JP2016197242A - パターン形成方法及び感放射線性組成物 - Google Patents
パターン形成方法及び感放射線性組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2016197242A JP2016197242A JP2016123068A JP2016123068A JP2016197242A JP 2016197242 A JP2016197242 A JP 2016197242A JP 2016123068 A JP2016123068 A JP 2016123068A JP 2016123068 A JP2016123068 A JP 2016123068A JP 2016197242 A JP2016197242 A JP 2016197242A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- acid
- radiation
- compound
- action
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 102
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims abstract description 86
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 75
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract description 115
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 98
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 91
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 238000011161 development Methods 0.000 claims abstract description 21
- MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N isoamyl acetate Chemical compound CC(C)CCOC(C)=O MLFHJEHSLIIPHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229940117955 isoamyl acetate Drugs 0.000 claims abstract description 6
- JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N isopropanol acetate Natural products CC(C)OC(C)=O JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229940011051 isopropyl acetate Drugs 0.000 claims abstract description 4
- GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N isovaleric acid Chemical compound CC(C)CC(O)=O GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- -1 acrylate ester Chemical class 0.000 claims description 78
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 60
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 58
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 54
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 53
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 32
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 claims description 20
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 16
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 16
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 claims description 15
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 13
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims description 13
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 12
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 10
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims description 10
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 9
- QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-Oxohexane Chemical compound CCCCC(C)=O QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 8
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 6
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 5
- 229940032007 methylethyl ketone Drugs 0.000 claims description 5
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 5
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 claims description 4
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000000008 (C1-C10) alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 claims 4
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 2
- 150000007514 bases Chemical class 0.000 claims 2
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims 2
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 claims 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 38
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 36
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 35
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 25
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 17
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 16
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 14
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 14
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 14
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 13
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 13
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 125000002723 alicyclic group Chemical group 0.000 description 11
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 10
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 9
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 9
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000005456 alcohol based solvent Substances 0.000 description 8
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 8
- YFSUTJLHUFNCNZ-UHFFFAOYSA-N perfluorooctane-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F YFSUTJLHUFNCNZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 7
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 7
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 7
- 239000012953 triphenylsulfonium Substances 0.000 description 7
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N Cyclopentane Chemical compound C1CCCC1 RGSFGYAAUTVSQA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- AFABGHUZZDYHJO-UHFFFAOYSA-N dimethyl butane Natural products CCCC(C)C AFABGHUZZDYHJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 6
- ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N hexan-1-ol Chemical compound CCCCCCO ZSIAUFGUXNUGDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 6
- CETWDUZRCINIHU-UHFFFAOYSA-N 2-heptanol Chemical compound CCCCCC(C)O CETWDUZRCINIHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 5
- QNVRIHYSUZMSGM-UHFFFAOYSA-N hexan-2-ol Chemical compound CCCCC(C)O QNVRIHYSUZMSGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 150000002596 lactones Chemical group 0.000 description 5
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N n-Octanol Natural products CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1C FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1CC KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CEZIJESLKIMKNL-UHFFFAOYSA-N 1-(4-butoxynaphthalen-1-yl)thiolan-1-ium Chemical compound C12=CC=CC=C2C(OCCCC)=CC=C1[S+]1CCCC1 CEZIJESLKIMKNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- JVNHNXXTIIQWBZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2,3-dimethylbutanenitrile Chemical compound CC(C)C(C)(C#N)N=NC(C)(C)C#N JVNHNXXTIIQWBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GXDHCNNESPLIKD-UHFFFAOYSA-N 2-methylhexane Natural products CCCCC(C)C GXDHCNNESPLIKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2-pentanol Chemical compound CC(C)CC(C)O WVYWICLMDOOCFB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N Acetamide Chemical compound CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RZKSECIXORKHQS-UHFFFAOYSA-N Heptan-3-ol Chemical compound CCCCC(O)CC RZKSECIXORKHQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N Isooctane Chemical compound CC(C)CC(C)(C)C NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N N-methylformamide Chemical compound CNC=O ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N adamantane Chemical compound C1C(C2)CC3CC1CC2C3 ORILYTVJVMAKLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N caprylic alcohol Natural products CCCCCCCCO KBPLFHHGFOOTCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N cumene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1 RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N decane Chemical compound CCCCCCCCCC DIOQZVSQGTUSAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 4
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 4
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- QWTDNUCVQCZILF-UHFFFAOYSA-N isopentane Chemical compound CCC(C)C QWTDNUCVQCZILF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 4
- UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N methylcyclohexane Chemical compound CC1CCCCC1 UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- ODLMAHJVESYWTB-UHFFFAOYSA-N propylbenzene Chemical compound CCCC1=CC=CC=C1 ODLMAHJVESYWTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 4
- 238000001226 reprecipitation Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- VNBVGNOFNYFYIO-UHFFFAOYSA-N 3-fluoroprop-2-enoic acid Chemical class OC(=O)C=CF VNBVGNOFNYFYIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N Benzyl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N Cyclobutane Chemical compound C1CCC1 PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 3
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine Chemical compound C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 3
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 3
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 3
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 3
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 3
- 239000007810 chemical reaction solvent Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000010511 deprotection reaction Methods 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 3
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 3
- XPFVYQJUAUNWIW-UHFFFAOYSA-N furfuryl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CO1 XPFVYQJUAUNWIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N heptamethylene Natural products C1CCCCCC1 DMEGYFMYUHOHGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical class I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229960004592 isopropanol Drugs 0.000 description 3
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- UMRZSTCPUPJPOJ-KNVOCYPGSA-N norbornane Chemical compound C1C[C@H]2CC[C@@H]1C2 UMRZSTCPUPJPOJ-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 3
- SJWFXCIHNDVPSH-UHFFFAOYSA-N octan-2-ol Chemical compound CCCCCCC(C)O SJWFXCIHNDVPSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N pentyl acetate Chemical compound CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 3
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 3
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 3
- 125000001174 sulfone group Chemical group 0.000 description 3
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 3
- RAOIDOHSFRTOEL-UHFFFAOYSA-N tetrahydrothiophene Chemical class C1CCSC1 RAOIDOHSFRTOEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VLLPVDKADBYKLM-UHFFFAOYSA-M 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate;triphenylsulfanium Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VLLPVDKADBYKLM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- VIDOPANCAUPXNH-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC(CC)=C1CC VIDOPANCAUPXNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKIRBHVFJGXOIS-UHFFFAOYSA-N 1,2-di(propan-2-yl)benzene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1C(C)C OKIRBHVFJGXOIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEHVDNNLFDJLR-UHFFFAOYSA-N 1,3-diphenylurea Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC(=O)NC1=CC=CC=C1 GWEHVDNNLFDJLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RXYPXQSKLGGKOL-UHFFFAOYSA-N 1,4-dimethylpiperazine Chemical compound CN1CCN(C)CC1 RXYPXQSKLGGKOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HYFLWBNQFMXCPA-UHFFFAOYSA-N 1-ethyl-2-methylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1C HYFLWBNQFMXCPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BBMCTIGTTCKYKF-UHFFFAOYSA-N 1-heptanol Chemical compound CCCCCCCO BBMCTIGTTCKYKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 2,5-hexanedione Chemical compound CC(=O)CCC(C)=O OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GNZYDSUXCMLOMM-UHFFFAOYSA-N 2,6-dimethyl-4-(thiolan-1-ium-1-yl)phenol;1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound CC1=C(O)C(C)=CC([S+]2CCCC2)=C1.[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F GNZYDSUXCMLOMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QNVRIHYSUZMSGM-LURJTMIESA-N 2-Hexanol Natural products CCCC[C@H](C)O QNVRIHYSUZMSGM-LURJTMIESA-N 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexan-1-ol Chemical compound CCCCC(CC)CO YIWUKEYIRIRTPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TYCFGHUTYSLISP-UHFFFAOYSA-N 2-fluoroprop-2-enoic acid Chemical class OC(=O)C(F)=C TYCFGHUTYSLISP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPRQEDXDYOZYLA-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutan-1-ol Chemical compound CCC(C)CO QPRQEDXDYOZYLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QZBAYURFHCTXOJ-UHFFFAOYSA-N 4,4,4-trifluorobut-2-enoic acid Chemical group OC(=O)C=CC(F)(F)F QZBAYURFHCTXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxystyrene Chemical compound OC1=CC=C(C=C)C=C1 FUGYGGDSWSUORM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRRKZXMKAWXOLN-UHFFFAOYSA-M 6-(adamantane-1-carbonyloxy)-1,1,2,2-tetrafluorohexane-1-sulfonate;triphenylsulfanium Chemical compound C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1C(C2)CC3CC2CC1(C(=O)OCCCCC(F)(F)C(F)(F)S(=O)(=O)[O-])C3 YRRKZXMKAWXOLN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 7H-purine Chemical compound N1=CNC2=NC=NC2=C1 KDCGOANMDULRCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 101100215341 Arabidopsis thaliana ACT12 gene Proteins 0.000 description 2
