JP2019096796A - 配線基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】絶縁材製の基板本体における一方の表面に、実装すべき電子部品の厚みに最適な深さのキャビティを有し、該キャビティの底面に設けるパッドと該パッドに接するビア導体との電気的接続が安定した配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】セラミック層（絶縁材）ｃ１〜ｃ３からなり、対向する一対の表面３，４を有し、且つ厚み方向に沿ったビア導体６を内設する基板本体２を用意する基板本体準備工程と、該基板本体２の少なくも一方の表面３を研削して、比較的高い平面度の底面８とその周辺から立設した側面９とを有するキャビティ７を形成する第１研削工程と、該キャビティ７の底面８の一部と上記ビア導体６の一端側とを研削して、該ビア導体６の一端側が底面１１に露出する凹部１０を形成する第２研削工程と、該凹部１０内に導電性ペーストを充填して、前記凹部１０内に少なくも基部側が位置するパッド１２を形成するパッド形成工程と、を含む、配線基板１の製造方法。【選択図】 図２

Description

本発明は、絶縁材からなる基板本体の少なくとも一方の表面に開口するキャビティを有し、且つ該キャビティの底面に開口する凹部内にパッドが形成された配線基板の製造方法に関する。

例えば、複数のセラミック層を積層し且つ表面および裏面を有する基板本体と、該基板本体の前記表面側における一部のセラミック層を貫通して形成された円錐形状のキャビティと、該キャビティの底面を有する裏面側のセラミック層の上面に形成された一対のパッドと、該パッドの底面と個別に接触し且つ前記裏面側のセラミック層を貫通する２本のビア導体と、を含む発光素子実装用配線基板が提案されている（例えば、特許文献１参照）。

しかし、前記発光素子実装用配線基板のように、個々に所定の厚みを有する複数のセラミック層を積層した基板本体の表面側に、該表面側の位置するセラミック層を打ち抜いて形成したキャビティでは、前記セラミック層となる焼成前のグリーンシートの厚みに依存して該キャビティの深さが決まるため、追って実装すべき電子部品の厚みに応じた過不足のない深さのキャビティにすることは困難であった。そのため、前記電子部品の厚みよりもかなり余裕を持った深さのキャビティを形成せざるを得ず、小型化、低背化、および高密度化の要望に対応しにくい、という問題があった。
更に、予め、前記キャビティの底面となる裏面側のセラミック層を貫通させたビア導体の上端面を含む前記セラミック層の上面に、前記パッドを印刷によって形成した後、これら全体を焼成しているので、該パッドとビア導体との間における電気的な接続が不安定になり得る。しかも、上記キャビティの底面は、上記パッドが配置された状態で焼成されているため、異種材料を同時に焼成することにより、焼成時に当該キャビティの底面がうねることによって、高い平面度を得ることが困難となる、という問題もあった。

特開２００６−２２２３５８号公報（第1〜１４頁、図１〜１０）

本発明は、背景技術で説明した問題点を解決し、絶縁材からなる基板本体において対向する一対の表面の少なくとも一方に、実装すべき電子部品の厚みに最適な深さのキャビティを有し、且つ該キャビティの底面に設けるパッドと該パッドに接するビア導体との電気的接続が安定していると共に、上記キャビティの底面が高い平面度を有している配線基板の製造方法を提供する、ことを課題とする。

課題を解決するための手段および発明の効果

本発明は、前記課題を解決するため、前記キャビティを研削加工によって形成し、且つ該キャビティの底面にパッドの基部側を収容する凹部を研削する際に、予め、その真下に配設したビア導体の一端側をも併せて研削する、ことに着想して成されたものである。
即ち、本発明による配線基板の製造方法（請求項１）は、絶縁材からなり、対向する一対の表面を有する基板本体と、該基板本体の少なくとも一方の表面に開口するキャビティと、該キャビティの底面に開口する少なくとも１つの凹部と、該凹部内に少なくも基部側が形成され、上記基板本体内の厚み方向に沿って形成されたビア導体に接続するパッドと、を備えてなる配線基板の製造方法であって、絶縁材からなり、対向する一対の表面を有し、且つ該一対の表面間の厚み方向に沿ったビア導体を内設する基板本体を用意する基板本体準備工程と、前記基板本体における少なくも一方の表面を研削して、比較的高い平面度の底面と該底面の周辺から立設した側面とを有するキャビティを形成する第１研削工程と、前記キャビティの底面の一部と上記ビア導体の一端側とを研削して、該ビア導体の一端側が底面に露出する凹部を形成する第２研削工程と、前記凹部内に金属粉末を含む導電性ペーストを充填して、前記凹部内に少なくも基部側が位置するパッドを形成するパッド形成工程と、を含む、ことを特徴とする。

