CN106653819B - 阵列基板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种阵列基板，包括衬底和设置在衬底上的信号线，所述衬底上还设置有与所述信号线对应的导电件，所述信号线与相应的导电件并联，不同信号线对应的导电件绝缘间隔。相应地，本发明还提供一种显示装置，本发明能够减小信号线的电阻，从而改善显示效果。

Description

阵列基板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板和显示装置。
背景技术
在有机电致发光(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示器件中，每个像素内均设置有有机发光单元和用于为该有机发光单元提供驱动电流的像素电路，像素电路中设置有高电平信号端和低电平信号端，以分别接收高电平信号和低电平信号，高电平信号和低电平信号分别由高电平信号线和低电平信号线提供。目前，高电平信号线和低电平信号线的电阻较大，这就导致不同区域的像素电路接收到的信号不同，从而使得不同区域的有机发光单元的亮度不同，进而影响显示的均一性。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种阵列基板和显示装置，以减小信号线的电阻，从而提高显示均一性。
为了解决上述技术问题之一，本发明提供一种阵列基板，包括衬底和设置在衬底上的信号线，所述衬底上还设置有与所述信号线对应的导电件，所述信号线与相应的导电件并联，不同信号线对应的导电件绝缘间隔。
优选地，所述衬底上还设置有有机发光单元，所述信号线包括高电平信号线和/或低电平信号线。
优选地，所述信号线和导电件分别设置在所述衬底的沿其厚度方向的两侧，所述衬底上与每条信号线对应的区域均形成有至少两个第一过孔，所述衬底上还设置有与各第一过孔分别对应的第一连接件，各个所述第一连接件通过所述第一过孔将所述信号线与相应的导电件并联。
优选地，所述衬底为柔性衬底。
优选地，所述第一连接件包括导电银胶。
优选地，所述导电件与所述信号线设置在所述衬底的沿其厚度方向的同一侧，所述导电件与所述信号线之间设置有绝缘间隔层，所述绝缘间隔层与每个信号线对应的区域均设置有至少两个第二过孔，所述衬底上还设置有与各第二过孔分别对应的第二连接件，各个所述第二连接件通过所述第二过孔将所述信号线与相应的导电件并联。
优选地，形成所述导电件的材料包括石墨铜。
相应地，本发明还提供一种显示装置，包括本发明提供的上述的阵列基板。
相应地，本发明还提供一种显示装置，包括本发明提供的上述阵列基板，所述信号线和导电件分别设置在所述衬底的沿其厚度方向的两侧，所述显示装置还包括柔性线路板，所述柔性线路板包括与所述信号线对应的连接线，
所述柔性电路板的一部分设置在所述衬底形成有信号线的一侧，所述柔性线路板的另一部分翻折至所述衬底形成有导电件的一侧，所述信号线的一端通过相应的连接线与所述导电件相连；
所述衬底上形成有与所述信号线对应的第一过孔，所述衬底上还设置有与各第一过孔分别对应的第一连接件，各个所述第一连接件通过所述过孔将所述信号线的未与连接线连接的位置与相应的导电件相连。
优选地，所述柔性线路板包括柔性基底，所述连接线设置在所述柔性基底朝向所述阵列基板的一侧，所述柔性基底上还设置有绝缘层，所述绝缘层将所述连接线的第一预定连接区和第二预定连接区露出，并将其他区域覆盖，所述第一预定连接区为与信号线相连的区域，所述第二预定连接区为与所述导电件相连的区域，所述第二预定连接区域所述导电件通过第二连接件相连。
优选地，所述第一连接件和所述第三连接件均包括导电银胶。
优选地，所述阵列基板的衬底为柔性衬底。
在本发明中，由于信号线与导电件并联，相当于在信号线上并联了电阻，因而可以降低信号线的电阻。在有机电致发光显示装置中，信号线可以为高电平信号线和低电平信号线，信号线电阻的降低可以减小信号线上的分压，从而使得阵列基板不同位置的像素单元中的有机发光单元的驱动电流相差较小，进而提高显示的均一性。并且，信号线和导电件可以分别设在衬底的两侧，从而使得衬底同时起到承载和绝缘间隔的作用，从而在降低信号线电阻的同时，使得显示装置的厚度较小。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本发明，但并不构成对本发明的限制。在附图中：
图1a是本发明实施例中高电平信号线和低电平信号线均与导电件并联时的正面结构示意图；
图1b是与图1a相对应的背面结构示意图；
图2a是图1a中沿A-A’线的剖视图；
图2b是在制作图1a的结构时形成第一过孔后的结构示意图；
图3a是本发明实施例中高电平信号线与导电件并联时的正面结构示意图；
图3b是与图3a相对应的背面结构示意图；
图4a是阵列基板与柔性线路板相连时的正面结构示意图；
图4b是与图4a对应的背面结构示意图；
图5a是图4a中沿B-B’线的剖视图；
图5b是图4b中沿C-C’线的剖视图。
其中，附图标记为：
10、衬底；11、第一连接件；12、导电件；VDD、高电平信号线；VSS、低电平信号线；VSS1、信号传输部；VSS2、连接部；v1、第一过孔；v3、第三过孔；20、柔性线路板；21、连接线；22、柔性基底；23、第三连接件；24、绝缘层。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。
作为本发明的一方面，提供一种阵列基板，结合图1a至图3b所示，阵列基板包括衬底10和设置在衬底10上的信号线(如图1a中的高电平信号线VDD和低电平信号线VSS)，衬底10上还设置有与所述信号线对应的导电件12，所述信号线与相应的导电件12并联，不同信号线对应的导电件12绝缘间隔。其中，所述信号线与相应的导电件12并联是指，信号线上至少两个不同位置分别与导电件上的两个不同位置对应相连，从而使得信号线与导电件12并联后的电阻小于信号线的原始电阻。
所述信号线用于向像素单元提供电信号，当信号线的电阻较大时，信号线上的分压也就较大，因此，即使在显示同一亮度的情况下，不同区域的像素单元接收到的电信号并不相同，导致不同区域的实际亮度并不相同，显示均一性降低。而本发明中，由于信号线与导电件12并联，相当于在信号线上并联了电阻，因而可以降低信号线的电阻，减小信号线上的分压，从而使得阵列基板不同位置的像素单元接收到的电信号相差较小，进而提高显示的均一性。
其中，所述阵列基板尤其适用于有机电致发光((Organic Light EmittingDiode，OLED)显示装置中，即，衬底10上还设置有有机发光单元(未示出)。这时，所述信号线包括高电平信号线VDD和/或低电平信号线VSS。在有机电致发光显示装置中，像素单元内设置有像素驱动电路，用于为有机发光单元提供驱动电流，以驱动有机发光单元发光。当高电平信号线VDD和/或低电平信号VSS的电阻降低时，高电平信号线VDD和/或低电平信号线VSS上的分压减小，不同区域的像素驱动电路上的高电平信号端和低电平信号端接收到的信号差异减小，从而使得不同区域的像素驱动电路提供给相应的有机发光单元的驱动电流差异减小，进而提高显示均一性，改善显示效果。
可以理解的是，同一信号线可以与同一个导电件12，也可以同时并联多个的导电件12，结合图1a和图1b所示，高电平信号线VDD的两部分分别与两个导电件12并联、低电平信号线VSS的两部分也分别与两个导电件12并联，这种情况下，为了使得高、低电平信号线并连后的电阻分布更均匀，以高电平信号线VDD为例，当高电平信号线VDD的两部分原本的电阻相同时，将其对应的两个导电件12的形状、大小也设置为相同(如图1b中左右两侧的两个导电件12大小、形状相同；中间的两个导电件12的大小、形状相同)，从而使得高电平信号线VDD的不同部分在分别并联导电件12之后的电阻也是相同的。
由于阵列基板上的走线较多，因此，为了防止导电件12的设置影响其他信号线或导电结构，可以将导电件12与信号线设置在绝缘间隔的不同层中。优选地，结合图1a至图3b，所述信号线和导电件12分别设置在衬底10的沿其厚度方向的两侧，衬底10上与每条信号线对应的区域均形成有至少两个第一过孔v1，衬底10上还设置有与各第一过孔v1分别对应的第一连接件11，各个第一连接件11通过第一过孔v1将所述信号线与相应的导电件12并联。将信号线和导电件12分别设置在衬底10的两侧时，衬底10可以同时起到承载和绝缘间隔的作用，从而可以在减小信号线电阻的同时，使得阵列基板达到较小的厚度。
其中，形成导电件12的材料可以为透明导电材料，也可以为非透明导电材料。如上文所述，所述阵列基板尤其适用于有机电致发光显示装置中，这时，即使使用非透明材料制作导电件12，也不会影响显示。具体地，形成导电件12的材料可以包括导电性能较好的石墨铜。
为了便于在衬底10上形成过孔，优选地，衬底10为柔性衬底，其具体材料可以包括聚酰亚胺(PI)，在制作第一过孔v1时，可以采用激光打孔的方式。
具体地，信号线可以在阵列基板的非显示区与导电件12并联，即，用于将信号线和导电件12并联的第一过孔v1和第一连接件11设置在非显示区。制作过程中，可以先在衬底10上形成信号线、薄膜晶体管阵列以及有机电致有机发光单元等结构，得到现有技术中的阵列基板；然后，再通过激光打孔的方式形成同时贯穿信号线和衬底10的第一过孔v1(如图2b所示)；之后，通过贴附金属层的方式在衬底10的另一侧形成导电件12；最后，在对应每个第一过孔v1的位置均形成第一连接件11，从而使所述第一连接件11通过第一过孔v1将信号线与相应的导电件12电连接(如图2a所示)。
其中，第一连接件11可以包括导电银胶。在上述制作过程中，直接向贯穿信号线和衬底的第一过孔v1中滴注即可，不需要进行构图，从而简化制作工艺。当然，第一过孔v1也可以只贯穿衬底10，并设置在信号线旁边，这时，第一连接件11可以采用导电膜层的结构，一端设置在信号线上而与信号线连接；另一端沉积在第一过孔v1中，与导电件12相连。
信号线具体还可以包括信号传输部VSS1和连接部VSS2(如图1a和图4a所示)，信号传输部VSS1和连接部VSS2电连接，第一过孔v1可以设置在对应于信号传输部VSS1的位置，以使得第一连接件11通过第一过孔v1将信号传输部VSS1与导电件12相连；也可以设置在对应于连接部VSS2的位置，以使得第一连接件11通过第一过孔v1将连接部VSS2与导电件12相连。
如图3a所示，当所述信号线仅包括高电平信号线VDD时，导电件12可以为形成衬底10上的整层膜层，从而更大程度地降低信号线的电阻；衬底10上对应信号线的位置均匀设置多个第一过孔v1。当信号线包括高电平信号线VDD和低电平信号VSS时，在保证高电平信号线VDD和低电平信号线VSS分别对应的导电件12绝缘间隔的前提下，可以高电平信号线VDD和低电平信号线VSS在衬底10上覆盖的面积尽量大，以尽量减小其电阻，从而尽可能地减小高电平信号线VDD与导电件12并联后的电阻以及低电平信号线VSS与导电件12并联后的电阻。
当然，除了上述将导电件12和信号线分别设置在衬底10两侧的结构以外，还可以将导电件12和信号线设置在衬底10的沿其厚度方向的同一侧，且导电件12与所述信号线设置在不同层中(未给出相应的示图)。导电件12与所述信号线之间设置有绝缘间隔层，绝缘间隔层与每个信号线对应的区域均设置有至少两个第二过孔，衬底10上还设置有与各第二过孔分别对应的第二连接件，各个所述第二连接件通过所述第二过孔将所述信号线与相应的导电件12并联。和第一过孔类似地，第二过孔也可以同时贯穿绝缘间隔层和信号线，且第二连接件也可以为注入在第二过孔内的导电银胶。
作为本发明的第二个方面，提供一种显示装置，包括上述阵列基板。即，阵列基板的衬底10上设置有信号线和相应的导电件12，信号线与相应的导电件12并联。并且，所述阵列基板可以包括有机发光单元，这时，信号线包括高电平信号线VDD和低电平信号线VSS，所述显示装置还可以包括用于对阵列基板的显示区进行封装的封装层。
所述显示装置的第一种结构可以为：如上文所述，在阵列基板中，信号线和导电件12分别设置在衬底10的两侧，衬底10上对应信号线的位置形成至少两个第一过孔v1，衬底10上还设置第一连接件11，各个第一连接件11通过第一过孔v1将信号线和导电件12并联。或者，信号线和导电件12均设置在衬底10的同一侧，信号线与导电件12之间设置绝缘间隔层，绝缘间隔层上设置有多个第二过孔，信号线和导电件12通过各个穿过第二过孔的第二连接件相连。
所述显示装置的第二种结构可以为：如图4a至图5b所示，其包括阵列基板和柔性线路板20，阵列基板中信号线(如图4a中的高电平信号线VDD和低电平信号线VSS)和导电件12分别设置在衬底10的沿其厚度方向的两侧。柔性线路板20与阵列基板、驱动电路板(未示出)相连，以使得驱动电路板通过柔性线路板20为阵列基板提供驱动信号。柔性线路板20包括与信号线对应的连接线21，柔性电路板20的一部分设置在衬底10形成有信号线的一侧，柔性线路板20的另一部分翻折至衬底10形成有导电件12的一侧，所述信号线的一端通过相应的连接线21与导电件12相连。衬底10上形成有与所述信号线对应的第一过孔v1，第一过孔v1贯穿衬底10，衬底10上还设置有与各第一过孔v1分别对应的第一连接件11，各个第一连接件11通过第一过孔v1将所述信号线的未与连接线21连接的位置与相应的导电件12相连。
需要说明的是，所述“与信号线对应的第一过孔v1”，可以为：第一过孔v1同时贯穿信号线未与连接线21连接的位置和衬底10；或者，第一过孔v1设置在信号线的旁边。
可见，在显示装置的第一种结构中，信号线是通过两个或两个以上第一过孔v1内的第一连接件11实现与导电件12的并联；在显示装置的第二种结构中，所述信号线通过衬底上第一过孔v1内的第一连接件11和柔性线路板20上的连接线21实现与导电件12的并联。在第二种结构中，衬底10同样采用柔性衬底，以便于打孔。
进一步具体地，在显示装置的第二种结构中，如图5b所示，柔性线路板20包括柔性基底22，连接线21设置在所述柔性基底22朝向所述阵列基板的一侧。柔性基底22上还设置有绝缘层24，绝缘层24将连接线21的第一预定连接区和第二预定连接区露出，并将其他区域覆盖，所述第一预定连接区为与信号线相连的区域，所述第二预定连接区为与导电件12相连的区域，所述第二预定连接区域与所述导电件12通过第三连接件23相连。其中，第一连接件11和第三连接件23均可以包括导电银胶。
以上为对本发明提供的阵列基板和显示装置的描述，可以看出，由于信号线与导电件并联，相当于在信号线上并联了电阻，因而可以降低信号线的电阻。在有机电致发光显示装置中，信号线可以为高电平信号线和低电平信号线，信号线电阻的降低可以减小信号线上的分压，从而使得阵列基板不同位置的像素单元中的有机发光单元的驱动电流相差较小，进而提高显示的均一性。并且，信号线和导电件可以分别设在衬底的两侧，从而使得衬底同时起到承载和绝缘间隔的作用，从而在降低信号线电阻的同时，使得显示装置的厚度较小。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (7)

1.一种显示装置，其特征在于，包括阵列基板，所述阵列基板包括衬底和设置在衬底上的信号线，所述衬底上还设置有与所述信号线对应的导电件，所述信号线与相应的导电件并联，不同信号线对应的导电件绝缘间隔；同一信号线与多个导电件并联，该多个导电件与所述信号线的不同部分并联；所述信号线和导电件分别设置在所述衬底的沿其厚度方向的两侧，所述显示装置还包括柔性线路板，所述柔性线路板包括与所述信号线对应的连接线，
所述柔性线路板的一部分设置在所述衬底形成有信号线的一侧，所述柔性线路板的另一部分翻折至所述衬底形成有导电件的一侧，所述信号线的一端通过相应的连接线与所述导电件相连；
所述衬底上形成有与所述信号线对应的第一过孔，所述衬底上还设置有与各第一过孔分别对应的第一连接件，各个所述第一连接件通过所述第一过孔将所述信号线的未与连接线连接的位置与相应的导电件相连；
所述柔性线路板包括柔性基底，所述连接线设置在所述柔性基底朝向所述阵列基板的一侧，所述柔性基底上还设置有绝缘层，所述绝缘层将所述连接线的第一预定连接区和第二预定连接区露出，并将其他区域覆盖，所述第一预定连接区为与信号线相连的区域，所述第二预定连接区为与所述导电件相连的区域，所述第二预定连接区与所述导电件通过第三连接件相连。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述衬底上还设置有有机发光单元，所述信号线包括高电平信号线和/或低电平信号线。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述衬底上与每条信号线对应的区域均形成有至少两个第一过孔，所述衬底上还设置有与各第一过孔分别对应的第一连接件，各个所述第一连接件通过所述第一过孔将所述信号线与相应的导电件并联。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述衬底为柔性衬底。
5.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述第一连接件包括导电银胶。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的显示装置，其特征在于，形成所述导电件的材料包括石墨铜。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述第三连接件均包括导电银胶。
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106653819B (zh) * 2017-02-17 2020-02-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和显示装置
CN107123666A (zh) * 2017-05-27 2017-09-01 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN109390351B (zh) * 2017-08-02 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 布线结构及其制备方法、oled阵列基板、显示装置
CN109192767B (zh) * 2018-11-01 2020-08-21 武汉天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
TWI678803B (zh) 2018-12-26 2019-12-01 友達光電股份有限公司 顯示裝置
CN109638062B (zh) * 2019-01-14 2020-12-08 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板行驱动结构及制作方法、阵列基板、显示面板
CN110047896B (zh) * 2019-04-25 2022-09-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制造方法、显示装置
CN110176481B (zh) * 2019-06-14 2021-04-20 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及其制作方法、显示装置
CN111092108B (zh) * 2019-12-30 2022-09-09 上海天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
CN111474785A (zh) 2020-05-12 2020-07-31 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 液晶显示面板
CN113589969A (zh) * 2021-07-30 2021-11-02 昆山国显光电有限公司 显示面板和显示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101841004A (zh) * 2004-05-21 2010-09-22 株式会社半导体能源研究所 照明装置
CN104752439A (zh) * 2015-01-05 2015-07-01 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种阵列基板、显示装置及阵列基板制造方法
CN105976701A (zh) * 2015-03-10 2016-09-28 三星显示有限公司 显示装置和便携式终端

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11161207A (ja) 1997-11-28 1999-06-18 Toshiba Corp 機能素子アレイおよびこれを用いた画像表示装置
US6657130B2 (en) * 2001-09-20 2003-12-02 International Business Machines Corporation Electrical and physical design integration method and apparatus for providing interconnections on first level ceramic chip carrier packages
GB0220613D0 (en) 2002-09-05 2002-10-16 Koninkl Philips Electronics Nv Electroluminescent display devices
KR101298547B1 (ko) 2008-08-07 2013-08-22 엘지디스플레이 주식회사 횡전계형 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조 방법
WO2011002031A1 (ja) * 2009-06-30 2011-01-06 三洋電機株式会社 素子搭載用基板および半導体モジュール
KR20120079351A (ko) 2011-01-04 2012-07-12 삼성모바일디스플레이주식회사 유기발광 표시장치 및 그 제조방법
JP5887537B2 (ja) * 2011-04-25 2016-03-16 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 回路基板
JP2013040981A (ja) 2011-08-11 2013-02-28 Sony Corp 表示装置および電子機器
KR102076666B1 (ko) * 2013-04-11 2020-02-12 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시패널
CN103296033B (zh) 2013-05-28 2016-05-11 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法
JP6308007B2 (ja) * 2013-07-16 2018-04-11 ソニー株式会社 配線基板および配線基板の製造方法
CN103560134B (zh) 2013-10-31 2016-11-16 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制作方法、显示装置
US9627649B2 (en) * 2013-11-26 2017-04-18 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
CN103715205B (zh) 2013-12-31 2016-04-13 京东方科技集团股份有限公司 Amoled阵列基板及显示装置
KR102357508B1 (ko) * 2014-09-04 2022-02-04 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN104253148B (zh) * 2014-09-23 2017-08-25 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管阵列基板及其制作方法、显示装置
CN104576694A (zh) * 2014-12-17 2015-04-29 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示装置及其制造方法
KR102542179B1 (ko) * 2015-11-23 2023-06-13 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치 및 그 제조방법
CN106653819B (zh) * 2017-02-17 2020-02-14 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板和显示装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101841004A (zh) * 2004-05-21 2010-09-22 株式会社半导体能源研究所 照明装置
CN104752439A (zh) * 2015-01-05 2015-07-01 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种阵列基板、显示装置及阵列基板制造方法
CN105976701A (zh) * 2015-03-10 2016-09-28 三星显示有限公司 显示装置和便携式终端

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