- KXDAEFPNCMNJSK-UHFFFAOYSA-N Benzamide Chemical compound NC(=O)C1=CC=CC=C1 KXDAEFPNCMNJSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LVZWSLJZHVFIQJ-UHFFFAOYSA-N Cyclopropane Chemical compound C1CC1 LVZWSLJZHVFIQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIQCNGHVCWTJSM-UHFFFAOYSA-N Dimethyl phthalate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OC NIQCNGHVCWTJSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N Morpholine Chemical compound C1COCCN1 YNAVUWVOSKDBBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N N-Methylmorpholine Chemical compound CN1CCOCC1 SJRJJKPEHAURKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N N-Pentanol Chemical compound CCCCCO AMQJEAYHLZJPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N N-methylacetamide Chemical compound CNC(C)=O OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N Pyrazine Chemical compound C1=CN=CC=N1 KYQCOXFCLRTKLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N benzyl acetate Chemical compound CC(=O)OCC1=CC=CC=C1 QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DNFSNYQTQMVTOK-UHFFFAOYSA-N bis(4-tert-butylphenyl)iodanium Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1[I+]C1=CC=C(C(C)(C)C)C=C1 DNFSNYQTQMVTOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DJBAOXYQCAKLPH-UHFFFAOYSA-M bis(4-tert-butylphenyl)iodanium;1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F.C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1[I+]C1=CC=C(C(C)(C)C)C=C1 DJBAOXYQCAKLPH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N butan-2-ol Chemical compound CCC(C)O BTANRVKWQNVYAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- JHRWWRDRBPCWTF-OLQVQODUSA-N captafol Chemical class C1C=CC[C@H]2C(=O)N(SC(Cl)(Cl)C(Cl)Cl)C(=O)[C@H]21 JHRWWRDRBPCWTF-OLQVQODUSA-N 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 150000001924 cycloalkanes Chemical class 0.000 description 2
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001511 cyclopentyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C1([H])[H] 0.000 description 2
- MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N decan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCO MWKFXSUHUHTGQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FLKPEMZONWLCSK-UHFFFAOYSA-N diethyl phthalate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC FLKPEMZONWLCSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- JVSWJIKNEAIKJW-UHFFFAOYSA-N dimethyl-hexane Natural products CCCCCC(C)C JVSWJIKNEAIKJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N dodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006575 electron-withdrawing group Chemical group 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N ethyl propionate Chemical compound CCOC(=O)CC FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003205 fragrance Substances 0.000 description 2
- GAEKPEKOJKCEMS-UHFFFAOYSA-N gamma-valerolactone Chemical compound CC1CCC(=O)O1 GAEKPEKOJKCEMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- GOQYKNQRPGWPLP-UHFFFAOYSA-N heptadecan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCO GOQYKNQRPGWPLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JFCFIXGDCBSLRW-UHFFFAOYSA-N heptan-2-yl 1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate Chemical compound CC(CCCCC)OS(=O)(=O)C(C(F)F)(F)F JFCFIXGDCBSLRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N heptan-3-one Chemical compound CCCCC(=O)CC NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 2
- ZOCHHNOQQHDWHG-UHFFFAOYSA-N hexan-3-ol Chemical compound CCCC(O)CC ZOCHHNOQQHDWHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N hexane-1,6-diamine Chemical compound NCCCCCCN NAQMVNRVTILPCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M hexanoate Chemical compound CCCCCC([O-])=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- XAOGXQMKWQFZEM-UHFFFAOYSA-N isoamyl propanoate Chemical compound CCC(=O)OCCC(C)C XAOGXQMKWQFZEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- KXUHSQYYJYAXGZ-UHFFFAOYSA-N isobutylbenzene Chemical compound CC(C)CC1=CC=CC=C1 KXUHSQYYJYAXGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical compound OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- ZUBZATZOEPUUQF-UHFFFAOYSA-N isopropylhexane Natural products CCCCCCC(C)C ZUBZATZOEPUUQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-M isovalerate Chemical compound CC(C)CC([O-])=O GWYFCOCPABKNJV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N mesitylene Substances CC1=CC(C)=CC(C)=C1 AUHZEENZYGFFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001827 mesitylenyl group Chemical group [H]C1=C(C(*)=C(C([H])=C1C([H])([H])[H])C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- ZQMHJBXHRFJKOT-UHFFFAOYSA-N methyl 2-[(1-methoxy-2-methyl-1-oxopropan-2-yl)diazenyl]-2-methylpropanoate Chemical compound COC(=O)C(C)(C)N=NC(C)(C)C(=O)OC ZQMHJBXHRFJKOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N methyl-cycloheptane Natural products CC1CCCCCC1 GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 2
- YCMDNBGUNDHOOD-UHFFFAOYSA-N n -((trifluoromethylsulfonyl)oxy)-5-norbornene-2,3-dicarboximide Chemical compound C1=CC2CC1C1C2C(=O)N(OS(=O)(=O)C(F)(F)F)C1=O YCMDNBGUNDHOOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N nitrobenzene Chemical compound [O-][N+](=O)C1=CC=CC=C1 LQNUZADURLCDLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZWRUINPWMLAQRD-UHFFFAOYSA-N nonan-1-ol Chemical compound CCCCCCCCCO ZWRUINPWMLAQRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GJQIMXVRFNLMTB-UHFFFAOYSA-N nonyl acetate Chemical compound CCCCCCCCCOC(C)=O GJQIMXVRFNLMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002868 norbornyl group Chemical group C12(CCC(CC1)C2)* 0.000 description 2
- NMRPBPVERJPACX-UHFFFAOYSA-N octan-3-ol Chemical compound CCCCCC(O)CC NMRPBPVERJPACX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N pentan-2-one Chemical compound CCCC(C)=O XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N propyl acetate Chemical compound CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N putrescine Chemical compound NCCCCN KIDHWZJUCRJVML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007870 radical polymerization initiator Substances 0.000 description 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 2
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 2
- 125000000475 sulfinyl group Chemical group [*:2]S([*:1])=O 0.000 description 2
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N triphenylsulfonium Chemical compound C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WLOQLWBIJZDHET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M triphenylsulfonium triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 150000003672 ureas Chemical class 0.000 description 2
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 2
- IYLGZMTXKJYONK-ACLXAEORSA-N (12s,15r)-15-hydroxy-11,16-dioxo-15,20-dihydrosenecionan-12-yl acetate Chemical compound O1C(=O)[C@](CC)(O)C[C@@H](C)[C@](C)(OC(C)=O)C(=O)OCC2=CCN3[C@H]2[C@H]1CC3 IYLGZMTXKJYONK-ACLXAEORSA-N 0.000 description 1
- PNXSDOXXIOPXPY-UHFFFAOYSA-N (3,5-dioxo-4-azatricyclo[5.2.1.02,6]dec-8-en-4-yl) 1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound C1=CC2CC1C1C2C(=O)N(OS(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F)C1=O PNXSDOXXIOPXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZKXMOAZVGXPZFK-UHFFFAOYSA-N (3,5-dioxo-4-azatricyclo[5.2.1.02,6]dec-8-en-4-yl) 1,1-difluoro-2-(4-tetracyclo[6.2.1.13,6.02,7]dodecanyl)ethanesulfonate Chemical compound C12C3C(CC(C2C2CCC1C2)C3)CC(F)(F)S(=O)(=O)ON3C(=O)C2C1C=CC(C2C3=O)C1 ZKXMOAZVGXPZFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYPFUPZGMLOPAJ-UHFFFAOYSA-N (3,5-dioxo-4-azatricyclo[5.2.1.02,6]dec-8-en-4-yl) 2-(2-bicyclo[2.2.1]heptanyl)-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate Chemical compound C1=CC2CC1C(C1=O)C2C(=O)N1OS(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C1C(C2)CCC2C1 JYPFUPZGMLOPAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNUYPROIFFCXAE-UHFFFAOYSA-N (4-cyclohexylphenyl)-diphenylsulfanium Chemical compound C1CCCCC1C1=CC=C([S+](C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 XNUYPROIFFCXAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFADEYDBOXASBQ-UHFFFAOYSA-M (4-cyclohexylphenyl)-diphenylsulfanium;1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F.C1CCCCC1C1=CC=C([S+](C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 UFADEYDBOXASBQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QEYKXSMQZGHJSX-UHFFFAOYSA-M (4-cyclohexylphenyl)-diphenylsulfanium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1CCCCC1C1=CC=C([S+](C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 QEYKXSMQZGHJSX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HQGTWZUOVIZAKX-UHFFFAOYSA-N (4-methylsulfonylphenyl)-diphenylsulfanium Chemical compound C1=CC(S(=O)(=O)C)=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 HQGTWZUOVIZAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VKOHBZXAXOVWQU-UHFFFAOYSA-M (4-methylsulfonylphenyl)-diphenylsulfanium;1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F.C1=CC(S(=O)(=O)C)=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 VKOHBZXAXOVWQU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CFRRWRASBDSKBI-UHFFFAOYSA-M (4-methylsulfonylphenyl)-diphenylsulfanium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC(S(=O)(=O)C)=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 CFRRWRASBDSKBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- PQONLZARMHVIPW-UHFFFAOYSA-N (7,7-dimethyl-3-oxo-4-bicyclo[2.2.1]heptanyl)methanesulfonate;2,6-dimethyl-4-(thiolan-1-ium-1-yl)phenol Chemical compound CC1=C(O)C(C)=CC([S+]2CCCC2)=C1.C1CC2(CS([O-])(=O)=O)C(=O)CC1C2(C)C PQONLZARMHVIPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HHYVKZVPYXHHCG-UHFFFAOYSA-M (7,7-dimethyl-3-oxo-4-bicyclo[2.2.1]heptanyl)methanesulfonate;diphenyliodanium Chemical compound C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1.C1CC2(CS([O-])(=O)=O)C(=O)CC1C2(C)C HHYVKZVPYXHHCG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- AVQQQNCBBIEMEU-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,3-tetramethylurea Chemical compound CN(C)C(=O)N(C)C AVQQQNCBBIEMEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UDYXMTORTDACTG-UHFFFAOYSA-N 1,1,3-tributylthiourea Chemical compound CCCCNC(=S)N(CCCC)CCCC UDYXMTORTDACTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBBLOADPFWKNGS-UHFFFAOYSA-N 1,1-dimethylurea Chemical compound CN(C)C(N)=O YBBLOADPFWKNGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 1,3-Dimethyl-2-imidazolidinon Chemical compound CN1CCN(C)C1=O CYSGHNMQYZDMIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940058015 1,3-butylene glycol Drugs 0.000 description 1
