JP5607106B2 - 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
窒化物半導体発光素子およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5607106B2 JP5607106B2 JP2012111397A JP2012111397A JP5607106B2 JP 5607106 B2 JP5607106 B2 JP 5607106B2 JP 2012111397 A JP2012111397 A JP 2012111397A JP 2012111397 A JP2012111397 A JP 2012111397A JP 5607106 B2 JP5607106 B2 JP 5607106B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- nitride semiconductor
- emitting device
- semiconductor light
- algan
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Description
11 基板
12 GaN層
13 n型GaNクラッド層
14 MQW活性層
15 GaN障壁層
16 InGaN井戸層
17 GaNキャップ層
18 AlGaNキャップ層
19 p型AlGaN電子障壁層
20 p型GaNクラッド層
21 p型GaNコンタクト層
22 p側電極
23 n側電極
Claims (3)
- n型窒化物半導体を有する第1クラッド層と、
前記第1クラッド層上に形成され、Inを含む窒化物半導体を有し、障壁層と井戸層が交互に積層された多重量子井戸構造の活性層と、
前記活性層上に前記障壁層を形成する温度と同じ第1の温度で形成され、Mg濃度が1E18cm−3以下のGaN層と、
前記GaN層上に前記第1の温度で形成され、第1のAl組成比が0より大きく0.01以下、Mg濃度が1E18cm−3以下、厚さが前記GaN層の厚さより薄い第1AlGaN層と、
前記第1AlGaN層上に形成され、前記第1のAl組成比より高い第2のAl組成比を有し、且つ前記GaN層および前記第1AlGaN層より多量にMgを含有するp型第2AlGaN層と、
前記第2AlGaN層上に形成され、p型窒化物半導体を有する第2クラッド層と、
を具備することを特徴とする窒化物半導体発光素子。 - 前記GaN層に接する層が前記井戸層であることを特徴とする請求項1に記載の窒化物半導体発光素子。
- n型窒化物半導体を有する第1クラッド層上に、Inを含む窒化物半導体を有し、障壁層と井戸層が交互に積層された多重量子井戸構造の活性層を形成する工程と、
前記活性層上に、Mg濃度が1E18cm−3以下のGaN層および第1のAl組成比が0より大きく0.01以下、Mg濃度が1E18cm−3以下、厚さが前記GaN層の厚さより薄い第1AlGaN層を順に、有機金属気相成長法により前記障壁層を形成する温度と同じ第1の成長温度、窒素ガス雰囲気およびMgを無添加で形成する工程と、
前記第1AlGaN層上に、前記第1のAl組成比より大きい第2のAl組成比を有する第2AlGaN層を、有機金属気相成長法により前記第1の成長温度より高い第2の成長温度、水素ガスを主成分とする雰囲気およびMgを添加して形成する工程と、
前記第2AlGaN層上に、p型窒化物半導体を有する第2クラッド層を形成する工程と、
を具備することを特徴とする窒化物半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012111397A JP5607106B2 (ja) | 2012-05-15 | 2012-05-15 | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012111397A JP5607106B2 (ja) | 2012-05-15 | 2012-05-15 | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011540650A Division JP5060656B2 (ja) | 2009-12-21 | 2009-12-21 | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012151512A JP2012151512A (ja) | 2012-08-09 |
JP5607106B2 true JP5607106B2 (ja) | 2014-10-15 |
Family
ID=46793393
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012111397A Active JP5607106B2 (ja) | 2012-05-15 | 2012-05-15 | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5607106B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2015043413A (ja) * | 2013-07-22 | 2015-03-05 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
JP6135559B2 (ja) * | 2014-03-10 | 2017-05-31 | ソニー株式会社 | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法ならびに半導体素子 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3446660B2 (ja) * | 1999-06-04 | 2003-09-16 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子 |
JP4628651B2 (ja) * | 2003-04-02 | 2011-02-09 | 日亜化学工業株式会社 | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
JP4412918B2 (ja) * | 2003-05-28 | 2010-02-10 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法 |
JP4835010B2 (ja) * | 2005-03-17 | 2011-12-14 | パナソニック株式会社 | 窒化ガリウム系化合物半導体発光ダイオードおよび照明装置 |
CN101154796A (zh) * | 2006-09-27 | 2008-04-02 | 三菱电机株式会社 | 半导体发光元件 |
-
2012
- 2012-05-15 JP JP2012111397A patent/JP5607106B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2012151512A (ja) | 2012-08-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5060656B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 | |
US9331234B2 (en) | Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device | |
JP6193443B2 (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 | |
TWI659547B (zh) | Iii族氮化物半導體發光元件的製造方法 | |
JP5306254B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
US9373750B2 (en) | Group III nitride semiconductor light-emitting device | |
JP2016171127A (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP6001446B2 (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
JP2011023539A (ja) | Iii族窒化物半導体光素子 | |
JP6654731B1 (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 | |
TWI666790B (zh) | Iii族氮化物半導體發光元件的製造方法及iii族氮化物半導體發光元件 | |
JP2007227832A (ja) | 窒化物半導体素子 | |
US8633469B2 (en) | Group III nitride semiconductor light-emitting device | |
JP2012248763A (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子の製造方法 | |
JP5607106B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP2009224370A (ja) | 窒化物半導体デバイス | |
US20210305451A1 (en) | Method of manufacturing nitride semiconductor device | |
JP2013055293A (ja) | Iii族窒化物半導体発光素子およびその製造方法 | |
KR20090002195A (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR101903360B1 (ko) | 반도체 발광소자 | |
JP2012256948A (ja) | 半導体発光素子 | |
US20150236198A1 (en) | Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device And Production Method Therefor | |
JP2017157774A (ja) | 半導体発光素子、及びその製造方法 | |
JP2010027708A (ja) | 窒化物半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120528 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121220 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121226 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130924 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131008 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140801 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140827 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 5607106 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |