JP2015502050A - 逆分極キャップを備えたエンハンスメントモードiii族‐n高電子移動度トランジスタ - Google Patents
逆分極キャップを備えたエンハンスメントモードiii族‐n高電子移動度トランジスタ Download PDFInfo
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Abstract
Description
Mishra et al, "AlGaN/GaN HEMTs - An Overview of Device Operation and Applications", Proceedings of the IEEE, Vol. 90, No. 6, June 2002, pp. 1022-1031
Uemoto et al, " Gate Injection Transistor (GIT) - A Normally-Off AlGaN/GaN Power Transistor Using Conductivity Modulation," IEEE Transactions on Electron Devices (TED), Vol. 54, Issue 12, 2007, pp. 3393-3399
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Claims (19)
- トランジスタを含む集積回路デバイスであって、
頂部表面を有する基板、
頂部表面を有し、且つ、前記基板の前記頂部表面に接するバッファ層と、前記バッファ層に接するチャネル層と、前記チャネル層に接する障壁層とを含む層状構造であって、前記障壁層が第1のIII族‐N材料を含む、前記層状構造、
頂部表面を有し、且つ、前記層状構造の前記頂部表面に接するスペーサ構造であって、前記第1のIII族‐N材料とは異なる第2のIII族‐N材料を含む、前記スペーサ構造、
頂部表面を有し、且つ、前記スペーサ構造の前記頂部表面に接する逆分極された構造であって、前記第2のIII族‐N材料とは異なる第3のIII族‐N材料を含む、前記逆分極された構造、及び
前記逆分極された構造の前記頂部表面に接する金属ゲート、
を含む、集積回路デバイス。 - 請求項1に記載のデバイスであって、
前記障壁層、前記スペーサ構造、前記逆分極された構造、及び前記金属ゲートに接し、且つ、それらの上に位置するパッシベーション層、
を更に含み、
前記パッシベーション層が、前記金属ゲートの或る領域を露出させる開口、前記障壁層の第1の領域を露出させる開口、及び前記障壁層の第2の領域を露出させる開口を有する、
集積回路デバイス。 - 請求項2に記載のデバイスであって、
前記パッシベーション層と前記障壁層の前記第1の領域とに接する金属ソースであって、前記チャネル層に電気的に接続される前記金属ソース、及び
前記パッシベーション層と前記障壁層の前記第2の領域とに接する金属ドレインであって、前記チャネル層に電気的に接続され、且つ、前記金属ソースから水平に離間される前記金属ドレイン、
を更に含む、集積回路デバイス。 - 請求項3に記載のデバイスであって、前記金属ソースの一部が、前記金属ゲートの一部の直上で前記パッシベーション層に接する、集積回路デバイス。
- 請求項3に記載のデバイスであって、前記第2のIII族‐N材料がGaNを含む、集積回路デバイス。
- 請求項5に記載のデバイスであって、前記第3のIII族‐N材料がInGaNを含む、集積回路デバイス。
- 請求項6に記載のデバイスであって、前記第1のIII族‐N材料がAlGaNを含む、集積回路デバイス。
- 請求項7に記載のデバイスであって、前記チャネル層の頂部にある二次元電子ガス(2DEG)を更に含み、前記金属ゲート上に接地が印加されるとき、前記逆分極された構造が前記2DEGの電子を枯渇させる、集積回路デバイス。
- 請求項6に記載のデバイスであって、前記スペーサ構造が、前記障壁層及び前記逆分極された構造に共通の2つの要素を含み、前記逆分極された構造が、前記障壁層に存在しない要素を含む、集積回路デバイス。
- トランジスタを含む集積回路デバイスを形成する方法であって、
頂部表面を有するバッファ層を形成すること、
前記バッファ層の前記頂部表面に接するようにIII族‐Nチャネル層を形成することであって、前記III族‐Nチャネル層が頂部表面を有すること、
前記III族‐Nチャネル層の前記頂部表面に接するようにIII族‐N障壁層を形成することであって、前記III族‐N障壁層が頂部表面を有すること、
前記III族‐N障壁層の前記頂部表面に接するようにIII族‐Nスペーサ層を形成することであって、前記III族‐Nスペーサ層が頂部表面を有すること、
前記III族‐Nスペーサ層の前記頂部表面に接するようにIII族‐Nキャップ層を形成することであって、前記III族‐Nキャップ層が、頂部表面を有し、且つ、前記III族‐N障壁層及び前記III族‐Nスペーサ層とは異なること、及び
前記III族‐Nキャップ層の前記頂部表面に接するように金属の層を形成すること、
を含む、方法。 - 請求項10に記載の方法であって、前記III族‐Nスペーサ層が前記III族‐N障壁層とは異なる、方法。
- 請求項11に記載の方法であって、金属ゲートを形成するように、及び、前記III族‐Nキャップ層の前記頂部表面を露出させるように、前記金属の層をエッチングすることであって、前記金属ゲートが頂部表面を有することを更に含む、方法。
- 請求項12に記載の方法であって、逆分極キャップを形成するように、及び前記III族‐Nスペーサ層を露出させるように、前記III族‐Nキャップ層をエッチングすることを含む、方法。
- 請求項13に記載の方法であって、スペーサ構造を形成するように、及び前記III族‐N障壁層の前記頂部表面を露出させるように、前記III族‐Nスペーサ層をエッチングすることを更に含む、方法。
- 請求項14に記載の方法であって、前記障壁層と、前記スペーサ構造と、前記逆分極キャップと、前記金属ゲートとに接するパッシベーション層を堆積させることを更に含む、方法。
- 請求項15に記載の方法であって、前記障壁層の前記頂部表面を露出させるソース開口と、前記障壁層の前記頂部表面を露出させるドレイン開口と、前記金属ゲートの前記頂部表面の或る領域を露出させるゲート開口とを形成するように、前記パッシベーション層をエッチングすることを更に含む、方法。
- 請求項16に記載の方法であって、それぞれ、前記ソース開口と前記ドレイン開口と前記ゲート開口とを充填するため、前記障壁層と前記パッシベーション層と前記金属ゲートとに接する金属の層を堆積させることを更に含む、方法。
- 請求項17に記載の方法であって、前記障壁層に接する金属ソース及び金属ドレイン、及び前記金属ゲートに接する金属拡張部を形成するように、前記金属の層をエッチングすることを更に含む、方法。
- 請求項18に記載の方法であって、前記金属ソースの一部が、前記金属ゲートの一部の直上で前記パッシベーション層に接する、方法。
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