メタルコア３８を露出させる凹部８２が形成されている。凹部８２に熱伝導性ペースト８０が充填されている。熱伝導性ペーストは、カーボンペースト、銀ペースト又は銅ペーストから成る。コア基板の中央部に設けられたメタルコア３８からの熱を伝熱性の高い熱伝導性ペースト８０を介して効率的に逃がすことができる。このため、放熱性が高い。また、プリント配線板の第２絶縁層５０Ｓ及び下部絶縁層２０Ｓと熱伝導性ペーストとの熱膨張係数が近似しているため、反りが生じにくく、信頼性が高い。

熱伝導性ペースト８０はソルダーレジスト層７０Ｓから露出している。熱伝導性ペースト８０の表面はソルダーレジスト層７０Ｓの表面を超えない高さである。

図８（Ｂ）に示されるように熱伝導性ペースト８０は、ＩＣチップ９０の実装される部位の直下に設けられる。図９は、図８（Ｂ）のプリント配線板の平面図である。凹部８２は、ＩＣチップ９０よりも大きく作られている。即ち、ＩＣチップ９０の実装される部位の面積よりも熱伝導性ペースト８０のソルダーレジスト層７０Ｓからの露出面積が大きい。このため、効率的にＩＣチップからの熱を熱伝導性ペースト８０の表面から発散することができる。

[第１実施形態の製造方法]
第１実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図１〜図６に示される。
（１）支持板１８が準備される。例えば、支持板１８は、絶縁基材とその絶縁基材の両面に積層されている銅箔（図示せず）とからなる銅張積層板（両面銅張積層板）である。支持板は第１面と第１面と反対側の第２面を有する。支持板１８の第１面上、第２面上に下層金属箔２２Ｓが準備される。金属箔２２Ｓは例えば銅箔であり、厚みは１２μｍである。下層金属箔２２Ｓ上にプリプレグ（Ｂステージのガラスエポキシ）２０Ｓが準備され、プリプレグ２０Ｓ上に芯部金属箔２２Ｃが準備される（図１（Ａ））。プリプレグ２０Ｓの厚みは４０〜６０μｍであって、芯部金属箔２２Ｃの厚みは１２μｍである。支持板１８の第１面上、第２面上に下層金属箔２２Ｓが積層される。支持板１８と金属箔２２Ｓが外周で固定される。銅張積層板と金属箔は超音波で接合される。金属箔と支持板は固定部分１４で接合されている。固定部分の巾は基板端部から３０ｍｍである。固定部分は枠状に形成されている。下層金属箔２２Ｓ上にプリプレグ（Ｂステージのガラスエポキシ）が積層され、芯部金属箔２２Ｃが積層される（図１（Ｂ））。その後、プリプレグは硬化され、支持板上に下部絶縁層２０Ｓが形成される。

（２）１２μｍの芯部金属箔２２Ｃ上に８８〜１８８μｍ（好適には１００μｍ）の厚みの電解めっき膜２４が形成され、金属箔２２Ｃと電解めっき膜２４とからなる厚さ５０〜２００μｍのメタルコア３８が形成される（図１（Ｃ））。

（３）電解めっき膜２４上に所定パターンのエッチングレジスト２６が形成される（図１（Ｄ））。

（４）エッチングレジスト非形成部の電解めっき膜２４、芯部金属箔２２Ｃがエッチングにより除去され、貫通孔３８ａが形成され（図２（Ａ））、エッチングレジストが除去され、電解めっき膜２４、芯部金属箔２２Ｃから成るメタルコア３８が形成される（図２（Ｂ））。貫通孔３８ａは、メタルコアの上面から下面に向かってテーパーしている。

（５）下部絶縁層の第１面とメタルコア３８上に上部絶縁層２０Ｆ及び上部金属箔２２Ｆが形成される（図２（Ｃ））。上部絶縁層は下部絶縁層と同様な芯材と無機粒子を含み、４０〜６０μｍの厚みである。上部金属箔２２Ｆは、下部金属箔と同様に例えば銅箔であり、厚みは１２μｍである。上部絶縁層２０Ｆの積層の際に、メタルコアの貫通孔３８ａ内が、該上部絶縁層２０Ｆから浸み出した樹脂２０Ｃで充填される。ここで、上部絶縁層の厚みを下部絶縁層より予め厚くしておくことで、両者の仕上がりの厚みが等しくなるようにすることが好ましい。

