JP2016157938A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (5)

1. 基板上に酸化物半導体と、
   前記酸化物半導体と接する第１の電極及び第２の電極と、
   前記酸化物半導体、前記第１の電極、前記第２の電極上の絶縁体と、
   前記絶縁体上の第３の電極と、を有し、
   前記酸化物半導体は、前記第１の電極と重なる第１の領域、前記第２の電極と重なる第２の領域、及び前記第３の電極と重なる第３の領域を有し、
   前記第１の領域と、前記第３の領域とは重なる第４の領域を有し、
   前記第２の領域と、前記第３の領域とは重なる第５の領域を有し、
   前記第１の電極の上面および前記第２の電極の上面は、前記酸化物半導体の上面と同一平面、または前記同一平面よりも前記基板側に設けられていることを特徴とする半導体装置。
2. 酸化物半導体と、第１の電極と、第２の電極と、第３の電極と、絶縁体と、を有し、
   前記第３の電極は、前記絶縁体を介して、前記酸化物半導体上に設けられ、
   前記酸化物半導体は、前記第１の電極と重なる第１の領域、前記第２の電極と重なる第２の領域、及び前記第３の電極と重なる第３の領域を有し、
   前記第１の領域と、前記第３の領域とは重なる第４の領域を有し、
   前記第２の領域と、前記第３の領域とは重なる第５の領域を有し、
   前記第１の電極の上面および前記第２の電極の上面は、前記酸化物半導体の前記絶縁体に近い面と同一平面、または前記同一平面よりも前記酸化物半導体側に設けられていることを特徴とする半導体装置。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記第４の領域及び前記第５の領域の長さは、０ｎｍ以上５ｎｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記酸化物半導体は、チャネルが形成される領域を有し、
   前記絶縁体は、前記チャネルが形成される領域と重なる領域において段差を有さないことを特徴とする半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記第１の電極はソース電極及びドレイン電極の一方として機能し、
   前記第２の電極はソース電極及びドレイン電極の他方として機能することを特徴とする半導体装置。