JP2003060276A - 半導体発光装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 窒化物系半導体基板を用いた窒化物系半導体
発光装置では、モニター用の半導体レーザチップの光出
力と受光素子のモニター電流がリニアな関係にならない
ため、正確な光出力制御ができない。 【解決手段】 半導体レーザチップの全表面積（Ａ）
と、半導体レーザチップの受光素子と向き合う面のレー
ザ光放射端面面積（Ｂ）の比Γとしたとき、Γ（Ａ／
Ｂ）≦０．１５とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、窒化物系化合物を
用いたレーザチップを有する半導体発光装置にかかわ
る。

【０００２】

【従来の技術】近年、窒化物半導体を用いた青紫色半導
体レーザが開発されてきている。このような技術の一例
として、特開平１１−３４０５７１ではＧａＮ基板を用
いた青紫色半導体レーザ（ＬＤ）素子が記載されてい
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記従来例には、層構
造や特性に関しては詳細に記述されているが、マウント
方法や、半導体レーザ装置にした時に、半導体レーザチ
ップと共にステムにマウントされるフォトダイオード
（以下、ＰＤと略す）に関する記述はない。

【０００４】一般に、半導体レーザ装置として使用する
場合、半導体レーザ装置には、レーザチップの光出力を
モニターするためのＰＤがレーザチップと同じステム上
にマウントされる。

【０００５】図１０に、通常のＧａＡｓ系半導体レーザ
で用いられる半導体発光装置（レーザステム）の概略図
を示した。この半導体発光装置はステム６０１上にヒー
トシンク６０２が固着されている。更に、ヒートシンク
上にレーザチップ６０３がハンダで導電性接着されてい
る。レーザチップ６０３のヒートシンクと対向した面に
は、図示しないが一方の電極が形成されている。レーザ
チップ上部には図示しないがもう一方の電極が形成さ
れ、これらの電極は外部との導通のため、ワイヤー６０
６によりステム本体から絶縁されたピン６０５もしくは
ステム本体と電気的に接続されている。そして、ステム
のピンに導通することによりレーザを発光させることが
できる。

【０００６】更に、図１０に示すように、レーザチップ
６０３の後方に、光出力モニター用フォトダイオード６
０４（以下ＰＤと略す）の受光面がレーザチップ端面と
対向するように形成されている。このＰＤは、レーザ後
方端面より出るレーザ光（誘導放出光）の光出力を電流
値としてモニターするためのものである。このＰＤも電
極を持ち、これら電極と、ステムと絶縁されたピン、も
しくはステム本体とワイヤーにより適宜電気的に接続さ
れ、ＰＤがレーザチップから出たレーザ光を受光した際
に生じるモニター電流を外部で測定することができる。

【０００７】今回ＧａＮ系基板を用いたレーザチップを
試作し、図１０に示すようなレーザステムにＰＤと共に
マウントし半導体レーザを作製した。実際に、動作さ
せ、ＰＤのモニター電流信号を測定しレーザの光出力の
制御を行った。

