JP2015038962A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2015038962A5 JP2015038962A5 JP2014096477A JP2014096477A JP2015038962A5 JP 2015038962 A5 JP2015038962 A5 JP 2015038962A5 JP 2014096477 A JP2014096477 A JP 2014096477A JP 2014096477 A JP2014096477 A JP 2014096477A JP 2015038962 A5 JP2015038962 A5 JP 2015038962A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring
- substrate
- glass
- board
- component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 23
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 229910004207 SiNx Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000001681 protective Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive Effects 0.000 description 2
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- BDVZHDCXCXJPSO-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Ti+4].[In+3] Chemical compound [O-2].[Ti+4].[In+3] BDVZHDCXCXJPSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 239000005345 chemically strengthened glass Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000875 corresponding Effects 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 gold-tin Chemical group 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 description 1
- 229910052904 quartz Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Description
本技術の配線基板は、上記の製造方法により生成されるようにすることができる。
前記第１および第２のガラス配線基板を接着する樹脂を塗布および圧着する際、凸形状または凹形状からなる塗布領域の広がりを制限するための構造が前記第１または第２のガラス配線基板上に形成されているようにすることができる。
能動素子チップを搭載する前記第２のガラス配線基板の基材の熱膨張係数と、前記能動素子チップの材料の熱膨張係数との差が10ppm/℃以内とすることができる。
前記第１のガラス配線基板に搭載される部品は、半導体装置、受動素子、システム構成に必要な全ての表面実装可能な部品であり、かつ表面実装不可能な部品搭載のための接続部を設けるようにすることができる。
化学強化ガラスからなる外層面をさらに含ませるようにすることができる。
本技術の第１の側面によれば、配線基板を構成するに当たり、ガラス基板に貫通電極（TGV）を形成しても、工程において生じる金属汚染に基づいた能動素子の特性変動の影響を低減し、能動素子を、より安定的に動作させることが可能となる。
＜１．第１の実施の形態＞
＜特性変動を抑制した貫通電極の形成＞
＜Via-Firstプロセス＞
まず、図１を参照して、一般的なVia-Firstプロセスによる貫通電極付ガラス基板の作成方法の詳細について説明する。尚、図１においては、工程に対応したガラス基板Ｇの状態ａ乃至ｅが示されており、それぞれガラス基板Ｇの側面断面であり、図１中の上方の面がガラス基板Ｇの表面であり、図中の下方の面がガラス基板Ｇの裏面である。
＜特性変動を抑制した貫通電極の形成＞
＜Via-Firstプロセス＞
まず、図１を参照して、一般的なVia-Firstプロセスによる貫通電極付ガラス基板の作成方法の詳細について説明する。尚、図１においては、工程に対応したガラス基板Ｇの状態ａ乃至ｅが示されており、それぞれガラス基板Ｇの側面断面であり、図１中の上方の面がガラス基板Ｇの表面であり、図中の下方の面がガラス基板Ｇの裏面である。
ステップＳ１４において、図３の上から３段目の状態ｃで示されるように、ガラス基板Ｇの表面側に、配線および画素電極Ｅ１、TFTＥ２、並びに、保護膜Ｌ１２が形成されて、アレイ基板が生成される。より詳細には、標準的なTFT層、配線層、および画素電極の形成プロセスの場合、まず金属膜が蒸着されて、エッチングによってゲート電極と蓄積コンデンサ用電極が形成される。次に、CVDによって絶縁膜(SiO2,SiNx)が全面に形成され、CVDによってゲートとなるアモルファスシリコン(a-Si)層が連続して堆積されることにより、50nm厚程度まで形成される。続いてエッチングによってチャネル保護膜(SiNx)が形成され、さらに電極との接続性向上とリーク電流の低減のために、燐ドープの半導体層(n+a-Si)が形成された後、３層金属膜(Mo-Al-Mo)が蒸着されて、エッチングによってドレイン層とソース層とが形成される。さらに続いてCVDによって保護膜(SiNx)Ｌ１２が全面に形成されて、エッチングによってコンタクト孔が形成される。最後にスパッタリングによって酸化インジウムチタン(ITiO)膜が全面に蒸着されて、エッチングによって不要な部分が除去されることにより、サブ画素電極が形成される。
極薄の電子機器を実現するには、いわゆるマザーボード上の部品高さが律速要因の一つとなるが、これを解決する手段の一つとして「部品内蔵基板」の活用が挙げられる。部品内蔵基板とは、従来、表面に実装していた能動部品や受動部品を基板の内部に埋め込んだ基板であり、元来は、基板面積の縮小効果に主眼が置かれており、小型化が重要なモバイル機器におけるモジュール基板などで用いられてきた。この技術をシステム基板全体に適用できるようになると、厚みのある部品を基板内に埋め込むことで、最終的な部品実装後のマザーボード全体の厚みを抑えることができ、結果として極薄筐体の実現が期待される。
