JP2013135203A - 配線板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】キャビティが形成された配線板の絶縁信頼性を向上させる。
【解決手段】配線板は、一方の表面に開口するキャビティを有し、キャビティの底面を構成する絶縁層と、キャビティの壁面に沿って、絶縁層上に形成されるレーザストッパ部と、キャビティの内側に形成される第１導体パターンと、キャビティの外側に形成される第２導体パターンと、を備える。第１導体パターンと第２導体パターンは、第１絶縁層に形成される中継導体を介して接続される。
【選択図】図２

Description

本発明は、配線板及びその製造方法に関する。

特許文献１には、キャビティを有する配線板が開示されている。この配線板のキャビティは、当該配線板の一部をレーザ光を使って切り抜くことにより形成される。そこで、当該配線板の中間層には、レーザ光による掘削深さを定めるためのブロックパターンが設けられている。キャビティを形成する際には、このブロックパターンに沿うようにレーザを照射することによって、配線板に、所望の深さのキャビティを形成することができる。

上述のブロックパターンは、キャビティの底面の外縁に沿って形成された矩形枠状のパターンである。このブロックパターンには、ブロックパターンの内側から外側へ通じる複数のスリットが形成されている。ブロックパターンと同じレイヤーに形成される導体パターンは、ブロックパターンに形成されたスリットを介して、ブロックパターンの内側から外側へ渡って配線される。

特開２０１０−２４５５３０号公報

特許文献１に記載された配線板では、ブロックパターンと、このブロックパターンを横切る導体パターンとを絶縁する必要がある。このため、ブロックパターンに、ある程度の幅のギャップを形成し、ブロックパターンと導体パターンとの距離を十分に確保する必要がある。

しかしながら、ブロックパターンと導体パターンとの距離が大きくなると、キャビティを形成する際に、ブロックパターンと導体パターンとの隙間を通り抜けて絶縁層に到達するレーザ光の光量が増える。この場合には、レーザ光によって絶縁層が部分的に掘削され、配線板の絶縁信頼性が低下してしまうことが考えられる。

また、ギャップに位置する導体パターンを被覆するソルダーレジストは、レーザ光によって除去されてしまうことがある。この場合、導体パターン同士の間隔が小さいと、絶縁信頼性が低下してしまう懸念がある。

また、特許文献１に開示された配線板では、ブロックパターンが、他の導体パターンから電気的に絶縁されている。このため、当該ブロックパターンがノイズの発生源になることが考えられる。

本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、キャビティが形成された配線板の絶縁信頼性を向上させることを目的とする。

本発明の第１の観点に係る配線板は、
キャビティと、
前記キャビティの底面を構成する絶縁層と、
前記キャビティの壁面に沿って、前記絶縁層上に形成されるレーザストッパ部と、
前記絶縁層上における前記キャビティの内側に形成される第１導体パターンと、
前記絶縁層上における前記キャビティの外側に形成される第２導体パターンと、を備える配線板であって、
前記第１導体パターンと前記第２導体パターンは、前記絶縁層に形成される中継導体を介して前記レーザストッパ部を迂回して接続される。

前記レーザストッパ部はグランドに接続されている、ことが好ましい。

前記第１導体パターン上には保護膜が形成される、ことが好ましい。

前記保護膜は、前記第１導体パターン及び前記レーザストッパ部のうち、前記第１導体パターンにのみ前記保護膜が形成されている、ことが好ましい。

前記絶縁層の上には第２絶縁層が形成され、
前記レーザストッパ部は、一部が前記第２絶縁層に被覆されている、ことが好ましい。

前記キャビティの側壁は２層以上の絶縁層からなる連続面である、ことが好ましい。

前記レーザストッパ部は、枠状に形成されている、ことが好ましい。

前記レーザストッパ部は、リング状に形成されている、ことが好ましい。

前記中継導体は、フィルドビア導体を含む、ことが好ましい。

前記中継導体は、スルーホール導体を含む、ことが好ましい。

本発明の第２の観点に係る配線板の製造方法は、
第１絶縁層を準備することと、
前記第１絶縁層の両面に跨るように中継導体を形成することと、
前記第１絶縁層の主面上におけるキャビティ予定領域の縁に、レーザストッパ部を形成することと、
前記キャビティ予定領域の内側にある前記第１絶縁層の前記主面上に、前記中継導体に接続される第１導体パターンを形成することと、
前記キャビティ予定領域の外側にある前記第１絶縁層の前記主面上に、前記中継導体に接続される第２導体パターンを形成することと、
前記第１絶縁層の前記主面上、及び前記レーザストッパ部の上に第２絶縁層を形成することと、
前記第２絶縁層を貫通して前記レーザストッパ部に達するレーザ光を前記レーザストッパ部に沿って照射することと、
前記キャビティ予定領域にある前記第２絶縁層を除去することと、
を含む。

本発明によれば、キャビティが形成された配線板の絶縁信頼性を向上させることができる。

本発明の実施形態に係る配線板のキャビティを示す平面図である。 図１に示された配線板のII−II断面を示す断面図である。 配線板に電子部品を実装した例を示し、図１に示された配線板のII−II断面に相当する断面を示す断面図である。 本発明の実施形態に係る配線板の製造方法を示すフローチャートである。 図４に示す製造方法において、絶縁層を準備する工程を説明するための図である。 図４に示す製造方法において、ビアホールにビア導体を充填し、絶縁層の主面上に導体層及びレーザストッパを形成する工程を説明するための図である。 図４に示す製造方法において、内層ソルダーレジストを形成する工程を説明するための図である。 図４に示す製造方法において、マスクを形成する工程を説明するための図である。 図４に示す製造方法において、ビルドアップの第１の工程を説明するための図である。 図４に示す製造方法において、ビルドアップの第２の工程を説明するための図である。 図４に示す製造方法において、ビルドアップの第３の工程を説明するための図である。 図４に示す製造方法において、外層ソルダーレジストを形成する工程を説明するための図である。 図４に示す製造方法において、レーザ照射工程を説明するための配線板の平面図である。 図４に示す製造方法において、レーザ照射工程を説明するための配線板の断面図である。 図４に示す製造方法において、キャビティを形成する工程を説明するための配線板の断面図である。 本発明の実施形態に係る配線板において、キャビティの第１変形例を示す図である。 本発明の実施形態に係る配線板において、キャビティの第２変形例を示す図である。 本発明の実施形態に係る配線板において、キャビティの第３変形例を示す図である。 本発明の実施形態に係る配線板において、キャビティの第３変形例の他の例を示す図である。 本発明の実施形態に係る配線板において、ビア導体の他の例を示す図である。 本発明の第２の実施形態に係る配線板であり、図１に示された配線板のII−II断面に相当する断面を示す断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る配線板の製造方法を示すフローチャートである。 図２０に示す製造方法において、絶縁層を準備する工程を説明するための図である。 図２０に示す製造方法において、絶縁層の主面上に導体層及びレーザストッパを形成する工程を説明するための図である。 図２０に示す製造方法において、内層ソルダーレジストを形成する工程を説明するための図である。 図２０に示す製造方法において、マスクを形成する工程を説明するための図である。

以下、本発明の実施形態について、添付の図面を参照して具体的に説明する。なお、図中、矢印Ｚ１、Ｚ２は、それぞれ配線板の主面（表裏面）の法線方向に相当する配線板の積層方向（又は配線板の厚み方向）を指す。一方、矢印Ｘ１、Ｘ２及びＹ１、Ｙ２は、それぞれ積層方向に直交する方向（又は各層の側方）を指す。配線板の主面は、Ｘ−Ｙ平面となる。また、配線板の側面は、Ｘ−Ｚ平面又はＹ−Ｚ平面となる。

相反する法線方向を向いた２つの主面を、第１面（Ｚ１側の面）、第２面（Ｚ２側の面）という。積層方向において、コア基板に近い側を下層（又は内層側）、コア基板から遠い側を上層（又は外層側）という。また、Ｘ−Ｙ平面において、キャビティ（より詳しくはその重心）から離れる側を外側といい、キャビティに近づく側を内側という。直上は、Ｚ方向（Ｚ１側又はＺ２側）を意味する。

導体層は、全面導体層である場合を除けば、導体部（以下、導体パターンという）と非導体部とで構成される。導体層は、電気回路を構成する導体パターン、例えば配線（グランドも含む）、パッド、又はランド等を含む場合もあれば、電気回路を構成しない平面状の導体パターン等を含む場合もある。また、電子部品や他の配線板を内蔵する配線板では、その電子部品の電極や他の配線板のパッドを、配線板の導体層に含ませるように配置する場合もある。パッドには、外部接続端子のほか、ビア接続端子なども含まれる。

開口部には、孔や溝のほか、切欠や切れ目等も含まれる。孔は貫通孔に限られず、非貫通の孔も含めて、孔という。孔には、ビアホール及びスルーホールが含まれる。以下、ビアホール内（壁面又は底面）に形成される導体をビア導体といい、スルーホール内（壁面）に形成される導体をスルーホール導体という。

めっきには、電解めっき等の湿式めっきのほか、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の乾式めっきも含まれる。

「準備すること」には、材料や部品を購入して自ら製造することのほかに、完成品を購入して使用することなども含まれる。

「囲む」には、切れ目のない枠で１つの領域を完全に閉じていること（図１及び図１６参照）のほか、一部切れ目のある枠で１つの領域を囲んでいること（図１５参照）も含まれる。枠には、矩形の他、多角形、円形のリング等も含む。

＜第１の実施形態＞
本実施形態の配線板１００は、プリント配線板である。配線板１００には、図１〜図３に示すように、電子部品２００や配線基板を収容するキャビティＲ１が形成されている。電子部品２００等は、配線板１００の表面から突出しないように、キャビティＲ１に収容される。キャビティＲ１は、配線板１００の縁から離間した位置に形成されている（他の変形例に係るキャビティについては、図１５及び図１６に示し後述する）。

配線板１００は、図２に示すように、配線板１０と、絶縁層２０ａ，３０ａ，４０ａ，５０ａ，６０ａ，７０ａと、導体層２１，３１，４１，５１，６１，７１と、ビア導体２２，３２，４２，５２，６２，７２と、を備える。配線板１０は、配線板１００のコア基板である。以下、配線板１０の表裏面（２つの主面）の一方を第１面Ｆ１、他方を第２面Ｆ２という。

配線板１０は、絶縁層１０ａと、導体層１１ａ及び導体層（中継導体）１１ｂと、ビア導体１２と、を有する。導体層１１ａは、絶縁層１０ａの一側の主面側（配線板１０の第１面Ｆ１側）に形成され、導体層１１ｂは、絶縁層１０ａの他側の主面側（配線板１０の第２面Ｆ２側）に形成される。絶縁層１０ａには、絶縁層１０ａを貫通するビアホール１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄが形成されている。ビア導体１２は、例えば銅のめっきがビアホール１２ａに充填されて構成される。絶縁層１０ａに形成される複数のビア導体１２は、フィルドスタックＳを構成するビア導体１２１と、キャビティＲ１内のパッド（第１導体パターン）１０１ａ及びパッド１０１ｂのそれぞれに接続されるビア導体（中継導体）１２２及びビア導体１２３と、ビア導体１２１と一体的に形成される導体パターン（第２導体パターン）１０１ｃに接続されるビア導体（中継導体）１２４と、を含む。パッド１０１は、複数のパッド１０１ａ，１０１ｂを含み、複数のパッド１０１ａ，１０１ｂは、それぞれビア導体１２２，１２３の直上に配置される。

配線板１０の第１面Ｆ１側には、ビルドアップ部３０（積層部）が形成され、配線板１０の第２面Ｆ２側には、ビルドアップ部２０が形成される。

ビルドアップ部３０は、絶縁層３０ａ，５０ａ，７０ａと、導体層３１，５１，７１と、ソルダーレジスト８１と、から構成される。３層の絶縁層３０ａ，５０ａ，７０ａと３層の導体層３１，５１，７１とは交互に積層され、最下層となる絶縁層３０ａは配線板１０の第１面Ｆ１上に形成される。ソルダーレジスト８１は、配線板１００における第１面Ｆ１側の最外層に形成される。

また、ビルドアップ部２０は、絶縁層２０ａ，４０ａ，６０ａと、導体層２１，４１，６１と、ソルダーレジスト８２と、から構成される。３層の絶縁層２０ａ，４０ａ，６０ａと３層の導体層２１，４１，６１とは交互に積層され、最下層となる絶縁層２０ａは配線板１０の第２面Ｆ２上に形成される。ソルダーレジスト８２は、配線板１００における第２面Ｆ２側の最外層に形成される。絶縁層２０ａ，３０ａ，４０ａ，５０ａ，６０ａ，７０ａはそれぞれ、層間絶縁層に相当する。ソルダーレジスト８１，８２の代わりにカバーレイを用いてもよい。

導体層７１は、第１面Ｆ１側の最外の導体層となり、導体層６１は、第２面Ｆ２側の最外の導体層となる。導体層７１，６１上にはそれぞれ、ソルダーレジスト８１，８２が形成される。ただし、ソルダーレジスト８１，８２にはそれぞれ、開口部８１ａ，８２ａが形成されている。このため、導体層７１の所定の部位（開口部８１ａに位置する部位）は、ソルダーレジスト８１に覆われず露出しており、パッドＰ１となる。また、導体層６１の所定の部位（開口部８２ａに位置する部位）は、パッドＰ２となる。パッドＰ１は、例えば電子部品を実装するための外部接続端子となり、パッドＰ２は、例えば他の配線板と電気的に接続するための外部接続端子となる。ただしこれに限られず、パッドＰ１、Ｐ２の用途は任意である。

絶縁層１０ａは、例えばリジッド基板からなる。絶縁層１０ａは、例えばガラスクロス（心材）にエポキシ樹脂を含浸させたもの（以下、ガラエポという）からなる。心材は、主材料（本実施形態ではエポキシ樹脂）よりも熱膨張率の小さい材料である。心材としては、例えばガラス繊維（例えばガラス布又はガラス不織布）、アラミド繊維（例えばアラミド不織布）、又はシリカフィラー等の無機材料が好ましいと考えられる。このように、絶縁層１０ａが、心材を含むリジッド基板であるため、心材がある分だけ、パッドＰ１，Ｐ２の形成、レーザストッパ部９０、及びソルダーレジスト（保護膜）８３の形成を行う上で、表面の平坦性を確保し易くなる。

ただし、絶縁層１０ａの形状や、厚さ、材料等は、基本的に任意である。例えばエポキシ樹脂に代えて、ポリエステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、イミド樹脂（ポリイミド）、フェノール樹脂、又はアリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）等を用いてもよい。絶縁層１０ａは、異種材料からなる複数の層から構成されていてもよい。また、絶縁層１０ａは、例えばフレキシブル基板からなるものもよい。

絶縁層２０ａ，３０ａ，４０ａ，５０ａ，６０ａ，７０ａはそれぞれ、例えばエポキシ樹脂からなる。本実施形態では、これら絶縁層２０ａ等が心材を含まない樹脂からなる。ただしこれに限定されず、これら絶縁層２０ａ等の形状や、厚さ、材料等は、基本的に任意である。例えばビルドアップ部２０，３０における上記絶縁層２０ａ等が心材を含んでいてもよい。

導体層１１ａ，１１ｂ，２１，３１，４１，５１，６１，７１はそれぞれ、例えば銅箔及び銅のめっきの２層構造からなる。導体層１１ａ（特にパッド１０１ａ，１０１ｂ）、導体層７１（特にパッドＰ１）、及び導体層６１（特にパッドＰ２）は、下層から順に、銅箔、めっき層及び耐食層が積層された３層構造を有する。しかしこれに限定されず、これら導体層１１ａ等の材料は任意である。

ビア導体１２は、例えば銅のめっきからなる。ビア導体１２の形状は、例えばＺ１側に向かって拡径されるようにテーパしたテーパ円柱（円錐台）である。しかしこれに限定されず、ビア導体１２の材料及び形状は任意である。

絶縁層２０ａ，３０ａ，４０ａ，５０ａ，６０ａ，７０ａにはそれぞれ、ビアホール２２ａ，３２ａ，４２ａ，５２ａ，６２ａ，７２ａが形成され、これらビアホール２２ａ等にそれぞれ、例えば銅のめっきが充填されることにより、ビア導体２２，３２，４２，５２，６２，７２が形成される。これらビア導体２２等の形状はそれぞれ、例えば上層に向かって拡径されるようにテーパしたテーパ円柱（円錐台）である。しかしこれに限定されず、これらビア導体２２等の材料や形状は任意である。

配線板１００においては、ビア導体１２（特にビア導体１２１）、及びビア導体２２，３２，４２，５２，６２，７２（いずれもフィルド導体）が、配線板１０の両側（第１面Ｆ１側及び第２面Ｆ２側）で積重されることにより、Ｚ方向に沿ってフィルドスタックＳが延設される。積み重ねられ隣接するビア導体同士は密着（接触）し、互いに導通する。フィルドスタックＳは、配線板１００の両面の導体層、すなわち第１面Ｆ１側の導体層７１と第２面Ｆ２側の導体層６１とを相互に電気的に接続する。

フィルドスタックＳは、全層のフィルド導体が積重された構造、いわゆるフルスタック構造になっている。このため、配線スペースの確保が容易になり、導体パターンの設計自由度が高くなる。また、Ｘ方向又はＹ方向の配線を省略できるため、層間接続における配線長の短縮を図ることができる。なお、フィルドスタックＳの配置や数は、任意である。例えばフィルドスタックＳが複数あってもよい。

配線板１００には、配線板１００を貫通するスルーホール１１１ａ（図１参照）が形成され、スルーホール１１１ａの壁面に例えば銅のめっきが形成されることにより、スルーホール導体が形成されている。

本実施形態では、図１及び図２に示すように、ビルドアップ部３０に、配線板１００の一側（第１面Ｆ１側）に開口する孔からなる略直方体状のキャビティＲ１が形成されている。キャビティＲ１の壁面Ｆ１２は、ビルドアップ部３０の側面に相当する。なお、配線板１００に形成されるキャビティの数は１つに限られず任意である。

