JP2015170792A5 - - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 152
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014046042A JP6135559B2 (ja) | 2014-03-10 | 2014-03-10 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法ならびに半導体素子 |
| US14/633,363 US10320146B2 (en) | 2014-03-10 | 2015-02-27 | Semiconductor light-emitting element, manufacturing method of semiconductor light-emitting element, and semiconductor device |
| US16/296,636 US10541511B2 (en) | 2014-03-10 | 2019-03-08 | Semiconductor light-emitting element, manufacturing method of semiconductor light-emitting element, and semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014046042A JP6135559B2 (ja) | 2014-03-10 | 2014-03-10 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法ならびに半導体素子 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015170792A JP2015170792A (ja) | 2015-09-28 |
| JP2015170792A5 true JP2015170792A5 (enExample) | 2016-04-07 |
| JP6135559B2 JP6135559B2 (ja) | 2017-05-31 |
Family
ID=54018344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014046042A Active JP6135559B2 (ja) | 2014-03-10 | 2014-03-10 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法ならびに半導体素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US10320146B2 (enExample) |
| JP (1) | JP6135559B2 (enExample) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102642019B1 (ko) * | 2016-12-30 | 2024-02-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 그를 포함하는 발광 장치 |
| EP4053881B1 (en) * | 2019-10-29 | 2024-10-09 | Kyocera Corporation | Semiconductor element and method for producing semiconductor element |
| CN114171646B (zh) * | 2020-09-11 | 2023-05-26 | 成都辰显光电有限公司 | 微发光二极管及其制备方法 |
| KR102736717B1 (ko) * | 2021-03-09 | 2024-12-05 | 주식회사 레이아이알 | 레이저 소자 |
Family Cites Families (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3068303B2 (ja) * | 1992-01-17 | 2000-07-24 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子 |
| JP3060973B2 (ja) | 1996-12-24 | 2000-07-10 | 日本電気株式会社 | 選択成長法を用いた窒化ガリウム系半導体レーザの製造方法及び窒化ガリウム系半導体レーザ |
| JPH1168227A (ja) * | 1997-08-21 | 1999-03-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 面発光レーザ |
| JP4114223B2 (ja) * | 1997-12-05 | 2008-07-09 | ソニー株式会社 | 自励発振型半導体レーザの動作方法 |
| US6064683A (en) * | 1997-12-12 | 2000-05-16 | Honeywell Inc. | Bandgap isolated light emitter |
| JP4166885B2 (ja) * | 1998-05-18 | 2008-10-15 | 富士通株式会社 | 光半導体装置およびその製造方法 |
| JP3206555B2 (ja) * | 1998-08-13 | 2001-09-10 | 日本電気株式会社 | 窒化ガリウム系半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2001007443A (ja) * | 1999-06-25 | 2001-01-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
| JP2002064247A (ja) * | 2000-08-17 | 2002-02-28 | Sony Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| JP2002094169A (ja) * | 2000-09-12 | 2002-03-29 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化物系半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| JP2002141613A (ja) * | 2000-11-06 | 2002-05-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| US6905900B1 (en) * | 2000-11-28 | 2005-06-14 | Finisar Corporation | Versatile method and system for single mode VCSELs |
| JP2003347677A (ja) * | 2002-05-29 | 2003-12-05 | Sony Corp | 半導体レーザ素子 |
| JP5028640B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2012-09-19 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子 |
| JP4571476B2 (ja) * | 2004-10-18 | 2010-10-27 | ローム株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP4601391B2 (ja) * | 2004-10-28 | 2010-12-22 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体素子およびその製造方法 |
| JP5056142B2 (ja) * | 2006-05-11 | 2012-10-24 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子の製造方法及び窒化物半導体レーザ素子 |
| JP2007049209A (ja) * | 2006-11-21 | 2007-02-22 | Mitsubishi Chemicals Corp | 半導体光デバイス装置およびその製造方法 |
| JP5228363B2 (ja) * | 2007-04-18 | 2013-07-03 | ソニー株式会社 | 発光素子 |
| CN101855798B (zh) * | 2007-11-08 | 2013-02-27 | 日亚化学工业株式会社 | 半导体激光器元件 |
| JP5115525B2 (ja) * | 2009-08-03 | 2013-01-09 | 横浜ゴム株式会社 | 熱可塑性エラストマー組成物 |
| JP2011096856A (ja) * | 2009-10-29 | 2011-05-12 | Sony Corp | 半導体レーザ |
| JP2011165869A (ja) * | 2010-02-09 | 2011-08-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| US20110286484A1 (en) * | 2010-05-24 | 2011-11-24 | Sorra, Inc. | System and Method of Multi-Wavelength Laser Apparatus |
| JP2012195341A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Ricoh Co Ltd | 面発光型レーザ素子とその製造方法、面発光型レーザアレイ素子、光走査装置、ならびに画像形成装置 |
| US9196803B2 (en) * | 2011-04-11 | 2015-11-24 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same |
| JP2013045845A (ja) * | 2011-08-23 | 2013-03-04 | Fuji Xerox Co Ltd | 面発光型半導体レーザ、面発光型半導体レーザ装置、光伝送装置および情報処理装置 |
| JP5699983B2 (ja) * | 2012-04-27 | 2015-04-15 | 住友電気工業株式会社 | 窒化ガリウム系半導体を作製する方法、iii族窒化物半導体デバイスを作製する方法、及びiii族窒化物半導体デバイス |
| JP5607106B2 (ja) * | 2012-05-15 | 2014-10-15 | 株式会社東芝 | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
| WO2014125116A1 (en) * | 2013-02-18 | 2014-08-21 | Innolume Gmbh | Single-step-grown transversely coupled distributed feedback laser |
| US9882352B2 (en) * | 2014-06-20 | 2018-01-30 | Sony Corporation | Light emitting element |
| JP6700027B2 (ja) * | 2015-11-20 | 2020-05-27 | スタンレー電気株式会社 | 垂直共振器型発光素子 |
-
2014
- 2014-03-10 JP JP2014046042A patent/JP6135559B2/ja active Active
-
2015
- 2015-02-27 US US14/633,363 patent/US10320146B2/en active Active
-
2019
- 2019-03-08 US US16/296,636 patent/US10541511B2/en active Active
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