JP2015164170A - チップ部品およびその製造方法、ならびに当該チップ部品を備えた回路アセンブリおよび電子機器 - Google Patents
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- H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
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- H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
- H01L2221/68313—Auxiliary support including a cavity for storing a finished device, e.g. IC package, or a partly finished device, e.g. die, during manufacturing or mounting
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- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
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- H01L2224/0501—Shape
- H01L2224/05016—Shape in side view
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- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/05001—Internal layers
- H01L2224/0502—Disposition
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- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/05001—Internal layers
- H01L2224/0502—Disposition
- H01L2224/05023—Disposition the whole internal layer protruding from the surface
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- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
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- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05552—Shape in top view
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- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0555—Shape
- H01L2224/05556—Shape in side view
- H01L2224/05557—Shape in side view comprising protrusions or indentations
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- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0556—Disposition
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- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0556—Disposition
- H01L2224/05562—On the entire exposed surface of the internal layer
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- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0556—Disposition
- H01L2224/05567—Disposition the external layer being at least partially embedded in the surface
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- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/0556—Disposition
- H01L2224/05568—Disposition the whole external layer protruding from the surface
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- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05575—Plural external layers
- H01L2224/0558—Plural external layers being stacked
- H01L2224/05582—Two-layer coating
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- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
- H01L2224/0554—External layer
- H01L2224/05599—Material
- H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/05644—Gold [Au] as principal constituent
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- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/0605—Shape
- H01L2224/06051—Bonding areas having different shapes
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- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
- H01L2224/061—Disposition
- H01L2224/0612—Layout
- H01L2224/0615—Mirror array, i.e. array having only a reflection symmetry, i.e. bilateral symmetry
- H01L2224/06151—Mirror array, i.e. array having only a reflection symmetry, i.e. bilateral symmetry being uniform, i.e. having a uniform pitch across the array
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- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/3201—Structure
- H01L2224/32012—Structure relative to the bonding area, e.g. bond pad
- H01L2224/32013—Structure relative to the bonding area, e.g. bond pad the layer connector being larger than the bonding area, e.g. bond pad
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- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/3205—Shape
- H01L2224/32052—Shape in top view
- H01L2224/32054—Shape in top view being rectangular or square
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- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/3205—Shape
- H01L2224/32057—Shape in side view
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- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32104—Disposition relative to the bonding area, e.g. bond pad
- H01L2224/32105—Disposition relative to the bonding area, e.g. bond pad the layer connector connecting bonding areas being not aligned with respect to each other
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Abstract
Description
これらの判定項目のうち、極性検査は、たとえば、チップ部品に形成された標印が、検査装置の所定位置にある極性検査ウィンドウに予め設定された値以上の色(たとえば、白色や水色等)で検出されるか否かによって行われ、検出された場合に「良品」と判定される。
そこで、本発明は、生産性の低下を抑制しながら、極性方向を精度よく判定することができるチップ部品およびその製造方法を提供することを主たる目的とする。
この構成によれば、チップ部品が実装基板に実装された際に、貫通孔の位置に基づいて一方の電極および他方の電極のそれぞれの位置を確認することができる。これにより、一対の電極に極性がある場合に、その極性方向を簡単に判定することができる。しかも、その極性判定は、検査装置で検出される明るさや色合いに基づいて行われるものではなく、実装基板に対するチップ部品の傾きが変わっても不変な貫通孔(貫通孔の外観形状)に基づいて行われる。したがって、外観検査工程において、たとえチップ部品が傾いた姿勢で実装された実装基板や、水平な姿勢で実装された実装基板が混在する場合であっても、当該貫通孔に基づくことによって、実装基板毎に検査装置の検出系統等を最適化することなしに、安定した品質で極性方向を判定することができる。
前記チップ部品において、前記一方の電極は、当該一方の電極の中央部を避けた位置で前記貫通孔と重なっていることが好ましい。この構成によれば、プローブによる電気テストを行う際に、プローブと一方の電極との接触位置を一方の電極の中央部に設定することにより、プローブの先端が貫通孔に入り込むことを効果的に抑制することができる。その結果、電気テストを良好に行うことができる。
この構成によれば、基板の表面に加えて側面にも電極が形成されているので、チップ部品を実装基板にはんだ付けする際の接着面積を拡大することができる。その結果、電極に対するはんだの吸着量を増やすことができるので、接着強度を向上させることができる。また、はんだが基板の表面から側面に回り込むように吸着するので、実装状態において、基板の表面および側面の二方向からチップ部品を保持できる。そのため、チップ部品の実装形状を安定化させることができる。
前記チップ部品において、前記素子は、前記一対の電極の間に形成されていることが好ましい。
この構成によれば、チップ部品は、複数の回路素子が共通の基板上に配置された複合チップ部品を構成している。複合チップ部品によれば、実装基板に対する接合面積(実装面積)を縮小できる。また、複合チップ部品をN連チップ(Nは、正の整数)としたことによって、素子を一つだけ搭載したチップ部品をN回実装する場合に比べて、同じ機能を有するチップ部品を1回の工程で実装できる。さらに、単品のチップ部品に比べて、チップ部品一つ当たりの面積を大きくできるので、自動実装機の吸着ノズルによる吸着動作を安定させることができる。
この構成によれば、基板に形成された貫通孔は、カソード電極を示すカソードマーク、またはアノード電極を示すアノードマークとして機能する。したがって、チップ部品が実装基板に実装された際に、カソード電極とアノード電極が逆向きに実装されている場合であっても、貫通孔の位置に基づいてチップ部品の極性方向を判定できる。そのため、ダイオードを含むチップ部品を実装基板に実装する際の信頼性をより一層高めることができる。
この構成によれば、チップ部品の裏面が鏡面化されているので、検査装置から当該裏面に入射した光を効率よく反射させることができる。そのため、実装基板に対するチップ部品の傾き具合が異なる様々な実装基板を検査する場合に、ある傾きを他の傾きと区別するための情報(反射光の明るさや色合い)を、検査装置に良好に反映させることができる。その結果、チップ部品の傾きを良好に検出することができる。とくに、本発明では、極性方向の判定の指標としてチップ部品からの反射光の情報を省略できるので、このような裏面の鏡面化によってチップ部品の極性方向の判定精度が低下することを防止することができる。
この構成によれば、チップ部品の外部接続電極として機能する電極の最表面には、Au層が形成されている。そのため、チップ部品を実装基板に実装する際に、優れたはんだ濡れ性と、高い信頼性とを達成できる。また、この構成の電極では、Au層を薄くすることによってAu層に貫通孔(ピンホール)ができてしまっても、Ni層とAu層との間に介装されたPd層が当該貫通孔を塞いでいるので、当該貫通孔からNi層が外部に露出されて酸化することを防止できる。
この構成によれば、本発明のチップ部品を備えているので、チップ部品の極性方向に誤りがなく、信頼性の高い電子回路を有する回路アセンブリを提供できる。
この構成によれば、本発明のチップ部品を備えているので、チップ部品の極性方向に誤りがなく、信頼性の高い電子回路を有する電子機器を提供できる。
本発明の一局面に係るチップ部品の製造方法は、基板上に複数の素子を互いに間隔を空けて形成する工程と、少なくとも一つの前記素子を含むチップ領域を区画する溝と、当該チップ領域内に貫通孔を形成するための貫通孔用の溝とを、前記基板を選択的に除去することによって形成する溝形成工程と、前記素子に電気的に接続されるように、前記チップ領域において前記貫通孔と重なる位置に一方の電極と、前記一方の電極と前記基板の表面に沿って対向する他方の電極とを含む一対の電極を形成する電極形成工程と、前記基板を前記表面の反対側の裏面から前記溝および前記貫通孔用の溝に到達するまで研削することにより、前記複数のチップ領域を前記溝に沿って分割し、それぞれに前記貫通孔が形成された複数のチップ部品に個片化する工程とを含む。
この方法によれば、貫通孔および開口部によって、一方の電極が形成された極性方向を確実に示すことができるチップ部品を製造できる。
前記チップ部品の製造方法において、前記電極形成工程において、前記一方の電極を、当該一方の電極の中央部を避けた位置で前記貫通孔と重なるように形成する工程を含んでいてもよい。
前記チップ部品の製造方法において、前記電極形成工程に先立って、前記溝の側面に絶縁膜を形成する工程をさらに含み、前記電極形成工程は、無電解めっきによって、前記チップ領域の表面および前記溝の側面を一体的に覆うように前記一方の電極および前記他方の電極を形成する工程を含んでいてもよい。
この方法によれば、複数の貫通孔によって、一方の電極の位置を示すことができるチップ部品を製造できる。これにより、チップ部品が実装基板に実装された際に、複数の貫通孔の位置に基づいて一方の電極および他方の電極のそれぞれの位置をより一層容易に確認することができる。
前記チップ部品の製造方法において、前記素子を形成する工程は、前記基板にダイオードを形成する工程を含み、前記一対の電極を形成する工程は、前記ダイオードのカソードおよびアノードとそれぞれ電気的に接続されるカソード電極およびアノード電極を形成する工程を含んでいてもよい。
<第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態に係るチップ部品1の模式的な斜視図である。なお、図1では、説明の便宜上、後述する第1および第2接続電極3,4をクロスハッチングで示している。
基板2は、略直方体のチップ形状である。基板2において図1における上面をなす一つの表面は、素子形成面2Aである。素子形成面2Aは、基板2において回路素子が形成される表面であり、略長方形状である。基板2の厚さ方向において素子形成面2Aとは反対側の面は、裏面2Bである。素子形成面2Aと裏面2Bとは、略同寸法かつ同形状であり、互いに平行である。素子形成面2Aにおける一対の長辺81および短辺82によって区画された矩形状の縁を、周縁部85ということにし、裏面2Bにおける一対の長辺81および短辺82によって区画された矩形状の縁を、周縁部90ということにする。素子形成面2A(裏面2B)に直交する法線方向から見ると、周縁部85と周縁部90とは、重なっている。
側面2Cは、素子形成面2Aおよび裏面2Bにおける長手方向一方側(図1における左手前側)の短辺82間に架設されていて、側面2Dは、素子形成面2Aおよび裏面2Bにおける長手方向他方側(図1における右奥側)の短辺82間に架設されている。側面2Cおよび側面2Dは、当該長手方向における基板2の両端面である。側面2Eは、素子形成面2Aおよび裏面2Bにおける短手方向一方側(図1における左奥側)の長辺81間に架設されていて、側面2Fは、素子形成面2Aおよび裏面2Bにおける短手方向他方側(図1における右手前側)の長辺81間に架設されている。側面2Eおよび側面2Fは、当該短手方向における基板2の両端面である。側面2Cおよび側面2Dのそれぞれは、側面2Eおよび側面2Fのそれぞれと交差(詳しくは、直交)している。そのため、素子形成面2A〜側面2Fにおいて隣り合うもの同士が直角をなしている。
基板2では、素子形成面2A、側面2C〜2F、および貫通孔6の壁面66のそれぞれの全域がパッシベーション膜23で覆われている。そのため、厳密には、図1では、素子形成面2A、側面2C〜2F、および貫通孔6の壁面66のそれぞれの全域は、パッシベーション膜23の内側(裏側)に位置していて、外部に露出されていない。さらに、チップ部品1は、樹脂膜24を有している。樹脂膜24は、素子形成面2A上のパッシベーション膜23の全域(周縁部85およびその内側領域)を覆っている。パッシベーション膜23および樹脂膜24については、以降で詳説する。
第1接続電極3は、平面視における4辺をなす一対の長辺3Aおよび一対の短辺3B、ならびに周縁部86を有している。第1接続電極3の長辺3Aと短辺3Bとは平面視において直交している。第1接続電極3の周縁部86は、基板2の素子形成面2A上において周縁部85を覆うように、素子形成面2Aおよび側面2C,2E,2Fに跨るように一体的に形成されている。本実施形態では、周縁部86は、基板2の側面2C,2E,2F同士が交わる各コーナー部11を覆うように形成されている。
素子領域5には、回路素子が形成されている。回路素子は、基板2の素子形成面2Aにおける第1接続電極3と第2接続電極4との間の領域に形成されていて、パッシベーション膜23および樹脂膜24によって上から被覆されている。
チップ部品1は、基板2と、基板2に形成された複数のダイオードセルD101〜D104と、これらの複数のダイオードセルD101〜D104を並列に接続するカソード電極膜103およびアノード電極膜104とを含む。カソード電極膜103には、第1接続電極3が接続され、アノード電極膜104には、第2接続電極4が接続されている。つまり、本実施形態では、第1接続電極3はカソード電極であり、第2接続電極4はアノード電極である。したがって、図1において説明した貫通孔6(開口部63)は、本実施形態では、第2接続電極4の極性方向を示すアノードマークAM1として機能する。
図5は、図1に示すチップ部品において、カソード電極膜103およびアノード電極膜104ならびにその上に形成された構成を取り除いて、基板2の表面の構造を示す平面図である。ダイオードセルD101〜D104の各領域内には、それぞれ、p+型の基板2の表層領域にn+型領域110が形成されている。n+型領域110は、個々のダイオードセル毎に分離されている。これにより、ダイオードセルD101〜D104は、ダイオードセル毎に分離されたpn接合領域111をそれぞれ有している。
まず、図8Aに示すように、基板2の元となるp+型の基板30を用意する。この場合、基板30の表面30Aは、基板2の素子形成面2Aであり、基板30の裏面30Bは、基板2の裏面2Bである。この基板30の表面30A側に、ダイオードセルD101〜D104が単位素子として、互いに間隔を空けて複数形成される。
次に、図8Bに示すように、たとえばスパッタリングによって、カソード電極膜103およびアノード電極膜104を構成する電極膜が絶縁膜115上に形成される。そして、この電極膜上に、スリット118に対応する開口パターンを有するレジスト膜が形成され、このレジスト膜を介するエッチングによって、電極膜にスリット118が形成される。これにより、前記電極膜がカソード電極膜103およびアノード電極膜104に分離される。
図9は、図8Dの工程において溝45および貫通孔用の溝46を形成するために用いられるレジストパターン41の一部の模式的な平面図である。なお、図9では、説明の便宜上、レジストパターン41が形成された領域をクロスハッチングで示している。
次に、図8Eに示すように、レジストパターン41をマスクとするプラズマエッチングにより、基板30を選択的に除去する。これにより、平面視においてレジストパターン41の開口42および開口43と一致する位置には、基板30の表面30Aから基板30の厚さ途中まで到達する所定深さの溝45および貫通孔用の溝46が形成される。溝45は、互いに対向する一対の側壁と、当該一対の側壁の下端(基板30の裏面30B側の端)の間を結ぶ底壁とによって区画されている。一方、貫通孔用の溝46は、4つの壁面と当該4つの壁面の下端(基板30の裏面30B側の端)の間を結ぶ底壁とによって区画されている。
次に、図8Gに示すように、図10に示す工程によって、各切欠部122,123から露出したカソードパッド105およびアノードパッド106(カソード電極膜103およびアノード電極膜104)からNi、PdおよびAuを順にめっき成長させる。めっきは、各めっき膜が表面30Aに沿う横方向に成長し、溝45および貫通孔用の溝46の側壁上の絶縁膜47を覆うまで続けられる。これにより、Ni/Pd/Au積層膜からなる第1および第2接続電極3,4を形成する。
まず、カソードパッド105およびアノードパッド106の表面が浄化されることで、当該表面の有機物(炭素のしみ等のスマットや油脂性の汚れも含む)が除去(脱脂)される(ステップS1)。次に、当該表面の酸化膜が除去される(ステップS2)。次に、当該表面においてジンケート処理が実施されて、当該表面における(電極膜の)AlがZnに置換される(ステップS3)。次に、当該表面上のZnが硝酸等で剥離されて、各パッド105,106では、新しいAlが露出される(ステップS4)。
次に、Ni層33を別のめっき液に浸けることによって、当該Ni層33の表面にPdめっきが施される。これにより、めっき液中のPdが化学的に還元析出されて、当該Ni層33の表面にPd層34が形成される(ステップS6)。
具体的には、図8Hに示すように、溝45および貫通孔用の溝46を形成した後に、PET(ポリエチレンテレフタレート)からなる薄板状であって粘着面72を有する支持テープ71が、粘着面72において、各半製品50における第1および第2接続電極3,4側(つまり、表面30A)に貼着される。これにより、各半製品50が支持テープ71に支持される。ここで、支持テープ71として、たとえば、ラミネートテープを用いることができる。
図11A〜図11Dは、図8Hの工程後におけるチップ部品1の回収工程を示す図解的な断面図である。
シート本体74の粘着力は、支持テープ71の粘着面72における粘着力よりも強い。そこで、各チップ部品1の基板2の裏面2Bに熱発泡シート73を貼着した後に、図11Cに示すように、支持テープ71を各チップ部品1から引き剥がして、チップ部品1を熱発泡シート73に転写する。このとき、支持テープ71に紫外線を照射すると(図11Bの点線矢印参照)、粘着面72の粘着性が低下するので、支持テープ71が各チップ部品1から剥がれやすくなる。
図12A〜図12Cは、図8Hの工程後におけるチップ部品1の回収工程(変形例)を示す図解的な断面図である。
図12Aでは、図11Aと同様に、個片化された複数のチップ部品1が引き続き支持テープ71にくっついている状態を示している。この状態で、図12Bに示すように、各チップ部品1の基板2の裏面2Bに転写テープ77を貼着する。転写テープ77は、支持テープ71の粘着面72よりも強い粘着力を有する。そこで、図12Cに示すように、各チップ部品1に転写テープ77を貼着した後に、支持テープ71を各チップ部品1から引き剥がす。この際、前述したように、粘着面72の粘着性を低下させるために支持テープ71に紫外線(図12Bの点線矢印参照)を照射してもよい。
図13に示すように、チップ部品1は、実装基板9に実装される。この状態におけるチップ部品1および実装基板9は、回路アセンブリ100を構成している。図13における実装基板9の上面は、実装面9Aである。実装面9Aには、実装基板9の内部回路(図示せず)に接続された一対(2つ)のランド88が形成されている。各ランド88は、たとえば、Cuからなる。各ランド88の表面には、はんだ13が当該表面から突出するように設けられている。
図13に示すように、断面視においては、たとえば、第1および第2接続電極3,4は、素子形成面2A上の表面部分と側面2C〜2F上の側面部分とが一体的になって略L字状に形成されている。そのため、図14に示すように、実装面9A(素子形成面2A)の法線方向(これらの面に直交する方向)から回路アセンブリ100(厳密には、チップ部品1と実装基板9との接合部分)を見てみると、第1接続電極3と一方のランド88とを接合するはんだ13は、第1接続電極3の表面部分だけでなく、側面部分にも吸着している。同様に、第2接続電極4と他方のランド88とを接合するはんだ13も、第2接続電極4の表面部分だけでなく、側面部分にも吸着している。
参考例に係るチップ部品10の極性検査は、たとえば、アノードマークAM2(標印)が、自動光学検査装置91の所定位置にある極性検査ウィンドウに予め設定された値以上の色(たとえば、白色や水色等)で検出されるか否かによって行われ、検出された場合に「良品」と判定される。
これに対して、本発明に係るチップ部品1には、図1および図2に示すように、基板2には、アノードマークAM1としての貫通孔6が形成されている。そのため、チップ部品1が実装基板9に実装された際に、貫通孔6の位置に基づいて第1および第2接続電極3,4のそれぞれの位置を確認することができる。これにより、第1および第2接続電極3,4の極性方向を簡単に判定することができる。しかも、その極性判定は、自動光学検査装置91で検出される明るさや色合いに基づいて行われるものではなく、実装基板9に対するチップ部品1の傾きが変わっても不変な貫通孔6の形状に基づいて行われる。したがって、極性検査工程において、たとえチップ部品1が傾いた姿勢で実装された実装基板9や、水平な姿勢で実装された実装基板9が混在する場合であっても、貫通孔6(貫通孔6の外観形状)に基づくことによって、実装基板9毎に自動光学検査装置91の検出系統(部品認識カメラ14等)を最適化することなしに、安定した品質で極性方向を判定することができる。
また、チップ部品1の裏面2Bの鏡面性を高くしても、自動光学検査装置91から裏面2Bに入射した光を効率よく反射させることができる。そのため、実装基板9に対するチップ部品1の傾き具合が異なる様々な実装基板9を検査する場合に、ある傾きを他の傾きと区別するための情報(反射光の明るさや色合い)を、自動光学検査装置91に良好に反映させることができる。その結果、チップ部品1の傾きを良好に検出することができる。とくに、本発明では、極性方向の判定の指標としてチップ部品1からの反射光の情報を省略できるので、このような裏面2Bの鏡面化によってチップ部品1の極性方向の判定精度が低下することを防止することができる。
以上のように、チップ部品1の構成によれば、生産性の低下を抑制しながら、極性方向を精度よく判定できるので、チップ部品1の極性方向に誤りがなく、信頼性の高い電子回路を有する回路アセンブリ100を提供できる。また、このような回路アセンブリ100を含む電子機器を提供できる。
<第2実施形態>
図17は、本発明の第2実施形態に係るチップ部品201の構成を説明するための平面図である。図18は、図17に示す切断面線XVIII−XVIIIから見た断面図である。
基板2の長手方向の両端部にカソードパッド235およびアノードパッド236がそれぞれ配置されている。これらのカソードパッド235およびアノードパッド236の間に矩形形状のダイオードセル領域237が設定されている。このダイオードセル領域237内に、複数のダイオードセルD201〜D204が二次元配列されている。本実施形態では、複数のダイオードセルD201〜D204は、基板2の長手方向および短手方向に沿ってマトリックス状に等間隔で配列されている。
<第3実施形態>
図19は、本発明の第3実施形態に係るチップ部品401の平面図である。図20は、図19に示す切断面線XX−XXから見た断面図である。図21は、図19に示す切断面線XXI−XXIから見た断面図である。
図19および図22を参照して、基板2(p+型の半導体基板)の表層領域には、基板2との間にそれぞれpn接合領域411を形成する複数の第1のn+型拡散領域(以下、「第1拡散領域410」という)が形成されている。また、基板2の表層領域には、基板2との間にそれぞれpn接合領域413を形成する複数の第2のn+型拡散領域(以下、「第2拡散領域412」という)が形成されている。
図24Bは、第1接続電極および第1拡散領域と第2接続電極および第2拡散領域とが互いに非対称に構成されている双方向ツェナーダイオードチップについて、各電流方向に対する電圧対電流特性を測定した実験結果を示すグラフである。
本実施形態の双方向ツェナーダイオードでは、第1接続電極3を正極とし第2接続電極4を負極として電圧を印加した場合の電圧対電流特性および第2接続電極4を正極とし第1接続電極3を負極として電圧を印加した場合の電圧対電流特性は、ともに図24Aに実線で示すような特性となった。つまり、本実施形態の双方向ツェナーダイオードでは、各電流方向に対する電圧対電流特性が実質的に等しくなった。
前記各周囲長が400μm以上に形成されているので、後に図25を用いて説明するように、ESD耐量の大きい双方向ツェナーダイオードチップを実現できる。また、前記各周囲長が1500μm以下に形成されているので、後に図26を用いて説明するように、第1接続電極3と第2接続電極4との間の容量(端子間容量)の小さな双方向ツェナーダイオードチップを実現できる。より具体的には、端子間容量が30[pF]以下の双方向ツェナーダイオードチップを実現できる。各周囲長は、500μm以上でかつ1000μm以下に形成されていることがより好ましい。
図27は、図19に示すチップ部品401の製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。
次に、たとえばスパッタリングによって、第1電極膜403および第2電極膜404を構成する電極膜が絶縁膜115上に形成される(ステップS18)。本実施形態では、Alからなる電極膜が形成される。そして、この電極膜上に、スリット418に対応する開口パターンを有する別のレジストマスクが形成され(ステップS19)、このレジストマスクを介するエッチング(たとえば反応性イオンエッチング)によって、電極膜にスリット418が形成される(ステップS20)。これにより、電極膜が、第1電極膜403および第2電極膜404に分離される。
本実施形態では、基板2がp型の半導体基板からなっているので、基板2上にエピタキシャル層を形成しなくても、安定した特性を実現できる。すなわち、n型の半導体基板は抵抗率の面内ばらつきが大きいので、n型の半導体基板を用いるときには、その表面に抵抗率の面内ばらつきの少ないエピタキシャル層を形成し、このエピタキシャル層に不純物拡散層を形成してpn接合を形成する必要がある。これは、n型不純物の偏析係数が小さいために、基板の元となるインゴット(たとえばシリコンインゴット)を形成するときに、基板の中心部と周縁部とで抵抗率の差が大きくなるからである。これに対して、p型不純物の偏析係数は比較的大きいので、p型の半導体基板は抵抗率の面内ばらつきが少ない。したがって、p型の半導体基板を用いることによって、エピタキシャル層を形成することなく、安定した特性の双方向ツェナーダイオードを基板のいずれの箇所からも切り出すことができる。よって、p型の半導体基板として基板2を用いることによって、製造工程を簡単にでき、かつ製造コストを低減できる。
図28Aに示すチップ部品401Aでは、第1拡散領域410および第2拡散領域412は1個ずつ形成されている。第1ツェナーダイオードD401は、第1拡散領域410に対応する1個のツェナーダイオードから構成されている。第2ツェナーダイオードD402は、第2拡散領域412に対応する1個のツェナーダイオードから構成されている。第1拡散領域410および第2拡散領域412とは、基板2の長手方向に長い略矩形であり、基板2の短手方向に間隔をおいて配置されている。第1拡散領域410および第2拡散領域412の長手方向の長さは、比較的短く(第1パッド405と第2パッド406との間隔の1/2より短く)形成されている。第1拡散領域410および第2拡散領域412の間隔は、拡散領域410,412の幅よりも短く設定されている。
第1接続電極3および第1拡散領域410と第2接続電極4および第2拡散領域412とは、平面視において、素子形成面2Aの重心に対して点対称に構成されている。なお、第1接続電極3および第1拡散領域410と第2接続電極4および第2拡散領域412とが、実質的に線対称に構成されているとみなすことができる。つまり、第1引き出し電極L411と第2引き出し電極L421とが略同じ位置にあるとみなすと、第1接続電極3および第1拡散領域410と第2接続電極4および第2拡散領域412とは、平面視において、素子形成面2Aの短手方向に平行でかつ長手方向中央を通る直線に対して線対称に構成されているとみなすことができる。
<第4実施形態>
図29Aは、本発明の第4実施形態に係るチップ部品501の構成を説明するための模式的な斜視図である。
基板502は、略直方体のチップ形状である。基板502の材料は、前述の第1〜第3実施形態における基板2の材料と同じである。基板502において図29Aにおける上面をなす一つの表面は、素子形成面502Aである。素子形成面502Aは、基板502において素子が形成される表面であり、略長方形状である。基板502の厚さ方向において素子形成面502Aとは反対側の面は、裏面502Bである。素子形成面502Aと裏面502Bとは、略同寸法かつ同形状であり、互いに平行である。素子形成面502Aにおける一対の縦辺581および横辺582によって区画された四角形状の縁を、周縁部585ということにし、裏面502Bにおける一対の縦辺581および横辺582によって区画された四角形状の縁を、周縁部590ということにする。素子形成面502A(裏面502B)に直交する法線方向から見ると、周縁部585と周縁部590とは、重なっている(後述する図63C,63D参照)。
素子形成面502Aは、第1接続電極503が形成される一端部と、第2接続電極504が形成される他端部とを含む。素子形成面502Aの一端部は、基板502の側面502D側の端部であり、素子形成面502Aの他端部は、基板502の側面502C側の端部である。素子形成面502Aの他端部には、貫通孔506が選択的に形成されている。貫通孔506は、基板502を素子形成面502Aから厚さ方向に向かって裏面502Bを貫通している。本実施形態では、各第2接続電極504が形成される部分に、1つずつ貫通孔506が形成されている例を示している。
第1接続電極503は、平面視における4辺をなす一対の長辺503Aおよび一対の短辺503B、ならびに周縁部586を有している。第1接続電極503の長辺503Aと短辺503Bとは平面視において直交している。第1接続電極503の周縁部586は、基板502の素子形成面502A上において周縁部585を覆うように、素子形成面502Aおよび側面502C,502E,502Fに跨るように一体的に形成されている。本実施形態では、周縁部586は、基板502の側面502C,502E,502F同士が交わる各コーナー部511を覆うように形成されている。
このような複合チップ部品501の素子領域505には、第1接続電極503にカソード側が接続されるように、また、第2接続電極504にアノード側が接続されるように、ダイオードが形成される。したがって、本実施形態における貫通孔506は、複合チップ部品501の極性方向を示すアノードマークAM1として機能する。
図29Bに示すように、実装基板9の上面は、実装面9Aである。実装面9Aには、複合チップ部品501用の実装領域589が区画されている。実装領域589は、本実施形態では、図29Cおよび図29Dに示すように、平面視正方形状に形成されており、ランド588が配置されたランド領域592と、ランド領域592を取り囲むソルダレジスト領域593とを含む。
この回路アセンブリ100では、第1および第2接続電極503,504の周縁部586,587が、基板502の素子形成面502Aおよび側面502C〜502F(図29Bでは、側面502C,502Dのみ図示)に跨って形成されている。そのため、複合チップ部品501を実装基板9にはんだ付けする際の接着面積を拡大できる。その結果、第1および第2接続電極503,504に対するはんだ13の吸着量を増やすことができるので、接着強度を向上させることができる。
また、複合チップ部品501が、03015サイズの二つの回路素子を一対備えるペアチップである。そのため、複合チップ部品501用の実装領域589の面積を、従来に比べて大幅に縮小できる。
一方、図29Eに示すように、従来作製可能な最小サイズである0402サイズの単品チップ部品550を二つ実装基板9の実装面9Aに実装する場合には、319000μm2の実装領域551が必要であった。これから、本実施形態の実装領域589と、従来の実装領域551との面積を比較すると、本実施形態の構成では、約34%も実装面積を縮小できることが分かる。
<第5実施形態>
図30は、本発明の第5実施形態に係るチップ部品541の構成を説明するための平面図である。
また、このような貫通孔546は、前述の第1実施形態において説明した図8A〜図8Hの工程と同様の工程で形成することができる。より具体的には、図9において説明したレジストパターン41の開口43を、貫通孔546を形成すべき領域に形成すれば良い。また、第2接続電極4の中央部に平坦部7が形成されるので、チップ部品541の製造工程では、図31および図32を参照して説明するように、良好にプロービングを実施できる。
図31に示すように、前述の第1実施形態における図8Eの工程後、図8Fの工程に先立って、プロービング(電気テスト)を実施してもよい。このようにアノードパッド106の中央部に、溝(図8Eの貫通孔用の溝46に相当する)が形成されていない平坦部を設けておくことで、プローブ70aが溝に入り込むことを抑制または防止できる。その結果、プロービングを良好に行うことができる。
<スマートフォン>
図33は、前述の第1〜第5実施形態に係るチップ部品が用いられる電子機器の一例であるスマートフォン601の外観を示す斜視図である。スマートフォン601は、扁平な直方体形状の筐体602の内部に電子部品を収納して構成されている。筐体602は表側および裏側に長方形状の一対の主面を有しており、その一対の主面が4つの側面で結合されている。筐体602の一つの主面には、液晶パネルや有機ELパネル等で構成された表示パネル603の表示面が露出している。表示パネル603の表示面は、タッチパネルを構成しており、使用者に対する入力インターフェースを提供している。
伝送処理IC612は、表示パネル603に対する表示制御信号を生成し、かつ表示パネル603の表面のタッチパネルからの入力信号を受信するための電子回路を内蔵している。表示パネル603との接続のために、伝送処理IC612には、フレキシブル配線609が接続されている。
FMチューナIC615は、その近傍において実装基板9に実装された複数のチップ抵抗器624、複数のチップインダクタ625および複数の双方向ツェナーダイオードチップ643とともに、FM放送受信回路626を構成している。チップ抵抗器624およびチップインダクタ625は、正確に合わせ込まれた抵抗値およびインダクタンスをそれぞれ有し、FM放送受信回路626に高精度な回路定数を与える。
マイクロコンピュータ618は、CPU、ROMおよびRAMを内蔵しており、各種の演算処理を実行することにより、スマートフォン601の複数の機能を実現する演算処理回路である。より具体的には、マイクロコンピュータ618の働きにより、画像処理や各種アプリケーションプログラムのための演算処理が実現されるようになっている。マイクロコンピュータ618の近傍には、複数の双方向ツェナーダイオードチップ646が配置されている。
また、スマートフォン601の位置情報が必要とされるときには、マイクロコンピュータ618は、GPS受信IC614が出力する位置情報を取得し、その位置情報を用いた演算処理を実行する。
フラッシュメモリ617は、通信によって取得したデータの記憶や、マイクロコンピュータ618の演算や、タッチパネルからの入力によって作成されたデータを記憶するために用いられる。マイクロコンピュータ618は、必要に応じて、フラッシュメモリ617に対してデータを書き込み、またフラッシュメモリ617からデータを読み出す。
<変形例>
前述の第1〜第5実施形態では、1つの貫通孔6,506,546が第2接続電極4,504が形成された領域に形成されている例について説明したが、二つ以上の(複数の)貫通孔6,506,546が形成されていてもよい。この場合、図35に示す構成を採用してもよい。図35は、図1に示すチップ部品1の第1変形例を示す模式的な斜視図である。
また、前述の第1〜第5実施形態では、第2接続電極4,504が形成された領域に貫通孔6,506,546が形成された例について説明したが、第2接続電極4,504が形成された領域外の領域に貫通孔を形成してもよい。この場合、図36に示す構成を採用してもよい。図36は、図1に示すチップ部品1の第2変形例を示す模式的な斜視図である。
第2変形例に係る貫通孔806は、第2接続電極4が形成された領域外において、素子形成面2Aの他端部側(すなわち、基板2の側面2Dに近い側)に形成されている。換言すれば、第2接続電極4は、貫通孔806と重ならない位置に形成されており、貫通孔806は、第2接続電極4の周囲に形成されている。
第3変形例に係るチップ部品901が、前述の第1実施形態に係るチップ部品1と異なる点は、第2接続電極4の長辺4Aを横切る位置に貫通孔906が形成されている点である。その他の構成は前述の第1実施形態における構成と同様であるので、同一の参照符号を付して、説明を省略する。
なお、図37では、チップ部品901を前述の第1実施形態に係るチップ部品1の変形例として示しているが、むろん、前述した第2〜第5実施形態に貫通孔906の構成を採用してもよい。
一変形例に係るチップ部品591が、前述の第4実施形態に係る複合チップ部品501と異なる点は、各第2接続電極504間に設定された境界領域507を横切るように一つの貫通孔596が形成されている点、および各第2接続電極504の中央部に貫通孔が形成されていない平坦部597が形成されている点である。その他の構成は、第4実施形態に係る複合チップ部品501と同様であるので、同一の参照符号を付して、説明を省略する。
また、前述の第1〜第5実施形態では、第1および第2接続電極3,4が基板2の縁部を覆うように、側面2C〜2Fおよび素子形成面2Aに形成されている例について説明したが、図39および図40に示す構成を採用してもよい。図39は、図1に示すチップ部品1の他の変形例(チップ部品951)を示す模式的な斜視図である。図40は、図39に示すチップ部品951の断面図である。
まず、図41Aに示すように、前述の第1実施形態における図8Aの工程を経た基板30が用意される。次に、前述の図8Bと同様の工程で、カソード電極膜103およびアノード電極膜104が形成される。次に、たとえば、アノード電極膜104における貫通孔956(貫通孔用の溝46)が形成されるべき領域をエッチングすることにより、開口が形成される。
このような構成であっても、前述の各実施形態において述べた効果と同様の効果を奏することができる。
<第1参考例>
図42は、第1参考例に係るチップ部品1001の模式的な斜視図である。第1参考例では、前述の図1〜図41に示された部分と対応する部分に同一の参照符号を付して説明する。
基板2において図42における上面をなす一つの表面は、素子形成面2Aである。素子形成面2Aは、基板2において回路素子が形成される表面であり、略長方形状である。基板2の厚さ方向において素子形成面2Aとは反対側の面は、裏面2Bである。素子形成面2Aと裏面2Bとは、略同寸法かつ同形状であり、互いに平行である。
チップ部品1001の平面形状は、たとえば長辺81aに沿う長さL1が0.6mm以下、短辺82aに沿う長さW1が0.3mm以下の矩形(0603チップ)であってもよいし、長辺81aに沿う長さL1が0.4mm以下、短辺82aに沿う長さW1が0.2mm以下の矩形(0402チップ)であってもよい。より好ましくは、チップ部品1001の寸法に関し、長辺81aに沿う長さL1が0.3mm、短辺82aに沿う長さW1が0.15mmの矩形(03015チップ)である。チップ部品1001の厚さT1は、たとえば0.1mmである。
側面2Cは、素子形成面2Aおよび裏面2Bにおける長手方向一方側(図42における右手前側)の短辺82b間に架設されていて、側面2Dは、素子形成面2Aおよび裏面2Bにおける長手方向他方側(図42における左奥側)の短辺82a間に架設されている。側面2Cおよび側面2Dは、当該長手方向における基板2の両端面である。側面2Eは、素子形成面2Aおよび裏面2Bにおける短手方向一方側(図42における左手前側)の長辺81b間に架設されていて、側面2Fは、素子形成面2Aおよび裏面2Bにおける短手方向他方側(図42における右奥側)の長辺81a間に架設されている。側面2Eおよび側面2Fは、当該短手方向における基板2の両端面である。側面2Cおよび側面2F、側面2Fおよび側面2D、ならびに側面2Dおよび側面2Eは、それぞれ交差(詳しくは、直交)している。側面2Cおよび側面2Eがその延長線上で交わって成る基板2の角部84(図42の二点鎖線部参照)が面取りされて、面取り部1006が形成されている。本参考例では、角部84を面取線CLに沿って面取りした構成を示している。
面取線CLは、側面2C(長辺81b)と側面2E(短辺82b)とを通る直線である。角部84、および面取線CLと側面2C,2E(各辺81b,82b)との交点の間の長さ(最短の長さ)は、それぞれ30μm〜50μmであることが好ましい。
本参考例では、面取線CLとして、基板2の角部84を含む部分を三角柱状(平面視三角形状)に面取りする直線が採用された例を示しているが、面取線CLは、たとえば、角部84を含む部分を四角柱状(平面視矩形状)に面取りする折れ線であってもよいし、角部84を含む部分を平面視円弧状(凸面状/凹面状)に面取りする曲線であってもよい。
樹脂膜24は、素子形成面2A上のパッシベーション膜23の全域(周縁部85およびその内側領域)を覆っている。パッシベーション膜23および樹脂膜24については、以降で詳説する。
第1接続電極3は、基板2の面取り部1006を描く面取線CL(斜辺83)に沿う部分を有する周縁部86を含む。第1接続電極3の周縁部86は、基板2の素子形成面2A上において周縁部85を覆うように、素子形成面2Aおよび側面2C,2E,2F,2Gに跨るように一体的に形成されている。本参考例では、周縁部86は、基板2の側面2C,2E,2F,2G同士が交わる各コーナー部11を覆うように形成されている。このように、第1接続電極3は、互いに長さの異なる一対の長辺3A,3C(長辺3Aの長さ>長辺3Cの長さ)、互いに長さの異なる一対の短辺3B,3D(短辺3Bの長さ>短辺3Dの長さ)、および長辺3Cと短辺3Dとを結ぶ斜辺3Eを含む。斜辺3Eに沿う周縁部86が、面取り部1006を描く面取線CLに沿って形成されている。長辺3Aと短辺3B、短辺3Bと長辺3C、および長辺3Aと短辺3Dとは平面視において直交している。
素子領域5には、回路素子が形成されている。回路素子は、基板2の素子形成面2Aにおける第1接続電極3と第2接続電極4との間の領域に形成されていて、パッシベーション膜23および樹脂膜24によって上から被覆されている。
チップ部品1001は、基板2と、基板2に形成された複数のダイオードセルD101〜D104と、これらの複数のダイオードセルD101〜D104を並列に接続するカソード電極膜103およびアノード電極膜104とを含む。カソード電極膜103には、第1接続電極3が接続され、アノード電極膜104には、第2接続電極4が接続されている。したがって、本参考例では、第1接続電極3は、カソード電極であり、第2接続電極4はアノード電極である。図42において説明した面取り部1006は、本参考例では、第1接続電極3の極性方向を示すカソードマークKM1として機能する。
ダイオードセル領域107は、本参考例では、矩形に形成されている。ダイオードセル領域107内に、複数のダイオードセルD101〜D104が配置されている。複数のダイオードセルD101〜D104は、本参考例では4個設けられており、基板2の長手方向および短手方向に沿って、マトリックス状に等間隔で二次元配列されている。
まず、図49Aに示すように、基板2の元となるp+型の基板30を用意する。この場合、基板30の表面30Aは、基板2の素子形成面2Aであり、基板30の裏面30Bは、基板2の裏面2Bである。基板30の表面30A側に、ダイオードセルD101〜D104が単位素子として、互いに間隔を空けて複数形成される。
次に、図49Bに示すように、たとえばスパッタリングによって、カソード電極膜103およびアノード電極膜104を構成する電極膜が絶縁膜115上に形成される。そして、電極膜上に、スリット118に対応する開口パターンを有するレジスト膜が形成され、レジスト膜を介するエッチングによって、電極膜にスリット118が形成される。これにより、前記電極膜がカソード電極膜103およびアノード電極膜104に分離される。
図50は、図49Dの工程において溝1044を形成するために用いられるレジストパターン41の一部の模式的な平面図である。なお、図50では、説明の便宜上、レジストパターン41が形成された領域をクロスハッチングで示している。
次に、図49Eに示すように、レジストパターン41をマスクとするプラズマエッチングにより、基板30を選択的に除去する。これにより、平面視においてレジストパターン41の開口1042と一致する位置には、基板30の表面30Aから基板30の厚さ途中まで到達する所定深さの溝1044が形成され、当該溝1044によって、各チップ領域1048が平面視格子状に区画される。溝1044は、互いに対向する一対の側壁と、当該一対の側壁の下端(基板30の裏面30B側の端)の間を結ぶ底壁とによって区画されている。
次に、図49Gに示すように、図51に示す工程によって、各切欠部122,123から露出したカソードパッド105およびアノードパッド106(カソード電極膜103およびアノード電極膜104)からNi、PdおよびAuを順にめっき成長させる。めっきは、各めっき膜が表面30Aに沿う横方向に成長し、溝1044の側壁上の絶縁膜47を覆うまで続けられる。これにより、Ni/Pd/Au積層膜からなる第1および第2接続電極3,4を形成する。
まず、カソードパッド105およびアノードパッド106の表面が浄化されることで、当該表面の有機物(炭素のしみ等のスマットや油脂性の汚れも含む)が除去(脱脂)される(ステップS51)。次に、当該表面の酸化膜が除去される(ステップS52)。次に、当該表面においてジンケート処理が実施されて、当該表面における(電極膜の)AlがZnに置換される(ステップS53)。次に、当該表面上のZnが硝酸等で剥離されて、各パッド105,106では、新しいAlが露出される(ステップS54)。
次に、Ni層33を別のめっき液に浸けることによって、当該Ni層33の表面にPdめっきが施される。これにより、めっき液中のPdが化学的に還元析出されて、当該Ni層33の表面にPd層34が形成される(ステップS56)。
具体的には、図49Hに示すように、溝1044を形成した後に、PET(ポリエチレンテレフタレート)からなる薄板状であって粘着面72を有する支持テープ71が、粘着面72において、各半製品1050における第1および第2接続電極3,4側(つまり、表面30A側)に貼着される。これにより、各半製品1050が支持テープ71に支持される。ここで、支持テープ71として、たとえば、ラミネートテープを用いることができる。
なお、完成したチップ部品1001における基板2の裏面2Bを研磨やエッチングすることによって鏡面化して裏面2Bを綺麗にしてもよい。
図52Aでは、個片化された複数のチップ部品1001が引き続き支持テープ71にくっついている状態を示している。この状態で、図52Bに示すように、各チップ部品1001の基板2の裏面2Bに対して、熱発泡シート73を貼着する。熱発泡シート73は、シート状のシート本体74と、シート本体74内に練り込まれた多数の発泡粒子75とを含んでいる。
図53A〜図53Cは、図49Hの工程後におけるチップ部品1001の回収工程(変形例)を示す図解的な断面図である。
図53Aでは、図52Aと同様に、個片化された複数のチップ部品1001が引き続き支持テープ71にくっついている状態を示している。この状態で、図53Bに示すように、各チップ部品1001の基板2の裏面2Bに転写テープ77を貼着する。転写テープ77は、支持テープ71の粘着面72よりも強い粘着力を有する。そこで、図53Cに示すように、各チップ部品1001に転写テープ77を貼着した後に、支持テープ71を各チップ部品1001から引き剥がす。この際、前述したように、粘着面72の粘着性を低下させるために支持テープ71に紫外線(図53Bの点線矢印参照)を照射してもよい。
図54に示すように、チップ部品1001は、実装基板9に実装される。この状態におけるチップ部品1001および実装基板9は、回路アセンブリ100を構成している。図54における実装基板9の上面は、実装面9Aである。実装面9Aには、実装基板9の内部回路(図示せず)に接続された一対(2つ)のランド88が形成されている。各ランド88は、たとえば、Cuからなる。各ランド88の表面には、はんだ13が当該表面から突出するように設けられている。
図54に示すように、断面視においては、たとえば、第1および第2接続電極3,4は、素子形成面2A上の表面部分と側面2C,2D,2G上の側面部分とが一体的になって略L字状に形成されている。そのため、図55に示すように、実装面9A(素子形成面2A)の法線方向(これらの面に直交する方向)から回路アセンブリ100(厳密には、チップ部品1001と実装基板9との接合部分)を見てみると、第1接続電極3と一方のランド88とを接合するはんだ13は、第1接続電極3の表面部分だけでなく、側面部分にも吸着している。同様に、第2接続電極4と他方のランド88とを接合するはんだ13も、第2接続電極4の表面部分だけでなく、側面部分にも吸着している。
参考例に係るチップ部品1010の極性検査は、たとえば、カソードマークKM2(標印)が、自動光学検査装置91の所定位置にある極性検査ウィンドウに予め設定された値以上の色(たとえば、白色や水色等)で検出されるか否かによって行われ、検出された場合に「良品」と判定される。
これに対して、第1参考例に係るチップ部品1001には、図42および図43に示すように、基板2には、カソードマークKM1としての面取り部1006が形成されている。そのため、チップ部品1001が実装基板9に実装された際に、面取り部1006の位置に基づいて第1および第2接続電極3,4のそれぞれの位置を確認することができる。これにより、第1および第2接続電極3,4の極性方向を簡単に判定することができる。しかも、その極性判定は、自動光学検査装置91で検出される明るさや色合いに基づいて行われるものではなく、実装基板9に対するチップ部品1001の傾きが変わっても不変な面取り部1006の形状に基づいて行われる。したがって、極性検査工程において、たとえチップ部品1001が傾いた姿勢で実装された実装基板9や、水平な姿勢で実装された実装基板9が混在する場合であっても、面取り部1006に基づくことによって、実装基板9毎に自動光学検査装置91の検出系統(部品認識カメラ14等)を最適化することなしに、安定した品質で極性方向を判定することができる。
また、極性方向を判定するための指標として、チップ部品の表面や裏面に標印を形成する必要がないため、紫外線やレーザ等の照射によってチップ部品に標印を形成するための標印装置を使用する必要もない。そのため、チップ部品の製造工程を簡略化できるとともに、設備投資を削減できる。これにより、生産性の向上を図ることもできる。
<第2参考例>
図58は、第2参考例に係るチップ部品1201の構成を説明するための平面図である。図59は、図58に示す切断面線LIX−LIXから見た断面図である。図58〜図59において、前述の図1〜図57に示された各部と対応する部分には同一の参照符号を付して説明する。
<第3参考例>
図60は、第3参考例に係るチップ部品1401の平面図である。図61は、図60に示す切断面線LXI−LXIから見た断面図である。図62は、図60に示す切断面線LXII−LXIIから見た断面図である。
図63は、図60に示すチップ部品1401において、第1および第2接続電極3,4ならびにその上に形成された構成を取り除いて、基板2の表面(素子形成面2A)の構造を示す平面図である。
図65Bは、第1接続電極および第1拡散領域と第2接続電極および第2拡散領域とが互いに非対称に構成されている双方向ツェナーダイオードチップについて、各電流方向に対する電圧対電流特性を測定した実験結果を示すグラフである。
本参考例の双方向ツェナーダイオードでは、第1接続電極3を正極とし第2接続電極4を負極として電圧を印加した場合の電圧対電流特性および第2接続電極4を正極とし第1接続電極3を負極として電圧を印加した場合の電圧対電流特性は、共に図65Aに実線で示すような特性となった。つまり、本参考例の双方向ツェナーダイオードでは、各電流方向に対する電圧対電流特性が実質的に等しくなった。
前記各周囲長が400μm以上に形成されているので、後に図66を用いて説明するように、ESD耐量の大きい双方向ツェナーダイオードチップを実現できる。また、前記各周囲長が1500μm以下に形成されているので、後に図67を用いて説明するように、第1接続電極3と第2接続電極4との間の容量(端子間容量)の小さな双方向ツェナーダイオードチップを実現できる。より具体的には、端子間容量が30[pF]以下の双方向ツェナーダイオードチップを実現できる。各周囲長は、500μm以上でかつ1000μm以下に形成されていることがより好ましい。
図68は、図60に示すチップ部品1401の製造工程の一例を説明するためのフローチャートである。
次に、たとえばスパッタリングによって、第1電極膜403および第2電極膜404を構成する電極膜が絶縁膜115上に形成される(ステップS118)。本参考例では、Alからなる電極膜が形成される。そして、電極膜上に、スリット418に対応する開口パターンを有する別のレジストマスクが形成され(ステップS119)、レジストマスクを介するエッチング(たとえば反応性イオンエッチング)によって、電極膜にスリット418が形成される(ステップS120)。これにより、電極膜が、第1電極膜403および第2電極膜404に分離される。
本参考例では、基板2がp型の半導体基板からなっているので、基板2上にエピタキシャル層を形成しなくても、安定した特性を実現できる。すなわち、n型の半導体基板は抵抗率の面内ばらつきが大きいので、n型の半導体基板を用いるときには、その表面に抵抗率の面内ばらつきの少ないエピタキシャル層を形成し、エピタキシャル層に不純物拡散層を形成してpn接合を形成する必要がある。これは、n型不純物の偏析係数が小さいために、基板の元となるインゴット(たとえばシリコンインゴット)を形成するときに、基板の中心部と周縁部とで抵抗率の差が大きくなるからである。これに対して、p型不純物の偏析係数は比較的大きいので、p型+基板は抵抗率の面内ばらつきが少ない。したがって、p型+基板を用いることによって、エピタキシャル層を形成することなく、安定した特性の双方向ツェナーダイオードを基板のいずれの箇所からも切り出すことができる。よって、p型の半導体基板として基板2を用いることによって、製造工程を簡単にでき、かつ製造コストを低減できる。
図69Aに示すチップ部品1401Aでは、第1拡散領域410および第2拡散領域412は1個ずつ形成されている。第1ツェナーダイオードD401は、第1拡散領域410に対応する1個のツェナーダイオードから構成されている。第2ツェナーダイオードD402は、第2拡散領域412に対応する1個のツェナーダイオードから構成されている。第1拡散領域410および第2拡散領域412とは、基板2の長手方向に長い略矩形であり、基板2の短手方向に間隔をおいて配置されている。第1拡散領域410および第2拡散領域412の長手方向の長さは、比較的短く(第1パッド405と第2パッド406との間隔の1/2より短く)形成されている。第1拡散領域410および第2拡散領域412の間隔は、拡散領域410,412の幅よりも短く設定されている。
第1接続電極3および第1拡散領域410と第2接続電極4および第2拡散領域412とは、平面視において、素子形成面2Aの重心に対して点対称に構成されている。なお、第1接続電極3および第1拡散領域410と第2接続電極4および第2拡散領域412とが、実質的に線対称に構成されているとみなすことができる。つまり、第1引き出し電極L411と第2引き出し電極L421とが略同じ位置にあるとみなすと、第1接続電極3および第1拡散領域410と第2接続電極4および第2拡散領域412とは、平面視において、素子形成面2Aの短手方向に平行でかつ長手方向中央を通る直線に対して線対称に構成されているとみなすことができる。
<第4参考例>
図70Aは、第4参考例に係るチップ部品1501の構成を説明するための模式的な斜視図である。
複合チップ部品1501の平面形状は、二つの回路素子の並び方向(以下、基板502の横方向)に沿う辺(横辺582a,582b)および横辺582a,582bに直交する辺(縦辺581a,581b)を有する四角形である。複合チップ部品1501の平面寸法は、たとえば、縦辺581aに沿う長さL5=約0.6mm以下、幅W5=約0.3mm以下である0603サイズの二つの回路素子の組み合わせによって、0606サイズとされている。
二つの回路素子は、複合チップ部品1501の本体を構成する基板502と、外部接続電極となる第1接続電極503および第2接続電極504と、第1接続電極503および第2接続電極504によって外部接続される素子領域505とを主に備えている。本参考例では、第1接続電極503は、二つの回路素子に跨るように形成されており、二つの回路素子の共通の電極となっている。なお、基板502の材料は、前述の第1〜第3参考例における基板2の材料と同じである。
以下では、素子形成面502Aにおける一対の縦辺581a,581b、一対の横辺582a,582b、および斜辺583によって区画された略四角形状の縁を周縁部585ということにし、裏面502Bにおける一対の縦辺581a,581b、一対の横辺582a,582b、および斜辺583によって区画された略四角形状の縁を周縁部590ということにする。素子形成面502Aにおける一対の縦辺581a,581bは互いに平行であり、一対の横辺582a,582bは互いに平行である。素子形成面502A(裏面502B)に直交する法線方向から見ると、周縁部585と周縁部590とは、重なっている。
面取り部1506によって、側面502Gが形成されている。側面502Gは、側面502Cおよび側面502Eに対して傾斜した斜面である。側面502Gは、素子形成面502Aおよび裏面502Bにおける斜辺583の間、および側面502Cと側面502Eとの間に架設されている。
第1接続電極503は、基板502の面取り部1506を描く面取線CLに沿う部分を有する周縁部586を含む。第1接続電極503の周縁部586は、基板502の素子形成面502A上において周縁部585を覆うように、素子形成面502Aおよび側面502C,502E,502F,502Gに跨るように一体的に形成されている。本参考例では、周縁部586は、基板502の側面502C,502E,502F,502G同士が交わる各コーナー部511を覆うように形成されている。このように、第1接続電極503は、互いに長さの異なる一対の長辺503A,503C(長辺503Aの長さ>長辺503Cの長さ)、互いに長さの異なる一対の短辺503B,503D(短辺503Bの長さ>短辺503Dの長さ)、および長辺503Cと短辺503Dとを結ぶ斜辺503Eを含むように形成されている。斜辺503Eに沿う周縁部586は、面取り部1506を描く面取線CLに沿って形成されている。長辺503Aと短辺503B、短辺503Bと長辺503C、および長辺503Aと短辺503Dとは平面視において直交している。
このような複合チップ部品1501の素子領域505には、第1接続電極503にカソード側が接続されるように、また、第2接続電極504にアノード側が接続されるように、ダイオードが形成される。したがって、第4参考例における面取り部1506は、複合チップ部品1501の極性方向を示すカソードマークKM1として機能する。
図70Bに示すように、実装基板9の上面は、実装面9Aである。実装面9Aには、複合チップ部品1501用の実装領域589が区画されている。実装領域589は、本参考例では、図70Cおよび図70Dに示すように、平面視正方形状に形成されており、ランド588が配置されたランド領域592と、ランド領域592を取り囲むソルダレジスト領域593とを含む。
回路アセンブリ100では、第1接続電極503および第2接続電極504の周縁部586,587が、基板502の素子形成面502Aおよび側面502C〜502G(図70Bでは、側面502C,502Dのみ図示)に跨って形成されている。そのため、複合チップ部品1501を実装基板9にはんだ付けする際の接着面積を拡大できる。その結果、第1接続電極503および第2接続電極504に対するはんだ13の吸着量を増やすことができるので、接着強度を向上させることができる。
たとえば、本参考例では、実装領域589の面積は、図70Cを参照して、L503×L503=(L502+L501+L502)×(L502+L501+L502)=(25+410+25)×(25+410+25)=211600μm2で済む。
<第5参考例>
図71は、第5参考例に係るチップ部品1701の模式的な斜視図である。
凹部1706は、基板2の側面2Cの長手方向に沿う領域の途中部(本参考例では、側面2Cの長手方向中央部)に形成されており、基板2の厚さ方向に向けて延びる長溝状に形成されている。換言すれば、凹部1706は、基板2の側面2Cから基板2の内方(すなわち、基板2の側面2Dの方向)に向けて窪むように形成されている。凹部1706は、素子形成面2Aを法線方向からみた平面視において、矩形状に形成されている。
このような凹部1706は、たとえば前述の第1参考例において述べた製造工程と同様の工程で形成できる。すなわち、前述の図49Eでは、面取り部分1042Cを有するレジストパターン41が基板30上に形成されていたが、面取り部分1042Cに代えて、凹部1706を形成すべき領域を選択的に露出させる開口を、レジストパターン41に形成すればよい。その後、前述の図49F〜図49Hと同様の工程を経て、チップ部品1701が形成される。
本参考例では、基板2の側面2Cの長手方向中央部に1つの凹部1706が形成されている例について説明したが、基板2の側面2Cにおいて、当該側面2Cの長手方向中央部以外の部分に1つの凹部1706を形成してもよい。この場合、基板2における第1および第2接続電極3,4が形成された両端部は、さらに素子形成面2Aを法線方向から見た平面視において、基板2の側面2C,2Dに直交する直線(基板2の重心を通る)に対して、線対称でない形状となる。
また、本参考例では、1つの凹部1706が基板2の側面2Cに形成されている例について説明したが、複数の凹部1706が基板2の側面2C(側面2C,2E,2F)に形成されている構成を採用してもよい。このような構成であれば、複数の凹部1706の位置や数の組み合わせ等により、チップ部品1701の極性方向、型名、製造年月日その他の情報を表示することができる。
また、本参考例では、単品のチップ部品としてのチップ部品1701を示しているが、むろん、チップ部品1701の構成は、第4参考例に係る複合チップ部品のような構成にも適用できる。
<スマートフォン>
図72は、前述の第1〜第5参考例に係るチップ部品が用いられる電子機器の一例であるスマートフォン1601の外観を示す斜視図である。スマートフォン1601は、扁平な直方体形状の筐体602の内部に電子部品を収納して構成されている。筐体602は表側および裏側に長方形状の一対の主面を有しており、その一対の主面が4つの側面で結合されている。筐体602の一つの主面には、液晶パネルや有機ELパネル等で構成された表示パネル603の表示面が露出している。表示パネル603の表示面は、タッチパネルを構成しており、使用者に対する入力インターフェースを提供している。
伝送処理IC612は、表示パネル603に対する表示制御信号を生成し、かつ表示パネル603の表面のタッチパネルからの入力信号を受信するための電子回路を内蔵している。表示パネル603との接続のために、伝送処理IC612には、フレキシブル配線609が接続されている。
FMチューナIC615は、その近傍において実装基板9に実装された複数のチップ抵抗器624、複数のチップインダクタ625および複数の双方向ツェナーダイオードチップ1643とともに、FM放送受信回路626を構成している。チップ抵抗器624およびチップインダクタ625は、正確に合わせ込まれた抵抗値およびインダクタンスをそれぞれ有し、FM放送受信回路626に高精度な回路定数を与える。
マイクロコンピュータ618は、CPU、ROMおよびRAMを内蔵しており、各種の演算処理を実行することにより、スマートフォン1601の複数の機能を実現する演算処理回路である。より具体的には、マイクロコンピュータ618の働きにより、画像処理や各種アプリケーションプログラムのための演算処理が実現されるようになっている。マイクロコンピュータ618の近傍には、複数の双方向ツェナーダイオードチップ1646が配置されている。
また、スマートフォン1601の位置情報が必要とされるときには、マイクロコンピュータ618は、GPS受信IC614が出力する位置情報を取得し、その位置情報を用いた演算処理を実行する。
フラッシュメモリ617は、通信によって取得したデータの記憶や、マイクロコンピュータ618の演算や、タッチパネルからの入力によって作成されたデータを記憶するために用いられる。マイクロコンピュータ618は、必要に応じて、フラッシュメモリ617に対してデータを書き込み、またフラッシュメモリ617からデータを読み出す。
<変形例>
前述の第1〜第5参考例では、第1および第2接続電極3,4が基板2の縁部を覆うように、側面2C〜2Fおよび素子形成面2Aに形成されている例について説明したが、図74に示す構成を採用してもよい。
変形例に係るチップ部品1951が、前述の第1参考例に係るチップ部品1001と異なる点は、第1および第2接続電極3,4に代えて、第1および第2接続電極953,954が形成されている点である。その他の構成は、第1参考例に係るチップ部品1001と同様であるので、同一の参照符号を付して、説明を省略する。なお、図74および図75では、前述の第1参考例に係るチップ部品1001の変形例としてチップ部品1951を示しているが、第1および第2接続電極953,954の構成は、むろん、前述した第2〜第5参考例に採用することができる。
このような構成であっても、前述の第1〜第5参考例において述べた効果と同様の効果を奏することができる。
<第6参考例>
図77は、第6参考例に係るチップ部品2001の模式的な斜視図である。第6参考例では、前述の図1〜図76Dに示された部分と対応する部分に同一の参照符号を付している。
半導体基板2は、略直方体のチップ形状である。半導体基板2において図77における上面をなす一つの表面は、素子形成面2Aである。素子形成面2Aは、半導体基板2において回路素子が形成される表面であり、略長方形状である。半導体基板2の厚さ方向において素子形成面2Aとは反対側の面は、裏面2Bである。素子形成面2Aと裏面2Bとは、略同寸法かつ同形状であり、互いに平行である。素子形成面2Aにおける一対の長辺81および一対の短辺82によって区画された矩形状の縁を、周縁部85ということにし、裏面2Bにおける一対の長辺81および一対の短辺82によって区画された矩形状の縁を、周縁部90ということにする。素子形成面2A(裏面2B)に直交する法線方向から見ると、周縁部85と周縁部90とは、重なっている。
側面2Cは、素子形成面2Aおよび裏面2Bにおける長手方向一方側(図77における左手前側)の短辺82間に架設されていて、側面2Dは、素子形成面2Aおよび裏面2Bにおける長手方向他方側(図77における右奥側)の短辺82間に架設されている。側面2Cおよび側面2Dは、当該長手方向における半導体基板2の両端面である。側面2Eは、素子形成面2Aおよび裏面2Bにおける短手方向一方側(図77における左奥側)の長辺81間に架設されていて、側面2Fは、素子形成面2Aおよび裏面2Bにおける短手方向他方側(図77における右手前側)の長辺81間に架設されている。側面2Eおよび側面2Fは、当該短手方向における半導体基板2の両端面である。側面2Cおよび側面2Dのそれぞれは、側面2Eおよび側面2Fのそれぞれと交差(詳しくは、直交)している。そのため、素子形成面2A〜側面2Fにおいて隣り合うもの同士が直角をなしている。
第1接続電極3は、平面視における4辺をなす一対の長辺3Aおよび一対の短辺3B、ならびに周縁部86を有している。第1接続電極3の長辺3Aと短辺3Bとは平面視において直交している。第1接続電極3の周縁部86は、半導体基板2の素子形成面2A上において周縁部85を覆うように、素子形成面2Aおよび側面2C,2E,2Fに跨るように一体的に形成されている。本参考例では、周縁部86は、半導体基板2の側面2C,2E,2F同士が交わる各コーナー部11を覆うように形成されている。
図77に示すように、第1および第2接続電極3,4の各表面には、素子形成面2A(裏面2B)に直交する法線方向から見た平面視において、平坦部97と、凸部形成部98とが形成されている。平坦部97は、第1および第2接続電極3,4の各表面が平坦に形成されている部分であり、凸部形成部98は、複数の凸部96が形成されている部分である。
図78は、図77に示すチップ部品2001の模式的な平面図である。図79は、図78において、第1および第2接続電極3,4ならびにその上に形成された構成を取り除いて、半導体基板2の表面(素子形成面2A)の構造を示す平面図である。図80は、図78の切断面線LXXX−LXXXから見た断面図である。図81(a)は、図78の切断面線LXXXIa−LXXXIaから見た断面図であり、図81(b)は、図81(a)に示す第1ツェナーダイオードD1を拡大して描いた断面図である。
半導体基板2は、図80および図81に示すように、p+型の半導体基板(シリコン基板)である。半導体基板2において、第1および第2接続電極3,4間の素子形成面2Aには、図78に示すように、矩形状のダイオード形成領域2107が設けられている。ダイオード形成領域2107には、1つのパラレル構造12が形成されている。
第1および第2拡散領域2110,2112は、半導体基板2の短手方向に沿って互いに間隔をおいて配列されており、半導体基板2の短手方向に交差する方向(本参考例では直交する方向)に延びた長手に形成されている。第1および第2拡散領域2110,2112は、本参考例では同一面積および同一形状に形成されている。具体的には、第1拡散領域2110および第2拡散領域2112は、平面視において、半導体基板2の長手方向に長くかつ4隅が切除された略矩形に形成されている。第1および第2拡散領域2110,2112の短手方向に交差する方向の長さLD(図80参照)は、20μm〜200μmである。
第1電極膜2103は、第1拡散領域2110に接続された引き出し電極L11と、引き出し電極L11と一体的に形成された第1パッド2105とを有している。第1パッド2105は、素子形成面2Aの一端部に矩形に形成されている。第1パッド2105に第1接続電極3が接続されている。これにより、第1接続電極3は、第1パッド2105(第1電極膜2103)を介して引き出し電極L11と電気的に接続されている。
図81(b)に示すように、第1および第2拡散領域2110,2112の各幅WDは、5μm〜20μmである。また、第1および第2コンタクト孔2116,2117の各幅WCは、10μm〜15μmである。また、引き出し電極L11,L21の各幅WEは、12μm〜20μmである。また、第1および第2拡散領域2110,2112のスリット2118間の各幅WSは、3μm〜10μmである。本参考例では、第1拡散領域2110の各幅WC,WD,WE,WSと、第2拡散領域2112の各幅WC,WD,WE,WSとは、それぞれ互いに等しく形成されている。なお、図81(b)に示した各幅WC,WD,WE,WSは、いずれも引き出し電極L11,L21の引き出し方向に直交する方向の幅によって定義される。
図82(a)は、図78に示す第1接続電極3の平坦部97の一部分を拡大して描いた平面図であり、図82(b)は、図82(a)の切断面線LXXXIIa−LXXXIIaから見た断面図である。図83(a)は、図78に示す第1接続電極3の凸部形成部98の一部分を拡大して描いた平面図であり、図83(b)は、図83(a)の切断面線LXXXIIIb−LXXXIIIbから見た断面図である。なお、図82および図83において、第2接続電極4が形成された領域は、第1接続電極3が形成された領域と同等の構成であるので、その図示を省略している。
図83(a),(b)に示すように、凸部形成部98に複数の凸部96が行列状に配列されている場合、対角線方向に互いに隣接する第2開口26間に十字状の交差部Crが形成されている。交差部Crの対角線方向の幅W45は、行方向および列方向に互いに隣接する第2開口26間の幅W43,W44よりも幅広に形成されている。
前述したように、第1および第2ツェナーダイオードD1,D2は、互いに逆直列接続されている。すなわち、図85に示すように、第1ツェナーダイオードD1のカソードは第1接続電極3に接続され、第1ツェナーダイオードD1のアノードは第2ツェナーダイオードD2のアノードに接続されている。そして、第2ツェナーダイオードD2のカソードは、第2接続電極4に接続されている。このような逆直列回路によって、双方向ツェナーダイオードが構成されている。
図86Aは、図77に示すチップ部品2001について、各電流方向に対する電圧対電流特性を測定した実験結果を示すグラフである。図86Bは、第1接続電極3および第1拡散領域2110と、第2接続電極4および第2拡散領域2112とが互いに非対称に構成されている双方向ツェナーダイオードチップについて、各電流方向に対する電圧対電流特性を測定した実験結果を示すグラフである。
各TEG1〜TEG4において、各パラレル構造12は、第1ツェナーダイオードD1および第2ツェナーダイオードD2が互いに等しい間隔を空けて交互に配列されるように配置されている。また、第1および第2引き出し電極L11,L21は、各スリット2118間の幅WS(図81(b)参照)で配列されている。つまり、各TEG1〜TEG4において、各パラレル構造12は、第1および第2電極膜2103,2104が、複数の第1引き出し電極L11および複数の第2引き出し電極L21が互いに噛み合う櫛歯形状となるように形成されている。
TEG1〜TEG7の構成によれば、複数の第1ツェナーダイオードD1および複数の第2ツェナーダイオードD2を含む複数のパラレル構造12がダイオード形成領域2107に形成されている。図95に示すように、複数の第1ツェナーダイオードD1のカソードは第1接続電極3に共通に接続されており、それらのアノードは複数の第2ツェナーダイオードD2のアノードに共通に接続されている。そして、複数の第2ツェナーダイオードD2のカソードは、第2接続電極4に共通に接続されている。これにより、複数の第1および第2ツェナーダイオードD1,D2が全体として1つの双方向ツェナーダイオードとして機能している。
図96は、図77に示すチップ部品2001、およびTEG1〜TEG7のESD耐量を測定した実験結果を示すグラフである。
図96の横軸は、第1ツェナーダイオードD1の第1拡散領域2110の周囲長(総延長)または第2ツェナーダイオードD2の第2拡散領域2112の周囲長(総延長)のうちの一方の長さを示している。
図97は、図77に示すチップ部品2001、およびTEG1〜TEG7の端子間容量Ctを測定した実験結果を示すグラフである。
この実験結果から、第1および第2拡散領域2110,2112の各面積が大きくなるにつれて、端子間容量Ctが大きくなり、反対に、第1および第2拡散領域2110,2112の各面積が小さくなるにつれて、端子間容量Ctが小さくなることが分かる。
図97の実験結果より、チップ部品2001を小型に形成する場合、第1および第2拡散領域2110,2112の各面積を小さくすることによって、チップ部品2001の小型化と良好な端子間容量Ctとを両立できることが分かる。
一般的に、チップ部品の耐性、信頼性等の観点から、ESD耐量を大きくすることが求められ、また、ロスを生じさせることなく良好に電気的信号を導通させる観点から、端子間容量Ctを小さくすることが望まれる。しかしながら、図98に示すように、ESD耐量および端子間容量Ctは互いにトレードオフの関係にあることが分かる。すなわち、第1および第2拡散領域2110,2112の各面積に着目して低端子間容量Ctを追求すると、ESD耐量も減少し、ESD耐量を犠牲にせざるを得なくなる。
ここで、図96および図97を再度参照すれば、ESD耐量は、第1および第2拡散領域2110,2112の各周囲長と比例関係にあり、端子間容量Ctは、第1および第2拡散領域2110,2112の各面積と比例関係にある。
図99(a)は、チップ部品2001のダイオード形成領域2107を拡大して描いた平面図であり、図99(b)は、図99(a)に示す第1ツェナーダイオードD1および第2ツェナーダイオードD2を拡大して描いた断面図である。図100は、図99に示すチップ部品2001の各構成の値、ならびに端子間容量CtおよびESD耐量を示す表である。
図100に示すように、本参考例では、前述のパラレル数が「1」のチップ部品2001に加えて、パラレル数が「5」、「6」、「7」、「8」、「10」のチップ部品2001(以下、「パラレル数が「5」〜「10」のチップ部品2001」という。)を用意して、端子間容量CtおよびESD耐量を測定した。
パラレル数が「5」〜「10」のチップ部品2001の第1および第2拡散領域2110,2112の短手方向に交差する方向の長さLD、ならびに第1および第2拡散領域2110,2112の短手方向の幅WDは、パラレル数の増加に伴って、第1および第2拡散領域2110,2112の各周囲長が増加するように、かつ各面積が増加しないように適宜調整して形成されている。
図101に示すように、TEG1〜TEG4は、端子間容量Ctの増加に伴って、連続的(直線的)にESD耐量も増加している。一方、パラレル数が「5」〜「10」のチップ部品2001は、パラレル数の増加に伴ってESD耐量が増加しているが、端子間容量Ctは、いずれも6pF以下である。
また、国際規格であるIEC61000−4−2に基づいてESD耐量の下限を8kVと設定した場合、パラレル数が「5」〜「10」のチップ部品2001の場合は、いずれも国際規格であるIEC61000−4−2に準拠可能である。
また、第1および第2拡散領域2110,2112の各面積を2000μm2以下(より具体的には、1800μm2以上1900μm2以下)に設定しつつ、第1および第2拡散領域2110,2112の各周囲長を400μm以上720μm以下に設定することにより、6pF以下の端子間容量Ct(より具体的には、4pF<端子間容量Ct<6pF)を達成しつつ、8kV以上のESD耐量(より具体的には、11kV≦ESD耐量<16kV)を実現できる。
本参考例では、最大数としてパラレル数が「10」のチップ部品2001を用意したが、上記の実験結果から、第1および第2拡散領域2110,2112の各面積を2000μm2以下(より具体的には、1800μm2以上1900μm2以下)にしつつ、パラレル数を「10」以上、すなわち、第1および第2拡散領域2110,2112の各周囲長を720μm以上とすれば、より良好な端子間容量CtおよびESD耐量を達成できることが想定される。すなわち、第1および第2拡散領域2110,2112の各面積を極力小さくした状態を維持しつつ、第1および第2拡散領域2110,2112の各周囲長を極力長くすることにより、より一層良好な端子間容量CtおよびESD耐量を達成できることが想定される。
一方、第1および第2接続電極3,4の凸部形成部98において、千鳥状の凸部96を形成する場合(図84参照)には、第1電極膜2103および第2電極膜2104上に、複数の第2開口26が、互いに直交する行方向および列方向において1列おきに行方向の位置をずらして千鳥状に配列されるパターンで形成される。
図104は、図103Fの工程において溝2044を形成するために用いられるレジストパターン41の一部の模式的な平面図である。レジストパターン41は、境界領域2180に整合する格子状の開口2042を有している。レジストパターン41を介してプラズマエッチングが行われる。
半導体基板30における溝2044の全体形状は、平面視でレジストパターン41の開口2042と一致する格子状になっている(図104参照)。そして、半導体基板30の表面30Aでは、チップ領域2001aのまわりを溝2044における矩形枠体部分が取り囲んでいる。溝2044に取り囲まれたチップ領域2001aに半製品2050が1つずつ位置していて、これらの半製品2050は、行列状に整列配置されている。このように溝2044を形成することによって、半導体基板30を複数のチップ領域2001a毎に分離可能にする。溝2044が形成された後、レジストパターン41は、剥離される。
図105は、第1および第2接続電極3,4の製造工程を説明するための図である。
第1および第2接続電極3,4を製造するには、まず、図105に示すように、第1パッド2105および第2パッド2106の表面が浄化されることで、当該表面の有機物(炭素のしみ等のスマットや油脂性の汚れも含む)が除去(脱脂)される(ステップS231:有機物除去工程)。次に、当該表面の酸化膜が除去される(ステップS232:酸化膜除去工程)。次に、当該表面においてジンケート処理が実施されて、当該表面における(第1電極膜2103および第2電極膜2104の)AlがZnに置換される(ステップS233:ジンケート工程)。次に、当該表面上のZnが硝酸等で剥離されて、第1パッド2105および第2パッド2106では、新しいAlが露出される(ステップS234:表面剥離工程)。
次に、Pd層34をさらに別のめっき液に浸けることによって、当該Pd層34の表面にAuめっきが施される。これにより、めっき液中のAuが化学的に還元析出されて、当該Pd層34の表面にAu層35が形成される(ステップS237:Auめっき工程)。これによって、第1および第2接続電極3,4が形成され、形成後の第1および第2接続電極3,4を乾燥させると(ステップS238:乾燥工程)、第1および第2接続電極3,4の製造工程が完了する。なお、前後するステップの間には、半製品2050を水で洗浄する工程が適宜実施される。また、ジンケート処理は複数回実施されてもよい。
また、完成したチップ部品2001に対して電気テストを実施してもよい。第1および第2接続電極3,4の各表面には、平坦部97が形成されている。したがって、電気テストにおいて使用するプローブ(図103Eのプローブ70に相当する)と、第1および第2接続電極3,4との各接触位置を平坦部97に設定することにより、プローブ(より具体的には、プローブの先端部以外の部分)が、凸部96に接触することを効果的に抑制できる。よって、電気テストを良好に実施できる。
図106Aでは、個片化された複数のチップ部品2001が引き続き支持テープ71にくっついている状態を示している。この状態で、図106Bに示すように、各チップ部品2001の半導体基板2の裏面2Bに対して、熱発泡シート73を貼着する。熱発泡シート73は、シート状のシート本体74と、シート本体74内に練り込まれた多数の発泡粒子75とを含んでいる。
図107A〜図107Cは、図103Hの工程後におけるチップ部品2001の回収工程(変形例)を示す図解的な断面図である。
図107Aでは、図106Aと同様に、個片化された複数のチップ部品2001が引き続き支持テープ71にくっついている状態を示している。この状態で、図107Bに示すように、各チップ部品2001の半導体基板2の裏面2Bに転写テープ77を貼着する。転写テープ77は、支持テープ71の粘着面72よりも強い粘着力を有する。そこで、図107Cに示すように、各チップ部品2001に転写テープ77を貼着した後に、支持テープ71を各チップ部品2001から引き剥がす。この際、前述したように、粘着面72の粘着性を低下させるために支持テープ71に紫外線(図107Bの点線矢印参照)を照射してもよい。
図108および図109は、それぞれ、チップ部品2001および参考例に係るチップ部品2010が吸着ノズル76に吸着されている状態を示している。なお、参考例に係るチップ部品2010とは、ここでは第1および第2接続電極3,4の各表面に凸部96が形成されていないチップ部品のことを言う。
ここで、図109に示すように、参考例に係るチップ部品2010の場合では、傾いた姿勢の状態で光源65から素子形成面2Aに光が照射されると(図109の入射光λ3参照)、第1および第2接続電極3,4によって部品認識カメラ64が配置された領域外に向けて反射(全反射:図109の反射光λ4参照)され、部品認識カメラ64によって検出されない場合がある。このような場合、部品認識カメラ64による映像情報では、チップ部品2010の第1および第2接続電極3,4の一部または全部が暗く写ることになる。そのため、自動実装機80は、第1および第2接続電極3,4が形成された領域を第1および第2接続電極3,4が形成されていない領域であると誤認識し、チップ部品2010の実装基板9への搬送を停止させる。したがって、参考例に係るチップ部品2010の場合では、このような誤認識の発生が円滑な実装工程の妨げとなっている。
図110に示すように、チップ部品2001は、実装基板9に実装される。この状態におけるチップ部品2001および実装基板9は、回路アセンブリ100を構成している。図110における実装基板9の上面は、実装面9Aである。実装面9Aには、実装基板9の内部回路(図示せず)に接続された一対(2つ)のランド88が形成されている。各ランド88は、たとえば、Cuからなる。各ランド88の表面には、はんだ13が当該表面から突出するように設けられている。
図110に示すように、断面視においては、たとえば、第1および第2接続電極3,4は、素子形成面2A上の表面部分と側面2C,2D上の側面部分とが一体的になってL字状に形成されている。そのため、図111に示すように、実装面9A(素子形成面2A)の法線方向(これらの面に直交する方向)から回路アセンブリ100(厳密には、チップ部品2001と実装基板9との接合部分)を見てみると、第1接続電極3と一方のランド88とを接合するはんだ13は、第1接続電極3の表面部分だけでなく、側面部分にも吸着している。同様に、第2接続電極4と他方のランド88とを接合するはんだ13も、第2接続電極4の表面部分だけでなく、側面部分にも吸着している。
<第7参考例>
図112は、第7参考例に係るチップ部品2201の模式的な斜視図である。
図113(A)に示すように、凹マーク207は、半導体基板2の側面2Cに、等間隔に形成された4つの凹マーク207a,207b,207c,207dを有する構成とすることができる。
あるいは、図113(C)に示すように、凹マーク207は、3つの凹マーク207a、207b,207dとすることもできる。
このように、側面2Cに沿ってたとえば4つの凹マーク207が等間隔で形成される構成とし、そのうちの任意の凹マーク207を形成し、また、任意の凹マーク207は形成しない構成とすることにより、1つの凹マーク207の有無により、2値情報を表示できる。
このように、小型のチップ部品2201に対して、その側面2Cに沿って情報を表わす外観上の特徴(凹マーク207)が備えられており、チップ部品2201に必要な情報を、標印に代わるやり方で表わすことができる。そして、自動実装機等は、チップ部品2201の種類、極性方向(正極および負極の方向)、製造年月日その他の情報を容易に認識できる。このため、自動実装に適したチップ部品2201とすることができる。
図114(A)に示すチップ部品2201は、半導体基板2の側面2Cに、当該側面2Cの長さ方向に延びる長い凹マーク207xが形成された構成例を示している。この長い凹マーク207xは、図114(B)および図114(C)に示すように、その長さを異ならせた凹マーク207y、207zとすることもできる。つまり、図114に示す参考例では、半導体基板2の側面2Cに形成する凹マーク207が、その幅が異なる構成とし、幅広のマーク、幅の中位のマークおよび幅狭のマーク、の3種類の凹マーク207x、207y、207zにより、情報を表示する形態とされている。
図116は、図112に示すチップ部品2201に係る凹マーク207用の溝を形成するために用いられるレジストパターン41の一部の模式的な平面図である。
つまり、半導体基板30の境界領域2180をエッチングする際に、レジストパターン41のレイアウトを工夫して、エッチングにより凹マーク207が同時に形成されるようにする。その後、図103Gおよび図103Hにおいて説明した工程と同様の工程を経て、チップ部品2201が完成する。
また、チップ部品2201では、半導体基板2の側面2Cに、上下方向に延びる複数の凹マーク207が形成された参考例を説明したが、凹マーク207に代えて凸マーク270としてもよい。凸マーク270か設けられた参考例を、以下に具体的に図面を参照して説明する。
<第8参考例>
図117は、第8参考例に係るチップ部品2301の模式的な斜視図である。
チップ部品2301に係る半導体基板2の側面2Cには、上下方向に延びる複数、本参考例では4つの凸マーク270(270a、270b、270c、270d)が形成されている。凸マーク270を構成する上下方向(半導体基板2の厚み方向)に延びる畝または突形状は、本参考例では、平面視円弧状(平面視凸面状)である。なお、凸マーク270は、平面視台形状、平面視三角形状等、任意の突形状であってもよい。また、角が丸められた矩形状や頂角が丸められた三角形状であってもよい。すなわち、凸マーク270は、任意の形態の畝または凸形状であればよい。凸マーク270は、当該凸マーク270の位置および数により、チップ部品の極性方向(正極および負極の方向)、型名、製造年月日その他の情報を表示する。
図118(A)に示すように、凸マーク270は、半導体基板2の側面2Cに、等間隔に形成された4つの凸マーク270a、270b、270c、270dを有する構成とすることができる。
あるいは、図118(C)に示すように、凸マーク270は、3つの凸マーク270a、270b、270dとすることもできる。
このように、側面2Cに沿ってたとえば4つの凸マーク270が等間隔で形成される構成とし、そのうちの任意の凸マーク270を形成し、また、任意の凸マーク270は形成しない構成とすることにより、1つの凸マーク270の有無により、2値情報を表示できる。
このように、小型のチップ部品2301に対して、側面2Cに沿って情報を表わす外観上の特徴(凸マーク270)が備えられており、チップ部品2301に必要な情報を、標印に代わるやり方で表わすことができる。そして、自動実装機等は、チップ部品2301の種類、極性方向(正極および負極の方向)、製造年月日その他の情報を容易に認識できる。このため、自動実装に適したチップ部品2301とすることができる。
図119(A)に示すチップ部品2301は、半導体基板2の側面2Cに、その側面2Cの長さ方向に延びる長い凸マーク270xが形成された構成例を示している。この長い凸マーク270xは、図119(B)および図119(C)に示すように、その長さを異ならせた凸マーク270y、270zとすることもできる。つまり、図119に示す参考例では、半導体基板2の側面2Cに形成する凸マーク270が、その幅が異なる構成とし、幅広のマーク、幅の中位のマークおよび幅狭のマークの3種類の凸マーク270x、270y、270zにより、情報を表示する形態とされている。
図121は、図117に示すチップ部品2301に係る凸マーク270用の溝を形成するために用いられるレジストパターン41の一部の模式的な平面図である。
つまり、半導体基板30の境界領域2180をエッチングする際に、レジストパターン41のレイアウトを工夫して、エッチングにより凸マーク270が同時に形成されるようにする。その後、図103Gおよび図103Hにおいて説明した工程と同様の工程を経て、チップ部品2301が完成する。
また、本参考例において、前述の第7参考例に係る凹マーク207を組み合わせて形成してもよい。つまり、全体として見ると、凹凸により情報が表わされる形状であってもよい。
<スマートフォン>
図122は、前述の第6〜第8参考例に係るチップ部品2001,2201,2301が用いられる電子機器の一例であるスマートフォン2601の外観を示す斜視図である。スマートフォン2601は、扁平な直方体形状の筐体602の内部に電子部品を収納して構成されている。筐体602は表側および裏側に長方形状の一対の主面を有しており、その一対の主面が4つの側面で結合されている。筐体602の一つの主面には、液晶パネルや有機ELパネル等で構成された表示パネル603の表示面が露出している。表示パネル603の表示面は、タッチパネルを構成しており、使用者に対する入力インターフェースを提供している。
伝送処理IC612は、表示パネル603に対する表示制御信号を生成し、かつ表示パネル603の表面のタッチパネルからの入力信号を受信するための電子回路を内蔵している。表示パネル603との接続のために、伝送処理IC612には、フレキシブル配線609が接続されている。
FMチューナIC615は、その近傍において実装基板9に実装された複数のチップ抵抗器624、複数のチップインダクタ625および複数の双方向ツェナーダイオードチップ2643とともに、FM放送受信回路626を構成している。チップ抵抗器624およびチップインダクタ625は、正確に合わせ込まれた抵抗値およびインダクタンスをそれぞれ有し、FM放送受信回路626に高精度な回路定数を与える。
マイクロコンピュータ618は、CPU、ROMおよびRAMを内蔵しており、各種の演算処理を実行することにより、スマートフォン2601の複数の機能を実現する演算処理回路である。より具体的には、マイクロコンピュータ618の働きにより、画像処理や各種アプリケーションプログラムのための演算処理が実現されるようになっている。マイクロコンピュータ618の近傍には、複数の双方向ツェナーダイオードチップ2646が配置されている。
また、スマートフォン2601の位置情報が必要とされるときには、マイクロコンピュータ618は、GPS受信IC614が出力する位置情報を取得し、その位置情報を用いた演算処理を実行する。
フラッシュメモリ617は、通信によって取得したデータの記憶や、マイクロコンピュータ618の演算や、タッチパネルからの入力によって作成されたデータを記憶するために用いられる。マイクロコンピュータ618は、必要に応じて、フラッシュメモリ617に対してデータを書き込み、またフラッシュメモリ617からデータを読み出す。
<変形例>
前述の第6〜第8参考例では、第1拡散領域2110および第2拡散領域2112が、互いに対称に形成されている例(図78および図79参照)について説明したが、第1拡散領域2110および第2拡散領域2112が、非対象に形成されている例を採用してもよい。ただし、この構成では、第1拡散領域2110および第2拡散領域2112が非対称であるので、図86Bにおいて説明したように、第1接続電極3を正極とし第2接続電極4を負極として得られる電圧対電流特性が、第1接続電極3を負極とし第2接続電極4を正極として得られる電圧対電流特性とが等しくならない。したがって、パラレル数を増加させる際に、図124に示すチップ部品2401の構成を採用してもよい。
第1変形例に係るチップ部品2401が、前述の第6参考例に係るチップ部品2001と異なる点は、パラレル構造12に代えて、パラレル構造2410Aおよびパラレル構造2410Bが形成されている点である。図124において、前述の図78に示された各部と対応する部分には同一の参照符号を付して、説明を省略する。
また、第1接続電極3および第1拡散領域2110,2410と、第2接続電極4および第2拡散領域2112,2412とは、平面視において、互いに対称に構成されている。より具体的には、第1接続電極3および第1拡散領域2110,2410と第2接続電極4および第2拡散領域2112,2412とは、平面視において、素子形成面2Aの重心に対して点対称に構成されている。また、第1接続電極3および第1拡散領域2110,2410と第2接続電極4および第2拡散領域2112,2412とは、素子形成面2Aの重心を通り、チップ部品2401の短手方向(チップ部品2401の短辺82に沿う方向)に延びる直線に対して、線対称に形成されている。
また、前述の第6〜第8参考例では、第1および第2接続電極3,4が周縁部86,87を有している例について説明したが、図126および図127に示す構成を採用してもよい。
第3変形例に係るチップ部品2951が、前述の第6参考例に係るチップ部品2001と異なる点は、第1および第2接続電極3,4に代えて、第1および第2接続電極953,954が形成されている点である。その他の構成は、第6参考例に係るチップ部品2001と同様であるので、同一の参照符号を付して、説明を省略する。なお、図127では、説明の便宜上、パターンPT(図82〜図83参照)の図示を省略して示している。
次に、前述の図103Eと同様の工程で、第1開口25および第2開口26を含む所定のパターンPT(図82〜図84参照)、およびパッド開口922,923に対応するパターンで樹脂膜24を露光する。その後、樹脂膜24が現像される。樹脂膜24をパターニング、現像することによって、当該樹脂膜24における所定のパターンPTと一致する部分、およびパッド開口922,923と一致する部分が選択的に除去される。次に、第1および第2ツェナーダイオードD1,D2に対して、プローブ70による電気テストが行われる。
このような構成であっても、前述の第6〜第8参考例において述べた効果と同様の効果を奏することができる。なお、図126および図127では、前述の第6参考例に係るチップ部品2001の変形例として示しているが、むろん、第1および第2接続電極953,954の構成は、前述した第6〜第8参考例、および図77に示すチップ部品2001の第1ならびに第2変形例のそれぞれに採用できる。
たとえば、前述の第1実施形態では、第2接続電極4側に貫通孔6が形成された例について説明したが、第1接続電極3側に貫通孔を形成してもよい。このような構成であっても、前述の各実施形態において述べた効果と同様の効果を奏することができる。ただし、貫通孔をカソード電極側に形成した場合、たとえば、貫通孔の壁面に形成されたパッシベーション膜の劣化等によって電流経路が形成され、カソード電極側からアノード電極側に向けて漏れ電流が流れる可能性がある。したがって、貫通孔はアノード電極側に形成されていることが好ましい。
また、前述の第1および第2実施形態では、pn接合領域またはショットキ接合領域が平面視において正八角形に形成されている例を示したが、辺の数が3個以上の任意の多角形形状にpn接合領域またはショットキ接合領域を形成してもよいし、それらの平面形状を円形や楕円形としてもよい。pn接合領域またはショットキ接合領域の形状を多角形形状とする場合に、それらは正多角形形状である必要はなく、辺の長さが2種類以上の多角形によってそれらの領域を形成してもよい。さらにまた、pn接合領域またはショットキ接合領域は、同じ大きさに形成される必要はなく、異なる大きさの接合領域をそれぞれ有する複数のダイオードセルが基板2上に混在していてもよい。さらにまた、基板2上に形成されるpn接合領域またはショットキ接合領域の形状は、1種類である必要はなく、2種以上の形状のpn接合領域またはショットキ接合領域が基板2上で混在していてもよい。
また、前述の第3実施形態において、第1および第2接続電極3,4を設けずに、第1パッド405および第2パッド406をそれぞれを外部接続部とし、これらの第1パッド405および第2パッド406にボンディングワイヤを接続する構成をとることもできる。この場合、ワイヤボンディング時の衝撃によってpn接合領域411,413が破壊されることを回避できる。
また、前述の第1〜第4参考例では、面取り部1006,1506が、第1接続電極3,503側の角部に形成されている例について説明したが、第2接続電極4,504側の角部に形成されていてもよい。このような例であっても、第1参考例において述べた効果と同様の効果を奏することができる。
また、前述の第1および第2参考例では、pn接合領域またはショットキ接合領域が平面視において正八角形に形成されている例を示したが、辺の数が3個以上の任意の多角形形状にpn接合領域またはショットキ接合領域を形成してもよいし、それらの平面形状を円形や楕円形としてもよい。pn接合領域またはショットキ接合領域の形状を多角形形状とする場合に、それらは正多角形形状である必要はなく、辺の長さが2種類以上の多角形によってそれらの領域を形成してもよい。さらにまた、pn接合領域またはショットキ接合領域は、同じ大きさに形成される必要はなく、異なる大きさの接合領域をそれぞれ有する複数のダイオードセルが基板2上に混在していてもよい。さらにまた、基板2上に形成されるpn接合領域またはショットキ接合領域の形状は、1種類である必要はなく、2種以上の形状のpn接合領域またはショットキ接合領域が基板2上で混在していてもよい。
また、前述の第3参考例において、第1および第2接続電極3,4を設けずに、第1パッド405および第2パッド406をそれぞれを外部接続部とし、これらの第1パッド405および第2パッド406にボンディングワイヤを接続する構成をとることもできる。この場合、ワイヤボンディング時の衝撃によってpn接合領域411,413が破壊されることを回避できる。
また、前述の第6参考例では、複数の凸部96が、平面視矩形状に形成されている例について説明したが、複数の凸部96は、平面視円形状に形成されていてもよい。また、複数の凸部96は、平面視ハニカム状に配列されていてもよい。平面視ハニカム状に複数の凸部96が形成されている場合、互いに隣り合う凸部96間の幅は全て等しくなる。したがって、第1および第2接続電極3,4の表面に凸部96を無駄なく敷き詰めることができると共に、図84において説明したように、凸部96が千鳥状に配列されている場合と同様の効果を奏することができる。この場合、第1および第2電極膜2103,2104上には、第1および第2電極膜2103,2104の各表面をハニカム状に露出させるように第1および第2開口25,26を有するパターンPTが形成される。
また、前述の第6参考例では、平坦部97と当該平坦部97の周囲に形成された複数の凸部96とが互いに間隔を空けて形成されている例について説明したが、平坦部97と当該平坦部97の周囲に形成された複数の凸部96とは、互いに連なるように形成されていてもよい。
また、前述の第6参考例では、第1および第2接続電極3,4の表面に平面視長方形状の平坦部97が形成された例について説明したが、平面視長方形状の平坦部97に代えて、平面視多角形状、平面視円形状等の平坦部が形成されていてもよい。この場合、第1および第2電極膜2103,2104上には、平坦部が形成される領域に対応する位置に、平面視多角形状、平面視円形状の第1開口25を含むパターンPTを形成すればよい。
また、前述の第7および第8参考例において、チップ部品2201,2301に切断分離する際に、境界領域2180に沿ってプラズマエッチングが施されるが、プラズマエッチングのエッチング条件を変更してもよい。プラズマエッチングのエッチング条件を変更することによって、チップ部品2201,2301の切断端面の形状を、表面から裏面に向かって垂直な端面、表面から裏面に向かって広がる方向の傾斜(増方向の傾斜)がついた端面、表面から裏面に向かって狭まる方向の傾斜(えぐり方向の傾斜)がついた端面等、端面を垂直面以外に、傾斜面として形成でき、それに合わせて、凹マーク207や凸マーク270も垂直に延びたり、傾斜方向に延びたりしたマークとすることができる。このように、エッチング条件の制御により、凹マーク207や凸マーク270の傾斜を加え、情報量のより豊富なマークとすることもできる。
さらに、前述の第6〜第8参考例において、各種の不純物領域(p型の不純物がドーピングされた領域とn型の不純物がドーピングされた領域)の極性を逆にしてもよい。したがって、p型の半導体基板2を、n型の半導体基板2に変更してもよい。その他の不純物領域は、半導体基板2の極性に合わせてn型とp型とを変更すれば良い。
たとえば、図42〜図76Dを参照して、生産性の低下を抑制しながら、極性方向を精度よく判定することができるチップ部品およびその製造方法を提供すること、および、生産性の低下を抑制しながら、極性方向を精度よく判定することができるチップ部品を備えた回路アセンブリおよび電子機器を提供することを目的とする場合、以下のA1〜A18に示すような特徴を有するチップ部品が抽出され得る。
通常、チップ部品が実装された実装基板は、基板外観検査工程を経て「良品」と判定されたものだけが出荷される。基板外観検査工程では、自動光学検査装置(AOI:Automatic Optical Inspection Machine)によって、判定項目として、実装基板のはんだ付けの状態検査、チップ部品の電極に極性がある場合には極性検査等が実施される。
しかしながら、チップ部品は、必ずしも水平な姿勢で実装基板に実装されるわけではなく、時には傾いた姿勢で実装基板に実装される場合がある。この場合、その傾斜角度によっては、検査装置からチップ部品に照射された光の一部が極性ウィンドウ外に反射したり、入射光に対する反射光の波長が変化し、検出される色が設定値以下の色として認識(誤認識)されたりすることがある。その結果、電極の極性方向が誤っていないにも関わらず、「不良品」と判定されるという不具合がある。
この構成によれば、チップ部品が実装基板に実装された際に、切欠部の位置に基づいて一方の電極および他方の電極のそれぞれの位置を確認することができる。これにより、一対の電極に極性がある場合に、その極性方向を簡単に判定することができる。しかも、その極性判定は、検査装置で検出される明るさや色合いに基づいて行われるものではなく、実装基板に対するチップ部品の傾きが変わっても不変な切欠部の形状に基づいて行われる。したがって、外観検査工程において、たとえチップ部品が傾いた姿勢で実装された実装基板や、水平な姿勢で実装された実装基板が混在する場合であっても、当該切欠部に基づくことによって、実装基板毎に検査装置の検出系統等を最適化することなしに、安定した品質で極性方向を判定することができる。
また、極性方向を判定するための指標として、チップ部品の表面や裏面に標印を形成する必要がないため、紫外線やレーザ等の照射によってチップ部品に標印を形成するための標印装置を使用する必要もない。そのため、チップ部品の製造工程を簡略化できるとともに、設備投資を削減できる。これにより、生産性の向上を図ることもできる。
A3:前記基板は、平面視略矩形状に形成されており、前記切欠部は、前記基板の一辺に沿う周縁部に選択的に形成された凹部を含む、A1に記載のチップ部品。
A4:前記一方の電極は、平面視において、前記切欠部を描く線に沿う部分を有している、A1〜A3のいずれか一つに記載のチップ部品。
この構成によれば、基板の表面に加えて側面にも電極が形成されているので、チップ部品を実装基板にはんだ付けする際の接着面積を拡大することができる。その結果、電極に対するはんだの吸着量を増やすことができるので、接着強度を向上させることができる。また、はんだが基板の表面から側面に回り込むように吸着するので、実装状態において、基板の表面および側面の2方向からチップ部品を保持できる。そのため、チップ部品の実装形状を安定化させることができる。
A7:前記素子は、互いに間隔を空けて前記基板に配置された互いに異なる機能を有する複数の素子を含み、前記一対の電極は、各前記複数の素子のそれぞれに電気的に接続されている、A1〜A6のいずれか一つに記載のチップ部品。
この構成によれば、基板に形成された切欠部は、カソード電極を示すカソードマーク、またはアノード電極を示すアノードマークとして機能する。したがって、チップ部品が実装基板に実装された際に、カソード電極とアノード電極が逆向きに実装されている場合であっても、切欠部の位置に基づいてチップ部品の極性方向を判定できる。そのため、ダイオードを含むチップ部品を実装基板に実装する際の信頼性をより一層高めることができる。
この構成によれば、チップ部品の裏面が鏡面化されているので、検査装置から当該裏面に入射した光を効率よく反射させることができる。そのため、実装基板に対するチップ部品の傾き具合が異なる様々な実装基板を検査する場合に、ある傾きを他の傾きと区別するための情報(反射光の明るさや色合い)を、検査装置に良好に反映させることができる。その結果、チップ部品の傾きを良好に検出することができる。特に、この構成では、極性方向の判定の指標としてチップ部品からの反射光の情報を省略できるので、このような裏面の鏡面化によってチップ部品の極性方向の判定精度が低下することを防止することができる。
この構成によれば、チップ部品の外部接続電極として機能する電極の最表面には、Au層が形成されている。そのため、チップ部品を実装基板に実装する際に、優れたはんだ濡れ性と、高い信頼性とを達成できる。また、この構成の電極では、Au層を薄くすることによってAu層に貫通孔(ピンホール)ができてしまっても、Ni層とAu層との間に介装されたPd層が当該貫通孔を塞いでいるので、当該貫通孔からNi層が外部に露出されて酸化することを防止できる。
この構成によれば、チップ部品の極性方向に誤りがなく、信頼性の高い電子回路を有する回路アセンブリを提供できる。
この構成によれば、チップ部品を備えているので、チップ部品の極性方向に誤りがなく、信頼性の高い電子回路を有する電子機器を提供できる。
A13:基板上に複数の素子を互いに間隔を空けて形成する工程と、少なくとも一つの前記素子を含むチップ領域を区画する溝を、前記基板を選択的に除去することによって形成する工程であって、同時に、当該チップ領域の周縁部の一部に、前記溝の一部を利用して10μmよりも大きい切り欠き幅で切欠部を形成する工程と、前記素子に電気的に接続されるように、前記チップ領域において前記切欠部に沿う一方の電極と、前記一方の電極と前記基板の表面に沿って対向する他方の電極とを含む一対の電極を形成する工程と、前記基板を前記表面の反対側の裏面から前記溝に到達するまで研削することにより、前記複数のチップ領域を前記溝に沿って分割し、複数のチップ部品に個片化する工程とを含む、チップ部品の製造方法。
A15:前記溝を形成する工程は、その側面が前記切欠部として選択的に凹んだ平面視略矩形状のチップ領域を形成する工程を含む、A13に記載のチップ部品の製造方法。
A16:前記素子を形成する工程は、前記基板にダイオードを形成する工程を含み、前記一対の電極を形成する工程は、前記ダイオードのカソードおよびアノードとそれぞれ電気的に接続されるカソード電極およびアノード電極を形成する工程を含む、A13〜A15のいずれか一つに記載のチップ部品の製造方法。
また、図77〜図128Dを参照して、良好な端子間容量を実現できる双方向ツェナーダイオードチップを提供すること、および、当該双方向ツェナーダイオードチップを備える回路アセンブリおよびそれを筐体内に収容した電子機器を提供することを目的とする場合、以下のB1〜B20に示すような特徴を具備する双方向ツェナーダイオードチップが抽出され得る。
B2:前記第1拡散領域および前記第2拡散領域の各面積が、それぞれ2000μm2以下であり、前記第1拡散領域および前記第2拡散領域の各周囲長が、それぞれ470μm以上である、B1に記載の双方向ツェナーダイオードチップ。
B3:ESD耐量が12kV以上である、B1またはB2に記載の双方向ツェナーダイオードチップ。
この構成によれば、半導体基板および第1拡散領域のpn接合部における静電容量と、半導体基板および第2拡散領域のpn接合部における静電容量とを実質的に等しくすることができる。
この構成によれば、第1ツェナーダイオードのESD耐量と、第2ツェナーダイオードのESD耐量とを実質的に等しくすることができる。
B6:前記第1拡散領域および前記第2拡散領域は、互いに対称に形成されている、B1〜B5のいずれか一つに記載の双方向ツェナーダイオードチップ。
この構成によれば、各電流方向に対する電圧対電流特性が実質的に等しい双方向ツェナーダイオードチップを提供できる。
この構成によれば、複数の第1拡散領域毎に分離されたpn接合が形成されるので、第1拡散領域の周囲長を長くすることができる。これにより、電界の集中が緩和され、第1ツェナーダイオードのESD耐量を向上できる。同様に、複数の第2拡散領域毎に分離されたpn接合が形成されるので、第2拡散領域の周囲長を長くすることができる。これにより、電界の集中が緩和され、第2ツェナーダイオードのESD耐量を向上できる。
B9:前記複数の第1拡散領域および前記複数の第2拡散領域が、前記配列方向に交差する方向に延びた長手に形成されている、B8に記載の双方向ツェナーダイオードチップ。
B10:前記第1電極は、前記複数の第1拡散領域にそれぞれ接合された複数の第1引き出し電極部を含み、前記第2電極は、前記複数の第2拡散領域にそれぞれ接合された複数の第2引き出し電極部を含み、前記複数の第1引き出し電極部および前記複数の第2引き出し電極部は、互いに噛み合う櫛歯形状に形成されている、B8またはB9に記載の双方ツェナーダイオードチップ。
B11:前記第1電極に電気的に接続される第1外部接続部と、前記第2電極に電気的に接続される第2外部接続部とをさらに含む、B1〜B10のいずれか一つに記載の双方ツェナーダイオードチップ。
双方向ツェナーダイオードチップが実装基板にはんだ付けされる際には、自動実装機が使用される。自動実装機に収納された双方向ツェナーダイオードチップは、自動実装機に備えられた吸着ノズルによって吸着され、実装基板上まで搬送される。吸着ノズルにより吸着された双方向ツェナーダイオードチップに対しては、実装に先立って、自動実装機に備えられた光源から光が照射されて、部品認識カメラによる双方向ツェナーダイオードチップの表裏判定が実行される。
B14:前記凸部形成部は、前記複数の凸部が、互いに直交する行方向および列方向において1列おきに行方向の位置をずらして千鳥状に配列されたパターンを含む、B12に記載の双方向ツェナーダイオードチップ。
この構成によれば、半導体基板がp型半導体基板であるので、半導体基板上にエピタキシャル層を形成しなくても、安定した特性を実現できる。すなわち、n型の半導体基板は、抵抗率の面内ばらつきが大きいので、抵抗率の面内ばらつきの少ないエピタキシャル層を表面に形成し、エピタキシャル層に不純物拡散層を形成してpn接合を形成する必要がある。これに対して、p型半導体基板は、抵抗率の面内ばらつきが少ないので、エピタキシャル層を形成することなく、安定した特性の双方向ツェナーダイオードをp型半導体基板のいずれの箇所からも切り出すことができる。よって、p型半導体基板を用いることによって、製造工程を簡単にでき、かつ製造コストを低減できる。
この構成によれば、半導体基板の周縁部に形成された凹凸に基いて双方向ツェナーダイオードチップの極性方向(正極方向および負極方向)、型名、製造年月日その他の情報を得ることができる。また、双方向ツェナーダイオードチップを実装する際に使用する自動実装機は、凹凸を容易に認識できるので、自動実装にも適した双方向ツェナーダイオードチップを提供できる。
この構成によれば、半導体基板の表面は、コーナー部が丸められた矩形形状を有している。それによって、双方向ツェナーダイオードチップの角部の欠け(チッピング)を抑制または防止できるので、外観不良の少ない双方向ツェナーダイオードチップを提供できる。
この構成によれば、前述のいずれかの特徴を有する双方向ツェナーダイオードチップを備えた電子回路を有する回路アセンブリを提供できる。
B19:前記双方向ツェナーダイオードチップが、前記実装基板にワイヤレスボンディングによって接続されている、B18に記載の回路アセンブリ。
B20:B18またはB19に記載の回路アセンブリと、前記回路アセンブリを収容した筐体とを含む、電子機器。
2 基板
2A 素子形成面
3 第1接続電極
4 第2接続電極
5 素子領域
6 貫通孔
23 パッシベーション膜
24 樹脂膜
33 Ni層
34 Pd層
35 Au層
41 レジストパターン
42 開口
48 チップ領域
63 開口部
66 壁面
91 自動光学検査装置
100 回路アセンブリ
103 カソード電極膜
104 アノード電極膜
201 チップ部品
233 カソード電極膜
234 アノード電極膜
401 チップ部品
401A チップ部品
401B チップ部品
401C チップ部品
401D チップ部品
401E チップ部品
401F チップ部品
501 チップ部品
502 基板
502A 素子形成面
503 第1接続電極
504 第2接続電極
505 素子領域
523 パッシベーション膜
524 樹脂膜
541 チップ部品
546 貫通孔
563 開口部
566 壁面
591 チップ部品
596 貫通孔
601 スマートフォン
628,631 チップダイオード
641〜648 双方向ツェナーダイオードチップ
701 チップ部品
706 貫通孔
801 チップ部品
806 貫通孔
901 チップ部品
906 貫通孔
951 チップ部品
953 第1接続電極
954 第2接続電極
956 貫通孔
963 開口部
966 壁面
D101-D104 ダイオードセル
D201-D204 ダイオードセル
D401,D402 ツェナーダイオード
D411-D414 ツェナーダイオード
D421-D424 ツェナーダイオード
AM1 アノードマーク
AM2 アノードマーク(標印)
P 部品検出位置
Claims (19)
- 貫通孔が形成された基板と、
前記基板の表面上に形成され、平面視において前記貫通孔と重なる位置に形成された一方の電極と、前記一方の電極と前記基板の表面に沿って対向する他方の電極とを含む一対の電極と、
前記基板の表面側に形成され、前記一対の電極と電気的に接続された素子とを含む、チップ部品。 - 前記一方の電極は、前記貫通孔を露出させる開口部を含む、請求項1に記載のチップ部品。
- 前記一方の電極は、当該一方の電極の中央部を避けた位置で前記貫通孔と重なっている、請求項1または2に記載のチップ部品。
- 前記一方の電極および前記他方の電極は、前記基板の周縁部を覆うように、前記基板の表面および側面に一体的に形成されている、請求項1〜3のいずれか一項に記載のチップ部品。
- 前記貫通孔は、複数形成されている、請求項1〜4のいずれか一項に記載のチップ部品。
- 前記素子は、前記一対の電極の間に形成されている、請求項1〜5のいずれか一項に記載のチップ部品。
- 前記素子は、互いに間隔を空けて前記基板に配置された互いに異なる機能を有する複数の素子を含み、
前記一対の電極は、各前記複数の素子のそれぞれに電気的に接続されるように、前記基板上に形成されている、請求項1〜6のいずれか一項に記載のチップ部品。 - 前記素子は、ダイオードを含み、
前記一対の電極は、前記ダイオードのカソードおよびアノードとそれぞれ電気的に接続されたカソード電極およびアノード電極を含む、請求項1〜7のいずれか一項に記載のチップ部品。 - 前記基板は、前記表面の反対側の裏面が鏡面化されている、請求項1〜8のいずれか一項に記載のチップ部品。
- 前記一対の電極は、Ni層と、Au層と、前記Ni層と前記Au層との間に介在するPd層とを含む、請求項1〜9のいずれか一項に記載のチップ部品。
- 請求項1〜10のいずれか一項に記載のチップ部品と、
前記基板の前記一対の電極に対向する実装面に、前記一対の電極にはんだ接合されたランドを有する実装基板とを含む、回路アセンブリ。 - 請求項11に記載の回路アセンブリと、
前記回路アセンブリを収容した筐体とを含む、電子機器。 - 基板上に複数の素子を互いに間隔を空けて形成する工程と、
少なくとも一つの前記素子を含むチップ領域を区画する溝と、当該チップ領域内に貫通孔を形成するための貫通孔用の溝とを、前記基板を選択的に除去することによって形成する溝形成工程と、
前記素子に電気的に接続されるように、前記チップ領域において前記貫通孔と重なる位置に一方の電極と、前記一方の電極と前記基板の表面に沿って対向する他方の電極とを含む一対の電極を形成する電極形成工程と、
前記基板を前記表面の反対側の裏面から前記溝および前記貫通孔用の溝に到達するまで研削することにより、前記複数のチップ領域を前記溝に沿って分割し、それぞれに前記貫通孔が形成された複数のチップ部品に個片化する工程とを含む、チップ部品の製造方法。 - 前記電極形成工程は、前記貫通孔用の溝を露出させる開口部を前記一方の電極に形成する工程を含む、請求項13に記載のチップ部品の製造方法。
- 前記電極形成工程において、前記一方の電極を、当該一方の電極の中央部を避けた位置で前記貫通孔と重なるように形成する工程を含む、請求項13または14に記載のチップ部品の製造方法。
- 前記電極形成工程に先立って、前記溝の側面に絶縁膜を形成する工程をさらに含み、
前記電極形成工程は、無電解めっきによって、前記チップ領域の表面および前記溝の側面を一体的に覆うように前記一方の電極および前記他方の電極を形成する工程を含む、請求項13〜15のいずれか一項に記載のチップ部品の製造方法。 - 前記溝形成工程は、前記貫通孔用の溝を複数形成する工程を含む、請求項13〜16のいずれか一項に記載のチップ部品の製造方法。
- 前記溝形成工程は、エッチングによって前記溝および前記貫通孔用の溝を形成する工程を含む、請求項13〜17のいずれか一項に記載のチップ部品の製造方法。
- 前記素子を形成する工程は、前記基板にダイオードを形成する工程を含み、
前記一対の電極を形成する工程は、前記ダイオードのカソードおよびアノードとそれぞれ電気的に接続されるカソード電極およびアノード電極を形成する工程を含む、請求項13〜18のいずれか一項に記載のチップ部品の製造方法。
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Cited By (1)
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JP6393587B2 (ja) | 2014-03-05 | 2018-09-19 | ローム株式会社 | 双方向ツェナーダイオード |
US10431697B2 (en) * | 2015-09-25 | 2019-10-01 | Rohm Co., Ltd. | Bi-directional Zener diode having a first and second impurity regions groups formed in surface portion of a substrate and a first electrode electrically connected to at least one first impurity regions, and not connected from at least another one |
EP3413339B1 (en) * | 2017-06-08 | 2023-05-24 | Brooks Automation (Germany) GmbH | Inspection system and method of inspection for substrate containers |
WO2019031036A1 (ja) * | 2017-08-10 | 2019-02-14 | 株式会社村田製作所 | Esd保護デバイス、および、信号伝送線路 |
JP7132719B2 (ja) * | 2018-01-19 | 2022-09-07 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
KR102496371B1 (ko) * | 2018-10-30 | 2023-02-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
WO2021219254A1 (de) * | 2020-04-27 | 2021-11-04 | Tdk Electronics Ag | Elektronisches bauteil mit kontaktflächen |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0629386A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Sharp Corp | 半導体装置の分割方法 |
JPH09320911A (ja) * | 1996-05-27 | 1997-12-12 | Mitsubishi Electric Corp | 被識別機能付き半導体基板 |
JP2003060119A (ja) * | 2001-08-21 | 2003-02-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
WO2006085492A1 (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 静電気保護機能付きチップ部品 |
JP2006261643A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-09-28 | Infineon Technologies Ag | 半導体デバイスおよびその製造方法 |
JP2007243102A (ja) * | 2006-03-13 | 2007-09-20 | Enzan Seisakusho Co Ltd | ダイオードチップ |
JP2008021987A (ja) * | 2006-06-16 | 2008-01-31 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法及び基板 |
JP2009076576A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Sharp Corp | 発光装置 |
JP2013153129A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-08-08 | Rohm Co Ltd | チップ抵抗器および抵抗回路網を有する電子機器 |
JP2013232620A (ja) * | 2012-01-27 | 2013-11-14 | Rohm Co Ltd | チップ部品 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4558345A (en) * | 1983-10-27 | 1985-12-10 | Rca Corporation | Multiple connection bond pad for an integrated circuit device and method of making same |
JPH0716005B2 (ja) | 1988-04-08 | 1995-02-22 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JPH0529173A (ja) | 1991-07-22 | 1993-02-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品 |
JPH08316001A (ja) | 1995-05-12 | 1996-11-29 | Rohm Co Ltd | チップ型電子部品 |
JP3339433B2 (ja) * | 1998-11-25 | 2002-10-28 | 株式会社村田製作所 | 加速度センサモジュールおよびこのモジュールを用いた加速度検出装置の製造方法 |
US6429383B1 (en) * | 1999-04-14 | 2002-08-06 | Intel Corporation | Apparatus and method for improving circuit board solder |
JP4917709B2 (ja) | 2000-03-06 | 2012-04-18 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
TW457545B (en) * | 2000-09-28 | 2001-10-01 | Advanced Semiconductor Eng | Substrate to form electronic package |
US7340778B2 (en) * | 2002-07-24 | 2008-03-04 | Macrovision Corporation | Method and apparatus for ensuring the copy protection of digital data |
US7015590B2 (en) * | 2003-01-10 | 2006-03-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Reinforced solder bump structure and method for forming a reinforced solder bump |
US7238079B2 (en) * | 2003-01-14 | 2007-07-03 | Disney Enterprise, Inc. | Animatronic supported walking system |
US7078746B2 (en) * | 2003-07-15 | 2006-07-18 | Micron Technology, Inc. | Image sensor with floating diffusion gate capacitor |
US7518158B2 (en) * | 2003-12-09 | 2009-04-14 | Cree, Inc. | Semiconductor light emitting devices and submounts |
US7279724B2 (en) * | 2004-02-25 | 2007-10-09 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Ceramic substrate for a light emitting diode where the substrate incorporates ESD protection |
US7041591B1 (en) * | 2004-12-30 | 2006-05-09 | Phoenix Precision Technology Corporation | Method for fabricating semiconductor package substrate with plated metal layer over conductive pad |
US20060177999A1 (en) * | 2005-02-10 | 2006-08-10 | Micron Technology, Inc. | Microelectronic workpieces and methods for forming interconnects in microelectronic workpieces |
CN101421193A (zh) * | 2006-02-14 | 2009-04-29 | 达里尔·霍华德 | 污水处理方法 |
TWI303872B (en) * | 2006-03-13 | 2008-12-01 | Ind Tech Res Inst | High power light emitting device assembly with esd preotection ability and the method of manufacturing the same |
KR101314713B1 (ko) * | 2006-06-16 | 2013-10-07 | 신꼬오덴기 고교 가부시키가이샤 | 반도체 장치, 그 제조 방법, 및 기판 |
JP2008010621A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Toshiba Corp | 回路基板ユニット |
US20090127667A1 (en) * | 2007-11-21 | 2009-05-21 | Powertech Technology Inc. | Semiconductor chip device having through-silicon-via (TSV) and its fabrication method |
US8878219B2 (en) * | 2008-01-11 | 2014-11-04 | Cree, Inc. | Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method |
JP5337470B2 (ja) * | 2008-04-21 | 2013-11-06 | セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 絶縁ゲート型半導体装置 |
US8445917B2 (en) * | 2009-03-20 | 2013-05-21 | Cree, Inc. | Bidirectional silicon carbide transient voltage suppression devices |
US8442741B2 (en) * | 2010-04-07 | 2013-05-14 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Vehicle control apparatus |
WO2012094405A1 (en) * | 2011-01-04 | 2012-07-12 | Merit Medical Systems, Inc. | Multiple loop snare |
JP2013058640A (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-28 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
JP6176817B2 (ja) | 2011-10-17 | 2017-08-09 | ローム株式会社 | チップダイオードおよびダイオードパッケージ |
-
2014
- 2014-10-29 JP JP2014220433A patent/JP6539035B2/ja active Active
- 2014-12-31 US US14/587,843 patent/US9859240B2/en active Active
-
2017
- 2017-12-05 US US15/832,358 patent/US10468362B2/en active Active
-
2019
- 2019-09-19 US US16/575,557 patent/US10867945B2/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0629386A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Sharp Corp | 半導体装置の分割方法 |
JPH09320911A (ja) * | 1996-05-27 | 1997-12-12 | Mitsubishi Electric Corp | 被識別機能付き半導体基板 |
JP2003060119A (ja) * | 2001-08-21 | 2003-02-28 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006261643A (ja) * | 2005-01-28 | 2006-09-28 | Infineon Technologies Ag | 半導体デバイスおよびその製造方法 |
WO2006085492A1 (ja) * | 2005-02-09 | 2006-08-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 静電気保護機能付きチップ部品 |
JP2007243102A (ja) * | 2006-03-13 | 2007-09-20 | Enzan Seisakusho Co Ltd | ダイオードチップ |
JP2008021987A (ja) * | 2006-06-16 | 2008-01-31 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及び半導体装置の製造方法及び基板 |
JP2009076576A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-09 | Sharp Corp | 発光装置 |
JP2013153129A (ja) * | 2011-09-29 | 2013-08-08 | Rohm Co Ltd | チップ抵抗器および抵抗回路網を有する電子機器 |
JP2013232620A (ja) * | 2012-01-27 | 2013-11-14 | Rohm Co Ltd | チップ部品 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20220158382A (ko) | 2021-05-24 | 2022-12-01 | 삼성전기주식회사 | 코일 부품 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20150243612A1 (en) | 2015-08-27 |
US20200013737A1 (en) | 2020-01-09 |
US9859240B2 (en) | 2018-01-02 |
US20180108628A1 (en) | 2018-04-19 |
US10468362B2 (en) | 2019-11-05 |
JP6539035B2 (ja) | 2019-07-03 |
US10867945B2 (en) | 2020-12-15 |
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