JP2015181162A5 - - Google Patents

Claims (2)

1. トランジスタを有する半導体装置の作製方法であって、
   略平面を有する基板上に酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜を選択的にエッチングして、酸化物半導体層を形成し、
   前記酸化物半導体層に酸素イオンを注入し、
   前記酸化物半導体層上に絶縁層を形成し、
   前記酸化物半導体層を加熱処理して、前記酸化物半導体層中に酸素を拡散させる工程を有し、
   前記酸素イオンの注入は、前記略平面に対して垂直な角度（θ）を０°、前記略平面に対して平行な角度（θ）を９０°としたとき、１０°＜θ＜８５°の角度から、前記トランジスタのチャネル幅方向の略平面に対して垂直な断面における側面と、前記酸化物半導体層の上面とに対して行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. トランジスタを有する半導体装置の作製方法であって、
   略平面を有する基板上に酸化物半導体膜を形成し、
   前記酸化物半導体膜を選択的にエッチングして、酸化物半導体層を形成し、
   前記酸化物半導体層上に絶縁層を形成し、
   前記絶縁層を介して前記酸化物半導体層に酸素イオンを注入し、
   前記酸化物半導体層を加熱処理して、前記酸化物半導体層中に酸素を拡散させ工程を有し、
   前記酸素イオンの注入は、前記略平面に対して垂直な角度（θ）を０°、前記略平面に対して平行な角度（θ）を９０°としたとき、１０°＜θ＜８５°の角度から、前記トランジスタのチャネル幅方向の略平面に対して垂直な断面における側面と、前記酸化物半導体層の上面とに対して行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。