さらに、部品内蔵基板を含む有機樹脂配線基板は、一般的に配線やビアホールの微細化に限界があり、微細な配線パターンを持つICチップを実装する場合、中継基板となるインタポーザ等を介したパッケージの形で搭載されることが一般的であり、比較的大型の能動素子（IC）については、省面積、低背を実現するフリップチップ方式のベアチップ実装などでも搭載に限界があった。すなわち、最近では、I/O（Input/Output）数の少ない小規模のICチップに関しては、IC側の配線接続パッドのピッチを緩めて直接配線基板へベアチップ実装する例もあるが、ガラスエポキシや銅をコアとした上述の部品内蔵基板では、配線ピッチのミスマッチだけでなく、熱膨張係数のミスマッチの面からも、搭載できるICチップのサイズには限界がある。
図５の下部で示されるように、部品実装基板１１１、配線基板１１２、およびカバーガラス１１３のそれぞれには、１層以上の配線層からなる多層配線１７２が構成されている。キャビティ１５２内に埋め込むIC等の低背部品は、基板同士を貼り合せる前に部品実装基板１１１上に実装しておくため、熱負荷の影響を考慮する必要はなく、半田同士の接合、Au（金）スタッドバンプを用いたAu-Sn（金-スズ）接合、ACF/ACP（Anisotropic Conductive Film/Paste）、NCF/NCP（Non Conductive Film/Paste）などの一般的な実装方法を利用するようにしても良い。また、基板同士の接着の際、基板間の電気的導通を取る接続箇所については、熱に弱い部品が既に実装されている場合、熱負荷の低い接合方法、例えばUV硬化樹脂（UV硬化型異方導電性接着剤）などを接着剤として利用するようにしても良い。また、熱に弱い部品を後から実装する場合、上述した熱負荷の高い他の接合方法を用いるようにしてもよい。尚、配線基板１１２は、上述したように、IC等の半導体装置、受動素子、およびシステム構成に必要な全ての表面実装可能な部品に加え、表面実装不可能な部品を接続するための接続部（不図示）も備えている。
例えば、図１０のCase11の上部で示されるように、配線基板１１２にマイクロ流路２８１を形成させるようにしてもよい。すなわち、図１０のCase11の下部で示されるように、感光性ガラスの露光の際、マイクロ流路２８１のパターンもマスクに含めておき、貫通孔１５１、およびキャビティ１５２を形成するエッチングの際に、同時にマイクロ流路２８１の溝も加工させるようにする。このようにマイクロ流路２８１が形成された配線基板１１２とカバーガラス１１３との貼り合せの際、図１０のCase11の上部で示されるように、高耐湿性の樹脂からなる接着剤（UV硬化樹脂）１７１を用いるようにすることで流路が封止され、最終的なマイクロ流路２８１が形成される。
また、図１０のCase12の上部で示されるように、部品実装基板１１１側に予めマイクロ流路２８１を形成するようにしてもよい。例えば、図１０のCase12の下部で示されるように、部品実装基板１１１を基板１１１ａ，１１１ｂの２枚構成とし、基板１１１ａにマイクロ流路２８１の溝を形成しておき、図１０のCase12の上部で示されるように、基板１１１ａとガラスからなる基板１１１ｂとの貼り合せによってマイクロ流路２８１を形成するようにする。
また、図１１のCase22においては、IC１３２を覆う配線基板１１２のキャビティ１５２内壁に形成した金属膜２９１と、部品実装基板１１１の下層の多層配線１７２ｃによって金属シールド構造が実現される。このキャビティ１５２内の金属膜２９１は、図７を参照して説明した部品内蔵ガラス基板製造処理において、図７の配線基板１１２ｂの貫通電極用のビア２０１の開口時点で同時にキャビティ１５２を形成し、貫通電極への金属膜充填と同時にキャビティ１５２内へも金属膜２９１を形成させるようにしてもよい。また、このキャビティ１５２の段差が以降の配線形成工程の障害となる場合には、図６のフローチャートを参照して説明した全ての工程が完了した後、キャビティ１５２以外の領域をレジスト等で覆い、無電解メッキ等によって形成するようにしてもよい。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014096477A JP6308007B2 (ja) | 2013-07-16 | 2014-05-08 | 配線基板および配線基板の製造方法 |
| US14/327,389 US9723724B2 (en) | 2013-07-16 | 2014-07-09 | Wiring substrate, method of manufacturing wiring substrate, component-embedded glass substrate, and method of manufacturing component-embedded glass substrate |
| CN201410325675.3A CN104299916B (zh) | 2013-07-16 | 2014-07-09 | 配线基板及制造方法，部件嵌入式玻璃基板及制造方法 |
| US15/634,976 US10410884B2 (en) | 2013-07-16 | 2017-06-27 | Wiring substrate, method of manufacturing wiring substrate, component-embedded glass substrate, and method of manufacturing component-embedded glass substrate |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013147551 | 2013-07-16 | ||
| JP2013147551 | 2013-07-16 | ||
| JP2014096477A JP6308007B2 (ja) | 2013-07-16 | 2014-05-08 | 配線基板および配線基板の製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2015038962A JP2015038962A (ja) | 2015-02-26 |