キャビティＲ１の底面Ｆ１１には、キャビティＲ１の壁面Ｆ１２に接する４辺からレーザストッパ部９０が突出している。レーザストッパ部９０は、キャビティＲ１形成のためのレーザ加工において、レーザによる加工深さ（キャビティＲ１の深さ）を画定するものである。レーザストッパ部９０は、絶縁層１０ａの一側の主面（配線板１０の第１面Ｆ１側の面）上（キャビティＲ１の底面Ｆ１１）に切れ目のない矩形状に形成されている。レーザストッパ部９０の一部は、グランドに接続されている。また、パッド１０１（１０１ａ，１０１ｂ）は、レーザストッパ部９０に囲まれた底面Ｆ１１において、壁面Ｆ１２及びレーザストッパ部９０から離れた一部領域に配置される。

配線板１００は、パッド１０１ａに電気的に接続される複数の導体パターン１０１ｃを有する。パッド１０１（１０１ａ，１０１ｂ）及び導体パターン１０１ｃは、導体層１１ａに含まれる。本実施形態では、ビア導体１２２，１２４及び導体層１１ｂが、レーザストッパ部９０を迂回して、キャビティＲ１内の端子（パッド１０１ｂ）とキャビティＲ１外の他の回路（導体パターン１０１ｃ）とを互いに電気的に接続する配線（中継導体）に相当する。

キャビティＲ１は、配線板１００の表面から、レーザストッパ部９０に到達する深さまで形成されている。キャビティＲ１の深さは、キャビティＲ１に収容する部品の高さに応じて決めることが好ましい。なお、キャビティＲ１が浅いほど配線板１００の反りを低減し易いと考えられる。

また、本実施形態では、導体パターン１０１ｃがそれぞれ、Ｘ方向に長いライン状に形成される。これら導体パターン１０１ｃは、互いに近い距離に略平行に形成される。これら導体パターン１０１ｃのＬ／Ｓ（幅／間隔）はそれぞれ、例えば約５０μｍ／約５０μｍである。

図２に示すように、配線板１００は、各主面に形成されるソルダーレジスト８１，８２（外層ソルダーレジスト）に加えて、キャビティＲ１の底面Ｆ１１上に、ソルダーレジスト８３（内層ソルダーレジスト）を有する。ソルダーレジスト８３には開口部８３ａが形成されており、開口部８３ａからパッド１０１が露出している。

キャビティＲ１には、例えば図３に示すように、電極２００ａを有する電子部品２００が収容される。また、キャビティＲ１内のパッド１０１上には、半田２００ｂが形成される。そして、パッド１０１と電子部品２００とは、半田２００ｂを介して、互いに電気的に接続される。なお、キャビティＲ１内に収容されパッド１０１と電気的に接続されるものは電子部品２００に限られず、他の配線板等でもよく、任意である。

上記実施形態に係る配線板１００は、一体で形成されたレーザストッパ部９０を有するため、断続的に形成されたものに生じる浮遊電位の発生を抑制できるとともに、一箇所をグランドに接続することで容易にグランド電位にできる。これによって、レーザストッパ部９０がノイズ源となることを抑制することができる。

また、レーザストッパ部９０が矩形状に形成されているため、レーザストッパ部９０を備える配線板１００の反りに対する強度を向上させることができる。

また、レーザが照射されるレーザストッパ部９２，９３を迂回するように、導体層１１ａに繋がるビア導体１２が形成されているため、導体層１１ａにレーザが照射されることはない。このため、ソルダーレジスト８３で導体層１１ａを覆うことができる。更には、導体層１１ａに形成された配線（導体パターン）相互の前記絶縁信頼性が高まるため、配線干渉が生じづらく、導体パターンをファインピッチで引き回すことが可能となる。

次に、本発明の第１の実施形態に係る配線板１００の製造方法について説明する。
上記配線板１００は、例えば図４に示すような手順で製造される。

ステップＳ１１では、所定位置にビアホール１２ａ〜１２ｄを有する絶縁層１０ａを準備する。ここで所定位置とは、詳細については後述するが、ビアホール１２ａについてはフィルドスタックＳとなる位置であり、ビアホール１２ｂ，１２ｃについてはパッド１０１ａ，１０１ｂにそれぞれ対向する位置であり、ビアホール１２ｄについては導体パターン１０１ｃの一部に対向する位置である。

ステップＳ１２では、ビア導体１２（１２１〜１２４）を絶縁層１０ａのビアホール１２ａ〜１２ｄに充填させ、絶縁層１０ａ上に導体層１１ａ，１１ｂ及びレーザストッパ部９０を形成して配線板１０とする。ビア導体１２は、フィルド導体からなる。

具体的には、絶縁層１０ａの一側の主面（配線板１０の第１面Ｆ１側の面）に導体層１１ａを形成し、絶縁層１０ａの他側の主面（配線板１０の第２面Ｆ２側の面）に導体層１１ｂが形成する。また、キャビティＲ１の底面Ｆ１１における周縁に相当する位置にレーザストッパ部９０を形成する。なお、レーザストッパ部９０の周囲には、導体層１１ａは形成されていない。つまり、図６から明らかなように、レーザストッパ部９０を迂回するようにして、ビア導体１２２、導体層１１ｂ及びビア導体１２４が形成され、パッド１０１ａと導体パターン１０１ｃと接続される。

配線板１０は、例えば両面銅張積層板をベース材料として、例えばレーザによりその積層板にビアホール１２ａ〜１２ｄを形成し、続けて、銅のパネルめっきを行った後、例えばリソグラフィ技術により両面の導体層をパターニングすることによって形成することができる。絶縁層１０ａは、例えば完全に硬化したガラエポからなる。

続けて、図４のステップＳ１３で、例えば図７に示すように、キャビティＲ１の底面Ｆ１１に相当する領域上に、パッド１０１のためのソルダーレジスト８３（内層ソルダーレジスト）を形成する。ソルダーレジスト８３は、スクリーン印刷、スプレーコーティング、ロールコーティング、又はラミネート等により形成することができる。

続けて、図４のステップＳ１４で、例えば図８に示すように、ソルダーレジスト８３上にマスク１００１を形成する。マスク１００１は、例えばソルダーレジスト８３と略同じ外形（Ｘ−Ｙ平面）であってもよい。

