JP2016012770A - 電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】大型化を抑制しつつ、通過帯域の広帯域化を図ることができる電子部品を提供することである。
【解決手段】本発明に係る電子部品は、入力端子と、第１の出力端子と、接地端子と、前記第１の入力端子と前記第１の出力端子との間の経路において、電気的に直列接続されている第１のコンデンサ及び第２のコンデンサと、前記第１の入力端子と前記第１の出力端子との間の経路のいずれかの部分と、前記接地端子との間に接続されている第１のインダクタと、前記第２のコンデンサに対して電気的に並列接続されている第２のインダクタと、第１の副線路と、を備えており、前記第２のインダクタと前記第１の副線路とは、電磁気的に結合することにより第１の方向性結合器をなしていること、を特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、電子部品に関し、より特定的には、方向性結合器を備えた電子部品に関する。

従来の電子部品に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載のバンドパスフィルタが知られている。該バンドパスフィルタは、３段のＬＣ並列共振器及び副線路を備えている。３段のＬＣ並列共振器は、一列に並んでおり、隣り合うもの同士で互いに電磁気的に結合している。また、副線路は、各ＬＣ並列共振器のインダクタに対して電磁気的に結合している。以上のようなバンドパスフィルタでは、３段のＬＣ並列共振器を通過する信号の電力に比例する電力を有する信号が副線路に接続された端子から出力される。

ところで、特許文献１に記載のバンドパスフィルタでは、３段のＬＣ並列共振器が用いられている。３段のＬＣ並列共振器の共振周波数が異なることにより、バンドパスフィルタは所望の通過帯域を得ることができる。ただし、より広い通過帯域が必要な場合には、より多くのＬＣ並列共振器が必要となる。そのため、バンドパスフィルタが大型化するという問題があった。

特許第４４３２０５９号

そこで、本発明の目的は、大型化を抑制しつつ、通過帯域の広帯域化を図ることができる電子部品を提供することである。

本発明の一形態に係る電子部品は、入力端子と、第１の出力端子と、接地端子と、前記入力端子と前記第１の出力端子との間の経路において、電気的に直列接続されている第１のコンデンサ及び第２のコンデンサと、前記入力端子と前記第１の出力端子との間の経路のいずれかの部分と、前記接地端子との間に接続されている第１のインダクタと、前記第２のコンデンサに対して電気的に並列接続されている第２のインダクタと、第１の副線路と、を備えており、前記第２のインダクタと前記第１の副線路とは、電磁気的に結合することにより第１の方向性結合器をなしていること、を特徴とする。

本発明によれば、大型化を抑制しつつ、通過帯域の広帯域化を図ることができる。

電子部品１０の等価回路図である。 電子部品１０の外観斜視図である。 電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。 電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。 電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。 電子部品１０の通過特性を示したグラフである。 電子部品１０のカップリング特性及びアイソレーション特性を示したグラフである。 方向性結合器において流れる高周波信号を示した図である。 方向性結合器において流れる高周波信号を示した図である。 方向性結合器において流れる高周波信号を示した図である。 方向性結合器において流れる高周波信号を示した図である。 方向性結合器において流れる高周波信号を示した図である。 第１の変形例に係る電子部品１０ａの等価回路図である。 第２の変形例に係る電子部品１０ｂの等価回路図である。

（電子部品の構成）
以下に、一実施形態に係る電子部品の回路構成について図面を参照しながら説明する。図１は、電子部品１０の等価回路図である。

電子部品１０は、所定の周波数帯域において用いられる。所定の周波数帯域とは、例えば、１７１０ＭＨｚ〜２１７０ＭＨｚ（Ｂａｎｄ１〜Ｂａｎｄ４）の周波数帯域を有する信号及び２５００ＭＨｚ〜２６９０ＭＨｚ（Ｂａｎｄ７）の周波数帯域を有する信号である。この時、これらの信号が電子部品１０に入力される場合には、この時の電子部品１０の所定の周波数帯域は、１７１０ＭＨｚ〜２６９０ＭＨｚとなる。

電子部品１０は、外部電極（端子）１４ａ〜１４ｈ、コンデンサＣ１〜Ｃ８、インダクタＬ１〜Ｌ５及び副線路Ｓを回路構成として備えている。コンデンサＣ１〜Ｃ３，Ｃ５は、外部電極１４ａと外部電極１４ｅとの間の経路において、外部電極１４ａから外部電極１４ｅへとこの順に電気的に直列接続されている。インダクタＬ１は、コンデンサＣ１とコンデンサＣ２との間の部分と外部電極１４ｂ，１４ｄ，１４ｇ，１４ｈとの間に接続されている。コンデンサＣ４（第３のコンデンサ）及びインダクタＬ２（第１のインダクタ）は、コンデンサＣ２（第１のコンデンサ）とコンデンサＣ３との間の部分と外部電極１４ｂ，１４ｄ，１４ｇ，１４ｈとの間に電気的に直列接続されている。以上の様に接続されたコンデンサＣ１〜Ｃ４及びインダクタＬ１，Ｌ２は、所定のカットオフ周波数ｆ１よりも高い周波数を有する高周波信号を通過させるハイパスフィルタＨＰＦをなしている。

インダクタＬ３（第２のインダクタ）は、コンデンサＣ５（第２のコンデンサ）に対して電気的に並列接続されている。インダクタＬ３とコンデンサＣ５とは、所定の共振周波数ｆ２を有するＬＣ並列共振器をなしている。共振周波数ｆ２は、カットオフ周波数ｆ１よりも高い。その結果、電子部品１０の通過帯域は、カットオフ周波数ｆ１と共振周波数ｆ２とによって決定される。