- 229940057054 1,3-dimethylurea Drugs 0.000 description 1
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHJMAPSVGREZMK-UHFFFAOYSA-N 1-(1-ethoxyethoxy)-4-prop-1-en-2-ylbenzene Chemical compound CCOC(C)OC1=CC=C(C(C)=C)C=C1 VHJMAPSVGREZMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWOZZTWBWQMEPD-UHFFFAOYSA-N 1-(2-ethoxypropoxy)propan-2-ol Chemical compound CCOC(C)COCC(C)O QWOZZTWBWQMEPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HBAIZGPCSAAFSU-UHFFFAOYSA-N 1-(2-hydroxyethyl)imidazolidin-2-one Chemical compound OCCN1CCNC1=O HBAIZGPCSAAFSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IZYHCUTTWJQLSK-UHFFFAOYSA-N 1-(2-methylbutan-2-yloxy)-4-prop-1-en-2-ylbenzene Chemical compound CCC(C)(C)OC1=CC=C(C(C)=C)C=C1 IZYHCUTTWJQLSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BXGYVRIBHDBIJQ-UHFFFAOYSA-M 1-(4-butoxynaphthalen-1-yl)thiolan-1-ium;(7,7-dimethyl-3-oxo-4-bicyclo[2.2.1]heptanyl)methanesulfonate Chemical compound C1CC2(CS([O-])(=O)=O)C(=O)CC1C2(C)C.C12=CC=CC=C2C(OCCCC)=CC=C1[S+]1CCCC1 BXGYVRIBHDBIJQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WNDABSCBNOUSTE-UHFFFAOYSA-M 1-(4-butoxynaphthalen-1-yl)thiolan-1-ium;1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F.C12=CC=CC=C2C(OCCCC)=CC=C1[S+]1CCCC1 WNDABSCBNOUSTE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JQIQJUCEFIYYOJ-UHFFFAOYSA-M 1-(4-butoxynaphthalen-1-yl)thiolan-1-ium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C12=CC=CC=C2C(OCCCC)=CC=C1[S+]1CCCC1 JQIQJUCEFIYYOJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WXWSNMWMJAFDLG-UHFFFAOYSA-N 1-(6-butoxynaphthalen-2-yl)thiolan-1-ium Chemical compound C1=CC2=CC(OCCCC)=CC=C2C=C1[S+]1CCCC1 WXWSNMWMJAFDLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIUKSJQPBWVFHQ-UHFFFAOYSA-M 1-(6-butoxynaphthalen-2-yl)thiolan-1-ium;(7,7-dimethyl-3-oxo-4-bicyclo[2.2.1]heptanyl)methanesulfonate Chemical compound C1CC2(CS([O-])(=O)=O)C(=O)CC1C2(C)C.C1=CC2=CC(OCCCC)=CC=C2C=C1[S+]1CCCC1 PIUKSJQPBWVFHQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WRMXJRZJMAXZNC-UHFFFAOYSA-M 1-(6-butoxynaphthalen-2-yl)thiolan-1-ium;1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F.C1=CC2=CC(OCCCC)=CC=C2C=C1[S+]1CCCC1 WRMXJRZJMAXZNC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- LQDGDDQWVWZDCS-UHFFFAOYSA-N 1-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]-4-prop-1-en-2-ylbenzene Chemical compound CC(=C)C1=CC=C(OC(C)(C)C)C=C1 LQDGDDQWVWZDCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHPRWKJDGHSJMI-UHFFFAOYSA-N 1-adamantyl prop-2-enoate Chemical compound C1C(C2)CC3CC2CC1(OC(=O)C=C)C3 PHPRWKJDGHSJMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNCMBBIFTVWHIP-UHFFFAOYSA-N 1-anthracen-9-yl-2,2,2-trifluoroethanone Chemical group C1=CC=C2C(C(=O)C(F)(F)F)=C(C=CC=C3)C3=CC2=C1 MNCMBBIFTVWHIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUWDFGKRNIDKAE-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCCCOCC(C)OC(C)=O FUWDFGKRNIDKAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NVZWEEGUWXZOKI-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-2-methylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C=C NVZWEEGUWXZOKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PECUPOXPPBBFLU-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-3-methoxybenzene Chemical compound COC1=CC=CC(C=C)=C1 PECUPOXPPBBFLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JZHGRUMIRATHIU-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-3-methylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C=C)=C1 JZHGRUMIRATHIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DTNCNFLLRLHPNJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-(1-ethoxyethoxy)benzene Chemical compound CCOC(C)OC1=CC=C(C=C)C=C1 DTNCNFLLRLHPNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTCTUVAYZCVCDP-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-(2-methylbutan-2-yloxy)benzene Chemical compound CCC(C)(C)OC1=CC=C(C=C)C=C1 KTCTUVAYZCVCDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRFNSWBVXHLTCI-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]benzene Chemical compound CC(C)(C)OC1=CC=C(C=C)C=C1 GRFNSWBVXHLTCI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UAJRSHJHFRVGMG-UHFFFAOYSA-N 1-ethenyl-4-methoxybenzene Chemical compound COC1=CC=C(C=C)C=C1 UAJRSHJHFRVGMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPMHMYHJGDAHKX-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylpyrene Chemical compound C1=C2C(C=C)=CC=C(C=C3)C2=C2C3=CC=CC2=C1 WPMHMYHJGDAHKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCOCC(C)OC(C)=O LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CJNBJBMSAZNICG-UHFFFAOYSA-N 1-fluorobutane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCC(F)S(O)(=O)=O CJNBJBMSAZNICG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IYGMOFAWEXCNAU-UHFFFAOYSA-N 1-fluorooctane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCCCCCC(F)S(O)(=O)=O IYGMOFAWEXCNAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZCBKUAAGVVLOX-UHFFFAOYSA-N 1-morpholin-4-ylethanol Chemical compound CC(O)N1CCOCC1 DZCBKUAAGVVLOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KYWXRBNOYGGPIZ-UHFFFAOYSA-N 1-morpholin-4-ylethanone Chemical compound CC(=O)N1CCOCC1 KYWXRBNOYGGPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCCOCC(C)OC(C)=O DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BHQDJBBBEDFPAL-UHFFFAOYSA-N 1-tricyclo[5.2.1.02,6]decanyl prop-2-enoate Chemical compound C12CCCC2C2(OC(=O)C=C)CC1CC2 BHQDJBBBEDFPAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IGGDKDTUCAWDAN-UHFFFAOYSA-N 1-vinylnaphthalene Chemical compound C1=CC=C2C(C=C)=CC=CC2=C1 IGGDKDTUCAWDAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004206 2,2,2-trifluoroethyl group Chemical group [H]C([H])(*)C(F)(F)F 0.000 description 1
- LTMRRSWNXVJMBA-UHFFFAOYSA-L 2,2-diethylpropanedioate Chemical compound CCC(CC)(C([O-])=O)C([O-])=O LTMRRSWNXVJMBA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- WFQNMENFJSZTGD-UHFFFAOYSA-O 2,6-dimethyl-4-(thiolan-1-ium-1-yl)phenol Chemical compound CC1=C(O)C(C)=CC([S+]2CCCC2)=C1 WFQNMENFJSZTGD-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- VAOHUAFTTHSCRT-UHFFFAOYSA-N 2,6-dimethyl-4-(thiolan-1-ium-1-yl)phenol;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.CC1=C(O)C(C)=CC([S+]2CCCC2)=C1 VAOHUAFTTHSCRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWJKZKLRAWMSQC-UHFFFAOYSA-M 2-(1-bicyclo[2.2.1]heptanyl)-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate (4-cyclohexylphenyl)-diphenylsulfanium Chemical compound C12(CCC(CC1)C2)C(C(S(=O)(=O)[O-])(F)F)(F)F.C2(CCCCC2)C2=CC=C(C=C2)[S+](C2=CC=CC=C2)C2=CC=CC=C2 ZWJKZKLRAWMSQC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKCGJBFTCUCBAJ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxypropoxy)propyl acetate Chemical compound CCOC(C)COC(C)COC(C)=O CKCGJBFTCUCBAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZKCAGDPACLOVBN-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethylbutoxy)ethanol Chemical compound CCC(CC)COCCO ZKCAGDPACLOVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hexoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCOCCOCCO GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXXFZKQPYACQLD-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCOCCO XXXFZKQPYACQLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJINVQNEBGOMCR-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound COCCOCCOC(C)=O BJINVQNEBGOMCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRLRGHZJOQGQEC-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxypropoxy)propyl acetate Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)=O DRLRGHZJOQGQEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DJCYDDALXPHSHR-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCOCCOCCO DJCYDDALXPHSHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 2-(2-propoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound CCCOC(C)COC(C)CO XYVAYAJYLWYJJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CIEPNGYYAZJVPI-UHFFFAOYSA-M 2-(3-bicyclo[2.2.1]heptanyl)-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate;(4-methylsulfonylphenyl)-diphenylsulfanium Chemical compound C1CC2C(C(F)(F)C(F)(F)S(=O)(=O)[O-])CC1C2.C1=CC(S(=O)(=O)C)=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 CIEPNGYYAZJVPI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- COAPLGOCHZYBCI-UHFFFAOYSA-M 2-(3-bicyclo[2.2.1]heptanyl)-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate;1-(6-butoxynaphthalen-2-yl)thiolan-1-ium Chemical compound C1CC2C(C(F)(F)C(F)(F)S(=O)(=O)[O-])CC1C2.C1=CC2=CC(OCCCC)=CC=C2C=C1[S+]1CCCC1 COAPLGOCHZYBCI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- JDUWLFYXEJGUET-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bicyclo[2.2.1]heptanyl)-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate;2,6-dimethyl-4-(thiolan-1-ium-1-yl)phenol Chemical compound CC1=C(O)C(C)=CC([S+]2CCCC2)=C1.C1CC2C(C(F)(F)C(F)(F)S(=O)(=O)[O-])CC1C2 JDUWLFYXEJGUET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUARBSGJOAXCCL-UHFFFAOYSA-M 2-(3-bicyclo[2.2.1]heptanyl)-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate;diphenyliodanium Chemical compound C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1.C1CC2C(C(F)(F)C(F)(F)S(=O)(=O)[O-])CC1C2 FUARBSGJOAXCCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SPBNQWDOUKTPIC-UHFFFAOYSA-M 2-(3-bicyclo[2.2.1]heptanyl)-1,1,2,2-tetrafluoroethanesulfonate;triphenylsulfanium Chemical compound C1CC2C(C(F)(F)C(F)(F)S(=O)(=O)[O-])CC1C2.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 SPBNQWDOUKTPIC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- KZTWONRVIPPDKH-UHFFFAOYSA-N 2-(piperidin-1-yl)ethanol Chemical compound OCCN1CCCCC1 KZTWONRVIPPDKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLSRKCIBHNJFHA-UHFFFAOYSA-N 2-(trifluoromethyl)prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C(=C)C(F)(F)F VLSRKCIBHNJFHA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQLKZWRSOHTERR-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylbutyl acetate Chemical compound CCC(CC)COC(C)=O HQLKZWRSOHTERR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 2-Methyl-4-heptanone Chemical compound CC(C)CC(=O)CC(C)C PTTPXKJBFFKCEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQKZRWSUJHVIPE-UHFFFAOYSA-N 2-Pentanol acetate Chemical compound CCCC(C)OC(C)=O GQKZRWSUJHVIPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPSNALDHELHFIJ-UHFFFAOYSA-N 2-[(1-cyano-1-cyclopropylethyl)diazenyl]-2-cyclopropylpropanenitrile Chemical compound C1CC1C(C)(C#N)N=NC(C)(C#N)C1CC1 SPSNALDHELHFIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PFHOSZAOXCYAGJ-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-cyano-4-methoxy-4-methylpentan-2-yl)diazenyl]-4-methoxy-2,4-dimethylpentanenitrile Chemical compound COC(C)(C)CC(C)(C#N)N=NC(C)(C#N)CC(C)(C)OC PFHOSZAOXCYAGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYGWHHGCAGTUCH-UHFFFAOYSA-N 2-[(2-cyano-4-methylpentan-2-yl)diazenyl]-2,4-dimethylpentanenitrile Chemical compound CC(C)CC(C)(C#N)N=NC(C)(C#N)CC(C)C WYGWHHGCAGTUCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)CO LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SDHQGBWMLCBNSM-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxyethoxy)ethoxy]ethyl acetate Chemical compound COCCOCCOCCOC(C)=O SDHQGBWMLCBNSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MELCWEWUZODSIS-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(diethylamino)ethoxy]-n,n-diethylethanamine Chemical compound CCN(CC)CCOCCN(CC)CC MELCWEWUZODSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTEXIOINCJRBIO-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(dimethylamino)ethoxy]-n,n-dimethylethanamine Chemical compound CN(C)CCOCCN(C)C GTEXIOINCJRBIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UXASMNMYFIRIMY-UHFFFAOYSA-N 2-ethenylbenzene-1,3,5-triol Chemical compound OC1=CC(O)=C(C=C)C(O)=C1 UXASMNMYFIRIMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TZYRSLHNPKPEFV-UHFFFAOYSA-N 2-ethyl-1-butanol Chemical compound CCC(CC)CO TZYRSLHNPKPEFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOYWLLHHWAMFCB-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexyl acetate Chemical compound CCCCC(CC)COC(C)=O WOYWLLHHWAMFCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 2-hexoxyethanol Chemical compound CCCCCCOCCO UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000954 2-hydroxyethyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])O[H] 0.000 description 1