続けて、図４のステップＳ１５で、配線板１０の両面にビルドアップを行った後、外層ソルダーレジストを形成する。これにより、配線板１０の第１面Ｆ１上、第２面Ｆ２上にそれぞれ、ビルドアップ部３０、２０が形成される。

具体的には、マスク１００１を設置した後、例えば図９Ａに示すように、第２面Ｆ２側から、銅箔１００２、絶縁層２０ａ、配線板１０、絶縁層３０ａ、及び銅箔１００３という順の配置に形成する。ここで、絶縁層３０ａはマスク１００１の側方に位置し、絶縁層３０ａの高さがマスク１００１の高さと略一致することで、両者の主面によって略平坦な面が形成される。そして、この略平坦な面上に銅箔１００３が形成される。配線板１０は絶縁層２０ａ及び３０ａによって挟まれ、さらにこれらが、銅箔１００２及び銅箔１００３によって挟まれる。この段階では、絶縁層２０ａ及び３０ａは、プリプレグ（半硬化状態の接着シート）となっている。ただし、プリプレグに代えて、ＲＣＦ（Resin Coated copper Foil）などを用いることもできる。

続けて、上記積層体をＺ方向に加熱プレスする。すなわち、プレス及び加熱処理を同時に行う。プレス及び加熱により、プリプレグ（絶縁層２０ａ、３０ａ）は硬化し、部材同士は付着する。その結果、積層体は一体化する。なお、プレス及び加熱処理は、複数回に分けて行ってもよい。また、加熱処理とプレスとは別々に行ってもよいが、同時に行った方が効率は良い。加熱プレスの後、別途一体化のための加熱処理を行ってもよい。

続けて、例えばレーザにより、絶縁層２０ａにビアホール２２ａが形成され、絶縁層３０ａにビアホール３２ａが形成される（図９Ｂ参照）。その後、必要に応じて、デスミアを行う。

続けて、例えば銅のパネルめっきにより、銅箔１００２，１００３上及びビアホール２２ａ，３２ａ内にめっきを形成した後、例えばリソグラフィ技術により両面の導体層をパターニングする。これにより、図９Ｂに示すように、ビア導体２２，３２、及び導体層２１，３１が形成される。また、ビア導体２２，３２の各々は、フィルド導体であり、ビア導体１２の直上（Ｚ方向）に積重される。

続けて、第１ビルドアップ層（絶縁層２０ａ，３０ａ、導体層２１，３１及びビア導体２２，３２）と同様にして、図１０に示すように、第２ビルドアップ層（絶縁層４０ａ，５０ａ、導体層４１，５１及びビア導体４２，５２）、第３ビルドアップ層（絶縁層６０ａ，７０ａ、導体層６１，７１及びビア導体６２，７２）を、順に形成する。また、ビア導体４２、５２、６２、７２の各々は、フィルド導体であり、ビア導体１２の直上（Ｚ方向）に積重される。これらは、フィルドスタックＳを構成する。

続けて、図１１に示すように、絶縁層７０ａ，６０ａ上にそれぞれ、開口部８１ａが形成されたソルダーレジスト８１、開口部８２ａが形成されたソルダーレジスト８２を形成する。導体層７１，６１はそれぞれ、開口部８１ａ，８２ａに位置する所定の部位（パッドＰ１、Ｐ２及びランド等）を除いて、ソルダーレジスト８１，８２で覆われる。ソルダーレジスト８１，８２は、例えばスクリーン印刷、スプレーコーティング、ロールコーティング、又はラミネート等により、形成することができる。

これにより、配線板１０の第１面Ｆ１上（絶縁層１０ａ上及び導体層１１ａ上）に、絶縁層３０ａ，５０ａ，７０ａ及びソルダーレジスト８１から構成されるビルドアップ部３０が形成され、配線板１０の第２面Ｆ２上（絶縁層１０ａ上及び導体層１１ｂ上）に、絶縁層２０ａ，４０ａ，６０ａ及びソルダーレジスト８２から構成されるビルドアップ部２０が形成される。

続けて、図４のステップＳ１６で、ビルドアップ部３０の上層側から、レーザストッパ部９０にレーザ光を照射する。

具体的には、例えば図１２に示すように、上側から見て四角形を描くように（四角形に形成されたレーザストッパ部９０に沿うように）レーザ光を照射することにより、ビルドアップ部３０の一部を、その周りの部分から切り取る。この際、レーザ光の照射条件（強度等）は、少なくともレーザ光がレーザストッパ部９０に届くように調整する。レーザ光の照射角度は、例えば配線板１０の第１面Ｆ１に対して略垂直の角度とする。

なお、レーザストッパ部の一部にギャップを有する従来技術の配線板においては、絶縁層に段差のあるギャップが形成されているため薄くなっていた。対して、本実施形態に係る配線板１００おいては、レーザストッパ部９０が一体的に形成されており、ギャップのために絶縁層１０ａが薄くなることはない。よって、絶縁層１０ａの上下面に配された導体層１１ａ，１１ｂの絶縁信頼性を高く保つことができる。

レーザの照射位置を変える場合には、例えば被照射体を固定してレーザ（厳密にはその照準）を移動させること、又は、逆にレーザ（厳密にはその照準）を固定して被照射体を移動させることが好ましい。レーザを移動させる場合には、例えばガルバノミラーによりレーザを移動させることが好ましい。

上記レーザ照射により、図１３に示すように、ビルドアップ部３０の一部（マスク１００１及びその上の部分）が分離可能になる。以下、ビルドアップ部３０の分離可能になった部分を、蓋部１００４という。本実施形態では、レーザを用いることで、ビルドアップ部３０が厚い場合、又はビルドアップ部３０が多層からなる場合などにおいても、比較的容易にビルドアップ部３０を切断することが可能になる。

また、絶縁層２０ａ，３０ａ，４０ａ，５０ａ，６０ａ，７０ａは、積層時にプリプレグ状態であるが、プレス及び加熱処理によって硬化されたあとにレーザによって切断される。このため、絶縁層２０ａ，３０ａ，４０ａ，５０ａ，６０ａ，７０ａの切断後の浸みだしを考慮することなく、キャビティＲ１の側壁を正確な寸法で形成することができる。更に、正確な寸法のキャビティＲ１が形成されることで、キャビティＲ１に収容される電子部品２００や配線板とキャビティＲ１とのクリアランスを小さくすることができる。このため、キャビティＲ１の占有領域を抑えることができ、その分、配線領域を確保できる。

続けて、図４のステップＳ１７で、例えば手作業で又はその他の手法で外力を加えて、図１４に示すように、ビルドアップ部３０の蓋部１００４を除去する。これにより、絶縁層１０ａの、パッド１０１及びレーザストッパ部９０が形成された面（第１面Ｆ１）を底面Ｆ１１とするキャビティＲ１が形成される。

続けて、図４のステップＳ１８で、電解めっき又はスパッタリング等により、各露出面（パッド表面等）に、例えばＮｉ／Ａｕ膜からなる耐食層を形成する。また、ＯＳＰ処理を行うことにより、有機保護膜からなる耐食層を形成してもよい。これにより、表面に耐食層を有するパッド１０１，Ｐ１，Ｐ２が、形成される。

以上説明した工程により、配線板１００（図１及び図２参照）が完成する。本実施形態の製造方法は、配線板１００の製造に適している。こうした製造方法であれば、低コストで、良好な配線板１００が得られる。

以上、本発明の実施形態に係る配線板及びその製造方法について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。

（第１変形例）
本実施形態の配線板１００は、図１５に示すように、キャビティＲ１とは異なる位置に形成されたキャビティＲ２，Ｒ３を有するようにしてもよい。このキャビティＲ２，Ｒ３は、孔からなるキャビティＲ１と異なり切欠きからなり、ビルドアップ部に全周を囲まれるものではない。具体的には、キャビティＲ２は、キャビティＲ２の壁面（ビルドアップ部３０の側面）の数は３面であり、他の１面は配線板１００の側面から開放されている。また、キャビティＲ３の壁面（ビルドアップ部３０の側面）の数は２面であり、他の２面は配線板１００の側面から開放されている。

また、キャビティＲ２の底面Ｆ２１には、キャビティＲ２の壁面Ｆ２２の全部（３面）からレーザストッパ部９２が突出している。キャビティＲ２に形成されたレーザストッパ部９２の形状は、上面視でＵ字状であり、パッド１０２は、レーザストッパ部９２及び開放部に囲まれた底面Ｆ２１の一部領域に配置される。

また、キャビティＲ３の底面Ｆ３１には、キャビティＲ３の壁面Ｆ３２の全部（２面）からレーザストッパ部９３が突出している。キャビティＲ３に形成されたレーザストッパ部９３の形状は、上面視でＬ字状であり、パッド１０３は、レーザストッパ部９３及び開放部に囲まれた底面Ｆ３１の一部領域に配置される。

このような構成のキャビティＲ２，Ｒ３であっても、一体で形成されたレーザストッパ部９２，９３をキャビティＲ２，Ｒ３のレーザ加工部に形成できるため、浮遊電位の発生を抑制できるとともに、一箇所をグランドに接続することで容易にグランド電位にできる。これによって、レーザストッパ部９２，９３がノイズ源となることを抑制することができる。

また、レーザストッパ部９２，９３を迂回するようにビア導体を形成することで、ソルダーレジスト８３で導体層１１ａを覆うことができ、配線（導体パターン）をファインピッチで引き回すことが可能となる。

（第２変形例）
キャビティの形状は、キャビティＲ１のような略直方体に形成されるものに限られず、任意である。例えば図１６に示すように、略円柱状のキャビティＲ４であってもよい。この場合、レーザストッパ部９４を、キャビティＲ４の側面に沿って突出するように、上面視でリング形に形成すればよい。

また、キャビティＲ１に収容される電子部品２００等の実装方法は、半田接続に限られず任意である。例えばワイヤボンディング接続やＡＣＦ（異方性導電膜）接続など、他の手法を用いてもよい。

（第３変形例）
キャビティは、配線板１００のコア基板である配線板１０の一面がキャビティＲ１の底面Ｆ１１とされるものに限られず、例えば図１７Ａに示すように、コア基板に積層される絶縁層の面がキャビティＲ１の底面Ｆ１１とされてもよい。図１７Ａの例では、配線板１０の第１面Ｆ１に積層される絶縁層３０ａの上層側の面がキャビティＲ１の底面Ｆ１１とされ、キャビティＲ１内の絶縁層３０ａの上層側にパッド３０１ａ，３０１ｂとソルダーレジスト８３（内層ソルダーレジスト）が形成されている。この場合、レーザストップ部９４は、キャビティＲ１の側面に沿って突出するように、絶縁層３０ａ上に形成される。パッド３０１ａ，３０１ｂは、絶縁層３０ａのビア導体３２（３２３，３２４）の直上に配置され、絶縁層３０ａのビア導体３２（３２３，３２２）と導体層１０１ａを介し（中継導体とし）、レーザストップ部９４を迂回して、絶縁層３０ａ上におけるキャビティＲ１外の導体層３０１ｃに電気的に接続される。また、例えば図１７Ｂに示すように、キャビティがコア基板を貫通して形成され、絶縁層の下層側の面がキャビティの底面とされてもよい。図１７Ｂの例では、配線板１０の第２面Ｆ２に積層される絶縁層２０ａの下層側の面がキャビティＲ１の底面Ｆ１１とされ、キャビティＲ１内の絶縁層２０ａの下層側にパッド１１１ａ，１１１ｂが形成されている。また、絶縁層４０ａ，５０ａ，６０ａ，７０ａの面を底面としてキャビティが形成されても良い。

その他の点についても、配線板１００の構成、及びその構成要素の種類、性能、寸法、材質、形状、層数、又は配置等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に変更することができる。

ビア導体１２，２２，３２，４２，５２，６２，７２は、フィルド導体に限定されない。例えば、図１８に示すように、最外層の導体層７１，８２のビア導体６２，７２が、コンフォーマル導体からなりその内側に絶縁体６２２，７２２（例えば樹脂）が充填されたビア導体（コンフォーマルビア）６２０，７２０から形成されるものであってもよい。また、その他の層のビア導体をコンフォーマルビアとしても良い。

