JP2009194388A - 半導体レーザの製造方法および半導体レーザ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】a)支持ウェハ30を用意するステップと、b)複数の半導体レーザチップ4をこの支持ウェハ30の表面31に取り付けることにより複合体70を形成するステップと、c)この複合体70を分割して複数の半導体レーザ100を形成するステップが設けられている。この場合、各半導体レーザ100は取り付けブロック3と少なくとも1つの半導体レーザチップ4を有しており、各取り付けブロック3は取り付け面13を有しており、この取り付け面13は前記取り付けブロック3の表面12に対し実質的に垂直に延在し、この取り付けブロック3に半導体レーザチップ4が配置されており、取り付け面13は複合体70が分割されるときに形成される。
【選択図】図1D
Description
a)支持ウェハを用意するステップと、
b)複数の半導体レーザチップを該支持ウェハの表面に取り付けることにより複合体を形成するステップと、
c)該複合体を分割して複数の半導体レーザを形成するステップが設けられており、
各半導体レーザは取り付けブロックと少なくとも1つの半導体レーザチップを有しており、
各取り付けブロックは取り付け面を有しており、該取り付け面は前記取り付けブロックの表面に対し実質的に垂直に延在し、該取り付けブロックに前記半導体レーザチップが配置されており、
前記取り付け面は前記複合体が分割されるときに形成される
ことにより解決される。
a)支持ウェハを用意するステップと、
b)多数の半導体レーザチップをこの支持ウェハの表面に取り付けることにより複合体を形成するステップと、
c)この複合体を分割して多数の半導体レーザを形成するステップが設けられている。その際、各半導体レーザは取り付けブロックと少なくとも1つの半導体レーザチップを有しており、各取り付けブロックは取り付け面を有しており、この取り付け面は取り付けブロックの表面に対し実質的に垂直に延在し、この取り付けブロックに半導体レーザチップが配置されており、取り付け面は複合体が分割されるときに形成される。
a)支持ウェハを用意するステップと、
b)多数の半導体チップをこの支持ウェハの表面に取り付けることにより複合体を形成するステップと、
c)この複合体を分割して多数のオプトエレクトロニクス半導体素子を形成するステップが設けられており、この場合、
−各半導体素子は取り付けブロックと少なくとも1つの半導体チップを有しており、
−各取り付けブロックは取り付け面を有しており、この取り付け面は取り付けブロックの表面に対し実質的に垂直に延在し、この取り付けブロックに半導体チップが配置されており、取り付け面は複合体が分割されるときに形成される。
4 半導体レーザチップ
11 ヒートシンク
14 コンタクト金属化部
15 モジュール支持体
30 支持ウェハ
31 上面
32 下面
40 ウェハ結合体
41 成長基板
42 エピ層
70 複合体
100 半導体レーザ
Claims (11)
- 複数の半導体レーザ(100)を製造する方法において、
a)支持ウェハ(30)を用意するステップと、
b)複数の半導体レーザチップ(4)を該支持ウェハ(30)の表面(31)に取り付けることにより複合体(70)を形成するステップと、
c)該複合体(70)を分割して複数の半導体レーザ(100)を形成するステップが設けられており、
各半導体レーザ(100)は取り付けブロック(3)と少なくとも1つの半導体レーザチップ(4)を有しており、
各取り付けブロック(3)は取り付け面(13)を有しており、該取り付け面(13)は前記取り付けブロック(3)の表面(12)に対し実質的に垂直に延在し、該取り付けブロック(3)に前記半導体レーザチップ(4)が配置されており、
前記取り付け面(13)は前記複合体(70)が分割されるときに形成されることを特徴とする、
複数の半導体レーザ(100)を製造する方法。 - 請求項1記載の方法において、
前記支持ウェハ(30)は、半導体材料とセラミック材料のうち1つの材料を含むかまたは該1つの材料から成ることを特徴とする方法。 - 請求項1または2記載の方法において、
前記半導体チップ(4)は、前記ステップb)において前記支持ウェハ(30)の表面(31)に個別に取り付けられることを特徴とする方法。 - 請求項1または2記載の方法において、
前記半導体チップ(4)は、前記ステップb)においてウェハ結合体(40)として前記支持ウェハ(30)の表面(31)に個別に取り付けられることを特徴とする方法。 - 請求項1から4のいずれか1項記載の方法において、
前記ステップb)の後、前記半導体レーザチップ(4)から成長基板(41)が取り除かれることを特徴とする方法。 - 請求項1から5のいずれか1項記載の方法において、
前記ステップb)の前に各半導体レーザチップ(4)ごとに、前記支持ウェハ(30)の表面(31)にコンタクト金属化部(14)が取り付けられることを特徴とする方法。 - 請求項1から6のいずれか1項記載の方法において、
前記ステップb)の前に各半導体レーザチップ(4)ごとに、前記支持ウェハ(30)の表面(31)にヒートシンク(11)が取り付けられることを特徴とする方法。 - 半導体レーザにおいて、
表面(12)と取り付け面(13)を有する取り付けブロック(3)と、該取り付けブロック(3)の表面(12)に配置された少なくとも1つの半導体レーザチップ(4)が設けられており、
前記取り付け面(13)は、前記取り付けブロック(3)の表面(12)に対し実質的に垂直に延在しており、該取り付け面(13)は個別化プロセスにより形成されていることを特徴とする、
半導体レーザ。 - 請求項8記載の半導体レーザにおいて、
請求項1から7のいずれか1項記載の方法により形成されていることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項8または9記載の半導体レーザにおいて、
前記取り付けブロック(3)は、半導体材料とセラミック材料のうち1つの材料を含むかまたは該1つの材料から成ることを特徴とする半導体レーザ。 - 請求項8から10のいずれか1項記載の半導体レーザにおいて、
前記取り付けブロック(3)は、少なくとも0.5mmであり最大で1.7mmである実質的に均等な厚さを有することを特徴とする半導体レーザ。
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