JP2015090984A - 二次元物質及びその形成方法、並びに該二次元物質を含む素子 - Google Patents

二次元物質及びその形成方法、並びに該二次元物質を含む素子 Download PDF

Info

Publication number
JP2015090984A
JP2015090984A JP2014225233A JP2014225233A JP2015090984A JP 2015090984 A JP2015090984 A JP 2015090984A JP 2014225233 A JP2014225233 A JP 2014225233A JP 2014225233 A JP2014225233 A JP 2014225233A JP 2015090984 A JP2015090984 A JP 2015090984A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dimensional material
dimensional
layer
semiconductor
metal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014225233A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6437277B2 (ja
Inventor
鉉振 申
Hyeon-Jin Shin
鉉振 申
晟準 朴
Seong-Jun Park
晟準 朴
李　載昊
Jae-Ho Lee
載昊 李
鎭盛 許
Jin Seong Heo
鎭盛 許
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JP2015090984A publication Critical patent/JP2015090984A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6437277B2 publication Critical patent/JP6437277B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
    • H01L29/0665—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body the shape of the body defining a nanostructure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
    • C01B19/04—Binary compounds including binary selenium-tellurium compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G25/00—Compounds of zirconium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G27/00—Compounds of hafnium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G39/00—Compounds of molybdenum
    • C01G39/06—Sulfides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G41/00—Compounds of tungsten
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02623—Liquid deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
    • H01L29/1025—Channel region of field-effect devices
    • H01L29/1029—Channel region of field-effect devices of field-effect transistors
    • H01L29/1033—Channel region of field-effect devices of field-effect transistors with insulated gate, e.g. characterised by the length, the width, the geometric contour or the doping structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/22—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIBVI compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/22—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIBVI compounds
    • H01L29/221—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIBVI compounds including two or more compounds, e.g. alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/24—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only semiconductor materials not provided for in groups H01L29/16, H01L29/18, H01L29/20, H01L29/22
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66431—Unipolar field-effect transistors with a heterojunction interface channel or gate, e.g. HFET, HIGFET, SISFET, HJFET, HEMT
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66977—Quantum effect devices, e.g. using quantum reflection, diffraction or interference effects, i.e. Bragg- or Aharonov-Bohm effects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/73—Bipolar junction transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/73—Bipolar junction transistors
    • H01L29/7317—Bipolar thin film transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/74—Thyristor-type devices, e.g. having four-zone regenerative action
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/792—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate with charge trapping gate insulator, e.g. MNOS-memory transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861—Diodes
    • H01L29/8611—Planar PN junction diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H01L31/102—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier
    • H01L31/109—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by only one potential barrier the potential barrier being of the PN heterojunction type
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/20—Particle morphology extending in two dimensions, e.g. plate-like
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
    • C01P2006/40—Electric properties
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
    • H01L29/0657—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body
    • H01L29/0665—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape of the body the shape of the body defining a nanostructure
    • H01L29/0669—Nanowires or nanotubes
    • H01L29/0673—Nanowires or nanotubes oriented parallel to a substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/70—Bipolar devices
    • H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
    • H01L29/73—Bipolar junction transistors
    • H01L29/737—Hetero-junction transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/86—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable only by variation of the electric current supplied, or only the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched
    • H01L29/861—Diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H01L31/0322—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIBIIICVI chalcopyrite compounds, e.g. Cu In Se2, Cu Ga Se2, Cu In Ga Se2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/032—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312
    • H01L31/0324—Inorganic materials including, apart from doping materials or other impurities, only compounds not provided for in groups H01L31/0272 - H01L31/0312 comprising only AIVBVI or AIIBIVCVI chalcogenide compounds, e.g. Pb Sn Te
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/035281—Shape of the body
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Bipolar Transistors (AREA)

Abstract

【課題】二次元物質及びその形成方法、並びに該二次元物質を含む素子を提供する。
【解決手段】二次元物質要素とその形成方法及び二次元物質要素を含む素子に係り、該二次元物質要素は、第１二次元物質、及びそれに結合した第２二次元物質を含み、該第１二次元物質と第２二次元物質は、化学結合しており、該第１二次元物質の側面に、該第２二次元物質が結合し、該第１二次元物質は、第１金属カルコゲナイド系物質を含み、該第２二次元物質は、第２金属カルコゲナイド系物質を含み、該二次元物質要素は、ＰＮ接合構造を有し、該二次元物質要素は、バンドギャップが互いに異なる複数の二次元物質を含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、二次元物質及びその形成方法、並びに該二次元物質を含む素子に関する。
二次元物質（2D（two-dimensional） material）は、原子が所定の結晶構造をなしている単層（single-layer）または半層（half-layer）の固体であり、代表的な二次元物質として、グラフェンがある。グラフェンは、炭素原子が六方晶系（hexagonal）構造をなしている単層（単原子層）構造である。グラフェンは、ディラックポイント（Dirac point）を基準に、対称的なバンド構造を有し、ディラックポイントにおいて、電荷の有効質量（effective mass）が非常に小さいために、シリコン（Ｓｉ）より少なくとも１０倍以上（最大で１，０００倍以上）大きい電荷移動度を有することができる。また、グラフェンは、非常に速いフェルミ速度（Fermi velocity）（ＶＦ）を有することができる。このようなグラフェンは、既存素子の限界を克服することができる次世代素材として注目されている。
グラフェンに関する研究を皮切りに、絶縁性特性または半導体特性を有する多様な二次元物質に係わる研究及び開発が行われている。二次元物質に係わる研究は、一次的には、フレーク（flake）形態における基本的な物性を把握し、大面積成長のための成長法を開発する方向に進められてきた。また、最近では、互いに異なる二次元物質を積層する技術にその領域が拡張されている。ところで、二次元物質を実際の素子に適用するためには、二次元物質間、または二次元物質と異なる物質間の界面問題（interface issue）、及び二次元物質の転写問題（transfer issue）などを解決する必要がある。
本発明が解決しようとする課題は、優秀な電気的／物理的特性を有する二次元物質要素を提供することである。
本発明が解決しようとする課題はまた、互いに異なる二次元物質が化学的に結合した二次元物質要素を提供することである。
本発明が解決しようとする課題はまた、界面問題を解決することができる二次元物質要素を提供することである。
本発明が解決しようとする課題はまた、ＰＮ接合構造を有する二次元物質要素を提供することである。
本発明が解決しようとする課題はまた、バンドギャップ調節が容易な二次元物質要素を提供することである。
本発明が解決しようとする課題はまた、バンドギャップが互いに異なる領域を含む二次元物質要素を提供することである。
本発明が解決しようとする課題はまた、前記二次元物質要素を形成する方法を提供することである。
本発明が解決しようとする課題はまた、前記二次元物質要素を適用した素子（半導体素子）を提供することである。
本発明の一側面によれば、第１金属カルコゲナイド系物質を含む第１二次元物質；及び前記第１二次元物質の側面に結合しており、第２金属カルコゲナイド系物質を含む第２二次元物質；を具備し、前記第１二次元物質と第２二次元物質は、化学結合している二次元物質要素が提供される。
前記第１二次元物質と第２二次元物質は、共有結合しているものとすることができる。
前記第１二次元物質と第２二次元物質は、その結合部において連続した結晶構造を有するように、原子間結合している構造を有することができる。
前記第１金属カルコゲナイド系物質と、前記第２金属カルコゲナイド系物質は、互いに異なるＴＭＤＣ（transition metal dichalcogenide）物質を含むことができる。
前記第１金属カルコゲナイド系物質、及び前記第２金属カルコゲナイド系物質のうち少なくとも一つは、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｐｂのうち１つの金属元素と、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅのうち１つのカルコゲン元素と、を含むことができる。
前記第１二次元物質と前記第２二次元物質は、半導体とすることができる。
前記第１二次元物質は、ｎ型半導体とすることができ、前記第２二次元物質は、ｐ型半導体とすることができる。その場合、前記第１金属カルコゲナイド系物質と、前記第２金属カルコゲナイド系物質は、互いに異なる金属元素を含むことができる。前記第１金属カルコゲナイド系物質と、前記第２金属カルコゲナイド系物質は、同一のカルコゲン元素を含むことができる。
前記第１二次元物質は、前記第１金属カルコゲナイド系物質であり、ＭｏＳ２、ＭｏＳｅ２、ＭｏＴｅ２、ＷＳｅ２及びＷＴｅ２のうち少なくとも一つを含むことができる。
前記第２二次元物質は、前記第２金属カルコゲナイド系物質であり、ＷＳ２、ＺｒＳ２、ＺｒＳｅ２、ＨｆＳ２、ＨｆＳｅ２及びＮｂＳｅ２のうち少なくとも一つを含むことができる。
前記第１二次元物質は、ＭｏＳ２を含み、前記第２二次元物質は、ＷＳ２を含むことができる。
前記第１二次元物質と前記第２二次元物質は、互いに異なるエネルギーバンドギャップを有することができる。その場合、前記第１金属カルコゲナイド系物質と、前記第２金属カルコゲナイド系物質は、互いに異なるカルコゲン元素を含むことができる。前記第１金属カルコゲナイド系物質と、前記第２金属カルコゲナイド系物質は、同一の金属元素を含むことができる。
前記第１二次元物質は、ＭｏＳ２、ＭｏＳｅ２及びＭｏＴｅ２のうち一つを含み、前記第２二次元物質は、ＭｏＳ２、ＭｏＳｅ２及びＭｏＴｅ２のうち他の一つを含むことができる。
前記第１二次元物質は、ＷＳ２、ＷＳｅ２及びＷＴｅ２のうち一つを含み、前記第２二次元物質は、ＷＳ２、ＷＳｅ２及びＷＴｅ２のうち他の一つを含むことができる。
前記第１二次元物質の両側に、前記第２二次元物質が配置されるか、または前記第２二次元物質の両側に、前記第１二次元物質が配置されることができる。
複数の前記第１二次元物質と複数の前記第２二次元物質とがパターン化された構造を形成することができる。
前記第１二次元物質または第２二次元物質の側面に結合した第３二次元物質がさらに具備されることができる。
本発明の他の側面によれば、多層構造体を含む半導体素子において、前記多層構造体は、前述の二次元物質要素を含む半導体層；及び前記半導体層の少なくとも一面に位置する少なくとも１層の非半導体層；を含む半導体素子が提供される。
前記多層構造体は、前記半導体層の第１面に位置する第１導電層；及び前記半導体層の第２面に位置する第２導電層；を含むことができる。その場合、前記多層構造体は、前記第２導電層と離隔された第３導電層；及び前記第２導電層と前記第３導電層との間の絶縁層；をさらに含むことができる。
前記多層構造体は、前記半導体層の第１面に位置する第１絶縁層；前記半導体層の第２面に位置する第２絶縁層；前記第１絶縁層を挟んで、前記半導体層と対向する第１導電層；及び前記第２絶縁層を挟んで、前記半導体層と対向する第２導電層；を含むことができる。
前記多層構造体は、前記半導体層の第１面に位置する第１導電層；前記第１導電層と離隔された第２導電層；及び前記第１導電層と前記第２導電層との間に具備された絶縁層；を含むことができる。
前記多層構造体は、前記半導体層と離隔された第１導電層；前記半導体層と前記第１導電層との間の絶縁層；及び前記半導体層の第１領域及び第２領域にそれぞれ接触された第２導電層及び第３導電層；を含むことができる。
前記多層構造体は、前記半導体層の第１面に位置する絶縁層；及び前記半導体層の第２面に位置する第１導電層；を含むことができる。その場合、前記多層構造体は、前記絶縁層を挟んで、前記半導体層と対向する第２半導体層；及び前記第２半導体層の第１領域及び第２領域にそれぞれ接触した第２導電層及び第３導電層；をさらに含むことができる。
前記少なくとも１層の非半導体層は、導電性二次元物質及び絶縁性二次元物質のうち少なくとも一つを含むことができる。
前記半導体層は、ＰＮ接合構造、ＰＮＰ接合構造及びＮＰＮ接合構造のうち少なくとも一つを含むことができる。
前記半導体層は、エネルギーバンドギャップが互いに異なる複数の二次元物質を含むことができる。
前記半導体素子は、トンネリング素子とすることができる。このとき、前記半導体層は、トンネリング層とすることができる。
前記半導体素子は、ＢＪＴ（binary junction transistor）とすることができる。このとき、前記半導体層は、トンネリング層とすることができる。
前記半導体素子は、バリスタ（barristor）とすることができる。このとき、前記半導体層は、チャンネル層とすることができる。
前記半導体素子は、ＦＥＴ（field effect transistor）とすることができる。このとき、前記半導体層は、チャンネル層とすることができる。
前記半導体素子は、メモリ素子とすることができる。このとき、前記半導体層は、電荷トラップ層とすることができる。
前記半導体素子は、ダイオードとすることができる。
前記半導体素子は、太陽電池とすることができる。
前記半導体素子は、光検出器（photo detector）とすることができる。
本発明の他の側面によれば、第１金属カルコゲナイド系物質の前駆体、及び第２金属カルコゲナイド系物質の前駆体を含む前駆体溶液を準備する段階と、前記前駆体溶液を基板上に塗布して薄膜を形成する段階と、前記薄膜から、前記第１金属カルコゲナイド系物質を含む第１二次元物質と、前記第２金属カルコゲナイド系物質を含む第２二次元物質とを具備する二次元物質要素を形成する段階と、を含み、前記第２二次元物質は、前記第１二次元物質の側面に化学結合された二次元物質要素の製造方法が提供される。
前記薄膜から、前記二次元物質要素を形成する段階は、前記薄膜をアニーリングする段階を含むことができる。
前記アニーリングは、約３００〜約２，０００℃の温度で行うことができる。
前記薄膜から、前記二次元物質要素を形成する段階は、前記薄膜が具備されたチャンバ内にカルコゲン系物質を注入する段階をさらに含むことができる。
本発明の他の側面によれば、第１金属酸化物と第２金属酸化物とを含む薄膜を形成する段階と、前記第１金属酸化物及び第２金属酸化物から、それぞれ第１金属カルコゲナイド系物質及び第２金属カルコゲナイド系物質を形成し、前記第１金属カルコゲナイド系物質を含む第１二次元物質と、前記第２金属カルコゲナイド系物質を含む第２二次元物質とを具備する二次元物質要素を形成する段階と、を含み、前記第２二次元物質は、前記第１二次元物質の側面に化学結合された二次元物質要素の製造方法が提供される。
前記薄膜から、前記二次元物質要素を形成する段階は、前記薄膜が具備されたチャンバ内にカルコゲン系物質を注入する段階と、前記薄膜をアニーリングする段階と、を含むことができる。
前記アニーリングは、約３００〜約２，０００℃の温度で行うことができる。
本発明の他の側面によれば、金属酸化物を含む薄膜を形成する段階と、前記薄膜の第１領域及び第２領域から、それぞれ第１金属カルコゲナイド系物質及び第２金属カルコゲナイド系物質を形成し、前記第１金属カルコゲナイド系物質を含む第１二次元物質と、前記第２金属カルコゲナイド系物質を含む第２二次元物質とを具備する二次元物質要素を形成する段階と、を含み、前記第２二次元物質は、前記第１二次元物質の側面に化学結合された二次元物質要素の形成方法が提供される。
前記薄膜から、前記二次元物質要素を形成する段階は、前記薄膜の第１領域を第１カルコゲン系物質と反応させる段階と、前記薄膜の第２領域を第２カルコゲン系物質と反応させる段階と、を含むことができる。
前記薄膜から、前記二次元物質要素を形成する段階は、前記薄膜上に、前記第１領域を露出させる開口部を有するマスク層を形成する段階と、前記マスク層によって露出された前記第１領域を、前記第１二次元物質に変化させる段階と、を含むことができる。
前記薄膜から、前記二次元物質要素を形成する段階は、前記マスク層を除去し、前記薄膜の第２領域を露出させる段階と、前記薄膜の第２領域を、前記第２二次元物質に変化させる段階と、をさらに含むことができる。
本発明の他の側面によれば、第１二次元物質と、前記第１二次元物質に化学結合している第２二次元物質と、を含み、前記第１二次元物質は、第１金属カルコゲナイドの第１層を含み、前記第２二次元物質は、第２金属カルコゲナイドの第２層を含み、前記第１金属カルコゲナイド及び第２金属カルコゲナイドは、互いに異なる金属元素を含むか、または互いに異なるカルコゲン元素を含む二次元物質要素が提供される。
前記第１金属カルコゲナイドは、第１金属を含み、前記第２金属カルコゲナイドは、第２金属を含み、前記第１金属及び第２金属のうち少なくとも一つは、遷移金属とすることができる。
前記第１金属カルコゲナイド及び前記第２金属カルコゲナイドそれぞれは、独立して、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｐｂのうち１つの金属元素；及びＳ、Ｓｅ、Ｔｅのうち１つのカルコゲン元素；を含むことができる。
前記二次元物質要素は、第３金属カルコゲナイドの第３層を含む第３二次元物質をさらに具備することができ、前記第１二次元物質及び第３二次元物質は、前記第２二次元物質の両側に、それぞれ化学結合しているものとすることができる。
本発明の他の側面によれば、前述の二次元物質要素を含む半導体層を具備する半導体素子が提供される。
本発明によれば、電気的／物理的特性にすぐれる二次元物質要素を具現することができる。また、本発明によれば、前記二次元物質要素を利用すれば、優秀な性能を有する素子（半導体素子）を具現することができる。
本発明の実施形態による二次元物質要素を示す図面である。 本発明の一側面による二次元物質要素を示す図面である。 本発明の他の側面による二次元物質要素を示す図面である。 本発明の他の実施形態による二次元物質要素を示す図面である。 本発明の他の実施形態による二次元物質要素を示す断面図である。 本発明の他の実施形態による二次元物質要素を示す断面図である。 本発明の他の実施形態による二次元物質要素を示す斜視図である。 本発明の他の実施形態による二次元物質要素を示す斜視図である。 本発明の他の実施形態による二次元物質要素を示す斜視図である。 本発明の他の実施形態による二次元物質要素を示す斜視図である。 本発明の実施形態による二次元物質要素の形成方法を示す斜視図である。 本発明の実施形態による二次元物質要素の形成方法を示す斜視図である。 本発明の実施形態による二次元物質要素の形成方法を示す斜視図である。 本発明の他の実施形態による二次元物質要素の形成方法を示す斜視図である。 本発明の他の実施形態による二次元物質要素の形成方法を示す斜視図である。 本発明の他の実施形態による二次元物質要素の形成方法を示す斜視図である。 本発明の他の実施形態による二次元物質要素の形成方法を示す斜視図である。 本発明の他の実施形態による二次元物質要素の形成方法を示す斜視図である。 本発明の他の実施形態による二次元物質要素の形成方法を示す斜視図である。 本発明の他の実施形態による二次元物質要素の形成方法を示す斜視図である。 本発明の実施形態による二次元物質要素を含む半導体素子を示す断面図である。 本発明の実施形態による二次元物質要素を含む半導体素子を示す断面図である。 本発明の実施形態による二次元物質要素を含む半導体素子を示す断面図である。 本発明の実施形態による二次元物質要素を含む半導体素子を示す断面図である。 本発明の実施形態による二次元物質要素を含む半導体素子を示す断面図である。 本発明の実施形態による二次元物質要素を含む半導体素子を示す断面図である。 本発明の実施形態による二次元物質要素を含む半導体素子を示す断面図である。 本発明の実施形態による二次元物質要素を含む半導体素子を示す断面図である。 本発明の実施形態による二次元物質要素を含む半導体素子を示す断面図である。 本発明の他の実施形態による二次元物質要素を示す斜視図である。 本発明の他の実施形態による二次元物質要素を示す断面図である。
以下、本発明の実施形態による二次元物質及びその形成方法、並びに該二次元物質を含む素子について、添付された図面を参照して詳細に説明する。添付された図面に図示された層や領域の幅及び厚みは、明細書の明確性のために若干誇張されて図示されている。詳細な説明全体にわたって、同一の参照番号は、同一の構成要素を示す。
図１は、本発明の実施形態による二次元物質要素１００を示す図面である。
図１を参照すれば、二次元物質要素１００は、第１二次元物質Ｍ１０及び第２二次元物質Ｍ２０を含むことができる。第１二次元物質Ｍ１０と第２二次元物質Ｍ２０は、互いに異なる物質とすることができる。第１二次元物質Ｍ１０は、第１金属カルコゲナイド系（metal chalcogenide-based）物質を含むことができる。第２二次元物質Ｍ２０は、第２金属カルコゲナイド系物質を含むことができる。第１金属カルコゲナイド系物質及び第２金属カルコゲナイド系物質は、互いに異なるＴＭＤＣ（transition metal dichalcogenide）物質とすることができる。第１二次元物質Ｍ１０の側面に、第２二次元物質Ｍ２０が接合（結合）される。従って、第１二次元物質Ｍ１０及び第２二次元物質Ｍ２０は、側傍に（laterally）配置されているといえる。第１二次元物質Ｍ１０は、第２二次元物質Ｍ２０と化学結合することができる。言い換えれば、第２二次元物質Ｍ２０は、第１二次元物質Ｍ１０の側面に、化学的に結合する。前記化学結合は、「共有結合」であってもよい。従って、第１二次元物質Ｍ１０は、第２二次元物質Ｍ２０と共有結合する。第１二次元物質Ｍ１０と第２二次元物質Ｍ２０は、その結合部において連続した結晶構造を有するように、原子間結合している構造を有することができる。
「化学結合（chemical bond）」は、原子または原子団の集合体において、構成原子間に作用し、その集合体を１つの単位体としてみなすことができるようにする力（引力）を意味する。言い換えれば、「化学結合」は、原子を連結させ、分子または結晶を形成させる原子間の結合を意味する。他の表現で、「化学結合」は、二つ以上の原子を含む化学物質（chemical substance）を形成するように、原子が結合することを意味する。このような化学結合は、根本的に、原子間の静電気的力（electrostatic force）によって誘発され、結合方式によって、結合力が異なる。本実施形態において、第１二次元物質Ｍ１０と第２二次元物質Ｍ２０は、化学結合し、ここで、前記化学結合は、共有結合を含んでもよい。共有結合は、結合をなす２つの原子間に共有された電子対から誘発される引力により、比較的強い結合力を有する。本実施形態において、第１二次元物質Ｍ１０の原子と、第２二次元物質Ｍ２０の原子は、化学結合し、その結果、結合部において連続した結晶構造を有することができる。すなわち、二次元物質要素１００は、第１二次元物質Ｍ１０と、第２二次元物質Ｍ２０との結合部（接合部）を含み、全体的に連続した結晶構造を有することができる。
「化学結合」と比較されることができる概念として、「物理的コンタクト」がある。物理的コンタクトは、例えば、２つの互いに異なる物質層が、それぞれの固有の特徴を保ちながら、物理的に接触されているものであり、２層の物質層間の原子間結合（化学結合）がなく、界面で不連続的な構造を有する。物理的コンタクトは、ファンデルワールス力（Van der Waals force）による表面間の接触であってもよい。従って、物理的コンタクトの場合、界面に電気的バリアが形成され、それにより、電荷（例えば、電子）の流れが円滑になされない。しかし、本発明の実施形態においては、第１二次元物質Ｍ１０及び第２二次元物質Ｍ２０が化学結合し、接合部で連続して美しい結晶構造を有することができる。従って、第１二次元物質Ｍ１０及び第２二次元物質Ｍ２０の間の界面問題なしに、電荷（例えば、電子）の流れ／挙動が円滑になされる。例えば、接合部（界面）において、バリアによるトンネリングなどの問題なしに、電荷（例えば、電子）の流れが容易になされる。それと関連して、本実施形態の二次元物質要素１００は、互いに異なる複数の二次元物質を含みながらも、界面問題なしに、優秀な物理的／電気的特性を示すことができる。
図１の実施形態において、第１二次元物質Ｍ１０は、第１金属カルコゲナイド系物質であり、第２二次元物質Ｍ２０は、第２金属カルコゲナイド系物質とすることができる。第１金属カルコゲナイド系物質及び第２金属カルコゲナイド系物質は、ＴＭＤＣ物質とすることができる。第１金属カルコゲナイド系物質及び第２金属カルコゲナイド系物質のうち少なくとも一つは、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｃ、Ｒｅのうち１つの遷移金属と、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅのうち１つのカルコゲン元素と、を含んでもよい。ＴＭＤＣ物質は、例えば、ＭＸ２と表現され、ここで、Ｍは、遷移金属であり、Ｘは、カルコゲン元素である。Ｍは、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｃ、Ｒｅなどであり、Ｘは、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅであってもよい。ＴＭＤＣ物質は、例えば、ＭｏＳ２、ＭｏＳｅ２、ＭｏＴｅ２、ＷＳ２、ＷＳｅ２、ＷＴｅ２、ＺｒＳ２、ＺｒＳｅ２、ＨｆＳ２、ＨｆＳｅ２、ＮｂＳｅ２、ＲｅＳｅ２などである。第１金属カルコゲナイド系物質及び第２金属カルコゲナイド系物質は、ＭＸ２と表現されないこともある。一例として、遷移金属であるＣｕと、カルコゲン元素であるＳとの化合物（遷移金属カルコゲナイド物質）は、ＣｕＳと表現される。このようなＣｕＳも、二次元物質であるので、第１カルコゲナイド系物質または第２金属カルコゲナイド系物質として適用されてもよい。他の場合、第１金属カルコゲナイド系物質及び第２金属カルコゲナイド系物質は、非遷移金属を含むカルコゲナイド物質であってもよい。非遷移金属は、例えば、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｐｂなどであってもよい。すなわち、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｐｂなどの非遷移金属と、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅのようなカルコゲン元素との化合物が、第１金属カルコゲナイド系物質及び第２金属カルコゲナイド系物質として使用されてもよい。非遷移金属を含むカルコゲナイド物質は、例えば、ＳｎＳｅ２、ＧａＳ、ＧａＳｅ、ＧａＴｅ、ＧｅＳｅ、Ｉｎ２Ｓｅ３、ＩｎＳｎＳ２などである。従って、第１金属カルコゲナイド系物質及び第２金属カルコゲナイド系物質のうち少なくとも一つは、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｐｂのうち１つの金属元素と、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅのうち１つのカルコゲン元素と、を含むといえる。しかし、ここで提示した物質（元素）は、例示的なものであり、それ以外に他の物質（元素）が適用されてもよい。
第１二次元物質Ｍ１０と第２二次元物質Ｍ２０は、「半導体」とすることができる。従って、第１二次元物質Ｍ１０は、第１二次元半導体であり、第２二次元物質Ｍ２０は、第２二次元半導体であり、二次元物質要素１００は、半導体要素であるといえる。その場合、第１二次元物質Ｍ１０及び第２二次元物質Ｍ２０のうち一つは、ｐ型半導体であり、他の一つは、ｎ型半導体とすることができる。あるいは、第１二次元物質Ｍ１０及び第２二次元物質Ｍ２０は、互いに異なるエネルギーバンドギャップを有することができる。
また、第１二次元物質Ｍ１０及び第２二次元物質Ｍ２０のうち少なくとも一つは、ｐ型ドポントまたはｎ型ドーパントでドーピングされることができる。ｐ型ドーパント及びｎ型ドーパントとしては、一般的な二次元物質に係わるｐ型ドーパント及びｎ型ドーパントを使用することができる。例えば、グラフェンやＣＮＴ（carbon nanotube）などに使用されるｐ型ドーパント及びｎ型ドーパントを、本実施形態の二次元物質要素１００に適用することができる。ｐ型ドーパントやｎ型ドーパントは、イオン注入（ion implantation）方式や化学的ドーピング方式でドーピングされてもよい。
例えば、ｐ型ドーパントのソースとしては、ＮＯ２ＢＦ４、ＮＯＢＦ４、ＮＯ２ＳｂＦ６などのイオン性液体；ＨＣｌ、Ｈ２ＰＯ４、ＣＨ３ＣＯＯＨ、Ｈ２ＳＯ４、ＨＮＯ３などの酸類化合物、ジクロロジシアノキノン（ＤＤＱ）、オキソン、ジミリストイルホスファチジルイノシトール（ＤＭＰＩ）、トリフルオロメタンスルホンイミドなどの有機化合物などを使用することができる。または、ｐ型ドーパントのソースとしては、ＨＰｔＣｌ４、ＡｕＣｌ３、ＨＡｕＣｌ４、ＡｇＯＴｆ（トリフルオロメタンスルホン酸銀）、ＡｇＮＯ３、Ｈ２ＰｄＣｌ６、Ｐｄ（ＯＡｃ）２、Ｃｕ（ＣＮ）２などの物質を使用することができる。ｎ型ドーパントのソースとしては、置換もしくは非置換のニコチンアミドの還元物、置換もしくは非置換のニコチンアミドと化学的に結合している化合物の還元物、及び２以上のピリジニウム誘導体を含み、１以上のピリジニウム誘導体の窒素が還元された化合物などを使用することができる。例えば、ｎ型ドーパントのソースは、ＮＭＮＨ（nicotinamide mononucleotide−Ｈ）、ＮＡＤＨ（nicotinamide adenine dinucleotide−Ｈ）、ＮＡＤＰＨ（nicotinamide adenine dinucleotide phosphate−Ｈ）を含むか、あるいはビオローゲンを含んでもよい。または、ｎ型ドーパントのソースは、ＰＥＩ（polyethylenimine）などのポリマーを含んでもよい。または、ｎ型ドーパントは、Ｋ、Ｌｉなどのアルカリ金属を含んでもよい。しかし、ここで開示したｐ型ドーパント物質（ソース）とｎ型ドーパント物質（ソース）は、例示的なものであり、それ以外に、多様な物質が使用されてもよい。
図２は、本発明の一側面による二次元物質要素１００Ａを示す図面である。本実施形態は、二次元物質要素１００ＡがＰＮ接合構造を有する場合を示している。
図２を参照すれば、二次元物質要素１００Ａは、第１二次元物質Ｍ１１及び第２二次元物質Ｍ２１を含むことができる。第１二次元物質Ｍ１１及び第２二次元物質Ｍ２１は、それぞれ図１の第１二次元物質Ｍ１０及び第２二次元物質Ｍ２０に対応する。本実施形態において、第１二次元物質Ｍ１１は、ｎ型半導体であり、第２二次元物質Ｍ２１は、ｐ型半導体とすることができる。その場合、第１二次元物質Ｍ１１の第１金属カルコゲナイド系物質と、第２二次元物質Ｍ２１の第２金属カルコゲナイド系物質は、互いに異なる金属元素を含むことができる。また、第１二次元物質Ｍ１１の第１金属カルコゲナイド系物質と、第２二次元物質Ｍ２１の第２金属カルコゲナイド系物質は、同一のカルコゲン元素を含むことができる。しかし、場合によっては、第１二次元物質Ｍ１１及び第２二次元物質Ｍ２１が同一の金属元素を含み、互いに異なるカルコゲン元素を含むこともできる。
第１二次元物質Ｍ１１は、第１金属元素Ｍ１及び第１カルコゲン元素Ｘ１を含み、第２二次元物質Ｍ２１は、第２金属元素Ｍ２及び第２カルコゲン元素Ｘ２を含むことができる。ここで、第１金属元素Ｍ１及び第２金属元素Ｍ２は、遷移金属元素または非遷移金属元素であってもよい。第１金属元素Ｍ１と第２金属元素Ｍ２は、互いに異なり、第１カルコゲン元素Ｘ１と第２カルコゲン元素Ｘ２は、同一とすることができる。金属カルコゲナイド物質において、金属元素が変われば、導電型（ｐ型、ｎ型）が変化する。従って、第１二次元物質Ｍ１１がｎ型であり、第２二次元物質Ｍ２１がｐ型である場合、それらの金属元素は、互いに異なる。しかし、ある金属元素の場合、結合しているカルコゲン元素が変わることにより、導電型（ｐ型、ｎ型）が変わる。従って、場合によっては、第１金属元素Ｍ１と第２金属元素Ｍ２とが互いに同一であり、第１カルコゲン元素Ｘ１と第２カルコゲン元素Ｘ２とが互いに異なるものとすることもできる。
第１二次元物質Ｍ１１は、ｎ型半導体特性を有する金属カルコゲナイド系物質であり、ＭｏＳ２、ＭｏＳｅ２、ＭｏＴｅ２、ＷＳｅ２及びＷＴｅ２のうち少なくとも一つを含むことができる。第２二次元物質Ｍ２１は、ｐ型半導体特性を有する金属カルコゲナイド系物質であり、ＷＳ２、ＺｒＳ２、ＺｒＳｅ２、ＨｆＳ２、ＨｆＳｅ２及びＮｂＳｅ２のうち少なくとも一つを含むことができる。一例として、第１二次元物質Ｍ１１は、ｎ型半導体特性を有するＭｏＳ２を含み、第２二次元物質Ｍ２１は、ｐ型半導体特性を有するＷＳ２を含む。ＭｏとＷは、同じ族の金属であり、原子サイズの差（共有結合半径差：０．０８Å）が金属（Ｍｏ）とＳとの間隔（１．５４Å）に比べてかなり小さいので、中心金属元素が変更されても、格子不整合（lattice mismatch）がほとんど発生しない。従って、ＭｏＳ２とＷＳ２とが化学結合しているとき、それらの結合部（接合部）には、格子不整合がないか、あるいはほとんどない。参考までに、ＭｏとＷとの原子半径は、１３９ｐｍと同じであり、Ｍｏの共有結合半径は、１５４±５ｐｍであり、Ｗの共有結合半径は、１６２±７ｐｍである。
下記表１は、ｎ型半導体特性を有する金属カルコゲナイド系物質と、ｐ型半導体特性を有する金属カルコゲナイド系物質との例を整理したものである。
Figure 2015090984
第１二次元物質Ｍ１１及び第２二次元物質Ｍ２１のうち少なくとも一つは、ｐ型ドーパントまたはｎ型ドーパントでドーピングされることができる。第１二次元物質Ｍ１１がｎ型半導体である場合、第１二次元物質Ｍ１１に、ｎ型ドーパントをドーピングすることができ、場合によっては、ｐ型ドーパントをドーピングすることもできる。それと同様に、第２二次元物質Ｍ２１がｐ型半導体である場合、第２二次元物質Ｍ２１に、ｐ型ドーパントをドーピングするか、あるいはｎ型ドーパントをドーピングすることができる。一例として、第２二次元物質Ｍ２１がＷＳ２（ｐ型）である場合、ｐ型ドーパントであるＡｕＣｌ３をドーピングするか、あるいはｎ型ドーパントであるＫをドーピングすることができる。すなわち、同一タイプのドーパントをドーピングするか、あるいは反対タイプのドーパントをドーピングすることができる。前述の反対タイプのドーパントをドーピングすることにより、物質の半導体タイプを変化させることもできる。
図３は、本発明の他の側面による二次元物質要素１００Ｂを示す図面である。本実施形態は、二次元物質要素１００Ｂが、エネルギーバンドギャップが異なる複数の二次元物質Ｍ１２，Ｍ２２を有する場合を示す。
図３を参照すれば、二次元物質要素１００Ｂは、第１二次元物質Ｍ１２及び第２二次元物質Ｍ２２を含んでもよい。第１二次元物質Ｍ１２及び第２二次元物質Ｍ２２は、それぞれ図１の第１二次元物質Ｍ１０及び第２二次元物質Ｍ２０に対応する。本実施形態において、第１二次元物質Ｍ１２と第２二次元物質Ｍ２２は、互いに異なるエネルギーバンドギャップ（以下、バンドギャップ）を有することができる。すなわち、第１二次元物質Ｍ１２は、第１バンドギャップ（1st band gap）を有することができ、第２二次元物質Ｍ２２は、第１バンドギャップと異なる第２バンドギャップ（2nd band gap）を有することができる。その場合、第１二次元物質Ｍ１２の第１金属カルコゲナイド系物質と、第２二次元物質Ｍ２２の第２金属カルコゲナイド系物質は、互いに異なるカルコゲン元素を含むことができる。また、第１二次元物質Ｍ１２の第１金属カルコゲナイド系物質と、第２二次元物質Ｍ２２の第２金属カルコゲナイド系物質は、同一の金属元素を含むことができる。しかし、場合によっては、第１二次元物質Ｍ１２及び第２二次元物質Ｍ２２が互いに異なる金属元素を含むこともできる。
第１二次元物質Ｍ１２は、第１金属元素Ｍ１’及び第１カルコゲン元素Ｘ１’を含み、第２二次元物質Ｍ２２は、第２金属元素Ｍ２’及び第２カルコゲン元素Ｘ２’を含むことができる。ここで、第１カルコゲン元素Ｘ１’と第２カルコゲン元素Ｘ２’は、互いに異なるものとすることができる。第１金属元素Ｍ１’と第２金属元素Ｍ２’は、同一であってもよいが、互いに異なってもよい。金属カルコゲナイド物質において、カルコゲン元素が変われば、バンドギャップが変化する。従って、互いに異なるカルコゲン元素を含む第１二次元物質Ｍ１２及び第２二次元物質Ｍ２２を化学的に結合させることにより、バンドギャップが異なる複数の領域を有する二次元物質要素１００Ｂを具現することができる。
具体的な例として、第１二次元物質Ｍ１２は、ＭｏＳ２、ＭｏＳｅ２及びＭｏＴｅ２のうち一つを含み、第２二次元物質Ｍ２２は、ＭｏＳ２、ＭｏＳｅ２及びＭｏＴｅ２のうち他の一つを含むことができる。または、第１二次元物質Ｍ１２は、ＷＳ２、ＷＳｅ２及びＷＴｅ２のうち一つを含み、第２二次元物質Ｍ２２は、ＷＳ２、ＷＳｅ２及びＷＴｅ２のうち他の一つを含むこともできる。ＭｏＳ２、ＭｏＳｅ２、ＭｏＴｅ２、ＷＳ２、ＷＳｅ２及びＷＴｅ２のバンドギャップ及び半導体タイプ（導電型）を整理すれば、下記表２の通りである。
Figure 2015090984
一方、ＲｅＳｅ２のバンドギャップは、１．３０ｅＶであり、ＳｎＳｅ２のバンドギャップは、１．４０ｅＶであり、ＧａＳのバンドギャップは、２．４０ｅＶであり、ＧａＳｅのバンドギャップは、２．３０ｅＶであり、ＧａＴｅのバンドギャップは、２．００ｅＶであり、ＧｅＳｅのバンドギャップは、１．６０ｅＶであり、Ｉｎ２Ｓｅ３のバンドギャップは、１．４１ｅＶである。バルクＣｕＳのバンドギャップは、１．６０ｅＶであり、バルクＩｎＳｎＳ２のバンドギャップは、１．４５ｅＶである。ＲｅＳｅ２、ＳｎＳｅ２、ＧａＳ、ＧａＳｅ、ＧａＴｅ、ＧｅＳｅ、Ｉｎ２Ｓｅ３、ＣｕＳ、ＩｎＳｎＳ２のうち一つが、第１二次元物質Ｍ１２または第２二次元物質Ｍ２２として適用されてもよい。
本実施形態のように、同一平面上構造で、金属カルコゲナイド系物質の組成を変化させれば、バンドギャップが互いに異なる複数の領域（すなわち、第１二次元物質Ｍ１２及び第２二次元物質Ｍ２２）を有する二次元物質要素１００Ｂを具現することができる。その場合、第１二次元物質Ｍ１２及び第２二次元物質Ｍ２２は、化学結合しているために、その界面には、電気的バリアがないか、あるいはほとんどない。第１二次元物質Ｍ１２及び第２二次元物質Ｍ２２の界面に、電気的バリアが存在するとしても、その厚みは、原子１つの厚みほどと極めて薄いために、実際には、バリアのように作用しない。従って、二次元物質要素１００Ｂは、界面問題なしに、優秀な特性を示すことができる。一方、互いに異なる２つの物質（半導体）が物理的にコンタクトされた場合、それらの界面において、バンド変形（band bending）が生じ、有効な厚みを有する電気的バリアが形成されるために、それにより、電荷（例えば、電子）の流れが円滑になされない。
さらに、図３の第１二次元物質Ｍ１２及び第２二次元物質Ｍ２２のうち少なくとも一つに、ｐ型ドーパントまたはｎ型ドーパントをドーピングすることにより、それらの特性を追加して制御することができる。ｐ型ドーパント及びｎ型ドーパントの種類は、図１を参照して説明したところと同一である。
図１から図３では、単層構造（二次元平面構造）を有する二次元物質要素１００，１００Ａ，１００Ｂについて図示して説明したが、二次元物質要素１００，１００Ａ，１００Ｂの単層構造（二次元平面構造）が反復して積層された構造も可能である。その一例が、図４に図示されている。
図４を参照すれば、二次元物質要素１０００は、図１の単層構造（二次元平面構造）を有する二次元物質要素１００（以下、単位物質層）が反復して積層された構造を有することができる。例えば、約１０層以内の数層の単位物質層１００が積層されてもよい。場合によっては、単位物質層１００は、約１００層まで積層されてもよい。単位物質層１００の第１二次元物質Ｍ１０は、図２の第１二次元物質Ｍ１１、または図３の第１二次元物質Ｍ１２と同一のものとすることができる。また、単位物質層１００の第２二次元物質Ｍ２０は、図２の第２二次元物質Ｍ２１または図３の第２二次元物質Ｍ２２と同一のものとすることができる。
単位物質層１００が反復して積層されても、二次元物質の特性は維持される。電子構造的に、二次元物質は、状態密度（ＤＯＳ：density of state）が量子井戸の挙動に従う物質であると定義することができる。複数の単位物質層１００が積層された（約１００層以下に積層された）二次元物質要素１０００でも、状態密度（ＤＯＳ）が量子井戸挙動に従うため、かような観点で、図４の物質要素１０００を「二次元物質」といえる。
さらに、図４の構造では、第１二次元物質Ｍ１０上に、さらに第１二次元物質Ｍ１０が積層され、第２二次元物質Ｍ２０上に、さらに第２二次元物質Ｍ２０が積層される場合について図示して説明したが、他の実施形態においては、第１二次元物質Ｍ１０上に、第２二次元物質Ｍ２０が積層され、第２二次元物質Ｍ２０上に、第１二次元物質Ｍ１０が積層されてもよい。すなわち、ランダムに積層される構造（ランダム積層構造）も可能である。
また、図１から図４では、第１二次元物質Ｍ１０，Ｍ１１，Ｍ１２と、第２二次元物質Ｍ２０，Ｍ２１，Ｍ２２との境界部に、「カルコゲン元素」が存在する場合を図示したが、境界部に、「カルコゲン元素」ではない「金属元素」が位置することもできる。言い換えれば、所定の「金属元素」を基準に、第１二次元物質Ｍ１０，Ｍ１１，Ｍ１２と、第２二次元物質Ｍ２０，Ｍ２１，Ｍ２２と、が分けられる。
図５は、本発明の他の実施形態による二次元物質要素１１０Ａを示す断面図である。
図５を参照すれば、二次元物質要素１１０Ａは、第１二次元物質Ｍ１３、第２二次元物質Ｍ２３及び第３二次元物質Ｍ３３を含むことができる。第２二次元物質Ｍ２３の両側に、第１二次元物質Ｍ１３及び第３二次元物質Ｍ３３が化学結合することができる。第１二次元物質Ｍ１３、第２二次元物質Ｍ２３及び第３二次元物質Ｍ３３のうち少なくとも二つは、互いに異なる半導体タイプ（導電型）を有することができる。第１二次元物質Ｍ１３は、図２の第１二次元物質Ｍ１１に対応し、第２二次元物質Ｍ２３は、図２の第２二次元物質Ｍ２１に対応するか、あるいはその反対であってもよい。第３二次元物質Ｍ３３は、第１二次元物質Ｍ１３と同一の物質及び特性を有することができる。従って、二次元物質要素１１０Ａは、ＰＮＰ構造またはＮＰＮ構造を有することができる。すなわち、第１二次元物質Ｍ１３及び第３二次元物質Ｍ３３は、ｐ型半導体であり、第２二次元物質Ｍ２３は、ｎ型半導体であるか、あるいはその反対であってもよい。図５に図示されていないが、第１二次元物質Ｍ１３または第３二次元物質Ｍ３３の側面に、少なくとも１つの他の二次元物質がさらに配置されてもよい。
図６は、本発明の他の実施形態による二次元物質要素１１０Ｂを示す断面図である。
図６を参照すれば、二次元物質要素１１０Ｂは、第１二次元物質Ｍ１４、第２二次元物質Ｍ２４及び第３二次元物質Ｍ３４を含むことができる。第２二次元物質Ｍ２４の両側に、第１二次元物質Ｍ１４及び第３二次元物質Ｍ３４が化学結合することができる。第１二次元物質Ｍ１４、第２二次元物質Ｍ２４及び第３二次元物質Ｍ３４のうち少なくとも二つは、互いに異なるバンドギャップを有することができる。第１二次元物質Ｍ１４、第２二次元物質Ｍ２４及び第３二次元物質Ｍ３４は、互いに異なるバンドギャップ（第１バンドギャップから第３バンドギャップ（band gap 1，band gap 2，band gap 3））を有することができる。第１二次元物質Ｍ１４、第２二次元物質Ｍ２４及び第３二次元物質Ｍ３４のうち一つは、図３の第１二次元物質Ｍ１２に対応し、第１二次元物質Ｍ１４、第２二次元物質Ｍ２４及び第３二次元物質Ｍ３４のうち他の一つは、図３の第２二次元物質Ｍ２２に対応する。第３二次元物質Ｍ３４は、第１二次元物質Ｍ１４及び第２二次元物質Ｍ２４と異なる物質であってもよい。具体的な例として、二次元物質要素１１０Ｂは、ＭｏＳ２−ＭｏＳｅ２−ＭｏＴｅ２構造を有するか、あるいはＷＳ２−ＷＳｅ２−ＷＴｅ２構造を有することができる。図６に図示されていないが、第１二次元物質Ｍ１４、または第３二次元物質Ｍ３４の側面に、少なくとも１つの他の二次元物質がさらに配置されてもよい。
図５及び図６の単位構造（単位物質層）は、図４で説明したように、反復して積層されてもよい。
本発明の実施形態による二次元物質要素において異種の二次元物質は、多様なパターンを形成することができる。その例が、図７から図１０に図示されている。
図７は、本発明の他の実施形態による二次元物質要素１１１Ａを示す斜視図である。図７を参照すれば、基板ＳＵＢ１０上に、二次元物質要素１１１Ａが配置されることができる。二次元物質要素１１１Ａは、複数の第１二次元物質Ｍ１５と複数の第２二次元物質Ｍ２５とが二次元的に（平面的に）配列されている構造を有することができる。第１二次元物質Ｍ１５と第２二次元物質Ｍ２５は、ナノスケールからマイクロススケールのドメインであってもよい。例えば、第１二次元物質Ｍ１５及び第２二次元物質Ｍ２５それぞれは、約１０ｎｍ以上の幅を有することができる。図７では、第１二次元物質Ｍ１５及び第２二次元物質Ｍ２５を四角形に図示し、それが規則的に配列された場合を図示しているが、それは、例示的なものであり、第１二次元物質Ｍ１５及び第２二次元物質Ｍ２５の形態及び配列方式が異なってもよい。第１二次元物質Ｍ１５及び第２二次元物質Ｍ２５の形態は、制限がなく、それらは、不規則に（ランダムに）配列されてもよい。例えば、図２３に図示されているように、二次元物質要素１１１Ａ’は、複数の第１二次元物質Ｍ１５’及び複数の第２二次元物質Ｍ２５’がランダムに不規則に配列された構造を有することができる。第１二次元物質Ｍ１５’及び第２二次元物質Ｍ２５’は、不規則的な様相を有することができる。さらに、本発明の他の実施形態によれば、二次元物質要素は、垂直方向にランダムな構造を有することもできる。例えば、図２４に図示されているように、二次元物質要素１１１Ａ”は、複数の第１二次元物質Ｍ１５”及び複数の第２二次元物質Ｍ２５”が垂直方向及び／または水平方向にランダムに不規則に配列された構造を有することができる。図２４の構造は、前述の「ランダム積層構造」と類似している。
図７において、第１二次元物質Ｍ１５及び第２二次元物質Ｍ２５は、それぞれ図２の第１二次元物質Ｍ１１及び第２二次元物質Ｍ２１に対応する。従って、第１二次元物質Ｍ１５は、ｎ型であり、第２二次元物質Ｍ２５は、ｐ型であり、二次元物質要素１１１Ａは、ＰＮ構造を有することができる。
図８は、本発明の他の実施形態による二次元物質要素１１２Ａを示す斜視図である。図８を参照すれば、二次元物質要素１１２Ａは、第１二次元物質Ｍ１６と第２二次元物質Ｍ２６とが相互に反復して配置された構造（平面構造）を含むことができる。第１二次元物質Ｍ１６及び第２二次元物質Ｍ２６は、ライン形状を有することができる。従って、二次元物質要素１１２Ａは、縞模様パターンを有するといえる。第１二次元物質Ｍ１６及び第２二次元物質Ｍ２６は、それぞれ図２の第１二次元物質Ｍ１１及び第２二次元物質Ｍ２１に対応する。従って、第１二次元物質Ｍ１６は、ｎ型であり、第２二次元物質Ｍ２６は、ｐ型であり、二次元物質要素１１２Ａは、ＰＮ構造を有することができる。
図９は、本発明の他の実施形態による二次元物質要素１１２Ｂを示す斜視図である。図９の二次元物質要素１１２Ｂは、図８と類似した構造を有することができる。ただし、図９で、第１二次元物質Ｍ１７及び第２二次元物質Ｍ２７は、それぞれ図３の第１二次元物質Ｍ１２及び第２二次元物質Ｍ２２に対応する。従って、二次元物質要素１１２Ｂは、バンドギャップが互いに異なる二次元物質Ｍ１７，Ｍ２７が相互に反復配置された構造を有するといえる。
図１０は、本発明の他の実施形態による二次元物質要素１１３Ｂを示す斜視図である。図１０の二次元物質要素１１３Ｂは、第１二次元物質Ｍ１８、第２二次元物質Ｍ２８及び第３二次元物質Ｍ３８を含むことができる。第１二次元物質Ｍ１８、第２二次元物質Ｍ２８及び第３二次元物質Ｍ３８は、側傍に反復して配置されてもよい。第１二次元物質Ｍ１８、第２二次元物質Ｍ２８及び第３二次元物質Ｍ３８は、互いに異なるバンドギャップを有することができる。例えば、第１二次元物質Ｍ１８、第２二次元物質Ｍ２８及び第３二次元物質Ｍ３８は、それぞれ図６の第１二次元物質Ｍ１４、第２二次元物質Ｍ２４及び第３二次元物質Ｍ３４に対応する。
図７から図１０に図示されたパターンは、例示的なものであり、パターンの形態及びサイズなどは、多様に変更することができる。
以下では、本発明の実施形態による二次元物質要素の形成方法について説明する。
図１１Ａから図１１Ｃは、本発明の実施形態による二次元物質要素の形成方法を示す斜視図である。
図１１Ａを参照すれば、前駆体溶液ＰＳ１を準備する。前駆体溶液ＰＳ１は、第１金属カルコゲナイド系物質の前駆体（以下、第１前駆体）、及び第２金属カルコゲナイド系物質の前駆体（以下、第２前駆体）を含むことができる。例えば、第１前駆体及び第２前駆体を所定の溶媒（有機溶媒）に混合し、前駆体溶液ＰＳ１を準備する。第１前駆体は、例えば、ｎ型半導体特性を有する金属カルコゲナイド系物質の前駆体であり、第２前駆体は、例えば、ｐ型半導体特性を有する金属カルコゲナイド系物質の前駆体とすることができる。第１前駆体は、ｎ型半導体特性を有するＭｏＳ２、ＭｏＳｅ２、ＭｏＴｅ２、ＷＳｅ２及びＷＴｅ２のうち１つの前駆体であり、第２前駆体は、ｐ型半導体特性を有するＷＳ２、ＺｒＳ２、ＺｒＳｅ２、ＨｆＳ２、ＨｆＳｅ２及びＮｂＳｅ２のうち１つの前駆体であってもよい。一例として、ＭｏＳ２の前駆体（第１前駆体）として、（ＮＨ４）２ＭｏＳ４を使用することができ、ＷＳ２の前駆体（第２前駆体）として、（ＮＨ４）２ＷＳ４を使用することができる。一方、溶媒（有機溶媒）としては、例えば、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）を使用することができる。ＤＭＦに、（ＮＨ４）２ＭｏＳ４及び（ＮＨ４）２ＷＳ４を、それぞれ０．１２５ｗｔ％ずつ混合し、前駆体溶液ＰＳ１を製造することができる。しかし、それは例示的なものであり、第１前駆体及び第２前駆体の物質、並びに溶媒種類及び混合の割合は、異なってもよい。
図１１Ｂを参照すれば、前駆体溶液ＰＳ１（図１１Ａ）を基板ＳＵＢ１上に塗布し、薄膜１０を形成することができる。基板ＳＵＢ１は、半導体基板、導電性基板または絶縁性基板とすることができる。例えば、基板ＳＵＢ１は、シリコンのような半導体を含むか、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ｒｕのような導電体（金属）を含むか、あるいはシリコン酸化物、サファイアのような絶縁体を含んでもよい。基板ＳＵＢ１の物質は、特別に制限されないので、多様な基板が使用されてもよい。薄膜１０は、スピンコーティング、ディップコーティング、バーコーティングなど多様なコーティング方法で形成することができる。薄膜１０は、ナノメートルレベル（すなわち、ナノスケール）の薄い厚みを有することができる。薄膜１０を形成する間、または薄膜１０を形成した後、図１１Ａで説明した溶媒のほとんどは、薄膜１０から除去される。
図１１Ｃを参照すれば、薄膜１０（図１１Ｂ）から、二次元物質層１０Ａを形成することができる。二次元物質層１０Ａは、第１前駆体から形成された第１金属カルコゲナイド系物質を含む第１二次元物質１Ａと、第２前駆体から形成された第２金属カルコゲナイド系物質を含む第２二次元物質２Ａとから構成されることができる。第１二次元物質１Ａと第２二次元物質２Ａは、化学結合することができる。第１二次元物質１Ａ及び第２二次元物質２Ａは、それぞれ図２の第１二次元物質Ｍ１１及び第２二次元物質Ｍ２１、または図７の第１二次元物質Ｍ１５及び第２二次元物質Ｍ２５に対応する。第１二次元物質１Ａは、ｎ型半導体であり、第２二次元物質２Ａは、ｐ型半導体であるか、あるいはその反対であってもよい。二次元物質層１０Ａは、ＰＮ接合構造を有することができる。
薄膜１０から、複数の二次元物質１Ａ，２Ａが化学結合した二次元物質層１０Ａを形成するために、薄膜１０に対するアニーリング（熱処理）工程を行うことができる。アニーリング工程は、例えば、３００〜２，０００℃ほどの温度範囲で行うことができる。このようなアニーリング工程により、第１前駆体から、第１金属カルコゲナイド系物質が形成され、第２前駆体から、第２金属カルコゲナイド系物質が形成される。例えば、第１前駆体が（ＮＨ４）２ＭｏＳ４である場合、（ＮＨ４）２ＭｏＳ４から（ＮＨ４）２が除去（気化）され、ＭｏＳ４がＭｏＳ２に変化する。そして、第２前駆体が（ＮＨ４）２ＷＳ４の場合、（ＮＨ４）２ＷＳ４から（ＮＨ４）２が除去（気化）され、ＷＳ４がＷＳ２に変化する。その場合、第１二次元物質１Ａは、ＭｏＳ２から構成され、第２二次元物質２Ａは、ＷＳ２から構成されることができる。図１１Ａ段階で、前駆体溶液ＰＳ１に添加する第１前駆体及び第２前駆体の含有量を調節すれば、図１１Ｃ段階で形成される第１二次元物質１Ａと第２二次元物質２Ａとの量／面積を調節することができる。図１１Ｃでは、第１二次元物質１Ａと第２二次元物質２Ａとを四角形で図示し、それらが規則的に配列された場合を図示したが、第１二次元物質１Ａ及び第２二次元物質２Ａの形態は制限がなく、それらは、不規則に（ランダムに）配列されてもよい。例えば、図２３に図示されているように、二次元物質要素１１１Ａ’は、複数の第１二次元物質Ｍ１５’及び複数の第２二次元物質Ｍ２５’がランダムに不規則に配列された構造を有することができる。第１二次元物質Ｍ１５’及び第２二次元物質Ｍ２５’は、不規則的な様相を有することができる。さらに、本発明の他の実施形態によれば、二次元物質要素は、垂直方向にランダムな構造を有することもできる。例えば、図２４に図示されているように、二次元物質要素１１１Ａ”は、複数の第１二次元物質Ｍ１５”及び複数の第２二次元物質Ｍ２５”が垂直及び／または水平方向にランダムに不規則に配列された構造を有することができる。図２４の構造は、前述の「ランダム積層構造」と類似している。
薄膜１０に対するアニーリング段階で、薄膜１０が配置されたチャンバ内に、所定のカルコゲン系物質を注入する。カルコゲン系物質は、例えば、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅのうち一つを含んでもよい。もし第１前駆体及び第２前駆体が、それぞれ（ＮＨ４）２ＭｏＳ４及び（ＮＨ４）２ＷＳ４である場合、カルコゲン系物質は、Ｓを含んでもよい。アニーリング段階において、カルコゲン系物質を注入すれば、第１二次元物質１Ａ及び第２二次元物質２Ａをさらに容易に形成することができる。また、追加的なアニーリング（熱処理）段階をさらに行うこともできる。この追加的なアニーリング段階も、３００〜２，０００℃ほどの温度で行われてもよい。
さらに、図１１Ｂの薄膜１０を、図１１Ｃの二次元物質層１０Ａに変化させる段階において、一次アニーリング工程を行った後、カルコゲン系物質の注入段階及び二次アニーリング工程をさらに行うことができる。すなわち、一次アニーリング工程を行った後、反応チャンバ（アニーリングチャンバ）内に、カルコゲン系物質を注入しながら、二次アニーリング工程を行うことができる。カルコゲン系物質は、例えば、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅのうち一つを含んでもよい。一次アニーリング工程及び二次アニーリング工程は、３００〜２，０００℃ほどの温度範囲で行うことができる。
図１２Ａ及び図１２Ｂは、本発明の他の実施形態による二次元物質要素の形成方法を示す斜視図である。
図１２Ａを参照すれば、基板ＳＵＢ１上に、第１金属酸化物１ｂ及び第２金属酸化物２ｂを含む薄膜２０を形成することができる。複数の第１金属酸化物１ｂと、複数の第２金属酸化物２ｂとが所定のパターンを形成することができる。一例として、図示されているように、第１金属酸化物１ｂ及び第２金属酸化物２ｂが縞模様パターンを形成することができる。第１金属酸化物１ｂは、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｐｂのうち１つの酸化物を含んでもよい。第２金属酸化物２ｂは、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｐｂのうち他の１つの酸化物を含んでもよい。一例として、第１金属酸化物１ｂは、ＭｏＯ３から形成することができ、第２金属酸化物２ｂは、ＷＯ３から形成することができる。基板ＳＵＢ１上に、まず複数の第１金属酸化物１ｂのパターンを形成した後、それらの間に、第２金属酸化物２ｂのパターンを形成することにより、薄膜２０を形成することができる。このとき、フォトリソグラフィ工程、電子ビームリソグラフィ工程またはナノインプリント工程などを使用することができる。または、薄膜２０は、固体酸化物の昇華（sublimation）／蒸発（evaporation）／スパッタリングなどによって形成することもでき、金属薄膜を蒸着した後、それを酸化させて得ることもできる。必要によっては、薄膜２０の形成時、ＣＭＰ（chemical mechanical polishing）工程またはエッチバック工程を行うこともできる。
図１２Ｂを参照すれば、第１金属酸化物１ｂ及び第２金属酸化物２ｂから、それぞれ第１金属カルコゲナイド系物質及び第２金属カルコゲナイド系物質を形成し、第１金属カルコゲナイド系物質を含む第１二次元物質１Ｂと、第２金属カルコゲナイド系物質を含む第２二次元物質２Ｂとを具備する二次元物質層２０Ａを形成することができる。第２二次元物質２Ｂは、第１二次元物質１Ｂの側面に化学結合してもよい。第１二次元物質１Ｂ及び第２二次元物質２Ｂは、それぞれ図２の第１二次元物質Ｍ１１及び第２二次元物質Ｍ２１、または図８の第１二次元物質Ｍ１６及び第２二次元物質Ｍ２６に対応する。第１二次元物質１Ｂは、ｎ型半導体であり、第２二次元物質２Ｂは、ｐ型半導体であるか、あるいはその反対であってもよい。二次元物質層２０Ａは、ＰＮ接合構造を有することができる。
二次元物質層２０Ａを形成するために、反応チャンバ（アニーリングチャンバ）内に、カルコゲン系物質を注入しながら、アニーリング工程を行うことができる。カルコゲン系物質は、例えば、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅのうち一つを含んでもよい。もし第１金属酸化物１ｂ及び第２金属酸化物２ｂが、それぞれＭｏＯ３及びＷＯ３であり、形成する金属カルコゲナイド物質が、ＭｏＳ２及びＷＳ２である場合、カルコゲン系物質は、Ｓを含んでもよい。すなわち、反応チャンバ（アニーリングチャンバ）にＳを供給しながら、薄膜２０に対するアニーリング工程を行えば、ＭｏＯ３及びＷＯ３を、それぞれＭｏＳ２及びＷＳ２に変化させることができる。ＭｏＳ２は、第１二次元物質１Ｂの一例であり、ＷＳ２は、第２二次元物質２Ｂの一例である。金属酸化物１Ｂ，２Ｂの物質、及び使用するカルコゲン系物質の種類によって、形成される二次元物質１Ｂ，２Ｂの種類が変わる。アニーリング工程は、例えば、３００〜２，０００℃ほどの温度範囲で行うことができる。その後、追加的なアニーリング工程をさらに行うこともできる。この追加的なアニーリング工程も、３００〜２，０００℃ほどの温度で行うことができる。
図１２Ａにおいて、第１金属酸化物１ｂ及び第２金属酸化物２ｂのパターンは、多様に変化し、それにより、図１２Ｂで形成される第１二次元物質１Ｂ及び第２二次元物質２Ｂのパターンも多様に変化する。従って、所望する形態のパターンを有する二次元物質層を形成することができる。
図１２Ａ及び図１２Ｂでは、第１金属酸化物１ｂ及び第２金属酸化物２ｂから、第１カルコゲナイド系物質及び第２カルコゲナイド系物質を形成することにより、第１二次元物質１Ｂ及び第２二次元物質２Ｂを形成する場合について説明したが、ここで、第１金属酸化物１ｂ及び第２金属酸化物２ｂは、それぞれ第１金属及び第２金属に代替されてもよい。言い換えれば、第１金属及び第２金属から、第１カルコゲナイド系物質及び第２カルコゲナイド系物質を形成することにより、第１二次元物質１Ｂ及び第２二次元物質２Ｂを形成することもできる。このとき、第１金属及び第２金属は、互いに異なる金属であってもよい。第１カルコゲナイド系物質及び第２カルコゲナイド系物質を形成するために、第１金属及び第２金属をカルコゲン系物質と反応させることができる。例えば、第１金属は、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ及びＰｂのうち一つを含み、第２金属は、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ及びＰｂのうち他の一つを含んでもよい。カルコゲン系物質は、Ｓ、Ｓｅ及びＴｅのうち一つを含んでもよい。
図１３Ａから図１３Ｅは、本発明の他の実施形態による二次元物質要素の形成方法を示す斜視図である。
図１３Ａを参照すれば、基板ＳＵＢ１上に、金属酸化物を含む薄膜３０を形成することができる。薄膜３０は、金属酸化物膜であってもよい。金属酸化物は、例えば、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｐｂのうち１つの酸化物を含んでもよい。一例として、金属酸化物は、ＭｏＯ３を含んでもよい。
図１３Ｂを参照すれば、薄膜３０上に、所定のマスク層ＭＬ１を形成することができる。マスク層ＭＬ１は、薄膜３０の一部領域を露出させる所定のパターン構造を有することができる。マスク層ＭＬ１は、例えば、金属物質から形成することができ、縞模様パターンの露出領域を有することができる。マスク層ＭＬ１の形態は、図示されたところに限定されるものではなく、多様に変形されてもよい。
図１３Ｃを参照すれば、マスク層ＭＬ１によってカバーされずに露出された薄膜３０領域の金属酸化物を、第１金属カルコゲナイド系物質に変化させ、第１二次元物質１Ｃを形成することができる。反応チャンバ（アニーリングチャンバ）内に、第１カルコゲン系物質を注入しながら、アニーリング工程を行うことにより、露出された薄膜３０領域の金属酸化物を、第１カルコゲン系物質と反応させ、第１二次元物質１Ｃを形成することができる。アニーリング工程は、例えば、３００〜２，０００℃ほどの温度範囲で行うことができる。第１カルコゲン系物質は、例えば、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅのうち一つを含んでもよい。もし金属酸化物がＭｏＯ３であり、形成する金属カルコゲナイド物質がＭｏＳ２である場合、第１カルコゲン系物質は、Ｓを含むことができる。すなわち、反応チャンバ（アニーリングチャンバ）にＳを供給しながら、薄膜３０に対するアニーリング工程を行えば、露出された薄膜３０領域がＭｏＳ２に変化する。第１二次元物質１Ｃが形成された薄膜を３０Ａと表示する。薄膜３０Ａにおいて、マスク層ＭＬ１で隠された領域は、依然として金属酸化物領域である。この領域を参照番号２ｃと表示する。
次に、マスク層ＭＬ１を除去する。図１３Ｃにおいて、マスク層ＭＬ１を除去した結果物は、図１３Ｄのようである。
その後、残留した金属酸化物領域２ｃを第２金属カルコゲナイド系物質に変化させ、図１３Ｅに図示されているように、第２二次元物質２Ｃを形成することができる。反応チャンバ（アニーリングチャンバ）内に、第２カルコゲン系物質を注入しながら、アニーリング工程を行うことにより、残留した金属酸化物領域２ｃの金属酸化物を、第２カルコゲン系物質と反応させ、第２二次元物質２Ｃを形成することができる。アニーリング工程は、例えば、３００〜２，０００℃ほどの温度範囲で行うことができる。第２カルコゲン系物質は、例えば、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅのうち一つを含んでもよい。もし金属酸化物がＭｏＯ３であり、形成する金属カルコゲナイド物質がＭｏＴｅ２である場合、第２カルコゲン系物質は、Ｔｅを含むことができる。すなわち、反応チャンバ（アニーリングチャンバ）にＴｅを供給しながら、薄膜３０Ａに対するアニーリング工程を行えば、金属酸化物領域２ｃがＭｏＴｅ２に変化する。第２カルコゲン系物質は、第１二次元物質１Ｃより、金属酸化物領域２ｃと容易に反応するために、第１二次元物質１Ｃは、そのまま維持されながら、金属酸化物領域２ｃだけ、第２二次元物質２Ｃに変化する。このように形成された第２二次元物質２Ｃは、第１二次元物質１Ｃと化学結合する。第１二次元物質１Ｃ及び第２二次元物質２Ｃが形成された薄膜を、二次元物質層３０Ｂとする。
二次元物質層３０Ｂは、図９の二次元物質要素１１２Ｂに対応する。二次元物質層３０Ｂの第１二次元物質１Ｃは、ＭｏＳ２、ＭｏＳｅ２及びＭｏＴｅ２のうち一つを含み、第２二次元物質２Ｃは、ＭｏＳ２、ＭｏＳｅ２及びＭｏＴｅ２のうち他の一つを含んでもよい。または、第１二次元物質１Ｃは、ＷＳ２、ＷＳｅ２及びＷＴｅ２のうち一つを含み、第２二次元物質２Ｃは、ＷＳ２、ＷＳｅ２及びＷＴｅ２のうち他の一つを含んでもよい。前述の第１二次元物質１Ｃと第２二次元物質２Ｃとの具体的な物質は、例示的なものであり、それらは多様に変更され得る。
場合によっては、図１３Ｄの段階で、第１二次元物質１Ｃを選択的にカバーする第２マスク層（図示せず）を形成した後、第２マスク層によってカバーされずに露出された金属酸化物領域２ｃを、第２二次元物質２Ｃに変化させる工程を行うこともできる。
また、図１３Ａから図１３Ｅの実施形態においては、２種の二次元物質１Ｃ，２Ｃを含む二次元物質層３０Ｂを形成する場合について図示して説明したが、この方法を変形すれば、３種以上の二次元物質を含む二次元物質層を形成することができる。このとき、上記の３種以上の二次元物質は、例えば、ＭｏＳ２、ＭｏＳｅ２及びＭｏＴｅ２を含むか、あるいはＷＳ２、ＷＳｅ２及びＷＴｅ２を含んでもよい。結果として、図１０に図示されているような二次元物質層を形成することができる。
さらに、図１３Ａから図１３Ｅでは、出発薄膜３０が金属酸化物である場合を示しているが、他の実施形態によれば、出発薄膜３０は、金属であってもよい。言い換えれば、金属から形成された薄膜３０から、第１二次元物質１Ｃ及び第２二次元物質２Ｃを形成することもできる。その場合、薄膜３０の第１金属領域は、第１カルコゲン系物質と反応し、第１二次元物質１Ｃを形成することができ、薄膜３０の第２金属領域は、第２カルコゲン系物質と反応し、第２二次元物質２Ｃを形成することができる。上記の金属は、例えば、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ及びＰｂのうち一つを含み、第１カルコゲン物質及び第２カルコゲン系物質は、例えば、Ｓ、Ｓｅ及びＴｅのうち一つを含んでもよい。本発明の実施形態による二次元物質要素は、多様な半導体素子（電子素子）にさまざまな目的に適用されることができる。例えば、本発明の実施形態による二次元物質要素は、ダイオード、太陽電池、光検出器、トランジスタ、トンネリング素子、メモリ素子、論理素子、発光素子、エネルギー保存素子、ディスプレイ素子など多様な素子に適用される。トランジスタはＦＥＴ（field effect transistor）、ＴＦＴ（thin film transistor）、ＢＪＴ（binary junction transistor）、バリアトランジスタ（barrier transistor）（すなわち、barristor）など多様な構造を有することができる。上記の二次元物質要素は、ＰＮ接合を利用する素子であるならば、いかなる素子にも適用され、既存のＳｉ利用素子のＳｉの代わりに適用され、積層型素子、フレキシブル素子及び透明素子などに適用されてもよい。本発明の実施形態による二次元物質要素は、二次元物質であるために、フレキシブルであり、非常に薄い厚みを有するため、透明な特性を有することができる。従って、そのような物質は、積層型素子、フレキシブル素子及び透明素子などに有用に／有利に適用される。
本発明の実施形態による半導体素子は、図１から図１０を参照して説明した二次元物質要素を含む物質層（半導体層）を具備することができる。例えば、上記の半導体素子は、多層構造体を含み、上記の多層構造体は、上記の二次元物質要素を含む半導体層、及び上記の半導体層の少なくとも一面に配置された少なくとも１層の非半導体層を含むことができる。上記の半導体層は、二次元物質層とすることができる。上記の少なくとも１層の非半導体層は、少なくとも１つの導電層及び／または少なくとも１つの絶縁層を含むことができる。上記の導電層は、導電性二次元物質層を含み、上記の絶縁層は、絶縁性二次元物質層を含むことができる。例えば、上記の導電性二次元物質層は、グラフェンなどを含み、上記の絶縁性二次元物質層は、ｈ−ＢＮ（hexagonal boron nitride）などを含んでもよい。しかし、上記の非半導体層は、二次元物質でなくてもよい。一般的な半導体工程で使用する多様な絶縁物質及び導電物質を、上記の非半導体層に適用することができる。上記の絶縁物質は、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物、シリコン窒化物、シリコン窒化物より誘電定数が大きい高誘電物質（アルミニウム酸化物、ハフニウム酸化物など）、絶縁性有機物（ポリマー）などを含んでもよい。上記の導電物質は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｔなどの金属や、金属化合物、導電性有機物（ポリマー）などを含んでもよい。もし上記の非半導体層を二次元物質から形成すれば、半導体素子の主要構成要素がいずれも二次元物質から構成されるので、素子の小型化及び高集積化などに有利となる。また、フレキシブル素子及び透明素子などの具現が可能である。
以下では、図１４から図２２を参照して、本発明の実施形態による二次元物質要素を含む多様な半導体素子について例示的に説明する。
図１４は、本発明の実施形態によることにより、二次元物質要素を含む半導体素子を示す断面図である。本実施形態は、トンネリング素子の一例を示している。
図１４を参照すれば、本発明の実施形態による二次元物質要素を含む半導体層（new 2D material）ＳＬ１０が設けられ、半導体層ＳＬ１０の第１面（例えば、下面）に、第１導電層（ＣＬ１０）が配置されることができる。半導体層ＳＬ１０の第２面（例えば、上面）に第２導電層ＣＬ２０が配置されることができる。第２導電層ＣＬ２０上に、絶縁層ＮＬ１０が配置され、絶縁層ＮＬ１０上に、第３導電層ＣＬ３が配置されることができる。半導体層ＳＬ１０は、図１から図１０を参照して説明した実施形態による二次元物質要素を含むことができる。従って、半導体層ＳＬ１０は、サイド方向に化学結合している複数の二次元物質を含むことができる。また、半導体層ＳＬ１０は、ＰＮ構造、ＰＮＰ構造、ＮＰＮ構造などを有するか、あるいはバンドギャップが互いに異なる複数の領域を有することができる。本実施形態において、半導体層ＳＬ１０は、トンネリング層とすることができる。第１導電層ＣＬ１０は、ドレイン電極とし、第２導電層ＣＬ２０は、ソース電極とし、第３導電層ＣＬ３０は、ゲート電極とすることができる。絶縁層ＮＬ１０は、ゲート絶縁層とすることができる。第３導電層ＣＬ３０によって、半導体層ＳＬ１０の電気的特性、または第２導電層ＣＬ２０と半導体層ＳＬ１０との界面の電気的特性が制御される。半導体層ＳＬ１０を介した電荷のトンネリングにより、第１導電層ＣＬ１０及び第２導電層ＣＬ２０の間に電流が流れることができる。
図１４で、第１導電層ＣＬ１０、第２導電層ＣＬ２０及び第３導電層ＣＬ３０は、導電性二次元物質から形成されるか、あるいは二次元物質ではない一般的な導電物質から形成されてもよい。特に、第２導電層ＣＬ２０は、グラフェンのような導電性二次元物質から形成される。また、絶縁層ＮＬ１０は、ｈ−ＢＮのような絶縁性二次元物質から形成されるか、あるいは二次元物質ではない一般的な絶縁物質から形成されてもよい。
図１５は、本発明の他の実施形態によるものであり、二次元物質要素を含む半導体素子を示す断面図である。本実施形態は、ＢＪＴ素子の一例を示している。
図１５を参照すれば、本発明の実施形態による二次元物質要素を含む半導体層ＳＬ１１が設けられr、その両側に、第１絶縁層ＮＬ１１及び第２絶縁層ＮＬ２１が配置されることができる。すなわち、第１絶縁層ＮＬ１１及び第２絶縁層ＮＬ２１の間に、半導体層ＳＬ１１が配置される。第１絶縁層ＮＬ１１を挟んで、半導体層ＳＬ１１に対向する第１導電層ＣＬ１１がさらに配置されることができる。第２絶縁層ＮＬ２１を挟んで、半導体層ＳＬ１１に対向する第２導電層ＣＬ２１がさらに配置されることができる。半導体層ＳＬ１１は、図１から図１０を参照して説明した実施形態による二次元物質要素を含むことができる。従って、半導体層ＳＬ１１は、サイドに化学結合している複数の二次元物質を含むことができる。また、半導体層ＳＬ１１は、ＰＮ構造、ＰＮＰ構造、ＮＰＮ構造などを有するか、あるいはバンドギャップが互いに異なる複数の領域を有することができる。本実施形態において、半導体層ＳＬ１１は、トンネリング層とすることができる。また、半導体層ＳＬ１１は、ベースとすることができる。第１導電層ＣＬ１１は、エミッタとすることができ、第２導電層ＣＬ２１は、コレクタとすることができる。エミッタ及びコレクタは、電極要素である。第１絶縁層ＮＬ１１は、第１バリア層とすることができ、第２絶縁層ＮＬ２１は、第２バリア層とすることができる。第１絶縁層ＮＬ１１は、トンネリングバリア層とすることもでき、第２絶縁層ＮＬ２１は、フィルタリングバリア層とすることもできる。本実施形態の半導体素子は、一般的なＢＪＴ素子と類似した方式で動作される。
図１６は、本発明の他の実施形態によるものであり、二次元物質要素を含む半導体素子を示す断面図である。本実施形態は、バリアトランジスタ（すなわち、barristor）の一部を例示的に示している。
図１６を参照すれば、本発明の実施形態による二次元物質要素を含む半導体層ＳＬ１２が設けられ、半導体層ＳＬ１２に接触した第１導電層ＣＬ１２が設けられることができる。第１導電層ＣＬ１２と離隔された第２導電層ＣＬ２２が設けられることができる。第１導電層ＣＬ１２と第２導電層ＣＬ２２との間に、絶縁層ＮＬ１２が配置されることができる。半導体層ＳＬ１２は、図１から図１０を参照して説明した実施形態による二次元物質要素を含むことができる。本実施形態において、半導体層ＳＬ１２は、チャンネル層の役割を行うことができる。第１導電層ＣＬ１２は、半導体層ＳＬ１２との界面で、ショットキーバリアを形成する役割を行うことができる。絶縁層ＮＬ１２は、ゲート絶縁層とすることができ、第２導電層ＣＬ２２は、ゲート電極とすることができる。第２導電層ＣＬ２２に印加された電圧によって、ショットキーバリアの高さが調節され、素子のオン／オフ（ＯＮ／ＯＦＦ）が制御される。図示されていないが、半導体層ＳＬ１２に接触したソース電極及びドレイン電極がさらに設けられることができる。ショットキーバリアの高さが低いとき、ソース電極及びドレイン電極を介して電流が流れ、ショットキーバリアの高さが高いとき、電流の流れが遮断される。ここで、第１導電層ＣＬ１２がグラフェンから形成された場合、本実施形態の素子は、グラフェンバリスタであるといえる。
図１７は、本発明の他の実施形態によるものであり、二次元物質要素を含む半導体素子を示す断面図である。本実施形態は、ＦＥＴ素子を例示的に示している。光検出器も、図１７の構造と類似した構造を有することができる。
図１７を参照すれば、本発明の実施形態による二次元物質要素を含む半導体層ＳＬ１３が設けられ、半導体層ＳＬ１３の一側（例えば、下面）に、絶縁層ＮＬ１３が配置されることができる。絶縁層ＮＬ１３を挟んで、半導体層ＳＬ１３と対向する第１導電層ＣＬ１３が設けられることができる。半導体層ＳＬ１３の他側（例えば、上面）に、互いに離隔された第２導電層ＣＬ２３及び第３導電層ＣＬ３３が配置されることができる。半導体層ＳＬ１３は、図１から図１０を参照して説明した実施形態による二次元物質要素を含むことができる。本実施形態において、半導体層ＳＬ１３は、チャンネル層とすることができる。半導体層ＣＬ１３は、例えば、ＰＮＰ構造またはＮＰＮ構造を有することができる。絶縁層ＮＬ１３は、ゲート絶縁層とすることができ、第１導電層ＣＬ１３は、ゲート電極とすることができる。第２導電層ＣＬ２３及び第３導電層ＣＬ３３は、それぞれソース電極及びドレイン電極とすることができる。半導体層ＣＬ１３がＰＮＰ構造を有する場合、第２導電層ＣＬ２３及び第３導電層ＣＬ３３は、半導体層ＣＬ１３のＰ領域に接触する。半導体層ＣＬ１３がＮＰＮ構造を有する場合、第２導電層ＣＬ２３及び第３導電層ＣＬ３３は、半導体層ＣＬ１３のＮ領域に接触する。図１７の構造が光検出器として使用される場合、半導体層ＳＬ１３は、光活性層である。
図１８は、本発明の他の実施形態によるものであり、二次元物質要素を含む半導体素子を示す断面図である。本実施形態は、メモリ素子の一例を例示的に示している。このとき、メモリ素子は、電荷トラップメモリ素子とすることができる。
図１８を参照すれば、本発明の実施形態による二次元物質要素を含む第１半導体層ＳＬ１４が設けられ、第１半導体層ＳＬ１４の両面に、それぞれ絶縁層ＮＬ１４及び第１導電層ＣＬ１４が配置されることができる。例えば、第１半導体層ＳＬ１４の下面に、絶縁層ＮＬ１４が配置され、第１半導体層ＳＬ１４の上面に、第１導電層ＣＬ１４が配置されることができる。絶縁層ＮＬ１４の下面に、第２半導体層ＳＬ２４が配置されることができる。第２半導体層ＳＬ２４は、二次元半導体を含むが、二次元半導体を含まないこともある。第２半導体層ＳＬ２４に接触した第２導電層ＣＬ２４及び第３導電層ＣＬ３４が設けられることができる。第１半導体層ＳＬ１４は、図１から図１０を参照して説明した実施形態による二次元物質要素を含むことができる。本実施形態において、第１半導体層ＳＬ１４は、電荷トラップ層とすることができる。絶縁層ＮＬ１４は、トンネルバリア層とすることができ、第１導電層ＣＬ１４は、ゲート電極とすることができる。第２半導体層ＳＬ２４は、チャンネル層とすることができ、第２導電層ＣＬ２４及び第３導電層ＣＬ３４は、それぞれソース電極及びドレイン電極とすることができる。第１半導体層ＳＬ１４の電荷トラップいかんによって、第２導電層ＣＬ２４及び第３導電層ＣＬ３４の間に流れる電流の量が異なるということを利用して、データを保存することができる。
図１４から図１８の構造を、上下を逆転させた構造（すなわち、逆構造）も可能である。例えば、図１８の構造を上下逆転させれば、図１９のようになる。
また、図１４から図１９の単位構造は、中間絶縁層を挟んで、２回以上反復して積層されてもよい。一例として、図１７の単位構造を２回積層した構造は、図２０のようになる。図２０を参照すれば、図１７の単位構造（単位素子）Ｄ１０，Ｄ２０の二つが中間絶縁層ＮＬ１５を挟んで積層されている。
図１４から図２０において、絶縁層ＮＬ１０〜ＮＬ１５，ＮＬ２１は、ｈ−ＢＮのような絶縁性二次元物質層であってもよく、二次元物質層でなくともよい。後者の場合、絶縁層ＮＬ１０〜ＮＬ１５，ＮＬ２１は、シリコン酸化物、シリコン酸窒化物、シリコン窒化物、シリコン窒化物より誘電定数が大きい高誘電物質（アルミニウム酸化物、ハフニウム酸化物など）、絶縁性有機物（ポリマー）などを含んでもよい。また、図１４から図２０において、導電層ＣＬ１０〜ＣＬ３４は、グラフェンのような導電性二次元物質層であってもよく、二次元物質層でなくともよい。後者の場合、導電層ＣＬ１０〜ＣＬ３４は、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｔなどの金属や、金属化合物、導電性有機物（ポリマー）などを含んでもよい。もし絶縁層ＮＬ１０〜ＮＬ１５，ＮＬ２１及び導電層ＣＬ１０〜ＣＬ３４を二次元物質から形成すれば、半導体素子の主要構成要素が、いずれも二次元物質で構成されるので、素子の小型化及び高集積化などに有利である。半導体素子の主要構成要素を二次元物質で構成する場合、単位素子（例えば、単位素子Ｄ１０，Ｄ２０（図２０））のすべて厚みが１０ｎｍ以下と非常に薄くなるので、集積度向上による容量増大などの効果を得ることができる。また、半導体素子の主要構成要素を二次元物質から構成する場合、フレキシブル素子及び透明素子の具現が容易となる。
フレキシブル素子のための絶縁物質は、ｈ−ＢＮのような絶縁性二次元物質を含むか、有機／無機混成物質を含むか、あるいはＡｌ２Ｏ３、ＨｆＯ２、ＴｉＯ２のような一般的な絶縁性酸化物を含んでもよい。有機／無機混成物質は、例えば、有機／無機混成シロキサンであり、有機／無機混成シロキサンは、例えば、ＳｉＯＣを含んでもよい。フレキシブル素子のための絶縁物質は、約１０ｎｍ以下の厚みを有することができる。フレキシブル素子のための絶縁物質は、層間相互作用のない非常に薄い物質（例えば、二次元物質）であってもよい。絶縁物質が比較的優秀な耐性（toughness）を有する混成物質（例えば、ＳｉＯＣ）である場合、絶縁物質は、約１０ｎｍより厚い厚みを有することができる。
図２１は、本発明の他の実施形態によるものであり、二次元物質要素を含む半導体素子を示す断面図である。本実施形態は、ダイオードの一例を示している。
図２１を参照すれば、基板ＳＵＢ１０１上に、半導体層ＳＬ１０１が配置されてもよい。半導体層ＳＬ１０１は、本発明の実施形態による二次元物質要素を含んでもよい。例えば、半導体層ＳＬ１０１は、第１二次元物質Ｍ１０１及び第２二次元物質Ｍ２０１を含んでもよい。第２二次元物質Ｍ２０１は、第１二次元物質Ｍ１０１の側面に化学結合することができる。第１二次元物質Ｍ１０１及び第２二次元物質Ｍ２０１は、それぞれ図１の第１二次元物質Ｍ１０及び第２二次元物質Ｍ２０に対応する。また、第１二次元物質Ｍ１０１及び第２二次元物質Ｍ２０１は、それぞれ図２の第１二次元物質Ｍ１１及び第２二次元物質Ｍ２１に対応する。その場合、第１二次元物質Ｍ１０１及び第２二次元物質Ｍ２０１は、それぞれｎ型半導体及びｐ型半導体とすることができる。従って、半導体層ＳＬ１０１は、ＰＮ接合構造を有することができる。第１二次元物質Ｍ１０１に接触した第１電極Ｅ１０１が設けられ、第２二次元物質Ｍ２０１に接触した第２電極Ｅ２０１が設けられることができる。第１電極Ｅ１０１及び第２電極Ｅ２０１の形態は、多様に変形されてもよい。
図２２は、本発明の他の実施形態によるものであり、二次元物質要素を含む半導体素子を示す断面図である。本実施形態は、太陽電池の一例を示している。
図２２を参照すれば、本発明の実施形態による二次元物質要素を含む半導体層ＳＬ１０２が設けられてもよい。半導体層ＳＬ１０２は、バンドギャップが互いに異なる複数の領域Ｍ１０２，Ｍ２０２，Ｍ３０２を含むことができる。例えば、半導体層ＳＬ１０２は、バンドギャップが互いに異なる第１二次元物質Ｍ１０２、第２二次元物質Ｍ２０２及び第３二次元物質Ｍ３０２を含むことができる。第１二次元物質Ｍ１０２、第２二次元物質Ｍ２０２及び第３二次元物質Ｍ３０２は、例えば、図６の第１二次元物質Ｍ１４、第２二次元物質Ｍ２４及び第３二次元物質Ｍ３４にそれぞれ対応する。半導体層ＳＬ１０２の第１面（例えば、下面）に、第１電極Ｅ１０２が配置され、半導体層ＳＬ１０２の第２面（例えば、上面）に第２電極Ｅ２０１が配置されることができる。第１電極Ｅ１０２及び第２電極Ｅ２０１は、透明電極とすることができる。第２電極Ｅ２０１の上側に、光エネルギー（light energy）が半導体層ＳＬ１０２に入射されることができる。第１二次元物質Ｍ１０２、第２二次元物質Ｍ２０２及び第３二次元物質Ｍ３０２は、互いに異なるバンドギャップを有するため、広い領域（広域）の光エネルギーが、第１二次元物質Ｍ１０２、第２二次元物質Ｍ２０２及び第３二次元物質Ｍ３０２を介して吸収される。すなわち、第１二次元物質Ｍ１０２は、第１波長領域の光を吸収し、第２二次元物質Ｍ２０２は、第２波長領域の光を吸収し、第３二次元物質Ｍ３０２は、第３波長領域の光を吸収することができる。従って、半導体層ＳＬ１０２を介して吸収される光の波長領域を広げることができ、結果として、エネルギー変換効率を高めることができる。一方、参照番号Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３は、それぞれ第１二次元物質Ｍ１０２、第２二次元物質Ｍ２０２及び第３二次元物質Ｍ３０２で吸収されずに透過された光（透過光）を示す。
前述の説明で多くの事項が具体的に記載されているが、それらは、発明の範囲を限定するものではなく、具体的な実施形態の例示として解釈されなければならない。例えば、本発明が属する技術分野で当業者であるならば、図１から図１０、図２３及び図２４の二次元物質要素の構成は、多様に変形され得るということを理解することができるであろう。具体的な例として、二次元物質Ｍ１０，Ｍ２０は、金属カルコゲナイド系物質以外に、他の物質から構成され、二次元物質Ｍ１０，Ｍ２０は、半導体特性ではない導電性または絶縁性を有するということも理解することができるであろう。また、図１１Ａから図１１Ｃ、図１２Ａ及び図１２Ｂ、そして図１３Ａから図１３Ｅを参照して説明した二次元物質要素の製造方法も、多様に変形され得るということを理解することができるであろう。そして、本発明の実施形態による二次元物質要素を含む素子の構造は、図１４から図２２の構造に限定されるものではなく、多様に変形され得るということを理解することができるであろう。従って、本発明の範囲は、説明された実施形態によって決められるものではなく、特許請求の範囲に記載された技術的思想によって定められるものである。
本発明の二次元物質及びその形成方法、並びに該二次元物質を含む素子は、例えば、電子機器関連の技術分野に効果的に適用可能である。
１ｂ 第１金属酸化物
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，２Ａ， Ｍ１０〜Ｍ１８，Ｍ１５’，Ｍ１５”，Ｍ１０１，Ｍ１０２ 第１二次元物質
２ｂ 第２金属酸化物
２ｃ 金属酸化物領域
２Ｂ，２Ｃ，Ｍ２５’，Ｍ２５”，Ｍ２０１，Ｍ２０２ 第２二次元物質
１０，１０Ａ，２０，３０，３０Ａ 薄膜
２０Ａ，３０Ｂ 二次元物質層
１００，１００Ａ，１００Ｂ，１１０Ａ，１１０Ｂ，１１１Ａ，１１１Ａ’，１１１Ａ”，１１２Ａ，１１２Ｂ，１１３Ｂ，１０００ 二次元物質要素
ＣＬ１０〜ＣＬ３４ 導電層
Ｄ１０，Ｄ２０ 単位素子
Ｅ１０１ 第１電極
Ｅ２０１ 第２電極
Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３ 光
Ｍ１，Ｍ１’，Ｍ２，Ｍ２’ 金属元素
Ｍ２０〜Ｍ２８ 第２二次元物質
Ｍ３３，Ｍ３４，Ｍ３８，Ｍ３０２ 第３二次元物質
ＭＬ１ マスク層
ＮＬ１０〜ＮＬ１５ 絶縁層
ＰＳ１ 前駆体溶液
ＳＵＢ１，ＳＵＢ１０，ＳＵＢ１０１ 基板
ＳＬ１０〜ＳＬ２４，ＳＬ１０１，ＳＬ１０２ 半導体層
Ｘ１，Ｘ１’，Ｘ２，Ｘ２’ カルコゲン元素

Claims (44)

  1. 第１金属カルコゲナイド系物質を含む第１二次元物質と、
    前記第１二次元物質の側面に結合しており、第２金属カルコゲナイド系物質を含む第２二次元物質と、を具備し、
    前記第１二次元物質と第２二次元物質は、化学結合している二次元物質要素。
  2. 前記第１二次元物質と第２二次元物質は、共有結合していることを特徴とする請求項１に記載の二次元物質要素。
  3. 前記第１二次元物質と第２二次元物質は、その結合部において連続した結晶構造を有するように、原子間結合していることを特徴とする請求項１または２に記載の二次元物質要素。
  4. 前記第１金属カルコゲナイド系物質と、前記第２金属カルコゲナイド系物質は、互いに異なるＴＭＤＣ物質を含むことを特徴とする請求項１から３のうちいずれか１項に記載の二次元物質要素。
  5. 前記第１金属カルコゲナイド系物質、及び前記第２金属カルコゲナイド系物質のうち少なくとも一つは、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｐｂのうち１つの金属元素と、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅのうち１つのカルコゲン元素と、を含むことを特徴とする請求項１から４のうちいずれか１項に記載の二次元物質要素。
  6. 前記第１二次元物質と前記第２二次元物質は、半導体であることを特徴とする請求項１から５のうちいずれか１項に記載の二次元物質要素。
  7. 前記第１二次元物質は、ｎ型半導体であり、
    前記第２二次元物質は、ｐ型半導体であることを特徴とする請求項１から６のうちいずれか１項に記載の二次元物質要素。
  8. 前記第１金属カルコゲナイド系物質と、前記第２金属カルコゲナイド系物質は、互いに異なる金属元素を含むことを特徴とする請求項７に記載の二次元物質要素。
  9. 前記第１金属カルコゲナイド系物質と、前記第２金属カルコゲナイド系物質は、同一のカルコゲン元素を含むことを特徴とする請求項７または８に記載の二次元物質要素。
  10. 前記第１二次元物質は、前記第１金属カルコゲナイド系物質であり、ＭｏＳ２、ＭｏＳｅ２、ＭｏＴｅ２、ＷＳｅ２及びＷＴｅ２のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項７に記載の二次元物質要素。
  11. 前記第２二次元物質は、前記第２金属カルコゲナイド系物質であり、ＷＳ２、ＺｒＳ２、ＺｒＳｅ２、ＨｆＳ２、ＨｆＳｅ２及びＮｂＳｅ２のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項７または１０に記載の二次元物質要素。
  12. 前記第１二次元物質は、ＭｏＳ２を含み、
    前記第２二次元物質は、ＷＳ２を含むことを特徴とする請求項７に記載の二次元物質要素。
  13. 前記第１二次元物質と前記第２二次元物質は、互いに異なるエネルギーバンドギャップを有することを特徴とする請求項１から６のうちいずれか１項に記載の二次元物質要素。
  14. 前記第１金属カルコゲナイド系物質と、前記第２金属カルコゲナイド系物質は、互いに異なるカルコゲン元素を含むことを特徴とする請求項１３に記載の二次元物質要素。
  15. 前記第１金属カルコゲナイド系物質と、前記第２金属カルコゲナイド系物質は、同一の金属元素を含むことを特徴とする請求項１３または１４に記載の二次元物質要素。
  16. 前記第１二次元物質は、ＭｏＳ２、ＭｏＳｅ２及びＭｏＴｅ２のうち一つを含み、
    前記第２二次元物質は、ＭｏＳ２、ＭｏＳｅ２及びＭｏＴｅ２のうち他の一つを含むことを特徴とする請求項１３に記載の二次元物質要素。
  17. 前記第１二次元物質は、ＷＳ２、ＷＳｅ２及びＷＴｅ２のうち一つを含み、
    前記第２二次元物質は、ＷＳ２、ＷＳｅ２及びＷＴｅ２のうち他の一つを含むことを特徴とする請求項１３に記載の二次元物質要素。
  18. 前記第１二次元物質の両側に、前記第２二次元物質が配置されるか、または前記第２二次元物質の両側に、前記第１二次元物質が配置されていることを特徴とする請求項１から１７のうちいずれか１項に記載の二次元物質要素。
  19. 複数の前記第１二次元物質と複数の前記第２二次元物質とがパターン化された構造を形成することを特徴とする請求項１から１８のうちいずれか１項に記載の二次元物質要素。
  20. 前記第１二次元物質または第２二次元物質の側面に結合した第３二次元物質をさらに含むことを特徴とする請求項１から１９のうちいずれか１項に記載の二次元物質要素。
  21. 多層構造体を含む半導体素子において、
    前記多層構造体は、
    請求項１から２０のうちいずれか１項に記載の二次元物質要素を含む半導体層と、
    前記半導体層の少なくとも一面に位置する少なくとも１層の非半導体層と、を含む半導体素子。
  22. 前記多層構造体は、
    前記半導体層の第１面に位置する第１導電層と、
    前記半導体層の第２面に位置する第２導電層と、を含むことを特徴とする請求項２１に記載の半導体素子。
  23. 前記多層構造体は、
    前記第２導電層と離隔された第３導電層と、
    前記第２導電層と前記第３導電層との間の絶縁層と、をさらに含むことを特徴とする請求項２２に記載の半導体素子。
  24. 前記多層構造体は、
    前記半導体層の第１面に位置する第１絶縁層と、
    前記半導体層の第２面に位置する第２絶縁層と、
    前記第１絶縁層を挟んで、前記半導体層と対向する第１導電層と、
    前記第２絶縁層を挟んで、前記半導体層と対向する第２導電層と、を含むことを特徴とする請求項２１に記載の半導体素子。
  25. 前記多層構造体は、
    前記半導体層の第１面に位置する第１導電層と、
    前記第１導電層と離隔された第２導電層と、
    前記第１導電層と前記第２導電層との間の絶縁層と、を含むことを特徴とする請求項２１に記載の半導体素子。
  26. 前記多層構造体は、
    前記半導体層と離隔された第１導電層と、
    前記半導体層と前記第１導電層との間の絶縁層と、
    前記半導体層の第１領域及び第２領域にそれぞれ接触した第２導電層及び第３導電層と、を含むことを特徴とする請求項２１に記載の半導体素子。
  27. 前記多層構造体は、
    前記半導体層の第１面に位置する絶縁層と、
    前記半導体層の第２面に位置する第１導電層と、を含むことを特徴とする請求項２１に記載の半導体素子。
  28. 前記多層構造体は、
    前記絶縁層を挟んで、前記半導体層と対向する第２半導体層と、
    前記第２半導体層の第１領域及び第２領域にそれぞれ接触した第２導電層及び第３導電層と、をさらに含むことを特徴とする請求項２７に記載の半導体素子。
  29. 前記少なくとも１層の非半導体層は、導電性二次元物質及び絶縁性二次元物質のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項２１から２８のうちいずれか１項に記載の半導体素子。
  30. 前記半導体層は、ＰＮ接合構造、ＰＮＰ接合構造及びＮＰＮ接合構造のうち少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項２１から２９のうちいずれか１項に記載の半導体素子。
  31. 前記半導体層は、エネルギーバンドギャップが互いに異なる複数の二次元物質を含むことを特徴とする請求項２１から２９のうちいずれか１項に記載の半導体素子。
  32. 前記半導体素子は、トンネリング素子であり、
    前記半導体層は、トンネリング層であることを特徴とする請求項２１に記載の半導体素子。
  33. 前記半導体素子は、ＢＪＴであり、
    前記半導体層は、トンネリング層であることを特徴とする請求項２１に記載の半導体素子。
  34. 前記半導体素子は、バリスタであり、
    前記半導体層は、チャンネル層であることを特徴とする請求項２１に記載の半導体素子。
  35. 前記半導体素子は、ＦＥＴであり、
    前記半導体層は、チャンネル層であることを特徴とする請求項２１に記載の半導体素子。
  36. 前記半導体素子は、メモリ素子であり、
    前記半導体層は、電荷トラップ層であることを特徴とする請求項２１に記載の半導体素子。
  37. 前記半導体素子は、ダイオードであることを特徴とする請求項２１に記載の半導体素子。
  38. 前記半導体素子は、太陽電池であることを特徴とする請求項２１に記載の半導体素子。
  39. 前記半導体素子は、光検出器であることを特徴とする請求項２１に記載の半導体素子。
  40. 第１二次元物質と、前記第１二次元物質に化学結合している第２二次元物質と、を含み、
    前記第１二次元物質は、第１金属カルコゲナイドの第１層を含み、
    前記第２二次元物質は、第２金属カルコゲナイドの第２層を含み、
    前記第１金属カルコゲナイド及び第２金属カルコゲナイドは、互いに異なる金属元素を含むか、または互いに異なるカルコゲン元素を含む二次元物質要素。
  41. 前記第１金属カルコゲナイドは、第１金属を含み、
    前記第２金属カルコゲナイドは、第２金属を含み、
    前記第１金属及び第２金属のうち少なくとも一つは、遷移金属であることを特徴とする請求項４０に記載の二次元物質要素。
  42. 前記第１金属カルコゲナイド及び前記第２金属カルコゲナイドそれぞれは、独立して、
    Ｍｏ、Ｗ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔｃ、Ｒｅ、Ｃｕ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｇｅ、Ｐｂのうち１つの金属元素と、
    Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅのうち１つのカルコゲン元素と、を含むことを特徴とする請求項４０または４１に記載の二次元物質要素。
  43. 前記二次元物質要素は、第３金属カルコゲナイドの第３層を含む第３二次元物質をさらに具備し、
    前記第１二次元物質及び第３二次元物質は、前記第２二次元物質の両側に、それぞれ化学結合していることを特徴とする請求項４０から４２のうちいずれか１項に記載の二次元物質要素。
  44. 請求項４０から４３のうちいずれか１項に記載の二次元物質要素を含む半導体層を含む半導体素子。
JP2014225233A 2013-11-05 2014-11-05 二次元物質及びその形成方法、並びに該二次元物質を含む素子 Active JP6437277B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2013-0133830 2013-11-05
KR1020130133830A KR102144999B1 (ko) 2013-11-05 2013-11-05 이차원 물질과 그 형성방법 및 이차원 물질을 포함하는 소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2015090984A true JP2015090984A (ja) 2015-05-11
JP6437277B2 JP6437277B2 (ja) 2018-12-12

Family

ID=51844623

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014225233A Active JP6437277B2 (ja) 2013-11-05 2014-11-05 二次元物質及びその形成方法、並びに該二次元物質を含む素子

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9595580B2 (ja)
EP (1) EP2869348B1 (ja)
JP (1) JP6437277B2 (ja)
KR (1) KR102144999B1 (ja)
CN (1) CN104617135B (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101641654B1 (ko) * 2015-05-13 2016-07-22 한국기계연구원 반도체 소자 및 반도체 소자 제조방법
JP2017061743A (ja) * 2015-09-15 2017-03-30 ウルトラテック インク ２ｄ金属カルコゲニド薄膜のレーザ利用原子層堆積
KR20170045040A (ko) * 2015-10-16 2017-04-26 삼성전자주식회사 이차원 물질을 포함한 반도체 소자
WO2017195486A1 (ja) * 2016-05-11 2017-11-16 ソニー株式会社 複合型トランジスタ
EP3336058A1 (en) 2016-12-19 2018-06-20 Korea Research Institute Of Standards And Science Lateral p-n junction black phosphorus thin film, and method of manufacturing the same
KR20190028382A (ko) 2016-07-20 2019-03-18 소니 주식회사 상보형 트랜지스터 및 반도체 장치
JP2019129310A (ja) * 2018-01-20 2019-08-01 ツィンファ ユニバーシティ パターン化の二次元遷移金属カルコゲナイドナノ材料の製造方法
KR20200035002A (ko) 2017-08-07 2020-04-01 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 전기적 접속 구조, 반도체 장치 및 전자 기기
US11081550B2 (en) 2016-12-13 2021-08-03 Sony Semiconductor Solutions Corporation Tunnel field-effect transistor having a stacked structure including a first active region and a second active region

Families Citing this family (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102156320B1 (ko) 2013-11-21 2020-09-15 삼성전자주식회사 이차원 물질을 포함하는 인버터와 그 제조방법 및 인버터를 포함하는 논리소자
KR102140148B1 (ko) 2013-11-29 2020-07-31 삼성전자주식회사 이차원 물질을 포함하는 메모리소자와 그 제조방법 및 동작방법
US20160087129A1 (en) * 2014-03-05 2016-03-24 Ecole polytechnique fédérale de Lausanne (EPFL) Methods for engineering polar discontinuities in non-centrosymmetric honeycomb lattices and devices including a two-dimensional insulating material and a polar discontinuity of electric polarization
KR102255301B1 (ko) * 2014-05-19 2021-05-24 삼성전자주식회사 강유전성 물질을 포함하는 광전자소자
WO2016089840A1 (en) * 2014-12-01 2016-06-09 The University Of Chicago Compositionally matched molecular solders for semiconductors
US10103317B2 (en) 2015-01-05 2018-10-16 Inston, Inc. Systems and methods for implementing efficient magnetoelectric junctions
US10217798B2 (en) * 2015-01-13 2019-02-26 Inston, Inc. Systems and methods for implementing select devices constructed from 2D materials
US9978931B2 (en) 2015-02-13 2018-05-22 Inston Inc. Systems and methods for implementing robust magnetoelectric junctions
US9647210B2 (en) * 2015-03-23 2017-05-09 International Business Machines Corporation Tunable voltage margin access diodes
KR102335772B1 (ko) * 2015-04-07 2021-12-06 삼성전자주식회사 측면 게이트와 2차원 물질 채널을 포함하는 전자소자와 그 제조방법
US10079144B2 (en) * 2015-04-22 2018-09-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Composition for layered transition metal chalcogenide compound layer and method of forming layered transition metal chalcogenide compound layer
KR101693663B1 (ko) * 2015-05-15 2017-01-17 성균관대학교산학협력단 인버터 소자 및 이의 제조 방법
KR102395776B1 (ko) * 2015-05-18 2022-05-09 삼성전자주식회사 이차원 물질을 포함하는 반도체소자 및 그 제조방법
US10217819B2 (en) * 2015-05-20 2019-02-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device including metal-2 dimensional material-semiconductor contact
KR102434697B1 (ko) * 2015-06-02 2022-08-22 삼성전자주식회사 2d 물질을 포함하는 광학소자 및 그 제조방법
KR101708260B1 (ko) * 2015-06-18 2017-02-20 연세대학교 산학협력단 전이금속 칼코겐화물 구조체 및 그 제조방법
KR102455433B1 (ko) * 2015-07-03 2022-10-17 삼성전자주식회사 수직 정렬된 2차원 물질을 포함하는 소자 및 수직 정렬된 2차원 물질의 형성방법
KR102434699B1 (ko) * 2015-07-31 2022-08-22 삼성전자주식회사 확산방지층을 포함하는 다층구조체 및 이를 구비하는 소자
GB2545499A (en) * 2015-12-18 2017-06-21 Cambridge Display Tech Ltd Dopant, charge transfer salt and organic electronic device
KR20170019623A (ko) * 2015-08-12 2017-02-22 고려대학교 산학협력단 광위치 검출기 및 이의 제조 방법
CN105552221B (zh) * 2015-12-18 2018-10-02 南京邮电大学 基于单层二硫化钼纳米复合材料的电存储器及其制备方法
KR101791154B1 (ko) * 2016-03-18 2017-10-30 한국과학기술연구원 필터리스 컬러 이미지 센서
KR102445157B1 (ko) * 2016-04-05 2022-09-22 한국재료연구원 2차원 전이금속 디칼코지나이드계 합금 및 그 제조방법, 2차원 전이금속 디칼코지나이드계 합금을 포함하는 트랜지스터 및 그 제조방법
KR102317740B1 (ko) * 2016-05-12 2021-10-28 글로벌웨이퍼스 씨오., 엘티디. 실리콘 기반 유전체 상에서의 6각형 붕소 질화물의 직접적 형성
US10910473B2 (en) 2016-06-13 2021-02-02 Cornell University Apparatuses with atomically-thin ohmic edge contacts between two-dimensional materials, methods of making same, and devices comprising same
WO2018005699A1 (en) 2016-06-28 2018-01-04 Inston Inc. Systems for implementing word line pulse techniques in magnetoelectric junctions
KR101792953B1 (ko) 2016-07-01 2017-11-20 건국대학교 산학협력단 2차원 반도체, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 반도체 소자
WO2018025188A1 (en) * 2016-08-01 2018-02-08 King Abdullah University Of Science And Technology Solar cells and methods of making solar cells
US9773978B1 (en) * 2016-08-02 2017-09-26 International Business Machines Corporation Optimal device structures for back-end-of-line compatible mixed ionic electronic conductors materials
KR102607859B1 (ko) * 2016-08-23 2023-11-29 삼성전자주식회사 이차원 물질을 포함하는 상변화 메모리소자 및 그 동작방법
US9991122B2 (en) 2016-08-31 2018-06-05 Micron Technology, Inc. Methods of forming semiconductor device structures including two-dimensional material structures
CN110199395A (zh) 2016-11-16 2019-09-03 阿卜杜拉国王科技大学 第一层与过渡金属二硫属化物的第二层之间的横向异质结
KR102651544B1 (ko) * 2016-11-21 2024-03-28 삼성전자주식회사 광대역 다기능 광학소자와 그 제조 및 동작방법
KR102526649B1 (ko) * 2016-11-30 2023-04-27 삼성전자주식회사 이차원 물질을 포함하는 반도체소자 및 그 제조방법
US10784351B2 (en) * 2017-03-17 2020-09-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. 2D crystal hetero-structures and manufacturing methods thereof
WO2018170531A1 (en) * 2017-03-21 2018-09-27 Newsouth Innovations Pty Ltd A light emitting device
CN107424911B (zh) * 2017-04-25 2020-07-31 郑州轻工业学院 具有垂直结构的SnSe2/MoSe2新型异质结的制备方法及其场效应性能改性方法
WO2019006037A1 (en) 2017-06-27 2019-01-03 Inston, Inc. REDUCTION OF WRITE ERROR RATE IN MAGNETOELECTRIC RAM
US10861527B2 (en) 2017-06-27 2020-12-08 Inston, Inc. Systems and methods for optimizing magnetic torque and pulse shaping for reducing write error rate in magnetoelectric random access memory
DE102017006624A1 (de) * 2017-07-13 2019-01-17 Universität Siegen Sperrschicht-Feldeffekttransistor
KR102553841B1 (ko) 2017-07-19 2023-07-10 삼성전자주식회사 광전 변환 소자, 광 센서
CN107611034A (zh) * 2017-09-07 2018-01-19 复旦大学 基于二维半导体材料的双极性晶体管的制备方法
CN107634089B (zh) * 2017-09-27 2019-11-19 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种石墨烯-硒化铌超导异质结器件及其制备方法
CN109216483A (zh) * 2017-11-03 2019-01-15 北京纳米能源与系统研究所 单层MoS2同质结、光探测器及其制备方法、电子元件
CN109904248A (zh) * 2017-12-08 2019-06-18 中国科学院物理研究所 一种层状半导体超快光探测器及其制备方法
KR102561102B1 (ko) * 2018-02-13 2023-07-28 삼성전자주식회사 2차원 절연체를 포함하는 근적외선 센서
KR102023045B1 (ko) * 2018-03-07 2019-09-19 울산과학기술원 일차원 전이금속 칼코젠 화합물 및 일차원 전이금속 칼코젠 화합물 배선, 및 이를 포함하는 전자 장치
KR102102252B1 (ko) * 2018-04-05 2020-04-20 성균관대학교 산학협력단 반도체소자 및 그 제조 방법
CN108666375B (zh) * 2018-04-20 2019-08-13 华中科技大学 一种纳米层状横向同质pn二极管及其制备方法与应用
KR102664394B1 (ko) 2018-06-01 2024-05-08 삼성전자주식회사 이차원 물질을 포함하는 초격자 구조 및 이를 구비한 소자
CN108807553B (zh) * 2018-06-20 2020-07-28 北京大学 一种基于二维半导体材料的同质pn结及其制备方法
KR102250011B1 (ko) * 2018-10-18 2021-05-10 한양대학교 산학협력단 막 구조체, 소자 및 멀티레벨 소자
US11239353B2 (en) * 2018-11-01 2022-02-01 Electronics And Telecommunications Research Institute Semiconductor device and method of manufacturing the same
CN109473490A (zh) * 2018-11-08 2019-03-15 天津理工大学 一种垂直多结结构二硫化钼太阳能电池及其制备方法
US10734384B1 (en) * 2019-01-23 2020-08-04 Qualcomm Incorporated Vertically-integrated two-dimensional (2D) semiconductor slabs in complementary field effect transistor (CFET) cell circuits, and method of fabricating
CN109949843B (zh) * 2019-03-29 2023-11-14 中国科学院上海技术物理研究所 一种铁电畴调控的光读出模式存储器及制备方法
US11094811B2 (en) * 2019-04-19 2021-08-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN110361906A (zh) * 2019-07-26 2019-10-22 华中科技大学 一种倍频光场调制方法及调制装置
US11581430B2 (en) 2019-08-22 2023-02-14 Globalfoundries U.S. Inc. Planar transistor device comprising at least one layer of a two-dimensional (2D) material and methods for making such transistor devices
KR20210027622A (ko) 2019-08-29 2021-03-11 삼성전자주식회사 집적회로 소자
US20210189586A1 (en) * 2019-12-18 2021-06-24 Sefaattin Tongay Selective epitaxial atomic replacement: plasma assisted atomic layer functionalization of materials
CN111245416B (zh) * 2020-01-17 2022-04-05 北京科技大学 一种二维水平同质结、自驱动逻辑光电开关及其制备方法
KR20210094187A (ko) 2020-01-20 2021-07-29 삼성전자주식회사 반도체 메모리 소자
CN111463265A (zh) * 2020-04-14 2020-07-28 有研工程技术研究院有限公司 一种基于二维材料的电荷俘获存储器及其制备方法
KR102322800B1 (ko) * 2020-05-20 2021-11-08 성균관대학교산학협력단 이종접합 소재 및 이의 제조 방법
US20210404056A1 (en) * 2020-06-26 2021-12-30 Applied Materials, Inc. Ultra-thin films with transition metal dichalcogenides
US20210408375A1 (en) * 2020-06-29 2021-12-30 Intel Corporation Transition metal dichalcogenide (tmd) layer stack for transistor applications and methods of fabrication
KR102485616B1 (ko) * 2021-01-08 2023-01-05 성균관대학교산학협력단 2 차원 반도체 물질 복합체 및 이의 제조 방법
KR102663018B1 (ko) * 2021-11-23 2024-05-09 성균관대학교산학협력단 용액공정을 통한 대면적 고성능 반도체소자 제조방법
KR102618344B1 (ko) * 2021-12-30 2023-12-28 숭실대학교산학협력단 광검출 효율이 향상된 이중 이종 접합 구조를 가지는 광전자 소자 및 그 제조방법
CN114361289B (zh) * 2022-01-10 2024-03-15 北京工业大学 一种基于范德华金属电极的自驱动超快光电探测器构筑方法
CN114975675A (zh) * 2022-06-30 2022-08-30 中国科学院半导体研究所 光电器件及其制备方法
CN115337944A (zh) * 2022-08-18 2022-11-15 西安建筑科技大学 一种Ti3C2/In4SnS8复合材料及其制备方法和应用
CN115893332B (zh) * 2023-01-03 2023-08-15 湖北工业大学 一种铜掺杂的HfSe2二维材料的制备方法及其应用
CN117888060B (zh) * 2024-03-12 2024-06-04 北京师范大学 一种限域薄层二维材料的制备方法及应用

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009138273A (ja) * 2007-12-06 2009-06-25 Korea Electronics Telecommun Ｎ型およびｐ型カルコゲニド素材の製造方法、カルコゲニド薄膜型トランジスタおよびその製作方法
WO2012093360A1 (en) * 2011-01-04 2012-07-12 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) Semiconductor device

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4822590A (en) 1986-04-23 1989-04-18 Simon Fraser University Forms of transition metal dichalcogenides
US5021672A (en) * 1989-12-22 1991-06-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Etching of nanoscale structures
GB0126757D0 (en) 2001-11-07 2002-01-02 Univ Cambridge Tech Organic field effect transistors
JP2004335623A (ja) * 2003-05-02 2004-11-25 Japan Science & Technology Agency 遷移金属又は希土類金属を固溶する透明強磁性アルカリ・カルコゲナイド化合物及びその強磁性特性の調整方法
US7242041B2 (en) * 2003-09-22 2007-07-10 Lucent Technologies Inc. Field-effect transistors with weakly coupled layered inorganic semiconductors
KR101139162B1 (ko) * 2005-12-30 2012-04-26 삼성코닝정밀소재 주식회사 클러스터 화합물을 이용한 칼코게나이드 박막의 형성방법
KR101515544B1 (ko) * 2008-04-18 2015-04-30 주식회사 원익아이피에스 칼코제나이드 박막 형성방법
KR101046719B1 (ko) * 2009-05-19 2011-07-05 주식회사 하이닉스반도체 비휘발성 메모리 셀, 비휘발성 메모리 장치 및 그의 구동방법
KR20110061909A (ko) 2009-12-02 2011-06-10 삼성전자주식회사 도펀트로 도핑된 그라펜 및 이를 이용한 소자
KR101335683B1 (ko) * 2011-10-06 2013-12-03 한국전기연구원 ２차원 나노소재에 의해 전도성이 향상된 １차원 전도성 나노소재기반 전도성 필름
BR112014010178A2 (pt) 2011-10-28 2017-06-27 Univ Georgetown processo e sistema para gerar uma fotorresposta de junções de schottky de mos2

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009138273A (ja) * 2007-12-06 2009-06-25 Korea Electronics Telecommun Ｎ型およびｐ型カルコゲニド素材の製造方法、カルコゲニド薄膜型トランジスタおよびその製作方法
WO2012093360A1 (en) * 2011-01-04 2012-07-12 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne (Epfl) Semiconductor device

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101641654B1 (ko) * 2015-05-13 2016-07-22 한국기계연구원 반도체 소자 및 반도체 소자 제조방법
JP2017061743A (ja) * 2015-09-15 2017-03-30 ウルトラテック インク ２ｄ金属カルコゲニド薄膜のレーザ利用原子層堆積
KR20170045040A (ko) * 2015-10-16 2017-04-26 삼성전자주식회사 이차원 물질을 포함한 반도체 소자
KR102391911B1 (ko) * 2015-10-16 2022-04-27 삼성전자주식회사 이차원 물질을 포함한 반도체 소자
KR20190006481A (ko) 2016-05-11 2019-01-18 소니 주식회사 복합형 트랜지스터
US10685958B2 (en) 2016-05-11 2020-06-16 Sony Corporation Composite transistor including two complementary active regions
JPWO2017195486A1 (ja) * 2016-05-11 2019-03-07 ソニー株式会社 複合型トランジスタ
US11688738B2 (en) 2016-05-11 2023-06-27 Sony Group Corporation Composite transistor with electrodes extending to active regions
WO2017195486A1 (ja) * 2016-05-11 2017-11-16 ソニー株式会社 複合型トランジスタ
US11887984B2 (en) 2016-07-20 2024-01-30 Sony Group Corporation Complementary transistor and semiconductor device
KR20190028382A (ko) 2016-07-20 2019-03-18 소니 주식회사 상보형 트랜지스터 및 반도체 장치
US10720432B2 (en) 2016-07-20 2020-07-21 Sony Corporation Complementary transistor and semiconductor device
US11081550B2 (en) 2016-12-13 2021-08-03 Sony Semiconductor Solutions Corporation Tunnel field-effect transistor having a stacked structure including a first active region and a second active region
KR20180071034A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 한국표준과학연구원 수평 p-n 접합 흑린박막 및 이의 제조방법
US10468604B2 (en) 2016-12-19 2019-11-05 Korea Research Institute Of Standards And Science Lateral P-N junction black phosphorus thin film, and method of manufacturing the same
EP3336058A1 (en) 2016-12-19 2018-06-20 Korea Research Institute Of Standards And Science Lateral p-n junction black phosphorus thin film, and method of manufacturing the same
DE112018004020T5 (de) 2017-08-07 2020-05-20 Sony Semiconductor Solutions Corporation Elektrische kopplungsstruktur, halbleitervorrichtung und elektronisches gerät
KR20200035002A (ko) 2017-08-07 2020-04-01 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 전기적 접속 구조, 반도체 장치 및 전자 기기
US11296215B2 (en) 2017-08-07 2022-04-05 Sony Semiconductor Solutions Corporation Electrical coupling structure, semiconductor device, and electronic apparatus
JP2019129310A (ja) * 2018-01-20 2019-08-01 ツィンファ ユニバーシティ パターン化の二次元遷移金属カルコゲナイドナノ材料の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20150122315A1 (en) 2015-05-07
CN104617135B (zh) 2019-11-01
CN104617135A (zh) 2015-05-13
KR20150051823A (ko) 2015-05-13
KR102144999B1 (ko) 2020-08-14
US9595580B2 (en) 2017-03-14
EP2869348A1 (en) 2015-05-06
EP2869348B1 (en) 2017-02-01
JP6437277B2 (ja) 2018-12-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6437277B2 (ja) 二次元物質及びその形成方法、並びに該二次元物質を含む素子
Song et al. Wafer-scale production of patterned transition metal ditelluride layers for two-dimensional metal–semiconductor contacts at the Schottky–Mott limit
Wang et al. 2D homojunctions for electronics and optoelectronics
US9658186B2 (en) Device including vertically aligned two-dimensional material
Retamal et al. Charge carrier injection and transport engineering in two-dimensional transition metal dichalcogenides
KR102334380B1 (ko) 2차원 물질을 포함하는 소자의 제조 방법
US8927969B2 (en) Doped graphene electronic materials
KR102608959B1 (ko) 2차원 물질을 포함하는 소자
US20130099197A1 (en) Doped graphene electronic materials
US9362122B2 (en) Process for contact doping
US20180013020A1 (en) Metal chalcogenide device and production method therefor
KR20150059000A (ko) 이차원 물질을 포함하는 인버터와 그 제조방법 및 인버터를 포함하는 논리소자
Li et al. Controllable preparation of 2D vertical van der Waals heterostructures and superlattices for functional applications
Lim et al. Contact engineering of vertically grown ReS2 with Schottky barrier modulation
Basuvalingam et al. Conformal Growth of Nanometer-Thick Transition Metal Dichalcogenide TiS x-NbS x Heterostructures over 3D Substrates by Atomic Layer Deposition: Implications for Device Fabrication
WO2014030534A1 (ja) グラフェン積層体およびその製造方法
Younas et al. A perspective on the doping of transition metal dichalcogenides for ultra-scaled transistors: Challenges and opportunities
KR101441062B1 (ko) 그래핀을 포함한 적층체 및 그의 제조방법
KR101413842B1 (ko) 2차원 구조를 갖는 무기재료의 층을 포함하는 유기 태양 전지
Zhang et al. Sulfur-passivated InSb nanowires for infrared photodetectors
Liu et al. Coexisting Phases in Transition Metal Dichalcogenides: Overview, Synthesis, Applications, and Prospects
TWI692849B (zh) 藉由插入介面原子單層來改善對第ｉｖ族半導體的金屬接觸
Fahlman Semiconductors
KR20230076964A (ko) 용액공정을 통한 대면적 고성능 반도체소자 제조방법
TWI842467B (zh) 藉由插入介面原子單層來改善對第iv族半導體的金屬接觸

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170823

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180625

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180920

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20181015

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20181114

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6437277

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250