＜第２の実施形態＞
第１の実施形態に係る配線板１００においては、ビア導体１２２，１２４及び導体層１１ｂによって、レーザストッパ部９０を迂回するようにしてパッド１０１ａと導体パターン１０１ｃとを接続する構成であった。第２の実施形態に係る配線板１２０は、ビア導体１２２，１２４及び導体層１１ｂの代替として、スルーホール導体１３０を備える構成である。なお、以下において、第２の実施形態に係る配線板１２０の特徴を明確にするため、第１の実施形態に係る配線板１００と重複する特徴については説明を省略する。

本実施形態の配線板１２０は、図１９に示すように、配線板１３と、絶縁層２０ａ，３０ａ，４０ａ，５０ａ，６０ａ，７０ａと、導体層２１，３１，４１，５１，６１，７１と、ビア導体２２，３２，４２，５２，６２，７２と、を備える。配線板１３は、配線板１２０のコア基板である。

配線板１３は、絶縁層１０ｂと、導体層１３ａ，１３ｂと、スルーホール導体（中継導体）１３０と、を有する。導体層１３ａは、絶縁層１０ｂの一側の主面（配線板１０の第１面Ｆ１側の面）に形成されるものであり、スルーホール導体１３０と一部重複する。また、導体層１３ｂは、絶縁層１０ｂの他側の主面（配線板１０の第２面Ｆ２側の面）に形成されるものであり、スルーホール導体１３０と一部重複する。絶縁層１０ｂには、絶縁層１０ｂを貫通し、キャビティＲ１が形成される位置の直下にあるスルーホール１３０ａ，及びキャビティＲ１が形成される位置の直下からＸ−Ｙ平面における外側に離れた位置にあるスルーホール１３０ｂが形成されている。

スルーホール導体１３０は、図１９に示すように、Ｘ−Ｚ断面においてレーザストッパ部９０から離間するように略Ｃ字状に形成されており、例えば銅のめっきがスルーホール１３０ａ，１３０ｂを被覆するようにして構成される。スルーホール導体１３０における略Ｃ字状の一端は、キャビティＲ１内においてソルダーレジスト８３に一部を露出して覆われている。この露出した部分に、パッド１０１ａが形成されている。また、スルーホール導体１３０における略Ｃ字状の他端は、導体パターン１０１ｃを含み、キャビティＲ１のＸ−Ｙ平面における外側においてビア導体２２，３２と接続されている。

このように、本発明に係る配線板は、レーザストッパ部９０を迂回してキャビティＲ１内の端子（パッド１０１ａ）とキャビティＲ１外の他の回路（導体パターン１０１ｃ、ビア導体２２，３２）とを互いに電気的に接続するものとして、スルーホール導体１３０を備えるようにしてもよい。

次に、本発明の第２の実施形態に係る配線板１２０の製造方法について説明する。なお、以下において、第２の実施形態に係る配線板１２０の製造方法を明確にするため、第１の実施形態に係る配線板１００の製造方法と重複する特徴については説明を省略する。
上記配線板１２０は、例えば図２０に示すような手順で製造される。

ステップＳ２１では、例えば図２１に示すように、所定位置にスルーホール１３０ａ，１３０ｂを有する絶縁層１０ｂを準備する。ここで所定位置とは、詳細については後述するが、スルーホール１３０ａについては、キャビティＲ１が形成される位置であり、スルーホール１３０ｂについては、キャビティＲ１が形成される位置からＸ−Ｙ平面において外側に離間した位置である。

ステップＳ２２では、スルーホール導体１３０を、絶縁層１０ｂのスルーホール１３０ａ，１３０ｂ、配線板１３の第１面Ｆ１及び第２面Ｆ２を覆うように、銅のめっきによって形成する。スルーホール導体１３０が形成されることにより、絶縁層１０ｂの一側の主面には導体層１３ａが形成され、絶縁層１０ｂの他側の主面には導体層１３ｂが形成されることとなる。またこのとき、マスク等で覆うことによって、絶縁層１０ｂにおいて、キャビティＲ１の底面における周縁に相当する位置には、スルーホール導体１３０を形成しないようにする。このスルーホール導体１３０が形成されていない、キャビティＲ１の底面である周縁位置に沿うように、Ｘ−Ｙ平面において枠状にレーザストッパ部９０を形成する。つまり、図２２から明らかなように、スルーホール導体１３０の一端に形成されるパッド１０１ａが、レーザストッパ部９０を迂回するようにして、スルーホール導体１３０を介して導体パターン１０１ｃに一体的に接続される。

続けて、図２０のステップＳ２３で、例えば図２３に示すように、キャビティＲ１の底面Ｆ１１に相当する領域上に、パッド１０１ａのためのソルダーレジスト８３（内層ソルダーレジスト）を形成する。ソルダーレジスト８３は、スクリーン印刷、スプレーコーティング、ロールコーティング、又はラミネート等により形成することができる。

続けて、図２０のステップＳ２４で、例えば図２４に示すように、ソルダーレジスト８３上にマスク１００１を形成する。マスク１００１は、例えば、ソルダーレジスト８３とＸ−Ｙ平面において略同じ外形であってもよい。

また、図２０におけるその後のステップＳ２５〜Ｓ２８は、夫々図４におけるステップＳ１５〜Ｓ１８と略同一のステップであるため、説明を省略する。

以上説明した工程により、配線板１２０（図１９参照）が完成する。本実施形態の製造方法は、配線板１２０の製造に適している。こうした製造方法であれば、低コストで、良好な配線板１２０が得られる。

以上、本発明に係る実施形態に係る配線板及び配線板の製造方法について説明したが、各導体層、ビア導体、及びスルーホール導体の材料は、上記のものに限定されず、用途等に応じて変更可能である。例えばこれらの導体材料として、銅以外の金属を用いてもよい。各絶縁層の材料も任意である。ただし、層間絶縁層を構成する樹脂としては、熱硬化性樹脂又は熱可塑性樹脂が好ましい。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂のほか、例えばポリイミド、ＢＴ樹脂、アリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）、アラミド樹脂などを用いることができる。また、熱可塑性樹脂としては、例えば液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ＰＥＥＫ樹脂、ＰＴＦＥ樹脂（フッ素樹脂）などを用いることができる。これらの材料は、例えば絶縁性、誘電特性、耐熱性、又は機械的特性等の観点から、必要性に応じて選ぶことが望ましい。また、上記樹脂には、添加剤として、硬化剤、安定剤、フィラーなどを含有させることができる。また、各導体層及び各絶縁層等は、異種材料からなる複数の層から構成されていてもよい。

また、上記実施形態においては、一層の絶縁層の両主面をビア導体又はスルーホール導体が往来することで、レーザストッパ部を迂回してキャビティ内の配線とキャビティ外の配線とを接続する構成を説明した。本発明はこの構成に限られず、レーザストッパ部を迂回できればよく、複数の絶縁層に亘るビア導体又はスルーホール導体によって、キャビティ内の配線とキャビティ外の配線とを接続する構成であってもよい。

配線板の製造工程は、図４及び図２０のフローチャートに示した順序や内容に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に順序や内容を変更することができる。また、用途等に応じて、必要ない工程を割愛してもよい。

例えばレーザに代えて、湿式又は乾式のエッチングで加工してもよい。エッチングで加工する場合には、予め除去したくない部分をレジスト等で保護しておくことが好ましい。

また、各導体層の形成方法は任意である。例えばパネルめっき法、パターンめっき法、フルアディティブ法、セミアディティブ（ＳＡＰ）法、サブトラクティブ法、転写法、及びテンティング法のいずれか１つ、又はこれらの２以上を任意に組み合わせた方法で、導体層を形成してもよい。

上記実施形態や変形例等は、任意に組み合わせることができる。用途等に応じて適切な組み合わせを選ぶことが好ましい。

以上、本発明の実施形態について説明したが、設計上の都合やその他の要因によって必要となる様々な修正や組み合わせは、「特許請求の範囲」に記載されている発明や「発明を実施するための形態」に記載されている具体例に対応する発明の範囲に含まれると理解されるべきである。

１０ 配線板
１０ａ 絶縁層
１１ａ 導体層
１１ｂ 導体層（中継導体）
１２ ビア導体
１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ ビアホール
１３ 配線板
１３ａ，１３ｂ 導体層
２０ ビルドアップ部
３０ ビルドアップ部（積層部）
２０ａ，３０ａ，４０ａ，５０ａ，６０ａ，７０ａ 絶縁層
２１，３１，４１，５１，６１，７１ 導体層
２２，３２，４２，５２，６２，７２ ビア導体
２２ａ，３２ａ，４２ａ，５２ａ，６２ａ，７２ａ ビアホール
８１，８２ ソルダーレジスト
８１ａ，８２ａ 開口部
８３ ソルダーレジスト（保護膜）
８３ａ 開口部
９０，９２，９３，９４ レーザストッパ部
１００ 配線板
１０１，１０２，１０３ パッド
１０１ａ パッド（第１導体パターン）
１０１ｂ パッド
１０１ｃ 導体パターン（第２導体パターン）
１１１ａ スルーホール
１２０ 配線板
１２２ ビア導体（中継導体）
１２３ ビア導体
１２４ ビア導体（中継導体）
１２６ 絶縁体
１３０ スルーホール導体（中継導体）
１３０ａ，１３０ｂ スルーホール
２００ 電子部品
２００ａ 電極
２００ｂ 半田
１００１ マスク
１００２，１００３ 銅箔
１００４ 蓋部
Ｆ１１，Ｆ２１，Ｆ３１，Ｆ４１ 底面
Ｆ１２，Ｆ２２，Ｆ３２ 壁面
Ｐ１，Ｐ２ パッド
Ｒ１〜Ｒ４ キャビティ
Ｓ フィルドスタック

Claims (11)

1. キャビティと、
   前記キャビティの底面を構成する絶縁層と、
   前記キャビティの壁面に沿って、前記絶縁層上に形成されるレーザストッパ部と、
   前記絶縁層上における前記キャビティの内側に形成される第１導体パターンと、
   前記絶縁層上における前記キャビティの外側に形成される第２導体パターンと、を備える配線板であって、
   前記第１導体パターンと前記第２導体パターンは、前記絶縁層に形成される中継導体を介して前記レーザストッパ部を迂回して接続される、
   ことを特徴とする配線板。
2. 前記レーザストッパ部はグランドに接続されている、
   ことを特徴とする請求項１に記載の配線板。
3. 前記第１導体パターン上には保護膜が形成される、
   ことを特徴とする請求項１又は２に記載の配線板。
4. 前記保護膜は、前記第１導体パターン及び前記レーザストッパ部のうち、前記第１導体パターンにのみ前記保護膜が形成されている、
   ことを特徴とする請求項３に記載の配線板。
5. 前記絶縁層の上には第２絶縁層が形成され、
   前記レーザストッパ部は、一部が前記第２絶縁層に被覆されている、
   ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の配線板。
6. 前記キャビティの側壁は２層以上の絶縁層からなる連続面である、
   ことを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の配線板。
7. 前記レーザストッパ部は、枠状に形成されている、
   ことを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の配線板。
8. 前記レーザストッパ部は、リング状に形成されている。
   ことを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の配線板。
9. 前記中継導体は、フィルドビア導体を含む、
   ことを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の配線板。
10. 前記中継導体は、スルーホール導体を含む。
    ことを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の配線板。
11. 第１絶縁層を準備することと、
    前記第１絶縁層の両面に跨るように中継導体を形成することと、
    前記第１絶縁層の主面上におけるキャビティ予定領域の縁に、レーザストッパ部を形成することと、
    前記キャビティ予定領域の内側にある前記第１絶縁層の前記主面上に、前記中継導体に接続される第１導体パターンを形成することと、
    前記キャビティ予定領域の外側にある前記第１絶縁層の前記主面上に、前記中継導体に接続される第２導体パターンを形成することと、
    前記第１絶縁層の前記主面上、及び前記レーザストッパ部の上に第２絶縁層を形成することと、
    前記第２絶縁層を貫通して前記レーザストッパ部に達するレーザ光を前記レーザストッパ部に沿って照射することと、
    前記キャビティ予定領域にある前記第２絶縁層を除去することと、
    を含む、配線板の製造方法。

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