前記配線基板の製造方法によれば、以下の効果（１），（２）が得られる。
（１）前記第１研削工程によって、基板本体における少なくも一方の表面を研削して、比較的高い平面度の底面を含むキャビティが形成され、前記第２研削工程によって、前記キャビティの底面の一部に凹部が設けられ、更に、前記パッド形成工程によって、該凹部内に少なくも基部側が位置するパッドが形成されている。その結果、該パッドの上面の高さを後述するように適宜選択することと相まって、上記キャビティの深さを、追って実装すべき電子部品の厚みに応じた過不足のない最適な深さにできる。加えて、前記絶縁材がセラミックである場合、焼成後の第１研削工程により前記キャビティを形成するため、得られるキャビティの底面の平面度が、焼成により形成された場合に比べて、より高くすることができる。
（２）前記第２研削工程によって、前記キャビティの底面の一部に設けた凹部の底面には、当該凹部の底面を研削した際と同時に、一端側が研削された前記ビア導体の一端面を露出させている。従って、該ビア導体の一端面を確実に前記凹部の底面に露出させられるので、当該ビア導体の一端面を含む前記凹部内に形成されるパッドと当該ビア導体との電気的な接続を安定させることができる。

尚、前記絶縁材は、セラミック（例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、ムライト、ガラス−セラミックなど）、あるいは、樹脂（例えば、エポキシ系、ポリイミド系など）である。
また、前記基板本体は、上記セラミックまたは樹脂の多層積層体、上記セラミックまたは樹脂の単層体、あるいは、単層または複層のセラミック層と単層または複層の樹脂層とを積層した複合積層体の何れかからなる。前記単層体は、例えば、セラミック粉または樹脂粉を含む絶縁性材料を焼成または硬化処理する方法の他、セラミック粉または樹脂粉を用いて３Ｄ（３次元）プリンターにより製造することも可能である。
更に、前記基板本体において対向する一対の表面とは、相対的な呼称であり、例えば、一方を表面と称し、且つ他方を裏面と称することも可能である。

また、前記ビア導体は、前記基板本体の内部に内蔵された形態のほか、該基板本体の一方の少なくとも表面に一端面が露出している形態も含まれる。
更に、前記基板本体は、前記ビア導体と電気的に接続する内層配線を更に内設していても良い。
また、前記平面度は、平面の滑らかさ（均一性）を数値で表示可能とした指標であり、ＪＩＳ Ｂ ０６２１−１９８４に依拠ないし準拠している。例えば、平面度が±１０μｍ以下とは、基準とする仮想の平面に対し、その厚み方向の凹または凸が片面ごとに１０μｍ以下であることを示す。
更に、前記研削には、円柱形状の砥石が用いられ、該砥石の表面には微細なＷＣなどの超硬砥粒、ダイヤモンド砥粒、あるいはアルミナ砥粒などが固着されている。
加えて、前記パッドのうち、外部に露出する表面には、防錆対策の金属被膜（例えば、ニッケル被膜と金被膜）を電解金属メッキなどにて被覆しても良い。

また、本発明には、前記キャビティの底面の平面度は、±１０μｍ以下である、配線基板の製造方法（請求項２）も含まれる。
これによれば、前記キャビティの底面の平面度が、±１０μｍ以下の滑らかさであるため、前記効果（１）を一層奏することが可能となる。

更に、本発明には、前記第１研削工程の前に、前記基板本体において対向する一対の表面を研磨して、該一対の表面を互いに平行で且つ比較的高い平面度とする研磨工程を有する、配線基板の製造方法（請求項３）も含まれる。
これによれば、前記キャビティを形成する前記第１研削工程の前に、予め、前記基板本体で対向する一対の表面を研磨する前記研磨工程が行われる。その結果、前記研磨された比較的滑らかな各表面を基準として、前記第１研削工程が施されるため、形成されるキャビティの底面の深さを、該キャビティが開口する表面に対して均一にできるので、前記効果（１）を一層確実に得ることが可能となる。
尚、前記研磨工程には、ローラー形状の砥石が用いられ、該砥石の表面にも微細な超硬砥粒、ダイヤモンド砥粒、あるいはアルミナ砥粒などが固着されている。

また、本発明には、前記研磨工程後において、前記基板本体において対向する一対の表面における平面度は、±３０μｍ以下である、配線基板の製造方法（請求項４）も含まれる。
これによれば、上記研磨工程によって、前記基板本体において対向する一対の表面における平面度が、予め±３０μｍ以下り滑らかさにされているので、前記効果（１）を顕著に奏することが可能となる。

更に、本発明には、前記パッドの上面は、前記基板本体の厚み方向において、前記凹部の内側に位置するか、該凹部の開口部と面一であるか、あるいは、前記凹部の開口部よりも外側で且つ前記キャビティの内側に位置している、配線基板の製造方法（請求項５）も含まれる。
これによれば、前記パッドの上面（頂面）の位置が、前記凹部の内側、該凹部の開口部と面一の高さ、あるいは、上記凹部の開口部よりも外側で且つ前記キャビティの内側の何れかに位置している。その結果、追ってキャビティの底面に実装される電子部品と上記パッドとの間を、最適長さのボンディングワイヤー、あるいは、最適な厚みのロウ材層などを介して、電気的に確実に実装することができる。従って、前記効果（１）を一層確実に得ることが可能となる。
尚、同じキャビティ内に形成される複数のパッドの上面ごとの位置は、互いに相違していても良い。

また、本発明には、前記キャビティの底面には、複数の前記凹部および前記パッドが形成されている、配線基板の製造方法（請求項６）も含まれる。
これによれば、少なくとも、実装すべき電子部品に設けられた外部電極の総数と同数となる複数のパッドおよび該パッドごとに凹部が予め形成されているので、前記効果（１）を確実に得ることが可能となる。
尚、前記キャビティの底面は、平面視で矩形（長方形または正方形）状を呈する形態の他、円形状、長円形状、楕円形状、五角形以上の多角形も含んでいる。
また、前記凹部は、平面視で円形状、矩形状、長円形状などを呈する。

加えて、本発明には、前記パッド形成工程の後で、前記キャビティの底面に電子部品を固着し、且つ該電子部品の外部電極と前記パッドとの間を電気的に接続する実装工程を有する、配線基板の製造方法（請求項７）も含まれる。
これによれば、前記効果（１）を有する電子装置を確実に得ることができる。
尚、前記電子部品には、半導体素子、発光素子、圧電素子などが例示される。

（Ａ）は本発明の研磨工程を示す概略図、（Ｂ）、（Ｃ）は第１研削工程を示す概略図。 （Ａ）、（Ｂ）は第２研削工程を示す概略図、（Ｃ）はパッド形成工程を示す概略図、（Ｄ）は実装工程を示す概略図。 （Ａ）、（Ｂ）は異なる形態のパッドが形成された配線基板を示す概略図。 本発明により得られる前記とは異なる形態の配線基板を示す概略図。

以下において、本発明を実施するための形態について説明する。
図１（Ａ）は、本発明に用いる一形態の基板本体２を示す垂直断面図、および本発明の研磨工程を示す概略図である。
上記基板本体２は、図１（Ａ）に示すように、任意の厚みを有する複数のセラミック層（絶縁材）ｃ１〜ｃ３を一体に積層し、且つ対向する一対の表面３ａ，４ａを有している。上記セラミック層ｃ１〜ｃ３には、それぞれの厚み方向に沿って、複数のビア導体６が適所に形成されている。更に、上記セラミック層ｃ１，ｃ２間には、上下のビア導体６に接続する内層配線５が形成されている。
尚、上記一対の表面３ａ，４ａは、相対的な呼称である。そのため、以下では、研磨後も含め、一方を表面３ａ，３と称し、且つ他方を裏面４ａ，４と称する。
また、記セラミック層ｃ１〜ｃ３は、例えば、アルミナを主成分とし、上記内層配線５やビア導体６は、例えば、主にタングステン（以下、単にＷと記載する）、あるいは、主にモリブデン（以下、単にＭｏと記載する）からなる。

