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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6724844B2 (ja) * 2017-03-30 2020-07-15 豊田合成株式会社 半導体装置
JP7179276B2 (ja) * 2017-09-29 2022-11-29 株式会社タムラ製作所 電界効果トランジスタ
JP7127279B2 (ja) * 2017-12-14 2022-08-30 富士電機株式会社 炭化シリコン半導体装置及びその製造方法
JP7107106B2 (ja) * 2018-08-30 2022-07-27 富士電機株式会社 窒化ガリウム系半導体装置および窒化ガリウム系半導体装置の製造方法
WO2020070233A1 (en) * 2018-10-02 2020-04-09 Swansea University Semiconductor powerdevice
JP7093953B2 (ja) 2019-02-27 2022-07-01 株式会社デンソー 半導体装置とその製造方法
JP7586082B2 (ja) * 2019-08-06 2024-11-19 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置
JP2021190647A (ja) * 2020-06-04 2021-12-13 豊田合成株式会社 半導体装置とその製造方法
US11640990B2 (en) * 2020-10-27 2023-05-02 Wolfspeed, Inc. Power semiconductor devices including a trenched gate and methods of forming such devices

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4941026A (en) * 1986-12-05 1990-07-10 General Electric Company Semiconductor devices exhibiting minimum on-resistance
JPH04188877A (ja) * 1990-11-22 1992-07-07 Yokogawa Electric Corp 高耐圧パワーｍｏｓｆｅｔ
US5424231A (en) * 1994-08-09 1995-06-13 United Microelectronics Corp. Method for manufacturing a VDMOS transistor
US6228720B1 (en) * 1999-02-23 2001-05-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for making insulated-gate semiconductor element
US7012005B2 (en) * 2002-06-25 2006-03-14 Siliconix Incorporated Self-aligned differential oxidation in trenches by ion implantation
JP3715971B2 (ja) * 2003-04-02 2005-11-16 ローム株式会社 半導体装置
US7465986B2 (en) * 2004-08-27 2008-12-16 International Rectifier Corporation Power semiconductor device including insulated source electrodes inside trenches
US7452777B2 (en) * 2006-01-25 2008-11-18 Fairchild Semiconductor Corporation Self-aligned trench MOSFET structure and method of manufacture
US7598517B2 (en) * 2006-08-25 2009-10-06 Freescale Semiconductor, Inc. Superjunction trench device and method
JP2008270794A (ja) * 2007-03-29 2008-11-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US7859021B2 (en) * 2007-08-29 2010-12-28 Sanken Electric Co., Ltd. Field-effect semiconductor device
US8129779B2 (en) * 2007-09-03 2012-03-06 Rohm Co., Ltd. Trench gate type VDMOSFET device with thicker gate insulation layer portion for reducing gate to source capacitance
US8076720B2 (en) * 2007-09-28 2011-12-13 Semiconductor Components Industries, Llc Trench gate type transistor
JP5100329B2 (ja) * 2007-11-22 2012-12-19 三菱電機株式会社 半導体装置
JP2009135360A (ja) * 2007-12-03 2009-06-18 Renesas Technology Corp 半導体装置およびその製造方法
JP5452876B2 (ja) * 2008-03-13 2014-03-26 ローム株式会社 半導体装置およびその製造方法
US7936009B2 (en) * 2008-07-09 2011-05-03 Fairchild Semiconductor Corporation Shielded gate trench FET with an inter-electrode dielectric having a low-k dielectric therein
US7985986B2 (en) * 2008-07-31 2011-07-26 Cree, Inc. Normally-off semiconductor devices
JP5588670B2 (ja) * 2008-12-25 2014-09-10 ローム株式会社 半導体装置
US8735906B2 (en) * 2009-04-13 2014-05-27 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device
US8252647B2 (en) * 2009-08-31 2012-08-28 Alpha & Omega Semiconductor Incorporated Fabrication of trench DMOS device having thick bottom shielding oxide
CN102822950B (zh) * 2010-03-19 2016-06-22 富士通株式会社 化合物半导体装置及其制造方法
JP5510544B2 (ja) * 2010-07-14 2014-06-04 富士通株式会社 化合物半導体装置及びその製造方法
KR102065115B1 (ko) * 2010-11-05 2020-01-13 삼성전자주식회사 Ｅ-모드를 갖는 고 전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법
JP5839804B2 (ja) * 2011-01-25 2016-01-06 国立大学法人東北大学 半導体装置の製造方法、および半導体装置
US8598654B2 (en) * 2011-03-16 2013-12-03 Fairchild Semiconductor Corporation MOSFET device with thick trench bottom oxide
JP5395309B2 (ja) * 2011-03-23 2014-01-22 パナソニック株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP5637916B2 (ja) * 2011-03-31 2014-12-10 トヨタ自動車株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP6037499B2 (ja) * 2011-06-08 2016-12-07 ローム株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP2013058676A (ja) * 2011-09-09 2013-03-28 Elpida Memory Inc 半導体装置及びその製造方法、並びにデータ処理システム
JP5243671B1 (ja) * 2011-11-21 2013-07-24 パナソニック株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP5605354B2 (ja) * 2011-12-26 2014-10-15 豊田合成株式会社 Ｍｉｓ型半導体装置の製造方法
WO2013118203A1 (ja) * 2012-02-10 2013-08-15 パナソニック株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP5844656B2 (ja) * 2012-02-20 2016-01-20 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP5957994B2 (ja) * 2012-03-16 2016-07-27 富士通株式会社 半導体装置の製造方法
JP2013232533A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Rohm Co Ltd 半導体装置および半導体装置の製造方法
WO2014057906A1 (ja) * 2012-10-11 2014-04-17 ローム株式会社 窒化物半導体装置およびその製造方法
JP6200227B2 (ja) * 2013-02-25 2017-09-20 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
KR101832334B1 (ko) * 2013-03-05 2018-02-27 매그나칩 반도체 유한회사 반도체소자 및 그 제조방법
US9142655B2 (en) * 2013-03-12 2015-09-22 Infineon Technologies Ag Semiconductor device
JP2014183125A (ja) * 2013-03-18 2014-09-29 Fujitsu Ltd 半導体装置
JP2014192493A (ja) * 2013-03-28 2014-10-06 Toyoda Gosei Co Ltd 半導体装置
JP6131689B2 (ja) * 2013-04-16 2017-05-24 住友電気工業株式会社 炭化珪素半導体装置の製造方法
US9570570B2 (en) * 2013-07-17 2017-02-14 Cree, Inc. Enhanced gate dielectric for a field effect device with a trenched gate
JP6220188B2 (ja) * 2013-08-15 2017-10-25 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置
JP6194516B2 (ja) * 2014-08-29 2017-09-13 豊田合成株式会社 Ｍｉｓ型半導体装置

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