JPS63204687A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
半導体素子の製造方法Info
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- JPS63204687A JPS63204687A JP62036961A JP3696187A JPS63204687A JP S63204687 A JPS63204687 A JP S63204687A JP 62036961 A JP62036961 A JP 62036961A JP 3696187 A JP3696187 A JP 3696187A JP S63204687 A JPS63204687 A JP S63204687A
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- fused
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Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 8
- 239000008188 pellet Substances 0.000 claims abstract description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 claims abstract 2
- 230000007017 scission Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005453 pelletization Methods 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N gold tin Chemical group [Sn].[Au] JVPLOXQKFGYFMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
- H01S5/0202—Cleaving
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
- H01S5/0237—Fixing laser chips on mounts by soldering
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体素子の製造方法に関し、特に半導体レー
ザ、発光ダイオード等のペレットに分離およびマウント
する半導体素子の製造方法に関する。
ザ、発光ダイオード等のペレットに分離およびマウント
する半導体素子の製造方法に関する。
従来、半導体レーザ、発光ダイオード等の半導体素子の
組立工数においては、放熱及び熱膨張率差による歪の対
策が問題となっているが、この歪の防止のためにペレッ
トを直接ステムにマウントせずにシリコン等のヒートシ
ンク上にマウントしている。
組立工数においては、放熱及び熱膨張率差による歪の対
策が問題となっているが、この歪の防止のためにペレッ
トを直接ステムにマウントせずにシリコン等のヒートシ
ンク上にマウントしている。
第３図はかかる従来のヒートシンク上へのペレットのマ
ウント方法を説明するための半導体ペレットの斜視図で
ある。
ウント方法を説明するための半導体ペレットの斜視図で
ある。
第３図に示すように、ペレット３１を１個づつヒートシ
ンク３２上にソルダー材３３によりマウントしていた。
ンク３２上にソルダー材３３によりマウントしていた。
尚、このときのソルダー材３３としてはヒートシンク上
に蒸着された金−錫（ＡｕＳｎ）や錫（Ｓｎ）等を用い
、ヒーター上で加熱してペレット３１とヒートシンク３
２とを融着しマウントしていた。
に蒸着された金−錫（ＡｕＳｎ）や錫（Ｓｎ）等を用い
、ヒーター上で加熱してペレット３１とヒートシンク３
２とを融着しマウントしていた。
上述した従来の半導体素子の製造、特にマウント方法は
、ペレットを１個づつマウントするため、第一には微小
なペレットのハンドリングが難かしく、相当の熟練作業
者でも不良品を発生する問題があること、第二には多大
な作業工数を必要とする問題があること、第三にはマウ
ントする以前にウェハーよりペレットを１個づつ切り出
すベレッタイズ工程を要しこのための作業工数を要する
問題があること等の欠点を有している。
、ペレットを１個づつマウントするため、第一には微小
なペレットのハンドリングが難かしく、相当の熟練作業
者でも不良品を発生する問題があること、第二には多大
な作業工数を必要とする問題があること、第三にはマウ
ントする以前にウェハーよりペレットを１個づつ切り出
すベレッタイズ工程を要しこのための作業工数を要する
問題があること等の欠点を有している。
本発明の目的は上述のような不良率を改善し、且つ作業
工数を減少させる半導体素子の製造方法を提供すること
にある。
工数を減少させる半導体素子の製造方法を提供すること
にある。
本発明の半導体素子の製造方法は半導体レーザのヘキ開
バーもしくは発光ダイオードウェハーをソルダー材を表
面に蒸着したバー状のヒートシンクもしくはウェーハ状
のヒートシンクの上に融着する工程と、この融着の後に
レーザ照射を利用して個片の半導体ペレットを個片のヒ
ートシンク上に融着された状態で切断分離する工程とを
含んで構成される。
バーもしくは発光ダイオードウェハーをソルダー材を表
面に蒸着したバー状のヒートシンクもしくはウェーハ状
のヒートシンクの上に融着する工程と、この融着の後に
レーザ照射を利用して個片の半導体ペレットを個片のヒ
ートシンク上に融着された状態で切断分離する工程とを
含んで構成される。
次に、本発明の実施例について図面を参照して説明する
。
。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の第一の実施例を説明す
るための工程順に示したレーザペレットの斜視図である
。
るための工程順に示したレーザペレットの斜視図である
。
第１図（ａ）に示すごとく、まず長さ２＝１０〜２０
能、幅Ｗ＝０．３ｍｍ、厚さｔ＝０．１ｍ＋ｌ＋のレー
ザバー１１をＡ ｕ Ｓ ｎ又はＳｎが表面に蒸着され
たヒートシンクバー１２ （ｊ” ＝３０ｍ＋ａ、 ｗ
’＝ ０ 、６ ＋ｕ 、 ｔ ’ ＝ ０ 、３ ａ
ｍ ＞の上に平行に乗せヒーター等で加熱融着する。
能、幅Ｗ＝０．３ｍｍ、厚さｔ＝０．１ｍ＋ｌ＋のレー
ザバー１１をＡ ｕ Ｓ ｎ又はＳｎが表面に蒸着され
たヒートシンクバー１２ （ｊ” ＝３０ｍ＋ａ、 ｗ
’＝ ０ 、６ ＋ｕ 、 ｔ ’ ＝ ０ 、３ ａ
ｍ ＞の上に平行に乗せヒーター等で加熱融着する。
次に、第１図（ｂ）に示すごとく、一体となったレーザ
バー１１とハートシンクバー１２（以下、一体化バーと
略記）をタングステン等の高耐熱材質よりなるステージ
１４の上に配置固定する。ついで、ＹＡＧレーザ１５を
照射しながらステージ１４をＸ方向くバーの長手方向の
直交する方向）に動かすことにより、ヒートシンクバー
１２の下面より２０〜３０μｍ程度の深さの加熱溶断部
１６に致るまで局部的に加熱溶断する。次に、ＹＡＧレ
ーザ１５の出力をＯＦＦにして、ステージ１４をＹ方向
（バーの長手方向）に所定のピッチ間隔（例えば０．３
ｍｍ’）移動した後、ＹＡＧレーザ１５をＯＮにし、ス
テージ１４をＸ方向に動かして前述したのと同様に加熱
溶断する。かかる操作を繰り返して、レーザバー１１を
等しいピッチで加熱溶断する。尚、この操作は公知のウ
ェハースクライバ−の技術がそのまま適用でき容易に自
動化をすることができる０次に、加熱溶断作業終了後公
知のウェハースクライブ用テープに貼り付け、このテー
プを引き伸ばすことにより個々のペレットに分離するこ
とができる。
バー１１とハートシンクバー１２（以下、一体化バーと
略記）をタングステン等の高耐熱材質よりなるステージ
１４の上に配置固定する。ついで、ＹＡＧレーザ１５を
照射しながらステージ１４をＸ方向くバーの長手方向の
直交する方向）に動かすことにより、ヒートシンクバー
１２の下面より２０〜３０μｍ程度の深さの加熱溶断部
１６に致るまで局部的に加熱溶断する。次に、ＹＡＧレ
ーザ１５の出力をＯＦＦにして、ステージ１４をＹ方向
（バーの長手方向）に所定のピッチ間隔（例えば０．３
ｍｍ’）移動した後、ＹＡＧレーザ１５をＯＮにし、ス
テージ１４をＸ方向に動かして前述したのと同様に加熱
溶断する。かかる操作を繰り返して、レーザバー１１を
等しいピッチで加熱溶断する。尚、この操作は公知のウ
ェハースクライバ−の技術がそのまま適用でき容易に自
動化をすることができる０次に、加熱溶断作業終了後公
知のウェハースクライブ用テープに貼り付け、このテー
プを引き伸ばすことにより個々のペレットに分離するこ
とができる。
第１図（ｃ）は上述した個々のペレットに分離された状
態を示している。
態を示している。
すなわち、個片のへレット１７が個片のヒートシンク１
８上に融着された状態で分離されている。
８上に融着された状態で分離されている。
このように、上述した第一の実施例によれば、組立工程
におけるペレットハンドリングミスに起因する従来の不
良率５〜１５％を皆無にすること、およびベレッタイズ
からマウントまでを要する作業工数を従来のペレット当
り９０秒からペレット当り５秒まで削減することができ
る。
におけるペレットハンドリングミスに起因する従来の不
良率５〜１５％を皆無にすること、およびベレッタイズ
からマウントまでを要する作業工数を従来のペレット当
り９０秒からペレット当り５秒まで削減することができ
る。
第２図（ａ）、（ｂ）は本発明の第二の実施例を説明す
るための工程順に示したダイオードペレットの斜視図で
ある。
るための工程順に示したダイオードペレットの斜視図で
ある。
第２図（ａ）に示すように、まず発光ダイオードウェー
ハ２１をシリコンヒートシンク２２上に乗せて加熱融着
する。
ハ２１をシリコンヒートシンク２２上に乗せて加熱融着
する。
以下は、第２図（ｂ）に示すように、前記第一の実施例
と同様にしてＹＡＧレーザを照射することにより、個片
のペレット２３が個片のヒートシンク２４上に融着させ
た状態で得ることができる。
と同様にしてＹＡＧレーザを照射することにより、個片
のペレット２３が個片のヒートシンク２４上に融着させ
た状態で得ることができる。
尚、この第二の実施例と前記第一の実施例との相異点は
、半導体及びハートシンクのバーを用いる代わりに、ウ
ェハー状の半導体ヒートシンクをバー状に加工すること
なくそのまま用いて加工する点である。
、半導体及びハートシンクのバーを用いる代わりに、ウ
ェハー状の半導体ヒートシンクをバー状に加工すること
なくそのまま用いて加工する点である。
このように、上述した第二の実施例によれば、不良率３
〜８％を皆無にし、且つ作業工数も従来のペレット当り
６０秒をペレット当り５秒まで削減することができる。
〜８％を皆無にし、且つ作業工数も従来のペレット当り
６０秒をペレット当り５秒まで削減することができる。
以上説明したように、本発明の半導体素子の製造方法は
レーザバーあるいは発光ダイオードウェハーをヒートシ
ンク上に融着する工程と、ＹＡＧレーザを照射すること
により個片の半導体ペレットをヒートシンクに融着され
た状態で切り出す工程とを含むことにより、１０％台の
不良率を皆無にする効果と作業工数を１０数倍にも効率
化する効果がある。
レーザバーあるいは発光ダイオードウェハーをヒートシ
ンク上に融着する工程と、ＹＡＧレーザを照射すること
により個片の半導体ペレットをヒートシンクに融着され
た状態で切り出す工程とを含むことにより、１０％台の
不良率を皆無にする効果と作業工数を１０数倍にも効率
化する効果がある。
第１図（ａ）〜（Ｃ）は本発明の第一の実施例を説明す
るための工程順に示したレーザペレットの斜視図、第２
図（ａ）、（ｂ）は本発明の第二の実施例を説明するた
めの工程順に示したダイオードペレットの斜視図、第３
図は従来の一例を説明するための半導体ペレットの斜視
図である。 １１・・・レーザバー、１２・・・ヒートシンクバー、
１４・・・ステージ、１５・・・ＹＡＧレーザ、１６・
・・加熱溶断部、１７・・・半導体レーザペレット、１
８・・・ヒートシンク、２１・・・発光ダイオードウェ
ハー、２２・・・ウェハー状ヒートシンク、２３・・・
発光ダイオードペレット、２４・・・ヒートシンク。 １；
るための工程順に示したレーザペレットの斜視図、第２
図（ａ）、（ｂ）は本発明の第二の実施例を説明するた
めの工程順に示したダイオードペレットの斜視図、第３
図は従来の一例を説明するための半導体ペレットの斜視
図である。 １１・・・レーザバー、１２・・・ヒートシンクバー、
１４・・・ステージ、１５・・・ＹＡＧレーザ、１６・
・・加熱溶断部、１７・・・半導体レーザペレット、１
８・・・ヒートシンク、２１・・・発光ダイオードウェ
ハー、２２・・・ウェハー状ヒートシンク、２３・・・
発光ダイオードペレット、２４・・・ヒートシンク。 １；
Claims (1)
- 半導体レーザのヘキ開バーもしくは発光ダイオードウ
ェーハをヒートシンク上にソルダーにより融着する工程
と、融着した後レーザ照射により個片の半導体ペレット
を個片のヒートシンクに融着された状態で切断分離する
工程とを含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62036961A JPS63204687A (ja) | 1987-02-19 | 1987-02-19 | 半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62036961A JPS63204687A (ja) | 1987-02-19 | 1987-02-19 | 半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63204687A true JPS63204687A (ja) | 1988-08-24 |
Family
ID=12484336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62036961A Pending JPS63204687A (ja) | 1987-02-19 | 1987-02-19 | 半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63204687A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015529020A (ja) * | 2012-08-13 | 2015-10-01 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | 半導体レーザ素子を製造する方法および半導体レーザ素子 |
-
1987
- 1987-02-19 JP JP62036961A patent/JPS63204687A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015529020A (ja) * | 2012-08-13 | 2015-10-01 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングＯｓｒａｍ Ｏｐｔｏ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＧｍｂＨ | 半導体レーザ素子を製造する方法および半導体レーザ素子 |
| US9450376B2 (en) | 2012-08-13 | 2016-09-20 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method of producing a semiconductor laser element, and semiconductor laser element |
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