- PFNHSEQQEPMLNI-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-pentanol Chemical compound CCCC(C)CO PFNHSEQQEPMLNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSXVEPNJUHWQHW-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutan-2-ol Chemical compound CCC(C)(C)O MSXVEPNJUHWQHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001622 2-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C(*)C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUQYBSRMWWRFQH-UHFFFAOYSA-N 2-prop-1-en-2-ylphenol Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1O WUQYBSRMWWRFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 2-propoxyethanol Chemical compound CCCOCCO YEYKMVJDLWJFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXYAVSFOJVUIHT-UHFFFAOYSA-N 2-vinylnaphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC(C=C)=CC=C21 KXYAVSFOJVUIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRRVXFOKWJKTGG-UHFFFAOYSA-N 3,3,5-trimethylcyclohexanol Chemical compound CC1CC(O)CC(C)(C)C1 BRRVXFOKWJKTGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PKNKULBDCRZSBT-UHFFFAOYSA-N 3,4,5-trimethylnonan-2-one Chemical compound CCCCC(C)C(C)C(C)C(C)=O PKNKULBDCRZSBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NMRPBPVERJPACX-QMMMGPOBSA-N 3-Octanol Natural products CCCCC[C@@H](O)CC NMRPBPVERJPACX-QMMMGPOBSA-N 0.000 description 1
- HIYRIYOUSQLJHP-UHFFFAOYSA-N 3-[2-(4-aminophenyl)propan-2-yl]aniline Chemical compound C=1C=CC(N)=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(N)C=C1 HIYRIYOUSQLJHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- COPUOMGHQGSBQO-UHFFFAOYSA-N 3-[2-(4-aminophenyl)propan-2-yl]phenol Chemical compound C=1C=CC(O)=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(N)C=C1 COPUOMGHQGSBQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IQYMRQZTDOLQHC-UHFFFAOYSA-N 3-bicyclo[2.2.1]heptanyl prop-2-enoate Chemical compound C1CC2C(OC(=O)C=C)CC1C2 IQYMRQZTDOLQHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOOIWZFSSZZIDE-UHFFFAOYSA-N 3-ethenyl-2-methylphenol Chemical compound CC1=C(O)C=CC=C1C=C WOOIWZFSSZZIDE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUTHPMLCCJUUEO-UHFFFAOYSA-N 3-ethenyl-5-methylphenol Chemical compound CC1=CC(O)=CC(C=C)=C1 CUTHPMLCCJUUEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YNGIFMKMDRDNBQ-UHFFFAOYSA-N 3-ethenylphenol Chemical compound OC1=CC=CC(C=C)=C1 YNGIFMKMDRDNBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 3-methoxy-1-butanol Chemical compound COC(C)CCO JSGVZVOGOQILFM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QMYGFTJCQFEDST-UHFFFAOYSA-N 3-methoxybutyl acetate Chemical compound COC(C)CCOC(C)=O QMYGFTJCQFEDST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZBNUEHCOOXOHR-UHFFFAOYSA-N 3-morpholin-4-ylpropane-1,2-diol Chemical compound OCC(O)CN1CCOCC1 VZBNUEHCOOXOHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MECNWXGGNCJFQJ-UHFFFAOYSA-N 3-piperidin-1-ylpropane-1,2-diol Chemical compound OCC(O)CN1CCCCC1 MECNWXGGNCJFQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 3-propoxypropan-1-ol Chemical compound CCCOCCCO LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPIUUMROPXDNRH-UHFFFAOYSA-N 3647-74-3 Chemical compound C1C2C3C(=O)NC(=O)C3C1C=C2 GPIUUMROPXDNRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 4,4'-diaminodiphenylmethane Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1CC1=CC=C(N)C=C1 YBRVSVVVWCFQMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSKAVHSHJVKFBQ-UHFFFAOYSA-N 4-(2-phenylpropan-2-yl)aniline Chemical compound C=1C=C(N)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=CC=C1 MSKAVHSHJVKFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 4-Aminophenyl ether Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1OC1=CC=C(N)C=C1 HLBLWEWZXPIGSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 4-Methylstyrene Chemical compound CC1=CC=C(C=C)C=C1 JLBJTVDPSNHSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYEDGEXYGKWJPB-UHFFFAOYSA-N 4-[2-(4-aminophenyl)propan-2-yl]aniline Chemical compound C=1C=C(N)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(N)C=C1 ZYEDGEXYGKWJPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWOIWTRRPFHBSI-UHFFFAOYSA-N 4-[2-[3-[2-(4-aminophenyl)propan-2-yl]phenyl]propan-2-yl]aniline Chemical compound C=1C=CC(C(C)(C)C=2C=CC(N)=CC=2)=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(N)C=C1 KWOIWTRRPFHBSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQWCXKGKQLNYQG-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-ol Chemical compound CC1CCC(O)CC1 MQWCXKGKQLNYQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound CC1CCC(=O)CC1 VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZHXKQKKEBXYRG-UHFFFAOYSA-N 4-n-(4-aminophenyl)benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1NC1=CC=C(N)C=C1 QZHXKQKKEBXYRG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAGRUUPXPPLSRX-UHFFFAOYSA-N 4-prop-1-en-2-ylphenol Chemical compound CC(=C)C1=CC=C(O)C=C1 JAGRUUPXPPLSRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRMVZBHBXLNLNG-UHFFFAOYSA-N 5-ethenyl-2-methylphenol Chemical compound CC1=CC=C(C=C)C=C1O KRMVZBHBXLNLNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XVZWMPLMWUJTCE-UHFFFAOYSA-N 6-ethenylnaphthalen-2-ol Chemical compound C1=C(C=C)C=CC2=CC(O)=CC=C21 XVZWMPLMWUJTCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical group [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 8beta-(2,3-epoxy-2-methylbutyryloxy)-14-acetoxytithifolin Natural products COC(=O)C(C)O LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N Butyl lactate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)O MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ADUKQACEJCJXAP-UHFFFAOYSA-N CC1=C(C=C)C=CC(=C1)O.CC=1C=C(C=C)C=CC1O Chemical compound CC1=C(C=C)C=CC(=C1)O.CC=1C=C(C=C)C=CC1O ADUKQACEJCJXAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYLLIJHXUHJATK-UHFFFAOYSA-N Cyclohexyl acetate Chemical compound CC(=O)OC1CCCCC1 YYLLIJHXUHJATK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N Diethyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OCC OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXQPUEQDBSPXTE-UHFFFAOYSA-N Diisobutylcarbinol Chemical compound CC(C)CC(O)CC(C)C HXQPUEQDBSPXTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRQNANDWMGAFTP-UHFFFAOYSA-N Methylacetoacetic acid Chemical group COC(=O)CC(C)=O WRQNANDWMGAFTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MGJKQDOBUOMPEZ-UHFFFAOYSA-N N,N'-dimethylurea Chemical compound CNC(=O)NC MGJKQDOBUOMPEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N N,N,N',N'-tetramethylethylenediamine Chemical compound CN(C)CCN(C)C KWYHDKDOAIKMQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N N,N‐diethylformamide Chemical compound CCN(CC)C=O SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGEGHDBEHXKFPX-UHFFFAOYSA-N N-methylthiourea Natural products CNC(N)=O XGEGHDBEHXKFPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QECVIPBZOPUTRD-UHFFFAOYSA-N N=S(=O)=O Chemical group N=S(=O)=O QECVIPBZOPUTRD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BXEULOAYKLHBKA-UHFFFAOYSA-N OC1=C(C=C)C=CC=C1.C(C)(C)(C)OC(=O)CCOC1=CC=C(C=C)C=C1 Chemical compound OC1=C(C=C)C=CC=C1.C(C)(C)(C)OC(=O)CCOC1=CC=C(C=C)C=C1 BXEULOAYKLHBKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKRZOJADNVOXPM-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid dibutyl ester Chemical compound CCCCOC(=O)C(=O)OCCCC JKRZOJADNVOXPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N Phenazine Natural products C1=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3N=C21 PCNDJXKNXGMECE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N Pyrazole Chemical compound C=1C=NNC=1 WTKZEGDFNFYCGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical class C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSOXQYCFHDMMGV-UHFFFAOYSA-N Tetrakis(2-hydroxypropyl)ethylenediamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CCN(CC(C)O)CC(C)O NSOXQYCFHDMMGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NVJPBZCLWGTJKD-UHFFFAOYSA-N [bis(4-tert-butylphenyl)-lambda3-iodanyl] trifluoromethanesulfonate Chemical compound CC(C)(C)c1ccc(cc1)[I](OS(=O)(=O)C(F)(F)F)c1ccc(cc1)C(C)(C)C NVJPBZCLWGTJKD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- HVCHCXNVRJNHNX-UHFFFAOYSA-N acenaphthylen-5-ol Chemical group C1=CC2=CC=CC3=C2C1=CC=C3O HVCHCXNVRJNHNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004054 acenaphthylenyl group Chemical group C1(=CC2=CC=CC3=CC=CC1=C23)* 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXGDTGSAIMULJN-UHFFFAOYSA-N acetnaphthylene Natural products C1=CC(C=C2)=C3C2=CC=CC3=C1 HXGDTGSAIMULJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-N acetoacetic acid Chemical compound CC(=O)CC(O)=O WDJHALXBUFZDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005073 adamantyl group Chemical group C12(CC3CC(CC(C1)C3)C2)* 0.000 description 1
- 150000001334 alicyclic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 125000004448 alkyl carbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N alpha-Methylstyrene Chemical compound CC(=C)C1=CC=CC=C1 XYLMUPLGERFSHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000748 anthracen-2-yl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C([H])=C3C([H])=C([*])C([H])=C([H])C3=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 229940007550 benzyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 235000019445 benzyl alcohol Nutrition 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- GPRLTFBKWDERLU-UHFFFAOYSA-N bicyclo[2.2.2]octane Chemical compound C1CC2CCC1CC2 GPRLTFBKWDERLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLSMCQSGRWNEGX-UHFFFAOYSA-N bis(4-aminophenyl)methanone Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N)C=C1 ZLSMCQSGRWNEGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MDUKBVGQQFOMPC-UHFFFAOYSA-M bis(4-tert-butylphenyl)iodanium;(7,7-dimethyl-3-oxo-4-bicyclo[2.2.1]heptanyl)methanesulfonate Chemical compound C1CC2(CS([O-])(=O)=O)C(=O)CC1C2(C)C.C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1[I+]C1=CC=C(C(C)(C)C)C=C1 MDUKBVGQQFOMPC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000019437 butane-1,3-diol Nutrition 0.000 description 1
- 125000004106 butoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- BTMVHUNTONAYDX-UHFFFAOYSA-N butyl propionate Chemical compound CCCCOC(=O)CC BTMVHUNTONAYDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- 125000005708 carbonyloxy group Chemical group [*:2]OC([*:1])=O 0.000 description 1
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 1
- KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N chloro(fluoro)methane Chemical compound F[C]Cl KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 125000006165 cyclic alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000005676 cyclic carbonates Chemical group 0.000 description 1
