JP2015038438A - 加工装置 - Google Patents
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Abstract
Description
切削装置は、ウエーハを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウエーハを切削する切削ブレードを備えた切削手段と、チャックテーブルに保持されたウエーハに形成された分割予定ラインを検出する撮像手段等を具備している(例えば、特許文献2参照)。
また、撮像手段によって撮像される画像は2次元画像であるため、研削装置においては研削痕の凹凸状態を検証できないという問題がある。
X軸方向、X軸方向と直交するY軸方向、X軸方向およびY軸方向と直交するZ軸方向において3次元で該被加工物保持手段に保持された被加工物を撮像し、撮像した画像信号を出力する3次元撮像機構と、
該3次元撮像機構から出力された画像信号に基づいて3次元画像を生成する処理手段と、
該処理手段によって生成された3次元画像を出力する出力手段と、を具備している、
ことを特徴とする加工装置が提供される。
また、上記集光器は、集光器ケースと該集光器ケースに配設された対物レンズを具備しており、上記干渉光生成手段は、集光器ケース内において対物レンズから被加工物保持手段の保持面に保持された被加工物側に配設され中央に微細なミラーを備えた干渉光を生成するガラスプレートと、該ガラスプレートから被加工物保持手段の保持面に保持された被加工物側に配設され上記光照射手段から照射された光を透過して被加工物保持手段の保持面に保持された被加工物に照射するとともに該ガラスプレートの微細なミラーに向けて光を反射する第1のビームスプリッターとによって構成され、上記光照射手段は、光源と、撮像素子手段と集光器との間に配設され光源からの光を集光器に導くとともに被加工物保持手段の保持面に保持された被加工物で反射した光を該撮像素子手段に導く第2のビームスプリッターとによって構成されている。
更に、上記Z軸移動手段は、3次元撮像機構をZ軸方向に移動する第1のZ軸移動手段と、集光器をZ軸方向に移動する第2のZ軸移動手段とからなっていることが望ましく、第2のZ軸移動手段は、ピエゾモータからなっていることがより望ましい。
第1のZ軸移動手段8は、上記3次元撮像機構7の機構ハウジング71を矢印Zで示すZ軸方向(チャックテーブル36の保持面に垂直な方向)に移動可能に支持する支持ケース81と、該支持ケース81に支持された機構ハウジング71を矢印Zで示すZ軸方向に移動せしめる作動手段82とからなっている。支持ケース81は、上壁811と底壁812と両側壁813,814および後壁(図示せず)とからなり、両側壁813,814が前側に突出して案内レール813a,813bを構成している。上記作動手段82は、支持ケース81の両側壁813,814の間に平行に配設され上壁811と底壁812に回転可能に軸支された雄ネジロッド821と、上壁811に配設され雄ネジロッド821と伝動連結されたパルスモータ822等の駆動源を含んでいる。このように構成された作動手段82の雄ネジロッド821に上記機構ハウジング71の後壁に配設された雌ネジブロック713に形成された貫通雌ネジ穴713aが螺合される。従って、パルスモータ822によって雄ネジロッド821を正転および逆転駆動することにより、雌ネジブロック713が装着されている機構ハウジング71は案内レール813a,814aに沿ってZ軸方向に移動せしめられる。
図7には、上述したレーザー加工装置1によって加工される被加工物としての半導体ウエーハ10が環状のフレームFに装着されたダイシングテープTの表面に装着された状態の斜視図が示されている。図7に示す半導体ウエーハ10は、シリコンウエーハからなっており、表面10aに複数の分割予定ライン101が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン101によって区画された複数の領域にIC、LSI等のデバイス102が形成されている。
先ず上述した図1に示すレーザー加工装置1のチャックテーブル36上に半導体ウエーハ10が貼着されたダイシングテープT側を載置し、該チャックテーブル36上にダイシングテープTを介して半導体ウエーハ10を吸引保持する。従って、チャックテーブル36上にダイシングテープTを介して吸引保持された半導体ウエーハ10は、表面10aが上側となる。なお、ダイシングテープTが装着された環状のフレームFは、チャックテーブル36に配設されたクランプ362によって固定される。このようにして半導体ウエーハ10を吸引保持したチャックテーブル36は、加工送り手段37によって撮像手段6の直下に位置付けられる。
波長 :355nm
繰り返し周波数 :50kHz
平均出力 :5W
集光スポット :φ10μm
加工送り速度 :200mm/秒
レーザー加工溝確認工程は、先ず加工送り手段37を作動して上記レーザー加工溝形成工程が実施された半導体ウエーハ10が保持されているチャックテーブル36を3次元撮像機構7の集光器73の下側に移動するとともに、半導体ウエーハ10に形成されたレーザー加工溝110を集光器73の直下に位置付ける。次に、第1のZ軸移動手段8を作動して3次元撮像機構7を所定の待機位置から下降させるとともに、第2のZ軸移動手段としてのピエゾモータからなるアクチュエータ76に例えば60Vの電圧を印加しピエゾモータからなるアクチュエータ76を図6に示すように60μm伸びた状態とする。この状態において3次元撮像機構7の集光器73から照射される光の集光点P(図4参照)がチャックテーブル36に保持された半導体ウエーハ10の表面10a(上面)付近となるようにセットする。
図10に示す3次元撮像機構7aの干渉光生成手段75aは、対物レンズ732からチャックテーブル36側に配設された第1のビームスプリッター752aと、対物レンズ732で集光され第1のビームスプリッター752aで反射された光の集光点位置に配設された反射ミラー77aとからなっている。このように構成された干渉光生成手段75aは、光照射手段74の光源741から照射され第2のビームスプリッター742を介して対物レンズ732に導かれ該対物レンズ732によって集光され集光点Pで反射した戻り光と反射ミラー77aで反射した光が第1のビームスプリッター752aにおいて干渉したとき光強度の高い干渉光を生成し、上記撮像素子手段72に向けて導く。
図11に示す3次元撮像機構7bの干渉光生成手段75bは、光照射手段74の第2のビームスプリッター742と対物レンズ732との間に配設された第1のビームスプリッター742bと、該第1のビームスプリッター742bで反射した光を集光する集光レンズ78bと、該集光レンズ78bで集光された光の集光点位置に配設された反射ミラー77bとからなっている。このように構成された干渉光生成手段75bは、光照射手段74の光源741から照射され第2のビームスプリッター742を介して第1のビームスプリッター742bを通り対物レンズ732に導かれ該対物レンズ732によって集光され集光点Pで反射した戻り光と反射ミラー77bで反射した光が第1のビームスプリッター742bにおいて干渉したとき光強度の高い干渉光を生成し、上記撮像素子手段72に向けて導く。
また、上述した実施形態においてはレーザー加工溝110の3次元画像を出力手段90に出力し、オペレータが3次元画像によりレーザー加工溝110の加工状態を検証して、適正な加工条件を設定する例を示したが、レーザー加工装置自身でレーザー加工溝110の3次元画像に基づいて加工条件を設定することもできる。即ち、適正な加工条件によって加工された複数のレーザー加工溝の3次元画像を予めランダムアクセスメモリ(RAM)93に格納しておき、オペレータがこれから加工する被加工物に対するレーザー加工溝の3次元画像を入力する。そして、これから加工する被加工物に対して加工条件を変えながら試験加工を実施し、試験加工によるレーザー加工溝の3次元画像がランダムアクセスメモリ(RAM)93に格納された3次元画像と一致したときの加工条件を適正な加工条件として決定する。
なお、上記撮像素子手段72を構成するXY座標の画素数が例えば10000×10000である場合、特定された1000×1000の画素を使用すればメモリを小さくできるとともに記憶速度を100倍に向上できる。
3:チャックテーブル機構
36:チャックテーブル
37:加工送り手段
38:割り出し送り手段
4:レーザー光線照射ユニット
5:レーザー光線照射手段
51:加工ヘッド
6:撮像手段
7:3次元撮像機構
72:撮像素子手段
73:集光器
732:対物レンズ
74:光照射手段
75:干渉光生成手段
76:アクチュエータ
8:第1のZ軸移動手段
9:処理手段
10:半導体ウエーハ
Claims (5)
- 被加工物を保持する保持面を備えた被加工物保持手段と、該被加工物保持手段の保持面に保持された被加工物に加工を施す加工手段と、該被加工物保持手段と該加工手段とを加工送り方向(X軸方向)に加工送りする加工送り手段と、を具備する加工装置において、
X軸方向、X軸方向と直交するY軸方向、X軸方向およびY軸方向と直交するZ軸方向において3次元で該被加工物保持手段の保持面に保持された被加工物を撮像し、撮像した画像信号を出力する3次元撮像機構と、
該3次元撮像機構から出力された画像信号に基づいて3次元画像を生成する処理手段と、
該処理手段によって生成された3次元画像を出力する出力手段と、を具備している、
ことを特徴とする加工装置。 - 該3次元撮像機構は、複数の画素がX軸方向とY軸方向に配列された撮像素子手段と、該被加工物保持手段の保持面に対向する集光器と、該集光器を通して該被加工物保持手段の保持面に保持された被加工物に光を照射する光照射手段と、該被加工物保持手段の保持面に保持された被加工物で反射した戻り光と干渉光を生成する干渉光生成手段と、該集光器をZ軸方向に移動するZ軸移動手段と、該Z軸移動手段により移動せしめられる該集光器のZ軸方向位置を検出するZ軸方向位置検出手段とを備え、
該処理手段は、該Z軸方向位置検出手段からのZ軸方向位置信号と該撮像素子手段からの撮像信号に基づいて、Z軸方向位置毎に該干渉光生成手段で生成された強い光を捉えた該撮像素子手段の画素のX座標とY座標を求め、該Z軸方向位置毎に求めたX座標とY座標に基づいて3次元画像を作成する、請求項1記載の加工装置。 - 該集光器は、集光器ケースと該集光器ケースに配設された対物レンズを具備しており、
該干渉光生成手段は、該集光器ケース内において該対物レンズから該被加工物保持手段の保持面に保持された被加工物側に配設され中央に微細なミラーを備えた干渉光を生成するガラスプレートと、該ガラスプレートから該被加工物保持手段の保持面に保持された被加工物側に配設され該光照射手段から照射された光を透過して該被加工物保持手段の保持面に保持された被加工物に照射するとともに該ガラスプレートの微細なミラーに向けて光を反射する第1のビームスプリッターとによって構成され、
該光照射手段は、光源と、該撮像素子手段と該集光器との間に配設され該光源からの光を該集光器に導くとともに該被加工物保持手段の保持面に保持された被加工物で反射した光を該撮像素子手段に導く第2のビームスプリッターとによって構成されている、請求項2記載の加工装置。 - 該Z軸移動手段は、該3次元撮像機構をZ軸方向に移動する第1のZ軸移動手段と、該集光器をZ軸方向に移動する第2のZ軸移動手段とからなっている、請求項2又は3記載の加工装置。
- 該第2のZ軸移動手段は、ピエゾモータからなっている、請求項4記載の加工装置。
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