前記基板本体２は、追って前記セラミック層ｃ１〜ｃ３となる３層のグリーンシートに打ち抜き加工を施し、所定の位置ごとにビアホールを形成し、該ビアホール内ごとにＷ粉末あるいはＭｏ粉末などを含む導電性ペーストを充填し、何れかのグリーンシートの表面における適所に前記同様の導電性ペーストをパターン印刷した後、上記グリーンシートを積層し且つ焼成して、予め準備されている。
先ず、前記基板本体２における表面３ａと裏面４ａとに対し、これらを平滑な表面３および裏面（表面）４とする研磨工程を行った。即ち、図１（Ａ）に示すように、基板本体２の表面３ａに沿って、水平姿勢の回転軸ｓに固定されたローラー形状の砥石ｇ１を高速回転させつつ移動させた。更に、基板本体２の裏面４ａに沿っても、同様の研磨作業を行った。尚、上記砥石ｇ１の円周面（表面）には、微細なＷＣなどの超硬砥粒、またはダイヤモンド砥粒などが固着されている。
その結果、図１（Ｂ）に示すように、基板本体２における前記表面３ａおよび裏面４ａは、平面度が±３０μｍ以下（例えば、±３μｍ）の滑らかさで且つ互いに平行にして対向する表面３および裏面４となった。

次に、図１（Ｂ）に示すように、前記基板本体２の表面３における平面視の中央側に対し、該表面３に開口するキャビティ（７）を形成するための第１研削工程を行った。即ち、上記平坦な表面３に対し、垂直姿勢とされた回転軸ｓと、その下端側に固定したに円柱形の砥石ｇ２とを、回転させつつ、平面視で外周側が矩形状の軌跡を描くように移動させた。かかる研削作業を上記基板本体２の表面３からその厚み方向に沿って複数回にわたって連続して行った。尚、上記砥石ｇ２の円周面と先端面とにも、前記同様のＷＣの超硬砥粒などが固着されている。
その結果、図１（Ｃ）に示すように、平面視で基板本体２における表面３の中央側に開口し、平面視が矩形状の底面８と、該底面８の周辺から前記表面３側に立設した四辺の側面９とからなり、全体が直方体形状を呈するキャビティ７が形成された。上記底面８の平面度は、±１０μｍ以下（例えば、±３μｍ）の滑らかさであった。
尚、上記キャビティ７の底面８は、中層のセラミック層ｃ２における厚み方向の内部（中間）に位置していた。

次いで、図２（Ａ）に示すように、基板本体２における前記キャビティ７の底面８の適所ごとに対し、該底面８に開口する２つ（複数）の凹部（１０）を形成する第２研削工程を行った。即ち、図２（Ａ）において、上記キャビティ７の底面８における右端側の位置で、且つ最下層のセラミック層ｃ３を貫通するビア導体６の上端（一端）側の真上の位置である該底面８に対し、垂直姿勢とされた回転軸ｓと、その下端側に固定したやや小径な円柱形の砥石ｇ３とを、回転させつつ、平面視で外周側が円形状の軌跡を描くように移動させた。上記砥石ｇ３には、その軸方向に沿って裏面４側に順次接近するように移動する操作も加えられた。

引き続いて、図２（Ａ）で前記キャビティ７の底面８における左端側の位置に対しても、前記と同様な研削作業を行った。尚、前記砥石ｇ３の円周面と先端面とにも、前記同様のＷＣの超硬砥粒などが固着されている。
その結果、図２（Ｂ）に示すように、記キャビティ７の底面８における右端側および左端側の位置ごとに、平面視が円形状を呈し、且つ底面１１が最下層のセラミック層ｃ３の厚み方向の内部に位置し、全体が円柱形を呈する２つ（複数）の凹部１０が形成された。該凹部１０を前記第２研削工程で形成する際において、図２（Ｂ）中の破線で示すように、上記セラミック層ｃ３を貫通して形成されていた前記ビア導体６の上端（一端）側６ｅも同時に研削された。その結果、上記凹部１０ごとの底面１１には、上記ビア導体６の新たな上端（一端）面が該底面１１と面一に露出していた。

更に、前記凹部１０ごとの内側に、例えば、Ａｕ−Ｓｎ系合金の粉末を含む導電性ペーストを、図示しないディスペンサーなどの充填手段を用いて充填するパッド形成工程を行った。
その結果、図２（Ｃ）に示すように、基部側が凹部１０内を占め且つ底面が前記ビア導体６に接続していると共に、上面（頂面）が上記凹部１０の開口部よりも外側（上側）のキャビティ７内に位置しており、全体が円柱形状を呈する２つのパッド１２が形成された。
引き続いて、上記パッド１２を加熱するキュア処理を行って硬化させた後、該パッド１２を含む前記基板本体２を、電解ニッケルメッキ浴および電解金メッキ浴に順次浸漬して、上記パッド１２ごとの外部に露出する表面に対し、ニッケル膜および金膜（何れも図示せず）を順次被覆するメッキ工程を行った。
その結果、図２（Ｃ）に示すように、所望の深さのキャビティ７が基板本体２の表面３側に開口し、前記キャビティ７の底面８に設けた２つの凹部１０ごとに底面で前記ビア導体６と電気的に安定した接続された２つのパッド１２を有する配線基板１を得ることができた。

そして、図２（Ｄ）に示すように、前記キャビティ７の底面８における平面視で中央側に電子部品１４を接合材（図示せず）などを介して搭載した後、該電子部品１４における２つの外部電極（図示せず）と、前記２つのパッド１２の上面との間を、ボンディングワイヤー１５によって個別に電気的に接続した。
尚、図３（Ａ）に示すように、左右一対の前記パッド１２ごとの上面を、前記キャビティ７の底面８とほぼ面一にして形成した形態としても、該パッド１２と、前記同様に搭載した電子部品１４とを、ボンディングワイヤー１５を介して、電気的に容易に接続することができる。また、前記パッド１２ごとの上面を、前記凹部１０ごとの内側に位置する形態としても、該パッド１２と前記電子部品１４とを、ボンディングワイヤー１５を介して電気的に接続することが可能である。

更に、図３（Ｂ）に示すように、前記２つの凹部１０を前記キャビティ７の底面８における左端と右端とのやや中央側に形成し、該凹部１０ごとに上面が前記キャビティ７の底面８よりも外側のキャビティ７内に突出するパッド１２とした形態の配線基板１としても良い。前記パッド１２ごとの上面には、比較的低融点の合金からなるハンダ１６を介して、底面の周辺側に図示しない外部電極を有する電子部品１４を実装することができる。従って、上記電子部品１４をキャビティ７の内側に一層過不足なく配設して実装した電子装置とすることができる。
尚、以上において説明した配線基板１は、前記研磨工程後において、前記基板本体２における裏面４の適所に対し、図示しない複数の外部接続端子を形成し、かかる外部接続端子ごとに前記ビア導体６を介して前記パッド１２と個別に導通可能としても良い。あるいは、上記外部接続端子の何れかと、前記キャビティ７の外側に位置しているビア導体６や内層配線５とを導通可能としても良い。
また、前述のボンディングワイヤー１５に替えて、ハンダ１６により実装することにしても良いし、該ハンダ１６に替えて、ボンディングワイヤー１５を使用しても良い。

図４は、本発明により得られる異なる形態の配線基板１ｈを示す概略図である。
上記配線基板１ｈは、複数の樹脂層ｊ１〜ｊ３と複数のセラミック層ｃ１，ｃ２とを積層してなり、対向する表面３および裏面４を有する基板本体２ｈと、該基板本体２ｈの表面３における平面視の中央側に開口する平面視が比較的広いキャビティ７と、上記基板本体２ｈの裏面４に開口し且つ平面視が比較的狭い左右一対のキャビティ７と、を備えている。上記基板本体２ｈは、予め個別に積層されていた樹脂層ｊ１〜ｊ３とセラミック層ｃ１，ｃ２とを、前記樹脂層ｊ３とセラミック層ｃ１との間において図示しない接着層を介して接着したものである。
尚、上記樹脂層ｊ１〜ｊ３は、例えば、ポリイミド（ＰＩ）系樹脂からなり、上記セラミック層ｃ１，ｃ２は、前記同様のアルミナからなる。

また、前記樹脂層ｊ１〜ｊ３間には、複数の内層配線１７と、これらの間を接続し、且つ樹脂層ｊ２，ｊ３を個別に貫通するビア（フィルドビア）導体１８と、が形成されている。上記内層配線１７とビア導体１８は、主に銅からなり、上記樹脂層ｊ１〜ｊ３と共に、フォトリゾグラフィ技術により適宜形成されている。
前記樹脂層ｊ３とセラミック層ｃ１との間には、予め該セラミック層ｃ１側の片面に形成された複数の内層配線５が位置している。該内層配線５は、上記ビア導体１８を介して、前記表面３に開口するキャビティ７の底面８に開口する凹部１０ごとに形成されたパッド１２と個別に導通可能とされている。更に、当該内層配線５は、セラミック層ｃ１を貫通するビア導体６を介して、前記裏面４に開口する２つのキャビティ７の底面（天井面）８に開口する凹部１０ごとに形成されたパッド１２とも個別に導通可能とされている。

前記のような配線基板１ｈを得るには、予め、前記基板本体２ｈを用意し、その表面３ａおよび裏面４ａを研磨して、滑らかな表面３および裏面４とした。
次に、上記表面３および裏面４における適所ごとに対し、前記同様の第１研削工程を行って、上記表面３の中央側に広く開口し、且つ底面８が中層の樹脂層ｊ２における厚み方向の内部（中間）に位置するキャビティ７と、上記裏面４の左右に狭く開口し、且つ底面（天井面）８が下層のセラミック層ｃ２における厚み方向の中間に位置する２つのキャビティ７と、を順次形成した。
次いで、上記キャビティ７ごとの底面８における適所ごとに対し、前記同様の第２研削工程を順次行って、前記底面８ごとに左右一対ずつの凹部１０を形成した。この際、前記樹脂層ｊ２，ｊ３間に位置していた前記ビア導体１８ごとの上面（片面）側と、前記ビア導体６ごとの下端（一端）側も同時に研削されていた。

更に、前記凹部１０内ごとに対し、前記同様の導電性ペーストを充填するパッド形成工程を順次行って、前記図４で示したように、上面がキャビティ７ごとの底面８よりも外側の該キャビティ７内に位置する複数の前記パッド１２を得ることができた。そして、該パッド１２ごとの露出面に対し、前記メッキ工程を施して前記同様の金属膜を順次被覆した。
その結果、前記図４で示したように、基板本体２ｈの表面３および裏面４に開口する所望の深さである複数のキャビティ７と、該キャビティ７ごとの底面８に形成された複数の凹部１０と、該凹部１０内ごとに少なくとも基部側が位置する複数のパッド１２と、該パッド１２ごとの底面と電気的に安定して接続されたビア導体６，１８とを有する前記配線基板１ｈを得ることができた。
尚、配線基板１ｈの基板本体２は、５層（複数層）のセラミック層のみを積層した形態、あるいは、５層（複数層）の樹脂層のみを積層した形態としても良い。
また、前記ハンダ１６に替え、前記ボンディングワイヤー１５を用いても良い。

前述した配線基板１，１ｈの製造方法によれば、前記第１研削工程により、基板本体２，２ｈにおける少なくも一方の表面３を研削し、比較的高い平面度の底面８を含むキャビティ７を形成し、前記第２研削工程により、前記キャビティ７の底面８の一部に凹部１０を形成し、前記パッド形成工程により、該凹部１０内ごとに少なくも基部側が位置するパッド１２を形成している。その結果、該パッド１２の上面の位置を適宜選択することで、上記キャビティ７の深さを、追って実装すべき電子部品１４の厚みなどに応じた過不足のない最適なものにできる。
加えて、前記配線基板１，１ｈのように基板本体２を構成する絶縁材がセラミックの場合、前記キャビティ７を第１研削工程により形成するため、焼成により形成した場合に比べ、該キャビティ７の底面８の平面度を高くすることができる。
更に、前記第２研削工程により、前記キャビティ７の底面８の一部に設けた凹部１０の底面１１には、当該凹部１０の底面１１の研削と同時に、一端側が研削された前記ビア導体６，１８の一端面が露出している。そのため、該ビア導体６，１８と凹部１０内に位置するパッド１２との電気的な接続を、確実に安定したものとできる。
従って、前記配線基板１，１ｈの製造方法によれば、前記効果（１），（２）を確実に奏することができる。