- CGZZMOTZOONQIA-UHFFFAOYSA-N cycloheptanone Chemical compound O=C1CCCCCC1 CGZZMOTZOONQIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N cyclohexanol Chemical compound OC1CCCCC1 HPXRVTGHNJAIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IIRFCWANHMSDCG-UHFFFAOYSA-N cyclooctanone Chemical compound O=C1CCCCCCC1 IIRFCWANHMSDCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- XXTZHYXQVWRADW-UHFFFAOYSA-N diazomethanone Chemical class [N]N=C=O XXTZHYXQVWRADW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012954 diazonium Substances 0.000 description 1
- 150000001989 diazonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- WYACBZDAHNBPPB-UHFFFAOYSA-N diethyl oxalate Chemical compound CCOC(=O)C(=O)OCC WYACBZDAHNBPPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 125000000118 dimethyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- FBSAITBEAPNWJG-UHFFFAOYSA-N dimethyl phthalate Natural products CC(=O)OC1=CC=CC=C1OC(C)=O FBSAITBEAPNWJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001826 dimethylphthalate Drugs 0.000 description 1
- OZLBDYMWFAHSOQ-UHFFFAOYSA-N diphenyliodanium Chemical compound C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1 OZLBDYMWFAHSOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORPDKMPYOLFUBA-UHFFFAOYSA-M diphenyliodanium;1,1,2,2,3,3,4,4,4-nonafluorobutane-1-sulfonate Chemical compound C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1.[O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F ORPDKMPYOLFUBA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SBQIJPBUMNWUKN-UHFFFAOYSA-M diphenyliodanium;trifluoromethanesulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C=1C=CC=CC=1[I+]C1=CC=CC=C1 SBQIJPBUMNWUKN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 208000018459 dissociative disease Diseases 0.000 description 1
- ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N doxepin Chemical compound C1OC2=CC=CC=C2C(=C/CCN(C)C)/C2=CC=CC=C21 ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000012156 elution solvent Substances 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 125000001301 ethoxy group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])O* 0.000 description 1
- XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N ethyl acetoacetate Chemical compound CCOC(=O)CC(C)=O XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N ethyl methyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OC JBTWLSYIZRCDFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 150000002221 fluorine Chemical class 0.000 description 1
- XVEOUOTUJBYHNL-UHFFFAOYSA-N heptane-2,4-diol Chemical compound CCCC(O)CC(C)O XVEOUOTUJBYHNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHMBHFSEKCCCBW-UHFFFAOYSA-N hexane-2,5-diol Chemical compound CC(O)CCC(C)O OHMBHFSEKCCCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N iso-butyl acetate Natural products CC(C)COC(C)=O GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N isoamylol Chemical compound CC(C)CCO PHTQWCKDNZKARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-M isocaproate Chemical compound CC(C)CCC([O-])=O FGKJLKRYENPLQH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N isovaleric acid methyl ester Natural products COC(=O)CC(C)C OQAGVSWESNCJJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 229960000448 lactic acid Drugs 0.000 description 1
- 125000000686 lactone group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000956 methoxy group Chemical group [H]C([H])([H])O* 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMXBRVLCKXGWSS-UHFFFAOYSA-N methyl 2-cyclohexylacetate Chemical compound COC(=O)CC1CCCCC1 IMXBRVLCKXGWSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940043265 methyl isobutyl ketone Drugs 0.000 description 1
- 229940057867 methyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 1
- XGEGHDBEHXKFPX-NJFSPNSNSA-N methylurea Chemical compound [14CH3]NC(N)=O XGEGHDBEHXKFPX-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- HEPOEAALKWFVLE-UHFFFAOYSA-N n -((perfluorooctanesulfonyl)oxy)-5-norbornene-2,3-dicarboximide Chemical compound C1=CC2CC1C1C2C(=O)N(OS(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F)C1=O HEPOEAALKWFVLE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BCVXYGJCDZPKGV-UHFFFAOYSA-N n-(1-adamantyl)acetamide Chemical compound C1C(C2)CC3CC2CC1(NC(=O)C)C3 BCVXYGJCDZPKGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940017144 n-butyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 125000003136 n-heptyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001280 n-hexyl group Chemical group C(CCCCC)* 0.000 description 1
- QJQAMHYHNCADNR-UHFFFAOYSA-N n-methylpropanamide Chemical compound CCC(=O)NC QJQAMHYHNCADNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000001971 neopentyl group Chemical group [H]C([*])([H])C(C([H])([H])[H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- SFBTTWXNCQVIEC-UHFFFAOYSA-N o-Vinylanisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1C=C SFBTTWXNCQVIEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOFPPJOZXUTRAU-UHFFFAOYSA-N octan-4-ol Chemical compound CCCCC(O)CCC WOFPPJOZXUTRAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYNVIVRXHYGNRT-UHFFFAOYSA-N octane-3,5-diol Chemical compound CCCC(O)CC(O)CC WYNVIVRXHYGNRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005740 oxycarbonyl group Chemical group [*:1]OC([*:2])=O 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- JYVLIDXNZAXMDK-UHFFFAOYSA-N pentan-2-ol Chemical compound CCCC(C)O JYVLIDXNZAXMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTCCGKPBSJZVRZ-UHFFFAOYSA-N pentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)O GTCCGKPBSJZVRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005004 perfluoroethyl group Chemical group FC(F)(F)C(F)(F)* 0.000 description 1
- 229960005323 phenoxyethanol Drugs 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N phenyl(114C)methanol Chemical compound O[14CH2]C1=CC=CC=C1 WVDDGKGOMKODPV-ZQBYOMGUSA-N 0.000 description 1
- 150000004714 phosphonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000004885 piperazines Chemical class 0.000 description 1
- 238000001955 polymer synthesis method Methods 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- QLNJFJADRCOGBJ-UHFFFAOYSA-N propionamide Chemical compound CCC(N)=O QLNJFJADRCOGBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940080818 propionamide Drugs 0.000 description 1
- 125000002572 propoxy group Chemical group [*]OC([H])([H])C(C([H])([H])[H])([H])[H] 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N pyridazine Chemical compound C1=CC=NN=C1 PBMFSQRYOILNGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003222 pyridines Chemical class 0.000 description 1
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFRYUAVNPBUEIC-UHFFFAOYSA-N quinoxalin-2-ol Chemical compound C1=CC=CC2=NC(O)=CN=C21 FFRYUAVNPBUEIC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IYLGZMTXKJYONK-UHFFFAOYSA-N ruwenine Natural products O1C(=O)C(CC)(O)CC(C)C(C)(OC(C)=O)C(=O)OCC2=CCN3C2C1CC3 IYLGZMTXKJYONK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003548 sec-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 125000001973 tert-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- BRGJIIMZXMWMCC-UHFFFAOYSA-N tetradecan-2-ol Chemical compound CCCCCCCCCCCCC(C)O BRGJIIMZXMWMCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 230000005068 transpiration Effects 0.000 description 1
- ULIAPOFMBCCSPE-UHFFFAOYSA-N tridecan-7-one Chemical compound CCCCCCC(=O)CCCCCC ULIAPOFMBCCSPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N triethylenediamine Chemical compound C1CN2CCN1CC2 IMNIMPAHZVJRPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-M triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F ITMCEJHCFYSIIV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000000108 ultra-filtration Methods 0.000 description 1
- XMUJIPOFTAHSOK-UHFFFAOYSA-N undecan-2-ol Chemical compound CCCCCCCCCC(C)O XMUJIPOFTAHSOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N urethane group Chemical group NC(=O)OCC JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C381/00—Compounds containing carbon and sulfur and having functional groups not covered by groups C07C301/00 - C07C337/00
- C07C381/12—Sulfonium compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08F—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
- C08F220/00—Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
- C08F220/02—Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
- C08F220/10—Esters
- C08F220/22—Esters containing halogen
- C08F220/24—Esters containing halogen containing perhaloalkyl radicals
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0046—Photosensitive materials with perfluoro compounds, e.g. for dry lithography
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0047—Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/027—Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0382—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
- G03F7/0392—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
- G03F7/0397—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/32—Liquid compositions therefor, e.g. developers
- G03F7/325—Non-aqueous compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/114—Initiator containing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
- Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
- Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
- Y10S430/114—Initiator containing
- Y10S430/115—Cationic or anionic
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Architecture (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
Description
(1)感放射線性組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、
(2)上記レジスト膜を露光する工程、及び
(3)上記露光されたレジスト膜を現像する工程
を含むパターン形成方法であって、
上記(3)現像工程における現像液が有機溶媒を80質量%以上含有し、
上記感放射線性組成物が、
[A]酸解離性基を有する構造単位を含む重合体(以下、「[A]重合体」と称することがある)、及び
[B]感放射線性酸発生体(以下、「[B]酸発生体」と称することがある)
を含む2以上の成分を含有し、
上記感放射線性組成物中のいずれかの成分が下記式(1)で表される基を有することを特徴とするパターン形成方法である。
A−は、−N−−SO2−RD、−COO−、−O−又は−SO3 −である。但し、A−が、−SO3 −の場合、−SO3 −がフッ素原子を有する炭素原子と直接結合する場合はない。
RDは、炭素数1〜10の直鎖状若しくは分岐状の1価の炭化水素基又は炭素数3〜20の環状の1価の炭化水素基である。但し、これらの炭化水素基は、水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよい。
X+は、オニウムカチオンである。)
また、当該パターン形成方法に用いられる本発明の感放射線性組成物は、[A]重合体及び[B]酸発生体を含む2以上の成分を含有し、上記感放射線性組成物中のいずれかの成分が上記式(1)で表される基を有することを第二の特徴とする。上記露光工程において、[B]酸発生体から発生した酸の作用により、[A]重合体が有する酸解離性基が解離する。その結果、露光部における[A]重合体の親水性が増大することから本発明に用いられる比較的疎水性の高い現像液に対しては難溶性が増大し、未露光部におけるレジスト膜中の重合体については現像液に対する溶解が促進される。さらに、上記式(1)で表される基を有するいずれかの成分は、露光部においては酸を発生して[A]重合体の現像液に対する不溶性を高め、結果として現像後の露光部表面のラフネスを抑制する。一方、未露光部ではアニオンによる高い酸捕捉機能が発揮されクエンチャーとして機能し、露光部から拡散する酸を捕捉する。即ち、未露光部のみにおいてクエンチャーとして機能するため、脱保護反応のコントラストが向上し、結果として解像度をより向上することができる。
換言すると、従来のクエンチャー成分を有する感放射線性組成物では、露光部、未露光部を問わずクエンチャーとして機能するため上記のようなコントラスト向上効果は必ずしも十分でなく、結果として解像度も不十分となる。また、露光部において現像液に対する親和性が高くなり、結果としてラフネスが発生するおそれがある。
一方、ミッシングコンタクトホールはクエンチャー成分の蒸散度が大きい程、レジスト膜上層部の脱保護反応が促進され発生しやすくなる。しかし、当該組成物が有する上記式(1)で表される基を有するいずれかの成分は蒸散しにくく、レジスト膜中に均一に分布するため、結果としてミッシングコンタクトホールの発生を抑制することができる。
従って、当該組成物と当該パターン形成方法を組み合わせることで、現像後の露光部表面のラフネス及びミッシングコンタクトホールの発生を抑制すると共に、円形性等のリソグラフィー特性に優れるパターンを形成できる。
A−及びX+は、上記式(1)と同義である。
R2は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。
R3及びR5は、それぞれ独立して単結合、炭素数1〜10の直鎖状若しくは分岐状の2価の炭化水素基、又は炭素数3〜20の環状構造を含む2価の炭化水素基である。但し、これらの炭化水素基は水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよい。また、A−が、−SO3 −の場合、−SO3 −がフッ素原子を有する炭素原子と直接結合する場合はない。
R4は、単結合、−O−、−C(=O)−、−C(=O)−O−、−O−C(=O)−又はスルフィニル基である。
式(3−2)中、
A−及びX+は、上記式(1)と同義である。
R2’は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。)
(1)感放射線性組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、
(2)上記レジスト膜を露光する工程、及び
(3)上記露光されたレジスト膜を現像する工程
を含むパターン形成方法に用いられる感放射線性組成物であって、
[A]酸解離性基を有する構造単位を含む重合体、及び
[B]感放射線性酸発生体
を含む2以上の成分を含有し、
上記感放射線性組成物中のいずれかの成分が下記式(1)で表される基を有することを特徴とする。
A−は、−N−−SO2−RD、−COO−、−O−又は−SO3 −である。但し、A−が、−SO3 −の場合、−SO3 −がフッ素原子を有する炭素原子と直接結合する場合はない。
RDは、炭素数1〜10の直鎖状若しくは分岐状の1価の炭化水素基又は炭素数3〜20の環状の1価の炭化水素基である。但し、これらの炭化水素基は、水素原子の一部又は全部がフッ素原子で置換されていてもよい。
X+は、オニウムカチオンである。)
本発明のパターン形成方法は、(1)感放射線性組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程(以下、「(1)工程」と称することがある)、(2)上記レジスト膜を露光する工程(以下、「(2)工程」と称することがある)、及び(3)上記露光されたレジスト膜を現像する工程(以下、「(3)工程」と称することがある)を含むパターン形成方法であって、上記(3)工程における現像液が有機溶媒を80質量%以上含有し、上記感放射線性組成物が、[A]重合体、及び[B]酸発生体を含む2以上の成分を含有し、上記感放射線性組成物中のいずれかの成分が上記式(1)で表される基を有することを特徴とする。当該組成物と当該パターン形成方法を組み合わせることで、現像後の露光部表面のラフネス及びミッシングコンタクトホールの発生を抑制すると共に、円形性等のリソグラフィー特性に優れるパターンを形成できる。以下、各工程を詳述する。
本工程では、本発明の感放射線性組成物を基板上に塗布することによりレジスト膜を形成する。基板としては、例えばシリコンウェハ、アルミニウムで被覆されたウェハ等の従来公知の基板を使用できる。また、例えば特公平6−12452号公報や特開昭59−93448号公報等に開示されている有機系又は無機系の反射防止膜を基板上に形成してもよい。
本工程では、(1)工程で形成したレジスト膜の所望の領域に特定パターンのマスク、及び必要に応じて液浸液を介して縮小投影することにより露光を行う。例えば、所望の領域にアイソラインパターンマスクを介して縮小投影露光を行うことにより、アイソトレンチパターンを形成できる。また、露光は所望のパターンとマスクパターンによって2回以上行ってもよい。2回以上露光を行う場合、露光は連続して行うことが好ましい。複数回露光する場合、例えば所望の領域にラインアンドスペースパターンマスクを介して第1の縮小投影露光を行い、続けて第1の露光を行った露光部に対してラインが交差するように第2の縮小投影露光を行う。第1の露光部と第2の露光部とは直交することが好ましい。直交することにより、露光部で囲まれた未露光部において真円状のコンタクトホールパターンが形成しやすくなる。なお、露光の際に用いられる液浸液としては水やフッ素系不活性液体等が挙げられる。液浸液は、露光波長に対して透明であり、かつ膜上に投影される光学像の歪みを最小限に留めるよう屈折率の温度係数ができる限り小さい液体が好ましいが、特に露光光源がArFエキシマレーザー光(波長193nm)である場合、上述の観点に加えて、入手の容易さ、取り扱いのし易さといった点から水を用いるのが好ましい。水を用いる場合、水の表面張力を減少させるとともに、界面活性力を増大させる添加剤を僅かな割合で添加しても良い。この添加剤は、ウェハ上のレジスト層を溶解させず、かつレンズの下面の光学コートに対する影響が無視できるものが好ましい。使用する水としては蒸留水が好ましい。
本工程は、(2)工程の露光後に、有機溶媒を80質量%以上含有するネガ型現像液を用いて現像を行い、パターンを形成する。ネガ型現像液とは低露光部及び未露光部を選択的に溶解・除去させる現像液のことである。ネガ型現像液に含有される有機溶媒は、アルコール系溶媒、エーテル系溶媒、ケトン系有機溶媒、アミド系溶媒、エステル系有機溶媒及び炭化水素系溶媒からなる群より選択される少なくとも1種であることが好ましい。
メタノール、エタノール、n−プロパノール、iso−プロパノール、n−ブタノール、iso−ブタノール、sec−ブタノール、tert−ブタノール、n−ペンタノール、iso−ペンタノール、2−メチルブタノール、sec−ペンタノール、tert−ペンタノール、3−メトキシブタノール、n−ヘキサノール、2−メチルペンタノール、sec−ヘキサノール、2−エチルブタノール、sec−ヘプタノール、3−ヘプタノール、n−オクタノール、2−エチルヘキサノール、sec−オクタノール、n−ノニルアルコール、2,6−ジメチル−4−ヘプタノール、n−デカノール、sec−ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、sec−テトラデシルアルコール、sec−ヘプタデシルアルコール、フルフリルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、3,3,5−トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ジアセトンアルコール等のモノアルコール系溶媒;
エチレングリコール、1,2−プロピレングリコール、1,3−ブチレングリコール、2,4−ペンタンジオール、2−メチル−2,4−ペンタンジオール、2,5−ヘキサンジオール、2,4−ヘプタンジオール、2−エチル−1,3−ヘキサンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール等の多価アルコール系溶媒;
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ−2−エチルブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル等の多価アルコール部分エーテル系溶媒等が挙げられる。
n−ペンタン、iso−ペンタン、n−ヘキサン、iso−ヘキサン、n−ヘプタン、iso−ヘプタン、2,2,4−トリメチルペンタン、n−オクタン、iso−オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒;
ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、n−プロピルベンゼン、iso−プロピルベンゼン、ジエチルベンゼン、iso−ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ−iso−プロピルベンセン、n−アミルナフタレン等の芳香族炭化水素系溶媒等が挙げられる。
本発明に用いられる感放射線性組成物は、[A]重合体及び[B]酸発生体を含む2以上の成分を含有し、上記感放射線性組成物中のいずれかの成分が上記式(1)で表される基を有する。また、当該組成物は、本発明の効果を損なわない限り、任意成分を含有してもよい。以下、各成分について詳述する。
[A]重合体は、酸解離性基を有する構造単位(以下、「構造単位(I)」と称することがある)を含み、当該感放射線性組成物においてベース樹脂となる重合体である。また、[A]重合体は、ラクトン構造等を含む構造単位(以下、「構造単位(II)」と称することがある)等の他の構造単位を有していてもよい。以下、各構造単位を詳述する。
構造単位(I)としては、下記式で表される構造単位であることが好ましい。
[A]重合体は、構造単位(II)として、ラクトン構造及び環状カーボネート構造からなる群より選ばれる少なくとも1種の構造を有する構造単位をさらに含んでいてもよい。[A]重合体が構造単位(II)を有することで、当該感放射線性組成物から得られるレジスト被膜の密着性が向上する。
[A]重合体は、親水性官能基を有する構造単位(以下、「構造単位(III)」と称することがある)をさらに含んでいてもよい。[A]重合体が構造単位(III)を有することで、レジストパターンのリソグラフィー性能をより向上できる。
[A]重合体は、例えば所定の各構造単位に対応する単量体を、ラジカル重合開始剤を使用し、適当な溶媒中で重合することにより製造できる。例えば、単量体及びラジカル開始剤を含有する溶液を、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法;単量体を含有する溶液と、ラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法;各々の単量体を含有する複数種の溶液と、ラジカル開始剤を含有する溶液とを各別に、反応溶媒又は単量体を含有する溶液に滴下して重合反応させる方法等の方法で合成することが好ましい。
[B]酸発生体は、露光により酸を発生し、その酸により[A]重合体中に存在する酸解離性基を解離させ酸を発生させる。当該組成物における[B]酸発生体の含有形態としては、後述するような化合物の形態(以下、適宜「[B]酸発生剤」と称することがある)でも、重合体の一部として組み込まれた形態でも、これらの両方の形態でもよい。なお、本発明においては、露光光としてArFエキシマレーザー光が好適に用いられるため、当該感放射線性組成物が含有する重合体としては、ArFエキシマレーザー光の吸収が少ない構造のものが適している。このような重合体としては、上述した[A]重合体等が好適に用いられるため、[B]酸発生体としては、[A]重合体が有する酸解離性基を解離させるのに十分な強度の酸を発生することが必要となる。
当該組成物は、[A]重合体及び[B]酸発生体を含む2以上の成分を含有し、上記感放射線性組成物中のいずれかの成分が上記式(1)で表される基を有することを特徴とする。上記式(1)で表される基を有するいずれかの成分は、露光部においては酸を発生して[A]重合体の現像液に対する不溶性を高め、結果として現像後の露光部表面のラフネスを抑制する。一方、未露光部ではアニオンによる高い酸捕捉機能が発揮されクエンチャーとして機能し、露光部から拡散する酸を捕捉する。即ち、未露光部のみにおいてクエンチャーとして機能するため、脱保護反応のコントラストが向上し、結果として解像度をより向上することができる。式(1)で表される基を有する成分は、露光により発生する酸が[B]感放射線性酸発生体から発生する酸より相対的に弱い酸であれば良く、塩基性基を有している必要はない。式(1)で表される基を有する成分としては、酸性基のみを有する場合の方が、塩基性基と酸性基を両方有する場合よりも、露光部と未露光部のコントラストがつき易く好ましい。
トリフェニルスルホニウムカチオン、4−シクロヘキシルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、4−メタンスルホニルフェニルジフェニルスルホニウムカチオン、上記式(4)で表されるスルホン基含有トリフェニルスルホニウムカチオン等のスルホニウムカチオン;
ジフェニルヨードニウムカチオン、ビス(4−t−ブチルフェニル)ヨードニウムカチオン等のヨードニウムカチオン;
1−(4−n−ブトキシナフタレン−1−イル)テトラヒドロチオフェニウムカチオン、1−(6−n−ブトキシナフタレン−2−イル)テトラヒドロチオフェニウムカチオン、1−(3,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)テトラヒドロチオフェニウムカチオン等のテトラヒドロチオフェニウムカチオン等が挙げられる。
(i)[C]化合物の形態で化合物として含有する場合(以下、「含有形態(i)」と称する)、及び
(ii)[A]重合体が上記式(3−1)で表される化合物及び式(3−2)で表される化合物からなる群より選択される少なくとも1種に由来する構造単位をさらに含む形態で含有する場合(以下、「含有形態(ii)」と称する)
(iii)[A]重合体に加え、上記式(3−1)で表される化合物及び式(3−2)で表される化合物からなる群より選択される少なくとも1種に由来する構造単位を含む重合体を当該組成物が含有する場合(以下、「含有形態(iii)」と称する)
が挙げられる。以下、各含有形態について詳述する。
含有形態(i)としては、当該パターン形成方法において、当該組成物が[C]上記式(2)で表される化合物をさらに含有する。この含有形態は、比較的簡易に当該組成物を調製できる点で有利である。
含有形態(ii)としては、当該パターン形成方法において、[A]重合体が上記式(3−1)で表される化合物及び式(3−2)で表される化合物からなる群より選択される少なくとも1種に由来する構造単位(IV)をさらに含む。この含有形態は、レジスト膜中において均一に上記式(1)で表される基が分散され存在するために、本願発明の効果がより一層向上する。なお、含有形態(i)と含有形態(ii)及び含有形態(iii)とが併用されていてもよい。
式(3−2)中、A−及びX+は、上記式(1)と同義である。R2’は、水素原子、メチル基又はトリフルオロメチル基である。
含有形態(iii)としては、当該パターン形成方法において、当該組成物が[D]上記式(3−1)で表される化合物及び式(3−2)で表される化合物からなる群より選択される少なくとも1種に由来する構造単位を含む重合体をさらに含有する形態である。式(3−1)及び(3−2)についての詳細については、上記含有形態(ii)で説明したものと同様のもの説明が適用できるため、ここでは説明を省略する。
当該感放射線性組成物は、上記必須成分以外に、本発明の効果を損なわない範囲で、任意成分として、フッ素原子含有重合体、含窒素化合物、溶媒、界面活性剤、脂環式骨格含有化合物、増感剤等を含有できる。以下、これらの任意成分について詳述する。これらの任意成分は、単独で又は2種以上を混合して使用することができる。また、その他の任意成分の配合量は、その目的に応じて適宜決定することができる。
当該感放射線性組成物は、フッ素原子含有重合体([A]重合体を除く)を含有していてもよい。当該感放射線性組成物が、フッ素原子含有重合体を含有することで、レジスト膜を形成した際に、膜中のフッ素原子含有重合体の撥油性的特徴により、その分布がレジスト膜表面近傍で偏在化する傾向があるので、液浸露光時における酸発生剤や酸拡散制御剤等が液浸媒体に溶出することを抑制することができる。また、このフッ素原子含有重合体の撥水性的特徴により、レジスト膜と液浸媒体との前進接触角が所望の範囲に制御でき、バブル欠陥の発生を抑制できる。さらに、レジスト膜と液浸媒体との後退接触角が高くなり、水滴が残らずに高速でのスキャン露光が可能となる。このように当該感放射線性組成物がフッ素原子含有重合体を含有することにより、液浸露光法に好適なレジスト被膜を形成することができる。
上記フッ素原子含有重合体は、例えば所定の各構造単位に対応する単量体を、ラジカル重合開始剤を使用し、適当な溶媒中で重合することにより合成できる。
含窒素化合物は、露光により[B]酸発生体から生じる酸のレジスト被膜中における拡散現象を制御し、非露光領域における好ましくない化学反応を抑制する効果を奏し、得られる感放射線性組成物の貯蔵安定性がさらに向上し、またレジストとしての解像度がさらに向上するとともに、露光から現像処理までの引き置き時間の変動によるレジストパターンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に極めて優れた組成物が得られる。含窒素化合物の当該組成物における含有形態としては、遊離の化合物の形態でも、重合体の一部として組み込まれた形態でも、これらの両方の形態でもよい。
当該組成物は通常、溶媒を含有する。溶媒は少なくとも上記の[A]重合体、[B]酸発生体、及び必要に応じて加えられる任意成分を溶解できれば特に限定されない。溶媒としては、例えばアルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒及びその混合溶媒等が挙げられる。アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒の具体例としては、パターン形成方法の(3)工程における現像液に用いられる有機溶媒としてそれぞれ例示した溶媒と同様の溶媒が挙げられる。
n−ペンタン、iso−ペンタン、n−ヘキサン、iso−ヘキサン、n−ヘプタン、iso−ヘプタン、2,2,4−トリメチルペンタン、n−オクタン、iso−オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒;
ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、n−プロピルベンゼン、iso−プロピルベンゼン、ジエチルベンゼン、iso−ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ−iso−プロピルベンセン、n−アミルナフタレン等の芳香族炭化水素系溶媒;
ジクロロメタン、クロロホルム、フロン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の含ハロゲン溶媒等が挙げられる。
界面活性剤は塗布性、ストリエーション、現像性等を改良する作用を示す成分である。
脂環式骨格化合物は、ドライエッチング耐性、パターン形状、基板との接着性等をさらに改善する作用を示す成分である。
増感剤は、放射線のエネルギーを吸収して、そのエネルギーを酸発生剤に伝達しそれにより酸の生成量を増加する作用を示すものであり、当該組成物の「みかけの感度」を向上させる効果を有する。
当該組成物は、例えば有機溶媒中で[A]重合体、[B]酸発生体、及び任意成分を所定の割合で混合することにより調製できる。また、当該組成物は適当な有機溶媒に溶解又は分散させた状態に調製され使用され得る。有機溶媒としては、上記の溶媒として例示したものであって、[A]重合体、[B]酸発生体、及び任意成分を溶解又は分散可能であれば特に限定されない。当該感放射線性組成物は、通常、その使用に際して、溶媒に溶解した後、例えば孔径0.2μm程度のフィルターでろ過することによって調製される。
<[A]重合体の合成]>
[A]重合体及び後述するフッ素原子含有重合体の合成に用いた単量体を下記に示す。
化合物(M−1)12.9g(50モル%)及び化合物(M−2)17.1g(50モル%)を2−ブタノン60gに溶解し、更にジメチルアゾビスイソブチロニトリル1.3gを投入した単量体溶液を調製した。一方、30gの2−ブタノンを投入した200mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、反応釜を攪拌しながら80℃に加熱し、事前に準備した単量体溶液を滴下漏斗を用いて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合溶液を水冷することにより30℃以下に冷却し、600gのメタノールへ投入して、析出した白色粉末をろ別した。ろ別した白色粉末を150gのメタノールにて2度スラリー状で洗浄した後、再度ろ別し、50℃にて17時間乾燥して白色粉末の共重合体(A−1)を得た(収率78.5%)。この共重合体(A−1)は、Mwが6,800であり、Mw/Mnが1.38であった。また、13C−NMR分析の結果、化合物(M−1)由来の構造単位:化合物(M−2)由来の構造単位の含有比率が47.5:52.5(モル%)の共重合体であった。13C−NMR分析は「JNM−EX270」(日本電子社)を使用した。
化合物(M−1)11.6g(50モル%)及び化合物(M−3)18.4g(50モル%)を2−ブタノン60gに溶解し、更にジメチルアゾビスイソブチロニトリル1.1gを投入した単量体溶液を調製した。一方、30gの2−ブタノンを投入した200mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、反応釜を攪拌しながら80℃に加熱し、事前に準備した単量体溶液を滴下漏斗を用いて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合溶液を水冷することにより30℃以下に冷却し、600gのメタノールへ投入して、析出した白色粉末をろ別した。ろ別した白色粉末を150gのメタノールにて2度スラリー状で洗浄した後、再度ろ別し、50℃にて17時間乾燥して白色粉末の共重合体(A−2)を得た(収率78.5%)。この共重合体(A−2)は、Mwが7,000であり、Mw/Mnが1.40であった。また、13C−NMR分析の結果、化合物(M−1)由来の構造単位:化合物(M−3)由来の構造単位の含有比率が48.5:51.5(モル%)の共重合体であった。
化合物(M−1)12.2g(50モル%)、化合物(M−2)14.8g(46モル%)及び化合物(M−4)3.0g(4モル%)を2−ブタノン60gに溶解し、更にジメチルアゾビスイソブチロニトリル1.3gを投入した単量体溶液を調製した。一方、30gの2−ブタノンを投入した200mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、反応釜を攪拌しながら80℃に加熱し、事前に準備した単量体溶液を滴下漏斗を用いて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合溶液を水冷することにより30℃以下に冷却し、600gのイソプロピルアルコール/ヘキサン=1/1混合溶剤へ投入して、析出した白色粉末をろ別した。ろ別した白色粉末を150gのメタノールにて2度スラリー状で洗浄した後、再度ろ別し、50℃にて17時間乾燥して白色粉末の共重合体(A−3)を得た(収率78.5%)。この共重合体(A−3)は、Mwが7,000であり、Mw/Mnが1.40であった。また、13C−NMR分析の結果、化合物(M−1)由来の構造単位:化合物(M−2)由来の構造単位:化合物(M−4)由来の構造単位の含有比率が49.9:46.4:3.8(モル%)の共重合体であった。
化合物(M−1)10.5g(40モル%)、化合物(M−7)3.6g(10モル%)、化合物(M−8)3.7g(10モル%)、化合物(M−2)6.9g(20モル%)及び化合物(M−9)5.3g(20モル%)を2−ブタノン60gに溶解し、更にジメチルアゾビスイソブチロニトリル1.3gを投入した単量体溶液を調製した。一方、30gの2−ブタノンを投入した200mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、反応釜を攪拌しながら80℃に加熱し、事前に準備した単量体溶液を滴下漏斗を用いて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合終了後、重合溶液を水冷することにより30℃以下に冷却し、600gのイソプロピルアルコール/ヘキサン=1/1混合溶剤へ投入して、析出した白色粉末をろ別した。ろ別した白色粉末を150gのメタノールにて2度スラリー状で洗浄した後、再度ろ別し、50℃にて17時間乾燥して白色粉末の共重合体(A−4)を得た(収率76.5%)。この共重合体(A−4)は、Mwが7,200であり、Mw/Mnが1.40であった。また、13C−NMR分析の結果、化合物(M−1)由来の構造単位:化合物(M−7)由来の構造単位:化合物(M−8)由来の構造単位:化合物(M−2)由来の構造単位:化合物(M−9)由来の構造単位の含有比率が38.8:8.9:10.1:21.0 :21.2(モル%)の共重合体であった。
[合成例5]
化合物(M−5)35.8g(70モル%)及び化合物(M−6)14.2g(30モル%)を100gの2−ブタノンに溶解し、ジメチル−2,2’−アゾビスイソブチレート3.2gを添加して単量体溶液を調製した。100gの2−ブタノンを入れた500mLの三口フラスコを30分窒素パージした後、撹拌しながら80℃に加熱し、調製した単量体溶液を滴下漏斗にて3時間かけて滴下した。滴下開始を重合反応の開始時間とし、重合反応を6時間実施した。重合反応終了後、重合溶液を水冷して30℃以下に冷却し、825gのメタノール/2−ブタノン/ヘキサン=2/1/8混合溶液で洗浄した後、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテルで溶媒置換し、共重合体(F−1)の溶液を得た。(固形分換算で38.0g、収率76%)。この共重合体(F−1)は、Mwが7,000であり、Mw/Mnが1.40であった。13C−NMR分析の結果、化合物(M−5)由来の構造単位:化合物(M−6)由来の構造単位の含有比率(モル%)が、70.2:29.8(モル%)の共重合体であった。
感放射線性組成物の調製に用いた[B]酸発生剤、[C]化合物、含窒素化合物及び溶媒について以下に示す。
B−1:下記式で表されるトリフェニルスルホニウム1,1,2,2−テトラフルオロ−6−(1−アダマンタンカルボニロキシ)−ヘキサン−1−スルホネート
C−1〜C−5:下記式で表される化合物
D−1:下記式で表される化合物
E−1:酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル
E−2:シクロヘキサノン
E−3:γ−ブチロラクトン
重合体(A−1)100質量部、酸発生剤(B−1)12.1質量部、化合物(C−1)5.0質量部、フッ素原子含有重合体(F−1)3質量部、並びに溶媒(E−1)1,870質量部、(E−2)800質量部及び(E−3)30質量部を混合し、得られた混合溶液を孔径0.2μmのフィルターでろ過して、感放射線性組成物(S−1)を調製した。
表1に示す種類、量の各成分を使用した以外は実施例1と同様に操作して、感放射線性組成物を調製した。なお、表1中の「−」は該当する成分を使用しなかったことを示す。
膜厚105nmのARC66(BREWER SIENCE社)の下層反射防止膜を形成したシリコンウェハを用い、実施例及び比較例で調製した感放射線性組成物を、基板上にクリーントラックACT12(東京エレクトロン社)を用いてスピンコートにより塗布し、ホットプレート上にて80℃で60秒間PBを行って膜厚0.10μmのレジスト膜を形成した。形成したレジスト膜に、ArF液浸露光装置(S610C、ニコン社、開口数1.30)を用いて、マスクパターン、液浸水を介して縮小投影露光した。次いで
表2に示すベーク温度で60秒間PEBを行った後、酢酸ブチルにより23℃で30秒間現像し、4−メチル−2−ペンタノールで10秒間リンス処理を行った後、乾燥してネガ型のレジストパターンを形成した。また、他の現像液としてメチル−n−ペンチルケトン、酢酸イソアミル及びメチルエチルケトンを使用し、同様にパターンを形成した。なお、縮小投影後にウエハー上で直径0.055μmのホールサイズになるような露光量を最適露光量とし、この最適露光量を感度(mJ/cm2)とした。感度を表2に示す。
形成したパターンについて下記の評価を行った。結果を表2に示す。
縮小投影露光後のパターンが直径0.055μmになるドットパターンを用いて液浸水を介して縮小投影露光し、露光量を大きくしていった際に得られるホールの最小寸法を測定した。ホールの最小寸法が、0.040μm以下の場合「良好」と判断し、0.040μmを超える場合、「不良」と判断した。
膜厚105nmのARC66(BREWER SIENCE社)の下層反射防止膜を形成したシリコンウェハを用い、実施例及び比較例で調製した感放射線性組成物を、基板上にクリーントラックACT12(東京エレクトロン社)を用いてスピンコートにより塗布し、ホットプレート上にて80℃で60秒間PBを行って膜厚0.10μmのレジスト膜を形成した。形成したレジスト膜に、ArF液浸露光装置(S610C、ニコン社、開口数1.30)を用いて、表2記載の感度で表される露光量で全面露光し、表2に示すベーク温度で60秒間PEBを行った後、酢酸ブチルにより23℃で30秒間現像し、4−メチル−2−ペンタノールで10秒間リンス処理を行い、乾燥してレジスト膜を形成した。本レジスト膜上の表面ラフネスを、原子間力顕微鏡(40×40μm)で測定し、自乗平均面荒さ(RMS)を算出し、その値をラフネス(nm)として評価に用いた。ラフネスが10nm未満の場合を「良好」、10nm以上の場合を「不良」と判断した。
表2記載の感度で表される露光量で形成された0.055μmのホールパターンを測長SEM(日立製作所社社、CG4000)にて観察し、画面上の9点のホールについて全てのパターン開口が見られれば「良好」と評価し、1つ以上のパターン閉口が見られれば「不良」と評価した。
表2記載の感度で表される最適露光量において、基板上のレジスト被膜に形成された0.055μmのホールパターンを、測長SEM(日立ハイテクノロジーズ社、CG4000)を用いてパターン上部から観察した。直径を任意のポイントで測定し、その測定ばらつきを3σで評価し、0.005μm以下である場合を「良好」と判断し、0.005μmを超える場合を「不良」と判断した。
表2記載の感度で表される最適露光量において、基板上のレジスト被膜に形成された0.055μmのホールパターンの断面形状を観察し(日立ハイテクノロジーズ社、S−4800)、レジストパターンの中間でのホール幅Lbと膜の上部でのホール幅Laを測り、0.9≦(La/Lb)≦1.1の範囲内である場合を「良好」と評価し、範囲外である場合を「不良」と評価した。
Claims (7)
- (1)感放射線性組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、
(2)上記レジスト膜を露光する工程、及び
(3)上記露光されたレジスト膜を現像する工程
を含むパターン形成方法であって、
上記(3)現像工程における現像液が有機溶媒を80質量%以上含有し、この有機溶媒が酢酸n−ブチル、酢酸イソプロピル、酢酸イソアミル、メチルエチルケトン、メチル−n−ブチルケトン及びメチル−n−ペンチルケトンからなる群より選ばれる少なくとも1種を含有し、
上記感放射線性組成物(但し、下記(i)〜(v)を除く)が、
[A]酸解離性基を有する構造単位を含む重合体(但し、酸の作用により親水性が増大する酸分解性基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位と、−SO2−含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位とを有する樹脂成分、及び酸の作用によりアルコール性水酸基を生じて親水性が増大する酸分解性基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位を有する樹脂成分を除く)、
[B]感放射線性酸発生体、及び
[C]下記式(2)で表される化合物であって、露光により発生する酸が、露光により[B]感放射線性酸発生体から発生する酸より相対的に弱い化合物(但し、重合体を除く。)
を含有することを特徴とするパターン形成方法。
A−は、−COO−、−O−又は−SO3 −である。但し、A−が、−SO3 −の場合、−SO3 −がフッ素原子を有する炭素原子と直接結合する場合はなく、かつR1は、水素原子の一部若しくは全部が置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基である。
X+は、オニウムカチオンである。)
(i)酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位を含んだ樹脂と、活性光線又は放射線の作用によりpKa≧−1.5の酸を発生する化合物とを含有した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
(ii)酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、活性光線又は放射線の照射により下記一般式(I)で表されるスルホン酸を発生する少なくとも1種の化合物と、溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物。
R1、R2は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、又は、環状構造を有する基を表す。R1とR2は互いに結合して環を形成していてもよい。但し、R1とR2は同時に水素原子を表さない。
Lは、2価の連結基を表す。Lが複数存在する場合、複数のLは同じであっても異なっていてもよい。mは、0以上の整数を表す。)
(iii)酸の作用により、有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂、活性光線又は放射線の作用により酸を発生する化合物、及び活性光線又は放射線の作用により塩基性が低下する、塩基性官能基と活性光線若しくは放射線の作用により酸性官能基を発生する基とを有する塩基性化合物を含有するレジスト組成物。
(iv)実質的にアルカリ不溶性である樹脂、活性光線又は放射線の作用により酸を発生する化合物、架橋剤、及び溶剤を含有するレジスト組成物。
(v)下記構造式(A)−20’で表される共重合体と、下記構造式(B)−2で表される化合物と、下記構造式(B)−3で表される化合物とを含有するレジスト組成物。
- 上記感放射線性組成物が、フッ素原子含有重合体(但し、[A]重合体を除く。)を更に含有する請求項1又は請求項2に記載のパターン形成方法。
- 上記フッ素原子含有重合体の含有割合が、[A]重合体100質量部に対して1質量部以上20質量部以下である請求項3に記載のパターン形成方法。
- [B]感放射線性酸発生体の含有割合が、[A]重合体100質量部に対して0.1質量部以上20質量部以下である請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- [C]化合物の含有割合が、[A]重合体100質量部に対して1質量部以上15質量部以下である請求項1から請求項5のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- (1)感放射線性組成物を用いて基板上にレジスト膜を形成する工程、
(2)上記レジスト膜を露光する工程、及び
(3)上記露光されたレジスト膜を現像する工程
を含むパターン形成方法に用いられる感放射線性組成物であって、
[A]酸解離性基を有する構造単位を含む重合体(但し、酸の作用により親水性が増大する酸分解性基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位と、−SO2−含有環式基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位とを有する樹脂成分、及び酸の作用によりアルコール性水酸基を生じて親水性が増大する酸分解性基を含むアクリル酸エステルから誘導される構成単位を有する樹脂成分を除く)、
[B]感放射線性酸発生体、及び
[C]下記式(2)で表される化合物であって、露光により発生する酸が、露光により[B]感放射線性酸発生体から発生する酸より相対的に弱い化合物(但し、重合体を除く。)
を含有することを特徴とする感放射線性組成物(但し、下記(i)〜(v)を除く)。
A−は、−COO−、−O−又は−SO3 −である。但し、A−が、−SO3 −の場合、−SO3 −がフッ素原子を有する炭素原子と直接結合する場合はなく、かつR1は、水素原子の一部若しくは全部が置換されていてもよい炭素数1〜20のアルキル基である。
X+は、オニウムカチオンである。)
(i)酸の作用により分解してアルコール性ヒドロキシ基を生じる基を備えた繰り返し単位を含んだ樹脂と、活性光線又は放射線の作用によりpKa≧−1.5の酸を発生する化合物とを含有した感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
(ii)酸の作用により、極性が増大して有機溶剤を含む現像液に対する溶解性が減少する樹脂と、活性光線又は放射線の照射により下記一般式(I)で表されるスルホン酸を発生する少なくとも1種の化合物と、溶剤とを含有する化学増幅型レジスト組成物。
R1、R2は、それぞれ独立して、水素原子、アルキル基、又は、環状構造を有する基を表す。R1とR2は互いに結合して環を形成していてもよい。但し、R1とR2は同時に水素原子を表さない。
Lは、2価の連結基を表す。Lが複数存在する場合、複数のLは同じであっても異なっていてもよい。mは、0以上の整数を表す。)
(iii)酸の作用により、有機溶剤を含む現像液に対する溶解度が減少する樹脂、活性光線又は放射線の作用により酸を発生する化合物、及び活性光線又は放射線の作用により塩基性が低下する、塩基性官能基と活性光線若しくは放射線の作用により酸性官能基を発生する基とを有する塩基性化合物を含有するレジスト組成物。
(iv)実質的にアルカリ不溶性である樹脂、活性光線又は放射線の作用により酸を発生する化合物、架橋剤、及び溶剤を含有するレジスト組成物。
(v)下記構造式(A)−20’で表される共重合体と、下記構造式(B)−2で表される化合物と、下記構造式(B)−3で表される化合物とを含有するレジスト組成物。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010237767 | 2010-10-22 | ||
JP2010237767 | 2010-10-22 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012539740A Division JPWO2012053527A1 (ja) | 2010-10-22 | 2011-10-18 | パターン形成方法及び感放射線性組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016197242A true JP2016197242A (ja) | 2016-11-24 |
JP6292255B2 JP6292255B2 (ja) | 2018-03-14 |
Family
ID=45975238
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012539740A Pending JPWO2012053527A1 (ja) | 2010-10-22 | 2011-10-18 | パターン形成方法及び感放射線性組成物 |
JP2015086647A Active JP5991402B2 (ja) | 2010-10-22 | 2015-04-21 | パターン形成方法 |
JP2016123068A Active JP6292255B2 (ja) | 2010-10-22 | 2016-06-21 | パターン形成方法 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012539740A Pending JPWO2012053527A1 (ja) | 2010-10-22 | 2011-10-18 | パターン形成方法及び感放射線性組成物 |
JP2015086647A Active JP5991402B2 (ja) | 2010-10-22 | 2015-04-21 | パターン形成方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9034559B2 (ja) |
JP (3) | JPWO2012053527A1 (ja) |
KR (1) | KR101907705B1 (ja) |
TW (1) | TWI529480B (ja) |
WO (1) | WO2012053527A1 (ja) |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101907705B1 (ko) * | 2010-10-22 | 2018-10-12 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 패턴 형성 방법 및 감방사선성 조성물 |
JP5677127B2 (ja) * | 2011-02-18 | 2015-02-25 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
JP6121122B2 (ja) * | 2011-10-13 | 2017-04-26 | 住友化学株式会社 | 化合物、樹脂、レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP5933249B2 (ja) * | 2011-12-16 | 2016-06-08 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法及びレジスト組成物 |
US10156455B2 (en) | 2012-06-05 | 2018-12-18 | Apple Inc. | Context-aware voice guidance |
US9482296B2 (en) | 2012-06-05 | 2016-11-01 | Apple Inc. | Rendering road signs during navigation |
US9052197B2 (en) | 2012-06-05 | 2015-06-09 | Apple Inc. | Providing navigation instructions while device is in locked mode |
US9886794B2 (en) | 2012-06-05 | 2018-02-06 | Apple Inc. | Problem reporting in maps |
US9418672B2 (en) | 2012-06-05 | 2016-08-16 | Apple Inc. | Navigation application with adaptive instruction text |
JP6274760B2 (ja) * | 2012-07-03 | 2018-02-07 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6159592B2 (ja) * | 2012-07-03 | 2017-07-05 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6274762B2 (ja) * | 2012-07-03 | 2018-02-07 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6274761B2 (ja) * | 2012-07-03 | 2018-02-07 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6261890B2 (ja) * | 2012-07-03 | 2018-01-17 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6274754B2 (ja) * | 2012-07-05 | 2018-02-07 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6274755B2 (ja) * | 2012-07-05 | 2018-02-07 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP2014019741A (ja) * | 2012-07-13 | 2014-02-03 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 樹脂の製造方法 |
JP6007011B2 (ja) * | 2012-07-18 | 2016-10-12 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法及び化合物 |
JP6012377B2 (ja) | 2012-09-28 | 2016-10-25 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法 |
JP6295046B2 (ja) * | 2012-10-01 | 2018-03-14 | 住友化学株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターンの製造方法 |
JP6334876B2 (ja) * | 2012-12-26 | 2018-05-30 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
JP5978139B2 (ja) * | 2013-01-22 | 2016-08-24 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法 |
JP6025600B2 (ja) * | 2013-02-19 | 2016-11-16 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法 |
JP6093614B2 (ja) * | 2013-03-25 | 2017-03-08 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP6097611B2 (ja) * | 2013-03-25 | 2017-03-15 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP6095231B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2017-03-15 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、及びこれを用いた電子デバイスの製造方法 |
JP6148907B2 (ja) * | 2013-06-10 | 2017-06-14 | 東京応化工業株式会社 | 溶剤現像ネガ型レジスト組成物、レジストパターン形成方法 |
JP6244134B2 (ja) * | 2013-08-02 | 2017-12-06 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、及び、電子デバイスの製造方法 |
WO2016035497A1 (ja) | 2014-09-02 | 2016-03-10 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、電子デバイスの製造方法及び電子デバイス |
JP6780092B2 (ja) | 2017-03-31 | 2020-11-04 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、レジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法 |
JP7250422B2 (ja) * | 2017-12-28 | 2023-04-03 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、及びレジストパターン形成方法 |
JP7117910B2 (ja) * | 2018-06-28 | 2022-08-15 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
JP7134066B2 (ja) * | 2018-11-02 | 2022-09-09 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
WO2020195428A1 (ja) * | 2019-03-28 | 2020-10-01 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物及びレジストパターンの形成方法 |
KR20220125230A (ko) * | 2020-01-07 | 2022-09-14 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 감방사선성 수지 조성물, 레지스트 패턴 형성 방법 및 화합물 |
CN112925166A (zh) * | 2021-01-22 | 2021-06-08 | 宁波南大光电材料有限公司 | 一种高分辨率光刻胶 |
CN112764313A (zh) * | 2021-01-22 | 2021-05-07 | 宁波南大光电材料有限公司 | 一种光刻胶组合物及其制备方法 |
Citations (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001330947A (ja) * | 2000-05-22 | 2001-11-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
JP2004264352A (ja) * | 2003-02-10 | 2004-09-24 | Fasl Japan 株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、その製造法並びにそれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2005091427A (ja) * | 2003-09-12 | 2005-04-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2005527673A (ja) * | 2002-05-28 | 2005-09-15 | アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド | アセタールで保護されたポリマーおよびそのフォトレジスト組成物 |
US20080153032A1 (en) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | Rahman M Dalil | Photoactive Compounds |
JP2008292975A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-12-04 | Fujifilm Corp | パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液 |
JP2009025723A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Fujifilm Corp | ネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP2009244805A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Fujifilm Corp | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2010066492A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Jsr Corp | ポジ型感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
WO2010064135A2 (en) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | Az Electronic Materials Usa Corp. | A photosensitive composition |
JP2010139996A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Fujifilm Corp | ネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP2010152353A (ja) * | 2008-11-27 | 2010-07-08 | Fujifilm Corp | 有機溶剤を含有する現像液を用いたパターン形成方法及びこれに用いるリンス液 |
JP2010160446A (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
JP2011022560A (ja) * | 2009-06-17 | 2011-02-03 | Fujifilm Corp | パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜 |
JP2011100089A (ja) * | 2009-10-06 | 2011-05-19 | Fujifilm Corp | パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜 |
JP2011191727A (ja) * | 2010-02-18 | 2011-09-29 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジストパターン形成方法、ネガ型現像用レジスト組成物 |
JP2011221501A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-11-04 | Fujifilm Corp | パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物、及び、レジスト膜 |
JP2012032807A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-02-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法 |
JP2012073565A (ja) * | 2010-02-18 | 2012-04-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジストパターン形成方法、ネガ型現像用レジスト組成物 |
WO2012053527A1 (ja) * | 2010-10-22 | 2012-04-26 | Jsr株式会社 | パターン形成方法及び感放射線性組成物 |
WO2012063840A1 (ja) * | 2010-11-09 | 2012-05-18 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法及び酸拡散制御剤 |
US20140242526A1 (en) * | 2013-02-23 | 2014-08-28 | Jsr Corporation | Positive tone organic solvent developed chemically amplified resist |
WO2014178341A1 (ja) * | 2013-05-02 | 2014-11-06 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、電子デバイス及びその製造方法 |
JP2015054833A (ja) * | 2013-09-11 | 2015-03-23 | 信越化学工業株式会社 | スルホニウム塩、化学増幅型レジスト組成物、及びパターン形成方法 |
Family Cites Families (51)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0612452B2 (ja) | 1982-09-30 | 1994-02-16 | ブリュ−ワ−・サイエンス・インコ−ポレイテッド | 集積回路素子の製造方法 |
US4910122A (en) | 1982-09-30 | 1990-03-20 | Brewer Science, Inc. | Anti-reflective coating |
SG43691A1 (en) | 1991-06-28 | 1997-11-14 | Ibm | Top antireflective coating films |
IL141803A0 (en) | 1998-09-23 | 2002-03-10 | Du Pont | Photoresists, polymers and processes for microlithography |
JP3943741B2 (ja) | 1999-01-07 | 2007-07-11 | 株式会社東芝 | パターン形成方法 |
JP4715058B2 (ja) | 2001-08-02 | 2011-07-06 | Jsr株式会社 | 感放射性樹脂組成物 |
JP3869306B2 (ja) | 2001-08-28 | 2007-01-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法および現像液塗布装置 |
US7078148B2 (en) | 2002-06-03 | 2006-07-18 | Jsr Corporation | Radiation sensitive resin composition |
US9348226B2 (en) | 2002-12-28 | 2016-05-24 | Jsr Corporation | Radiation-sensitive resin composition |
JP4434762B2 (ja) | 2003-01-31 | 2010-03-17 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物 |
JP4551701B2 (ja) | 2004-06-14 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | 液浸露光用保護膜形成組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
US8697343B2 (en) | 2006-03-31 | 2014-04-15 | Jsr Corporation | Fluorine-containing polymer, purification method, and radiation-sensitive resin composition |
JP4710762B2 (ja) | 2006-08-30 | 2011-06-29 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
US7569326B2 (en) * | 2006-10-27 | 2009-08-04 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Sulfonium salt having polymerizable anion, polymer, resist composition, and patterning process |
JP4877388B2 (ja) | 2007-03-28 | 2012-02-15 | Jsr株式会社 | ポジ型感放射線性組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法 |
JP4982288B2 (ja) * | 2007-04-13 | 2012-07-25 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
US7851140B2 (en) * | 2007-06-12 | 2010-12-14 | Fujifilm Corporation | Resist composition for negative tone development and pattern forming method using the same |
JP4590431B2 (ja) * | 2007-06-12 | 2010-12-01 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
WO2008153110A1 (ja) | 2007-06-12 | 2008-12-18 | Fujifilm Corporation | ネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP5002360B2 (ja) | 2007-07-23 | 2012-08-15 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
JP2009025707A (ja) | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Fujifilm Corp | ネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP5054042B2 (ja) * | 2008-02-08 | 2012-10-24 | 信越化学工業株式会社 | ポジ型レジスト材料並びにこれを用いたパターン形成方法 |
JP5270249B2 (ja) | 2008-03-25 | 2013-08-21 | 富士フイルム株式会社 | ネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP5433181B2 (ja) | 2008-03-28 | 2014-03-05 | 富士フイルム株式会社 | ネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP4998746B2 (ja) * | 2008-04-24 | 2012-08-15 | 信越化学工業株式会社 | スルホニウム塩を含む高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP5746818B2 (ja) | 2008-07-09 | 2015-07-08 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性または感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
CN102099749A (zh) | 2008-07-15 | 2011-06-15 | Jsr株式会社 | 正型放射线敏感性组合物和抗蚀图案形成方法 |
JP5473270B2 (ja) | 2008-07-17 | 2014-04-16 | 国立大学法人徳島大学 | 高分岐ポリマーを用いた光パターニング組成物 |
JP5141459B2 (ja) | 2008-09-10 | 2013-02-13 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
JP5381006B2 (ja) | 2008-10-16 | 2014-01-08 | Jsr株式会社 | レジストパターン形成方法 |
JP5176910B2 (ja) * | 2008-11-28 | 2013-04-03 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物 |
JP5568963B2 (ja) | 2008-11-28 | 2014-08-13 | Jsr株式会社 | 重合体および感放射線性樹脂組成物 |
JP2010160355A (ja) * | 2009-01-08 | 2010-07-22 | Fujifilm Corp | 感活性光線または感放射線性樹脂組成物、および該組成物を用いたパターン形成方法 |
JP5103420B2 (ja) * | 2009-02-24 | 2012-12-19 | 富士フイルム株式会社 | ネガ型現像用レジスト組成物を用いたパターン形成方法 |
JP2010237408A (ja) * | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Panasonic Corp | 化学増幅型レジスト材料及びそれを用いたパターン形成方法 |
WO2010119910A1 (ja) * | 2009-04-15 | 2010-10-21 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、それに用いる重合体及びそれに用いる化合物 |
JP5440468B2 (ja) | 2010-01-20 | 2014-03-12 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP5775701B2 (ja) * | 2010-02-26 | 2015-09-09 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法及びレジスト組成物 |
JP5708082B2 (ja) * | 2010-03-24 | 2015-04-30 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法及びネガ型レジスト組成物 |
JP5639780B2 (ja) * | 2010-03-26 | 2014-12-10 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP5675144B2 (ja) * | 2010-03-30 | 2015-02-25 | 富士フイルム株式会社 | 感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP5618625B2 (ja) * | 2010-05-25 | 2014-11-05 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法及び感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物 |
IL213195A0 (en) | 2010-05-31 | 2011-07-31 | Rohm & Haas Elect Mat | Photoresist compositions and emthods of forming photolithographic patterns |
JP5772216B2 (ja) | 2010-06-28 | 2015-09-02 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP5729171B2 (ja) | 2010-07-06 | 2015-06-03 | 信越化学工業株式会社 | パターン形成方法 |
JP5557656B2 (ja) | 2010-09-01 | 2014-07-23 | 東京応化工業株式会社 | レジストパターン形成方法 |
KR101848955B1 (ko) | 2010-10-04 | 2018-04-13 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 패턴 형성 방법 및 감방사선성 수지 조성물 |
JP5940455B2 (ja) | 2010-10-15 | 2016-06-29 | Jsr株式会社 | レジストパターン形成方法 |
TWI424269B (zh) * | 2011-01-25 | 2014-01-21 | Chunghwa Picture Tubes Ltd | 親水性單體、含其之親水性光阻劑組成物、及光阻圖形之形成方法 |
WO2012105417A1 (ja) | 2011-02-04 | 2012-08-09 | Jsr株式会社 | フォトレジスト組成物 |
US8703401B2 (en) | 2011-06-01 | 2014-04-22 | Jsr Corporation | Method for forming pattern and developer |
-
2011
- 2011-10-18 KR KR1020137010075A patent/KR101907705B1/ko active IP Right Grant
- 2011-10-18 WO PCT/JP2011/073974 patent/WO2012053527A1/ja active Application Filing
- 2011-10-18 JP JP2012539740A patent/JPWO2012053527A1/ja active Pending
- 2011-10-20 TW TW100138099A patent/TWI529480B/zh active
-
2013
- 2013-04-19 US US13/866,093 patent/US9034559B2/en active Active
-
2015
- 2015-03-06 US US14/640,882 patent/US9335630B2/en active Active
- 2015-04-21 JP JP2015086647A patent/JP5991402B2/ja active Active
-
2016
- 2016-06-21 JP JP2016123068A patent/JP6292255B2/ja active Active
Patent Citations (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001330947A (ja) * | 2000-05-22 | 2001-11-30 | Fuji Photo Film Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
JP2005527673A (ja) * | 2002-05-28 | 2005-09-15 | アーチ・スペシャルティ・ケミカルズ・インコーポレイテッド | アセタールで保護されたポリマーおよびそのフォトレジスト組成物 |
JP2004264352A (ja) * | 2003-02-10 | 2004-09-24 | Fasl Japan 株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、その製造法並びにそれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2005091427A (ja) * | 2003-09-12 | 2005-04-07 | Fuji Photo Film Co Ltd | 感光性組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
US20080153032A1 (en) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | Rahman M Dalil | Photoactive Compounds |
JP2008292975A (ja) * | 2006-12-25 | 2008-12-04 | Fujifilm Corp | パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液 |
JP2009025723A (ja) * | 2007-07-23 | 2009-02-05 | Fujifilm Corp | ネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP2009244805A (ja) * | 2008-03-31 | 2009-10-22 | Fujifilm Corp | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 |
JP2010066492A (ja) * | 2008-09-10 | 2010-03-25 | Jsr Corp | ポジ型感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法 |
JP2010152353A (ja) * | 2008-11-27 | 2010-07-08 | Fujifilm Corp | 有機溶剤を含有する現像液を用いたパターン形成方法及びこれに用いるリンス液 |
WO2010064135A2 (en) * | 2008-12-01 | 2010-06-10 | Az Electronic Materials Usa Corp. | A photosensitive composition |
JP2010139996A (ja) * | 2008-12-15 | 2010-06-24 | Fujifilm Corp | ネガ型現像用レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法 |
JP2010160446A (ja) * | 2009-01-09 | 2010-07-22 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 |
JP2011022560A (ja) * | 2009-06-17 | 2011-02-03 | Fujifilm Corp | パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜 |
JP2011100089A (ja) * | 2009-10-06 | 2011-05-19 | Fujifilm Corp | パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物及びレジスト膜 |
JP2011191727A (ja) * | 2010-02-18 | 2011-09-29 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジストパターン形成方法、ネガ型現像用レジスト組成物 |
JP2012073565A (ja) * | 2010-02-18 | 2012-04-12 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | レジストパターン形成方法、ネガ型現像用レジスト組成物 |
JP2011221501A (ja) * | 2010-03-23 | 2011-11-04 | Fujifilm Corp | パターン形成方法、化学増幅型レジスト組成物、及び、レジスト膜 |
JP2012032807A (ja) * | 2010-07-08 | 2012-02-16 | Shin Etsu Chem Co Ltd | パターン形成方法 |
WO2012053527A1 (ja) * | 2010-10-22 | 2012-04-26 | Jsr株式会社 | パターン形成方法及び感放射線性組成物 |
WO2012063840A1 (ja) * | 2010-11-09 | 2012-05-18 | Jsr株式会社 | 感放射線性樹脂組成物、パターン形成方法及び酸拡散制御剤 |
US20140242526A1 (en) * | 2013-02-23 | 2014-08-28 | Jsr Corporation | Positive tone organic solvent developed chemically amplified resist |
WO2014178341A1 (ja) * | 2013-05-02 | 2014-11-06 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、電子デバイス及びその製造方法 |
JP2015054833A (ja) * | 2013-09-11 | 2015-03-23 | 信越化学工業株式会社 | スルホニウム塩、化学増幅型レジスト組成物、及びパターン形成方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150177616A1 (en) | 2015-06-25 |
US9335630B2 (en) | 2016-05-10 |
TWI529480B (zh) | 2016-04-11 |
KR101907705B1 (ko) | 2018-10-12 |
KR20130135852A (ko) | 2013-12-11 |
JP6292255B2 (ja) | 2018-03-14 |
JP5991402B2 (ja) | 2016-09-14 |
US20130230804A1 (en) | 2013-09-05 |
JPWO2012053527A1 (ja) | 2014-02-24 |
TW201229662A (en) | 2012-07-16 |
US9034559B2 (en) | 2015-05-19 |
JP2015172755A (ja) | 2015-10-01 |
WO2012053527A1 (ja) | 2012-04-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6292255B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP5716751B2 (ja) | パターン形成方法及び感放射線性樹脂組成物 | |
KR101194479B1 (ko) | 레지스트 패턴 형성용 감방사선성 수지 조성물 | |
JP5994882B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
JP5928347B2 (ja) | パターン形成方法 | |
JP5263453B2 (ja) | レジストパターン形成方法及び感放射線性樹脂組成物 | |
WO2012114963A1 (ja) | ネガ型パターン形成方法及びフォトレジスト組成物 | |
JP2012185472A (ja) | 感放射線性樹脂組成物及びレジストパターンの形成方法 | |
JP6060967B2 (ja) | フォトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法 | |
JP2013068675A (ja) | フォトレジスト組成物及びネガ型パターン形成方法 | |
JP5867298B2 (ja) | フォトレジスト組成物及びレジストパターン形成方法 | |
WO2012077433A1 (ja) | パターン形成方法及び感放射線性樹脂組成物 | |
JP2013130735A (ja) | ネガ型のレジストパターン形成方法及びフォトレジスト組成物 | |
WO2012046543A1 (ja) | レジストパターン形成方法及び感放射線性樹脂組成物 | |
JP5803806B2 (ja) | レジストパターン形成方法 | |
WO2012046581A1 (ja) | パターン形成方法及び感放射線性樹脂組成物 | |
WO2012023349A1 (ja) | パターン形成方法及び感放射線性樹脂組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170608 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170620 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170821 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180116 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180129 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6292255 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |