JP2015529020A - 半導体レーザ素子を製造する方法および半導体レーザ素子 - Google Patents
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Abstract
Description
A)半導体レーザ素子のための多数の支持体を備えた少なくとも1つの支持体アッセンブリを準備するステップと、
B)前記支持体アッセンブリに、隣接し合った前記支持体の間で目標破断個所を形成するステップと、
C)1つの共通の成長基板と、該成長基板上に成長した半導体層列とを有する多数の半導体レーザダイオードを備えた少なくとも1つのレーザバーを準備するステップと、
D)前記レーザバーを前記支持体アッセンブリの上側に取り付けるステップと、
E)個々の半導体レーザ素子(1)への個別化を行うステップと、
を有する。
−特にシリコンを主体とした支持体アッセンブリを準備するステップであって、該支持体アッセンブリが好適には目標破断個所を有しないステップ、
−レーザバーを準備するステップであって、該レーザバーが、隣接し合った半導体レーザダイオードの間に目標破断個所を有し、該目標破断個所が、特にそれぞれ切れ目もしくはスクライブ傷により形成されていて、半導体層列のn側に位置していてよいステップ、
−レーザバーを支持体アッセンブリの上側に取り付けるステップであって、好適にはn側が、前記上側に向けられているステップ、
−支持体アッセンブリを個々の支持体に個別化し、かつ引き続きまたはそれと同時にレーザバーを破折するステップ。
Claims (14)
- 半導体レーザ素子(1)を製造する方法において、
A)半導体レーザ素子(1)のための多数の支持体(2)を備えた少なくとも1つの支持体アッセンブリ(20)を準備するステップと、
C)1つの共通の成長基板(31)と、該成長基板(31)上に成長した半導体層列(32)とを有する多数の半導体レーザダイオード(3)を備えた少なくとも1つのレーザバー(30)を準備するステップと、
D)前記レーザバー(30)を前記支持体アッセンブリ(20)の上側(23)に取り付けるステップと、
E)前記ステップD)の後に個々の半導体レーザ素子(1)への個別化を行うステップと、
を有することを特徴とする、半導体レーザ素子を製造する方法。 - 前記支持体アッセンブリ(20)の前記上側(23)が、前記支持体アッセンブリ(20)の端面側(27)に対して直角に向けられており、
当該方法が、前記ステップA)と前記ステップC)との間に:
B)前記支持体アッセンブリ(20)に、隣接し合った前記支持体(2)の間で目標破断個所(25)を形成するステップ、
を有する、請求項1記載の方法。 - 前記支持体アッセンブリ(20)の前記端面側(27)が、前記半導体レーザダイオード(3)と面一に整合している、請求項1または2記載の方法。
- 前記ステップD)の前に前記レーザバー(30)に別の目標破断個所(35)を形成し、該別の目標破断個所(35)に沿って前記ステップE)における前記レーザバー(30)の個別化を行う、請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
- 前記ステップD)で前記レーザバー(30)を、スクライブ加工、破折および/またはレーザ放射線によって分離して、個々の半導体レーザダイオード(3)を形成し、
それと同時に、または引き続いて、前記支持体アッセンブリ(20)を個別化し、これにより、隣接し合った前記支持体(2)が、機械的にもはや直接に互いに結合されておらず、かつ前記支持体(2)のそれぞれに、1つまたは複数の前記半導体レーザダイオード(3)が設けられている、
請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。 - 前記目標破断個所(25)が、前記上側(23)に対して直角の方向で、前記支持体アッセンブリ(20)を25%〜75%貫いて延びている、請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。
- 前記レーザバー(30)が、前記ステップD)で、前記半導体レーザダイオード(3)を10〜60個有し、
前記半導体レーザダイオード(3)が、単一モードレーザである、
請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。 - 前記ステップD)で複数の前記レーザバー(30)と複数の前記支持体アッセンブリ(20)とを交互に連続的にまとめ合わせて1つの集合体を形成し、
該集合体内で前記レーザバー(30)のそれぞれ1つを、正確に1つの前記支持体アッセンブリ(20)にろう接によって固定する、
請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。 - 前記ステップE)の後に、分割された前記成長基板(31)と前記半導体層列(32)と前記支持体(2)との側面(29,39)が、互いに平行に向けられており、前記支持体(2)と、分割された前記成長基板(31)と、前記半導体層列(32)とが、互いに等しい幅を有し、かつそれぞれ最大でも6μmの誤差を持って互いに面一に整合している、請求項1から8までのいずれか1項記載の方法。
- 前記支持体アッセンブリ(20)が、前記端面側(27)に対して直角の方向でかつ前記端面側(27)とは反対の側の背面側(28)で、前記レーザバー(30)を越えて突出しており、
これにより前記支持体アッセンブリ(20)の保持ストリップ(8)を形成し、
該保持ストリップ(8)を、前記ステップE)において、または前記ステップE)の後に、部分的または完全に除去する、
請求項1から9までのいずれか1項記載の方法。 - 完成した半導体レーザ素子(1)が、それぞれ正確に1つの前記半導体レーザダイオード(3)を有し、前記半導体レーザ素子(1)が、100μm〜350μmの幅と、175μm〜700μmの長さと、125μm〜450μmの厚さとを有する、請求項1から10までのいずれか1項記載の方法。
- 前記支持体アッセンブリ(20)および前記支持体(2)が、シリコンまたは窒化アルミニウムから製作されていて、前記上側(23)の少なくとも所定の個所に、少なくとも1つの導電性の被覆体を備えている、請求項1から11までのいずれか1項記載の方法。
- 前記半導体レーザダイオード(3)が、AlInGaAsを主体としていて、790nm〜890nmの波長範囲のレーザ放射線を放射するように調整されている、請求項1から12までのいずれか1項記載の方法。
- 半導体レーザ素子(1)であって、
1つの端面側(27)と、該端面側(27)に対して直角に向けられた上側(23)とを備えた支持体(2)と、
成長基板(31)と、上側に設けられた、レーザ放射線を発生させるための半導体層列(32)とを備えた半導体レーザダイオード(3)と、
を備えた半導体レーザ素子(1)において、
前記支持体(2)と前記半導体レーザダイオード(3)とが、互いに等しい幅を有し、前記支持体(2)の側面(29)と前記半導体レーザダイオード(3)の側面(39)とが、それぞれ最大でも6μmの誤差を持って互いに面一に整合しており、
前記両側面(29,39)が、互いに平行に向けられていて、個別化痕跡を有する、
ことを特徴とする半導体レーザ素子。
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