本発明は、以上において説明した各形態に限定されるものではない。
例えば、前記基板本体２，２ｈを構成する絶縁材は、ムライトや窒化アルミニウムなどの高温焼成セラミックや、ガラス−セラミックなどの低温焼成セラミック、あるいは、エポキシ系などの樹脂としても良い。前記ガラス−セラミックなどやエポキシ系樹脂などの場合、前記ビア導体６，１８や内層配線５，１７には、例えば、銅や銀が適用される。
また、前記基板本体２，２ｈは、前記セラミック粉末あるいは樹脂粉末を３Ｄプリンターにより直接立体的に制作するか、あるいは、セラミックスラリーあるいは樹脂スラリーを、予め内部空間に前記ビア導体６などが配設された所定の鋳型内に充填した後、該スラリーを硬化させて制作しても良い。

更に、前記基板本２，２ｈの表面３，３ａや裏面４，４ａは、平面視で矩形状、あるいは五角形以上の正多角形または変形多角形を呈する形態であっても良い。
また、前記キャビティは、平面視が円形状、長円形状、楕円形状、五角形以上の正多角形または変形多角形を呈する形態であっても良い。
更に、前記凹部は、平面視で矩形状、長円形状、楕円形状、五角形以上の正多角形または変形多角形を呈する形態であっても良いし、１つのキャビティの底面に１つを設けるか、あるいは３つ以上が併設されていても良い。
加えて、前記キャビティ７および凹部１０は、前記基板本２，２ｈの裏面４側にのみ形成された形態の配線基板としても良い。

本発明によれば、絶縁材からなる基板本体における一対の表面の少なくとも一方に、実装すべき電子部品の厚みに最適な深さのキャビティを有し、且つ該キャビティの底面に設けるパッドと該パッドに接するビア導体との電気的接続が安定していると共に、上記キャビティの底面が高い平面度を有している配線基板の製造方法を確実に提供することができる。

１，１ｈ……配線基板
２，２ｈ……基板本体
３ａ，３……表面
４ａ，４……裏面（表面）
６，１８……ビア導体
７……………キャビティ
８……………キャビティの底面
９……………キャビティの側面
１０…………凹部
１１…………凹部の底面
１２…………パッド
１４…………電子部品
ｃ１〜ｃ３…セラミック層（絶縁材）
Ｊ１〜ｊ３…樹脂層（絶縁材）

Claims (7)

1. 絶縁材からなり、対向する一対の表面を有する基板本体と、該基板本体の少なくとも一方の表面に開口するキャビティと、該キャビティの底面に開口する少なくとも１つの凹部と、該凹部内に少なくも基部側が形成され、上記基板本体内の厚み方向に沿って形成されたビア導体に接続するパッドと、を備えてなる配線基板の製造方法であって、
   絶縁材からなり、対向する一対の表面を有し、且つ該一対の表面間の厚み方向に沿ったビア導体を内設する基板本体を用意する基板本体準備工程と、
   上記基板本体における少なくも一方の表面を研削して、比較的高い平面度の底面と該底面の周辺から立設した側面とを有するキャビティを形成する第１研削工程と、
   上記キャビティの底面の一部と上記ビア導体の一端側とを研削して、該ビア導体の一端側が底面に露出する凹部を形成する第２研削工程と、
   上記凹部内に金属粉末を含む導電性ペーストを充填して、前記凹部内に少なくも基部側が位置するパッドを形成するパッド形成工程と、を含む、
   ことを特徴とする配線基板の製造方法。
2. 前記キャビティの底面の平面度は、±１０μｍ以下である、
   ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
3. 前記第１研削工程の前に、前記基板本体において対向する一対の表面を研磨して、該一対の表面を互いに平行で且つ比較的高い平面度とする研磨工程を有する、
   ことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。
4. 前記研磨工程後において、前記基板本体において対向する一対の表面における平面度は、±３０μｍ以下である、
   ことを特徴とする請求項３に記載の配線基板の製造方法。
5. 前記パッドの上面は、前記基板本体の厚み方向において、前記凹部の内側に位置するか、該凹部の開口部と面一であるか、あるいは、前記凹部の開口部よりも外側で且つ前記キャビティの内側に位置している、
   ことを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
6. 前記キャビティの底面には、複数の前記凹部および前記パッドが形成されている、
   ことを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。
7. 前記パッド形成工程の後で、前記キャビティの底面に電子部品を固着し、且つ該電子部品の外部電極と前記パッドとの間を電気的に接続する実装工程を有する、
   ことを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の配線基板の製造方法。

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