JPH0529173A - 電子部品 - Google Patents
電子部品Info
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- JPH0529173A JPH0529173A JP3180867A JP18086791A JPH0529173A JP H0529173 A JPH0529173 A JP H0529173A JP 3180867 A JP3180867 A JP 3180867A JP 18086791 A JP18086791 A JP 18086791A JP H0529173 A JPH0529173 A JP H0529173A
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- cream solder
- electronic component
- melting point
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
Landscapes
- Details Of Resistors (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 実装工程からリフロー工程に至る間に生じる
電子部品の脱落，およびリフロー時に生ずる電子部品の
立ち上がりを防止する外部電極構造を提供する 【構成】 電子部品本体１に外部電極２が形成された電
子部品において、前記外部電極２に溝３を設けることに
より、外部電極２に凹凸を設ける。
電子部品の脱落，およびリフロー時に生ずる電子部品の
立ち上がりを防止する外部電極構造を提供する 【構成】 電子部品本体１に外部電極２が形成された電
子部品において、前記外部電極２に溝３を設けることに
より、外部電極２に凹凸を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、面実装に適したチップ
形電子部品に関するものである。
形電子部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に伴い、回路を
構成する電子部品も従来のリード付きディスクリート部
品に替えて面実装に対応したチップ形電子部品が多く用
いられるようになった。そして、チップ形電子部品の大
きさが小さくなるにつれて半田付け不良を防ぐ必要性が
高まっており、様々な試みがなされている。チップ形電
子部品の半田付け法としては、リフロー方式とディツプ
方式がある。この二つの方式のうち、リフロー方式にお
いて、電子部品は基板上にあらかじめ形成されたクリー
ム半田の塊に電子部品の外部電極部の基板に向かい合う
底面を圧着することによって実装される。実装された
後、リフローされるまでの間、電子部品はクリーム半田
の粘着力によって基板上に保持される。
構成する電子部品も従来のリード付きディスクリート部
品に替えて面実装に対応したチップ形電子部品が多く用
いられるようになった。そして、チップ形電子部品の大
きさが小さくなるにつれて半田付け不良を防ぐ必要性が
高まっており、様々な試みがなされている。チップ形電
子部品の半田付け法としては、リフロー方式とディツプ
方式がある。この二つの方式のうち、リフロー方式にお
いて、電子部品は基板上にあらかじめ形成されたクリー
ム半田の塊に電子部品の外部電極部の基板に向かい合う
底面を圧着することによって実装される。実装された
後、リフローされるまでの間、電子部品はクリーム半田
の粘着力によって基板上に保持される。
【０００３】以下に図面を参照しながら、上記した従来
の一例について説明する。（図７）は従来のチップ形電
子部品で、（図７（ａ））はその斜視図であり、（図７
（ｂ））は（図７（ａ））に示すのＤ部の表面状態を示
す拡大断面図である。（図７（ａ））において、７１は
電子部品本体、７２は外部電極である。（図７（ｂ））
において７２ａは外部電極本体、７２ｂはめっき部であ
る。
の一例について説明する。（図７）は従来のチップ形電
子部品で、（図７（ａ））はその斜視図であり、（図７
（ｂ））は（図７（ａ））に示すのＤ部の表面状態を示
す拡大断面図である。（図７（ａ））において、７１は
電子部品本体、７２は外部電極である。（図７（ｂ））
において７２ａは外部電極本体、７２ｂはめっき部であ
る。
【０００４】外部電極７２のめっき部７２ｂの表面を荒
すことにより、表面の突起部に熱が集中し外部電極７２
のめっき部７２ｂが溶け易くなり、クリーム半田と外部
電極７２のめっき部７２ｂの溶融性が良好となり、溶着
強度が向上する（例えば、特開昭６２−２１３２２４号
公報）。
すことにより、表面の突起部に熱が集中し外部電極７２
のめっき部７２ｂが溶け易くなり、クリーム半田と外部
電極７２のめっき部７２ｂの溶融性が良好となり、溶着
強度が向上する（例えば、特開昭６２−２１３２２４号
公報）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記のよ
うな構成では、外部電極部の形状は巨視的には平面状で
あり電子部品実装時にクリーム半田と接触する外部電極
の面積が十分ではなく、クリーム半田の粘着力による部
品保持力が不足し、実装工程からリフロー工程に至る間
に電子部品の脱落がしばしば生じるという課題、および
実装時に外部電極周辺にはみ出したクリーム半田がリフ
ロー時に溶融し、外部電極の側面部に表面張力による引
張り力を及ぼし、電子部品の立ち上がりがしばしば生じ
るという課題を有する。
うな構成では、外部電極部の形状は巨視的には平面状で
あり電子部品実装時にクリーム半田と接触する外部電極
の面積が十分ではなく、クリーム半田の粘着力による部
品保持力が不足し、実装工程からリフロー工程に至る間
に電子部品の脱落がしばしば生じるという課題、および
実装時に外部電極周辺にはみ出したクリーム半田がリフ
ロー時に溶融し、外部電極の側面部に表面張力による引
張り力を及ぼし、電子部品の立ち上がりがしばしば生じ
るという課題を有する。
【０００６】本発明はかかる点に鑑み、実装工程からリ
フロー工程に至る間に生ずる電子部品の脱落およびリフ
ロー時に生ずる電子部品の立ち上がりを防止する外部電
極構造を提供することを目的とする。
フロー工程に至る間に生ずる電子部品の脱落およびリフ
ロー時に生ずる電子部品の立ち上がりを防止する外部電
極構造を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明のチップ形電子部品は、外部電極に溝を設け
ること、または外部電極に粒子を固着することにより、
外部電極に凹凸を設けたものである。
めに本発明のチップ形電子部品は、外部電極に溝を設け
ること、または外部電極に粒子を固着することにより、
外部電極に凹凸を設けたものである。
【０００８】
【作用】本発明の電子部品は、外部電極に溝を設けるこ
と、または外部電極に粒子を固着することにより、外部
電極に凹凸を設け、外部電極に凹凸を有せぬ従来例に比
べてクリーム半田と圧着される外部電極の面積を拡大す
ることによって、実装時にクリーム半田の粘着力による
部品保持力を増大させ、また、外部電極が凹凸を有する
ことによって実装時に外部電極と基板との間に生じる空
間内にクリーム半田を保持することにより、外部電極周
辺へのクリーム半田のはみ出し量を減少させるものであ
る。
と、または外部電極に粒子を固着することにより、外部
電極に凹凸を設け、外部電極に凹凸を有せぬ従来例に比
べてクリーム半田と圧着される外部電極の面積を拡大す
ることによって、実装時にクリーム半田の粘着力による
部品保持力を増大させ、また、外部電極が凹凸を有する
ことによって実装時に外部電極と基板との間に生じる空
間内にクリーム半田を保持することにより、外部電極周
辺へのクリーム半田のはみ出し量を減少させるものであ
る。
【０００９】
【実施例】（図１）は本発明の第１の実施例におけるチ
ップ形電子部品で、（図１（ａ））はその斜視図であ
り、（図１（ｂ））は（図１（ａ））のＡ部の拡大図で
ある。
ップ形電子部品で、（図１（ａ））はその斜視図であ
り、（図１（ｂ））は（図１（ａ））のＡ部の拡大図で
ある。
【００１０】（図１）において、１は電子部品本体、２
は外部電極、３は外部電極２の実装時に基板と向かい合
う底面に設けられた溝である。
は外部電極、３は外部電極２の実装時に基板と向かい合
う底面に設けられた溝である。
【００１１】（図１）に示す本発明の第１の実施例で
は、実装時には、基板上にあらかじめ形成されたクリー
ム半田の塊と外部電極２の底面とが圧着され、それに伴
って外部電極２に設けた溝３の開口部を通じてクリーム
半田が溝３の内部に注入される。そして、溝３の内部に
クリーム半田が注入されるに伴って、溝３の内部の空気
は外部電極２の底面周辺に有する開口部より溝３の外部
へ排出される。そして、溝３の内部にクリーム半田が充
填されるに伴って溝３の内壁とクリーム半田が接着する
面積が増加し、部品保持力が増大する効果を有する。
は、実装時には、基板上にあらかじめ形成されたクリー
ム半田の塊と外部電極２の底面とが圧着され、それに伴
って外部電極２に設けた溝３の開口部を通じてクリーム
半田が溝３の内部に注入される。そして、溝３の内部に
クリーム半田が注入されるに伴って、溝３の内部の空気
は外部電極２の底面周辺に有する開口部より溝３の外部
へ排出される。そして、溝３の内部にクリーム半田が充
填されるに伴って溝３の内壁とクリーム半田が接着する
面積が増加し、部品保持力が増大する効果を有する。
【００１２】しかも、クリーム半田がリフロー時に溝３
の内部に留まることによって、外部電極２周辺にはみ出
るクリーム半田の量が少なくなり、外部電極２の底面以
外の外部電極２の面にかかる溶融したクリーム半田の表
面張力による引張り力が減少し、リフロー時の電子部品
本体１の立ち上がり現象をも同時に防止するものであ
る。
の内部に留まることによって、外部電極２周辺にはみ出
るクリーム半田の量が少なくなり、外部電極２の底面以
外の外部電極２の面にかかる溶融したクリーム半田の表
面張力による引張り力が減少し、リフロー時の電子部品
本体１の立ち上がり現象をも同時に防止するものであ
る。
【００１３】（図２）は本発明の第２の実施例における
チップ形電子部品で、（図２（ａ））はその斜視図、
（図２（ｂ））は（図２（ａ））のＢ部の拡大図であ
る。
チップ形電子部品で、（図２（ａ））はその斜視図、
（図２（ｂ））は（図２（ａ））のＢ部の拡大図であ
る。
【００１４】（図２）において、２１は電子部品本体、
２２ａは外部電極本体、２２ｂは外部電極本体２２ａを
形成する材料の融点より低くクリーム半田の融点より高
い融点を有する導電性の材料からなる低融点材料層、２
２は外部電極本体２２ａおよび低融点材料層２２ｂから
なる外部電極、２３は低融点材料層２２ｂに設けられた
溝である。
２２ａは外部電極本体、２２ｂは外部電極本体２２ａを
形成する材料の融点より低くクリーム半田の融点より高
い融点を有する導電性の材料からなる低融点材料層、２
２は外部電極本体２２ａおよび低融点材料層２２ｂから
なる外部電極、２３は低融点材料層２２ｂに設けられた
溝である。
【００１５】（図２）に示す本発明の第２の実施例で
は、実装時には、基板上にあらかじめ形成されたクリー
ム半田の塊と低融点材料層２２ｂとが圧着され、それに
伴って低融点材料層２２ｂに設けた溝２３の内部に溝２
３の開口部を通じてクリーム半田が注入される。そし
て、溝２３の内部にクリーム半田が注入されるに伴っ
て、溝２３の内部の空気は外部電極２２の底面周辺に有
する開口部より溝２３の外部へ排出される。そして、溝
２３の内部にクリーム半田が充填されるに伴って、溝２
３の内壁とクリーム半田が接着する面積が増加するの
で、部品保持力が増大する効果を有する。
は、実装時には、基板上にあらかじめ形成されたクリー
ム半田の塊と低融点材料層２２ｂとが圧着され、それに
伴って低融点材料層２２ｂに設けた溝２３の内部に溝２
３の開口部を通じてクリーム半田が注入される。そし
て、溝２３の内部にクリーム半田が注入されるに伴っ
て、溝２３の内部の空気は外部電極２２の底面周辺に有
する開口部より溝２３の外部へ排出される。そして、溝
２３の内部にクリーム半田が充填されるに伴って、溝２
３の内壁とクリーム半田が接着する面積が増加するの
で、部品保持力が増大する効果を有する。
【００１６】しかも、クリーム半田がリフロー時に溝２
３の内部に留まることによって、外部電極２２周辺には
み出るクリーム半田の量が少なくなり、外部電極２２の
底面以外の外部電極２２の面にかかる溶融したクリーム
半田の表面張力による引張り力が減少し、リフロー時の
電子部品の立ち上がり現象も同時に防止するものであ
る。
３の内部に留まることによって、外部電極２２周辺には
み出るクリーム半田の量が少なくなり、外部電極２２の
底面以外の外部電極２２の面にかかる溶融したクリーム
半田の表面張力による引張り力が減少し、リフロー時の
電子部品の立ち上がり現象も同時に防止するものであ
る。
【００１７】なお、（図２）に示した第２の実施例の構
成では、溝２３の形成方法として、低融点材料層２２ｂ
の融点より高く外部電極本体２２ａの材料の融点よりも
低い温度に昇温した網目状の型を低融点材料層２２ｂに
圧着し、降温後に分離して網目状の型の模様を転写する
方法が考えられる。この場合においては、溝２３の深さ
は低融点材料層２２ｂの厚みによって定まるという効果
を有するので、実装時に、基板上にあらかじめ形成され
たクリーム半田の塊の体積に対して、適正な溝の深さを
設定することができる。
成では、溝２３の形成方法として、低融点材料層２２ｂ
の融点より高く外部電極本体２２ａの材料の融点よりも
低い温度に昇温した網目状の型を低融点材料層２２ｂに
圧着し、降温後に分離して網目状の型の模様を転写する
方法が考えられる。この場合においては、溝２３の深さ
は低融点材料層２２ｂの厚みによって定まるという効果
を有するので、実装時に、基板上にあらかじめ形成され
たクリーム半田の塊の体積に対して、適正な溝の深さを
設定することができる。
【００１８】また、上記した第１の実施例および第２の
実施例においては、外部電極の底面に形成される溝の模
様は網目状であるが、必ずしも（図１）あるいは（図
２）に示した網目状の溝でなくてもよく、平行に配置し
た溝でも同様の効果を有する。
実施例においては、外部電極の底面に形成される溝の模
様は網目状であるが、必ずしも（図１）あるいは（図
２）に示した網目状の溝でなくてもよく、平行に配置し
た溝でも同様の効果を有する。
【００１９】なお、上記した第１の実施例および第２の
実施例においては、溝３や溝２３の断面形状については
特に言及しなかったが（図３）に示すように、溝３３の
断面形状を外部電極３２の底面に開口部を有し開口部近
傍Ｃ部において基板に対して仰角をもつ内面を有する形
状にした場合には特に効果が大きく、その効果について
以下に説明する。
実施例においては、溝３や溝２３の断面形状については
特に言及しなかったが（図３）に示すように、溝３３の
断面形状を外部電極３２の底面に開口部を有し開口部近
傍Ｃ部において基板に対して仰角をもつ内面を有する形
状にした場合には特に効果が大きく、その効果について
以下に説明する。
【００２０】実装時に、基板上にあらかじめ形成された
クリーム半田の塊に電子部品の外部電極３２の底面を圧
着することで、外部電極３２に設けた溝３３内に開口部
を通じてクリーム半田が注入される。そして、溝３３内
にクリーム半田が注入されるに伴って溝３３内の空気は
外部電極３２の底面周辺に有する開口部より溝３３の外
部へ排出される。そして、溝３３内にクリーム半田が充
填された状態で電子部品を基板から引き離そうとする力
が与えられると、溝３３内のクリーム半田を底面の開口
部を通して引き出そうとする力がかかり、溝３３内のク
リーム半田に流れが生じるが、その流れは溝３３が有す
る基板に対して仰角をもつ内面によって乱され、クリー
ム半田を開口部を通して引き出そうとする力に対するク
リーム半田の粘性に基づいた坑力を生じる。
クリーム半田の塊に電子部品の外部電極３２の底面を圧
着することで、外部電極３２に設けた溝３３内に開口部
を通じてクリーム半田が注入される。そして、溝３３内
にクリーム半田が注入されるに伴って溝３３内の空気は
外部電極３２の底面周辺に有する開口部より溝３３の外
部へ排出される。そして、溝３３内にクリーム半田が充
填された状態で電子部品を基板から引き離そうとする力
が与えられると、溝３３内のクリーム半田を底面の開口
部を通して引き出そうとする力がかかり、溝３３内のク
リーム半田に流れが生じるが、その流れは溝３３が有す
る基板に対して仰角をもつ内面によって乱され、クリー
ム半田を開口部を通して引き出そうとする力に対するク
リーム半田の粘性に基づいた坑力を生じる。
【００２１】以上のように、溝３３の断面を（図３）に
示す形状にすると、クリーム半田の粘着力に加えてクリ
ーム半田の粘性に基づいた坑力を電子部品を保持する力
として用いることで、クリーム半田の粘着力のみで電子
部品を保持するよりも大きな部品保持力が得られる。
示す形状にすると、クリーム半田の粘着力に加えてクリ
ーム半田の粘性に基づいた坑力を電子部品を保持する力
として用いることで、クリーム半田の粘着力のみで電子
部品を保持するよりも大きな部品保持力が得られる。
【００２２】なお、（図３）において溝３３の断面形状
は円弧を成しているが、溝３３の断面形状を多角形に置
き換えても、溝が外部電極３２の底面に開口部を有し開
口部近傍Ｃ部において基板に対して仰角をもつ内面を有
する形状であれば（図３）の実施例と同じ効果を有する
ことは言うまでもない。
は円弧を成しているが、溝３３の断面形状を多角形に置
き換えても、溝が外部電極３２の底面に開口部を有し開
口部近傍Ｃ部において基板に対して仰角をもつ内面を有
する形状であれば（図３）の実施例と同じ効果を有する
ことは言うまでもない。
【００２３】（図４）は本発明の第３の実施例における
チップ形電子部品で、（図４（ａ））はその斜視図であ
り、（図４（ｂ））は（図４（ａ））の外部電極の断面
図である。
チップ形電子部品で、（図４（ａ））はその斜視図であ
り、（図４（ｂ））は（図４（ａ））の外部電極の断面
図である。
【００２４】（図４）において、４１は電子部品本体、
４２ａは外部電極本体、４２ｂは外部電極本体４２ａの
基板への実装時に基板と向かい合う底面に固着した導電
性の材料からなる粒子である。４２は外部電極で外部電
極本体４２ａおよび粒子４２ｂからなる。
４２ａは外部電極本体、４２ｂは外部電極本体４２ａの
基板への実装時に基板と向かい合う底面に固着した導電
性の材料からなる粒子である。４２は外部電極で外部電
極本体４２ａおよび粒子４２ｂからなる。
【００２５】（図４）に示す本発明の第３の実施例で
は、実装時には、基板上にあらかじめ形成されたクリー
ム半田の塊とチップ形電子部品の外部電極本体４２ａの
底面とを接近させる力が働き、それと共に外部電極本体
４２ａに固着した導電性の粒子４２ｂがクリーム半田の
塊中に挿入される。それに伴って、粒子４２ｂの表面の
うち外部電極本体４２ａの底面と接していない部分とク
リーム半田との接触面積が増加する。クリーム半田が外
部電極本体４２ａの底面に接するまで粒子４２ｂをクリ
ーム半田に挿入する事により、外部電極４２が粒子４２
ｂを有せぬ従来例に比べてクリーム半田と外部電極４２
の底面の接着面積がより広くなり、電子部品の保持力が
増大する効果を有する。
は、実装時には、基板上にあらかじめ形成されたクリー
ム半田の塊とチップ形電子部品の外部電極本体４２ａの
底面とを接近させる力が働き、それと共に外部電極本体
４２ａに固着した導電性の粒子４２ｂがクリーム半田の
塊中に挿入される。それに伴って、粒子４２ｂの表面の
うち外部電極本体４２ａの底面と接していない部分とク
リーム半田との接触面積が増加する。クリーム半田が外
部電極本体４２ａの底面に接するまで粒子４２ｂをクリ
ーム半田に挿入する事により、外部電極４２が粒子４２
ｂを有せぬ従来例に比べてクリーム半田と外部電極４２
の底面の接着面積がより広くなり、電子部品の保持力が
増大する効果を有する。
【００２６】しかも、粒子４２ｂが外部電極本体４２ａ
の底面と基板との接触を妨げ、外部電極本体４２ａの底
面と基板との間に空間が生じ、その空間にクリーム半田
が充填される。そして、クリーム半田がリフロー時に空
間の内部に留まることによって外部電極４２の周辺には
み出るクリーム半田の量が少なくなり、外部電極４２の
底面以外の外部電極４２の面にかかる溶融したクリーム
半田の表面張力による引張り力が減少し、リフロー時の
電子部品の立ち上がり現象も同時に防止する。
の底面と基板との接触を妨げ、外部電極本体４２ａの底
面と基板との間に空間が生じ、その空間にクリーム半田
が充填される。そして、クリーム半田がリフロー時に空
間の内部に留まることによって外部電極４２の周辺には
み出るクリーム半田の量が少なくなり、外部電極４２の
底面以外の外部電極４２の面にかかる溶融したクリーム
半田の表面張力による引張り力が減少し、リフロー時の
電子部品の立ち上がり現象も同時に防止する。
【００２７】（図５）は本発明の第４の実施例における
チップ形電子部品で、（図５（ａ））はその斜視図、
（図５（ｂ））は（図５（ａ））に示す外部電極部の断
面図である。
チップ形電子部品で、（図５（ａ））はその斜視図、
（図５（ｂ））は（図５（ａ））に示す外部電極部の断
面図である。
【００２８】（図５）において、５１は電子部品本体、
５２ａは外部電極本体、５２ｂは外部電極本体５２ａの
材料の融点より低く、クリーム半田の融点より高い融点
を有する導電性の材料からなる低融点材料層、５２ｃは
外部電極本体５２ａの材料の融点より低く、低融点材料
層５２ｂの融点より高い融点を有する導電性の材料から
なり、低融点材料層５２ｂの実装時に基板と向合う底面
に固着した粒子、５２は外部電極本体５２ａおよび低融
点材料層５２ｂおよび粒子５２ｃからなる外部電極であ
る。
５２ａは外部電極本体、５２ｂは外部電極本体５２ａの
材料の融点より低く、クリーム半田の融点より高い融点
を有する導電性の材料からなる低融点材料層、５２ｃは
外部電極本体５２ａの材料の融点より低く、低融点材料
層５２ｂの融点より高い融点を有する導電性の材料から
なり、低融点材料層５２ｂの実装時に基板と向合う底面
に固着した粒子、５２は外部電極本体５２ａおよび低融
点材料層５２ｂおよび粒子５２ｃからなる外部電極であ
る。
【００２９】（図５）に示す本発明の第４の実施例で
は、実装時には、基板上にあらかじめ形成されたクリー
ム半田の塊とチップ形電子部品の低融点材料層５２ｂと
を接近させる力が働き、それと共に低融点材料層５２ｂ
に固着した粒子５２ｃがクリーム半田の塊中に挿入され
る。それに伴って、粒子５２ｃの表面のうち低融点材料
層５２ｂより露出した部分とクリーム半田との接触面積
が増加し、クリーム半田が低融点材料層５２ｂに接する
まで粒子５２ｃをクリーム半田に挿入する事により、外
部電極５２が粒子５２ｃを有しない従来例に比べてクリ
ーム半田と外部電極５２の接着面積がより広くなり、電
子部品の保持力が増大する効果を有する。
は、実装時には、基板上にあらかじめ形成されたクリー
ム半田の塊とチップ形電子部品の低融点材料層５２ｂと
を接近させる力が働き、それと共に低融点材料層５２ｂ
に固着した粒子５２ｃがクリーム半田の塊中に挿入され
る。それに伴って、粒子５２ｃの表面のうち低融点材料
層５２ｂより露出した部分とクリーム半田との接触面積
が増加し、クリーム半田が低融点材料層５２ｂに接する
まで粒子５２ｃをクリーム半田に挿入する事により、外
部電極５２が粒子５２ｃを有しない従来例に比べてクリ
ーム半田と外部電極５２の接着面積がより広くなり、電
子部品の保持力が増大する効果を有する。
【００３０】しかも、粒子５２ｃの低融点材料層５２ｂ
より突出した部分が低融点材料層５２ｂと基板との接触
を妨げ、低融点材料層５２ｂと基板との間に空間が生
じ、実装時にクリーム半田が低融点材料層５２ｂに接す
るまで粒子５２ｃをクリーム半田に挿入する事により、
低融点材料層５２ｂと基板との間に生じた空間にクリー
ム半田が充填される。そして、クリーム半田がリフロー
時に低融点材料層５２ｂと基板との間に生じた空間の内
部に留まることによって、外部電極５２周辺にはみ出る
クリーム半田の量が少なくなり、外部電極５２の底面以
外の面にかかる溶融したクリーム半田の表面張力による
引張り力が減少し、リフロー時の電子部品の立ち上がり
現象も同時に防止する。
より突出した部分が低融点材料層５２ｂと基板との接触
を妨げ、低融点材料層５２ｂと基板との間に空間が生
じ、実装時にクリーム半田が低融点材料層５２ｂに接す
るまで粒子５２ｃをクリーム半田に挿入する事により、
低融点材料層５２ｂと基板との間に生じた空間にクリー
ム半田が充填される。そして、クリーム半田がリフロー
時に低融点材料層５２ｂと基板との間に生じた空間の内
部に留まることによって、外部電極５２周辺にはみ出る
クリーム半田の量が少なくなり、外部電極５２の底面以
外の面にかかる溶融したクリーム半田の表面張力による
引張り力が減少し、リフロー時の電子部品の立ち上がり
現象も同時に防止する。
【００３１】なお、（図５）に示す第４の実施例の構成
では、低融点材料層５２ｂへの粒子５２ｃの固着方法と
して、低融点材料層５２ｂの融点以上でかつ外部電極本
体５２ａの融点および粒子５２ｃの融点以下の温度に昇
温した粒子を低融点材料層５２ｂに圧着し、粒子５２ｃ
と低融点材料層５２ｂとの間を接合することによって固
着することができる。この場合において、粒子５２ｃの
低融点材料層５２ｂからの突出量は、粒子５２ｃの大き
さと低融点材料層５２ｂの厚みによって定まるという効
果を有するので、実装時に、基板上にあらかじめ形成さ
れたクリーム半田の塊の体積に対して、適正な粒子の突
出量を設定することができる。
では、低融点材料層５２ｂへの粒子５２ｃの固着方法と
して、低融点材料層５２ｂの融点以上でかつ外部電極本
体５２ａの融点および粒子５２ｃの融点以下の温度に昇
温した粒子を低融点材料層５２ｂに圧着し、粒子５２ｃ
と低融点材料層５２ｂとの間を接合することによって固
着することができる。この場合において、粒子５２ｃの
低融点材料層５２ｂからの突出量は、粒子５２ｃの大き
さと低融点材料層５２ｂの厚みによって定まるという効
果を有するので、実装時に、基板上にあらかじめ形成さ
れたクリーム半田の塊の体積に対して、適正な粒子の突
出量を設定することができる。
【００３２】なお、上記した第３の実施例および第４の
実施例においては、粒子４２ｂや粒子５２ｃの形状につ
いては特に言及しなかったが、（図６）に示すように粒
子６２ｂの形状を外部電極本体６２ａの底面に固着した
状態で、実装時に基板に対して仰角をもつ面を有する形
状にした場合には特に効果が大きく、その効果について
以下に説明する。
実施例においては、粒子４２ｂや粒子５２ｃの形状につ
いては特に言及しなかったが、（図６）に示すように粒
子６２ｂの形状を外部電極本体６２ａの底面に固着した
状態で、実装時に基板に対して仰角をもつ面を有する形
状にした場合には特に効果が大きく、その効果について
以下に説明する。
【００３３】実装時に、クリーム半田が外部電極本体６
２ａの表面に接するまで粒子をクリーム半田に挿入する
事により、外部電極本体６２ａと粒子６２ｂに囲まれた
空間にクリーム半田が充填される。空間にクリーム半田
が充填された状態で電子部品を基板から引き離そうとす
る力が与えられると、空間内のクリーム半田を引き出そ
うとする力がかかり空間内のクリーム半田に流れが生じ
るが、その流れは粒子６２ｂが有する基板に対して仰角
をもつ面によって乱され、クリーム半田を引き出そうと
する力に対してクリーム半田の粘性に基づいた坑力を生
じる。
２ａの表面に接するまで粒子をクリーム半田に挿入する
事により、外部電極本体６２ａと粒子６２ｂに囲まれた
空間にクリーム半田が充填される。空間にクリーム半田
が充填された状態で電子部品を基板から引き離そうとす
る力が与えられると、空間内のクリーム半田を引き出そ
うとする力がかかり空間内のクリーム半田に流れが生じ
るが、その流れは粒子６２ｂが有する基板に対して仰角
をもつ面によって乱され、クリーム半田を引き出そうと
する力に対してクリーム半田の粘性に基づいた坑力を生
じる。
【００３４】以上のように、粒子の形状を外部電極本体
６２ａ底面に固着した状態で、実装時に基板に対して仰
角を持つ面を有する形状にすると、クリーム半田の粘着
力に加えてクリーム半田の粘性に基づいた坑力を電子部
品を保持する力として用いることで、クリーム半田の粘
着力のみで電子部品を保持するよりも大きな部品保持力
が得られる。
６２ａ底面に固着した状態で、実装時に基板に対して仰
角を持つ面を有する形状にすると、クリーム半田の粘着
力に加えてクリーム半田の粘性に基づいた坑力を電子部
品を保持する力として用いることで、クリーム半田の粘
着力のみで電子部品を保持するよりも大きな部品保持力
が得られる。
【００３５】
【発明の効果】以上のように本発明は、電子部品本体に
外部電極が形成されたチップ形電子部品において、外部
電極に溝を設けること、または外部電極に粒子を固着す
ることによって外部電極に凹凸を設けたことにより、実
装工程からリフロー工程に至る間に生ずる電子部品の脱
落、およびリフロー時に生ずる電子部品の立ち上がりを
防止することができる。
外部電極が形成されたチップ形電子部品において、外部
電極に溝を設けること、または外部電極に粒子を固着す
ることによって外部電極に凹凸を設けたことにより、実
装工程からリフロー工程に至る間に生ずる電子部品の脱
落、およびリフロー時に生ずる電子部品の立ち上がりを
防止することができる。
【００３６】また、外部電極表面に、前記外部電極の材
料の融点より低く、クリーム半田の融点より高い融点を
有する導電性の材料からなる層を形成し、この層に溝を
設けること、または外部電極表面に、前記外部電極の材
料の融点および粒子の材料の融点より低く、クリーム半
田の融点より高い融点を有する導電性の材料からなる層
を形成し、この層に前記粒子を固着することにより、実
装時に、基板上にあらかじめ形成されたクリーム半田の
塊の体積に対して適正な溝の深さ、または粒子の突出量
を設定することができる。
料の融点より低く、クリーム半田の融点より高い融点を
有する導電性の材料からなる層を形成し、この層に溝を
設けること、または外部電極表面に、前記外部電極の材
料の融点および粒子の材料の融点より低く、クリーム半
田の融点より高い融点を有する導電性の材料からなる層
を形成し、この層に前記粒子を固着することにより、実
装時に、基板上にあらかじめ形成されたクリーム半田の
塊の体積に対して適正な溝の深さ、または粒子の突出量
を設定することができる。
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施例におけるチップ
形電子部品の斜視図である。 （ｂ）は本発明の第１の実施例におけるチップ形電子部
品の要部拡大図である。
形電子部品の斜視図である。 （ｂ）は本発明の第１の実施例におけるチップ形電子部
品の要部拡大図である。
【図２】（ａ）は本発明の第２の実施例におけるチップ
形電子部品の斜視図である。 （ｂ）は本発明の第２の実施例におけるチップ形電子部
品の要部拡大図である。
形電子部品の斜視図である。 （ｂ）は本発明の第２の実施例におけるチップ形電子部
品の要部拡大図である。
【図３】本発明の第１の実施例及び第２の実施例におけ
る溝の形状例である。
る溝の形状例である。
【図４】（ａ）は本発明の第３の実施例におけるチップ
形電子部品の斜視図である。 （ｂ）は本発明の第３の実施例におけるチップ形電子部
品の外部電極の拡大図である。
形電子部品の斜視図である。 （ｂ）は本発明の第３の実施例におけるチップ形電子部
品の外部電極の拡大図である。
【図５】（ａ）は本発明の第４の実施例におけるチップ
形電子部品の斜視図である。 （ｂ）は本発明の第４の実施例におけるチップ形電子部
品の外部電極の拡大図である。
形電子部品の斜視図である。 （ｂ）は本発明の第４の実施例におけるチップ形電子部
品の外部電極の拡大図である。
【図６】本発明の第３の実施例及び第４の実施例におけ
る粒子の形状例である。
る粒子の形状例である。
【図７】（ａ）は従来のチップ形電子部品の斜視図であ
る。 （ｂ）は従来のチップ形電子部品の要部拡大図である。
る。 （ｂ）は従来のチップ形電子部品の要部拡大図である。
１，２１，４１，５１，７１ 電子部品本体
２，２２，３２，４２，５２，７２ 外部電極
２２ａ，４２ａ，５２ａ，６２ａ，７２ａ 外部電極本
体 ３，２３，３３ 溝 ２２ｂ，５２ｂ 低融点材料層 ４２ｂ，５２ｃ，６２ｂ 粒子 ７２ｂ メッキ部
体 ３，２３，３３ 溝 ２２ｂ，５２ｂ 低融点材料層 ４２ｂ，５２ｃ，６２ｂ 粒子 ７２ｂ メッキ部
Claims (4)
- 【請求項１】 部品本体に外部電極が形成された電子部
品において、前記外部電極に溝を設けて凹凸を形成した
ことを特徴とする電子部品。 - 【請求項２】 部品本体に外部電極が形成された電子部
品において、前記外部電極に粒子を固着して凹凸を形成
したことを特徴とする電子部品。 - 【請求項３】 外部電極表面に、前記外部電極の材料の
融点より低く、クリーム半田の融点より高い融点を有す
る導電性の材料からなる層を形成し、前記層に溝を設け
たことを特徴とする請求項１記載の電子部品。 - 【請求項４】 外部電極表面に、前記外部電極の材料の
融点および粒子の材料の融点より低く、クリーム半田の
融点より高い融点を有する導電性の材料からなる層を形
成し、前記層に前記粒子を固着したことを特徴とする請
求項２記載の電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3180867A JPH0529173A (ja) | 1991-07-22 | 1991-07-22 | 電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3180867A JPH0529173A (ja) | 1991-07-22 | 1991-07-22 | 電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0529173A true JPH0529173A (ja) | 1993-02-05 |
Family
ID=16090742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3180867A Pending JPH0529173A (ja) | 1991-07-22 | 1991-07-22 | 電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0529173A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011155240A1 (ja) * | 2010-06-09 | 2011-12-15 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及びその製造方法 |
| US8742881B2 (en) | 2010-06-11 | 2014-06-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component |
| WO2016157866A1 (ja) * | 2015-03-30 | 2016-10-06 | 日本ケミコン株式会社 | コンデンサおよびその製造方法 |
| JP2016189382A (ja) * | 2015-03-30 | 2016-11-04 | 日本ケミコン株式会社 | コンデンサおよびその製造方法 |
| JP2018190828A (ja) * | 2017-05-03 | 2018-11-29 | Tdk株式会社 | コイル部品 |
| US10867945B2 (en) | 2014-01-08 | 2020-12-15 | Rohm Co., Ltd. | Chip parts and method for manufacturing the same, circuit assembly having the chip parts and electronic device |
-
1991
- 1991-07-22 JP JP3180867A patent/JPH0529173A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011155240A1 (ja) * | 2010-06-09 | 2011-12-15 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及びその製造方法 |
| CN102939634A (zh) * | 2010-06-09 | 2013-02-20 | 株式会社村田制作所 | 电子元件及其制造方法 |
| JP5454684B2 (ja) * | 2010-06-09 | 2014-03-26 | 株式会社村田製作所 | 電子部品及びその製造方法 |
| US8760256B2 (en) | 2010-06-09 | 2014-06-24 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component and manufacturing method thereof |
| KR101463675B1 (ko) * | 2010-06-09 | 2014-11-19 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 전자 부품 및 그 제조 방법 |
| US8742881B2 (en) | 2010-06-11 | 2014-06-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electronic component |
| US10867945B2 (en) | 2014-01-08 | 2020-12-15 | Rohm Co., Ltd. | Chip parts and method for manufacturing the same, circuit assembly having the chip parts and electronic device |
| WO2016157866A1 (ja) * | 2015-03-30 | 2016-10-06 | 日本ケミコン株式会社 | コンデンサおよびその製造方法 |
| JP2016189382A (ja) * | 2015-03-30 | 2016-11-04 | 日本ケミコン株式会社 | コンデンサおよびその製造方法 |
| US10262802B2 (en) | 2015-03-30 | 2019-04-16 | Nippon Chemi-Con Corporation | Capacitor and method for manufacturing same |
| JP2018190828A (ja) * | 2017-05-03 | 2018-11-29 | Tdk株式会社 | コイル部品 |
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