JP7449920B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7449920B2 JP7449920B2 JP2021505540A JP2021505540A JP7449920B2 JP 7449920 B2 JP7449920 B2 JP 7449920B2 JP 2021505540 A JP2021505540 A JP 2021505540A JP 2021505540 A JP2021505540 A JP 2021505540A JP 7449920 B2 JP7449920 B2 JP 7449920B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass substrate
- semiconductor device
- bonded
- image sensor
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 101
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 113
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 111
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 claims description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 22
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 8
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 5
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 38
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 9
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 8
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N Acetaminophen Chemical compound CC(=O)NC1=CC=C(O)C=C1 RZVAJINKPMORJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Eagle-XG and EN-A1 Substances 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017315 Mo—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000005297 pyrex Substances 0.000 description 1
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14618—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/13—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
- H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
- H01L23/15—Ceramic or glass substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14623—Optical shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
Description
本技術は、半導体装置に関する。詳しくは、基板に半導体素子を接合して、放熱部材を備えた半導体装置に関する。
半導体微細加工技術を応用したＣＣＤ（Charge Coupled Device）やＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサ等の撮像素子は、デジタルカメラや携帯電話等に広く採用されている。これらの撮像素子はレンズ構造体を装着することでカメラモジュールとして電子機器に搭載される。このカメラモジュールを小型化および薄型化するため、例えば、パッケージ部材に表裏貫通する矩形状の開口孔を形成して、開口孔の一端側に撮像素子を設けた撮像デバイスが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
上述の従来技術では、表裏貫通する開口孔をパッケージ部材に形成することにより、モジュールとしての小型化および薄型化を図っている。しかしながら、この従来技術では、パッケージ部材を樹脂成形品で構成することを前提としており、パッケージ部材と撮像措置との間の線膨張係数差によって反りが生じるおそれがある。特に、撮像素子を実装する場合、反りなどが生じて平坦性が確保できないと撮像素子に入射する光の焦点ずれが発生し、撮像により得られる画像の画質が低下するおそれがある。
本技術はこのような状況に鑑みて生み出されたものであり、基板と他の材料との間の線膨張係数差に起因する影響を解消して、半導体素子の安定した実装構造を確保することを目的とする。
本技術は、上述の問題点を解消するためになされたものであり、その第１の側面は、表裏面を貫通する貫通孔および上記貫通孔の外周に段差部を備えるガラス基板と、上記段差部に接合された半導体素子とを具備する半導体装置である。これにより、ガラス基板と半導体素子との線膨張係数の差を小さくして、線膨張係数差に起因する反りやアオリを抑制するという作用をもたらす。
また、この第１の側面において、上記ガラス基板は、その表面に配線層を備えてもよい。ガラス基板としての使用態様を想定したものである。そして、上記半導体素子は、その表面が上記配線層と実質的に同一平面上になる位置に配置されるようにしてもよい。これにより、半導体素子および配線層をガラス基板に内包させて、半導体装置を低背化するという作用をもたらす。
また、この第１の側面において、上記段差部は、上記貫通孔の外周に設けられた第１の段差部と、上記第１の段差部の外周に設けられた第２の段差部とを備え、上記半導体素子は、上記第１の段差部に接合されるようにしてもよい。これにより、半導体素子の実装位置を低く抑えるという作用をもたらす。
また、この第１の側面において、上記ガラス基板は、その表面および上記第２の段差部の各々に配線層を備えてもよい。ガラス基板としての使用態様を想定したものである。そして、上記半導体素子は、その表面が上記第２の段差部の底面の配線層と実質的に同一平面上になる位置に配置されるようにしてもよい。これにより、半導体素子および配線層をガラス基板に内包させて、半導体装置を低背化するという作用をもたらす。
また、この第１の側面において、上記半導体素子は、例えば撮像素子であることを想定する。このとき、上記半導体素子は、上記撮像素子の受光部とは反対側の面において上記ガラス基板と接合されるようにしてもよい。これにより、半導体素子とガラス基板との接合面積を確保するという作用をもたらす。一方、上記半導体素子は、上記撮像素子の受光部とは反対側の面において上記ガラス基板と接合されるようにしてもよい。これにより、放熱面積を確保するという作用をもたらす。
また、この第１の側面において、上記半導体素子と接合する放熱部材をさらに具備してもよい。これにより、放熱性を向上させるという作用をもたらす。この場合において、上記放熱部材は、上記ガラス基板にさらに接合されてもよい。これにより、放熱性をさらに向上させるという作用をもたらす。このとき、上記放熱部材は、可撓性の放熱シートを利用してもよい。また、上記放熱部材は、クラッド材を利用してもよい。これにより、シリコンとの線膨張係数の差を小さくして、線膨張係数差に起因する反りやアオリを抑制するという作用をもたらす。
また、この第１の側面において、上記ガラス基板は、上記貫通孔における開口部の側面がテーパー状であってもよい。製造工程においてウェットエッチングを利用した際にはこのようなテーパー状となるのが通常である。一方、上記ガラス基板は、上記貫通孔における開口部の側面が上記ガラス基板の表面に対し略垂直であってもよい。そのためには、レーザー照射を組み合わせることが考えられる。これにより、平面方向に小型化するという作用をもたらす。
また、この第１の側面において、上記ガラス基板は、互いに接合された少なくとも２つの基材を備えてもよい。これにより、平坦性を高く加工し、段差部の側面を垂直に形成するという作用をもたらす。
また、この第１の側面において、上記ガラス基板の上記貫通孔における開口部の側面を覆う遮光性を有する樹脂をさらに具備してもよい。これにより、ガラス基板に撮像素子を搭載した場合に、ガラス基板における外光による撮像素子への影響を回避するという作用をもたらす。
また、この第１の側面において、複数のレンズが積層されたレンズ構造体をさらに具備し、上記撮像素子は、上記複数のレンズによって集光された光が入射されるようにしてもよい。これにより、半導体装置に光学系を一体化するという作用をもたらす。
また、この第１の側面において、上記ガラス基板は、上記貫通孔を複数備え、上記複数の貫通孔の各々の上記段差部に接合される上記半導体素子を複数備えるようにしてもよい。これにより、撮像素子を複眼化するという作用をもたらす。
以下、本技術を実施するための形態（以下、実施の形態と称する）について説明する。説明は以下の順序により行う。
１．第１の実施の形態（ガラス基板に貫通孔を形成した例）
２．第２の実施の形態（段差部を２段設けた例）
３．第３の実施の形態（受光面の外周で接合した例）
４．第４の実施の形態（側面を垂直に加工した例）
５．第５の実施の形態（２つの基材を貼り合せて段差部を形成した例）
６．第６の実施の形態（２つの撮像素子を実装した例）
１．第１の実施の形態（ガラス基板に貫通孔を形成した例）
２．第２の実施の形態（段差部を２段設けた例）
３．第３の実施の形態（受光面の外周で接合した例）
４．第４の実施の形態（側面を垂直に加工した例）
５．第５の実施の形態（２つの基材を貼り合せて段差部を形成した例）
６．第６の実施の形態（２つの撮像素子を実装した例）
＜１．第１の実施の形態＞
［実装構造］
図１は、本技術の第１の実施の形態における半導体装置の一例を示す断面図である。
［実装構造］
図１は、本技術の第１の実施の形態における半導体装置の一例を示す断面図である。
この半導体装置は、ガラス基板１００の貫通孔にイメージセンサパッケージ２００が接合され、イメージセンサパッケージ２００の受光面の反対面に放熱部材３００が接合されたパッケージ構造である。イメージセンサパッケージ２００の受光面側には、リッド４００およびレンズ構造体５００が設けられている。
ガラス基板１００には、表裏の主面から開口面積の異なるザグリ加工が施されて貫通され、段差面が形成されている。このガラス基板１００の段差面には、イメージセンサパッケージ２００が当接して接合されている。また、貫通孔から露出したイメージセンサパッケージ２００の受光面の反対面には放熱部材３００が接合されている。なお、イメージセンサパッケージ２００は、特許請求の範囲に記載の半導体素子の一例である。
ガラス基板１００は、ガラスを材料とする基板である。このガラス基板１００としては、シリコン（Ｓｉ）と線膨張係数（ＣＴＥ：Coefficient of Thermal Expansion）の近い材料が用いられる。具体的には、Ｅａｇｌｅ―ＸＧ、ＥＮ―Ａ１等の無アルカリガラスや、ＰＹＲＥＸ（登録商標）等のホウケイ酸ガラス等を利用することができる。なお、シリコンの線膨張係数は３ｐｐｍ／℃であり、上述の材料を用いたガラス基板１００の線膨張係数は３乃至４ｐｐｍ／℃程度である。
放熱部材３００は、ガラス基板１００において発生した熱を放熱するものである。この放熱部材３００としては、ＣＩＣ（Cupper-Inver-Cupper）やＣＭＣ（Cu-Mo-Cu）等のクラッド材を用いられる。このクラッド材を用いることにより、シリコンとの線膨張係数の差を小さくすることができる。ここで、銅（Ｃｕ）の線膨張係数は１６ｐｐｍ／℃、インバー（Inver）の線膨張係数は１．２ｐｐｍ／℃、モリブデン（Mo）の線膨張係数は５．１ｐｐｍ／℃である。クラッド材としての線膨張係数は８乃至１３ｐｐｍ／℃程度である。したがって、放熱のために銅板（線膨張係数１６ｐｐｍ／℃）などを用いるよりも有利であることが分かる。
すなわち、ガラス基板１００とイメージセンサパッケージ２００との間、および、放熱部材３００とイメージセンサパッケージ２００と間の線膨張係数の差を小さくして、線膨張係数差に起因する反りやアオリを抑制することができる。
ガラス基板１００の上下面から異なる開口面積のザグリがつながることにより貫通孔が形成され、貫通孔の周囲に段差部が形成されている。この例では、段差部の開口部の側面はテーパー状に形成されている。撮像素子および処理回路等からなるイメージセンサパッケージ２００は、例えばＷＬＰ（Wafer Level Package）で形成された後、個片化され、受光部とは反対面のガラス基板１００の段差部と当接されてマウントされる。
ガラスのザグリ加工は底面の平坦度が数μｍ以下であり、ガラス表面と段差部の高さばらつきも十数μｍ以下と小さいため、初期的な形状ばらつきによる反りやアオリも低減することができる。
イメージセンサパッケージ２００の受光面にはパッドが形成され、ガラス基板１００の表面に配線層１４０として形成された一部であるパッドとボンディングワイヤ２１０によってボンディングされている。
イメージセンサパッケージ２００の受光面側には受光部を取り囲むようにダム材２３０が形成され、ダム材２３０の外周部からザグリ側面に亘って遮光樹脂２２０によってポッティングされている。なお、遮光樹脂２２０は、特許請求の範囲に記載の遮光樹脂２２０の一例である。
ガラス基板１００の表面には、イメージセンサパッケージ２００を保護するためにリッド４００が被せられている。リッド４００には遮光膜４１０がパターニングされており、受光部に入射する光を制限している。
さらに、ガラス基板１００の表面にはリッド４００を覆うようにレンズ構造体５００が被せられ、光が集光される。このレンズ構造体５００によって集光された光は、イメージセンサパッケージ２００の受光面に入射される。
同図において、ｔ１はガラス基板１００の表面側のザグリの深さであり、ｔ２はガラス基板１００の裏面のザグリの深さである。すなわち、ｔ１はガラス基板１００の表面から段差部までの距離を表している。ここで、ｔ１はイメージセンサパッケージ２００の厚さと実質的に同じとすることが好ましい。これにより、ガラス基板１００側のパッドとイメージセンサパッケージ２００側のパッドとの高さが実質的に同じとなり、ボンディングワイヤ２１０のループ高さを低くすることができ、ボンディングワイヤ２１０とリッド４００との干渉を低減することができる。
このように、本技術の第１の実施の形態によれば、ガラス基板１００の貫通孔の外周に設けた段差部にイメージセンサパッケージ２００を接合することにより、線膨張係数差に起因する基準面および受光面の反りやアオリを低減して、安定した実装構造を確保することができる。また、実装部品をガラス基板１００に内包することができるため、半導体装置を低背化することができる。
［第１の変形例］
図２は、本技術の第１の実施の形態における半導体装置の第１の変形例を示す断面図である。
図２は、本技術の第１の実施の形態における半導体装置の第１の変形例を示す断面図である。
上述の第１の実施の形態では、イメージセンサパッケージ２００の受光面のパッドとガラス基板１００の表面の配線層１４０との間をボンディングワイヤ２１０によって電気的に接続していた。これに対し、この第１の変形例では、ガラス基板１００における段差部とガラス基板１００の裏面とをつなぐ貫通電極１６０を設けて、この貫通電極１６０を利用して電気的接続を行う。これにより、イメージセンサパッケージ２００の裏面から電極を取り出して受光面側でボンディングワイヤ２１０を形成する必要がなくなるため、ボンディングワイヤ２１０とリッド４００との間の干渉を解消することができる。
［第２の変形例］
図３は、本技術の第１の実施の形態における半導体装置の第２の変形例を示す断面図である。
図３は、本技術の第１の実施の形態における半導体装置の第２の変形例を示す断面図である。
上述の第１の実施の形態では、放熱部材３００としてクラッド材を用いていた。これに対し、この第２の変形例では、可撓性を有する放熱シートであるグラファイトシートを放熱部材３１０として用いる。放熱部材３１０が可撓性を有することにより、ガラス基板１００の裏面側のザグリ形状に追従して接合させることができ、イメージセンサパッケージ２００の裏面とガラス基板１００の裏面とを連続して覆うことができる。これにより、イメージセンサパッケージ２００から生じた熱をガラス基板１００の裏面全体に広げることができ、放熱性を向上させることができる。
ここで、ガラス基板１００の裏面のザグリの深さｔ２は、小さいほど段差が小さくなるため、放熱部材３１０としてのグラファイトシートが追従しやすくなる。ただし、ｔ２が小さいとイメージセンサパッケージ２００を接合するガラス基板１００の段差部の剛性が小さくなるため、割れが生じやすくなる。したがって、ガラス基板１００の段差部の剛性と放熱部材３１０としてのグラファイトシートの段差追従性とのバランスをとって、ｔ２を設定する必要がある。
＜２．第２の実施の形態＞
［実装構造］
図４は、本技術の第２の実施の形態における半導体装置の一例を示す断面図である。
［実装構造］
図４は、本技術の第２の実施の形態における半導体装置の一例を示す断面図である。
この第２の実施の形態では、ガラス基板１００の段差部が２段になっている。この構造において、ガラス基板１００の表面からみて最も深い１段目の段差部にイメージセンサパッケージ２００を当接させて接合させる。また、２段目の段差部においてボンディングワイヤ２１０により電気的に接続する。
ここで、ガラス基板１００の表面側のザグリの深さｔ１は、ボンディングワイヤ２１０のループ高さ以上とすることが好ましい。これにより、上述の第１の実施の形態と同様に、ボンディングワイヤ２１０とリッド４００の干渉を回避することができる。
また、ガラス基板１００の裏面のザグリの深さｔ２は、イメージセンサパッケージ２００の厚さと実質的に同じとすることが好ましい。これにより、ガラス基板１００側のパッド面とイメージセンサパッケージ２００側のパッド面とが同一の高さとなり、ボンディングワイヤ２１０のループ高さを低くすることができる。
［製造方法］
図５は、本技術の第２の実施の形態における半導体装置の製造方法の一例を示す図である。
図５は、本技術の第２の実施の形態における半導体装置の製造方法の一例を示す図である。
まず、ガラス基板１００が基材として用意され、貫通ビア１１０が形成され、貫通ビア１１０の内側にメッキが施された後に、その内部に金属が埋め込まれて貫通電極１２０が形成される。そして、同図におけるａに示すように、ガラス基板１００の両面に配線層１４０が形成される。
次に、同図におけるｂに示すように、ガラス基板１００の１段目の段差部を形成する位置を除く部分にレジスト１５１をパターニングして保護し、開口した部分にウェットエッチングをかける。これにより、同図におけるｃに示すように、１段目の段差部１９１が形成される。なお、段差部１９１は、特許請求の範囲に記載の第２の段差部の一例である。
次に、同図におけるｄに示すように、ガラス基板１００の２段目の段差部および貫通孔を形成する位置を除く部分にレジスト１５２および１５３をパターニングして保護し、開口した部分にウェットエッチングをかける。これにより、同図におけるｅに示すように、２段目の段差部１９２および貫通孔１９３が形成される。なお、段差部１９２は、特許請求の範囲に記載の第１の段差部の一例である。
なお、このようなエッチング工程としては、例えば、ガラス基板１００を水平方向に搬送しながらエッチング液を噴射することにより、エッチング処理を容易に行うことが考えられる。
このように、本技術の第２の実施の形態では、ガラス基板１００の段差部を２段にして、深い段差部にイメージセンサパッケージ２００を接合して、浅い段差部においてボンディングワイヤ２１０を形成する。これにより、ボンディングワイヤ２１０とリッド４００の干渉を回避することができる。
＜３．第３の実施の形態＞
［実装構造］
図６は、本技術の第３の実施の形態における半導体装置の一例を示す断面図である。
［実装構造］
図６は、本技術の第３の実施の形態における半導体装置の一例を示す断面図である。
上述の第１の実施の形態では、イメージセンサパッケージ２００は受光部とは反対側の面においてガラス基板１００と接合されていたが、この第３の実施の形態では、イメージセンサパッケージ２００は受光面においてガラス基板１００と接合される。そのために、イメージセンサパッケージ２００の受光面の受光部外周に余白を設け、その余白部と段差部とを接合する。
受光部の外周にはダム材２３０が形成され、ダム材２３０と余白部の間には電気接続用のパッドが形成されており、ガラス基板１００の表面に形成されたパッドとボンディングワイヤ２１０との間により電気的に接続される。
ガラス基板１００の裏面のザグリの深さｔ２とイメージセンサパッケージ２００の厚さとは実質的に同じであり、ガラス基板１００の裏面とイメージセンサパッケージ２００の裏面とは実質的に同一平面上に位置している。放熱部材３２０は、ガラス基板１００の裏面およびイメージセンサパッケージ２００の裏面の双方と接合されている。これにより放熱部材３２０の面積を広く確保することができるため、放熱性を向上させることができる。また、この構造によりガラス基板１００の表面から受光面までの距離を長く確保することができるため、レンズの焦点距離を長くすることができる。
このように、本技術の第３の実施の形態によれば、ガラス基板１００の裏面とイメージセンサパッケージ２００の裏面とを実質的に同一平面上に配置することにより、放熱部材３２０の面積を広く確保して、放熱性を向上させることができる。
＜４．第４の実施の形態＞
［実装構造］
図７は、本技術の第４の実施の形態における半導体装置の一例を示す断面図である。
［実装構造］
図７は、本技術の第４の実施の形態における半導体装置の一例を示す断面図である。
上述の第１の実施の形態では、ウェットエッチングを前提としていたため、段差部の開口部の側面がテーパー状に形成されていた。これに対し、この第４の実施の形態では、ガラス基板１００のザグリ加工過程において、レーザー照射とウェット加工とを用いることにより、垂直に加工する。
すなわち、レーザーを照射することによって厚さ方向にガラスを改質し、改質した箇所を起点にウェットエッチングすることにより、垂直加工を実現することができる。この場合、ウェットエッチングを短時間で済ませることができるため、テーパーが抑制され、平面方向の小型化を実現することができる。
このように、本技術の第４の実施の形態によれば、ガラス基板１００のザグリ加工過程において、レーザー照射とウェット加工とを用いることにより、段差部の側面がテーパー状になることを抑制し、平面方向に小型化することができる。
＜５．第５の実施の形態＞
［実装構造］
図８は、本技術の第５の実施の形態における半導体装置の一例を示す断面図である。
［実装構造］
図８は、本技術の第５の実施の形態における半導体装置の一例を示す断面図である。
上述の第１の実施の形態では、１つのガラス基板１００に対してサグリ加工を行うことにより、貫通孔を形成することを想定していた。これに対し、この第５の実施の形態では、２枚以上の貫通孔のサイズの異なるガラス基板１０１および１０２を貼り合わせて、段差部を形成する。
貫通孔を形成する過程においては、ウェット加工、レーザー照射とウェット加工、機械加工、サンドブラスト等を用いることができる。特に、板材であることにより研磨を利用することが可能なため、平坦性を高く製造することができる。したがって、上述の第４の実施の形態と同様に、段差部の側面を垂直に形成することができる。これにより、テーパーが抑制されるため、平面方向の小型化を実現することができる。
このように、本技術の第５の実施の形態によれば、２枚以上の貫通孔のサイズの異なるガラス基板１０１および１０２を貼り合わせることにより、段差部の側面がテーパー状になることを抑制し、平面方向に小型化することができる。
＜６．第６の実施の形態＞
［実装構造］
図９は、本技術の第６の実施の形態における半導体装置の一例を示す断面図である。
［実装構造］
図９は、本技術の第６の実施の形態における半導体装置の一例を示す断面図である。
上述の第１の実施の形態では、１つのイメージセンサパッケージ２００を搭載することを想定していた。これに対し、この第６の実施の形態では、２以上のイメージセンサパッケージ２００を実装する。これにより、撮像装置として複眼化を図る。すなわち、複数の撮像装置１１および１２を一体化した実装構造を実現する。
この複眼化により実装面積が大きくなっても、ガラス基板１００を用いていることにより、初期的な反りやアオリ、および、線膨張係数差による反りやアオリを低減することができる。
［製造方法］
図１０乃至１２は、本技術の第６の実施の形態における半導体装置の製造方法の一例を示す図である。
図１０乃至１２は、本技術の第６の実施の形態における半導体装置の製造方法の一例を示す図である。
まず、同図におけるａに示すように、ガラス基板１００が基材として用意される。そして、同図におけるｂに示すように、貫通ビア１１０が形成される。同図におけるｃに示すように貫通ビア１１０の内側に銅などのメッキ１２１が施された後に、同図におけるｄに示すようにその内部に銅などの金属１３１が埋め込まれて貫通電極１２０が形成される。そして、同図におけるｅに示すように、ガラス基板１００の両面に配線層１４０が形成される。
次に、同図におけるｆに示すように、ガラス基板１００の貫通孔を形成する位置を除く部分にレジスト１５０をパターニングして保護し、開口した部分にウェットエッチングをかける。このとき、段差部を形成するために、ガラス基板１００の両面には異なる大きさのレジスト１５０が形成される。ウェットエッチングの後、レジスト１５０が除去され、同図におけるｇに示すような断面構造となる。
次に、同図におけるｈに示すように、ガラス基板１００の段差部にイメージセンサパッケージ２００が当接されて接合される。そして、同図におけるｉに示すように、イメージセンサパッケージ２００の受光面の反対面に放熱部材３００が接合される。同図におけるｊに示すように、ガラス基板１００の配線層１４０のパッドとイメージセンサパッケージ２００との間に、ボンディングワイヤ２１０によるボンディングが形成される。
次に、同図におけるｋに示すように、イメージセンサパッケージ２００の受光面側にリッド４００が形成される。そして、同図におけるｌに示すように、リッド４００を覆うようにレンズ構造体５００が形成される。
なお、この製造方法は、上述の他の実施の形態においても同様に適用することができる。また、この例では、第６の実施の形態のように複眼化した実装構造を想定しているため、ダイシング前にリッド４００およびレンズ構造体５００を搭載した例を示しているが、これらはダイシング後に搭載するようにしてもよい。
このように、本技術の第６の実施の形態によれば、ガラス基板１００を用いることにより、２以上のイメージセンサパッケージ２００を実装しながら、初期的な反りおよびアオリ、線膨張係数差による反りおよびアオリを低減することができる。
なお、上述の実施の形態は本技術を具現化するための一例を示したものであり、実施の形態における事項と、特許請求の範囲における発明特定事項とはそれぞれ対応関係を有する。同様に、特許請求の範囲における発明特定事項と、これと同一名称を付した本技術の実施の形態における事項とはそれぞれ対応関係を有する。ただし、本技術は実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において実施の形態に種々の変形を施すことにより具現化することができる。
なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって、限定されるものではなく、また、他の効果があってもよい。
なお、本技術は以下のような構成もとることができる。
（１）表裏面を貫通する貫通孔および前記貫通孔の外周に段差部を備えるガラス基板と、
前記段差部に接合された半導体素子と
を具備する半導体装置。
（２）前記ガラス基板は、その表面に配線層を備える
前記（１）に記載の半導体装置。
（３）前記半導体素子は、その表面が前記配線層と実質的に同一平面上になる位置に配置される
前記（２）に記載の半導体装置。
（４）前記段差部は、前記貫通孔の外周に設けられた第１の段差部と、前記第１の段差部の外周に設けられた第２の段差部とを備え、
前記半導体素子は、前記第１の段差部に接合される
前記（１）に記載の半導体装置。
（５）前記ガラス基板は、その表面および前記第２の段差部の各々に配線層を備える
前記（４）に記載の半導体装置。
（６）前記半導体素子は、その表面が前記第２の段差部の底面の配線層と実質的に同一平面上になる位置に配置される
前記（５）に記載の半導体装置。
（７）前記半導体素子は、撮像素子である
前記（１）から（６）のいずれかに記載の半導体装置。
（８）前記半導体素子は、前記撮像素子の受光部とは反対側の面において前記ガラス基板と接合される
前記（７）に記載の半導体装置。
（９）前記半導体素子は、前記撮像素子の受光部の外周において前記ガラス基板と接合される
前記（７）に記載の半導体装置。
（１０）前記半導体素子と接合する放熱部材をさらに具備する
前記（１）から（９）のいずれかに記載の半導体装置。
（１１）前記放熱部材は、前記ガラス基板にさらに接合される
前記（１０）に記載の半導体装置。
（１２）前記放熱部材は、可撓性の放熱シートである
前記（１０）または（１１）に記載の半導体装置。
（１３）前記放熱部材は、クラッド材である
前記（１０）に記載の半導体装置。
（１４）前記ガラス基板は、前記貫通孔における開口部の側面がテーパー状である
前記（１）から（１３）のいずれかに記載の半導体装置。
（１５）前記ガラス基板は、前記貫通孔における開口部の側面が前記ガラス基板の表面に対し略垂直である
前記（１）から（１３）のいずれかに記載の半導体装置。
（１６）前記ガラス基板は、互いに接合された少なくとも２つの基材を備える
前記（１）から（１５）のいずれかに記載の半導体装置。
（１７）前記ガラス基板の前記貫通孔における開口部の側面を覆う遮光性を有する樹脂をさらに具備する前記（１）から（１６）のいずれかに記載の半導体装置。
（１８）複数のレンズが積層されたレンズ構造体をさらに具備し、
前記撮像素子は、前記複数のレンズによって集光された光が入射される
前記（７）に記載の半導体装置。
（１９）前記ガラス基板は、前記貫通孔を複数備え、
前記複数の貫通孔の各々の前記段差部に接合される前記半導体素子を複数備える
前記（１）から（１８）のいずれかに記載の半導体装置。
（１）表裏面を貫通する貫通孔および前記貫通孔の外周に段差部を備えるガラス基板と、
前記段差部に接合された半導体素子と
を具備する半導体装置。
（２）前記ガラス基板は、その表面に配線層を備える
前記（１）に記載の半導体装置。
（３）前記半導体素子は、その表面が前記配線層と実質的に同一平面上になる位置に配置される
前記（２）に記載の半導体装置。
（４）前記段差部は、前記貫通孔の外周に設けられた第１の段差部と、前記第１の段差部の外周に設けられた第２の段差部とを備え、
前記半導体素子は、前記第１の段差部に接合される
前記（１）に記載の半導体装置。
（５）前記ガラス基板は、その表面および前記第２の段差部の各々に配線層を備える
前記（４）に記載の半導体装置。
（６）前記半導体素子は、その表面が前記第２の段差部の底面の配線層と実質的に同一平面上になる位置に配置される
前記（５）に記載の半導体装置。
（７）前記半導体素子は、撮像素子である
前記（１）から（６）のいずれかに記載の半導体装置。
（８）前記半導体素子は、前記撮像素子の受光部とは反対側の面において前記ガラス基板と接合される
前記（７）に記載の半導体装置。
（９）前記半導体素子は、前記撮像素子の受光部の外周において前記ガラス基板と接合される
前記（７）に記載の半導体装置。
（１０）前記半導体素子と接合する放熱部材をさらに具備する
前記（１）から（９）のいずれかに記載の半導体装置。
（１１）前記放熱部材は、前記ガラス基板にさらに接合される
前記（１０）に記載の半導体装置。
（１２）前記放熱部材は、可撓性の放熱シートである
前記（１０）または（１１）に記載の半導体装置。
（１３）前記放熱部材は、クラッド材である
前記（１０）に記載の半導体装置。
（１４）前記ガラス基板は、前記貫通孔における開口部の側面がテーパー状である
前記（１）から（１３）のいずれかに記載の半導体装置。
（１５）前記ガラス基板は、前記貫通孔における開口部の側面が前記ガラス基板の表面に対し略垂直である
前記（１）から（１３）のいずれかに記載の半導体装置。
（１６）前記ガラス基板は、互いに接合された少なくとも２つの基材を備える
前記（１）から（１５）のいずれかに記載の半導体装置。
（１７）前記ガラス基板の前記貫通孔における開口部の側面を覆う遮光性を有する樹脂をさらに具備する前記（１）から（１６）のいずれかに記載の半導体装置。
（１８）複数のレンズが積層されたレンズ構造体をさらに具備し、
前記撮像素子は、前記複数のレンズによって集光された光が入射される
前記（７）に記載の半導体装置。
（１９）前記ガラス基板は、前記貫通孔を複数備え、
前記複数の貫通孔の各々の前記段差部に接合される前記半導体素子を複数備える
前記（１）から（１８）のいずれかに記載の半導体装置。
１１、１２ 撮像装置
１００～１０２ ガラス基板
１１０ 貫通ビア
１２０ 貫通電極
１２１ メッキ
１３１ 金属
１４０ 配線層
１５０～１５２ レジスト
１６０ 貫通電極
１９１、１９２ 段差部
１９３ 貫通孔
２００ イメージセンサパッケージ
２１０ ボンディングワイヤ
２２０ 遮光樹脂
２３０ ダム材
３００、３１０、３２０ 放熱部材
４００ リッド
４１０ 遮光膜
５００ レンズ構造体
１００～１０２ ガラス基板
１１０ 貫通ビア
１２０ 貫通電極
１２１ メッキ
１３１ 金属
１４０ 配線層
１５０～１５２ レジスト
１６０ 貫通電極
１９１、１９２ 段差部
１９３ 貫通孔
２００ イメージセンサパッケージ
２１０ ボンディングワイヤ
２２０ 遮光樹脂
２３０ ダム材
３００、３１０、３２０ 放熱部材
４００ リッド
４１０ 遮光膜
５００ レンズ構造体
Claims (15)
- 表裏面を貫通する貫通孔および前記貫通孔の外周に段差部を備えるガラス基板と、
前記段差部に接合された半導体素子と
を具備し、
前記ガラス基板は、その表面に配線層を備え、
前記半導体素子は、その表面が前記配線層と実質的に同一平面上になる位置に配置される
半導体装置。 - 前記半導体素子と接合する放熱部材をさらに具備する
請求項１記載の半導体装置。 - 前記放熱部材は、前記ガラス基板にさらに接合される
請求項２記載の半導体装置。 - 前記放熱部材は、可撓性の放熱シートである
請求項２記載の半導体装置。 - 前記放熱部材は、クラッド材である
請求項２記載の半導体装置。 - 前記ガラス基板は、前記貫通孔における開口部の側面がテーパー状である
請求項１記載の半導体装置。 - 前記ガラス基板は、前記貫通孔における開口部の側面が前記ガラス基板の表面に対し略垂直である
請求項１記載の半導体装置。 - 前記ガラス基板は、互いに接合された少なくとも２つの基材を備える
請求項１記載の半導体装置。 - 前記ガラス基板の前記貫通孔における開口部の側面を覆う遮光性を有する樹脂をさらに具備する請求項１記載の半導体装置。
- 前記ガラス基板は、前記貫通孔を複数備え、
前記複数の貫通孔の各々の前記段差部に接合される前記半導体素子を複数備える
請求項１記載の半導体装置。 - 表裏面を貫通する貫通孔および前記貫通孔の外周に段差部を備えるガラス基板と、
前記段差部に接合された半導体素子と
を具備し、
前記段差部は、前記貫通孔の外周に設けられた第１の段差部と、前記第１の段差部の外周に設けられた第２の段差部とを備え、
前記半導体素子は、前記第１の段差部に接合される
半導体装置。 - 前記ガラス基板は、その表面および前記第２の段差部の各々に配線層を備える
請求項１１記載の半導体装置。 - 前記半導体素子は、その表面が前記第２の段差部の底面の配線層と実質的に同一平面上になる位置に配置される
請求項１２記載の半導体装置。 - 表裏面を貫通する貫通孔および前記貫通孔の外周に段差部を備えるガラス基板と、
前記段差部に接合された半導体素子と
を具備し、
前記半導体素子は、撮像素子であって、前記撮像素子の受光部とは反対側の面において前記ガラス基板と接合される
半導体装置。 - 複数のレンズが積層されたレンズ構造体をさらに具備し、
前記撮像素子は、前記複数のレンズによって集光された光が入射される
請求項１４記載の半導体装置。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019045052 | 2019-03-12 | ||
| JP2019045052 | 2019-03-12 | ||
| PCT/JP2020/000408 WO2020183881A1 (ja) | 2019-03-12 | 2020-01-09 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2020183881A1 JPWO2020183881A1 (ja) | 2020-09-17 |
| JP7449920B2 true JP7449920B2 (ja) | 2024-03-14 |
Family
ID=72427431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021505540A Active JP7449920B2 (ja) | 2019-03-12 | 2020-01-09 | 半導体装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20220149099A1 (ja) |
| JP (1) | JP7449920B2 (ja) |
| CN (1) | CN113519058A (ja) |
| WO (1) | WO2020183881A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20220216171A1 (en) * | 2021-01-06 | 2022-07-07 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Chip package structure, preparation method, and electronic device |
| WO2023058413A1 (ja) * | 2021-10-07 | 2023-04-13 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 半導体装置および電子機器 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004165671A (ja) | 2002-11-14 | 2004-06-10 | Agilent Technol Inc | 半導体パッケージング構造 |
| JP2006253936A (ja) | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 撮像モジュールおよびその製造方法 |
| WO2013081156A1 (ja) | 2011-11-30 | 2013-06-06 | 京セラ株式会社 | 撮像素子収納用パッケージおよび撮像装置 |
| JP2014216394A (ja) | 2013-04-23 | 2014-11-17 | 株式会社ニコン | 固体撮像装置及び電子カメラ |
| JP2015015529A (ja) | 2013-07-03 | 2015-01-22 | 株式会社ニコン | 撮像ユニット及び撮像装置 |
| JP2015038962A (ja) | 2013-07-16 | 2015-02-26 | ソニー株式会社 | 配線基板および配線基板の製造方法、並びに、部品内蔵ガラス基板および部品内蔵ガラス基板の製造方法。 |
| WO2016031332A1 (ja) | 2014-08-26 | 2016-03-03 | シャープ株式会社 | カメラモジュール |
| JP2017040723A (ja) | 2015-08-18 | 2017-02-23 | 株式会社フジクラ | 車載用カメラ |
| JP2018532352A (ja) | 2015-08-04 | 2018-11-01 | ニンボー サニー オプテック カンパニー，リミテッド | マルチレンズカメラモジュール結合スタンド、マルチレンズカメラモジュール、およびその利用 |
| WO2019044172A1 (ja) | 2017-08-29 | 2019-03-07 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置、および、撮像装置の製造方法 |
-
2020
- 2020-01-09 CN CN202080018337.9A patent/CN113519058A/zh active Pending
- 2020-01-09 JP JP2021505540A patent/JP7449920B2/ja active Active
- 2020-01-09 WO PCT/JP2020/000408 patent/WO2020183881A1/ja active Application Filing
- 2020-01-09 US US17/434,937 patent/US20220149099A1/en active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004165671A (ja) | 2002-11-14 | 2004-06-10 | Agilent Technol Inc | 半導体パッケージング構造 |
| JP2006253936A (ja) | 2005-03-09 | 2006-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 撮像モジュールおよびその製造方法 |
| WO2013081156A1 (ja) | 2011-11-30 | 2013-06-06 | 京セラ株式会社 | 撮像素子収納用パッケージおよび撮像装置 |
| JP2014216394A (ja) | 2013-04-23 | 2014-11-17 | 株式会社ニコン | 固体撮像装置及び電子カメラ |
| JP2015015529A (ja) | 2013-07-03 | 2015-01-22 | 株式会社ニコン | 撮像ユニット及び撮像装置 |
| JP2015038962A (ja) | 2013-07-16 | 2015-02-26 | ソニー株式会社 | 配線基板および配線基板の製造方法、並びに、部品内蔵ガラス基板および部品内蔵ガラス基板の製造方法。 |
| WO2016031332A1 (ja) | 2014-08-26 | 2016-03-03 | シャープ株式会社 | カメラモジュール |
| JP2018532352A (ja) | 2015-08-04 | 2018-11-01 | ニンボー サニー オプテック カンパニー，リミテッド | マルチレンズカメラモジュール結合スタンド、マルチレンズカメラモジュール、およびその利用 |
| JP2017040723A (ja) | 2015-08-18 | 2017-02-23 | 株式会社フジクラ | 車載用カメラ |
| WO2019044172A1 (ja) | 2017-08-29 | 2019-03-07 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 撮像装置、および、撮像装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20220149099A1 (en) | 2022-05-12 |
| WO2020183881A1 (ja) | 2020-09-17 |
| JPWO2020183881A1 (ja) | 2020-09-17 |
| CN113519058A (zh) | 2021-10-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6597729B2 (ja) | 撮像ユニットおよび撮像装置 | |
| JP4483896B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| TWI380381B (ja) | ||
| US7593636B2 (en) | Pin referenced image sensor to reduce tilt in a camera module | |
| KR100591375B1 (ko) | 고체 촬상 장치 및 그 제조방법 | |
| JP5746919B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
| JP4106003B2 (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
| TW201305639A (zh) | 相機模組及其製造方法 | |
| JP2009088459A (ja) | ウェハーレベルのイメージセンサモジュール、その製造方法、及びカメラモジュール | |
| JP2007129164A (ja) | 光学装置用モジュール、光学装置用モジュールの製造方法、及び、構造体 | |
| JP7449920B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2004327918A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| US9484372B2 (en) | Substrate for embedding imaging device and method for manufacturing same, and imaging apparatus | |
| JP6067262B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法、ならびにカメラ | |
| JP2006237051A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN104037182A (zh) | 半导体装置、制造方法和电子设备 | |
| WO2017036344A1 (zh) | 影像传感器封装结构及其封装方法 | |
| US7242538B2 (en) | Optical device | |
| KR101232886B1 (ko) | 재배선용 기판을 이용한 반도체 패키지 및 그 제조 방법 | |
| US10763293B2 (en) | Image sensing chip package and image sensing chip packaging method | |
| US7205095B1 (en) | Apparatus and method for packaging image sensing semiconductor chips | |
| TWI543613B (zh) | 影像感測模組 | |
| WO2022259684A1 (ja) | 固体撮像装置および電子機器 | |
| WO2023162713A1 (ja) | 半導体装置、電子機器および半導体装置の製造方法 | |
| JP6777118B2 (ja) | 撮像ユニット及び撮像装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20221128 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20231010 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20231109 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20240206 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20240304 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7449920 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |