JP2015084428A - 電界効果型トランジスタ - Google Patents

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Abstract

【課題】動作速度が速く、オン時には大電流を流すことができ、オフ時にはオフ電流がき
わめて低減された電界効果型トランジスタ、例えば薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】酸化物半導体に含まれる水素が５×１０１９／ｃｍ３以下、好ましくは５×
１０１８／ｃｍ３以下、より好ましくは５×１０１７／ｃｍ３以下として、酸化物半導体
に含まれる水素若しくはＯＨ基を除去し、キャリア濃度を５×１０１４／ｃｍ３以下、好
ましくは５×１０１２／ｃｍ３以下とした酸化物半導体膜でチャネル形成領域が形成され
る縦型薄膜トランジスタである。
【選択図】図１

Description

本発明は、酸化物半導体を用いた電界効果型トランジスタ、例えば薄膜トランジスタに関
する。
絶縁表面を有する基板上に形成された半導体薄膜を用いて電界効果型トランジスタ、例え
ば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成する技術が注目されている。薄膜トランジスタは液
晶テレビに代表されるような表示装置に用いられている。薄膜トランジスタに適用可能な
半導体薄膜としてシリコン系半導体材料が公知であるが、その他の材料として酸化物半導
体が注目されている。
酸化物半導体の材料としては、酸化亜鉛又は酸化亜鉛を成分とするものが知られている。
そして、電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満である非晶質酸化物（酸化物半導体）
なるもので形成された薄膜トランジスタが開示されている（特許文献１乃至３）。
特開２００６−１６５５２７号公報 特開２００６−１６５５２８号公報 特開２００６−１６５５２９号公報
また、酸化物半導体は薄膜形成工程において化学量論的組成からのずれが生じてしまう。
例えば、酸素の過不足によって酸化物半導体の電気伝導度が変化してしまう。また、酸化
物半導体の薄膜形成中に混入する水素が酸素（Ｏ）−水素（Ｈ）結合を形成して電子供与
体となり、電気伝導度を変化させる要因となる。さらにＯ−Ｈ基は極性を有するので、酸
化物半導体によって作製される薄膜トランジスタのような能動デバイスに対して特性の変
動要因となる。
電子キャリア濃度が１０１８／ｃｍ３未満としても、酸化物半導体においては実質的には
ｎ型であり、前記特許文献に開示される薄膜トランジスタのオン・オフ比は１０３しか得
られていない。このような薄膜トランジスタのオン・オフ比が低い理由はオフ電流が高い
ことによるものである。
また、表示装置の製造段階または動作時において、素子、電極、または配線などに不要な
電荷が蓄積してしまうという問題がある。例えば薄膜トランジスタの場合、このような電
荷の蓄積があると、寄生チャネルが発生し、リーク電流が流れてしまう。また、ボトムゲ
ート型トランジスタの場合には、半導体層におけるバックチャネル部（半導体層における
上部に設けられたソース電極及びドレイン電極の間の領域）の表面または内部に電荷が蓄
積し、寄生チャネルが発生し、リーク電流が生じやすく、しきい値電圧が変動してしまう
。
また、薄膜トランジスタの電界効果移動度を高めるためには、キャリアが移動するチャネ
ル長を小さくすればよいが、チャネル長を小さくすると、薄膜トランジスタのオフ電流が
上昇してしまう。
そこで本発明の一形態は、動作速度が速く、オン時には大電流を流すことができ、オフ時
にはオフ電流がきわめて低減された薄膜トランジスタを提供することを目的とする。
本発明の一形態は、酸化物半導体中で電子供与体（ドナー）となりうる不純物を除去する
ことで、真性又は実質的に真性な半導体であって、シリコン半導体よりもエネルギーギャ
ップが大きい酸化物半導体でチャネル形成領域が形成される縦型薄膜トランジスタである
。
すなわち、本発明の一形態は、酸化物半導体に含まれる水素が５×１０１９／ｃｍ３以下
、好ましくは５×１０１８／ｃｍ３以下、より好ましくは５×１０１７／ｃｍ３以下とし
て、酸化物半導体に含まれる水素若しくはＯＨ基を除去し、キャリア濃度を５×１０１４
／ｃｍ３以下、好ましくは５×１０１２／ｃｍ３以下とした酸化物半導体膜でチャネル形
成領域が形成される縦型薄膜トランジスタである。
酸化物半導体のエネルギーギャップは２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、より好ま
しくは３ｅＶ以上として、ドナーを形成する水素等の不純物を極力低減し、キャリア濃度
を１×１０１４／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０１２／ｃｍ３以下となるようにする。
なお、本発明の一形態において、薄膜トランジスタのゲート電極は、環状であり、ゲート
絶縁膜を介して、ソース電極、酸化物半導体膜、及びドレイン電極を囲んでいる。即ち、
ゲート絶縁膜を介して、ソース電極、酸化物半導体膜、及びドレイン電極の側面と対向す
る。このため、チャネル幅は大きい。
本発明の一形態によれば、水素濃度が低減され高純度化された酸化物半導体を用いること
で、電界効果型トランジスタ、例えば薄膜トランジスタの電界効果移動度及びオン電流を
向上させると共に、オフ電流を極めて低くさせることができる。
薄膜トランジスタを説明する上面図及び断面図である。 酸化物半導体を用いた逆スタガー型の薄膜トランジスタの縦断面図である。 図２に示すＡ−Ａ’断面におけるエネルギーバンド図（模式図）である。 （Ａ）ゲート（ＧＥ１）に正の電位（＋ＶＧ）が印加された状態を示し、（Ｂ）ゲート（ＧＥ１）に負の電位（−ＶＧ）が印加された状態示す図である。 真空準位と金属の仕事関数（φＭ）、酸化物半導体の電子親和力（χ）の関係を示す図である。 薄膜トランジスタを説明する上面図及び断面図である。 薄膜トランジスタの作製方法を説明する断面図である。 薄膜トランジスタの作製方法を説明する断面図である。 表示装置の画素を説明する上面図である。 表示装置の画素を説明する断面図である。 半導体装置の平面図および断面図である。 半導体装置の断面図である。 半導体装置の平面図および断面図である。 電子機器を示す図である。 電子機器を示す図である。
本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明
に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々
に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施
の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する本発明の構
成において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共
通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、明
瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない
。
また、本明細書にて用いる第１、第２、第３などの用語は、構成要素の混同を避けるため
に付したものであり、数的に限定するものではない。そのため、例えば、「第１の」を「
第２の」または「第３の」などと適宜置き換えて説明することができる。
また、電圧とは２点間における電位差のことをいい、電位とはある一点における静電場の
中にある単位電荷が持つ静電エネルギー（電気的な位置エネルギー）のことをいう。ただ
し、一般的に、ある一点における電位と基準となる電位（例えば接地電位）との電位差の
ことを、単に電位もしくは電圧と呼び、電位と電圧が同義語として用いられることが多い
。このため、本明細書では特に指定する場合を除き、電位を電圧と読み替えてもよいし、
電圧を電位と読み替えてもよいこととする。
（実施の形態１）
本実施の形態では、電界効果型トランジスタ、例えば薄膜トランジスタの構造について、
図１を用いて説明する。
図１（Ａ）は薄膜トランジスタ１４５の上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の一点鎖
線Ａ−Ｂの断面図に相当する。
図１（Ｂ）に示すように、基板１０１上に形成された絶縁膜１０３上に、第１の電極１０
５、酸化物半導体膜１０７、及び第２の電極１０９が積層される。また、第１の電極１０
５、酸化物半導体膜１０７、及び第２の電極１０９を覆うように、ゲート絶縁膜１１１が
設けられている。ゲート絶縁膜１１１上には、第３の電極１１３が設けられている。ゲー
ト絶縁膜１１１及び第３の電極１１３上には層間絶縁膜として機能する絶縁膜１１７が設
けられている。絶縁膜１１７上には、開口部が形成されており、開口部において第１の電
極１０５と接続する配線１３１（図１（Ａ）参照）、第２の電極１０９と接続する配線１
２９、第３の電極１１３と接続する配線１２５が形成される。
第１の電極１０５は、薄膜トランジスタ１４５のソース電極若しくはドレイン電極の一方
として機能する。第２の電極１０９は、薄膜トランジスタ１４５のソース電極若しくはド
レイン電極の他方として機能する。第３の電極１１３は、薄膜トランジスタ１４５のゲー
ト電極として機能する。
本実施の形態では、ゲート電極として機能する第３の電極１１３が環状であることを特徴
とする。ゲート電極として機能する第３の電極１１３を環状とすることで、薄膜トランジ
スタのチャネル幅を大きくすることができる。このため、薄膜トランジスタのオン電流を
高めることができる。
なお、薄膜トランジスタは、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端
子を有する素子であり、ドレイン領域とソース領域の間にチャネル形成領域を有しており
、ドレイン領域とチャネル形成領域とソース領域とを介して電流を流すことができる。こ
こで、ソースとドレインとは、薄膜トランジスタの構造や動作条件などによって変わるた
め、いずれがソースまたはドレインであるかを限定することが困難である。そこで、ソー
ス及びドレインとして機能する領域を、ソースもしくはドレインとよばない場合がある。
その場合、一例としては、それぞれを第１の端子、第２の端子と表記する場合がある。あ
るいは、それぞれを第１の電極、第２の電極と表記する場合がある。あるいは、第１の領
域、第２の領域と表記する場合がある。
基板１０１は、少なくとも、後の加熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有していることが必
要となる。基板１０１としては、バリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラス
などのガラス基板を用いることができる。
また、ガラス基板としては、後の加熱処理の温度が高い場合には、歪み点が７３０℃以上
のものを用いるとよい。また、ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、ア
ルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料が用いられている
。なお、一般に酸化ホウ素（Ｂ２Ｏ３）と比較して酸化バリウム（ＢａＯ）を多く含ませ
ることで、より実用的な耐熱ガラスが得られる。このため、Ｂ２Ｏ３よりＢａＯを多く含
むガラス基板を用いることが好ましい。
なお、上記のガラス基板に代えて、セラミック基板、石英基板、サファイア基板などの絶
縁体でなる基板を用いてもよい。他にも、結晶化ガラス基板などを用いることができる。
絶縁膜１０３は、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜など酸化物絶縁膜、または窒化シ
リコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、または窒化酸化アルミニウム膜な
どの窒化物絶縁膜で形成する。また、絶縁膜１０３は積層構造でもよく、例えば、基板１
０１側から上記した窒化物絶縁膜のいずれか一つ以上と、上記した酸化物絶縁膜のいずれ
か一つ以上との積層構造とすることができる。
第１の電極１０５及び第２の電極１０９は、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタ
ン、モリブデン、タングステンから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金
、上述した元素を組み合わせた合金などで形成する。また、マンガン、マグネシウム、ジ
ルコニウム、ベリリウムのいずれか一または複数から選択された材料を用いることができ
る。また、第１の電極１０５は、単層構造、または二層以上の積層構造とすることができ
る。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上にチタン膜を
積層する二層構造、タングステン膜上にチタン膜を積層する二層構造、チタン膜と、その
チタン膜上に重ねてアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構
造などが挙げられる。また、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブ
デン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素を単数、または複数組み合わせ
た膜、合金膜、もしくは窒化膜を用いてもよい。
なお、酸化物半導体膜１０７は、ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０、且つ、ｍは整数でな
い）で表記される薄膜を用いることができる。ここで、Ｍは、Ｇａ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｍｎお
よびＣｏから選ばれた一または複数の金属元素を示す。例えばＭとして、Ｇａ、ＧａとＮ
ｉ、またはＧａとＦｅなどが挙げられる。また、上記の酸化物半導体膜において、Ｍとし
て含まれる金属元素の他に、不純物元素としてその他の遷移金属元素、または該遷移金属
の酸化物が含まれていてもよい。ＩｎＭＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍ＞０、且つ、ｍは整数でな
い。）で表記される構造の酸化物半導体層のうち、ＭとしてＧａを含む構造の酸化物半導
体をＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体とよび、その薄膜をＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系膜
とも呼ぶこととする。
酸化物半導体膜１０７は、上記したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系膜の他に、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ
−Ｏ系、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系、
Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ａｌ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉ
ｎ−Ｏ系、Ｓｎ−Ｏ系、Ｚｎ−Ｏ系の酸化物半導体膜を用いてもよい。また、上記酸化物
半導体膜にＳｉを含んでもよい。
本実施の形態で用いる酸化物半導体膜１０７は、酸化物半導体膜に含まれる水素が５×１
０１９／ｃｍ３以下、好ましくは５×１０１８／ｃｍ３以下、より好ましくは５×１０１
７／ｃｍ３以下であり、酸化物半導体膜に含まれる水素が除去されている。即ち、酸化物
半導体膜の主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化されている。また、酸化
物半導体膜１０７のキャリア濃度が５×１０１４／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０１４
／ｃｍ３以下、好ましくは５×１０１２／ｃｍ３以下、好ましくは１×１０１２／ｃｍ３
以下である。即ち、酸化物半導体膜のキャリア濃度は、限りなくゼロに近い。また、エネ
ルギーギャップは２ｅＶ以上、好ましくは２．５ｅＶ以上、より好ましくは３ｅＶ以上で
ある。なお、酸化物半導体膜中の水素濃度は、二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃ
ｏｎｄａｒｙ Ｉｏｎ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）で検出することができる
。また、キャリア密度は、ホール効果測定により測定することができる。
本実施の形態では、トランジスタの酸化物半導体膜の上面形状は長方形であるため、チャ
ネル幅Ｗは２Ｗ１及び２Ｗ２の和である。なお、トランジスタの酸化物半導体膜の上面形
状が円形の場合は、酸化物半導体膜の半径ｒとした場合、チャネル幅Ｗは２πｒである。
酸化物半導体膜１０７の厚さは、３０ｎｍ以上３０００ｎｍ以下とするとよい。酸化物半
導体膜１０７の厚さを薄くすることで、薄膜トランジスタのチャネル長Ｌを小さくするこ
とが可能であり、オン電流及び電界効果移動度の高い薄膜トランジスタを作製することが
できる。一方、酸化物半導体膜１０７の厚さを厚くすることで、代表的には１００ｎｍ以
上３０００ｎｍ以下とすることで、大電力用の半導体装置を作製することができる。
ゲート絶縁膜１１１は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸
化シリコン膜、または酸化アルミニウム膜を単層でまたは積層して形成することができる
。ゲート絶縁膜１１１は、酸化物半導体膜１０７と接する部分が酸素を含むことが好まし
く、特に好ましくは酸化シリコン膜により形成する。酸化シリコン膜を用いることで、酸
化物半導体膜１０７に酸素を供給することができ、特性を良好にすることができる。
また、ゲート絶縁膜１１１として、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉＯｘ（ｘ＞０））、
Ｎが添加されたＨｆＳｉＯｘＮｙ（ｘ＞０、ｙ＞０）、ハフニウムアルミネート（ＨｆＡ
ｌＯｘ（ｘ＞０））、酸化ハフニウム、酸化イットリウムなどのｈｉｇｈ−ｋ材料を用い
ることでゲートリーク電流を低減できる。さらには、ｈｉｇｈ−ｋ材料と、酸化シリコン
膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、または酸化アルミニウ
ム膜のいずれか一以上との積層構造とすることができる。ゲート絶縁膜１１１の厚さは、
５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とするとよい。ゲート絶縁膜１１１の厚さを薄くすることで
、電界効果移動度の高い薄膜トランジスタを作製することができ、駆動回路を同一基板に
作製することができる。一方、ゲート絶縁膜１１１の厚さを厚くすることで、ゲートリー
ク電流を低減することができる。
ゲート電極として機能する第３の電極１１３は、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、
チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする
合金か、上述した元素を組み合わせた合金膜などを用いて形成することができる。また、
マンガン、マグネシウム、ジルコニウム、ベリリウムのいずれか一または複数から選択さ
れた材料を用いてもよい。また、第３の電極１１３は、単層構造でも、二層以上の積層構
造としてもよい。例えば、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、アルミニウム膜上
にチタン膜を積層する二層構造、チタン膜と、そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し
、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造などがある。また、アルミニウムに、チタ
ン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれ
た元素の膜、または複数組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を用いてもよい。
次に、酸化物半導体膜１０７を有する薄膜トランジスタの動作についてエネルギーバンド
図を用いて説明する。
図２は、本実施の形態に示す酸化物半導体膜を用いた逆スタガー型の薄膜トランジスタの
縦断面図を示す。ドレイン電極（Ｄ）上に酸化物半導体膜（ＯＳ）及びソース電極（Ｓ）
が積層され、ドレイン電極、酸化物半導体膜、及びソース電極上にゲート絶縁膜（ＧＩ）
が設けられ、その上にゲート電極（ＧＥ１）が設けられている。
図３は、図２に示すＡ−Ａ’断面におけるエネルギーバンド図（模式図）を示す。図３（
Ａ）はソースとドレインの間の電圧を（ＶＤ＝０Ｖ）とした場合を示し、図３（Ｂ）は、
ドレインに正の電圧（ＶＤ＞０）を印加した上で、破線はゲートに電圧を印加しない場合
（ＶＧ＝０）、実線はゲートに正の電圧（ＶＧ＞０）を印加した場合を示す。ゲートに電
圧を印加しない場合は高いポテンシャル障壁のために電極から酸化物半導体側へキャリア
（電子）が注入されず、電流を流さないオフ状態を示す。一方、ゲートに正の電圧を印加
するとポテンシャル障壁が低下し、電流を流すオン状態を示す。
図４は、図２におけるＢ−Ｂ’の断面におけるエネルギーバンド図（模式図）である。図
４（Ａ）はゲート（ＧＥ１）に正の電位（＋ＶＧ）が印加された状態であり、ソース及び
ドレイン間にキャリア（電子）が流れるオン状態（通電状態）を示している。また、図４
（Ｂ）は、ゲート（ＧＥ１）に負の電位（−ＶＧ）が印加された状態であり、オフ状態（
非通電状態、少数キャリアは流れない状態）である場合を示す。
図５は、真空準位と金属の仕事関数（φＭ）、酸化物半導体膜の電子親和力（χ）の関係
を示す。
室温において金属の自由電子縮退状態にあり、フェルミ準位は伝導帯内に位置する。一方
、従来の酸化物半導体膜は一般にｎ型であり、その場合のフェルミ準位（Ｅｆ）は、バン
ドギャップ中央に位置する真性フェルミ準位（Ｅｉ）から離れて、伝導帯寄りに位置して
いる。なお、酸化物半導体膜において含有される水素の一部はドナーとなりｎ型化する一
つの要因であることが知られている。
これに対して本実施の形態に係る酸化物半導体膜は、ｎ型不純物である水素を酸化物半導
体膜から除去し、酸化物半導体膜の主成分以外の不純物が極力含まれないように高純度化
することにより真性（ｉ型）とし、または真性型に近づけたものである。すなわち、不純
物を添加してｉ型化するのでなく、水素、水、水酸基または水素化物などの不純物を極力
除去したことにより、高純度化されたｉ型（真性半導体）またはそれに近づけることを特
徴としている。そうすることにより、フェルミ準位（ＥＦ）は真性フェルミ準位（Ｅｉ）
と同じレベルにまですることができる。
酸化物半導体膜のバンドギャップ（Ｅｇ）が３．１５ｅＶである場合、電子親和力（χ）
は４．３ｅＶと言われている。ソース電極及びドレイン電極を構成するチタン（Ｔｉ）の
仕事関数は、酸化物半導体膜の電子親和力（χ）とほぼ等しい。この場合、金属−酸化物
半導体膜界面において、電子に対してショットキー型の障壁は形成されない。
すなわち、金属の仕事関数（φＭ）と酸化物半導体膜の電子親和力（χ）がほぼ等しい場
合、両者が接触すると図３（Ａ）で示すようなエネルギーバンド図（模式図）が示される
。
図３（Ｂ）において黒丸（●）は電子を示し、ドレインに正の電位が印加されると、電子
はバリア（ｈ）を越えて酸化物半導体膜に注入され、ドレインに向かって流れる。この場
合、バリア（ｈ）の高さは、ゲート電圧とドレイン電圧に依存して変化するが、正のドレ
イン電圧が印加された場合には、電圧印加のない図３（Ａ）のバリア（ｈ）の高さすなわ
ちバンドギャップ（Ｅｇ）の１／２よりもバリア（ｈ）の高さは小さい値となる。
このとき電子は、図４（Ａ）で示すようにゲート絶縁膜と高純度化された酸化物半導体膜
との界面における、酸化物半導体膜側のエネルギー的に安定な最低部を移動する。
また、図４（Ｂ）において、ゲート電極（ＧＥ１）に負の電位（逆バイアス）が印加され
ると、少数キャリアであるホールは実質的にゼロであるため、電流は限りなくゼロに近い
値となる。
例えば、チャネル幅Ｗが１×１０４μｍでチャネル長が３μｍの薄膜トランジスタであっ
ても、オフ電流が１０−１３Ａ以下ときわめて低く、サブスレッショルドスイング値（Ｓ
値）が０．１Ｖ／ｄｅｃ．（ゲート絶縁膜の厚さ１００ｎｍ）が得られる。
このように、酸化物半導体膜の主成分以外の不純物、代表的には水素、水、水酸基または
水素化物などが極力含まれないように高純度化することにより、薄膜トランジスタの動作
を良好なものとすることができる。特に、オフ電流を低減することができる。
ところで、チャネルが基板と概略平行に形成される横型薄膜トランジスタにおいては、チ
ャネルのほかにソース及びドレインを設ける必要があり、基板における薄膜トランジスタ
の占有面積が大きくなってしまい、微細化の妨げとなる。しかしながら、縦型薄膜トラン
ジスタにおいては、ソース、チャネル、及びドレインを積層するため、基板表面における
占有面積を低減することができる。この結果、薄膜トランジスタの微細化が可能である。
また、縦型薄膜トランジスタのチャネル長は、酸化物半導体膜の厚さで制御できるため、
酸化物半導体膜１０７の厚さを薄くすることでチャネル長の小さい薄膜トランジスタとす
ることが可能である。チャネル長を小さくすることで、ソース、チャネル、及びドレイン
の直列抵抗を低減できるため、薄膜トランジスタのオン電流および電界効果移動度を上昇
させることができる。また、本実施の形態に示す薄膜トランジスタのゲート電極は環状で
あり、チャネル幅を大きくすることが可能であるため、オン電流を上昇させることができ
る。また、水素濃度が低減され高純度化された酸化物半導体膜を有する薄膜トランジスタ
は、オフ電流が極めて低く、オフ時では電流がほとんど流れない絶縁状態となる。このた
め、酸化物半導体膜の厚さを薄くし、縦型薄膜トランジスタのチャネル長を小さくしても
、非導通状態のオフ電流がほとんど無い薄膜トランジスタとすることができる。
このように、水素濃度が低減され高純度化された酸化物半導体膜を用いることで、高精細
化に適し、動作速度が速く、オン時には大電流を流すことができ、オフ時にはほとんど電
流を流さない薄膜トランジスタを作製することができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、実施の形態１とは異なる構造の電界効果型トランジスタ、例えば薄膜
トランジスタの構造について、図６を用いて説明する。
図６（Ａ）は薄膜トランジスタ１４７、１４９の上面図であり、図６（Ｂ）は図６（Ａ）
の一点鎖線Ａ−Ｂの断面図に相当する。
図６（Ｂ）に示すように、基板１０１上に形成された絶縁膜１０３上に、第１の電極１０
５、１０６、酸化物半導体膜１０７、及び第２の電極１０９が積層される。また、第１の
電極１０５、１０６、酸化物半導体膜１０７、及び第２の電極１０９を覆うように、ゲー
ト絶縁膜１１１が設けられている。ゲート絶縁膜１１１上には、第３の電極１１３が設け
られている。ゲート絶縁膜１１１及び第３の電極１１３上には層間絶縁膜として機能する
絶縁膜１１７が設けられている。絶縁膜１１７上には、開口部が形成されており、開口部
において第１の電極１０５と接続する配線１３１、第１の電極１０６と接続する配線１３
２（図６（Ａ）参照）、第２の電極１０９と接続する配線１２９、第３の電極１１３と接
続する配線１２５が形成される。
第１の電極１０５は、薄膜トランジスタ１４７のソース電極若しくはドレイン電極の一方
として機能する。第１の電極１０６は、薄膜トランジスタ１４９のソース電極若しくはド
レイン電極の一方として機能する。第２の電極１０９は、薄膜トランジスタ１４７、１４
９のソース電極若しくはドレイン電極の他方として機能する。第３の電極１１３は、薄膜
トランジスタ１４７、１４９のゲート電極として機能する。
本実施の形態では、第１の電極１０５と、第１の電極１０６とが分離されていることを特
徴とする。更には、薄膜トランジスタ１４７と、薄膜トランジスタ１４９とが、第２の電
極１０９及び配線１２９と、第３の電極１１３で直列に接続していることを特徴とする。
本実施の形態の薄膜トランジスタ１４７、１４９は、実施の形態１と同様に、水素濃度が
低減され高純度化された酸化物半導体膜を用いている。このため、薄膜トランジスタの動
作を良好なものとすることができる。特に、オフ電流を低減することができる。この結果
、高精細化に適し、動作速度が速く、オン時では大電流を流すことができ、オフ時ではほ
とんど電流を流さない薄膜トランジスタを作製することができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、図１に示す薄膜トランジスタの作製工程について、図７を用いて説明
する。
図７（Ａ）に示すように、基板１０１上に絶縁膜１０３を形成し、絶縁膜１０３上に第１
の電極１０５を形成する。第１の電極１０５は、薄膜トランジスタのソース電極及びドレ
イン電極の一方として機能する。
絶縁膜１０３は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、塗布法などで形成することができる。
なお、スパッタリング法で絶縁膜１０３を形成する場合、処理室内に残留する水素、水、
水酸基または水素化物などを除去しつつ絶縁膜１０３を形成することが好ましい。これは
、絶縁膜１０３に水素、水、水酸基または水素化物などが含まれないようにするためであ
る。処理室内に残留する水素、水、水酸基または水素化物などを除去するためには、吸着
型の真空ポンプを用いることが好ましい。吸着型の真空ポンプとしては、例えば、クライ
オポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが好ましい。また
、排気手段としては、ターボポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。ク
ライオポンプを用いて排気した処理室では、不純物、特に水素、水、水酸基または水素化
物などが排気されるため、当該処理室で絶縁膜１０３を形成すると、絶縁膜１０３に含ま
れる不純物の濃度を低減できる。
また、絶縁膜１０３を形成する際に用いるスパッタガスは、水素、水、水酸基または水素
化物などの不純物が濃度ｐｐｍ程度、濃度ｐｐｂ程度まで除去された高純度ガスを用いる
ことが好ましい。
スパッタリング法にはスパッタ用電源に高周波電源を用いるＲＦスパッタリング法、直流
電源を用いるＤＣスパッタリング法、さらにパルス的にバイアスを与えるパルスＤＣスパ
ッタリング法がある。ＲＦスパッタリング法は主に絶縁膜を形成する場合に用いられ、Ｄ
Ｃスパッタリング法は主に金属膜を形成する場合に用いられる。
また、材料の異なるターゲットを複数設置できる多元スパッタ装置もある。多元スパッタ
装置は、同一チャンバーで異なる材料の膜を積層形成することも、同一チャンバーで複数
種類の材料を同時に放電させて形成することもできる。
また、チャンバー内部に磁石機構を備えたマグネトロンスパッタリング法を用いるスパッ
タ装置や、グロー放電を使わずマイクロ波を用いて発生させたプラズマを用いるＥＣＲス
パッタリング法を用いるスパッタ装置がある。
また、スパッタリング法として、成膜中にターゲット物質とスパッタガス成分とを化学反
応させてそれらの化合物薄膜を形成するリアクティブスパッタリング法や、成膜中に基板
にも電圧をかけるバイアススパッタリング法を用いることもできる。
本明細書のスパッタリングにおいては、上記したスパッタリング装置及びスパッタリング
方法を適宜用いることができる。
本実施の形態では、基板１０１を処理室へ搬送し、水素、水、水酸基または水素化物など
が除去された高純度酸素を含むスパッタガスを導入し、シリコンターゲットを用いて、基
板１０１に絶縁膜１０３として、酸化シリコン膜を形成する。なお、絶縁膜１０３を形成
する際は、基板１０１は加熱されていてもよい。
例えば、石英（好ましくは合成石英）を用い、基板温度１０８℃、基板とターゲットの間
の距離（Ｔ−Ｓ間距離）を６０ｍｍ、圧力０．４Ｐａ、高周波電源１．５ｋＷ、酸素及び
アルゴン（酸素流量２５ｓｃｃｍ：アルゴン流量２５ｓｃｃｍ＝１：１）雰囲気下でＲＦ
スパッタリング法により酸化シリコン膜を形成する。膜厚は１００ｎｍとするとよい。な
お、石英（好ましくは合成石英）に代えてシリコンターゲットを用いることができる。な
お、スパッタガスとして、酸素、または酸素及びアルゴンの混合ガスを用いて行う。
また、絶縁膜１０３を積層構造で形成する場合、例えば、酸化シリコン膜と基板との間に
水素、水、水酸基または水素化物などが除去された高純度窒素を含むスパッタガス及びシ
リコンターゲットを用いて窒化シリコン膜を形成する。この場合においても、酸化シリコ
ン膜と同様に、処理室内に残留する水素、水、水酸基または水素化物などを除去しつつ窒
化シリコン膜を形成することが好ましい。なお、当該工程において、基板１０１は加熱さ
れていてもよい。
絶縁膜１０３として窒化シリコン膜及び酸化シリコン膜を積層する場合、窒化シリコン膜
と酸化シリコン膜を同じ処理室において、共通のシリコンターゲットを用いて形成するこ
とができる。先に窒素を含むスパッタガスを導入して、処理室内に装着されたシリコンタ
ーゲットを用いて窒化シリコン膜を形成し、次に酸素を含むスパッタガスに切り替えて同
じシリコンターゲットを用いて酸化シリコン膜を形成する。窒化シリコン膜及び酸化シリ
コン膜を大気に曝露せずに連続して形成することができるため、窒化シリコン膜表面に水
素、水、水酸基または水素化物などの不純物が吸着することを防止することができる。
第１の電極１０５は、絶縁膜１０３上に導電膜をスパッタリング法、ＣＶＤ法、または真
空蒸着法で形成し、当該導電膜上にフォトリソグラフィ工程によりレジストマスク形成し
、当該レジストマスクを用いて導電膜をエッチングして、形成することができる。または
、フォトリソグラフィ工程を用いず、印刷法、インクジェット法で第１の電極１０５を形
成することで、工程数を削減することができる。なお、第１の電極１０５の端部をテーパ
形状とすると、後に形成されるゲート絶縁膜の被覆性が向上するため好ましい。第１の電
極１０５の端部と絶縁膜１０３のなす角の角度を３０°以上６０°以下、好ましくは４０
°以上５０°以下とすることで、後に形成されるゲート絶縁膜の被覆性を向上させること
ができる。
本実施の形態では、第１の電極１０５となる導電膜として、スパッタリング法により膜厚
５０ｎｍのチタン膜を形成し、厚さ１００ｎｍのアルミニウム膜を形成し、厚さ５０ｎｍ
のチタン膜を形成する。次に、フォトリソグラフィ工程により形成したレジストマスクを
用いてエッチングして、島状の第１の電極１０５を形成する。
次に、図７（Ｂ）に示すように、第１の電極１０５上に酸化物半導体膜１０７及び第２の
電極１０９を形成する。酸化物半導体膜１０７は薄膜トランジスタのチャネル形成領域と
して機能し、第２の電極１０９は薄膜トランジスタのソース電極若しくはドレイン電極の
他方として機能する。
ここで、酸化物半導体膜１０７及び第２の電極１０９の作製方法について、説明する。
基板１０１及び第１の電極１０５上にスパッタリング法により酸化物半導体膜を形成する
。次に、酸化物半導体膜上に導電膜を形成する。
酸化物半導体膜１０７に水素がなるべく含まれないようにするために、前処理として、ス
パッタリング装置の予備加熱室で第１の電極１０５が形成された基板１０１を予備加熱し
、基板１０１に吸着した水素、水、水酸基または水素化物などの不純物を脱離し排気する
ことが好ましい。なお、予備加熱室に設ける排気手段はクライオポンプが好ましい。なお
、この予備加熱の処理は省略することもできる。またこの予備加熱は、後に形成するゲー
ト絶縁膜１１１の形成前の基板１０１に行ってもよいし、後に形成する第３の電極１１３
形成前の基板１０１に行ってもよい。
なお、酸化物半導体膜をスパッタリング法により形成する前に、アルゴンガスを導入して
プラズマを発生させる逆スパッタを行い、第１の電極１０５の表面の清浄化を行うことで
、第１の電極１０５及び酸化物半導体膜の界面における抵抗を低減することができるため
好ましい。逆スパッタとは、ターゲット側に電圧を印加せずに、アルゴン雰囲気下で基板
側に高周波電源を用いて電圧を印加して基板近傍にプラズマを形成して表面を改質する方
法である。なお、アルゴン雰囲気に代えて窒素、ヘリウムなどを用いてもよい。
本実施の形態では、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体成膜用ターゲットを用いたスパ
ッタリング法により酸化物半導体膜を形成する。また、酸化物半導体膜は、希ガス（代表
的にはアルゴン）雰囲気下、酸素雰囲気下、または希ガス（代表的にはアルゴン）及び酸
素混合雰囲気下においてスパッタリング法により形成することができる。また、スパッタ
リング法を用いる場合、ＳｉＯ２を２重量％以上１０重量％以下含むターゲットを用いて
形成してもよい。
酸化物半導体膜を形成する際に用いるスパッタガスは水素、水、水酸基または水素化物な
どの不純物が、濃度ｐｐｍ程度、濃度ｐｐｂ程度まで除去された高純度ガスを用いること
が好ましい。
酸化物半導体膜をスパッタリング法で作製するためのターゲットとして、酸化亜鉛を主成
分とする金属酸化物のターゲットを用いることができる。また、金属酸化物のターゲット
の他の例としては、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎを含む酸化物半導体成膜用ターゲット（組成比
として、Ｉｎ２Ｏ３：Ｇａ２Ｏ３：ＺｎＯ＝１：１：１［ｍｏｌ％］、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ
＝１：１：０．５［ａｔｏｍ％］）を用いることができる。また、Ｉｎ、Ｇａ、及びＺｎ
を含む酸化物半導体成膜用ターゲットとして、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１［ａｔｏｍ
％］、またはＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：２［ａｔｏｍ％］の組成比を有するターゲット
を用いることもできる。酸化物半導体成膜用ターゲットの充填率は９０％以上１００％以
下、好ましくは９５％以上９９．９％以下である。充填率の高い酸化物半導体成膜用ター
ゲットを用いて形成した酸化物半導体膜は緻密な膜となる。
酸化物半導体膜は、減圧状態に保持された処理室内に基板を保持し、処理室内に残留する
水分を除去しつつ、水素、水、水酸基または水素化物などが除去されたスパッタリングガ
スを導入し、金属酸化物をターゲットとして絶縁膜１０３及び第２の電極１０９上に酸化
物半導体膜を形成する。処理室内に残留する水素、水、水酸基または水素化物などを除去
するためには、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。例えば、クライオポンプ、
イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが好ましい。また、排気手段
としては、ターボポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。クライオポン
プを用いて排気した処理室は、例えば、水素、水、水酸基または水素化物など（より好ま
しくは炭素原子を含む化合物も含む。）が排気されるため、酸化物半導体膜に含まれる不
純物の濃度を低減できる。また、基板を加熱しながら酸化物半導体膜を形成してもよい。
本実施の形態では、酸化物半導体膜の成膜条件の一例として、基板温度室温、基板とター
ゲットの間の距離を１１０ｍｍ、圧力０．４Ｐａ、直流（ＤＣ）電源０．５ｋＷ、酸素及
びアルゴン（酸素流量１５ｓｃｃｍ：アルゴン流量３０ｓｃｃｍ）雰囲気下の条件が適用
される。なお、パルス直流（ＤＣ）電源を用いると、成膜時に発生する粉状物質（パーテ
ィクル、ゴミともいう。）が軽減でき、膜厚分布も均一となるために好ましい。酸化物半
導体膜は好ましくは３０ｎｍ以上３０００ｎｍ以下とする。なお、適用する酸化物半導体
膜材料により適切な厚みは異なり、材料に応じて適宜厚みを選択すればよい。
なお、酸化物半導体膜を形成する際のスパッタリング法及びスパッタリング装置は、絶縁
膜１０３に示したスパッタリング法及びスパッタリング装置を適宜用いることができる。
第２の電極１０９となる導電膜は、第１の電極１０５の材料及び手法を適宜用いることが
できる。ここでは、第２の電極１０９となる導電膜として、厚さ５０ｎｍのチタン膜、厚
さ１００ｎｍのアルミニウム膜、及び厚さ５０ｎｍのチタン膜を順に積層する。
次に、フォトリソグラフィ工程により導電膜上にレジストマスクを形成し、当該レジスト
マスクを用いて第２の電極１０９となる導電膜及び酸化物半導体膜１０７となる酸化物半
導体膜をエッチングして、島状の第２の電極１０９及び島状の酸化物半導体膜１０７を形
成する。なお、フォトリソグラフィ工程により形成したレジストマスクの代わりに、イン
クジェット法を用いてレジストマスクを作製することで、工程数を削減することができる
。当該エッチングにより、第２の電極１０９及び酸化物半導体膜１０７の端部と、第１の
電極１０５のなす角の角度を３０°以上６０°以下、好ましくは４０°以上５０°以下と
することで、後に形成されるゲート絶縁膜の被覆性を向上させることができるため好まし
い。
なお、ここでの導電膜及び酸化物半導体膜のエッチングは、ドライエッチングでもウェッ
トエッチングでもよく、両方を用いてもよい。所望の形状の酸化物半導体膜１０７及び第
２の電極１０９を形成するために、材料に合わせてエッチング条件（エッチング液、エッ
チング時間、温度など）を適宜調節する。
なお、第２の電極１０９となる導電膜及び酸化物半導体膜と、第１の電極１０５とのエッ
チングレートが異なる場合は、第１の電極１０５のエッチングレートが低く、第２の電極
１０９となる導電膜及び酸化物半導体膜のエッチングレートの高い条件を選択する。また
は、酸化物半導体膜のエッチングレートが低く、第２の電極１０９となる導電膜のエッチ
ングレートの高い条件を選択して、第２の電極１０９となる導電膜をエッチングした後、
第１の電極１０５のエッチングレートが低く、酸化物半導体膜のエッチングレートの高い
条件を選択する。
酸化物半導体膜をウェットエッチングするエッチング液としては、燐酸と酢酸と硝酸を混
ぜた溶液、アンモニア過水（過酸化水素：アンモニア水：水＝５：２：２）などを用いる
ことができる。また、ＩＴＯ０７Ｎ（関東化学社製）を用いてもよい。
また、ウェットエッチング後のエッチング液はエッチングされた材料とともに洗浄によっ
て除去される。その除去された材料を含むエッチング液の廃液を精製し、含まれる材料を
再利用してもよい。当該エッチング後の廃液から酸化物半導体膜に含まれるインジウムな
どの材料を回収して再利用することにより、資源を有効活用し低コスト化することができ
る。
また、酸化物半導体膜をドライエッチングする際に用いるエッチングガスとしては、塩素
を含むガス（塩素系ガス、例えば塩素（Ｃｌ２）、塩化硼素（ＢＣｌ３）、塩化珪素（Ｓ
ｉＣｌ４）、四塩化炭素（ＣＣｌ４）など）が好ましい。
また、フッ素を含むガス（フッ素系ガス、例えば四弗化炭素（ＣＦ４）、六弗化硫黄（Ｓ
Ｆ６）、三弗化窒素（ＮＦ３）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）など）、臭化水素（Ｈ
Ｂｒ）、酸素（Ｏ２）、これらのガスにヘリウム（Ｈｅ）やアルゴン（Ａｒ）などの希ガ
スを添加したガス、などを用いることができる。
ドライエッチング法としては、平行平板型ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈ
ｉｎｇ）法や、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ：誘導
結合型プラズマ）エッチング法を用いることができる。所望の加工形状にエッチングでき
るように、エッチング条件（コイル型の電極に印加される電力量、基板側の電極に印加さ
れる電力量、基板側の電極温度など）を適宜調節する。
本実施の形態では、エッチャントとしてアンモニア過水（アンモニア、水、過酸化水素水
の混合液）を用いて、第２の電極１０９となる導電膜をエッチングした後、燐酸と酢酸と
硝酸を混ぜた溶液で酸化物半導体膜をエッチングして、酸化物半導体膜１０７を形成する
。
次に、本実施の形態では、第１の加熱処理を行う。第１の加熱処理の温度は、４００℃以
上７５０℃以下、好ましくは４００℃以上基板の歪み点未満とする。ここでは、加熱処理
装置の一つである電気炉に基板を導入し、酸化物半導体膜に対して窒素、希ガスなどの不
活性ガス雰囲気下において４５０℃において１時間の加熱処理を行った後、大気に触れさ
せないことで、酸化物半導体膜への水素、水、水酸基または水素化物などの再侵入を防ぐ
ことが可能であり、水素濃度が低減され高純度化され、ｉ型化または実質的にｉ型化され
た酸化物半導体膜を得ることができる。即ち、この第１の加熱処理によって酸化物半導体
膜１０７の脱水化及び脱水素化の少なくとも一方を行うことができる。
なお、第１の加熱処理においては、窒素、またはヘリウム、ネオン、アルゴンなどの希ガ
スに、水素、水、水酸基または水素化物などが含まれないことが好ましい。または、加熱
処理装置に導入する窒素、またはヘリウム、ネオン、アルゴンなどの希ガスの純度を、６
Ｎ（９９．９９９９％）以上、好ましくは７Ｎ（９９．９９９９９％）以上、（即ち不純
物濃度を１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下）とすることが好ましい。
また、第１の加熱処理の条件、または酸化物半導体膜の材料によっては、酸化物半導体膜
が結晶化し、微結晶膜または多結晶膜となる場合もある。例えば、結晶化率が９０％以上
、または８０％以上の微結晶の酸化物半導体膜となる場合もある。また、第１の加熱処理
の条件、または酸化物半導体膜の材料によっては、結晶成分を含まない非晶質の酸化物半
導体膜となる場合もある。また、非晶質の酸化物半導体膜の中に微結晶部（粒径１ｎｍ以
上２０ｎｍ以下（代表的には２ｎｍ以上４ｎｍ以下））が混在する酸化物半導体膜となる
場合もある。
また、酸化物半導体膜の第１の加熱処理は、島状の酸化物半導体膜を形成する前の酸化物
半導体膜に行ってもよい。その場合には、第１の加熱処理後に、加熱装置から基板を取り
出し、フォトリソグラフィ工程を行う。
なお、酸化物半導体膜に対する脱水化、脱水素化の効果を奏する加熱処理は、酸化物半導
体膜を形成した後、酸化物半導体膜上に第２の電極となる導電膜を積層した後、第１の電
極、酸化物半導体膜及び第２の電極上にゲート絶縁膜を形成した後、またはゲート電極を
形成した後のいずれで行ってもよい。
次に、図７（Ｃ）に示すように、第１の電極１０５、酸化物半導体膜１０７、第２の電極
１０９上にゲート絶縁膜１１１を形成する。
不純物を除去することによりｉ型化または実質的にｉ型化された酸化物半導体膜（水素濃
度が低減され高純度化された酸化物半導体膜）は界面準位、界面電荷に対して極めて敏感
であるため、ゲート絶縁膜１１１との界面は重要である。そのため高純度化された酸化物
半導体膜に接するゲート絶縁膜１１１は、高品質化が要求される。
例えば、μ波（２．４５ＧＨｚ）を用いた高密度プラズマＣＶＤにより、緻密で絶縁耐圧
の高い高品質な絶縁膜を形成できるので好ましい。水素濃度が低減され高純度化された酸
化物半導体膜と高品質ゲート絶縁膜とが密接することにより、界面準位を低減して界面特
性を良好なものとすることができるからである。
もちろん、ゲート絶縁膜として良質な絶縁膜を形成できるものであれば、スパッタリング
法やプラズマＣＶＤ法など他の成膜方法を適用することができる。また、ゲート絶縁膜の
形成後の加熱処理によってゲート絶縁膜の膜質、酸化物半導体膜との界面特性が改質され
る絶縁膜であっても良い。いずれにしても、ゲート絶縁膜としての膜質が良好であること
は勿論のこと、酸化物半導体膜との界面準位密度を低減し、良好な界面を形成できるもの
であれば良い。
さらに、８５℃、２×１０６Ｖ／ｃｍ、１２時間のゲートバイアス・熱ストレス試験（Ｂ
Ｔ試験）においては、不純物が酸化物半導体膜に添加されていると、不純物と酸化物半導
体膜の主成分との結合が、強電界（Ｂ：バイアス）と高温（Ｔ：温度）により切断され、
生成された未結合手がしきい値電圧（Ｖｔｈ）のドリフトを誘発することとなる。
これに対して、酸化物半導体膜の不純物、特に水素や水などを極力除去し、上記のように
ゲート絶縁膜との界面特性を良好にすることにより、ＢＴ試験に対しても安定な薄膜トラ
ンジスタを得ることを可能としている。
スパッタリング法でゲート絶縁膜１１１を形成することでゲート絶縁膜１１１中の水素濃
度を低減することができる。スパッタリング法により酸化シリコン膜を形成する場合には
、ターゲットとしてシリコンターゲットまたは石英ターゲットを用い、スパッタガスとし
て酸素または、酸素及びアルゴンの混合ガスを用いて行う。
なお、酸化物半導体膜に接して設けられる絶縁膜にハロゲン元素（例えば、フッ素または
塩素）を含ませ、または酸化物半導体膜を露出させた状態でハロゲン元素を含むガス雰囲
気中でのプラズマ処理によって酸化物半導体膜にハロゲン元素を含ませ、酸化物半導体膜
または該酸化物半導体膜に接して設けられる絶縁膜との界面に存在しうる、水素、水、水
酸基又は水素化物（水素化合物ともいう）などの不純物を排除してもよい。絶縁膜にハロ
ゲン元素を含ませる場合には、該絶縁膜中におけるハロゲン元素濃度は、５×１０１８ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ３〜１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３程度とすればよい。
また、上記したように酸化物半導体膜中または酸化物半導体膜とこれに接する絶縁膜との
界面にハロゲン元素を含ませ、酸化物半導体膜と接して設けられた絶縁膜が酸化物絶縁膜
である場合には、酸化物半導体膜と接しない側の酸化物絶縁膜を、窒素物絶縁膜で覆うこ
とが好ましい。すなわち、酸化物半導体膜に接する酸化物絶縁膜の上に接して窒化シリコ
ン膜などを設ければよい。このような構造とすることで、水素、水、水酸基又は水素化物
などの不純物が酸化物絶縁膜に侵入することを低減することができる。
ゲート絶縁膜１１１は、第１の電極１０５、酸化物半導体膜１０７、及び第２の電極１０
９側から酸化シリコン膜と窒化シリコン膜を積層した構造とすることもできる。例えば、
第１のゲート絶縁膜として膜厚５ｎｍ以上３００ｎｍ以下の酸化シリコン膜（ＳｉＯｘ（
ｘ＞０））を形成し、第１のゲート絶縁膜上に第２のゲート絶縁膜としてスパッタリング
法により膜厚５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の窒化シリコン膜（ＳｉＮｙ（ｙ＞０））を積
層して、膜厚１００ｎｍのゲート絶縁膜としてもよい。本実施の形態では、圧力０．４Ｐ
ａ、高周波電源１．５ｋＷ、酸素及びアルゴン（酸素流量２５ｓｃｃｍ：アルゴン流量２
５ｓｃｃｍ＝１：１）雰囲気下でＲＦスパッタリング法により膜厚１００ｎｍの酸化シリ
コン膜を形成する。
次に、不活性ガス雰囲気下、または酸素ガス雰囲気下で第２の加熱処理（好ましくは２０
０℃以上４００℃以下、例えば２５０℃以上３５０℃以下）を行ってもよい。なお、当該
第２の加熱処理は、のちに形成される第３の電極１１３、絶縁膜１１７、または配線１２
５、１２９のいずれかを形成した後に行ってもよい。当該加熱処理により、酸化物半導体
膜中に含まれる水素若しくは水分をゲート絶縁膜に拡散させることができる。
次に、ゲート絶縁膜１１１上にゲート電極として機能する第３の電極１１３を形成する。
第３の電極１１３は、ゲート絶縁膜１１１上に第３の電極１１３となる導電膜をスパッタ
リング法、ＣＶＤ法、または真空蒸着法で形成し、当該導電膜上にフォトリソグラフィ工
程によりレジストマスク形成し、当該レジストマスクを用いて導電膜をエッチングして、
形成することができる。
本実施の形態では、厚さ１５０ｎｍのチタン膜をスパッタリング法により形成した後、フ
ォトリソグラフィ工程により形成したレジストマスクを用いてエッチングして、第３の電
極１１３を形成する。
以上の工程で、水素濃度が低減され高純度化された酸化物半導体膜１０７を有する薄膜ト
ランジスタ１４５を形成することができる。
次に、図７（Ｄ）に示すように、ゲート絶縁膜１１１及び第３の電極１１３上に絶縁膜１
１７を形成した後、コンタクトホール１１９、１２３を形成する。
絶縁膜１１７は、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、または酸
化窒化アルミニウム膜などの酸化物絶縁膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化
アルミニウム膜、または窒化酸化アルミニウム膜などの窒化物絶縁膜を用いる。または、
酸化物絶縁膜及び窒化物絶縁膜の積層とすることもできる。
絶縁膜１１７は、スパッタリング法、ＣＶＤ法などで形成する。なお、スパッタリング法
で絶縁膜１１７を形成する場合、基板１０１を１００℃〜４００℃の温度に加熱し、水素
、水、水酸基または水素化物などが除去された高純度窒素を含むスパッタガスを導入しシ
リコンターゲットを用いて絶縁膜を形成してもよい。この場合においても、処理室内に残
留する水素、水、水酸基または水素化物などを除去しつつ絶縁膜を形成することが好まし
い。
なお、絶縁膜１１７の形成後、さらに、大気中、１００℃以上２００℃以下、１時間以上
３０時間以下での加熱処理を行ってもよい。この加熱処理によって、ノーマリーオフとな
る薄膜トランジスタを得ることができる。よって表示装置や半導体装置の信頼性を向上で
きる。
フォトリソグラフィ工程によりレジストマスクを形成し、選択的にエッチングを行ってゲ
ート絶縁膜１１１及び絶縁膜１１７の一部を除去して、第１の電極１０５、第２の電極１
０９、及び第３の電極１１３に達するコンタクトホール１１９、１２３を形成する。
次に、ゲート絶縁膜１１１、及びコンタクトホール１１９、１２３上に導電膜を形成した
後、フォトリソグラフィ工程により形成したレジストマスクを用いてエッチングして、配
線１２５、１２９を形成する。なお、レジストマスクをインクジェット法で形成してもよ
い。レジストマスクをインクジェット法で形成するとフォトマスクを使用しないため、製
造コストを削減できる。
配線１２５、１２９は、第１の電極１０５と同様に形成することができる。
なお、第３の電極１１３及び配線１２５の間に平坦化のための平坦化絶縁膜を設けてもよ
い。平坦化絶縁膜の代表例としては、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン、ポリ
アミド、エポキシなどの、耐熱性を有する有機材料を用いることができる。また上記有機
材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、ＰＳＧ（リンガラス
）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）などがある。なお、これらの材料で形成される絶縁膜
を複数積層させることで、平坦化絶縁膜を形成してもよい。
なおシロキサン系樹脂とは、シロキサン系材料を出発材料として形成されたＳｉ−Ｏ−Ｓ
ｉ結合を含む樹脂に相当する。シロキサン系樹脂は置換基としては有機基（例えばアルキ
ル基やアリール基）やフルオロ基を用いてもよい。また、有機基はフルオロ基を有してい
てもよい。
平坦化絶縁膜の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタリング法、ＳＯ
Ｇ法、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、液滴吐出法（インクジェット法、スクリ
ーン印刷、オフセット印刷など）、ドクターナイフ、ロールコーター、カーテンコーター
、ナイフコーターなどを用いることができる。
上記のように酸化物半導体膜中の水素の濃度を低減し、高純度化することができる。それ
により酸化物半導体膜の安定化を図ることができる。また、ガラス転移温度以下の加熱処
理で、少数キャリアの数が極端に少なく、バンドギャップの広い酸化物半導体膜を形成す
ることができる。このため、大面積基板を用いて薄膜トランジスタを作製することができ
るため、量産性を高めることができる。また、当該水素濃度が低減され高純度化された酸
化物半導体膜を用いることで、高精細化に適し、動作速度が速く、オン時では大電流を流
すことができ、オフ時ではほとんど電流を流さない薄膜トランジスタを作製することがで
きる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態４）
本実施の形態では、実施の形態３とは異なる酸化物半導体膜を有する電界効果型トランジ
スタ、例えば薄膜トランジスタについて、図７及び図８を用いて説明する。
実施の形態３と同様に、図７（Ａ）に示すように、基板１０１上に絶縁膜１０３及び第１
の電極１０５を形成する。次に、図７（Ｂ）に示すように、第１の電極１０５上に酸化物
半導体膜１０７及び第２の電極１０９を形成する。
次に、第１の加熱処理を行う。本実施の形態における第１の加熱処理は、上記実施の形態
における第１の加熱処理とは異なるものであり、当該加熱処理によって、図８（Ｂ）に示
すように、表面に結晶粒が形成される酸化物半導体膜１５１を形成することができる。本
実施の形態では、抵抗発熱体などの発熱体からの熱伝導及び熱輻射の少なくとも一方によ
って被処理物を加熱する装置を用いて第１の加熱処理を行う。ここで、加熱処理の温度は
５００℃以上７００℃以下、好ましくは６５０℃以上７００℃以下とすることが好適であ
る。なお、加熱処理温度の上限に関し、発明の本質的な部分からの要求はないが、加熱処
理温度の上限は基板１０１の耐熱性の範囲内とする必要がある。また、加熱処理の時間は
、１分以上１０分以下とすることが好適である。ＲＴＡ処理を第１の加熱処理に適用する
ことで、短時間に加熱処理を行うことができるため、基板１０１に対する熱の影響を小さ
くすることができる。つまり、加熱処理を長時間行う場合と比較して、加熱処理温度の上
限を引き上げることが可能である。また、酸化物半導体膜の表面近傍に、所定の構造の結
晶粒を選択的に形成することが可能である。
本実施の形態で用いることができる加熱装置としては、ＧＲＴＡ（Ｇａｓ Ｒａｐｉｄ
Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装置、ＬＲＴＡ（Ｌａｍｐ Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａ
ｌ Ａｎｎｅａｌ）装置などのＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ａｎｎｅａｌ）装
置などがある。ＬＲＴＡ装置は、ハロゲンランプ、メタルハライドランプ、キセノンアー
クランプ、カーボンアークランプ、高圧ナトリウムランプ、高圧水銀ランプなどのランプ
から発する光（電磁波）の輻射により、被処理物を加熱する装置である。ＧＲＴＡ装置は
、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置である。気体には、アルゴンなどの希ガス、ま
たは窒素のような、加熱処理によって被処理物と反応しない不活性気体が用いられる。
例えば、第１の加熱処理として、６５０℃〜７００℃の高温に加熱した窒素または希ガス
などの不活性ガス雰囲気に基板を移動し、数分間加熱した後、高温に加熱した不活性ガス
中から基板を出すＧＲＴＡを行ってもよい。ＧＲＴＡを用いると短時間での高温加熱処理
が可能となる。
なお、第１の加熱処理においては、窒素、またはヘリウム、ネオン、アルゴンなどの希ガ
スに、水素、水、水酸基または水素化物などが含まれないことが好ましい。または、加熱
処理装置に導入する窒素、またはヘリウム、ネオン、アルゴンなどの希ガスの純度を、６
Ｎ（９９．９９９９％）以上、好ましくは７Ｎ（９９．９９９９９％）以上、（即ち不純
物濃度を１ｐｐｍ以下、好ましくは０．１ｐｐｍ以下）とすることが好ましい。
なお、上記の加熱処理は、酸化物半導体膜１０７を形成した後であればいずれのタイミン
グで行ってもよいが、脱水化または脱水素化を促進させるためには、酸化物半導体膜１０
７の表面に他の構成要素を設ける前に行うのが好適である。また、上記の加熱処理は、一
回に限らず、複数回行っても良い。
ここで、図８（Ａ）の破線部１５３の拡大図を図８（Ｂ）に示す。
酸化物半導体膜１５１は、非晶質を主たる構成とする非晶質領域１５５と、酸化物半導体
膜１５１の表面に形成される結晶粒１５７とを有する。また、結晶粒１５７は、表面から
の距離（深さ）が２０ｎｍ以下の領域（表面近傍）に形成される。ただし、酸化物半導体
膜１５１の厚さが大きくなる場合にはこの限りではない。例えば、酸化物半導体膜１５１
の厚さが２００ｎｍ以上となる場合には、「表面の近傍（表面近傍）」とは、表面からの
距離（深さ）が酸化物半導体膜の厚さの１０％以下である領域をいう。
ここで、非晶質領域１５５は、非晶質酸化物半導体膜を主たる構成としている。なお、「
主たる」とは、例えば、５０％以上を占める状態をいい、この場合には、非晶質酸化物半
導体膜が体積％（または重量％）で５０％以上を占める状態をいうものとする。つまり、
非晶質酸化物半導体膜以外にも、酸化物半導体膜の結晶などを含むことがあるが、その含
有率は体積％（または重量％）で５０％未満であることが望ましいがこれらの範囲に限定
される必要はない。
酸化物半導体膜の材料としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の酸化物半導体を用いる場合には、
上記の非晶質領域１５５の組成は、Ｚｎの含有量（原子％）が、ＩｎまたはＧａの含有量
（原子％）未満となるようにするのが好適である。このような組成とすることにより、所
定の組成の結晶粒１５７を形成することが容易になるためである。
この後、実施の形態３と同様に、ゲート絶縁膜と、ゲート電極として機能する第３の電極
を形成して薄膜トランジスタを作製する。
酸化物半導体膜１５１の表面はゲート絶縁膜と接するため、チャネルとなる。チャネルと
なる領域に結晶粒を有することで、ソース、チャネル、及びドレイン間の抵抗が低減する
と共に、キャリア移動度が上昇する。このため、当該酸化物半導体膜１５１を有する薄膜
トランジスタの電界効果移動度が上昇し、良好な電気特性を実現できる。
また、結晶粒１５７は、非晶質領域１５５と比較して安定であるため、これを酸化物半導
体膜１５１の表面近傍に有することで、非晶質領域１５５に不純物（例えば水素、水、水
酸基または水素化物など）が取り込まれることを低減することが可能である。このため、
酸化物半導体膜１５１の信頼性を向上させることができる。
以上の工程により酸化物半導体膜中の水素の濃度を低減し、高純度化することができる。
それにより酸化物半導体膜の安定化を図ることができる。また、ガラス転移温度以下の加
熱処理で、少数キャリアの数が極端に少なく、バンドギャップの広い酸化物半導体膜を形
成することができる。このため、大面積基板を用いて薄膜トランジスタを作製することが
できるため、量産性を高めることができる。また、当該水素濃度が低減され高純度化され
た酸化物半導体膜を用いることで、高精細化に適し、動作速度が速く、オン時では大電流
を流すことができ、オフ時ではほとんど電流を流さない薄膜トランジスタを作製すること
ができる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態５）
本実施の形態では、図１に示す薄膜トランジスタの作製工程について、図７を用いて説明
する。
実施の形態３と同様に、図７（Ａ）に示すように、基板１０１上に第１の電極１０５を形
成する。
次に、図７（Ｂ）に示すように、第１の電極１０５上に酸化物半導体膜１０７及び第２の
電極１０９を形成する。
なお、酸化物半導体膜をスパッタリング法により形成する前に、アルゴンガスを導入して
プラズマを発生させる逆スパッタを行い、第１の電極１０５の表面に付着しているパーテ
ィクルを除去することで、第１の電極１０５及び酸化物半導体膜の界面における抵抗を低
減することができるため好ましい。なお、アルゴン雰囲気に代えて窒素、ヘリウムなどを
用いてもよい。
基板１０１及び第１の電極１０５上にスパッタリング法により酸化物半導体膜を形成する
。次に、酸化物半導体膜上に導電膜を形成する。
本実施の形態では、酸化物半導体膜をＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系酸化物半導体成膜用ターゲ
ットを用いたスパッタリング法により形成する。本実施の形態では、減圧状態に保持され
た処理室内に基板を保持し、基板を室温以上４００℃未満の温度に加熱する。そして、処
理室内に残留する水素、水、水酸基または水素化物などを除去しつつ、水素、水、水酸基
または水素化物などが除去されたスパッタガスを導入し、基板１０１及び第１の電極１０
５上に酸化物半導体膜を形成する。処理室内に残留する水素、水、水酸基または水素化物
などを除去するためには、吸着型の真空ポンプを用いることが好ましい。例えば、クライ
オポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが好ましい。また
、排気手段としては、ターボポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。ク
ライオポンプを用いて排気した処理室は、例えば、水素、水、水酸基または水素化物（よ
り好ましくは炭素原子を含む化合物）などが排気されるため、当該処理室で形成した酸化
物半導体膜に含まれる不純物の濃度を低減できる。また、クライオポンプにより処理室内
に残留する水素、水、水酸基または水素化物などを除去しながらスパッタ形成を行うこと
で、基板温度が室温から４００℃未満でも水素原子、水などの不純物を低減した酸化物半
導体膜を形成することができる。
本実施の形態では、基板とターゲットの間の距離を１００ｍｍ、圧力０．６Ｐａ、直流（
ＤＣ）電源０．５ｋＷ、酸素（酸素流量比率１００％）雰囲気下での成膜条件が適用され
る。なお、パルス直流（ＤＣ）電源を用いると、成膜時に発生する粉状物質（パーティク
ル、ゴミともいう。）が軽減でき、膜厚分布も均一となるために好ましい。酸化物半導体
膜は好ましくは３０ｎｍ以上３０００ｎｍ以下とする。なお、適用する酸化物半導体膜材
料により適切な厚みは異なり、材料に応じて適宜厚みを選択すればよい。
なお、酸化物半導体膜を形成する際のスパッタリング法及びスパッタリング装置は、絶縁
膜１０３に示したスパッタリング法及びスパッタリング装置を適宜用いることができる。
次に、第２の電極１０９となる導電膜を、第１の電極１０５の材料及び手法を用いて形成
する。
次に、実施の形態３と同様に、第２の電極１０９となる導電膜及び酸化物半導体膜１０７
となる酸化物半導体膜をエッチングして、島状の第２の電極１０９及び島状の酸化物半導
体膜１０７を形成する。所望の形状の酸化物半導体膜１０７及び第２の電極１０９を形成
するために、材料に合わせてエッチング条件（エッチング液、エッチング時間、温度など
）を適宜調節する。
次に、図７（Ｃ）に示すように、実施の形態３と同様に、第１の電極１０５、酸化物半導
体膜１０７、第２の電極１０９上にゲート絶縁膜１１１を形成する。ゲート絶縁膜１１１
は、酸化物半導体膜１０７との界面特性が良好なものとすることが好ましく、μ波（２．
４５ＧＨｚ）を用いた高密度プラズマＣＶＤでゲート絶縁膜１１１を形成することで、緻
密で絶縁耐圧の高い高品質な絶縁膜を形成できるので好ましい。また、ゲート絶縁膜とし
て良質な絶縁膜を形成できるものであれば、スパッタリング法やプラズマＣＶＤ法など他
の形成方法を適用することができる。
なお、ゲート絶縁膜１１１を形成する前に逆スパッタを行い、少なくとも酸化物半導体膜
１０７の表面に付着しているレジスト残渣などを除去することが好ましい。
また、ゲート絶縁膜１１１を形成する前にＮ２Ｏ、Ｎ２、またはＡｒなどのガスを用いた
プラズマ処理によって露出している酸化物半導体膜の表面に付着した水素、水、水酸基ま
たは水素化物などを除去してもよい。また、酸素とアルゴンの混合ガスを用いてプラズマ
処理を行ってもよい。プラズマ処理を行った場合、大気に触れることなく、酸化物半導体
膜の一部に接するゲート絶縁膜１１１を形成することが好ましい。
また、ゲート絶縁膜１１１に、水素、水、水酸基または水素化物などがなるべく含まれな
いようにするために、前処理として、スパッタリング装置の予備加熱室で第１の電極１０
５から第２の電極１０９まで形成された基板１０１を予備加熱し、基板１０１に吸着した
水素、水、水酸基または水素化物などの不純物を脱離し排気することが好ましい。または
、ゲート絶縁膜１１１を形成した後、基板１０１を、スパッタリング装置の予備加熱室で
予備加熱して、基板１０１に吸着した水素、水、水酸基または水素化物などの不純物を脱
離し排気することが好ましい。なお、予備加熱の温度としては、１００℃以上４００℃以
下好ましくは１５０℃以上３００℃以下である。なお、予備加熱室に設ける排気手段はク
ライオポンプが好ましい。なお、この予備加熱の処理は省略することもできる。
ゲート絶縁膜１１１は、第１の電極１０５、酸化物半導体膜１０７、及び第２の電極１０
９側から酸化シリコン膜と窒化シリコン膜とを積層した構造とすることもできる。例えば
、第１のゲート絶縁膜としてスパッタリング法により膜厚５ｎｍ以上３００ｎｍ以下の酸
化シリコン膜（ＳｉＯｘ（ｘ＞０））を形成し、第１のゲート絶縁膜上に第２のゲート絶
縁膜として膜厚５０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の窒化シリコン膜（ＳｉＮｙ（ｙ＞０））を
積層して、ゲート絶縁膜とする。
次に、図７（Ｃ）に示すように、実施の形態３と同様に、ゲート絶縁膜１１１上にゲート
電極として機能する第３の電極１１３を形成する。
以上の工程で、水素濃度が低減された酸化物半導体膜１０７を有する薄膜トランジスタ１
４５を形成することができる。
上記のように酸化物半導体膜を形成する際に、反応雰囲気中に残留する水素、水、水酸基
または水素化物などを除去することで、該酸化物半導体膜中の水素濃度を低減することが
できる。それにより酸化物半導体膜の安定化を図ることができる。
次に、図７（Ｄ）に示すように、実施の形態３と同様に、ゲート絶縁膜１１１及び第３の
電極１１３上に絶縁膜１１７を形成した後、コンタクトホール１１９、１２３を形成する
。
次に、図７（Ｅ）に示すように、実施の形態３と同様に、配線１２５、１２９を形成する
。
なお、絶縁膜１１７の形成後、さらに、実施の形態３と同様に、大気中、１００℃以上２
００℃以下、１時間以上３０時間以下での加熱処理を行ってもよい。この加熱処理によっ
て、ノーマリーオフとなる薄膜トランジスタを得ることができる。よって表示装置や半導
体装置の信頼性を向上できる。
なお、第３の電極１１３及び配線１２５、１２９の間に平坦化のための平坦化絶縁膜を設
けてもよい。
上記のように酸化物半導体膜を形成するに際し、反応雰囲気中に残留する水素、水、水酸
基または水素化物などを除去することで、該酸化物半導体膜中の水素の濃度を低減し、高
純度化することができる。それにより酸化物半導体膜の安定化を図ることができる。また
、ガラス転移温度以下の加熱処理で、少数キャリアの数が極端に少なく、バンドギャップ
の広い酸化物半導体膜を形成することができる。このため、大面積基板を用いて薄膜トラ
ンジスタを作製することができるため、量産性を高めることができる。また、当該水素濃
度が低減され高純度化された酸化物半導体膜を用いることで、高精細化に適し、動作速度
が速く、オン時では大電流を流すことができ、オフ時ではほとんど電流を流さない薄膜ト
ランジスタを作製することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態６）
本実施の形態では、上記実施の形態に示す電界効果型トランジスタ、例えば薄膜トランジ
スタを用いた表示装置の素子基板及び画素の構造について、図９及び図１０を用いて説明
する。
図９は、表示装置の表示部における画素１６０の上面図であり、図９の一点破線Ａ−Ｂ及
びＣ−Ｄの断面図を図１０に示す。
本実施の形態では、画素電極の電位を制御する画素薄膜トランジスタとして、実施の形態
１に示す薄膜トランジスタ１４５を用いて説明するが、適宜その他の実施の形態に示す薄
膜トランジスタを用いることができる。薄膜トランジスタ１４５のソース電極またはドレ
イン電極の一方として機能する第１の電極１０５は、画素電極１６７に接続する。薄膜ト
ランジスタ１４５のソース電極またはドレイン電極の他方として機能する第２の電極１０
９は、導電膜１６５を介して信号線１６１と接続する。また、第１の電極１０５と同じ層
で容量配線１６３が形成される。導電膜１６５及び画素電極１６７は、平坦化のための平
坦化絶縁膜１７１上に形成される。
なお、実施の形態１乃至６に示す薄膜トランジスタは、水素濃度が低減され高純度化され
た酸化物半導体膜を用いているため、オフ電流が低い。このため、画素電極に印加した信
号電圧を保持する容量素子を付加的に設けなくともよい。すなわち、容量配線１６３を設
けなくて済むので、画素の開口率を向上させることができる。
平坦化絶縁膜１７１は、実施の形態３に示した平坦化絶縁膜の材料を適宜用いることがで
きる。
画素電極１６７は、各表示装置にあわせて好ましい導電膜を用いて形成する。
本実施の形態に示す素子基板は、液晶表示装置、発光表示装置、電気泳動表示装置その他
の表示装置に適宜用いることができる。また、画素の構成は図９及び図１０に限定されず
、適宜薄膜トランジスタ、ダイオード、容量素子を設けることができる。
実施の形態１乃至５に示す薄膜トランジスタは微細化が可能であるため、本実施の形態に
示す素子基板を用いることで、高精細な表示装置を作製することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態７）
本実施の形態では、電界効果型トランジスタ、例えば薄膜トランジスタを作製し、該薄膜
トランジスタを、画素部や周辺回路部（駆動回路など）に用いて表示機能を有する半導体
装置（表示装置）を作製する場合について説明する。周辺回路部の一部または全部を、画
素部と同じ基板上に一体形成することにより、システムオンパネルを形成することができ
る。
表示装置は表示素子を含む。表示素子としては液晶素子（液晶表示素子ともいう）や、発
光素子（発光表示素子ともいう）などを用いることができる。発光素子は、電流または電
圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでおり、具体的には無機ＥＬ（Ｅｌｅ
ｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）、有機ＥＬ等が含まれる。また、電子インクなど
、電気的作用によりコントラストが変化する表示媒体を適用しても良い。
また、表示装置は、表示素子が封止された状態にあるパネルと、該パネルにコントローラ
を含むＩＣ等を実装した状態にあるモジュールとを含む。さらに、表示装置を構成する素
子基板は、電流を表示素子に供給するための手段を各画素部に備える。素子基板は、具体
的には、表示素子の画素電極が形成された状態であっても良いし、画素電極となる導電層
の成膜後、エッチング前の状態であっても良い。
以下、本実施の形態では、液晶表示装置の一例について示す。図１１は、第１の基板４０
０１上に形成された薄膜トランジスタ４０１０、薄膜トランジスタ４０１１および液晶素
子４０１３を、第２の基板４００６とシール材４００５によって封止した、パネルの平面
図および断面図である。ここで、図１１（Ａ１）および図１１（Ａ２）は平面図を示し、
図１１（Ｂ）は、図１１（Ａ１）および図１１（Ａ２）のＭ−Ｎにおける断面図に相当す
る。
第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２および走査線駆動回路４００４を囲む
ようにして、シール材４００５が設けられている。また、画素部４００２と走査線駆動回
路４００４の上に、第２の基板４００６が設けられている。つまり、画素部４００２と走
査線駆動回路４００４は、第１の基板４００１とシール材４００５と第２の基板４００６
とによって、液晶層４００８と共に封止されている。また、第１の基板４００１上のシー
ル材４００５によって囲まれる領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半
導体または多結晶半導体で形成された信号線駆動回路４００３が実装されている。
なお、別途形成した駆動回路の接続方法は、特に限定されるものではなく、ＣＯＧ法、ワ
イヤボンディング法、ＴＡＢ法などを適宜用いることができる。図１１（Ａ１）は、ＣＯ
Ｇ法により信号線駆動回路４００３を実装する例であり、図１１（Ａ２）は、ＴＡＢ法に
より信号線駆動回路４００３を実装する例である。
また、第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２と走査線駆動回路４００４は、
薄膜トランジスタを複数有しており、図１１（Ｂ）では、画素部４００２に含まれる薄膜
トランジスタ４０１０と、走査線駆動回路４００４に含まれる薄膜トランジスタ４０１１
を例示している。薄膜トランジスタ４０１０、薄膜トランジスタ４０１１上には絶縁膜４
０２０が設けられている。
薄膜トランジスタ４０１０、薄膜トランジスタ４０１１には、先の実施の形態などに示す
トランジスタを適用することができる。
また、液晶素子４０１３が有する画素電極４０３０は、薄膜トランジスタ４０１０と電気
的に接続されている。そして、液晶素子４０１３の対向電極４０３１は第２の基板４００
６上に形成されている。上記の画素電極４０３０と対向電極４０３１、液晶層４００８に
より、液晶素子４０１３が形成される。なお、画素電極４０３０、対向電極４０３１には
、それぞれ配向膜として機能する絶縁膜４０３２、絶縁膜４０３３が設けられ、画素電極
４０３０および対向電極４０３１は、これらを介して液晶層４００８を挟持している。
なお、第１の基板４００１、第２の基板４００６としては、実施の形態１に示す基板１０
１を適宜用いることができる。また、金属（代表的にはステンレス）、セラミックス、プ
ラスチックなどを用いることができる。プラスチックとしては、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌ
ａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）基板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオラ
イド）フィルム、ポリエステルフィルム、アクリル樹脂フィルムなどを用いることができ
る。また、アルミニウム薄をＰＶＦフィルムやポリエステルフィルムで挟んだ構造のシー
トを用いることもできる。
また、画素電極４０３０と対向電極４０３１との間の距離（セルギャップ）を制御するた
めに、柱状のスペーサ４０３５が設けられている。柱状のスペーサ４０３５は絶縁膜を選
択的にエッチングすることで得られる。なお、柱状のスペーサに代えて球状のスペーサを
用いていても良い。また、対向電極４０３１は、薄膜トランジスタ４０１０と同一基板上
に設けられる共通電位線と電気的に接続される。例えば、一対の基板間に配置される導電
性粒子を介して、対向電極４０３１と共通電位線とを電気的に接続することができる。な
お、導電性粒子はシール材４００５に含有させると良い。
また、配向膜が不要なブルー相を示す液晶を用いてもよい。ブルー相は液晶相の一つであ
り、昇温によってコレステリック相から等方相へ転移する直前に発現する相である。ブル
ー相は狭い温度範囲でしか発現しないため、５重量％以上のカイラル剤を混合させた液晶
組成物を用いると良い。これにより、温度範囲を改善することができる。ブルー相を示す
液晶とカイラル剤とを含む液晶組成物は、応答時間が１０μｓ〜１００μｓと短く、光学
的等方性を有するため配向処理が不要であり、視野角依存性が小さい、といった特徴を有
している。
なお、本実施の形態では透過型液晶表示装置の一例を示しているが、これに限定されず、
反射型液晶表示装置としても良いし、半透過型液晶表示装置としても良い。
また、本実施の形態で示す液晶表示装置では、基板の外側（視認側）に偏光板を設け、内
側に着色層、および表示素子に用いる電極を設ける例について示すが、偏光板は基板の内
側に設けてもよい。また、偏光板と着色層の積層構造も本実施の形態に限定されず、偏光
板及び着色層の材料や作製工程条件によって適宜設定すればよい。また、遮光膜として、
ブラックマスク（ブラックマトリクス）を設けてもよい。
また、本実施の形態では、薄膜トランジスタ起因の表面凹凸を低減するため、先の実施の
形態で得られた薄膜トランジスタを絶縁膜４０２０で覆う構成を採用しているが、開示さ
れる発明はこれに限定されない。
絶縁膜４０２０としては、実施の形態３に示す平坦化絶縁膜の材料を適宜用いることがで
きる。
画素電極４０３０、対向電極４０３１は、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸
化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化
チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す。）、イン
ジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電
性材料を用いることができる。
また、画素電極４０３０、対向電極４０３１に、導電性高分子（導電性ポリマーともいう
）を含む導電性組成物を用いても良い。導電性組成物を用いて形成した画素電極は、シー
ト抵抗が１．０×１０４Ω／ｓｑ．以下、波長５５０ｎｍにおける透光率が７０％以上で
あることが好ましい。また、導電性組成物に含まれる導電性高分子の抵抗率は０．１Ω・
ｃｍ以下であることが好ましい。
導電性高分子としては、いわゆるπ電子共役系導電性高分子が用いることができる。例え
ば、ポリアニリンまたはその誘導体、ポリピロールまたはその誘導体、ポリチオフェンま
たはその誘導体、若しくはこれらの２種以上の共重合体などがあげられる。
信号線駆動回路４００３、走査線駆動回路４００４、画素部４００２などに与えられる各
種信号は、ＦＰＣ４０１８から供給されている。
また、接続端子電極４０１５は、液晶素子４０１３が有する画素電極４０３０と同じ導電
膜から形成され、端子電極４０１６は、薄膜トランジスタ４０１０、薄膜トランジスタ４
０１１のソース電極またはドレイン電極と同じ導電膜で形成されている。
接続端子電極４０１５は、ＦＰＣ４０１８が有する端子と、異方性導電膜４０１９を介し
て電気的に接続されている。
なお、図１１においては、信号線駆動回路４００３を別途形成し、第１の基板４００１に
実装する例を示しているが、本実施の形態はこの構成に限定されない。走査線駆動回路を
別途形成して実装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の一部のみ
を別途形成して実装しても良い。
実施の形態１乃至５に示す薄膜トランジスタは微細化が可能であるため、高精細な液晶表
示装置を作製することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。
（実施の形態８）
本実施の形態では、図１２を参照して半導体装置の一例であるアクティブマトリクス型の
電子ペーパーについて説明する。半導体装置に用いられる薄膜トランジスタ６５０は、先
の実施の形態で示すトランジスタと同様に作製することができる。
図１２に示す電子ペーパーは、ツイストボール表示方式を用いたものの一例である。ツイ
ストボール表示方式とは、白と黒に塗り分けられた球形粒子を第１の電極及び第２の電極
の間に配置し、第１の電極及び第２の電極に電位差を生じさせることによって、ツイスト
ボールの向きを制御して、表示を行う方法である。
基板６００上に設けられた薄膜トランジスタ６５０は開示する発明の一態様に係るトラン
ジスタであり、酸化物半導体膜が、その上方のソース電極またはドレイン電極と、その下
方のソース電極またはドレイン電極とによって挟まれた構造を有している。なお、ソース
電極またはドレイン電極は、絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、第１の電極
６６０と電気的に接続している。基板６０２には第２の電極６７０が設けられており、第
１の電極６６０と第２の電極６７０との間には、黒色領域６８０ａ及び白色領域６８０ｂ
を有するツイストボール６８０が設けられている。また、ツイストボール６８０の周囲は
樹脂等の充填材６８２で満たされている（図１２参照）。図１２において、第１の電極６
６０が画素電極に相当し、第２の電極６７０が共通電極に相当する。第２の電極６７０は
、薄膜トランジスタ６５０と同一基板上に設けられる共通電位線と電気的に接続される。
ツイストボールの代わりに、電気泳動表示素子を用いることも可能である。その場合、例
えば、透明な液体と、正に帯電した白い微粒子と負に帯電した黒い微粒子とを封入した直
径１０μｍ〜２００μｍ程度のマイクロカプセルを用いる。第１の電極と第２の電極によ
って電場が与えられると、白い微粒子と黒い微粒子が互いに逆方向に移動し、白または黒
が表示される。電気泳動表示素子は液晶表示素子に比べて反射率が高いため、補助ライト
が不要であり、また、明るさが十分ではない場所であっても表示部を認識することが可能
である。また、表示部に電源が供給されない場合であっても、一度表示した像を保持する
ことが可能であるという利点も有している。
以上のように、開示する発明を用いることで高性能な電子ペーパーを作製することができ
る。本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが
可能である。
実施の形態１乃至５に示す薄膜トランジスタは微細化が可能であるため、高精細な電子ペ
ーパーを作製することができる。
（実施の形態９）
本実施の形態では、半導体装置として発光表示装置の例を示す。表示装置の有する表示素
子としては、ここではエレクトロルミネッセンスを利用する発光素子を用いて示す。エレ
クトロルミネッセンスを利用する発光素子は、発光材料が有機化合物であるか、無機化合
物であるかによって区別され、一般的に、前者は有機ＥＬ素子、後者は無機ＥＬ素子と呼
ばれている。
有機ＥＬ素子は、発光素子に電圧を印加することにより、一対の電極から電子および正孔
がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャ
リア（電子および正孔）が再結合することにより発光する。このようなメカニズムから、
該発光素子は、電流励起型の発光素子と呼ばれる。
無機ＥＬ素子は、その素子構成により、分散型無機ＥＬ素子と薄膜型無機ＥＬ素子とに分
類される。分散型無機ＥＬ素子は、発光材料の粒子をバインダ中に分散させた発光層を有
するものであり、発光メカニズムはドナー準位とアクセプター準位を利用するドナー−ア
クセプター再結合型発光である。薄膜型無機ＥＬ素子は、発光層を誘電体層で挟み込み、
さらにそれを電極で挟んだ構造であり、発光メカニズムは金属イオンの内殻電子遷移を利
用する局在型発光である。なお、ここでは、発光素子として有機ＥＬ素子を用いて説明す
る。
次に、半導体装置の一形態に相当する発光表示パネル（発光パネルともいう）の外観及び
断面について、図１３を参照して説明する。図１３は、第１の基板４５０１上に形成され
た薄膜トランジスタ４５０９、薄膜トランジスタ４５１０および発光素子４５１１を、第
２の基板４５０６とシール材４５０５によって封止したパネルの平面図および断面図であ
る。ここで、図１３（Ａ）は平面図を示し、図１３（Ｂ）は、図１３（Ａ）のＨ−Ｉにお
ける断面図に相当する。
第１の基板４５０１上に設けられた画素部４５０２、信号線駆動回路４５０３ａ、４５０
３ｂ、走査線駆動回路４５０４ａ、走査線駆動回路４５０４ｂを囲むようにして、シール
材４５０５が設けられている。また、画素部４５０２、信号線駆動回路４５０３ａ、信号
線駆動回路４５０３ｂ、走査線駆動回路４５０４ａ、走査線駆動回路４５０４ｂの上に第
２の基板４５０６が設けられている。つまり、画素部４５０２、信号線駆動回路４５０３
ａ、信号線駆動回路４５０３ｂ、走査線駆動回路４５０４ａ、走査線駆動回路４５０４ｂ
は、第１の基板４５０１とシール材４５０５と第２の基板４５０６とによって、充填材４
５０７と共に密封されている。このように、気密性が高く、脱ガスの少ない保護フィルム
（貼り合わせフィルム、紫外線硬化樹脂フィルム等）やカバー材などを用いてパッケージ
ング（封入）することが好ましい。
また、第１の基板４５０１上に設けられた画素部４５０２、信号線駆動回路４５０３ａ、
信号線駆動回路４５０３ｂ、走査線駆動回路４５０４ａ、走査線駆動回路４５０４ｂは、
薄膜トランジスタを複数有しており、図１３（Ｂ）では、画素部４５０２に含まれる薄膜
トランジスタ４５１０と、信号線駆動回路４５０３ａに含まれる薄膜トランジスタ４５０
９を例示している。
薄膜トランジスタ４５０９、薄膜トランジスタ４５１０は、先の実施の形態において示し
た薄膜トランジスタを適用することができる。
また、発光素子４５１１が有する画素電極である第１の電極４５１７は、薄膜トランジス
タ４５１０のソース電極またはドレイン電極と電気的に接続されている。なお、発光素子
４５１１の構成は、第１の電極４５１７、発光層４５１３、第２の電極４５１４の積層構
造であるが、本実施の形態に示した構成に限定されない。発光素子４５１１から取り出す
光の方向などに合わせて、上記構成は適宜変更することができる。
第１の電極４５１７、第２の電極４５１４において、陰極として機能する電極は、仕事関
数が小さく、光を反射する導電膜を用いることができる。例えば、Ｃａ、Ａｌ、ＭｇＡｇ
、ＡｌＬｉ等の材料を用いて陰極として機能する電極を形成することが望ましい。陽極と
して機能する電極は光を透過する導電性材料を用いて形成する。例えば、酸化タングステ
ンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタン
を含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物、
インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する
導電性材料を用いれば良い。
隔壁４５２０は、有機樹脂膜、無機絶縁膜、有機ポリシロキサンなどを用いて形成する。
特に、感光性を有する材料を用いて第１の電極４５１７上に開口部を形成し、その開口部
の側壁が、連続した曲率を持つ傾斜面となるようにすることが好ましい。
発光層４５１３は、単層で構成されていても、複数の層が積層されるように構成されてい
ても良い。
発光素子４５１１に酸素、水素、水、二酸化炭素等が侵入しないように、第２の電極４５
１４及び隔壁４５２０上に保護膜を形成してもよい。保護膜としては、窒化珪素膜、窒化
酸化珪素膜、ＤＬＣ膜等を形成することができる。
また、信号線駆動回路４５０３ａ、信号線駆動回路４５０３ｂ、走査線駆動回路４５０４
ａ、走査線駆動回路４５０４ｂ、画素部４５０２などに与えられる各種信号は、ＦＰＣ４
５１８ａ、ＦＰＣ４５１８ｂから供給されている。
本実施の形態では、接続端子電極４５１５が、発光素子４５１１の第１の電極４５１７と
同じ導電膜から形成され、端子電極４５１６は、薄膜トランジスタ４５０９や薄膜トラン
ジスタ４５１０のソース電極またはドレイン電極と同じ導電膜から形成される例について
示している。
接続端子電極４５１５は、ＦＰＣ４５１８ａが有する端子と、異方性導電膜４５１９を介
して電気的に接続されている。
発光素子４５１１からの光の取り出し方向に位置する基板は、透光性を有さなければなら
ない。透光性を有する基板としては、ガラス板、プラスチック板、ポリエステルフィルム
、アクリルフィルムなどがある。
充填材４５０７としては、窒素やアルゴンなどの不活性な気体の他に、紫外線硬化樹脂や
熱硬化樹脂などを用いることができる。例えば、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）、アク
リル、ポリイミド、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）、Ｅ
ＶＡ（エチレンビニルアセテート）などを用いることができる。本実施の形態では、充填
材として窒素を用いる例について示している。
必要であれば、発光素子の射出面に偏光板、円偏光板（楕円偏光板を含む）、位相差板（
λ／４板、λ／２板）、カラーフィルタなどの光学フィルムを設けてもよい。また、表面
には反射防止処理を施しても良い。例えば、表面の凹凸により反射光を拡散し、映り込み
を低減できるアンチグレア処理を施すことができる。
信号線駆動回路４５０３ａ、信号線駆動回路４５０３ｂ、走査線駆動回路４５０４ａ、走
査線駆動回路４５０４ｂは、別途用意された基板上の単結晶半導体または多結晶半導体に
よって形成されていても良い。また、信号線駆動回路のみ、若しくはその一部、または走
査線駆動回路のみ、若しくはその一部のみを別途形成して実装しても良く、本実施の形態
は図１３の構成に限定されない。
以上の工程により、高精細な発光表示装置（表示パネル）を作製することができる。本実
施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能であ
る。
（実施の形態１０）
本実施の形態においては、上記実施の形態で説明した表示装置を具備する電子機器の例に
ついて説明する。
図１４（Ａ）は携帯型遊技機であり、筐体９６３０、表示部９６３１、スピーカ９６３３
、操作キー９６３５、接続端子９６３６、記録媒体読込部９６７２等を有することができ
る。図１４（Ａ）に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデー
タを読み出して表示部に表示する機能、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有
する機能等を有することができる。なお、図１４（Ａ）に示す携帯型遊技機が有する機能
はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
図１４（Ｂ）はデジタルカメラであり、筐体９６３０、表示部９６３１、スピーカ９６３
３、操作キー９６３５、接続端子９６３６、シャッターボタン９６７６、受像部９６７７
等を有することができる。図１４（Ｂ）に示すテレビ受像機能付きデジタルカメラは、静
止画を撮影する機能、動画を撮影する機能、撮影した画像を自動または手動で補正する機
能、アンテナから様々な情報を取得する機能、撮影した画像、又はアンテナから取得した
情報を保存する機能、撮影した画像、又はアンテナから取得した情報を表示部に表示する
機能等を有することができる。なお、図１４（Ｂ）に示すテレビ受像機能付きデジタルカ
メラが有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
図１４（Ｃ）はテレビ受像機であり、筐体９６３０、表示部９６３１、スピーカ９６３３
、操作キー９６３５、接続端子９６３６等を有することができる。図１４（Ｃ）に示すテ
レビ受像機は、テレビ用電波を処理して画像信号に変換する機能、画像信号を処理して表
示に適した信号に変換する機能、画像信号のフレーム周波数を変換する機能等を有するこ
とができる。なお、図１４（Ｃ）に示すテレビ受像機が有する機能はこれに限定されず、
様々な機能を有することができる。
図１５（Ａ）はコンピュータであり、筐体９６３０、表示部９６３１、スピーカ９６３３
、操作キー９６３５、接続端子９６３６、ポインティングデバイス９６８１、外部接続ポ
ート９６８０等を有することができる。図１５（Ａ）に示すコンピュータは、様々な情報
（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、様々なソフトウェア（プ
ログラム）によって処理を制御する機能、無線通信又は有線通信などの通信機能、通信機
能を用いて様々なコンピュータネットワークに接続する機能、通信機能を用いて様々なデ
ータの送信又は受信を行う機能等を有することができる。なお、図１５（Ａ）に示すコン
ピュータが有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
次に、図１５（Ｂ）は携帯電話であり、筐体９６３０、表示部９６３１、スピーカ９６３
３、操作キー９６３５、マイクロフォン９６３８等を有することができる。図１５（Ｂ）
に示した携帯電話は、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する機能、
カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報を操作又
は編集する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能等を有
することができる。なお、図１５（Ｂ）に示した携帯電話が有する機能はこれに限定され
ず、様々な機能を有することができる。
次に、図１５（Ｃ）は電子ペーパー（Ｅ−ｂｏｏｋともいう）であり、筐体９６３０、表
示部９６３１、操作キー９６３５等を有することができる。図１５（Ｃ）に示した電子ペ
ーパーは、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する機能、カレンダー
、日付又は時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報を操作又は編集する
機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能等を有することが
できる。なお、図１５（Ｃ）に示した電子ペーパーが有する機能はこれに限定されず、様
々な機能を有することができる。
本実施の形態において述べた電子機器は、表示部を構成する複数の画素において、オフ電
流を低減することができる。そのため、低消費電力化を図ることができる表示装置を具備
する電子機器とすることができる。また開口率の向上を図ることによって、高精細な表示
部を有する表示装置とすることができる。
本実施の形態は、他の実施の形態に記載した構成と適宜組み合わせて実施することが可能
である。

Claims (3)

  1. 第１の電極と、
    第２の電極と、
    前記第１の電極と前記第２の電極との間の酸化物半導体と、
    前記酸化物半導体を囲む環状の第３の電極と、
    前記酸化物半導体と前記第３の電極との間の絶縁膜と、を有し、
    前記酸化物半導体は、前記絶縁膜に接する側にチャネル形成領域を有し、
    前記酸化物半導体は、Ｉｎと、Ｇａと、Ｚｎと、を含み、
    前記酸化物半導体は、二次イオン質量分析法で検出される水素濃度が５×１０１９／ｃｍ３以下であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
  2. 請求項１において、
    前記第１の電極は、ソース電極及びドレイン電極の一方として機能し、
    前記第２の電極は、ソース電極及びドレイン電極の他方として機能し、
    前記第３の電極は、ゲート電極として機能することを特徴とする電界効果型トランジスタ。
  3. 請求項１または請求項２において、
    前記酸化物半導体は、キャリア濃度が１×１０１２／ｃｍ３以下であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。
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