実施形態のプリント配線板の製造方法では、メタルコアの貫通孔３８ａを樹脂で充填する上部絶縁層２０Ｆが芯材を備えるが、芯材を備えないＢステージの樹脂フィルムにしてもよい。その場合、樹脂が浸み出し易く、貫通孔３８ａ内にボイドを発生し難い。コア基板内にボイドが無いため、プリント配線板の信頼性が高い。また、貫通孔３８ａが上面から下面に向かってテーパーしているので、上面側の上部絶縁層２０Ｆからの樹脂が入り込み易く、貫通孔３８ａ内にボイドが発生し難い。

（６）図２（Ｄ）中のＺ１−Ｚ１線に沿って、支持板付き中間体は切断される。切断箇所は固定部分１４より内側である。中間体３０αが、支持板１８から分離される（図３（Ａ））。

（７）上部絶縁層２０Ｆにレーザが照射される。メタルコア３８に至る上部開口３１Ｆが上部絶縁層に形成される。下部絶縁層２０Ｓにレーザが照射される。メタルコア３８に至る下部開口３１Ｓが下部絶縁層に形成される。また、上部絶縁層２０Ｆと下部絶縁層２０Ｓにレーザが照射され、スルーホール用貫通孔３１が形成される（図３（Ｂ））。上部開口３１Ｆは上部絶縁層の表面からメタルコア３８に向かってテーパーしている。下部開口３１Ｓは下部絶縁層の表面からメタルコア３８に向かってテーパーしている。スルーホール用貫通孔３１は、上部絶縁層の表面からテーパーすると共に、下部絶縁層の表面からテーパーする砂時計形状に形成される。

（８）上部金属箔２２Ｆ上、下部金属箔２２Ｓ及び上部開口３１Ｆ、上部開口３１Ｓ、スルーホール用貫通孔３１の内壁に無電解めっき膜４２が形成される（図３（Ｃ））。

（９）無電解めっき膜をシード層として、無電解めっき膜４２上に電解めっき膜４６が形成される。上部開口３１Ｆ、下部開口３１Ｓは電解めっき膜４６で充填され、上部金属箔２２Ｆ、下部金属箔２２Ｓの上層の無電解めっき膜４２上に電解めっき膜４６が形成される（図３（Ｄ））。

（１０）第１面Ｆ側、第２面Ｓ側の電解めっき膜４６上に所定パターンのエッチングレジスト４４が形成される（図４（Ａ））。

（１１）第１面Ｆ側のエッチングレジスト非形成部の電解めっき膜４６、無電解めっき膜４２、上部金属箔２２Ｆ、第２面Ｓ側のエッチングレジスト非形成部の電解めっき膜４６、無電解めっき膜４２、下部金属箔２２Ｓがエッチングにより除去された後、エッチングレジストが剥離され、第１面Ｆ上に電解めっき膜４６、無電解めっき膜４２、上部金属箔２２Ｆから成る上部導体層３４Ｆが、第２面Ｓ上に電解めっき膜４６、無電解めっき膜４２、下部金属箔２２Ｓからなる下部導体層３４Ｓ形成され、コア基板３０が完成する（図４（Ｂ））。ここで、上部導体層３４Ｆ、下部導体層３４Ｓの厚みはそれぞれ２０μｍである。

（１２）コア基板３０の第１面Ｆに第１絶縁層５０Ｆ及び金属箔５３が、第２面Ｓに第２絶縁層５０Ｓ及び金属箔５３が形成される（図４（Ｃ））。第１絶縁層５０Ｆ、第２絶縁層５０Ｓの厚みは４０〜６０μｍである。金属箔５３の厚みは１２μｍである。第１絶縁層５０Ｆは上部絶縁層の第１面と上部導体層３４Ｆ上に形成されている。第２絶縁層５０Ｓは下部絶縁層の第２面と下部導体層３４Ｓ上に形成されている。絶縁層の厚みは４０μｍから６０μｍである。金属箔５３は、上部金属箔、下部金属箔と同様に例えば銅箔であり、厚みは１２μｍである。第１脂絶縁層、第２絶縁層は無機粒子と補強材を有するプリプレグである。補強材としては、例えばガラスクロス、アラミド繊維、ガラス繊維などが挙げられる。ガラスクロスが好適である。第１脂絶縁層、第２絶縁層は、上部絶縁層、下部絶縁層と同一の厚みであることが望ましい。

（１３）次に、ＣＯ２ガスレーザにて第１絶縁層５０Ｆ，第２絶縁層５０Ｓにそれぞれビア導体用の第１開口５１Ｆ，第２開口５１Ｓが形成される（図４（Ｄ））。

（１４）第１絶縁層５０Ｆ，第２絶縁層５０Ｓ上と第１開口５１Ｆ、第２開口５１Ｓ内に無電解めっき膜５２が形成される（図５（Ａ））。

（１５）無電解めっき膜をシード層として、無電解めっき膜５２上に電解めっき膜５６が形成される。第１開口５１Ｆ、第２開口５１Ｓは電解めっき膜５６で充填され、金属箔５３上層の無電解めっき膜５２上に電解めっき膜５６が形成される（図５（Ｂ））。

（１６）電解めっき膜５６上に所定パターンのエッチングレジスト５４が形成される（図５（Ｃ））。

（１７）エッチングレジスト非形成部の電解めっき膜５６、無電解めっき膜５２、金属箔５３がエッチングにより除去され、エッチングレジストが剥離され、第１開口５１Ｆ内に第１ビア導体６０Ｆが形成され、第２開口５１Ｓ内に第２ビア導体６０Ｓが形成され、第１絶縁層の第１面上に、電解めっき膜５６、無電解めっき膜５２、金属箔５３から成る第１導体層５８Ｆが、第２絶縁層の第２面上に、電解めっき膜５６、無電解めっき膜５２、金属箔５３から成る第２導体層５８Ｓが形成される（図５（Ｄ））。

（１８）図４（Ｃ）〜図５（Ｄ）の処理が繰り返され、更に３層の第１導体層５８Ｆ、第１ビア導体６０Ｆを備える第１絶縁層５０Ｆ、第２導体層５８Ｓ、第２ビア導体６０Ｓを備える第２絶縁層５０Ｓがビルドアップ形成される（図６（Ａ））。

（１９）最上層の第１絶縁層５０Ｆ上に開口７１Ｆを有する上側のソルダーレジスト層７０Ｆが形成され、最下層の第２絶縁層５０Ｓ上に開口７１Ｓを有する下側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成される（図６（Ｂ））。開口７１Ｆ，７１Ｓから露出される導体層５８Ｆ、５８Ｓとビア導体６０Ｆ、６０Ｓの上面がパッド７１ＦＰ、７１ＳＰとして機能する。パッド７１ＦＰ、７１ＳＰ上にニッケルめっき層７２が形成され、さらにニッケルめっき層７２上に金めっき層７４が形成される。

（２０）レーザで、ソルダーレジスト層７０Ｓ、４層ビルドアップ積層された第２絶縁層５０Ｓ、下部絶縁層２０Ｓを貫通し、メタルコア３８に至る切り込み８１が形成され（図６（Ｃ））、メタルコアから切断されたソルダーレジスト層７０Ｓ、第２絶縁層５０Ｓ、下部絶縁層２０Ｓが除去され、メタルコア３８を露出させる凹部８２が形成される（図７（Ａ））。このとき、切断部が除去され易くするため、予め、除去部分におけるメタルコアと下部樹脂層との間に離型フィルム層（図示省略）を形成しておくことが好ましい。

（２１）凹部８２に熱伝導性ペースト８０が充填される（図７（Ｂ））。そして、開口７１Ｆ，７１Ｓ内に半田ペーストが印刷され、リフローが行われ、上側のビルドアップ層上に半田バンプ７６Ｆが形成され、下側のビルドアップ層上に半田バンプ７６Ｓが形成される。このリフローの際に熱伝導性ペーストが硬化される。プリント配線板１０を完成する（図８（Ａ）））。プリント配線板１０の半田バンプ７６にリフローでＩＣチップ９０の端子９２が接続され、プリント配線板にＩＣチップが実装される（図８（Ｂ））。

第１実施形態のプリント配線板の製造方法は、コア基板３０の中心にメタルコア３８を備えるメタルコア構造を取るため、メタルコア３８の剛性により反りを抑制でき、薄板化の要求に応えることができる。支持板１８上にコア基板を形成し、剥離する構成であるため、メタルコア構造のコア基板を簡易なプロセスで製造でき、製造コストを低減できると共に、歩留まりを高めることができる。

第１実施形態のプリント配線板で、メタルコア３８を露出させる凹部８２に熱伝導性ペースト８０が充填されている。コア基板の中央部に設けられたメタルコア３８からの熱を伝熱性の高い熱伝導性ペースト８０を介して効率的に逃がすことができる。また、プリント配線板の第２絶縁層５０Ｓ及び下部絶縁層２０Ｓと熱伝導性ペーストとの熱膨張係数が近似しているため、反りが生じにくく、信頼性が高い。

[第２実施形態]
図１２（Ａ）は第２実施形態のプリント配線板を示す。プリント配線板１０は、第１実施形態と同様なコア基板３０を備える。
第２実施形態のプリント配線板は、コア基板３０の第１面Ｆ上に、第１導体層５８Ｆ、第１ビア導体６０Ｆを備える第１絶縁層５０Ｆが４層ビルドアップ積層されている。コア基板の第２面Ｓ上には、第２導体層５８Ｓ、第２ビア導体６０Ｓを備える第２絶縁層５０Ｓが４層ビルドアップ積層されている。最上層の第１絶縁層５０Ｆ上には、ソルダーレジスト層７０Ｆが形成され、ソルダーレジスト層７０Ｆの開口７１Ｆには半田バンプ７６Ｆが形成されている。最下層の第２絶縁層５０Ｓ上には、ソルダーレジスト層７０Ｓが形成され、ソルダーレジスト層７０Ｓの開口７１Ｓには半田バンプ７６Ｓが形成されている。

図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）に示すプリント配線板の側面図である。即ち、図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）中のｂ矢視図であり、プリント配線板の側壁１０Ｅを示している。メタルコア３８は側壁１０Ｅまで延在している。側壁１０Ｅには、スルーホールを半割した端面スルーホール７８が露出されている。メタルコア３８と端面スルーホール７８とは接続されている。端面スルーホール７８は、矩形形状のプリント配線板の４側端面にそれぞれ設けられている。端面スルーホール７８は、上面側の最外層のビルドアップ層５０Ｆの導体層５８Ｆの一部と下面側の最外層のビルドアップ層５０Ｓの導体層５８Ｓの一部とを接続している。

第２実施形態のプリント配線板は、金属製のメタルコア３８によりプリント配線板の熱伝導性が改善される。コア基板３０の中央部に設けられ厚みの厚いメタルコア３８が、プリント配線板の端面に設けられた端面スルーホール７８に接続されているため、プリント配線板内の熱を端面スルーホール７８を介して効率的に逃がすことができる。このため、放熱性が高い。

第２実施形態のプリント配線板で、メタルコア３８を露出させる凹部８２に熱伝導性ペースト８０が充填されている。コア基板の中央部に設けられたメタルコア３８からの熱を伝熱性の高い熱伝導性ペースト８０を介して効率的に逃がすことができる。このため、上記端面スルーホールと熱伝導性ペーストとが相乗して放熱性を高めている。また、プリント配線板の第２絶縁層５０Ｓ及び下部絶縁層２０Ｓと熱伝導性ペーストとの熱膨張係数が近似しているため、反りが生じにくく、信頼性が高い。

図１２（Ｃ）は、図１２（Ａ）に示すプリント配線板にＩＣチップ等の電子部品９０が実装され、金属製の封止用のキャップ９４（放熱部材）が固定された状態を示す。電子部品９０は、プリント配線板の半田バンプ７６Ｆに端子９２が接続されることで実装されている。キャップ９４の端部９４Ｅは、端面スルーホール７８のランド７８Ｌに接続されている。電子部品９０の上面はキャップ９４に接している。第２実施形態では、電子部品からの熱をキャップ９４を介して直接、端面スルーホール７８へ伝達できるため、実装する電子部品からの熱を効率的に発散することができる。第２実施形態では、キャップ９４及びメタルコア３８が電源線又はグランド線に接続されているため、電子部品のノイズによる外部への影響が抑えられる。

[第２実施形態の製造方法]
第２実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図１０〜図１１に示される。
（１）第１実施形態と同様にして、コア基板３０に３層の第１導体層５８Ｆ、第１ビア導体６０Ｆを備える第１絶縁層５０Ｆ、第２導体層５８Ｓ、第２ビア導体６０Ｓを備える第２絶縁層５０Ｓがビルドアップ形成され、最外層の第１絶縁層５０Ｆ、第２絶縁層５０Ｓ、金属箔５３が積層される（図１０（Ａ））。

（２）ＣＯ２ガスレーザにて最外層の第１絶縁層５０Ｆ，最外層の第２絶縁層５０Ｓにそれぞれビア導体用の第１開口５１Ｆ，第２開口５１Ｓが形成され、プリント配線板の端部に長円形状のスルーホール用貫通孔７７がダイシングで形成される（図１０（Ｂ））。図１０（Ｂ）のスルーホール用貫通孔７７の平面図が図１３（Ａ）に示される。

（３）最上層の第１絶縁層５０Ｆ上に開口７１Ｆを有する上側のソルダーレジスト層７０Ｆが形成され、最下層の第２絶縁層５０Ｓ上に開口７１Ｓを有する下側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成される（図１１（Ａ））。スルーホール導体７８Ｈ及びスルーホールランド７８Ｌはソルダーレジスト層から露出される。図１１（Ａ）のスルーホール導体７８Ｈの平面図が図１３（Ｃ）に示される。開口７１Ｆ，７１Ｓから露出される導体層５８Ｆ、５８Ｓとビア導体６０Ｆ、６０Ｓの上面がパッド７１ＦＰ、７１ＳＰとして機能する。

（４）図１１（Ｂ）に示されるように、長円状のスルーホール導体７８のプリント配線板の内側の端面に沿ってＸ１−Ｘ１で切断され、端面スルーホール７８がプリント配線板の端面に形成される（図１１（Ｃ））。図１１（Ｂ）のスルーホール導体７８Ｈの平面図が図１３（Ｄ）に示される。図１１（Ｃ）の端面スルーホール７８の平面図が図１３（Ｅ）に示される。

ソルダーレジスト層から露出するパッド７１ＦＰ、７１ＳＰ、端面スルーホール７８上にニッケルめっき層７２が形成され、さらにニッケルめっき層７２上に金めっき層７４が形成される。これにより、端面スルーホール７８の酸化が防止される。第１実施形態と同様に、メタルコア３８を露出させる凹部８２が形成され、凹部８２に熱伝導性ペースト８０が充填される。開口７１Ｆ，７１Ｓ内に半田ペーストが搭載され、リフローが行われ、上側のビルドアップ層上に半田バンプ７６Ｆが形成され、下側のビルドアップ層上に半田バンプ７６Ｓが形成される。プリント配線板１０が完成される（図１２（Ａ））。

[第２実施形態の第１改変例]
図１４は、第２実施形態の第１改変例に係るプリント配線板を示す。
第２実施形態の第１改変例のプリント配線板では、メタルコア３８の貫通孔３８ａ内に充填された樹脂を介して絶縁されたメタルコア片３８ｂが形成される。メタルコア片３８ｂに、上部絶縁層２０Ｆに形成されたビア導体３５Ｆ、下部絶縁層２０Ｓに形成されたビア導体３５Ｓが接続され、第１絶縁層５０Ｆと第２絶縁層５０Ｓとが接続される。

１８ 支持板
２０Ｆ 上部絶縁層
２０Ｓ 下部絶縁層
２２Ｃ 芯部金属箔
２４ 電解めっき膜
３０ コア基板
３８ メタルコア
５０Ｆ 第１絶縁層
５０Ｓ 第２絶縁層
６０Ｆ、６０Ｓ ビア導体
７８ 端面スルーホール
８０ 熱伝導性ペースト
８２ 凹部

Claims (13)

1. メタルコアと、該メタルコアを挟む上部絶縁層と下部絶縁層から成り、半導体素子を実装する側の第１面と該第１面と反対側の第２面を備えるコア基板と、
   前記コア基板の第１面に形成された層間樹脂絶縁層及び導体層からなる上部ビルドアップ層と、
   前記コア基板の第２面に形成された層間樹脂絶縁層及び導体層からなる下部ビルドアップ層と、を有するプリント配線板であって、
   前記下部ビルドアップ層及び前記下部絶縁層を貫通し、前記メタルコアを露出させる凹部が形成され、前記凹部に熱伝導性ペーストが充填されている。
2. 請求項１のプリント配線板であって、
   前記熱伝導性ペーストは、カーボンペースト、銀ペースト又は銅ペーストである。
3. 請求項１のプリント配線板であって、
   前記熱伝導性ペーストは、半導体素子の実装される部位の直下に設けられ、半導体素子の実装される部位の面積よりも前記熱伝導性ペーストの露出面積が大きい。
4. 請求項１のプリント配線板であって、さらに、
   前記下部ビルドアップ層上にソルダーレジスト層が設けられ、
   前記熱伝導性ペーストは、前記ソルダーレジスト層から露出している。
5. 請求項４のプリント配線板であって、
   前記熱伝導性ペーストの表面は、前記ソルダーレジスト層の表面を超えない高さである。
6. 請求項１のプリント配線板であって、さらに、
   前記メタルコアは貫通孔と、前記貫通孔に充填された樹脂と、前記樹脂に形成されたスルーホール導体とを備え、
   前記上部絶縁層上に上部導体層が形成され、前記上部絶縁層に前記メタルコアと前記上部導体層とを接続する上部ビア導体が形成され、
   前記下部絶縁層上に下部導体層が形成され、前記下部絶縁層に前記メタルコアと前記下部導体層とを接続する下部ビア導体が形成されている。
7. 請求項６のプリント配線板であって、
   前記メタルコアの前記貫通孔はテーパーしている。
8. 請求項１のプリント配線板であって、
   前記メタルコアの厚みは、５０μｍ〜２００μｍである。
9. 請求項１のプリント配線板であって、
   前記メタルコアは、金属箔に銅めっき膜を形成して成る。
10. 請求項１のプリント配線板であって、さらに、
    前記上部ビルドアップ層の導体層と前記下部ビルドアップ層の導体層とを接続する端面スルーホールを備え、且つ、
    前記メタルコアは前記端面スルーホールに接続されている。
11. 支持板を準備することと、
    前記支持板上で、下部絶縁層と、貫通孔を備えるメタルコアと、上部絶縁層とを順に形成すると共に、該上部絶縁層から浸み出した樹脂で、前記貫通孔内を充填することによりコア基板を作製することと、
    前記支持板からコア基板を剥離することと、
    前記コア基板の上側に層間樹脂絶縁層及び導体層からなる上部ビルドアップ層を形成することと、
    前記コア基板の下側に層間樹脂絶縁層及び導体層からなる下部ビルドアップ層を形成することと、
    前記下部ビルドアップ層及び前記下部絶縁層を貫通し、前記メタルコアを露出させる凹部を形成することと、
    前記凹部に熱伝導性ペーストを充填することと、を含むプリント配線板の製造方法。
12. 請求項１１のプリント配線板の製造方法であって、さらに、
    前記下層ビルドアップ層上にソルダーレジスト層を形成することと、を含み、
    前記凹部に熱伝導性ペーストを充填する際に、前記ソルダーレジスト層の高さを超えないように充填する。
13. 請求項１１のプリント配線板の製造方法であって、さらに、
    前記上部ビルドアップ層の導体層と前記下部ビルドアップ層の導体層と前記メタルコアとを接続する端面スルーホールを形成することとを含む。

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