【０００８】レーザチップは、レーザ光と自然放出光を
出射するため、ＰＤはレーザ光のみならず自然放出光も
受光することになる。レーザ素子のレーザ駆動電流とレ
ーザ光＋自然放出光の関係を図５に示す。閾値電流値を
越えるとレーザ発振が起こり、レーザチップから放出さ
れるレーザ光の光出力は著しく増大する。図５に示すよ
うに動作するレーザチップの光出力をＰＤで受光した場
合、ＰＤのモニター電流と駆動するレーザチップが放射
するレーザ光＋自然放出光の光出力を図６にプロットし
た。つまり縦軸が駆動するレーザチップから実際に出射
されるレーザ光＋自然放出光の光出力であり、横軸がそ
の光出力をモニターするＰＤのモニター電流である。こ
のレーザチップが実際に出している光出力と、ＰＤのモ
ニター電流がＧａＡｓ系半導体レーザのようにリニアな
関係にあれば、光出力の制御が最も容易であり理想的で
ある。しかし、ＧａＮ基板を用いたＧａＮ系半導体レー
ザは、図６に示すように直線は２つの傾きを持つことに
なり、レーザチップの光出力（レーザ光＋自然放出光）
とＰＤのモニター電流とが比例しなくなり、正確にレー
ザチップが出すレーザ光の出力をモニターできなくなる
という問題が生じた。図６に示すように、サファイア基
板を用いたＧａＮ系半導体レーザと比較しても、ＧａＮ
基板を用いたＧａＮ系半導体レーザでの、実際レーザチ
ップが放出する光出力（レーザ光＋自然放出光）とＰＤ
のモニター電流のずれは非常に大きく、レーザの光出力
制御には大きな問題になることがわかった。また、ＣＤ
やＤＶＤ等のデータ読み出し、書き込みに用いられる、
光ピックアップとして、この半導体レーザ装置を使う場
合、ＰＤを駆動回路の調整や、光学系の調整にのみ用い
て実際のＬＤの光出力の制御に用いないことがある。こ
の場合、光出力の制御は、半導体レーザ装置の内部に組
み込まれたＰＤを使用せず、半導体レーザの光出力の制
御を行っている。この様な場合、外部ＰＤはレーザの誘
導放出光を主に受光するのに対して、内部ＰＤはレーザ
の誘導放出光および自然放出光を受光することになる。
このため、内部ＰＤで諸条件を調整しても、外部ＰＤと
の受光量の違いから設定にずれを生じてしまい、正確に
制御できず問題であった。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体発光装置
は、基板上に半導体レーザチップと半導体レーザチップ
からの光出力をモニターする受光素子とを有し、半導体
レーザチップと受光素子とを積載した半導体発光装置に
おいて、半導体レーザチップは、窒化物系半導体基板と
窒化物系半導体の積層体を有し、半導体レーザチップの
全表面積（Ａ）と、半導体レーザチップの受光素子と向
き合う面のレーザ光放射端面面積（Ｂ）の比をΓとした
とき、Γ（Ａ／Ｂ）≦０．１５であることを特徴とす
る。

【００１０】本発明の半導体発光装置は、前記半導体レ
ーザチップの受光素子と向き合う面と受光素子の受光面
までの距離が５００μｍ以上離れていることを特徴とす
る。

【００１１】本発明の半導体発光装置は、前記受光素子
は、半導体レーザチップの受光素子と向き合う端面から
のレーザ光出力の３０％を受光できることを特徴とす
る。

【００１２】

【発明の実施の形態】（実施の形態１）図１は本発明の
実施の形態１の半導体レーザ装置を示すマウント部の拡
大図である。図において、１０１はｎ型ＧａＮ基板であ
り、その上に窒化物系半導体の積層体１０２が形成され
ている。本明細書中で記述される半導体チップの端面面
積及び全表面積は、上記ｎ型ＧａＮ基板１０１と窒化物
系半導体の積層体１０２をあわせた分の面積となる。ま
た、ｎ型ＧａＮ基板１０１の裏面（窒化物半導体の積層
されていない面）にはｎ電極１０３が形成されており、
窒化物系半導体の積層体１０２上には、ｐ電極１０４が
設けられている。以上が、本実施の形態の半導体レーザ
装置に用いられた半導体レーザチップ１０の基本構成で
あり、その詳細については後述する。

【００１３】上記レーザチップ１０は支持基体１０５の
上におかれる。本実施例の場合、支持基体はヒートシン
クである。支持基体とレーザチップ裏面に形成されたｎ
電極１０３との間にハンダ１０６が介在することによ
り、半導体レーザチップが支持基体１０５に積載・固定
されている。図示されないが、ハンダ１０６中にはｎ電
極１０３の金属材料とハンダ材料との合金が一部形成さ
れている。上記、支持基体１０５も導電性接着剤１０９
によってステム１１０に固定されている。この時、ｎ電
極１０３と支持基体１０５の間のハンダ１０６と支持基
体１０５とステム１１０との間の導電性接着剤１０９は
同一材料のハンダを用いても良いし、別の材料であって
も問題はない。ｐ電極１０４はステムのピン（従来例の
図１０の６０５にあたる）とワイヤ１０８にて電気的に
接続されている。ｎ電極は導電性接着剤であるハンダ１
０６を通して支持基体１０５と、さらに導電性接着剤１
０９を通してステム１１０に電気的に接触している。こ
こで、ピンは支持基体１０５とは絶縁された外部接続端
子に電気的に接続されており、これにより、本実施の形
態の半導体レーザ装置における半導体レーザチップ１０
に外部より電流が供給される。

【００１４】図２は本実施の形態に用いた半導体レーザ
チップを端面から見た模式図である。本図はレーザチッ
プを支持基体１０５にマウントする前の状況を示してい
る。図においてレーザチップは、ｎ型ＧａＮ基板１０１
側から順に、ＡｌＧａＩｎＮバッファ層２０１、ｎ−Ａ
ｌＧａＩｎＮコンタクト層２０２、ｎ−ＡｌＧａＩｎＮ
クラッド層２０３、ｎ−ＡｌＧａＩｎＮガイド層２０
４、ＡｌＧａＩｎＮ多重量子井戸活性層２０５、ｐ−Ａ
ｌＧａＩｎＮガイド層２０６、ｐ−ＡｌＧａＩｎＮクラ
ッド層２０７、ｐ−ＡｌＧａＩｎＮコンタクト層２０８
が積層されている。なお、活性層にはＡｓ、Ｐ等のＶ族
原料が０．０１〜１０％程度含まれていても良い。ｐ−
ＡｌＧａＩｎＮガイド層２０６、ｐ−ＡｌＧａＩｎＮク
ラッド層２０７及びｐ−ＡｌＧａＩｎＮコンタクト層２
０８には、共振器方向に延伸したストライプ状のリッジ
２１１が設けられ、また、ｐ電極１０４と窒化物半導体
の積層体１０２の間には、リッジ部分を除いて絶縁膜２
１０が設けられている。このように、本実施の形態に用
いた半導体レーザチップは、いわゆるリッジストライプ
構造を有している。さらに、レーザチップの裏面側に
は、ｎ電極１０３が形成されている。

【００１５】図１、図２を参照しつつ本実施の形態の半
導体レーザ装置の製造方法を説明する。

【００１６】はじめに半導体素子の製造に用いられてい
るプロセスを適宜使用して、ｎ型ＧａＮ基板１０１上
に、図２に示したようなこの半導体レーザチップの単位
構造が多数形成された半導体レーザウェハを得た。この
ようなウェハを得る工程は周知技術であるので、その詳
細な記載は省略する。本実施の形態において、基板１０
１の厚みは３５０μｍであり、窒化物系半導体の積層体
１０２のトータルの厚みは約１０μｍであった。

【００１７】次にｎ型ＧａＮ基板１０１の裏面側から、
研磨もしくはエッチングにより基板の一部を除去し、ウ
ェハの厚みを通常４０〜１５０μｍ程度までに薄く調整
する。本実施の形態においては、研削機を用いてウェハ
の厚みを１２０μｍに調整し、その後研磨機を用いて１
００μｍまで調整した。（この厚さは、ｎ型ＧａＮ基板
１０１とその上の窒化物系半導体の積層体１０２をあわ
せた厚さである。）次にウェハ裏面にｎ電極１０３を形
成した。ここで、ｎ電極の層構造は、基板側からＴｉ／
Ａｌ／Ｍｏ／Ａｕの順で各々の厚さは、３０／１５０／
８／１５０ｎｍとした。Ｔｉ／Ａｌの層は、ｎ−ＧａＮ
基板とオーミックをとるための層であり、その上のＭｏ
はＡｕとＡｌのコンタミネーションを防止するブロック
層、Ａｕはマウントの際に上記ハンダ１０６と混合し、
強固にレーザチップをマウントするための層である。こ
のような薄い金属膜を膜厚の制御性良く形成するには、
真空蒸着法が適しており、本実施の形態でもこの手法を
用いたが、イオンプレーティング法やスパッタ法等の他
の手法を用いても良いことは言うまでもない。

【００１８】その後、チップ分割工程により、ウェハを
個々の半導体レーザチップに分割した。この工程は、以
下のように実施した。裏面側を上にしてステージ上に上
記得られたウェハを置き、光学顕微鏡を用いて傷いれ位
置をアライメントし、ウェハ裏面（ｎ型ＧａＮ基板）に
ダイヤモンドポイントでスクライブラインを入れた。そ
れから、ウェハに適宜力を加え、スクライブラインに沿
ってウェハを分割することで、図２に示されるような、
個々のレーザチップを作製した。ここでは、スクライビ
ング法によるチップ分割工程について説明したが、基板
裏面側から傷、溝等を入れてチップを分割する方法であ
れば、同様にアライメントが可能であり、このような他
の方法を用いても同じ効果が得られることは言うまでも
ない。他の手法として、ワイヤーソーもしくは薄板ブレ
ードを用いて傷入れもしくは切断を行うダイシング法、
エキシマレーザ等のレーザ光の照射加熱とその後の急冷
により照射部にクラックを生じさせ、これをスクライブ
ラインとするレーザスクライビング法、高エネルギー密
度のレーザ光を照射し、この部分を溝いれ加工を行うレ
ーザアブレーション法等を用いても同様にチップ分割工
程が可能であった。

【００１９】本実施の形態では、共振器長方向に５００
μｍ、共振器長方向と垂直の方向に３５０μｍの大きさ
で分割した。この時、Γは０．０６７となる。

【００２０】次にダイボンディング法により、レーザチ
ップを支持基体上にマウントした。この工程は、以下の
ように実施した。まず、図１に示される支持基体１０５
にハンダ１０６を塗布した。ここでは、Ｃｕでできた支
持基体の表面にＮｉ膜／Ａｕ膜が順にメッキ形成された
ものを用いた。ハンダ１０６には、ＡｕＳｎを用い、そ
の塗布された後の厚みは１〜２０μｍ程度であった。ハ
ンダはこのようにあらかじめ塗布により膜状に形成して
もよいし、他の製膜方法たとえば、蒸着法、スパッタ
法、印刷法、メッキ法等を用いてもよい。ただし、Ｉｎ
もしくはＳｎを主成分とするハンダの場合のように、室
温においてハンダが特に柔らかい場合には、生産性の極
めて高い塗布法を用いることが好ましかった。また、次
に支持基体１０５を３５０℃程度のハンダの融点より若
干高い温度まで加熱し、ハンダが溶けたところで、上記
得られたレーザチップを裏面側を下にして載せ、さら
に、荷重を加えながら、温度を１分程度保持し、ｎ電極
１０３とハンダ１０６とを良く馴染ませた。これによ
り、ｎ電極の最表面Ａｕ層は、ハンダ中に溶解し、ハン
ダ材料との合金が形成された。その後、支持基体を冷却
し、ハンダが固化したところで本工程を終えた。なお、
ここでは、本工程前にハンダを支持基体側に設けたが、
逆にレーザチップ側に設けるようにしてもよい。

【００２１】次に、ステムにＰＤをマウントする工程に
ついて説明する。図３にＰＤと半導体レーザチップをマ
ウントした様子を示す。３０１はＰＤ、３０２は半導体
レーザチップ、３０３はステム、３０４は支持基体であ
る。ＰＤは通常レーザの光出力モニター用としてＳｉの
ＰＤを用いた。ただし、本発明においてＰＤの材質はＳ
ｉ以外のものでも全く問題はない。図３に示されるよう
に、ＰＤ３０１をＰＤの受光面をレーザ素子３０２の端
面に対向する形で、ハンダを用いてステム上にマウント
した。ＰＤの受光面に一部にｐ電極を形成し、このｐ電
極はステムから絶縁されたピンにワイヤで接続される。
ＰＤの受光面とレーザ素子のＰＤ受光面と対向する側の
端面の間の距離は、５００μｍとした。また、ＰＤの受
光面は７００μｍ角であった。こうして、図１０に示し
た従来例と同じマウント形態で半導体レーザ装置を作製
した。

【００２２】実際に動作させたところ、ＧａＮ基板を用
いた窒化物系レーザ素子は、従来からある、ＧａＮ系の
レーザ素子、またサファイア基板を用いたＧａＮ系レー
ザ素子に比べてもＰＤで受光する自然放出光の量が多い
ことがわかった。この原因に関して、研究を重ねた結
果、ＧａＮ系基板を用いた窒化物系レーザ素子は、基板
上に製膜された半導体膜とほぼ同じ屈折率であり、基板
であるＧａＮが発光波長に対して透明であるために、半
導体膜で発光した自然放出光が半導体膜に閉じ込められ
ず、ＧａＮ基板側に多量に伝播していることがわかっ
た。この原因に関して図３を用いて詳細に説明する。図
３に示すように、ＧａＮ基板側に伝播した自然放出光
は、基板裏面で反射してレーザチップ３０２上部から外
部に放出されるもの（光路）と基板裏面で反射してレ
ーザチップ３０２の端面（側面）から外部に放出される
もの（光路）がある。光路で外部に放出される光の
うちＰＤ３０１と対向するレーザ端面から放出された光
はＰＤに直接入射して受光されてしまう。この光路に
よる自然放出光がＰＤ３０１に直接入射してしまうため
に、レーザチップの光出力（レーザ光＋自然放出光）と
ＰＤのモニター電流のずれが非常に大きくなってしまう
ことがわかった。

【００２３】上記の課題を解決するために、光路の光
出力を減らすことが重要になる。本実施の形態では、光
路の光出力を低減するために、レーザチップの全表面
積：Ａと前記レーザチップの前記受光素子と向き合うレ
ーザ光放射端面面積：Ｂの比Γ（Γ＝Ａ／Ｂ）が、０．
１５以下とする事で、レーザチップのＰＤ対向端面の面
積を減らし、これまで端面からＰＤに向け射出されてい
た光（光路）をレーザ素子上部から（光路）取り出
すことが可能であることを見出した。これにより、端面
から出射される光路の光出力を減少させることができ
た。

【００２４】実施の結果を図４に示す。図４はレーザ発
振直前のレーザ素子端面から出る自然放出光の光出力を
レーザチップの全表面積：Ａと、前記レーザチップの前
記受光素子と向きあうレーザ光放射端面面積：7Ｂの比
Γ（Γ＝Ａ／Ｂ）を変化させてプロットしたものであ
る。ＰＤの受光面と対向する側の端面間の距離は５００
μｍの場合である。図４に示すようにレーザ素子端面か
ら出る自然放出光の光出力は≦０．１５の時減少し、Γ
＞０．１５では、自然放出光の光出力は飽和することが
わかった。これは、レーザ素子端面の面積が減少したた
めに、光路で出てきた光が光路に移りレーザ素子上
部から外部に放出されたためである。

【００２５】本実施の形態で示した方法で作製されたレ
ーザ素子では、図８に示すように、レーザチップの光出
力（レーザ光＋自然放出光）とＰＤのモニター電流のず
れは、ほとんど見られなくな良好な比例関係を示した。
これにより、ＰＤのモニター電流を用いることにより、
正確にレーザチップの出力を制御することが可能となっ
た。

【００２６】本実施の形態ではＰＤの受光面とレーザ素
子のＰＤ受光面と対向する側の端面間の距離は５００μ
ｍとした。しかし、図９に示すようにＰＤとＬＤの距離
の違いにより、ＰＤが受光する自然放出光の量が変化す
る。また、ＰＤの受光面積にも依存して自然放出光の量
が変化するが、通常ＰＤの受光面積は２００μｍから１
ｍｍ角程度であり、この範囲であれば以下のに述べるＰ
ＤとＬＤの距離と自然放出光の量の関係はほぼ変化しな
いことを確認している。ＰＤのチップ形状、受光部の形
状は正方形、もしくは長方形であってもなんら問題はな
い。図９では、レーザチップの基板厚は１００μｍであ
る。図９からわかるようにＰＤとＬＤとの距離が５００
μｍより近くなるとＰＤが受光する自然放出光の量が増
大する。このため、ＰＤとＬＤの距離は５００μｍ以上
離す必要がある、また、図示しなかったが、ＰＤとＬＤ
の距離が２０００μｍを超えると、レーザチップからで
るレーザ光（誘導放出光）自体が広がってしまい、ＰＤ
のＳＮを下げてしまうため好ましくない。この時、レー
ザチップのＰＤ側の端面から出射されるレーザ光出力の
３０％以上が入射されていれば問題ない。通常、レーザ
チップの後方にＰＤが配置されるが、ＰＤはレーザチッ
プのＰＤ側の端面から出射される誘導放出光と自然放出
光の両方を受光してしまう。このため、ＰＤに入射する
レーザ光出力がＰＤ側のレーザチップ端面から出射され
たレーザ光出力の３０％以下になると、指向性の強い誘
導放出光が大幅に減少して、自然放出光の割合が増加し
てしまい、ＰＤがレーザチップから出射される光出力を
正確にモニターできなくなってしまい問題となる。以上
まとめると、ＰＤの受光面とレーザ素子のＰＤ受光面と
対向する側の端面間の距離は５００から２０００μｍの
間であることが好ましい。 （実施の形態２）本実施の形態ではレーザチップを支持
基体にマウントする形状が異なる以外は、実施の形態１
と同様である。本実施の形態１ではレーザチップを裏面
側を下にして載せ、マウントしたが、本実施の形態では
レーザチップをｐ電極が形成してある表面を下（支持基
体側）にしてマウントする。（ジャンクションダウン）
この様に、支持基体にマウントすることにより、レーザ
チップで駆動字に発生する熱を有効にステムに放出する
ことが可能となりレーザチップの温度上昇を低減するこ
とができる。本実施の形態のようにマウントした場合で
あっても、図４に示す結果と同じ結果をしました。Γ≦
０．１５以下にすることにより、レーザチップ端面から
放出される自然放出光の光出力を低減できることがわか
った。

【００２７】

【発明の効果】レーザチップ及び前記受光素子を積載す
る基体とを備えた、半導体発光装置において、前記レー
ザチップの全表面積：Ａと前記レーザチップの前記受光
素子と向き合うレーザ光放射端面面積：Ｂの比Γ（Γ＝
Ａ／Ｂ）が０．１５以下とする事で、光出力モニター用
のＰＤに入射される自然放出光を大幅に低減することが
できた。これによって、レーザチップの光出力（レーザ
光＋自然放出光）とＰＤのモニター電流のずれを大幅に
低減でき、レーザ装置の光出力を正確に制御することが
可能となった。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態１の半導体レーザ装置のマウント部
拡大図である。

【図２】実施の形態１の半導体レーザチップ概略図であ
る。

【図３】自然放出光の光路図である。

【図４】Γに対するＰＤに入射する光出力のグラフであ
る。

【図５】レーザ駆動電流に対する光出力のグラフであ
る。

【図６】モニター電流に対するレーザ光出力のグラフで
ある。

【図７】レーザ駆動電流に対する光出力のグラフであ
る。

【図８】本実施の形態で作製されたレーザ装置のモニタ
ー電流に対するレーザ出力である。

【図９】ＰＤとＬＤの距離とＰＤがじゅ口する自然放出
光のグラフである。

【図１０】従来例の半導体レーザ装置概略図である。

【符号の説明】

１０１…ｎ型ＧａＮ基板 １０２…窒化物系半導体の積層体 １０３…ｎ電極 １０４…ｐ電極 １０５…支持基体 １０８…ハンダ １０９…ワイヤ １１０…ステム ２０１…ＧａＩｎＮバッファ層 ２０２…ｎ−ＡｌＧａＩｎＮコンタクト層 ２０３…ｎ−ＡｌＧａＩｎＮクラッド層 ２０４…ｎ−ＡｌＧａＩｎＮガイド層 ２０５…ＡｌＧａＩｎＮ多重量子井戸活性層 ２０６…ｐ−ＡｌＧａＩｎＮガイド層 ２０７…ｐ−ＡｌＧａＩｎＮクラッド層 ２０８…ｐ−ＡｌＧａＩｎＮコンタクト層 ２１０…絶縁層 ３０１…ＰＤ ３０２…レーザチップ ３０３…ステム ３０４…支持基体

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に半導体レーザチップと半導体レ
   ーザチップからの光出力をモニターする受光素子とを有
   し、半導体レーザチップと受光素子とを積載した半導体
   発光装置において、 半導体レーザチップは、窒化物系半導体基板と窒化物系
   半導体の積層体を有し、 半導体レーザチップの全表面積（Ａ）と、半導体レーザ
   チップの受光素子と向き合う面のレーザ光放射端面面積
   （Ｂ）の比をΓとしたとき、Γ（Ａ／Ｂ）≦０．１５で
   あることを特徴とする半導体発光装置。
2. 【請求項２】 前記半導体レーザチップの受光素子と向
   き合う面と受光素子の受光面までの距離が５００μｍ以
   上離れていることを特徴とする請求項１に記載の半導体
   発光装置。
3. 【請求項３】 前記受光素子は、半導体レーザチップの
   受光素子と向き合う端面からのレーザ光出力の３０％を
   受光できることを特徴とする請求項１ないし２に記載の
   半導体発光装置。