副線路Ｓは、副線路部Ｓ１，Ｓ２を含んでいる。インダクタＬ３と副線路Ｓとは、電磁気的に結合することにより方向性結合器をなしている。すなわち、インダクタＬ３は、方向性結合器の主線路Ｍとしても機能している。

また、副線路部Ｓ１、インダクタＬ４，Ｌ５及び副線路部Ｓ２は、外部電極１４ｆと外部電極１４ｃとの間の経路において、外部電極１４ｆから外部電極１４ｃへと、この順に電気的に直列接続されている。コンデンサＣ６は、副線路部Ｓ１とインダクタＬ４との間の部分と外部電極１４ｂ，１４ｄ，１４ｇ，１４ｈとの間に接続されている。コンデンサＣ７は、インダクタＬ４とインダクタＬ５との間の部分と外部電極１４ｂ，１４ｄ，１４ｇ，１４ｈとの間に接続されている。コンデンサＣ８は、インダクタＬ５と副線路部Ｓ２との間の部分と外部電極１４ｂ，１４ｄ，１４ｇ，１４ｈとの間に接続されている。以上のように接続されたインダクタＬ４，Ｌ５及びコンデンサＣ６〜Ｃ８は、ローパスフィルタＬＰＦをなしている。よって、副線路部Ｓ１、ローパスフィルタＬＰＦ及び副線路部Ｓ２は、この順に電気的に直列接続されている。

以上のような電子部品１０では、外部電極１４ａが入力ポートとして用いられ、外部電極１４ｅが出力ポートとして用いられる。また、外部電極１４ｃは、カップリングポートとして用いられ、外部電極１４ｆは、５０Ωで終端化されるターミネートポートとして用いられる。また、外部電極１４ｂ，１４ｄ，１４ｇ，１４ｈは、接地される接地ポートとして用いられる。そして、外部電極１４ａに対して信号が入力されると、該信号が外部電極１４ｅから出力される。更に、主線路Ｍと副線路Ｓとが電磁気的に結合しているので、外部電極１４ｅから出力される信号の電力に比例する電力を有する信号が外部電極１４ｃから出力される。

次に、電子部品１０の具体的構成について図面を参照しながら説明する。図２は、電子部品１０の外観斜視図である。図３〜図５は、電子部品１０の積層体１２の分解斜視図である。以下では、積層方向を上下方向と定義し、上側から平面視したときの電子部品１０の長辺方向を前後方向と定義し、上側から平面視したときの電子部品１０の短辺方向を左右方向と定義する。なお、上下方向、前後方向及び左右方向は、互いに直交している。

電子部品１０は、図２及び図３〜図５に示すように、積層体１２、外部電極１４ａ〜１４ｈ、コンデンサ導体２０ａ〜２０ｃ、インダクタ導体２２ａ〜２２ｃ、コンデンサ導体２４ａ，２４ｂ，２６ａ〜２６ｄ、接続導体２８ａ、インダクタ導体３０ａ〜３０ｄ、コンデンサ導体３２ａ，３２ｂ、コンデンサ導体３３ａ，３３ｂ、副線路導体３４ａ，３６ａ、コンデンサ導体３８ａ，４０ａ、インダクタ導体４２ａ，４２ｂ，４４ａ，４４ｂ、接続導体４６ａ、コンデンサ導体４８ａ，４８ｂ、インダクタ導体５０ａ、グランド導体５２ａ、コンデンサ導体５４ａ及びビアホール導体ｖ１〜ｖ２２を備えている。

積層体１２は、図２に示すように、直方体状をなしており、図３〜図５に示すように、絶縁体層１６ａ〜１６ｗが上側から下側へとこの順に並ぶように積層されることにより構成されている。以下では、積層体１２において、上側の面を上面と呼び、下側の面を下面と呼び、前側の面を前面と呼び、後ろ側の面を後面と呼び、右側の面を右面と呼び、左側の面を左面と呼ぶ。積層体１２の下面は、電子部品１０が回路基板に実装される際に、回路基板と対向する実装面である。絶縁体層１６ａ〜１６ｗは、誘電体セラミックであり、長方形状をなしている。

外部電極１４ａ〜１４ｃは、積層体１２の右面において、後ろ側から前側へとこの順に並ぶように設けられている。外部電極１４ａ〜１４ｃは、上下方向に延在している帯状をなしている。また、外部電極１４ａ〜１４ｃの上下方向の両端は、上面及び下面に折り返されている。

外部電極１４ｄ〜１４ｆは、積層体１２の左面において、後ろ側から前側へとこの順に並ぶように設けられている。外部電極１４ｄ〜１４ｆは、上下方向に延在している帯状をなしている。また、外部電極１４ｄ〜１４ｆの上下方向の両端は、上面及び下面に折り返されている。

外部電極１４ｇは、積層体１２の後面に設けられている。外部電極１４ｇは、上下方向に延在している帯状をなしている。また、外部電極１４ｇの上下方向の両端は、上面及び下面に折り返されている。

外部電極１４ｈは、積層体１２の前面に設けられている。外部電極１４ｈは、上下方向に延在している帯状をなしている。また、外部電極１４ｈの上下方向の両端は、上面及び下面に折り返されている。

コンデンサＣ１は、コンデンサ導体２０ａ〜２０ｃにより構成されている。コンデンサ導体２０ａは、絶縁体層１６ｅの表面において右半分かつ後ろ半分の領域に設けられている矩形状の導体層である。また、コンデンサ導体２０ａは、絶縁体層１６ｅの右側の長辺に引き出されている。これにより、コンデンサ導体２０ａは、外部電極１４ａと接続されている。

コンデンサ導体２０ｂは、絶縁体層１６ｄの表面において右半分かつ後ろ半分の領域に設けられている矩形状の導体層である。コンデンサ導体２０ｂは、上側から平面視したときに、コンデンサ導体２０ａと重なっている。また、コンデンサ導体２０ｃは、絶縁体層１６ｆの表面において右半分かつ後ろ半分の領域に設けられている矩形状の導体層である。コンデンサ導体２０ｃは、上側から平面視したときに、コンデンサ導体２０ａと重なっている。これにより、コンデンサ導体２０ａとコンデンサ導体２０ｂ，２０ｃとの間に、コンデンサＣ１が形成されている。

コンデンサＣ２は、コンデンサ導体２０ｂ，２４ａ，２４ｂにより構成されている。コンデンサ導体２４ａは、絶縁体層１６ｃの表面において後ろ半分の領域に設けられている導体層である。コンデンサ導体２４ａは、左右方向に並ぶ２つの長方形状の導体層が接続された構造を有している。コンデンサ導体２４ａの右半分は、上側から平面視したときに、コンデンサ導体２０ｂと重なっている。

コンデンサ導体２４ｂは、絶縁体層１６ｄの表面において左半分かつ後ろ半分の領域に設けられている矩形状の導体層である。コンデンサ導体２４ｂは、上側から平面視したときに、コンデンサ導体２４ａの左半分と重なっている。これにより、コンデンサ導体２０ｂとコンデンサ導体２４ｂとの間に、コンデンサＣ２が形成されている。また、コンデンサ導体２０ｂは、コンデンサＣ１の一部とコンデンサＣ２の一部とを兼ねているので、コンデンサＣ１とコンデンサＣ２とが接続されている。

コンデンサＣ３は、コンデンサ導体２４ｂ，２６ａ〜２６ｄにより構成されている。コンデンサ導体２６ａは、絶縁体層１６ｅの表面において左半分かつ後ろ半分の領域に設けられている矩形状の導体層である。コンデンサ導体２６ｂは、絶縁体層１６ｆの表面において左半分かつ後ろ半分の領域に設けられている矩形状の導体層である。コンデンサ導体２６ｃは、絶縁体層１６ｇの表面において左半分かつ後ろ半分の領域に設けられている矩形状の導体層である。コンデンサ導体２６ｄは、絶縁体層１６ｈの表面において左半分かつ後ろ半分の領域に設けられている矩形状の導体層である。コンデンサ導体２４ｂ，２６ａ〜２６ｄは、上側から平面視したときに重なっている。これにより、コンデンサ導体２６ａ，２６ｃとコンデンサ導体２４ｂ，２６ｂ，２６ｄとの間に、コンデンサＣ３が形成されている。また、コンデンサ導体２４ｂは、コンデンサＣ２の一部とコンデンサＣ３の一部とを兼ねているので、コンデンサＣ２とコンデンサＣ３とが接続されている。

ビアホール導体ｖ２０は、絶縁体層１６ｅ，１６ｆを上下方向に貫通しており、コンデンサ導体３２ｂとコンデンサ導体２６ｃとを接続している。

コンデンサＣ５は、コンデンサ導体３２ａ，３２ｂにより構成されている。コンデンサ導体３２ａは、絶縁体層１６ｄの表面において左半分かつ後ろ半分の領域に設けられている矩形状の導体層である。コンデンサ導体３２ｂは、絶縁体層１６ｅの表面において左半分かつ後ろ半分の領域に設けられている矩形状の導体層である。コンデンサ導体３２ａ，３２ｂは、上側から平面視したときに重なっている。これにより、コンデンサ導体３２ａとコンデンサ導体３２ｂとの間に、コンデンサＣ５が形成されている。また、コンデンサ導体３２ｂは、コンデンサ導体２６ａと接続されている。これにより、コンデンサＣ３とコンデンサＣ５とが接続されている。

インダクタＬ１は、インダクタ導体２２ａ〜２２ｃ及びビアホール導体ｖ２，ｖ３により構成されている。インダクタ導体２２ａは、絶縁体層１６ｍの表面において右半分かつ後ろ半分の領域に設けられており、反時計回りに約３／４周だけ周回している線状の導体層である。インダクタ導体２２ｂは、絶縁体層１６ｎの表面において右半分かつ後ろ半分の領域に設けられており、反時計回りに約７／８周だけ周回している線状の導体層である。インダクタ導体２２ｃは、絶縁体層１６ｐの表面において右半分かつ後ろ半分の領域に設けられており、反時計回りに約７／８周だけ周回している線状の導体層である。インダクタ導体２２ｃの反時計回り方向の下流側の端部は、絶縁体層１６ｐの右側の長辺に引き出されている。これにより、インダクタ導体２２ｃは、外部電極１４ｂに接続されている。

ビアホール導体ｖ２は、絶縁体層１６ｍを上下方向に貫通しており、インダクタ導体２２ａの反時計回り方向の下流側の端部とインダクタ導体２２ｂの反時計回り方向の上流側の端部とを接続している。ビアホール導体ｖ３は、絶縁体層１６ｎ，１６ｏを上下方向に貫通しており、インダクタ導体２２ｂの反時計回り方向の下流側の端部とインダクタ導体２２ｃの反時計回り方向の上流側の端部とを接続している。これにより、インダクタＬ１は、反時計回り方向に周回しながら上側から下側に進む螺旋状をなしている。

また、ビアホール導体ｖ１は、絶縁体層１６ｄ〜１６ｌを上下方向に貫通しており、コンデンサ導体２０ｂ，２０ｃとインダクタ導体２２ａの反時計回り方向の上流側の端部とを接続している。これにより、コンデンサＣ１及びコンデンサＣ２とインダクタＬ１とが接続されている。

ビアホール導体ｖ４は、絶縁体層１６ｄ〜１６ｇを上下方向に貫通しており、コンデンサ導体２４ｂとコンデンサ導体２６ｂとコンデンサ導体２６ｄとを接続している。これにより、コンデンサＣ２とコンデンサＣ３とが接続されている。

コンデンサＣ４は、コンデンサ導体２６ｄ，３３ａ，３３ｂにより構成されている。コンデンサ導体３３ａは、絶縁体層１６ｉの表面において左半分かつ後ろ半分の領域に設けられている矩形状の導体層である。コンデンサ導体３３ｂは、絶縁体層１６ｊの表面において左半分かつ後ろ半分の領域に設けられている矩形状の導体層である。コンデンサ導体２６ｄ，３３ａ，３３ｂは、上側から平面視したときに重なっている。これにより、コンデンサ導体２６ｄ，３３ｂとコンデンサ導体３３ａとの間に、コンデンサＣ４が形成されている。また、コンデンサ導体２６ｄは、コンデンサＣ３の一部とコンデンサＣ４の一部とを兼ねている。これにより、コンデンサＣ３とコンデンサＣ４とが接続されている。

インダクタＬ２は、インダクタ導体３０ａ〜３０ｄ及びビアホール導体ｖ６〜ｖ８により構成されている。インダクタ導体３０ａは、絶縁体層１６ｌの表面において左半分かつ後ろ半分の領域に設けられており、反時計回りに約１周だけ周回している線状の導体層である。インダクタ導体３０ｂは、絶縁体層１６ｍの表面において左半分かつ後ろ半分の領域に設けられており、反時計回りに約１周だけ周回している線状の導体層である。インダクタ導体３０ｃは、絶縁体層１６ｎの表面において左半分かつ後ろ半分の領域に設けられており、反時計回りに約７／８周だけ周回している線状の導体層である。インダクタ導体３０ｄは、絶縁体層１６ｐの表面において左半分かつ後ろ半分の領域に設けられており、反時計回りに約７／８周だけ周回している線状の導体層である。インダクタ導体３０ｄの反時計回り方向の下流側の端部は、絶縁体層１６ｐの左の長辺に引き出されている。これにより、インダクタ導体３０ｄは、外部電極１４ｄに接続されている。

ビアホール導体ｖ６は、絶縁体層１６ｌを上下方向に貫通しており、インダクタ導体３０ａの反時計回り方向の下流側の端部とインダクタ導体３０ｂの反時計回り方向の上流側の端部とを接続している。ビアホール導体ｖ７は、絶縁体層１６ｍを上下方向に貫通しており、インダクタ導体３０ｂの反時計回り方向の下流側の端部とインダクタ導体３０ｃの反時計回り方向の上流側の端部とを接続している。ビアホール導体ｖ８は、絶縁体層１６ｎ，１６ｏを上下方向に貫通しており、インダクタ導体３０ｃの反時計回り方向の下流側の端部とインダクタ導体３０ｄの反時計回り方向の上流側の端部とを接続している。これにより、インダクタＬ２は、反時計回り方向に周回しながら上側から下側に進む螺旋状をなしている。

接続導体２８ａは、絶縁体層１６ｋの中央（対角線の交点）近傍に設けられており、前後方向に延在する線状の導体層である。ビアホール導体ｖ２２は、絶縁体層１６ｉ，１６ｊを上下方向に貫通しており、コンデンサ導体３３ａと接続導体２８ａの前端とを接続している。ビアホール導体ｖ５は、絶縁体層１６ｋを上下方向に貫通しており、接続導体２８ａの後端とインダクタ導体３０ａの反時計回り方向の上流側の端部とを接続している。これにより、コンデンサＣ４とインダクタＬ２とが接続されている。

インダクタＬ３は、インダクタ導体５０ａにより構成されている。インダクタ導体５０ａは、絶縁体層１６ｋの表面において前半分の領域に設けられており、時計回りに約１周だけ周回している線状の導体層である。インダクタ導体５０ａの時計回り方向の下流側の端部は、絶縁体層１６ｋの左側の長辺に引き出されている。これにより、インダクタ導体５０ａは、外部電極１４ｅに接続されている。

ビアホール導体ｖ１８は、絶縁体層１６ｅ〜１６ｊを上下方向に貫通しており、コンデンサ導体２６ａ，３２ｂとインダクタ導体５０ａの時計回り方向の上流側の端部とを接続している。これにより、コンデンサＣ３，Ｃ５とインダクタＬ５とが接続されている。

ビアホール導体ｖ１９は、絶縁体層１６ｄ〜１６ｊを上下方向に貫通しており、コンデンサ導体３２ａとインダクタ導体５０ａの時計回り方向の下流側の端部とを接続している。これにより、コンデンサＣ５は、外部電極１４ｅに接続されている。

副線路部Ｓ１は、副線路導体３６ａにより構成されている。副線路導体３６ａは、絶縁体層１６ｏの表面において左半分かつ前半分の領域に設けられており反時計回りに約１／２周だけ周回している線状の導体層である。副線路導体３６ａの反時計回り方向の上流側の端部は、絶縁体層１６ｏの左側の長辺に引き出されている。これにより、副線路導体３６ａは、外部電極１４ｆに接続されている。また、副線路導体３６ａが囲む領域は、上側から平面視したときに、インダクタ導体５０ａが囲む領域と重なっている。これにより、副線路部Ｓ１とインダクタＬ３（主線路Ｍ）とが電磁気的に結合している。

副線路部Ｓ２は、副線路導体３４ａにより構成されている。副線路導体３４ａは、絶縁体層１６ｏの表面において右半分かつ前半分の領域に設けられており反時計回りに約１／２周だけ周回している線状の導体層である。副線路導体３４ａの反時計回り方向の下流側の端部は、絶縁体層１６ｏの右側の長辺に引き出されている。これにより、副線路導体３４ａは、外部電極１４ｃに接続されている。また、副線路導体３４ａが囲む領域は、上側から平面視したときに、インダクタ導体５０ａが囲む領域と重なっている。これにより、副線路部Ｓ２とインダクタＬ３（主線路Ｍ）とが電磁気的に結合している。

コンデンサＣ６は、コンデンサ導体４０ａ，５４ａにより構成されている。コンデンサ導体４０ａは、絶縁体層１６ｒの表面において、左半分かつ前半分の領域に設けられており、矩形状をなす導体層である。コンデンサ導体５４ａは、絶縁体層１６ｑの前半分の領域に設けられており、矩形状の一部が切り欠かれた形状をなす導体層である。コンデンサ導体５４ａは、絶縁体層１６ｑの前側の短辺に引き出されている。これにより、コンデンサ導体５４ａは、外部電極１４ｈに接続されている。更に、コンデンサ導体４０ａとコンデンサ導体５４ａとは、上側から平面視したときに、重なっている。これにより、コンデンサ導体４０ａとコンデンサ導体５４ａとの間には、コンデンサＣ６が形成されている。

コンデンサＣ８は、コンデンサ導体３８ａ，５４ａにより構成されている。コンデンサ導体３８ａは、絶縁体層１６ｒの表面において、右半分かつ前半分の領域に設けられており、矩形状をなす導体層である。コンデンサ導体３８ａとコンデンサ導体５４ａとは、上側から平面視したときに、重なっている。これにより、コンデンサ導体３８ａとコンデンサ導体５４ａとの間には、コンデンサＣ８が形成されている。

ビアホール導体ｖ１３は、絶縁体層１６ｏ〜１６ｑを上下方向に貫通しており、副線路導体３６ａの反時計回り方向の下流側の端部とコンデンサ導体４０ａとを接続している。これにより、副線路部Ｓ１とコンデンサＣ６とが接続されている。

ビアホール導体ｖ９は、絶縁体層１６ｏ〜１６ｑを上下方向に貫通しており、副線路導体３４ａの反時計回り方向の上流側の端部とコンデンサ導体３８ａとを接続している。これにより、副線路部Ｓ２とコンデンサＣ８とが接続されている。

インダクタＬ４は、インダクタ導体４４ａ，４４ｂ及びビアホール導体ｖ１５により構成されている。インダクタ導体４４ａは、絶縁体層１６ｓの表面において、左半分かつ前半分の領域に設けられており、反時計回りに約３／４周だけ周回する線状の導体層である。インダクタ導体４４ｂは、絶縁体層１６ｔの表面において、左半分かつ前半分の領域に設けられており、反時計回りに約１周だけ周回する線状の導体層である。ビアホール導体ｖ１５は、絶縁体層１６ｓを上下方向に貫通しており、インダクタ導体４４ａの反時計回り方向の下流側の端部とインダクタ導体４４ｂの反時計回り方向の上流側の端部とを接続している。これにより、インダクタＬ４は、反時計回り方向に周回しながら上側から下側に進む螺旋状をなしている。

インダクタＬ５は、インダクタ導体４２ａ，４２ｂ及びビアホール導体ｖ１１により構成されている。インダクタ導体４２ａは、絶縁体層１６ｓの表面において、右半分かつ前半分の領域に設けられており、反時計回りに約３／４周だけ周回する線状の導体層である。インダクタ導体４２ｂは、絶縁体層１６ｔの表面において、右半分かつ前半分の領域に設けられており、反時計回りに約１周だけ周回する線状の導体層である。ビアホール導体ｖ１１は、絶縁体層１６ｓを上下方向に貫通しており、インダクタ導体４２ａの反時計回り方向の上流側の端部とインダクタ導体４２ｂの反時計回り方向の下流側の端部とを接続している。これにより、インダクタＬ５は、反時計回り方向に周回しながら下側から上側に進む螺旋状をなしている。

ビアホール導体ｖ１４は、絶縁体層１６ｒを上下方向に貫通しており、コンデンサ導体４０ａとインダクタ導体４４ａの反時計回り方向の上流側の端部とを接続している。これにより、コンデンサＣ８とインダクタＬ５とが接続されている。

ビアホール導体ｖ１０は、絶縁体層１６ｒを上下方向に貫通しており、コンデンサ導体３８ａとインダクタ導体４２ａの反時計回り方向の下流側の端部とを接続している。これにより、コンデンサＣ８とインダクタＬ５とが接続されている。

コンデンサＣ７は、コンデンサ導体４８ａ，４８ｂにより構成されている。コンデンサ導体４８ａは、絶縁体層１６ｖの表面において、前半分の領域に設けられており、長方形状をなしている。コンデンサ導体４８ｂは、絶縁体層１６ｗの表面において、前半分の領域に設けられており、長方形状をなしている。コンデンサ導体４８ｂは、絶縁体層１６ｗの前側の短辺及び右側の長辺に引き出されている。これにより、コンデンサ導体４８ｂは、外部電極１４ｂ，１４ｈに接続されている。更に、コンデンサ導体４８ａとコンデンサ導体４８ｂとは、上側から平面視したときに、重なっている。これにより、コンデンサ導体４８ａとコンデンサ導体４８ｂとの間には、コンデンサＣ７が形成されている。

接続導体４６ａは、絶縁体層１６ｕの表面において、前半分の領域に設けられており、Ｔ字型をなす線状の導体層である。ビアホール導体ｖ１６は、絶縁体層１６ｔを上下方向に貫通しており、インダクタ導体４４ｂの反時計回り方向の下流側の端部と接続導体４６ａとを接続している。ビアホール導体ｖ１２は、絶縁体層１６ｔを上下方向に貫通しており、インダクタ導体４２ｂの反時計回り方向の上流側の端部と接続導体４６ａとを接続している。ビアホール導体ｖ１７は、絶縁体層１６ｕを上下方向に貫通しており、接続導体４６ａとコンデンサ導体４８ａとを接続している。これにより、インダクタＬ４，Ｌ５とコンデンサＣ７とが接続されている。

グランド導体５２ａは、絶縁体層１６ｂの表面において、前半分の領域に設けられており、矩形状の導体層である。グランド導体５２ａは、絶縁体層１６ｂの前側の短辺に引き出されている。これにより、グランド導体５２ａは、外部電極１４ｈに接続されている。

（効果）
本実施形態に係る電子部品１０によれば、大型化を抑制しつつ、通過帯域の広帯域化を図ることができる。より詳細には、特許文献１に記載のバンドパスフィルタでは、３段のＬＣ並列共振器が用いられている。３段のＬＣ並列共振器の共振周波数が異なることにより、バンドパスフィルタは所望の通過帯域を得ることができる。ただし、より広い通過帯域が必要な場合には、より多くのＬＣ並列共振器が必要となる。そのため、バンドパスフィルタが大型化するという問題があった。

そこで、電子部品１０は、コンデンサＣ１〜Ｃ４及びインダクタＬ１，Ｌ２により構成されるハイパスフィルタＨＰＦ及びコンデンサＣ５及びインダクタＬ３により構成されるＬＣ並列共振器を備えている。そして、ＬＣ並列共振器の共振周波数ｆ２がハイパスフィルタＨＰＦのカットオフ周波数ｆ１よりも高くなることにより、カットオフ周波数ｆ１以上共振周波数ｆ２以下の通過帯域を有する電子部品１０が得られる。この場合、コンデンサＣ１〜Ｃ５の容量値及びインダクタＬ１〜Ｌ３のインダクタンス値を調整することにより、カットオフ周波数ｆ１及び共振周波数ｆ２を調整して、電子部品１０の通過帯域の広帯域化を図ることができる。すなわち、電子部品１０では、通過帯域の広帯域化のために、ＬＣ並列共振器の段数を増加させる必要がない。よって、電子部品１０では、大型化を抑制しつつ、通過帯域の広帯域化を図ることができる。

本願発明者は、電子部品１０が奏する効果をより明確にするために、以下に説明するコンピュータシミュレーションを行った。図６Ａは、電子部品１０の通過特性を示したグラフである。図６Ｂは、電子部品１０のカップリング特性及びアイソレーション特性を示したグラフである。図６Ａ及び図６Ｂにおいて、縦軸は減衰量を示し、横軸は周波数を示す。また、通過特性とは、外部電極１４ａから入力される信号の強度に対する外部電極１４ｅから出力される信号の強度の比の値である。カップリング特性とは、外部電極１４ａから入力される信号の強度に対する外部電極１４ｃから出力される信号の強度の比の値である。アイソレーション特性とは、外部電極１４ａから入力される信号の強度に対する外部電極１４ｆから出力される信号の強度の比の値である。

図６Ａによれば、電子部品１０では、ハイパスフィルタＨＰＦのカットオフ周波数ｆ１とＬＣ並列共振器の共振周波数ｆ２との間において通過帯域が得られていることが分かる。よって、カットオフ周波数ｆ１と共振周波数ｆ２とを調整することにより、電子部品１０の通過帯域の広帯域化を図ることが可能であることが分かる。また、図６Ｂに示すように、カップリング特性及びアイソレーション特性においても、通過特性と同様に、広帯域化が図られていることが分かる。

また、電子部品１０では、インダクタＬ３は、ＬＣ並列共振器のインダクタとして機能していると共に、方向性結合器の主線路Ｍとしても機能している。よって、電子部品１０の小型化が図られる。

また、電子部品１０では、以下に説明するように、方向性が向上する。図７Ａ〜図７Ｅは、方向性結合器において流れる高周波信号を示した図である。

方向性結合器では、磁気結合時には偶モードが発生し、容量結合時には奇モードが発生する。偶モードでは、図７Ａに示すように、磁気結合による電磁誘導により、主線路を流れる信号Ｓｉｇ１とは反対方向に進行する信号Ｓｉｇ２が副線路を進行する。一方、奇モードでは、図７Ｂに示すように、容量結合による電界により、信号Ｓｉｇ１とは反対方向に進行する信号Ｓｉｇ３、及び、信号Ｓｉｇ１と同方向に進行する信号Ｓｉｇ４が副線路を進行する。前記の通り、主線路と副線路とは、磁気結合していると共に、容量結合もしている。よって、副線路では、図７Ｃに示すように、信号Ｓｉｇ２の一部と信号Ｓｉｇ４とが相殺される。その結果、副線路では、信号Ｓｉｇ２の一部と信号Ｓｉｇ４とが相殺することにより発生した信号Ｓｉｇ５は、信号Ｓｉｇ１とは反対方向に進行するようになる。方向性結合器においては、副線路の信号Ｓｉｇ４が向かう端子（以下、ターミネートポート）に信号は出力されず、信号Ｓｉｇ３，Ｓｉｇ５が向かう端子に信号（カップリングポート）が出力される必要がある。このように、方向性結合器の副線路において、カップリングポートにのみ信号が出力される特性を方向性と呼ぶ。

ところが、主線路及び副線路の特性インピーダンスが所望の特性インピーダンス（５０Ω）からずれていると、主線路及び副線路に接続された端子において信号の反射が発生する。具体的には、主線路に接続された出力端子において反射が発生すると、図７Ｄに示すように、反射された信号によって、信号Ｓｉｇ６が副線路に発生する。その結果、ターミネートポートから信号Ｓｉｇ６が出力される。また、カップリングポートにおいて反射が発生すると、図７Ｅに示すように、信号Ｓｉｇ７が発生する。その結果、ターミネートポートから信号Ｓｉｇ７が出力される。以上のように、主線路及び副線路の特性インピーダンスが所望の特性インピーダンス（５０Ω）からずれていると、方向性結合器の方向性が低下する。

そこで、グランド導体５２ａ、コンデンサ導体５４ａ、インダクタ導体５０ａ及び副線路導体３４ａ，３６ａは、絶縁体層１６ｂ，１６ｑ，１６ｋ，１６ｏの前半分に設けられている。そして、グランド導体５２ａは、インダクタ導体５０ａ及び副線路導体３４ａ，３６ａよりも上側に設けられ、接地電位に接続される。コンデンサ導体５４ａは、インダクタ導体５０ａ及び副線路導体３４ａ，３６ａよりも下側に設けられ、接地電位に接続される。よって、方向性結合器を構成しているインダクタ導体５０ａ及び副線路導体３４ａ，３６ａは、接地電位に接続されたグランド導体５２ａ及びコンデンサ導体５４ａにより上下方向から挟まれている。そのため、グランド導体５２ａ、コンデンサ導体５４ａ、インダクタ導体５０ａ及び副線路導体３４ａ，３６ａがストリップライン構造をなすようになり、インダクタ導体５０ａ及び副線路導体３４ａ，３６ａの特性インピーダンスが所望の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）に近づくようになる。その結果、電子部品１０の方向性が向上する。

また、コンデンサＣ５は、インダクタＬ３の波長を短縮する効果がある。よって、電子部品１０の小型化を図ることができる。

また、電子部品１０では、ハイパスフィルタＨＰＦを構成しているコンデンサＣ１〜Ｃ４は、上側から平面視したときに、方向性結合器を構成するインダクタ導体５０ａ及び副線路導体３４ａ，３６ａと重なっていない。すなわち、コンデンサ導体２０ａ〜２０ｃ，２４ａ，２４ｂ，２６ａ〜２６ｄ，３３ａ，３３ｂは、上側から平面視したときに、インダクタ導体５０ａ及び副線路導体３４ａ，３６ａと重なっていない。これにより、主線路及び副線路の特性インピーダンスがずれる原因となる不要な電磁界結合が抑制される。その結果、方向性結合器の方向性が向上する。

また、電子部品１０では、方向性結合器の主線路Ｍ（インダクタＬ３）であるインダクタ導体５０ａは、絶縁体層１６ｋの表面にのみ設けられている。すなわち、主線路Ｍ（インダクタＬ３）は、１層分の１巻の長さを有する導体層により構成されている。。これにより、インダクタ導体５０ａとグランド導体５２ａ及びコンデンサ導体５４ａとの距離を一定に保つことが可能となる。その結果、インダクタ導体５０ａの特性インピーダンスを所望の特性インピーダンスに調整することが容易となる。

また、電子部品１０では、インダクタＬ３であるインダクタ導体５０ａは、絶縁体層１６ｋの表面にのみ設けられている。すなわち、インダクタ導体５０ａは、１層分の導体層により構成されている。これにより、インダクタＬ３の空芯径を大きくすることができ、インダクタＬ３において高いＱ値を得ることができる。

（第１の変形例）
以下に、第１の変形例に係る電子部品１０ａについて説明する。図８は、第１の変形例に係る電子部品１０ａの等価回路図である。

電子部品１０ａは、コンデンサＣ１及びインダクタＬ１が設けられていない点において、電子部品１０と相違する。電子部品１０ａにおけるその他の構成は、電子部品１０と同じであるので説明を省略する。

以上のような電子部品１０ａによれば、ハイパスフィルタＨＰＦのカットオフ周波数ｆ１における通過特性の減衰が緩やかになるが、電子部品１０ａの挿入損失が低減されるようになる。

（第２の変形例）
以下に、第２の変形例に係る電子部品１０ｂについて説明する。図９は、第２の変形例に係る電子部品１０ｂの等価回路図である。

電子部品１０ｂは、方向性結合器を備えたダイプレクサである。より詳細には、電子部品１０ｂは、外部電極１４ａ〜１４ｈ，１５ｂ〜１５ｈ、コンデンサＣ１〜Ｃ８，Ｃ１４〜Ｃ１８、インダクタＬ１〜Ｌ５，Ｌ１２〜Ｌ１５及び副線路Ｓ，Ｓ'を回路構成として備えている。

電子部品１０ｂにおける外部電極１４ａ〜１４ｈ、コンデンサＣ１〜Ｃ８、インダクタＬ１〜Ｌ５及び副線路Ｓは、電子部品１０における外部電極１４ａ〜１４ｈ、コンデンサＣ１〜Ｃ８、インダクタＬ１〜Ｌ５及び副線路Ｓと同じであるので説明を省略する。また、コンデンサＣ１５〜Ｃ１８、インダクタＬ１３〜Ｌ１５及び副線路Ｓ'は、コンデンサＣ５〜Ｃ８、インダクタＬ３〜Ｌ５及び副線路Ｓと同じであるので、説明を省略する。

インダクタＬ１２は、外部電極１４ａとコンデンサＣ１５との間に接続されている。コンデンサＣ１４は、インダクタＬ１２に対して電気的に並列接続されている。インダクタＬ１２とコンデンサＣ１４とは、ローパスフィルタＬＰＦ''を構成している。そして、ローパスフィルタＬＰＦ''は、コンデンサＣ１５に対して電気的に直列接続されている。

（その他の実施形態）
本発明に係る電子部品は、電子部品１０，１０ａ，１０ｂに限らずその要旨の範囲内において変更可能である。

なお、電子部品１０において、コンデンサＣ３又はコンデンサＣ４のいずれか一方が設けられていなくてもよいし、コンデンサＣ３，Ｃ４の両方が設けられていなくてもよい。

なお、電子部品１０ａにおいて、コンデンサＣ３又はコンデンサＣ４が設けられていなくてもよいし、コンデンサＣ３，Ｃ４の両方が設けられていなくてもよい。

なお、電子部品１０ｂにおいて、コンデンサＣ１４は、インダクタＬ１２に対して電気的に並列接続されるのではなく、インダクタＬ１２とコンデンサＣ１５との間の部分と接地端子との間に接続されてもよい。

また、電子部品１０において、ハイパスフィルタＨＰＦの位置と、コンデンサＣ５及びインダクタＬ３により構成されるＬＣ並列共振器の位置とを入れ替えてもよい。

なお、電子部品１０において、コンデンサＣ４及びインダクタＬ２が接続される部分は、図１に示した部分に限らない。コンデンサＣ４及びインダクタＬ２は、外部電極１４ａと外部電極１４ｅとの間の経路のいずれかの部分と外部電極１４ｂ，１４ｄ，１４ｇ，１４ｈとの間に電気的に直列接続されていればよい。

なお、電子部品１０，１０ａ，１０ｂの構成を組み合わせてもよい。

以上のように、本発明は、電子部品に有用であり、特に、大型化を抑制しつつ、通過帯域の広帯域化を図ることができる点で優れている。

１０，１０ａ，１０ｂ：電子部品
１２：積層体
１４ａ〜１４ｈ，１５ｂ〜１５ｈ：外部電極
１６ａ〜１６ｗ：絶縁体層
Ｃ１〜Ｃ８，Ｃ１４〜Ｃ１８：コンデンサ
Ｌ１〜Ｌ５，Ｌ１２〜Ｌ１５：インダクタ
Ｍ：主線路
Ｓ，Ｓ'：副線路
Ｓ１，Ｓ２：副線路部

Claims (8)

1. 入力端子と、
   第１の出力端子と、
   接地端子と、
   前記入力端子と前記第１の出力端子との間の経路において、電気的に直列接続されている第１のコンデンサ及び第２のコンデンサと、
   前記入力端子と前記第１の出力端子との間の経路のいずれかの部分と、前記接地端子との間に接続されている第１のインダクタと、
   前記第２のコンデンサに対して電気的に並列接続されている第２のインダクタと、
   第１の副線路と、
   を備えており、
   前記第２のインダクタと前記第１の副線路とは、電磁気的に結合することにより第１の方向性結合器をなしていること、
   を特徴とする電子部品。
2. 前記入力端子と前記第１の出力端子との間の経路のいずれかの部分と前記接地端子との間において、前記第１のインダクタと共に電気的に直列に接続されている第３のコンデンサを、
   更に備えていること、
   を特徴とする請求項１に記載の電子部品。
3. 第１のローパスフィルタを、
   更に備えており、
   前記第１の副線路は、第１の副線路部及び第２の副線路部を含んでおり、
   前記第１の副線路部、前記第１のローパスフィルタ及び前記第２の副線路部は、この順に電気的に直列接続されていること、
   を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の電子部品。
4. 前記第２のインダクタは、前記第２のコンデンサに対して電気的に並列接続されており、
   前記第２のインダクタ及び前記第２のコンデンサは、ＬＣ並列共振器をなしており、
   前記第１のコンデンサ及び前記第１のインダクタは、ハイパスフィルタをなしていること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品。
5. 第２の出力端子と、
   第２のローパスフィルタと、
   第４のコンデンサと、
   前記第４のコンデンサに対して電気的に並列接続されている第３のインダクタと、
   第２の副線路と、
   を備えており、
   前記第２のローパスフィルタと前記第４のコンデンサとは、前記入力端子と前記第２の出力端子との間において電気的に直列接続されており、
   前記第３のインダクタと前記第２の副線路とは、電磁気的に結合することにより第２の方向性結合器をなしていること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の電子部品。
6. 複数の絶縁体層が積層されてなる積層体を、
   更に備えており、
   前記第１のコンデンサ、前記第２のコンデンサ、前記第１のインダクタ、前記第２のインダクタ及び前記第１の副線路は、前記絶縁体層上に設けられた導体層により作製されていること、
   を特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の電子部品。
7. 前記第２のインダクタは、前記第２のコンデンサに対して電気的に並列接続されており、
   前記第２のインダクタ及び前記第２のコンデンサは、ＬＣ並列共振器をなしており、
   前記第１のコンデンサ及び前記第１のインダクタは、ハイパスフィルタをなしており、
   前記第１の副線路は、積層方向から平面視したときに、前記第１のコンデンサと重なっていないこと、
   を特徴とする請求項６に記載の電子部品。
8. 前記第１のインダクタ及び前記第１の副線路を積層方向の上下方向から挟む第１のグランド導体及び第２のグランド導体を、
   更に備えていること、
   を特徴とする請求項６又は請求項７のいずれかに記載の電子部品。

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