| JP2015038962A5 true JP2015038962A5 (ja) | 2017-04-06 |
| JP6308007B2 JP6308007B2 (ja) | 2018-04-11 |
Family
ID=52319590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014096477A Expired - Fee Related JP6308007B2 (ja) | 2013-07-16 | 2014-05-08 | 配線基板および配線基板の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9723724B2 (ja) |
| JP (1) | JP6308007B2 (ja) |
| CN (1) | CN104299916B (ja) |
Families Citing this family (43)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW201510798A (zh) * | 2013-09-13 | 2015-03-16 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 單片式玻璃觸控屏及其製造方法 |
| KR102244002B1 (ko) * | 2014-02-14 | 2021-04-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 댐 부재 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| JP2015210242A (ja) * | 2014-04-30 | 2015-11-24 | キヤノン株式会社 | 流路デバイス、流路デバイスの製造方法、および検査方法 |
| CN106795044A (zh) * | 2014-10-03 | 2017-05-31 | 日本板硝子株式会社 | 带贯通电极玻璃基板的制造方法以及玻璃基板 |
| US10264669B2 (en) * | 2015-05-01 | 2019-04-16 | Research Triangle Institute | Flexible electronic assemblies with embedded electronic devices and methods for their fabrication |
| TWI561891B (en) | 2016-01-04 | 2016-12-11 | Au Optronics Corp | Pixel array substrate |
| CN105633099B (zh) * | 2016-01-28 | 2018-11-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、其制作方法及显示面板 |
| JP6761592B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2020-09-30 | 大日本印刷株式会社 | 電子デバイス及びその製造方法 |
| JP6848209B2 (ja) * | 2016-05-13 | 2021-03-24 | 大日本印刷株式会社 | 実装基板及びそれを備える電子機器 |
| US10529745B2 (en) | 2016-07-05 | 2020-01-07 | Innolux Corporation | Display device |
| CN107579075B (zh) * | 2016-07-05 | 2020-11-27 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置 |
| JP6627666B2 (ja) * | 2016-07-07 | 2020-01-08 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 回路基板及び電気接続箱 |
| KR102614612B1 (ko) * | 2016-10-25 | 2023-12-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 관통홀을 통해 기판의 앞면과 배면을 연결한 평판 표시장치 |
| CN106653819B (zh) | 2017-02-17 | 2020-02-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板和显示装置 |
| CN107256870A (zh) * | 2017-06-09 | 2017-10-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及制作方法、柔性显示面板、显示装置 |
| CN109390351B (zh) * | 2017-08-02 | 2021-01-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 布线结构及其制备方法、oled阵列基板、显示装置 |
| KR102019349B1 (ko) * | 2017-10-19 | 2019-09-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 패키지 |
| CN109786399B (zh) | 2017-11-13 | 2022-04-05 | 睿生光电股份有限公司 | 检测装置 |
| US10571758B2 (en) | 2018-01-05 | 2020-02-25 | Innolux Corporation | Display device |
| US11910520B2 (en) * | 2018-02-02 | 2024-02-20 | Kuprion Inc. | Thermal management in circuit board assemblies |
| WO2019195375A1 (en) * | 2018-04-03 | 2019-10-10 | Corning Incorporated | Integrated circuit packages having electrical and optical connectivity and methods of making the same |
| US10692799B2 (en) | 2018-06-01 | 2020-06-23 | Innolux Corporation | Semiconductor electronic device |
| US10998361B2 (en) * | 2018-09-22 | 2021-05-04 | Omnivision Technologies, Inc. | Image-sensor package and associated method |
| WO2020077538A1 (zh) * | 2018-10-16 | 2020-04-23 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 具有薄膜晶体管器件的集成装置及其制备方法 |
| TWI671572B (zh) * | 2018-10-22 | 2019-09-11 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板及其製造方法 |
| US11507087B2 (en) * | 2018-11-07 | 2022-11-22 | Gm Cruise Holdings Llc | Distributed integrated sensing and communication module |
| EP3907555A1 (en) | 2019-01-04 | 2021-11-10 | BOE Technology Group Co., Ltd. | Array substrate, manufacturing method therefor, and electronic device |
| JP7449920B2 (ja) | 2019-03-12 | 2024-03-14 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置 |
| CN110265432B (zh) * | 2019-04-11 | 2022-06-07 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
| US11637166B2 (en) * | 2019-04-12 | 2023-04-25 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Array substrate, manufacturing method thereof, and display apparatus |
| CN110400809A (zh) * | 2019-07-24 | 2019-11-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | TFT驱动背板及Micro-LED显示器 |
| US11978685B2 (en) * | 2019-07-25 | 2024-05-07 | Intel Corporation | Glass core patch with in situ fabricated fan-out layer to enable die tiling applications |
| CN110491853B (zh) * | 2019-09-16 | 2024-08-09 | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 | 一种硅基三维扇出集成封装方法及结构 |
| CN111081655B (zh) * | 2019-12-19 | 2021-10-22 | 青岛歌尔智能传感器有限公司 | 电子封装结构及其制作方法 |
| KR20220007754A (ko) * | 2020-07-09 | 2022-01-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이를 포함하는 타일형 표시 장치 |
| KR20220021985A (ko) * | 2020-08-14 | 2022-02-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이를 포함하는 타일형 표시 장치 |
| CN112312654B (zh) * | 2020-08-14 | 2021-09-17 | 珠海越亚半导体股份有限公司 | 一种嵌埋在玻璃介质中的无源器件结构及其制造方法 |
| US11527485B2 (en) * | 2020-08-27 | 2022-12-13 | Intel Corporation | Electrical shield for stacked heterogeneous device integration |
| KR102460449B1 (ko) * | 2021-03-31 | 2022-10-31 | 한국전자기술연구원 | 고주파 캐패시터 및 이의 제조방법 |
| TWI773541B (zh) | 2021-09-27 | 2022-08-01 | 友達光電股份有限公司 | 主動元件基板的製造方法 |
| KR20230099764A (ko) * | 2021-12-27 | 2023-07-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| JP2024046350A (ja) * | 2022-09-22 | 2024-04-03 | Ｔｏｐｐａｎホールディングス株式会社 | 配線基板 |
| CN115857224B (zh) * | 2022-11-23 | 2024-07-09 | 安徽繁盛显示科技有限公司 | 玻璃基板以及显示面板的基板制造方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04238826A (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-26 | Seikosha Co Ltd | ガラスのエッチング方法 |
| JP2873412B2 (ja) * | 1991-11-19 | 1999-03-24 | セイコープレシジョン株式会社 | 感光性ガラスの加工方法 |
| FI119583B (fi) * | 2003-02-26 | 2008-12-31 | Imbera Electronics Oy | Menetelmä elektroniikkamoduulin valmistamiseksi |
| JP4672689B2 (ja) * | 2006-02-22 | 2011-04-20 | 日本板硝子株式会社 | レーザを用いたガラスの加工方法および加工装置 |
| JP5286893B2 (ja) * | 2007-04-27 | 2013-09-11 | 日立化成株式会社 | 接続端子、接続端子を用いた半導体パッケージ及び半導体パッケージの製造方法 |
| US8440916B2 (en) * | 2007-06-28 | 2013-05-14 | Intel Corporation | Method of forming a substrate core structure using microvia laser drilling and conductive layer pre-patterning and substrate core structure formed according to the method |
| JP2011199674A (ja) * | 2010-03-19 | 2011-10-06 | Seiko Instruments Inc | ガラス基板の製造方法、パッケージの製造方法、パッケージ、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
| JP5525618B2 (ja) * | 2010-10-01 | 2014-06-18 | 株式会社メイコー | 部品内蔵基板の製造方法及びこれを用いた部品内蔵基板 |
| EP2644654A1 (en) * | 2010-11-24 | 2013-10-02 | JSR Corporation | Resin composition, insulating film, film forming method, and electronic component |
| TW201238387A (en) * | 2011-01-06 | 2012-09-16 | Asahi Glass Co Ltd | Method and device for manufacturing glass members with sealing material layer, and method for manufacturing electronic devices |
| JP2012216773A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-11-08 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 配線基板及びその製造方法 |
| US10115671B2 (en) * | 2012-08-03 | 2018-10-30 | Snaptrack, Inc. | Incorporation of passives and fine pitch through via for package on package |
-
2014
- 2014-05-08 JP JP2014096477A patent/JP6308007B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-07-09 US US14/327,389 patent/US9723724B2/en active Active
- 2014-07-09 CN CN201410325675.3A patent/CN104299916B/zh not_active Expired - Fee Related
-
2017
- 2017-06-27 US US15/634,976 patent/US10410884B2/en not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2015038962A5 (ja) | ||
| US11004809B2 (en) | Chip package with antenna element | |
| JP6308007B2 (ja) | 配線基板および配線基板の製造方法 | |
| KR102019353B1 (ko) | 팬-아웃 센서 패키지 및 이를 포함하는 광학방식 지문센서 모듈 | |
| TWI413225B (zh) | 半導體結構以及半導體元件的形成方法 | |
| US8334174B2 (en) | Chip scale package and fabrication method thereof | |
| US20080211079A1 (en) | Heat dissipation methods and structures for semiconductor device | |
| WO2020228704A1 (zh) | 一种埋入式封装结构及其制备方法、终端 | |
| JP2017535054A (ja) | 裏面受動構成要素を有する集積回路ダイ、およびそれに関連する方法 | |
| TWI690045B (zh) | 構裝結構、其接合方法及用於其的線路板 | |
| TWI582861B (zh) | 嵌埋元件之封裝結構及其製法 | |
| US9425066B2 (en) | Circuit substrate | |
| TW201618243A (zh) | 雙面覆晶薄膜封裝結構及其製造方法 | |
| KR101341619B1 (ko) | 반도체 패키지 및 그의 제조 방법 | |
| KR102101712B1 (ko) | 브릿지 기판을 포함하는 인쇄회로기판 | |
| WO2019111873A1 (ja) | モジュール | |
| TWI509756B (zh) | 薄膜覆晶封裝結構 | |
| US8653661B2 (en) | Package having MEMS element and fabrication method thereof | |
| TW201906039A (zh) | 測試介面板組件 | |
| TWI520238B (zh) | 半導體封裝件及其製法 | |
| TWI508197B (zh) | 半導體封裝件及其製法 | |
| JP5736714B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| TWI487042B (zh) | 封裝製程 | |
| US20150279771A1 (en) | Semiconductor package and manufacturing method thereof | |
| JP2016213372A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |