JP2016004994A - パッケージ装置及びその製造方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 75
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 69
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 290
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 213
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract description 213
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims abstract description 152
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 99
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 63
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 50
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 50
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 46
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 45
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 45
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 29
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 22
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 15
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 13
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 12
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 11
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 10
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 55
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 30
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 238000012858 packaging process Methods 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 5
- -1 for example Substances 0.000 description 5
- 238000000748 compression moulding Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 4
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 3
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000007494 plate polishing Methods 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 1-[4-[[4-(2,5-dioxopyrrol-1-yl)phenyl]methyl]phenyl]pyrrole-2,5-dione Chemical compound O=C1C=CC(=O)N1C(C=C1)=CC=C1CC1=CC=C(N2C(C=CC2=O)=O)C=C1 XQUPVDVFXZDTLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 230000008520 organization Effects 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920003192 poly(bis maleimide) Polymers 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
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- H01L21/4857—Multilayer substrates
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- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
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- H05K1/03—Use of materials for the substrate
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- H05K1/032—Organic insulating material consisting of one material
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- H01L2224/16145—Disposition the bump connector connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being stacked
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- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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-
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-
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- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
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-
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-
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- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
-
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- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
-
- H—ELECTRICITY
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-
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-
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Abstract
Description
(1)周知の細い線路設計がさらに誘電材料層を使用して第1モールド化合物層と各導線層の間の結合力を増加する必要があるために形成される工程の複雑化と製造コストアップの欠点を改善できる。
(2)さらにソルダーマスク層を使用する工程を省略でき、ゆえに周知のボールグリッドアレイ開口の解析度が低く、ソルダーマスク層の膜厚の均一度が不良である欠点を改善し、これにより後半パッケージ工程の信頼度をアップできる。
100 第1導電柱層
110 金属層
120 第2導電柱層
130 モールド化合物層
140 誘電材料層
150 第3導電柱層
160 ソルダーマスク層
20 埋め込みパターンめっきパッケージ構造
200 第1導電柱層
210 第2導電柱層
220 誘電材料層
230 第3導電柱層
240 第1ソルダーマスク層
250 第2ソルダーマスク層
260 第1電極層
270 第2電極層
30A、30B、30C、30D、30E、30F、30G、30H パッケージ装置
40A、40B、40C、40D、40E、40F、40G、40H パッケージ装置
50A、50B、50C、50D、50E、50F、50G、50H パッケージ装置
60A、60B、60C、60D、60E、60F、60G、60H パッケージ装置
70A、70B、70C、70D、70E、70F、70G、70H パッケージ装置
80A、80B、80C、80D、80E、80F、80G、80H パッケージ装置
30A' パッケージ装置
90A、90A' パッケージ装置
300、300A、300' 第1導線層
302、302A、302' 第1表面
304、304A、304' 第2表面
310 第1導電柱層
310' 第2導線層
310A 第1導電柱層
310B 第2導線層
310C 第2導電柱層
320、320A 誘電材料層
330 第2導線層
330' 第1導電柱層
330A 第3導線層
332' 第1表面
340 第2導電柱層
340A 第3導電柱層
342 第1表面
350 第1モールド化合物層
360 ソルダーマスク層
370 第1外接装置
372、374 外接装置
380 第2モールド化合物層
390 第1導電装置
400 第2外接装置
500 金属載置板
502 第1表面
504 第2表面
Claims (56)
- パッケージ装置において、
互いに背向する第1表面と第2表面を具えた第1導線層と、
該第1導線層の該第1表面の上に設置される第1導電柱層と、
該第1導線層と該第1導電柱層が嵌設される誘電材料層と、
該第1導電柱層と該誘電材料層の上に設置される第2導線層と、
該第2導線層の上に設置される第2導電柱層と、
該第2導線層と該第2導電柱層が嵌設される第1モールディング化合物層と、
を含むことを特徴とする、パッケージ装置。 - 請求項1記載のパッケージ装置において、該第1導線層の該第1表面は該誘電材料層より高くなく、該第2導電柱層は該第1モールディング化合物層より高くないことを特徴とする、パッケージ装置。
- 請求項2記載のパッケージ装置において、該誘電材料層は完全に該第1導線層の側壁を被覆し、該第1モールディング化合物層は完全に該第2導電柱層の側壁を被覆することを特徴とする、パッケージ装置。
- 請求項1記載のパッケージ装置において、該第1導線層の該第1表面は該誘電材料層より高くなく、該第2導電柱層は該第1モールディング化合物層より高いことを特徴とする、パッケージ装置。
- 請求項4記載のパッケージ装置において、該誘電材料層は完全に該第1導線層の側壁を被覆し、該第1モールディング化合物層は部分的に該第2導電柱層の側壁を被覆することを特徴とする、パッケージ装置。
- 請求項1記載のパッケージ装置において、該第1導線層の該第1表面は該誘電材料層より高く、該第2導電柱層は該第1モールディング化合物層より高くないことを特徴とする、パッケージ装置。
- 請求項6記載のパッケージ装置において、該誘電材料層は部分的に該第1導線層の側壁を被覆し、該第1モールディング化合物層は完全に該第2導電柱層の側壁を被覆することを特徴とする、パッケージ装置。
- 請求項1記載のパッケージ装置において、該第1導線層の該第1表面は該誘電材料層より高く、該第2導電柱層は該第1モールディング化合物層より高いことを特徴とする、パッケージ装置。
- 請求項8記載のパッケージ装置において、該誘電材料層は部分的に該第1導線層の側壁を被覆し、該第1モールディング化合物層は部分的に該第2導電柱層の側壁を被覆することを特徴とする、パッケージ装置。
- 請求項1記載のパッケージ装置において、ソルダーマスク層をさらに含み、該ソルダーマスク層は該第1導線層の該第2表面と該誘電材料層の上に設置され、並びに一部の該第1導線層と該誘電材料層を露出させることを特徴とする、パッケージ装置。
- 請求項1記載のパッケージ装置において、該第1導電柱層はさらに第1導電層、第2導電層、第3導電層を含み、該第1導電層は一つの導電柱層とされて該第1導線層の上に設置され、該第2導電層は一つの導線層とされて該第1導電層の上に設置され、該第3導電層は一つの導電柱層とされて、該第2導電層と該第2導線層の間に設置されることを特徴とする、パッケージ装置。
- 請求項1記載のパッケージ装置において、該第2導線層の線幅は該第2導電柱層の柱幅より大きくないことを特徴とする、パッケージ装置。
- 請求項1記載のパッケージ装置において、該第2導線層の線幅は該第2導電柱層の柱幅より大きいことを特徴とする、パッケージ装置。
- 請求項1記載のパッケージ装置において、さらに、
該第1導線層の該第2表面上に設置されて該第1導線層に電気的に接続される第1外接装置と、
第2モールディング化合物層であって、該第1外接装置と該第1導線層の該第2表面上に設置され、そのうち、該第1外接装置が該第2モールディング化合物層内に嵌設される、上記第2モールディング化合物層と、
該第2導電柱層の上に設置される複数の第1導電装置と、
該複数の第1導電装置の上に設置されて該複数の第1導電装置に電気的に接続される第2外接装置と、
を含むことを特徴とする、パッケージ装置。 - 請求項1記載のパッケージ装置において、さらに、
該第1導線層の該第2表面上に設置されて該第1導線層に電気的に接続される第3外接装置と、
該第1導線層の該第2表面上に設置されて該第1導線層に電気的に接続される第4外接装置と、
第3モールディング化合物層であって、該第3外接装置、該第4外接装置と該第1導線層の該第2表面上に設置され、該第3外接装置と該第4外接装置は該第3モールディング化合物層内に嵌設される、上記第3モールディング化合物層と、
該第2導電柱層の上に設置される複数の第2導電装置と、
該複数の第2導電装置の上に設置され並びに該複数の該第2導電装置に電気的に接続される第5外接装置と、
を含むことを特徴とする、パッケージ装置。 - 請求項1記載のパッケージ装置において、さらに、
該第1導線層の該第2表面上に設置されて該第1導線層に電気的に接続される第6外接装置と、
該第6外接装置の上に設置されて該該第6外接装置に電気的に接続される第7外接装置と、
第4モールディング化合物層であって、該第6外接装置、該第7外接装置と該第1導線層の該第2表面上に設置され、該第6外接装置と該第7外接装置は該第4モールディング化合物層内に嵌設される、上記第4モールディング化合物層と、
該第2導電柱層の上に設置される複数の第3導電装置と、
該複数の第3導電装置の上に設置され並びに該複数の該第3導電装置に電気的に接続される第8外接装置と、
を含むことを特徴とする、パッケージ装置。 - 請求項1記載のパッケージ装置において、該誘電材料層は熱硬化型材料或いは感光型材料で形成されることを特徴とする、パッケージ装置。
- 請求項1記載のパッケージ装置において、該誘電材料層は樹脂、窒化シリコン、或いは酸化シリコンで形成されることを特徴とする、パッケージ装置。
- 請求項1記載のパッケージ装置において、該第1導線層と該第2導電柱層は少なくとも一つの線路或いは少なくとも一つのチップキャリアを含むことを特徴とする、パッケージ装置。
- 請求項4記載のパッケージ装置において、該第1外接装置と該第2外接装置は、主動装置、従動装置、半導体チップ、フレキシブル回路板、或いはプリント回路板とされることを特徴とする、パッケージ装置。
- 請求項1記載のパッケージ装置において、該第1モールディング化合物層はチップパッケージ用のモールディング化合物で形成され、それはノボリック樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂のいずれかを含むことを特徴とする、パッケージ装置。
- パッケージ装置の製造方法において、
互いに対向する第1表面と第2表面を有する金属載置板を提供する工程、
第1導線層を該金属載置板の該第1表面の上に形成する工程、
第1導電柱層を該第1導線層の上に形成する工程、
誘電材料層を該第1導線層、該第1導電柱層を被覆し、並びに該金属載置板の該第1表面上に位置するように形成し、該第1導線層と該第1導電柱層は該誘電材料層内に嵌設する工程、
該第1導電柱層を露出させる工程、
第2導線層を該第1導電柱層と該誘電材料層の上に形成する工程、
第2導電柱層を該第2導線層の上に形成する工程、
第1モールド化合物層形成して該第2導線層、該第2導電柱層を被覆し並びに該誘電材料層の上に位置させ、そのうち、該第2導線層と該第2導電柱層は該第1モールド化合物層内に嵌設する工程、
該第2導電柱層を露出させる工程、
該金属載置板を除去する工程、
を含むことを特徴とする、パッケージ装置の製造方法。 - 請求項22記載のパッケージ装置の製造方法において、さらに、
第1外接装置を該第1導線層の該第2表面上に設置し並びに該第1導線層と電気的に接続する工程、
第2モールディング化合物層を、該第1外接装置を被覆し並びに該第1導線層の該第2表面上に位置するように形成し、該第1外接装置を該第2モールディング化合物層内に嵌設する工程、
複数の第1導電装置を該第2導電柱層の上に設置する工程、
第2外接装置を該複数の第1導電装置の上に設置し並びに該複数の第1導電装置と電気的に接続する工程、
を含むことを特徴とする、パッケージ装置の製造方法。 - 請求項22記載のパッケージ装置の製造方法において、該第1モールディング化合物層を形成する工程は、
樹脂と粉状の二酸化シリコンを含有するモールディング化合物を提供する工程、
該モールディング化合物を加熱して液状となす工程、
該液状の該モールディング化合物を該金属載置板の該第1表面上に注入し、該モールディング化合物に高温高圧下で該第2導線層、該第2導電柱層を被覆させ並びに該誘電材料層の上に位置させる工程、及び、
該モールディング化合物を硬化させ、該モールディング化合物に該第1モールディング化合物層を形成させる工程、
を含むことを特徴とする、パッケージ装置の製造方法。 - 請求項23記載のパッケージ装置の製造方法において、該第1外接装置と該第2外接装置は主動装置、従動装置、半導体チップ、フレキシブル回路板、或いはプリント回路板とされることを特徴とする、パッケージ装置の製造方法。
- 請求項22記載のパッケージ装置の製造方法において、該誘電材料層は熱硬化型材料で形成することを特徴とする、パッケージ装置の製造方法。
- 請求項22記載のパッケージ装置の製造方法において、該誘電材料層は樹脂、窒化シリコン、或いは酸化シリコンで形成されることを特徴とする、パッケージ装置の製造方法。
- 請求項22記載のパッケージ装置の製造方法において、該第1導線層と該第2導電柱層は少なくとも一つの線路或いは少なくとも一つのチップキャリアを含むことを特徴とする、パッケージ装置の製造方法。
- パッケージ装置において、
互いに背向する第1表面と第2表面を具えた第1導線層と、
該第1導線層が嵌設される誘電材料層と、
該第1導線層と該誘電材料層の上に設置される第2導線層と、
該第2導線層の上に設置される第1導電柱層と、
該第2導線層と該第1導電柱層が嵌設される第1モールディング化合物層と、
を含むことを特徴とする、パッケージ装置。 - 請求項29記載のパッケージ装置において、該第1導線層の該第1表面は該誘電材料層より高くなく、該第1導電柱層は該第1モールディング化合物層より高くないことを特徴とする、パッケージ装置。
- 請求項30記載のパッケージ装置において、該誘電材料層は完全に該第1導線層の側壁を被覆し、該第1モールディング化合物層は完全に該第1導電柱層の側壁を被覆することを特徴とする、パッケージ装置。
- 請求項29記載のパッケージ装置において、該第1導線層の該第1表面は該誘電材料層より高くなく、該第1導電柱層は該第1モールディング化合物層より高いことを特徴とする、パッケージ装置。
- 請求項32記載のパッケージ装置において、該誘電材料層は完全に該第1導線層の側壁を被覆し、該第1モールディング化合物層は部分的に該第1導電柱層の側壁を被覆することを特徴とする、パッケージ装置。
- 請求項29記載のパッケージ装置において、該第1導線層の該第1表面は該誘電材料層より高く、該第1導電柱層は該第1モールディング化合物層より高くないことを特徴とする、パッケージ装置。
- 請求項34記載のパッケージ装置において、該誘電材料層は部分的に該第1導線層の側壁を被覆し、該第1モールディング化合物層は完全に該第1導電柱層の側壁を被覆することを特徴とする、パッケージ装置。
- 請求項29記載のパッケージ装置において、該第1導線層の該第1表面は該誘電材料層より高く、該第1導電柱層は該第1モールディング化合物層より高いことを特徴とする、パッケージ装置。
- 請求項36記載のパッケージ装置において、該誘電材料層は部分的に該第1導線層の側壁を被覆し、該第1モールディング化合物層は部分的に該第1導電柱層の側壁を被覆することを特徴とする、パッケージ装置。
- 請求項29記載のパッケージ装置において、ソルダーマスク層をさらに含み、該ソルダーマスク層は該第1導線層の該第2表面と該誘電材料層の上に設置され、並びに一部の該第1導線層と該誘電材料層を露出させることを特徴とする、パッケージ装置。
- 請求項29記載のパッケージ装置において、該第2導電柱層はさらに第1導電層、第2導電層、第3導電層を含み、該第1導電層は一つの導電柱層とされて該第1導線層の上に設置され、該第2導電層は一つの導線層とされて該第1導電層の上に設置され、該第3導電層は一つの導電柱層とされて、該第2導電層と該第1導電柱層の間に設置されることを特徴とする、パッケージ装置。
- 請求項29記載のパッケージ装置において、該第2導線層の線幅は該第1導電柱層の柱幅より大きくないことを特徴とする、パッケージ装置。
- 請求項29記載のパッケージ装置において、該第2導線層の線幅は該第1導電柱層の柱幅より大きいことを特徴とする、パッケージ装置。
- 請求項29記載のパッケージ装置において、さらに、
該第1導線層の該第2表面上に設置されて該第1導線層に電気的に接続される第1外接装置と、
第2モールディング化合物層であって、該第1外接装置と該第1導線層の該第2表面上に設置され、そのうち、該第1外接装置が該第2モールディング化合物層内に嵌設される、上記第2モールディング化合物層と、
該第1導電柱層の上に設置される複数の第1導電装置と、
該複数の第1導電装置の上に設置されて該複数の第1導電装置に電気的に接続される第2外接装置と、
を含むことを特徴とする、パッケージ装置。 - 請求項29記載のパッケージ装置において、さらに、
該第1導線層の該第2表面上に設置されて該第1導線層に電気的に接続される第3外接装置と、
該第1導線層の該第2表面上に設置されて該第1導線層に電気的に接続される第4外接装置と、
第3モールディング化合物層であって、該第3外接装置、該第4外接装置と該第1導線層の該第2表面上に設置され、該第3外接装置と該第4外接装置は該第3モールディング化合物層内に嵌設される、上記第3モールディング化合物層と、
該第1導電柱層の上に設置される複数の第2導電装置と、
該複数の第2導電装置の上に設置され並びに該複数の該第2導電装置に電気的に接続される第5外接装置と、
を含むことを特徴とする、パッケージ装置。 - 請求項29記載のパッケージ装置において、さらに、
該第1導線層の該第2表面上に設置されて該第1導線層に電気的に接続される第6外接装置と、
該第6外接装置の上に設置されて該該第6外接装置に電気的に接続される第7外接装置と、
第4モールディング化合物層であって、該第6外接装置、該第7外接装置と該第1導線層の該第2表面上に設置され、該第6外接装置と該第7外接装置は該第4モールディング化合物層内に嵌設される、上記第4モールディング化合物層と、
該第1導電柱層の上に設置される複数の第3導電装置と、
該複数の第3導電装置の上に設置され並びに該複数の該第3導電装置に電気的に接続される第8外接装置と、
を含むことを特徴とする、パッケージ装置。 - 請求項29記載のパッケージ装置において、該誘電材料層は熱硬化型材料或いは感光型材料で形成されることを特徴とする、パッケージ装置。
- 請求項29記載のパッケージ装置において、該誘電材料層は樹脂、窒化シリコン、或いは酸化シリコンで形成されることを特徴とする、パッケージ装置。
- 請求項29記載のパッケージ装置において、該第1導線層と該第1導電柱層は少なくとも一つの線路或いは少なくとも一つのチップキャリアを含むことを特徴とする、パッケージ装置。
- 請求項42記載のパッケージ装置において、該第1外接装置と該第2外接装置は、主動装置、従動装置、半導体チップ、フレキシブル回路板、或いはプリント回路板とされることを特徴とする、パッケージ装置。
- 請求項29記載のパッケージ装置において、該第1モールディング化合物層はチップパッケージ用のモールディング化合物で形成され、それはノボリック樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂のいずれかを含むことを特徴とする、パッケージ装置。
- パッケージ装置の製造方法において、
互いに対向する第1表面と第2表面を有する金属載置板を提供する工程、
第1導線層を該金属載置板の該第1表面の上に形成する工程、
誘電材料層を形成して該第1導線層を被覆し並びに該金属載置板の該第1表面上に位置させ、該第1導線層を該誘電材料層内に嵌設する工程、
該第1導線層を露出させる工程、
第2導線層を該第1導線層と該誘電材料層の上に形成する工程、
第1導電柱層を該第2導線層の上に形成する工程、
第1モールディング化合物層を形成して該第2導線層と該第1導電柱層を被覆し並びに該誘電材料層の上に位置させ、該第2導線層と該第1導電柱層を該第1モールディング化合物層内に嵌設する工程、
該第1導電柱層を露出させる工程、及び、
該金属載置板を除去する工程、
を含むことを特徴とする、パッケージ装置の製造方法。 - 請求項50記載のパッケージ装置の製造方法において、さらに、
第1外接装置を該第1導線層の一つの表面上に設置し並びに該第1導線層と電気的に接続する工程、
第2モールディング化合物層を、該第1外接装置を被覆し並びに該第1導線層の該表面上に位置するように形成し、該第1外接装置を該第2モールディング化合物層内に嵌設する工程、
複数の第1導電装置を該第1導電柱層の上に設置する工程、
第2外接装置を該複数の第1導電装置の上に設置し並びに該複数の第1導電装置と電気的に接続する工程、
を含むことを特徴とする、パッケージ装置の製造方法。 - 請求項50記載のパッケージ装置の製造方法において、該第1モールディング化合物層を形成する工程は、
樹脂と粉状の二酸化シリコンを含有するモールディング化合物を提供する工程、
該モールディング化合物を加熱して液状となす工程、
該液状の該モールディング化合物を該金属載置板の該第1表面上に注入し、該モールディング化合物に高温高圧下で該第2導線層、該第1導電柱層と該誘電材料層上を被覆させる工程、及び、
該モールディング化合物を硬化させ、該モールディング化合物に該第1モールディング化合物層を形成させる工程、
を含むことを特徴とする、パッケージ装置の製造方法。 - 請求項51記載のパッケージ装置の製造方法において、該第1外接装置と該第2外接装置は主動装置、従動装置、半導体チップ、フレキシブル回路板、或いはプリント回路板とされることを特徴とする、パッケージ装置の製造方法。
- 請求項50記載のパッケージ装置の製造方法において、該誘電材料層は感光型材料で形成することを特徴とする、パッケージ装置の製造方法。
- 請求項50記載のパッケージ装置の製造方法において、該誘電材料層は樹脂、窒化シリコン、或いは酸化シリコンで形成されることを特徴とする、パッケージ装置の製造方法。
- 請求項50記載のパッケージ装置の製造方法において、該第1導線層と該第1導電柱層は少なくとも一つの線路或いは少なくとも一つのチップキャリアを含むことを特徴とする、パッケージ装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW103120747A TWI581386B (zh) | 2014-06-16 | 2014-06-16 | 封裝裝置及其製作方法 |
TW103120747 | 2014-06-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016004994A true JP2016004994A (ja) | 2016-01-12 |
JP6348054B2 JP6348054B2 (ja) | 2018-06-27 |
Family
ID=51751984
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014245164A Active JP6348054B2 (ja) | 2014-06-16 | 2014-12-03 | パッケージ装置及びその製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9370105B2 (ja) |
EP (1) | EP2958141B1 (ja) |
JP (1) | JP6348054B2 (ja) |
CN (2) | CN105226043B (ja) |
TW (1) | TWI581386B (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101706470B1 (ko) | 2015-09-08 | 2017-02-14 | 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 | 표면 마감층을 갖는 반도체 디바이스 및 그 제조 방법 |
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-
2014
- 2014-06-16 TW TW103120747A patent/TWI581386B/zh active
- 2014-06-24 CN CN201410288574.3A patent/CN105226043B/zh active Active
- 2014-06-24 CN CN201811203567.3A patent/CN109065460B/zh active Active
- 2014-09-30 US US14/502,065 patent/US9370105B2/en active Active
- 2014-10-20 EP EP14189598.7A patent/EP2958141B1/en active Active
- 2014-12-03 JP JP2014245164A patent/JP6348054B2/ja active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN105226043A (zh) | 2016-01-06 |
CN109065460B (zh) | 2021-04-06 |
CN109065460A (zh) | 2018-12-21 |
TW201601266A (zh) | 2016-01-01 |
US9370105B2 (en) | 2016-06-14 |
JP6348054B2 (ja) | 2018-06-27 |
EP2958141A1 (en) | 2015-12-23 |
US20150366064A1 (en) | 2015-12-17 |
CN105226043B (zh) | 2018-11-20 |
EP2958141B1 (en) | 2019-12-04 |
TWI581386B (zh) | 2017-05-01 |
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Legal Events
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