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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP4228109A3 (en) * 2012-05-08 2023-10-25 MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. Lasers with beam-shape modification
WO2015126475A1 (en) 2013-11-07 2015-08-27 Binoptics Corporation Lasers with beam shape and beam direction modification
JP6790364B2 (ja) * 2016-01-25 2020-11-25 三菱電機株式会社 光半導体装置
CN109075525A (zh) * 2016-02-19 2018-12-21 镁可微波技术有限公司 用于光子集成电路中的激光器对准技术
KR101929465B1 (ko) * 2016-10-18 2019-03-14 주식회사 옵텔라 광학모듈
WO2018193551A1 (ja) * 2017-04-19 2018-10-25 三菱電機株式会社 光半導体装置及びその製造方法
US10608412B2 (en) * 2017-06-19 2020-03-31 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Quantum cascade laser, light emitting apparatus
JP6939120B2 (ja) 2017-06-19 2021-09-22 住友電気工業株式会社 量子カスケード半導体レーザ、発光装置、半導体レーザを作製する方法
JP6939119B2 (ja) * 2017-06-19 2021-09-22 住友電気工業株式会社 量子カスケード半導体レーザ、発光装置、半導体レーザを作製する方法
JP6911567B2 (ja) 2017-06-22 2021-07-28 住友電気工業株式会社 量子カスケード半導体レーザ
US10476235B2 (en) * 2017-06-22 2019-11-12 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Quantum cascade laser
US10476237B2 (en) * 2017-06-22 2019-11-12 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Quantum cascade laser
US10404038B2 (en) * 2017-06-22 2019-09-03 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Quantum cascade laser
WO2019097686A1 (ja) * 2017-11-17 2019-05-23 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置
DE102018111319A1 (de) 2018-05-11 2019-11-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
US10649138B2 (en) 2018-09-21 2020-05-12 Nokia Solutions And Networks Oy Optical device having a photonic chip with one or more suspended functional portions
KR102936795B1 (ko) * 2021-02-26 2026-03-09 교세라 가부시키가이샤 반도체 디바이스의 제조 방법, 반도체 디바이스 및 반도체 장치
CN114336279A (zh) * 2021-12-20 2022-04-12 华侨大学 实现表面等离激元激光输出到远场的装置
CN114006261B (zh) * 2022-01-04 2022-03-11 福建慧芯激光科技有限公司 一种具有圆形光斑的垂直腔面发射激光器
DE102024103984A1 (de) * 2024-02-13 2025-08-14 Ams-Osram International Gmbh Laservorrichtung und verfahren

Family Cites Families (54)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4293826A (en) * 1979-04-30 1981-10-06 Xerox Corporation Hybrid semiconductor laser/detectors
JPS61290787A (ja) 1985-06-18 1986-12-20 Sharp Corp 半導体レ−ザ装置
US4851368A (en) 1987-12-04 1989-07-25 Cornell Research Foundation, Inc. Method of making travelling wave semi-conductor laser
JPH0236585A (ja) 1988-07-27 1990-02-06 Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> 量子井戸構造及び量子井戸構造を用いた半導体素子
EP0410067B1 (en) * 1989-07-27 1993-09-22 International Business Machines Corporation Integrated semiconductor diode laser and photodiode structure
DE69009448T2 (de) * 1990-03-08 1994-12-01 Ibm Halbleiterlaseranordnung.
JPH05136459A (ja) * 1991-07-29 1993-06-01 Ricoh Co Ltd 半導体発光装置
US5294815A (en) * 1991-07-29 1994-03-15 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor light emitting device with terraced structure
JP3232152B2 (ja) * 1992-05-14 2001-11-26 株式会社リコー 発光ダイオードアレイ
US5259925A (en) * 1992-06-05 1993-11-09 Mcdonnell Douglas Corporation Method of cleaning a plurality of semiconductor devices
JP2869279B2 (ja) * 1992-09-16 1999-03-10 三菱電機株式会社 半導体レーザダイオード及びその製造方法並びに半導体レーザダイオードアレイ
DE69326213T2 (de) * 1992-11-17 1999-12-30 Seiko Epson Corp., Tokio/Tokyo Optischer Abtastkopf
US5392308A (en) * 1993-01-07 1995-02-21 Sdl, Inc. Semiconductor laser with integral spatial mode filter
US5615052A (en) * 1993-04-16 1997-03-25 Bruce W. McCaul Laser diode/lens assembly
US5627851A (en) * 1995-02-10 1997-05-06 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor light emitting device
DE19514625C2 (de) * 1995-04-26 1997-03-06 Fraunhofer Ges Forschung Anordnung zur Formung des geometrischen Querschnitts eines Strahlungsfelds eines oder mehrerer Festkörper- und/oder Halbleiterlaser(s)
JP3101997B2 (ja) * 1996-02-05 2000-10-23 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子
JP2000114639A (ja) * 1998-10-01 2000-04-21 Sony Corp 半導体レーザ
JP2000277850A (ja) * 1999-03-29 2000-10-06 Sony Corp 半導体レーザ素子、半導体レーザ装置、及びその作製方法
JP3934828B2 (ja) * 1999-06-30 2007-06-20 株式会社東芝 半導体レーザ装置
JP3956647B2 (ja) * 2001-05-25 2007-08-08 セイコーエプソン株式会社 面発光レ−ザの製造方法
WO2002103866A1 (en) 2001-06-15 2002-12-27 Nichia Corporation Semiconductor laser element, and its manufacturing method
US6750478B2 (en) 2001-09-28 2004-06-15 The Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor laser device and method for suppressing fabry perot oscillations
US8442084B2 (en) * 2002-10-03 2013-05-14 Laser Operations Llc High performance vertically emitting lasers
JP4866550B2 (ja) * 2002-12-20 2012-02-01 クリー インコーポレイテッド 自己整合型の半導体メサおよびコンタクト層を有する半導体デバイス、および、該デバイスに関連する構造の形成方法
JP2004327654A (ja) * 2003-04-24 2004-11-18 Ricoh Co Ltd 半導体レーザモジュールおよびホログラムレーザユニットおよび光ピックアップ
JP2004325826A (ja) * 2003-04-25 2004-11-18 Fuji Photo Film Co Ltd 光学部材の固定方法および固定構造
JP3838218B2 (ja) * 2003-05-19 2006-10-25 ソニー株式会社 面発光型半導体レーザ素子及びその製造方法
CN1875528B (zh) 2003-09-03 2010-09-29 宾奥普迪克斯股份有限公司 单纵模激光二极管
EP2937897A3 (en) * 2003-09-15 2016-03-23 Nuvotronics LLC Device package and methods for the fabrication and testing thereof
JP2007534154A (ja) * 2003-10-20 2007-11-22 ビノプティクス・コーポレイション 表面放射入射光子デバイス
US7598527B2 (en) 2004-01-20 2009-10-06 Binoptics Corporation Monitoring photodetector for integrated photonic devices
EP1706894B1 (en) * 2004-01-20 2012-05-23 Binoptics Corporation Integrated photonic devices
JP4634047B2 (ja) 2004-01-23 2011-02-16 パイオニア株式会社 集積型半導体発光素子及びその製造方法
US7116690B2 (en) * 2004-05-17 2006-10-03 Textron Systems Corporation Staggered array coupler
JP2005353923A (ja) * 2004-06-11 2005-12-22 Eudyna Devices Inc 光モジュールおよび光モジュールの製造方法
JP4578164B2 (ja) 2004-07-12 2010-11-10 日本オプネクスト株式会社 光モジュール
JP4537796B2 (ja) * 2004-08-04 2010-09-08 株式会社リコー ビーム整形用光学系及びレーザ光源及びビーム整形用光学系の作成方法
KR101181501B1 (ko) * 2004-09-13 2012-09-11 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 마이크로-머신 구조들에 밀봉으로 패키징된 광 모듈
WO2006114745A2 (en) * 2005-04-28 2006-11-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light source comprising led arranged in recess
CN102510004A (zh) 2005-06-22 2012-06-20 宾奥普迪克斯股份有限公司 使用经蚀刻的刻面技术生产的基于AlGaInN的激光器
EP1917687A2 (en) * 2005-08-25 2008-05-07 Binoptics Corporation Low cost ingaain based lasers
US20070047609A1 (en) * 2005-08-30 2007-03-01 Francis Daniel A Wafer testing of edge emitting lasers
US7359416B2 (en) 2006-03-15 2008-04-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical semiconductor device
JP5227525B2 (ja) * 2007-03-23 2013-07-03 株式会社日立製作所 生体光計測装置
JP5223552B2 (ja) * 2008-05-02 2013-06-26 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体レーザ素子の製造方法
JP5321886B2 (ja) * 2009-02-06 2013-10-23 ソニー株式会社 半導体素子
JP4375497B1 (ja) * 2009-03-11 2009-12-02 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体素子、エピタキシャル基板、及びｉｉｉ族窒化物半導体素子を作製する方法
KR20180023028A (ko) * 2009-11-05 2018-03-06 더 리전츠 오브 더 유니버시티 오브 캘리포니아 에칭된 미러들을 구비하는 반극성 ｛20-21｝ ⅲ-족 질화물 레이저 다이오드들
JP5368957B2 (ja) * 2009-12-04 2013-12-18 シャープ株式会社 半導体レーザチップの製造方法
US8315287B1 (en) * 2011-05-03 2012-11-20 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte. Ltd Surface-emitting semiconductor laser device in which an edge-emitting laser is integrated with a diffractive lens, and a method for making the device
US8787418B2 (en) 2011-08-11 2014-07-22 Sensor Electronic Technology, Inc. Emitting device with compositional and doping inhomogeneities in semiconductor layers
US9065237B2 (en) * 2011-12-07 2015-06-23 Jds Uniphase Corporation High-brightness spatial-multiplexed multi-emitter pump with tilted collimated beam
EP4228109A3 (en) 2012-05-08 2023-10-25 MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. Lasers with beam-shape modification

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